Circuite cu reactie pozitiva Circuite basculante

Circuite basculante bistabile Circuite basculante monostabile Circuite basculante astabile

Circuite basculante
Circuite caracterizate prin existena unor stri bine determinate, ntre care au loc tranziii rapide, numite procese de basculare. Un proces de basculare const din modificarea rapid a unor cureni sau tensiuni, procesul rapid implicnd existena unor bucle de reacie pozitiv sau a unor rezistene negative. Declanarea basculrii se poate face din exterior, prin intermediul unor semnale de comand, sau din interior, prin acumularea lent i atingerea unui stadiu critic de ctre anumite mrimi electrice din circuit. Circuitele basculante prezint dou stri bine determinate, fie stabile, fie instabile. O stare stabil este o stare n care circuitul poate rmne o perioad de timp nelimitat n lipsa unui semnal de comand. Intr -o stare instabil circuitul rmne un timp limitat, dup care basculeaz n cealalt stare, fr a interveni vreun semnal de comand de basculare extern. Circuitele basculante se pot grupa, dup numrul strilor stabile, n: - circuite basculante bistabile, pentru care ambele stri sunt stabile - circuite basculante monostabile, prezentnd o stare stabil i una instabil - circuitele basculante astabile, cu ambele stri instabile

Circuite basculante bistabile

Circuitele basculante bistabile se caracterizeaz prin existena a dou stri stabile, n care pot rmne un timp orict de lung. Bascularea dintr-o stare n alta declansata cu ajutorul unor impulsuri de comanda. Circuit bistabil: un exemplu de circuit secvenial (circuit definit prin faptul c ieirile sale au valori logice ce depind de o anumit secven a semnalelor care s-au manifestat anterior n circuit). Circuitele secveniale prezint deci posibilitatea stocarii informatiei (memorrii) Spre deosebire de circuitele secveniale, circuitele combinaionale, constnd din combinaii de pori logice, au ieiri care depind doar de intrrile prezente n acel moment. Circuitele bistabile pot fi clasificate n circuite simetrice i circuite nesimetrice.

Circuite Basculante Bistabile Simetrice Cu Componente Discrete

Schema de principiu se prezint n figura alaturata

A1 i A2 sunt dou amplificatoare legate n reacie pozitiv, prin divizorul format de rezistenele R i r

Proiectarea cu componente discrete Etajele amplificatoare formate din tranzistoarele T1 i T2 Cuplate ntre ele prin elementele de reacie pozitiv constituite din divizoarele de tensiune R si r O parte din tensiunea colectoremitor a unui tranzistor este transmisa n baza celuilalt tranzistor

Functionarea circuitului
Daca are loc o cretere mic a curentului IC1, aceasta duce la micorarea tensiunii UC1, care este transmis prin divizorul R-r n baza tranzistorului T2. Scderea tensiunii UB2 va fi amplificat i inversat de tranzistor, astfel nct crete tensiunea UC2, iar aceast cretere va fi transmis n baza tranzistorului T1 prin divizorul R-r. Prin urmare IC1 crete i mai mult. In consecinta apare un proces de basculare, care se dezvolt n avalan: curentul IC1 crete i curentul IC2 scade, pna cnd T1 devine saturat, iar T2 blocat. Starea este stabil, deoarece bucla de reacie pozitiv este ntrerupt datorita starii de blocare a tranzistorului T2 Dou stri stabile: 1. T1 - conductie (saturat), T2 - blocat 2. T1 - blocat, T2 - conductie (saturat)

Pentru ca CBB s funcioneze aa cum s-a artat mai sus, elementele sale trebuie dimensionate astfel nct s fie satisfacute urmtoarele condiii: 1). cnd T1 este blocat, T2 trebuie s fie saturat 2). cnd T1 este saturat, T2 trebuie s fie blocat 3). cnd T1 i T2 se gsesc n stare activ, amplificarea pe bucla de reacie pozitiv trebuie s fie supraunitar. Datorit simetriei circuitului, condiiile 1) i 2) sunt echivalente. n afar de acestea se poate demonstra c dac sunt satisfcute condiiile 1) i 2) atunci va fi satisfacut i condiia 3). n concluzie, conditia 1) este o condiie necesar i suficient pentru ca circuitul s funcioneze corect. Condiia 1) impune respectarea urmtoarelor inegaliti: UB1 0 IB2 IBs

