Ministerul Educaiei al Republicii Moldova Universitatea Tehnic a Moldovei

Catedra Microelectronic i Dispozitive Semiconductoare

Bazele Tehnologice ale Microelectronicii

Lucrare de laborator Nr.2 Te a! Cercetarea procesului oxidrii termice a siliciului.

A efectuat:

st. gr. MN-121 Reu Constantin Prof. Univ. Dr. Hab. Viorel rofi!

A verificat:

Chiinu 2014

"co#ul lucr$rii: ". # lua cuno$tin cu construcia instalaiei de obinere a bio%idului de siliciu. 2. &ercetarea in'luienei di'eriilor para etri ai procesului tehnologic asupra para etrilor o%idului. (. &ercetarea grosi ii $i calitii stratului de o%id. Date teoretice: Bio%idul de siliciu crescut prin etoda o%idrii ter ice este unul dintre cele ai 'olosite ateriale la 'abricarea circuitelor integrate.El este utilizat pentru ascarea plachetei)i potriva i puritlor introduse prin di'uzie sau i plantare)pentru *pedicarea e%di'uziei acestor i purit *n ti pul altor procese ter ice) ca as pentru corodarea selectiv a unor straturi) *n scopul pasivrii $i proteciei structurilor) ca ele ent constructiv al dispozitivelor M+,) pentru izolarea dielectric a co ponentelor *ntre ele $i pentru izolarea ai ultor nivele de inter cone%iuni inter conductive. -or area straturilor de o%id poatea 'i 'cut ai ulte etode! o%idarea ter ic)anodizarea *n electrolit sau plas a $i depunerea din 'aza de vapori.+%idul opinut prin o%idarea ter ic are cele ai bune proprieti.,tructur acestui o%id este a or')*ns de obicei are o co ponen chi ic 'i% *n corespundere cu 'or ula ,i+2 $i adeziunea lui ctre supra'aa siliciului este 'oarte bun. La baza proceselor o%idrii ter ice stau reaciile interaciunei chi ice dintre supra'aa plachetei de siliciu si o%idant..n calitate de o%idant poate 'i 'olosit o%igenul uscat)ozigenul u ed)vaporii de apa.Reaciile chi ice de o%idare pot 'i scrise sub 'or a!

,i/201+2/g0 ,i+2/s02 ,i/0s123+ ,i+2/,01232/40 2

5e parcursul o%idrii inter'aa ,i6,i+2 se deplaseaz *n ad*ncul plachetei de siliciu $i volu ul total cre$te)ceea ce are ca rezultat ridicarea stratului de o%id deasupra suprareei iniiale a siliciului. Suprafa ta SiO2

%ig.1.Cresterea "i&2. 5rin etode e%peri entale avansate s6a stabilit c o%idarea evoluia prin di'uzia o%idantului prin o%id spre inter'aa ,i6,i+2) Suprafata initila unde are loc reacia de o%idare.&inetica o%idrii ter ice poate 'i ilustrat cu a7utorul odelului 'eno enologic)care este valabil pentru te peraturi *ntre 8996"(99 &) presiuni pariale cuprinse *ntre Placheta de siliciu 9.2 si " at . $i grosi i de o%id de peste (99# *n atr os'era o%igenului $i:sau a vaporilor de ap. ;in analiza cineticii procesului o%idrii ter ice a 'ost deter inat ecuaia care descrie ecuaia!

<291#<9=Bt
# si B6 ri i constante2 <96grosi ea stratului crescut2 t > ti pul procesului2 ,oluia ecuaiei de ai sus 'a de <9 in dependen de ti p este!

<9:/#:20=?/"1t/#2:@B00A":26"
;ac ti pul procesului de o%idare este are) adic c*nd tBB#2:@B) atunci

<29=Bt
#ceast ecuaie reprezint legea parabolic. #lt caz de li it are loc la ti puri ici de parcurgere al procesului)c*nd tBB#2:@B) atunci!

<9=/B:#0t2
;in lucrrile e%peri entale s6a constatat c asupra cineticii procesului o%idrii in'lueneaz orientarea cristalogra'ic a supra'eei plachetei de ,i. &onstanta B:# este legat de cinetica reaciei la inter'a $i depinde de viteza cu care ato ii de siliciu sunt incorporai in o%id. #ceast vitez depinde) la rCndul ei) de concentraia la supra'a a ato ilor de ,i) care este *n 'uncie de orientarea cristalogra'ic. &u se $i a$teapt) constanta B nu depinde de orientare) deoarece B se deter in prin etapa di'uziei o%idantului *n o%idul obinut.

%ig.2. De#en'en(a grosi!ii o)i'ului 'e ti!#ul o)i'$rii *n o)igen la #resiunea #ar(iala a va#orilor H2& +,-1./Pa. ;up cu se vede *n 'ig. " supra'aa ,i orientat *n planul /"""0 se o%ideaz ai rapid decCt cea orientat /"990. La o%idarea *n o%igen uscat datele e%peri entate arat c constantele vitezei reaciei pentru ,i orientat *n planul /"""0 de l.DE ori sunt ai ari decCt pentru ,i orientat *n planul /"990 la acelea$i condiii de o%idare.

