Universitatea Politehnic Bucureti

Facultatea de Automatic i Calculatoare

VLSI
Referat Laborator I









Popa Diana 341C1
Ptru Ioana-Irina 343C1

2

I. Funcionarea tranzistorului CMOS

1 . Introducere
Tranzistoarele MOSFET complementare (CMOS) reprezint baza tuturor circuitelor integrate din
ziua de azi pentru numeroase i variate aplicaii . Procesoarele calculatoarelor i telefoanelor
folosesc CMOS datorit a mai multor avantaje cum ar fi : disipare redus a cldurii, vitez relativ
mare, limite nalte de zgomot n ambele stri de funcionare, i opereaz cu o serie variat de
tensiuni de input i de surs (cu condiia ca voltajul sursei s fie constant).

n figura de mai sus este reprezentat un tranzistor MOSFET . Blocul perpendicular de material
de la baz lui este substratul de silicon care se numete substrat (bulk) .
Exist 4 regiuni active din punct de vedere electronic , i acestea sunt : grila ( Gate G ), sursa
(source S ) i drena (Drain - D) i terminalul Bulk , care reprezint n mod normal referina de
tensiune pentru celelalte 3 zone menionate (S, G, D). Regiunea de gril se gsete aezat pe
bulk i este separat de acesta printr-un strat gros de dielectric de oxid de silicon care are
grosimea de Tox.
Alte dou elemente importante ale tranzistorului sunt lungimea (Length - L) i limea (Width -
W). Drena i sursa sunt integrate n substrat dar au un doping diferit fa de cel al substratului .
Exist dou tipuri de tranzistoare MOSFET , nMOS i pMOS care difer n ceea ce privete
polaritatea purttorilor responsabili cu curentul tranzistorului. Purttorii sunt reprezentai de
electroni n cazul nMOS i de holes n cazul pMOS. O descriere simplist ar putea caracteriza
transistorul ca fiind un switch (ntreruptor) : cnd grila are o tensiune nalt (high voltage 1 ),
tranzistorul este nchis i n acest mod sursa i drena devin conectate .
Tensiunea de prag a tranzistorului este parametrul MOS ce marcheaz limita ntre blocare i
conducie. n continuare se urmrete prezentarea tranzistoarelor nMOS i pMOS din punctul
de vederea al structurii i operrii acestora.

3

2.Tranzistoare MOS - caracteristici
Tranzistorul nMOS este alctuit dintr-un substrat de silicon de tip p avnd sursa i drena de tip
n+. Poarta oxid - corp se comport ca un capacitor n care poarta si corpul (Bulk) sunt
conductori. PMOS este similar, dar doparea i voltajele sunt inversate.
nMOS: pMOS:

Corpul unui nMOS (pMOS) trebuie s fie n permanen conectat la cel mai mic (mare) voltaj
care reprezint i terminalul de referin. Corpul unui nMOSFET este de obicei conectat la
ground (0 V), pe cnd cel al unui tranzistor pMOS este conectat la sursa de alimentare.
Convenia de curent pozitiv al unui nMOS (pMOS) este de la dren la surs i este notat cu Ids
sau simplu ID , avnd n vedere c surs i drena au curent de valori egale. Cnd se aplic o
tensiune unui terminal de dren, curentul drenei depinde de tensiunea aplicat terminalului de
control al grilei. VGS, VDS i IDS au valori negative pentru tranzistoarele pMOS.
Polarizare normal nMOS:

Polarizare normal pMOS:


4

In cazul n care VGS = 0, nu exist purttori de sarcin liberi ntre surs i dren i deci nu exista
curent n tranzistor. Acesta reprezint starea de OFF a tranzistorului, atunci cnd nu conduce
(aa cum se vede i n figura de mai jos ). Acest lucru se aplic att pentru nMOS, ct i pentru
pMOS.


II. Analiz subiecte laborator
Curentul care circul ntre dren i surs IDS este un curent de o intensitate mic de ordinul
microsecundelor, care pune n eviden caracteristica de transfer pentru tranzistorul MOS i a
crei evoluie va fi tratat n continuare (se vor varia temperaturile , parametrii de lungime i
lime i se vor observa i explica diferenele). n urmtoarea analiz , tensiunea VDS aparine n
intervalului { 0 V, 5 V} .
Pentru prima etap de analiz se va pstra temperatura default de 27, se vor pstra de
asemenea constani parametri lungime (length ) i lime (width ) la 1.2 m respectiv 2.4 m.
Notm VTH tensiunea de prag a tranzistor si cu k = parametrul constructiv al tranzistorului .
n aceste condiii:
Regiunea liniar : VGS > VTH i VDS < vGS VTH