Declanarea Circuitelor Basculante Bistabile

Dou metode fundamentale de declanare a CBB: a). declanarea pe ci separate pentru fiecare tranzistor n parte (CBB de tip RS). b). declanarea pe o cale comun (CBB de tip T). CBB folosesc una din metodele de declanare de mai sus, sau ambele metode (CBB de tip RST sau JK). Impulsurile de declanare pot fi aplicate pe baza sau pe colectorul tranzistoarelor. Polaritatea impulsurilor de declanare poate fi att pozitiv ct i negativ. Semnalul de declanare nu are rolul propriu-zis de a determina el singur bascularea CBB, el are rolul de a iniia un proces regenerativ prin care circuitul s comute singur. Indiferent de tipul tranzistorului (pnp sau npn), declanarea cu impulsuri care comand blocarea tranzistorului conductor prezinta anumite avantaje: - sensibilitatea CBB este mare - energia impulsului necesar pentru a produce bascularea este mai mic Un CBB realizat cu tranzistoare npn va bascula n condiii optime dac se aplic un impuls negativ pe baza tranzistorului saturat

Pentru a comanda un CBB att cu impulsuri, ct i cu nivele de tensiune circuitele de declanare conin de obicei un circuit de difereniere RC. Prin difereniere, apar att vrfuri pozitive ct i vrfuri negative, deci ar exista posibilitatea unei rebasculri nedorite. Pentru a evita aceast situaie, circuitele de difereniere sunt urmate de diode care mpiedic trecerea vrfurilor cu polaritatea nedorit. Declanarea pe ci separate pe baz Circuitul n starea T1-saturat i T2blocat. Dac se aplic un impuls de declanare la intrarea S de amplitudine EC, acesta va fi difereniat de circuitul de difereniere R2C2. Dioda D2 va mpiedica trecerea vrfurilor pozitive i va permite trecerea vrfurilor negative de tensiune, care vor bloca i mai mult tranzistorul T2. Bascularea nu are loc n acest caz.

Dac se aplic impulsul de declanare la intrarea R, vrfurile negative de tensiune ce ajung n baza tranzistorului T1 vor determina blocarea lui, deci bascularea CBB. Pentru ca n regim staionar s fie blocate ambele diode, se recomand polarizarea lor invers cu o tensiune EP. Valoarea acestei tensiuni se alege cu ceva mai mare dect tensiunea baz-emitor a tranzistorului saturat.

Declanarea pe ci separate pe colector Circuitul de declanare este identic, semnalul de comanda este aplicat n colectoarele tranzistoarelor. Potenialul EC este folosit ca i tensiune pozitiv de polarizare pentru diode. Declanarea pe baze prezinta unele avantaje, pentru c permite obinerea unor frecvene de basculare mai mari i asigur o sensibilitate mai bun

Declanarea pe o cale comun pe baze

Fie circuitul in starea: T1-saturat si T2-blocat Tensiunile in diferite puncte ale schemei au urmtoarele valori tipice (pentru tranzistoarele cu siliciu) : UC1=+0,1V; UB1=+0,7V; UB2=-0,1V Dioda D1 este conductoare, iar dioda D2 este blocat cu o tensiune invers mare. Impulsul de declanare T este difereniat de grupurile Rd1, C1 i Rd2, C2. Impulsurile ascuite pozitive rezultate prin difereniere vor fi tiate de diodele D1 si D2. Dintre cele dou impulsuri negative rezultate prin difereniere, va putea trece numai cel care se aplic n catodul diodei conductoare D1, cellalt impuls nu va putea trece prin dioda blocat D2. Impulsul de comanda va determina comutarea circuitului, deoarece un puls negativ ascutit este aplicat pe baza tranzistorului conductor.

Declanarea pe o cale comun pe colector

Fie circuitul in starea: T1-saturat si T2-blocat Tensiunile in diferite puncte UC1=+0,1V; UC2+EC, UAEc Dioda D1 este blocat cu o tensiune invers aproximativ egal cu EC, n timp ce dioda D2 este blocat cu o tensiune invers mic, egal cu cderea de tensiune pe rezistena RC.