%ig./. De#en'en(a grosi!ii o)i'ului 'e ti!#ul o)i'$rii in o)igen uscat la 'iferite te!#eraturi. + dat cu a7orarea gradului de integrare *n &.F. cu tranzistoare M.+., apare necesitatea de a obine pelicule ,i+2 'oarte subiri /(9n 0 cu o calitate *nalta $i o grosi e o ogen. + are i portanta o are proble a li itrii ionilor obili de Na *n straturile de ,i+ 2) deoarece ace$ti ioni duc la apariia *n o%id a a$a6nu itelor Gstri la supra'aaG sau Gstri rapideG. 5entru *nlturarea acestor stri din o%id) *n at os'era o%idantului se introduc vapori 3&l) care interacioneaz cu Na 'or Cnd sruri neutre. Rezultatele e%peri entale pentru o%idarea *n o%igen sunt ilustrate *n 'ig. 2. + are i portan la 'olosirea practic a o%idului ,i+ 2) o are grosi ea acestui strat $i calitatea lui. 5entru deter inarea grosi ii ,i+2 se 'olose$te etoda inter'erenei) care poate 'i *ndeplinit cu a7utorul icroscopului MHH6@. Metoda deter inrii grosi ii este descris *n lucrarea de laborator nr. I. La pregtirea plachetelor de ,i cu strat de ,i+ 2 pentru surri) este necesar ascarea unei pri din supra'a cu un lac /<B68E@0 sau 'otorezist cu o rezisten are la corodare. Uscarea acestui lac are loc *ntr6un ter ostat /T=E9J&) t="9 in.0. ;up uscare are loc corodarea ,i+2 *ntr6o soluie 3- 1 N3@-) *nlturarea lacului $i surarea grosi ii.

.n condiii industriale se 'olose$te o se nu e$te etoda culorilor.

etod si pl $i rapid de esti are a grosi ii o%idului) care

"c0e!a instala(iei:

O2

HH 2O 2O

" 6 Reactor de cuar. 2 6 5lachete de ,i. ( 6 ,uport pentru plachete. @ 6 Ter ocuplu. I 6 Rezistente de incalzire. D 6 Kentile. &#era(iile *n'e#linite: ". ;e a 'ace cuno$tin cu instrucia de e%ploatare a instalaiei co une pentru procesele di'uziei) o%idarii ter ice $i cre$terii epita%iale. 2. ;e conectat cuptorul electric $i rezistena de *ncalzire al vasului cu apa.Te peratura necesar *n cuptorul electric este indicat de pro'esor. (. ;e curat plachetele de ,i) orientate *n planurile /"""0 $i /"990)prin 'ierberea lor *ntr6un solvent organic. @. ;e deschis anu ite ventile D) pentru a o%ida *ntr6un o%idant dat de pro'esor. I. 5lachetele puri'icate trebuie a$ezate pe un suport $i s le introduce *ncet *n reactor $i s ur ri te peratura *n reactor. D. ;up anu ite intervale de ti p de scos din cuptor suportul $i de luat cu pensula c*te o plachet. 8. ;upa ter inarea procesului de o%idare de scos *ncet suportul din cuptor $i de luat plachetele r ase. E. ;e deter inat grosi ea o%idului obinut prin etoda inter'erenei $i etoda culorilor. L. ;e cercetat peliculele de ,i+ cu a7utorul icroscopului $i de deter inat densitatea de'ectelor. abelul 1i 'atele ob(inute:

Nr. 5lcii 4ros.str.calc.teore. Ti pul o%idrii 4ros.str.calc.prac. " @9D2 M (9 in (999 M 2 @LDL M @I in I299 M ( I8@@ M D9 in DI99 M

Calculul teoretic al grosi!ii "i&2 #rin folosirea legii #arabolice 1i a legii liniare: pentru " plac!
2 X9 = t = 9.(( 2

: h N 9.Ih = 9."DI

X 9 = 9.@9D2 2

/legea parabolic02
2

pentru placa 2!
2 X9 = t = 9.(( 2

: h N 9.8Ih = 9.2@8

X 9 = 9.@LDL

/legea parabolic02

pentru placa (!
X
2 9

= t = 9.((

: h N "h = 9.((

X 9 = 9.I8@@

/legea parabolic0.

g ro si e a 9 .8 9 .D 9 .I 9 .@ 9 .( 9 .2 9 ." ti p u l

9 .2

9 .@

9 .D

9 .E

" .9

" .2

" .@

%ig.1. 2raficul 'e#en'entei grosi!ii o)i'ului fata 'e ti!#

Conclu3ie: E'ectu*nd aceast lucrare de laborator a 'cut cuno$tin cu etoda o%idrii ter ice a siliciului. # observat c asupra procesului de o%idare in'luieneaz orientarea cristalogra'ic a siliciului. #ceast o%idare ai este in'luienat de ediul in care o%id adic *n o%igen uscat) u ed) sau *n vapori de ap.&ea ai are vitez de reacie o are o%idarea cu vapori de ap *ns calitatea o%idului obinut nu este at*t de bun. .n ur a o%idrii a deter inat prin etode de laborator grosi ea o%idului $i anu e etoda culorilor.