Senzori micromecanici- 2

Senzori micro - mecanici

Traductor: transforma o forma de energie in alta senzori Traducori actuatori Un senzor este un dispozitiv ce masoara o marime fizica pe care o converteste untr-un semnal care poate fi detectata de catre un aparat Un actuator poate fi definit ca : un dispozitiv care genereaza o miscare mecanica prin conversia a diferite forme de energie
Actuatorii, care fac parte din clasa traductorilor, transforma un semnal de intrare in special un semnal electric intr-o miscare.
Exemple: motoare electrice, actuatori pneumatici, pistoane hidraulice, actuatori in forma de pieptane (comb drive), piezoelectrici, actuatori termicibimorfi,polimeri electroactivi .

Senzori micro - mecanici

Mecanic

Mecanic

Electric
Intrare

Electric
Iesire

Termic Chimic

Traductor

Radiant Magnetic

Senzori micro - mecanici

Un senzor, in general, este un dispozitiv cu dimensiuni milimentrice sau submilimetrice care transforma un semnal neelctric cum ar fi: presiune, acceleratie, temperatura, concentratie de gaz in tr-un semnal electric. Senzorii sunt elemente esentiale in procese de masurare si control cu aplicatii in industria auto, aerospatiala, telecomunicatiii, agricultura, , mediu, biomedical, etc.. Beneficii ale utilizarii semiconductorilor: sensibilitate, acuratete, fiabilitate, consum de putere mult mai mic, pret scazut, etc
.

Senzori micro - mecanici

Prezentam cateva concepte si tehnici utilizate in proiectarea si realizarea senzorilor micromecanici si a actuatorilor.
Cele mai importante mecanisme de sesizare includ urmatoarele efecte: piezorezistivbitatea piezolelctricitatea variatia capacitatii optic rezonant
. Metode de actuare: -electrostatica -piezoelectrica -termica -magnetica

Senzori micro - mecanici Senzori piezorezistivi Piezoresistivitatea deriva din cuvantul grec piezin care insemana a presa.
Acest efect este prezent in mai multe metale si se manifesta printr-o modificare a rezistentei, datorita presiunii aplicate.

Efectul a fost descoprtit in 1856, de catre lordul Kelvin, care a observat ca rezistenta cuprului si a fierului creste, atunci cand este supusa unui stres mecanic.
Sensitivitatea stresului mecanic aplicat (strain gauge) este in general denumit factor de stres (gauge factor). Aceasta este o marime adimensionala si este data de relatia:

Senzori micro - mecanici

Senzori micro - mecanici

Elasticitatea este proporietatea unui material de a se intoarce la forma sa initiala, dupa ce inceteaza actiunea unei forte exterioare, foorta ce a provocat deformarea. Alungirea relativa l/Ll se numeste strain Semnificatia fizica a modulului lui Young, este = Forta necesara pentru a produce o deformarea egala cu lungimea initiala.

Senzori micro - mecanici Variatia relativa a rezistentei R /R R /R GF = --------------------------------------= --------- = ---------Stresul aplicat l/l R este rezistenta initiala R este varaiatia rezistentei. l/l este varaiatia lungimii /lungimea initiala sau strain aplicat si se
noteaza cu (marime adimesionala).
Pentru toate materialele elastice, exista o relatie intre stres si strain, Stresul notat cu (N/m2) si strain notat Iar conform legii lui Hook, deformarea este direct proportionala cu forta aplicata, atata timp cat nu se depaseste limita de elasticitate. Constanta de proportionalitatese numeste:

Modulul de elasticitate al lui Young

Senzori micro - mecanici E = Modulul de elasticitate al lui Young Stres E = -----------= ----- (N/m2) Strain
Modulul lui Young pentru siliciu este is 190 GPa (1 Pa = 1 N/m2), Modulul lui Young pentru otel este in jur de 200 GPa. Pentru un material dat, cu cat modulul lui Young este mai mare, cu atat, deformarea obtinuta pentru aceasi stres aplicat este mai mica
Prior to the yield point the material will deform elastic and will return to its original shape when the applied stress is removed. Once the yield point is passed some fraction of the deformation will be permanent and non-reversible.

Senzori micro - mecanici

Daca forta aplicata determina alungirea barei, atunci latimea si grosimea barei vor fi micsorate deci Stresul tensil aprut pe axa longitudinala va detemina un sters compresiv pe celelalte doua axe perpendiculare

Senzori micro - mecanici

Deformarea relativa axaiala (strain) va fi diferita de cea transversala, iar raportul lor se numetse raport Poisson si se nteaqza cu .