Impulsul de declanare aplicat la intrarea T este difereniat de circuitul de difereniere RdCd. Vrfurile negative de tensiune, rezultate prin difereniere (datorit polarizrii diodelor) pot ajunge numai pe colectorul tranzistorului blocat (saltul negativ de tensiune se transmite, n cazul de fa, prin dioda D2 n colectorul tranzistorului blocat T2) determinand deschiderea acestuia.

CBB de tip S-R asincron

CBB RS cu pori SAU-NU

CBB RS simetric cu pori SAU-NU

Un bistabil simplu poate fi construit, din punct de vedere logic, prin introducerea unei bucle de reacie ntr-o reea de pori, fie pori SAU-NU, fie I-NU. Intrrile bistabilului se numesc S (set) i R (reset).
S R Q+

1
0 0 1

0
1 0 1

1
0 Q Intrri nepermise

Tabela de adevr a CBB RS

CBB de tip SR sincrone

Circuitele bistabile RS sincrone au dou intrri de date R i S, i o intrare de tact, T. Informaia de la intrrile de date R i S poate fi transmis spre bistabilul propriu-zis numai atunci cand impulsului de tact are valoarea logica 1.
Bistabilul RS sincron are un semnal de ceas (intrarile R si S raman asincrone), care controleaza evolutia circuitului. Deasemenea are alte doua intrari, Sd- si Rd-, care actioneaza direct asupra iesirilor Q si Q- suprascriind intrarile R si S.

CBB RS master-slave

CBB RS master-slave: menit a elimina neajunsurile legrii n cascad a mai multor CBB de tip RS (posibila nedeterminare a strilor fiecrui CBB) Primul CBB, numit CBB master este comandat de intrrile de date R i S, iar al doilea CBB din secven se numete CBB slave i este comandat de ieirile CBB master. Scurta descriere: -pe frontul pozitiv al impulsului de ceas, CBB master este deconectat de CBB slave, deoarece acestea nu pot comunica; pe acest front, intrarile S si R actioneaza asupra CBB master, determinand bascularile corespunzatoare -cand semnalul de ceas trece din 1 in 0, pe frontul cazator, intrarile RS slave sunt conectate la master; iesirile master-ului comanda starea slave-ului In acest fel, doar un singur CBB este activ la un anumit moment, iesirile masterslave-ului fiind complet izolate de intrari. Folosind acest circuit, nedeterminarea logica pentru o secventa de CBB este evitata.

Circuite basculante monostabile Circuitele basculante monostabile, (CBM), prezinta o stare stabil i una instabil; se folosesc mai ales pentru obinerea unor intervale de timp fixe, marcate precis prin discontinuiti (variaii rapide) de tensiune. Condiia cea mai important pentru acest circuit este stabilitatea duratei strii instabile.

CBM cu cuplaj colector - baz

Reacia pozitiv este asigurat cu ajutorul circuitelor de cuplaj, dar la CBM cuplajul rezistiv dintre colectorul tranzistorului T1 i baza tranzistorului T2 este nlocuit cu un cuplaj capacitiv. Caracterul diferit al celor dou stri ale circuitului se datoreaz acestei nesimetrii a cuplajelor. Starea stabil: tranzistorul T1 este blocat, pentru c baza lui este legat prin r1 la -EB, iar tranzistorul T2 este saturat, pentru c baza lui este legat prin r2 la EC. Cderea de potenial pe capacitatea C, UC va fi pentru aceast stare stabil de EC.