Regiunea de saturaie vGS > VTH i vDS > vGS - VTH




DS
DS
TH GS D
v
v
V v k i |
.
|

\
|
=
2
2
( )
2
TH GS D
V v k i =

5

a. Pstrm constante S = 2.5 , G=5, i variem D
- nMOS:
Pentru D = { 5, 3.64} tranzistorul se afl n regiune de saturaie


Pentru D = { 3.63 , 0.99 } tranzistorul se afl n regiunea liniar :


6

Dac continum a scdea valoarea lui D de la 0.98 la 0.0 , tranzistorul trece din
nou n starea de saturaie observaia practic verific i ecuaiile date mai sus.


- pMOS:
n ceea ce privete tranzistorul pMOS, trecerea de la starea de saturaie la cea
liniar se face la D = 1.25.


7


b. Putem observa c meninerea lui D la 2.5 i varierea lui S in mod similar cum am fcut-o
i pentru D n exemplul anterior, conduce la rezultate asemntoare (n sensul c
tranzistorul trece prin cele 2 stri la valori aproximativ egale atunci cnd variem S i
meninem D constant la 2.5 ). Toate aceste lucruri sunt explicate prin formulele date
mai sus, pentru ca daca vom varia S , se va modifica att VDS ct i VGS .
nMOS:
- D = 2.5
- G = 5
- S = { 5.00 , 3.64 } saturaie
{ 3.63 , 1.00} liniar
{ 0.99 , 0.00 } saturaie
pMOS:
D = 2.5
G = 0
S > 1.25 saturatie
S < 1.25 linear

c. Starea de cut-off reprezint in general n electronic o stare n care conducia este
neglijabila; la tranzistorul nMOS , aceasta este dictat de valoarea tensiunii VGS , adic
de valorile G i S . Sesizm c dac punem valori destul de mici pentru G i S ,
tranzistorul trece n stare cut-off. S presupunem c aplicm un voltaj pozitiv drenei
relativ la surs i c ncepem cu VGS = 0.

8


Atunci cnd VGS = 0, legtura ntre surs si dren are o rezisten foarte mare (de ordinul
12
12
ohmi) i practic nici un fel de curent n terminalul drenei. Aceasta reprezint
regiunea de cutoff care poate fi sesizat i n imaginea de mai jos. Se observ valoarea
curentului IDS de ordinul pm. Pe msur ce VGS crete , tranzistorul rmne n cutoff
pn cnd aceasta ajunge s depeasc tensiunea de prag (thresholdul).

- nMOS:




9

- pMOS:
Starea de cut-off este obinut pentru valori foarte mari ale gate-ului.





















10

n cea de-a doua etap a analizei , vom varia temperatura i vom observa efectele pe care
aceasta le are asupra funcionrii nMOS (pMOS). Caracteristicile electrice ale tranzistorului
nMOS (pMOS) sunt influenate de temperatur (mai mult, toate MOS Metal Oxide
Semiconductor urile sunt sensibile la temperatur) la fel ca i timpul de via.
Valori calculate pentru cele dou tipuri de tranzistoare
nMOS pMOS
temp : 32 Grade 14 Grade 0 Grade
32
Grade
14
Grade 0 Grade
-
18Grade
0.25Vds 173,233 189,015 198,497 482,995 517,998 553 602,375
0.5Vds 337,46 370,738 389,274 478,604 513,289 548,27 595,804
0.75Vds 494,819 544,731 571,868 472,457 507,639 543,24 592,518
1Vds 644,919 710,558 745,817 469,822 501,988 537,204 585,947
1.25Vds 787,368 867,78 910,66 462,797 497,278 532,163 578,28
1.5Vds 921,776 1016 1066 459,284 493,511 526,138 572,809
1.75Vds 995,515 1096 1150 454,893 487,86 521,1 566,233
2Vds 1007 1109 1162 450,502 482,209 516,078 560,757
2.25Vds 1018 1122 1175 443,477 476,559 509,036 554,185
2.5Vds 1030 1134 1189 437,524 471,749 504,006 548,709
2.75Vds 1041 1147 1202 414,772 446,255 483,416 522,164
3Vds 1053 1160 1215 383,759 418,967 448,996 493,758
3.25Vds 1064 1172 1228 360,913 382,303 402,988 448,336
3.5Vds 1076 1185 1242 316,923 341,539 373,942 407,188
3.75Vds 1087 1197 1255 285,581 312,175 334,983 357,846
4Vds 1098 1210 1268 245,694 273,106 293,161 321,075
4.25Vds 1110 1223 1281 198,508 214,184 230,15 252,053
4.5Vds 1122 1235 1294 165,302 168,958 171,85 188,385
4.75Vds 1133 1248 1308 112,994 121,994 120,658 132,318
5Vds 1144 1260 1321 67,221 68,465 78 85,587