Cele mai multe materiale elastice au raportul Poisson egal cu 0.3. Pentru siliciu este egal cu 0.22
Daca bara din figura anterioara este dintr-un material rezistiv, atunci are rezistenta R R= l/A este rezitivitatea materialului, (cm), l este lungimea si A este aria sectiunii transversale A= w t Diferentind

Senzori micro - mecanici

Deoarece

iar = dl/l si presupunand ca avem de aface cu variatii micii, atunci dl = l; dw = w; dt = t , rezulta: si

Semnul minus indica faptul ca pe latime si grosime stresul ete opus celui care se manifesta pe lungime (stres tensil) si este un stres compresiv. Din relatiile de mai sus rezulta: Factorul de gauge:GF poate fi caluclat cu relatia

Senzori micro - mecanici

Ecuatia anterioara indica clar ca exista doua efecte distincte care contribuie la gauge factor. Primul termen se refera la efectul piezorezistiv ((d/)/l) iar cel de al doilea este efectul geometric (1 + 2). si Tinand cont de faptul ca raportul Poisson este de obicei intre 0.2 si 0.3, contributia efectului geometric la factorul de gauge este intre 1.4 si 1.6.
Senzorii care prezinta o varaitie a rezistentei ca un rezultat al unei forte aplicate (strain) sunt cunoscuti si sub numele de strain gauge. Cei in care efectul piezorezitiv predomina se numesc piezorezistori. De exemplu pentru o sirma subtire de metal, este dominant efectul geometric, in timp ce pentru

un semiconductor efectul piezoelectric este dominant fata de cel geometric

Senzori micro - mecanici

Tabelul urmator prezinta factorul GF pentru diferite materiale GF pentru diferite materiale Material
Metal (sirma subtire) Strat subtire de metal Siliciu monocristalin Polisiliciu Rezistori in strat gros

GF factor de gauge
2-5 2 -125 pana la + 200 30 10

Senzori micro - mecanici

Senzorii de tipul strain gauge realizati cu semiconductori au o variatie semnificativa a factirului GF Siliciul de tip p are un factor pana la + 200, iar cel de tip n ci o valoare pana la -125 Factorul negativ indica faptul ca rezistenta scade , o data cu cresterea stresului. Mobilitatea efectiva a putrartorilor majoritari este afectata de apartitia stresului, astfel pentru: semiconductorii de tip p: mobilitatea scade si rezistivitatea creste semiconductorii de tip n: mobilitatea creste si rezistivitatea scade Acest efect este dependent si de orientarea cristalografica. Efectul geomentric este neglijabil Senzorii de acest tip sunt foarte senzitivi la temperatura (de aceea se utilizeaza metode de compensare)

Senzori micro - mecanici

Coeficientul de tempertaura pentru un piezorezitor semiconductor este de 0.25 %/ atat pe directia logitudinala, cat si pe cea transversala. Proprietati piezoelectrice prezinta si polisiliciu si siliciul amorf. Coeficientul de temperatura pentru un astfel de piezorezistor este in general mai mic de 0.05%/C. Straturile (filmele) subtiri de metal se comporta similar cu sirmele metalice si au ub GF similar. Straturile subtiri de metal pot fi depuse direct pe substratul dorit: siliciu, ceramica, sticla. Rezistorii obtinuti din straturi groase, utilizati in circuitele hibride au proprietati piezorezistive. Factorul de stres este de 10, rezultand o senzitivitate intre cea a semiconductorilor si a metaleleor (sirme subtiri). Coeficientul de temperatura al rezistorilor este in jur de 100 ppm ( parti pe milion), ceea ce face ca valoarea coefeicientului pentru doua rezistente diferite sa difere cu mai putib de 10 ppm/C. Astfel sunt folosite ca rezitente active in punti Wheatstone, pentru reducerea sensitivitatii in functie de temperatura.

EXEMPLU: Microscop de Forta Atomica Piezoelectric (AFM)

Atomic force microscopy (AFM) are o rezolutie foarte ridicata, de ordinul fractiunilor de nanometru. Primul microscop de acest tip a fost creat in 1986 iar comercial a devnit din 1989 AFM este un echipamnet important pentu imaginstica, masurare si manipulare la scara nanometrica Suprafata probei este scanata cu o proba mecanica. Elementele piezolelctrice se pot misca precis, bine controlat, permitand o scanare de mare acuratete .