Starea instabil: Prin aplicarea unui impuls negativ n baza tranzistorului T2, se iniiaz un proces de basculare, care poate fi descris astfel: - tensiunea UB2 scade - curentul de colector IC2 scade -potenialul n colectorul lui T2 ( UC2 ) crete, ca si potenialul UB1 - curentul de colector IC1 crete - potenialul n colectorul lui T1, UC1, scade, ca si UB2
n felul acesta circuitul trece n starea opus: T1 este saturat i T2 este blocat Datorit scderii rapide a tensiunii UC1 de la EC la aproximativ 0V, condensatorul C va transmite un salt negativ de tensiune, de amplitudine EC, la baza tranzistorului T2. Dupa aceasta tranzitie: UC1(t1) 0, R U C 2 ( t1 ) EC R + RC 2 UB2(t1) UC1(0) - EC -EC

n timpul strii instabile, condensatorul C se descarc de la valoarea iniial UC(0) EC, spre valoarea final UC = -EC - IC0r2 si tensiunea UB2 crete exponenial spre valoarea: -UC. Tensiunea pozitiva deschide T2 si datorita reaciei pozitive, circuitul rebasculeaz n starea stabil. Durata strii instabile, determinata de analiza condiiei de blocare a tranzistorului T2 i de saturare a tranzistorului T1. Durata simplificata pentru starea instabila: Tsi ln2 = 0,69r2C Declanarea CBM pe o cale pe colector

Circuit de comanda identic ca si in cazul circuitelor basculante bistabile, format din circuitul de diferentiere Rd Cd si dioda D1

CBM realizate cu pori TTL

Circuitul este realizat cu dou pori TTL de tip I-NU si un circuit RC Comandat pe frontul negativ al semnalului de declanare E

La aplicarea semnalului E, la ieirea primei pori P1 va exista un salt pozitiv care se transmite prin capacitatea C la intrarea porii P2, care iniial este polarizat la starea stabil, prin rezistena R, legat la mas. La venirea saltului pozitiv de tensiune pe intrarea portii P2 aceasta comut, saltul negativ de tensiune de la ieirea sa transferndu-se la intrarea porii P1, care rmne n starea 1 logic; n timp, prin tranzistorul de ieire al portii capacitatea C se va descrca de la VCC spre mas. Cnd la intrarea porii P2 se atinge potenialul de prag de comutare, poarta va comuta n 1 logic, i coroborat cu ncetarea impulsului negativ de declanare, va face ca poarta P1 s treac n starea 0 logic, starea stabil a circuitului. Durata aproximativ a strii instabile este:
T si RCln V OH +V IL - V OL VT

CBM realizate cu pori CMOS

Circuitul este realizat cu dou pori CMOS de tip SAU-NU si un circuit RC Comandat pe frontul pozitiv al semnalului de declanare I Starea stabil a circuitului este cea n care ieirea Q este la 0 datorita rezistenei R legate la VDD Cnd la intrarea I se aplic un impuls pozitiv de declanare, poarta P 1 va prezenta la ieire un salt negativ de tensiune, care, prin intermediul capacitii C, va ajunge la intrarea lui P2 producnd comutarea acesteia n 1 logic. n continuare capacitatea C se va ncrca de la VDD, iar cnd potenialul pe bornele sale va ajunge la valoarea potenialului de prag de basculare, poarta P2 va bascula n starea 0, starea stabil a circuitului. Durata strii instabile se determin cu formula:

T si RCln

V DD V DD - V T

Circuite basculante astabile (CBA) CBA cu componente discrete Existena a dou stri instabile Comutarea se execut ntr-un timp foarte scurt i apare ca o variaie brusc a mrimilor electrice Bascularea se declaneaz fr semnale aplicate din exterior Duratele starilor determinate de parametrii circuitului

CBA cu cuplaj colector - baz

CBA este de fapt un oscilator care produce semnal dreptunghiular la ieirea sa Durata impulsurilor i perioada de repetiie sunt determinate de valorile unor elemente de circuit Faptul c rezistenele R1 i R2 sunt legate la sursa +EC, asigur ca niciunul dintre tranzistoarele T1 i T2, n regim staionar, s nu rmn blocat pentru o perioada de timp nedefinita