11






0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
0 1 2 3 4 5 6
nMOS: Dependena caracteristicii de transfer de temperatur
32 Degrees 14 Degrees 0 Degrees 18 Degrees
0
100
200
300
400
500
600
700
pMOS: Dependena caracteristicii de transfer de temperatur
32 Grade 14 Grade 0 Grade -18Grade

12

n cea de-a treia etap a analizei, vom menine temperatura constanta si vom varia lungimea
(Lengthul) tranzistorului.
Valori calculate pentru cele dou tranzitoare:
nMOS pMOS

4 (2.4
m)
7 (4.2
m)
10 (6.0
m)
4 (2.4
m)
7 (4.2
m)
10 (6.0
m)
0 0 0 0 178,872 108,638 77,3
0,25 76,338 40,178 27,264 177,569 107,642 76,457
0,5 149,726 78,803 53,474 175,94 106,663 75,89
0,75 219,988 115,783 78,567 173,659 105,28 74,878
1 286,946 151,024 102,481 172,03 104,293 74,208
1,25 357,356 188,082 127,627 170,401 103,305 73,365
1,5 418,753 220,396 149,555 168,772 102,318 72,704
1,75 476,381 250,727 170,136 166,165 101,132 70,84
2 530,065 278,982 189,309 164,536 97,783 68,448
2,25 579,63 305,868 207,011 163,559 93,719 65,603
2,5 624,898 328,894 223,178 154,031 88,129 61,613
2,75 648,442 358,365 237,748 144,558 82,605 57,016
3 655,567 369,391 250,658 129,598 75,345 52,741
3,25 662,693 385,554 261,846 120,195 67,286 48,078
3,5 670,104 389,866 271,587 104,974 59,985 41,99
3,75 676,945 393,846 274,688 85,598 50,554 36,523
4 684,07 397,992 277,58 70,744 42,16 29,512
4,25 691,196 402,137 280,471 61,443 31,477 22,034
4,5 698,322 406,283 283,363 42,004 22,091 15,464
4,75 705,448 410,429 286,254 17,987 8,253 7,195
5 712,573 414,575 289,146 0 0 0



13







0
100
200
300
400
500
600
700
800
0 1 2 3 4 5 6
nMOS: Dependena caracteristicii de transfer de parametrul
lungime
4 (2.4 m) 7 (4.2 m) 10 (6.0 m)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0 1 2 3 4 5 6
pMOS: Dependena caracteristicii de transfer de parametrul
lungime
4 (2.4 m) 7 (4.2 m) 10 (6.0 m)

14

n cea de-a patra etap a analizei, vom menine temperatura constanta si vom varia limea
(Width) tranzistorului.
Valori obinute pentru cele dou modele:
nMOS pMOS

5 (3.0
m)
8 (4.8
m)
11 (6.6
m)
5 (3.0
m)
8 (4.8
m)
11 (6.6
m)
0 0 0 0 223,998 358,396 492,795
0,5 72,525 116,046 159,556 220,233 351,228 482,043
1 139,151 222,641 306,131 215,038 343,06 473,083
1,5 199,202 318,723 438,244 210,558 338,165 464,123
2 252,005 403,208 554,411 205,485 329,724 453,371
2,5 296,07 473,712 651,354 194,751 311,602 428,452
3 333,17 533,072 732,974 164,817 268,139 368,691
3,5 368,193 576,294 792,404 134,502 215,203 303,03
4 368,057 588,892 809,726 92,225 147,56 194,545
4,75 379,559 607,295 835,03 52,506 77,319 115,512
5 383,393 613,429 843,465 0 0 0




0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0 1 2 3 4 5 6
nMOS: Dependena caracteristicii de transfer de parametrul
lime
5 (3.0 m) 8 (4.8 m) 11 (6.6 m)

15



O alt diferen esenial ntre nMOS i pMOS este faptul c dac se aplic un voltaj nalt grilei (
1 high ), nMOS va conduce pe cnd pMOS nu va conduce. Pe de alt parte , dac se aplic o
tensiunea joas , pMOS va conduce n timp ce nMOS nu va conduce.
0
100
200
300
400
500
600
0 1 2 3 4 5 6
pMOS: Dependena caracteristicii de transfer de parametrul
lime
5 (3.0 m) 8 (4.8 m) 11 (6.6 m)