EXEMPLU: Microscop de Forta Atomica Piezoelectric (AFM)

Tortenese si altii, in 1991 au creat primul AFM cu senzor piezoelectric de forta integrat: Generatoprul de miscare deplaseaza proba in directiile x si y; Controlul ajusteaza miscarea pe axa z pentru apastra forta de apasare constatnta; Utilizeaza virfuri extrem de subtiri pentru scanarea probei

EXEMPLU: Microscop de Forta Atomica Piezoelectric (AFM)

Senzori micro - mecanici

Exista mai multe metode de caracterizare a proprietatilor mecanice ale steraturilort subtiri. Cea mai simpla si rapida dintrea acestea este prin nano-indentare.
Nano-indentarea reprezinta o tehnica relativ recenta ( ~ 20 de ani) de testare mecanica a unor volume mici de material (de ex. straturi subtiri). Proprietatile mecanice ale unui material, atunci cind este utilizat in procese de microfabricatie, pot diferi de de proprietatile masurate pentru cantitati mari ale aceluiasi material (la scara macroscopica). Caracterizarea mecanica a straturilor depuse este o etapa obisnuita in procesele de fabricatie MEMS. Principiul de functionare consta in utilizarea unui virf ascutit (indenter) care este succesiv impins si retras din materialul testat prin aplicarea unei forte care variaza de la zero la o valoare maxima prestabilita si inapoi la zero. Forta de apasare si deplasarea indenterului in material sint controlate si monitorizate continuu cu rezolutie ridicata. In functie de detaliile specifice ale echipamentului utilizat, pot fi aplicate forte care coboara pina la 1 nN si masurate deplasari de 0.1 nm (1 ).

Senzori micro - mecanici

Cu ajutorul nano-indenterului pot fi deduse proprietati mecanice ale materialelor, in principal modulul de elasticitate= Modulul lui Young si duritatea, pe baza unor modele mecanice specifice din curbele fortadeplasare inregistrate

Imagine AFM (arie 10mx10m) a amprentei lasate de un indenter piramidal intr-un strat subtire de metal (Al). Geometria amprentei reziduale la o forta de apasare data este o masura a duritatii H a materialului. Reprezentare schematica a componentelor principale ale unui echipament de nanoindentare (Nano-Indenter) Nano-indenterul G200 (Agilent Technologies) functionand la IMT-Bucuresti

Senzori micro - mecanici

Imaginile reprezinta dependenta valorii masurate a modulului lui Young fata de deplasare a virfului de indentare pentru doua straturi cu proprietati mecanice si grosimi diferite, depuse pe Si un strat subtire de SiO2 (grosime 0.8 m ) un strat de SU8 (grosime 7 m)
Datele indica faptul ca substratul de siliciu influenteaza valorile masurate ale stratului pentru adincimi de peste 150 nm in cazul SiO2 (aprox. 1/5 din grosimea stratului si de peste 800 nm (aprox. 1/9 din grosimea stratului) in cazul SU8 .

Senzori micro - mecanici

Piezoelectricitate
O anumita clasa de critsale au proprietatea de a genera o sarcina electrica daca asupra lor se aplica o forta mecanica efect direct. De asemnea exista si efectul invers: se deformeaza sub actiunea unui camp electric .
Acest efect este unul neuzual: materialuil poate actiona ca sensor sau ca actuator (efect descoperit in 1880 de catre Jacques si Pierre Curie).

Piezoelectricitatea este datorata asimetriei de sarcina in structura cristalului. Astfel de cristale se mai numesc si non-centrosimetrice, si prezinta proprietati anizotropice.

Siliciul, avand un cristal simetric, nu prezinta aceste proprietati

Unele cristale au in mod natural acesta proporietate: cuartul sau sarea Rochelle, altele cum ar fi titanatul de bariu, titanat zirconatul de plumb (PZT) si polimeri cum ar fi polyvinylidene (PVDF) sunt feroelectrice Materialele feroelectrice sunt acelea care prezinta o polarizare spontanta, sub actiunea unui camp electric. Deci aceste materiale trebuie polarizate, pentru a prezenta o comportare piezoelectrica.