Fie starea n care tranzistorul T1 este blocat i tranzistorul T2 conduce; aceasta implic ca potenialul pe capacitatea C2 s fie n scdere, condensatorul descrcndu-se prin circuitul EC, R2, C2 i tranzistorul conductor T2. Pe msura scderii curentului de descrcare care trece prin R2, crete potenialul n baza tranzistorului T1, iar cnd potenialul UB1 va depi tensiunea de prag de deschidere a tranzistorului T1, acesta devine conductor, iar potenialul din colectorul su va ncepe s scad. Aceasta va duce la scderea potenialului bazei lui T2, ce va determina ieirea sa din saturare. Bucla de reacie pozitiv va impune un proces n avalan, ce va duce n final la blocarea tranzistorului T2, i circuitul va trece astfel n a doua stare instabil. Tranzistorul T1 fiind n conducie, acum se va descrca capacitatea C1, prin circuitul EC, R1, C1 i T1. Starea aceasta va dura pn cnd tensiunea din baza lui T2 va depi valoarea de prag de deschidere i tranzistorul T2 se va deschide, restabilindu-se bucla de reacie pozitiv, ce va declana bascularea n cealalt stare instabil.

n prima stare, pe lng descrcarea capacitii C2, are loc ncrcarea capacitii C1, prin circuitul EC, RC1, C1 i rezistena de intrare a tranzistorului conductor T2. Constanta de timp de ncrcare este 1i RC1C1. Pentru a doua stare, se va ncrca capacitatea C2 prin lanul EC, RC2, C2 i tranzistorul saturat T1, cu o constant de timp 2i RC2C2 Duratele celor dou perioade instabile se determin dup formulele: Tsi1 0,69R1C1 Tsi2 0,69R2C2 Pentru un CBA simetric, pentru care R1 = R2 = R, iar C1 = C2 = C, se va genera un semnal rectangular (o tensiune rectangular) n colectoarele tranzistoarelor, avnd o perioad T 1,4RC i cu un factor de umplere 1/2

CBA realizate cu circuite TTL

Funcionare: dac la momentul t<t1 la intrarea porii P1 (punctul A) avem semnal logic 0, la ieire (punctul B) vom avea 1 logic, iar la ieirea porii P2 vom avea 0 logic. Asadar, potenialul punctului A tinde s creasc spre VH, condensatorul C ncrcndu-se prin rezistena R de la tensiunea din punctul B. La momentul t=t1 cnd VA=VT, (potentialul de prag al P1), ieirea porii P1 comut din 1 n 0, ceea ce determin comutarea ieirii porii P2. Saltul de tensiune din D de la VL la VH se transmite prin capacitatea C n punctul A.

Tensiunea din punctul A scade exponenial spre valoarea tensiunii VL de la ieirea porii P1, pe msur ce are loc descrcarea capacitii C prin R spre potentialul scazut al punctului B. La momentul t=t2, VA=VT ceea ce determin din nou comutarea celor dou pori. Saltul de tensiune din punctul D se transmite prin capacitatea C n A. n continuare capacitatea se va ncrca prin rezistena R, iar potentialul din A va crete... Fenomenul continu att timp ct circuitul este sub tensiune

CBA realizat cu trigger Schmitt Condensatorul C se ncarc i se descarc prin rezistena R, tinznd spre nivelele tensiunii de ieire, dar la atingerea pragurilor de basculare VT1 i VT2 circuitul comut dintr-o stare n alta. Duratele strilor sunt: V 0H - V T 2 T 1 = RC ln V 0H - V T 1 V 0L - V T 1 T 2 = RC ln V 0L - V T 2 Pentru circuitul integrat 413: T1 0,86RC T2 0,83RC

CBA realizate cu cristale de cuar i pori logice Cuarul este tiat dup anumite direcii cristalografice, este slefuit i i se depun electrozi metalici pe dou fee paralele. Din punct de vedere electric cristalul ofer o impedan cu proprieti de circuit rezonant. Oscilatoarele cu cuar realizate cu circuite CMOS asigur avantajul consumului de putere redus i a stabilitii frecvenei pe o gam larg a tensiunii de alimentare.

Oscilatorul fundamental conine un amplificator i o reea de reacie. Circuitul prezentat n figura, denumit i reea cu cuar, este indicat a fi utilizat mpreun cu un amplificator, care asigur un defazaj de 180

Probleme propuse
Sa se proiecteze un circuit basculant monostabil cu porti CMOS avand perioada starii instabile egala cu 0,1ms. Sa se calculeze perioada starii instabile pentru un circuit monostabil cu porti TTL avand urmatoarele componente: R=220 si C=47nF.