Senzori micro - mecanici

Forta aplicata determina producerea unei tensiuni pe cei doi electrozi

Se defineste coeficientul de saricina dii Acesta se refera la cantitate de sarcina generate la suprafata materialului pe axeele i, datoarat fortei Fj aplicat pe axele j Sarcina generata pentru figura de mai sus Tensiunea produsa pentru bara rectangulara din figura A= aria, t = grosimea, r = permitivitatea relativa 0 = permitivitatea aerului

Senzori micro - mecanici

Forta aplicata unui fragment de material determina aparitia unor sarcini electrice pe suprafata fragmentului. Sursa acestui fenomen este distributia specifica a sarcinilor electrice in unitatea cristalina a materialului.

Senzori micro - mecanici

Materiale piezoelectrice Cuartul este intens utilizat: ceasuri, element rezonant Titanatul de bariu (BaTiO3) si PZT sunt doua ceramici piezoelectrice care pot fi depuse pe siliciu , prin diferite metode: sputtering, sol-gel. PZT are in general o valoare mare a coeficientului d33 si de aceea este utilizat cel mai mult in realizarea senzorilor si actuatorilor care utilizeaza acest efect Alte materiale care prezinta efect piezoelectric si care pot fi depuse in struri subtiri policristaline sunt : - oxidul de zinc ZnO2 si
- niobatul de litiu LiNbO3

MATERIALE PIEZOELECTRICE & PROPRIETATI

( KOVACS, 1998)

Senzori micro - mecanici

Tehnica capacitiva
Structura este relativ simpla, iar tehnica permite sezizarea miscarii. Dispozitivul consta din din doi electrozi: unul fix si unul mobile, separati de un mediu dielectric. Relatia intre presiunea aplicata si miscarea electrodului este neliniara. strucrura este snezitiva si datorita fatului ca un circuit electroniuc, poate fi integrat, realtiv usor.

Exemple de senzori capacitivi simpli: a)electrod mobil,b) arie varaibila,c) dielectric mobil

Senzori micro - mecanici

C A 0 d

Daca doar un electrod se misca relatia devine:

C dxdy d wx, y

w(x,y) este deflexia membranei funtie de x si y

Senzori micro mecanici- Exemple

-O combinatie a unui senzor de presiune piezoresitiv cu CI bipolar pentru a avea o compesare a temperaturii si pentru a converti semnalul de iesire care este o tensiune intr-o frecventa, pentru a interactiona usor cu un circuit didgital - In ambele cazuri memnrana este realizata printr-un proces de etch stop - a) intr-un strat dopat puternic cu bor - b) stratul epitaxial este folosit ca etch stop, printr-un proces de corodare electrochimica

Combinatie a unui sensor de presiune piezoresistiv cu (a) un process NMOS (Tanigawa 1985), (b) un process CMOS (Kress1991)

Senzori micro mecanici- Exemple

Secventa de fabricatie a membrane de siliciu lipite prin fuziune inidicata pentru sensori de presiune piezoresistivi ultra miniaturizati (a)-Petersen1988.
Principalul avantaj al acestei tehnologii este ca suprafata de sprijin a membranei poate fi facuta mult mai mica (b)

Senzori micro mecanici- Exemple

Sectiune a unui sensor capacitiv de presiune cu un circuit integrat (Sander 1980) Membrana este corodata de pe spate- electrochimic Electrodul fix este depus pe un strat de pyrex Aplicatii: in cardiologie

Senzori micro mecanici- Exemple

Sectiune a unui sensor capacitiv de presiune cu electrozi interdigitati pentru compensare liniara (Kim 1997)

Senzori micro mecanici- Exemple

(a) Vedere de ansamblu a unui catheter (b) fabricatia sensorului de presiune, (c ) secvente de fabricatie ale membranei

Sectiune a unui sensor de presiune intraocular( Backlund 1990) -S-a utilizat direct wafer bondig cu siliciu ( nu pyrex) -Aplicatii monitorizare presiunii oculare- prin implantare in ochiul uman - Toate exemplele pentru realizarea senzorilor capacitivi au implicat un proces de bonding, acesta poate fi eliminat prinutilizarea surface micromachining si a unui strat de sacrificiu
Imagine SEM a regiunii lipite a unei membrane (zona marcata cu 100 m)

Secventa de fabricatie prin corodare de suprafata a unui sensor capacitiv de presiune (Dudaicevs 1994)