Legaturi cristaline

Corpurile solide in care atomii pastreaza aceeasi aranjare ordonata in tot volumul corpului sunt numite solide cristaline. Modul de aranjare al atomilor in spatiu poarta numele de retea cristalina.

1. Legatura ionica
se formeaza in cristale care contin atat atomi de metal cat si de nemetal atomii de metal cedeaza unul sau mai multi electroni, transformandu-se in ioni pozitivi, iar cei de nemetal accepta electroni devenind ioni negativi in structura cristalului, ionii pozitivi si negativi se aseaza alternativ coeziunea corpului datorandu-se fortelor de atractie electrostatica dintre ioni

2. Legatura covalenta
se formeaza in cristale alcatuite din atomi de nemetal pentru a-si completa structura de octet atomii pun in comun electroni cu alti atomi, aflati in imediata vecinatate

3. Legatura metalica
apare in cristalele formate din atomi de metal pentru a ramane cu o structura de octet pe ultimul nivel energetic atomii de metal isi cedeaza electroni de valenta, acestia apartiandn ulterior intregului cristal astfel structura unui cristal metalic este formata din ioni pozitivi, aflati in nodurile retelei cristaline pentru care se deplaseaza liber elextronii de valenta

4. Legaturi polare
apar in cristale formate prin molecule neutre dpdvd electric, dar care au sarcina electrica polarizata precum legaturile Van der Waals moleculele polare se aranjeaza in cristale astfel incat fortele de atractie electrostatice dintre molecule vecine sa fie cat mai mari

Benzi energetice in cristale

in cazul atomilor liberi nivelel energetice permise sunt inguste, si se ocupa cu electroni in ordinea cresterii energiei in cazul apropierii a 2 atomi la distanta foarte mica, nivelele energetice se despica in 2 subnivele apropiate, datorita interactiunilor dintre electronii unui atom si celalalt atom aflat in vecinatate

in cazul unui cristal, numarul atomilor apropiati este foarte mare, astfel incat fiecare nivel energetic se desface intr-un numar foarte mare de subnivele apropiate se poate considera ca aceste sub nivele apropiate alcatuieste niste benzi energetice avand o limita inferioara, respectiv superioara a energiei intre benzile energetice permise, ce pot fi ocupate cu electroni exista benzi interzise indicand valori ale energiei ce nu sunt permise electronilor banda energetica cu cea mai mare energie care mai contine electroni poarta nuvele de banda de valenta (BV) prima banda energetica ce urmeaza dupa benzile complet ocupate cu electroni poarta numele de banda de conductie (BC) banda ce separata benzine de valenta si conductie poarta numele de banda interzisa (BI) folosind descrierea cu benzi energetice se pot diferentia cele trei tipuri de materiale, dpdv al conductiei electrice : 1) materiale conducatoare

Eg=largimea benzii interzise, E0=0, e0=conductor Materialele conducatoare au o rezistivitate electronica mica, au o conductibilitate mare =rezitivitatea electrica ; []= m =1/ conductivitatea electrica; []=1/ m 2) materiale izolatoare

La materiale izolatoare, BV este complet ocupata cu electroni, iar BC este libera. Largimea benzii interzise este mare Eg>3eV

3) materiale semiconducatoare

In cazul materialelor semiconductoare, banda de valenta este complet ocupata cu electroni, iar BC este libera. In acest caz largimea BI este mica (Eg<3eV) astfel incat apare posibilitatea ca unii electroni sa treaca din BV in BC, participand astfel la conducerea electrica.

Semiconductori intrinseci
acesti semiconductori sunt alcatuiti din atomi tetra velenti(Si, Ge) ce alcatuiesc cristale covalente

datorita cresterii agitatiei termine la temperaturi mai mari unii electroni vor parasii legaturile covalente devenind electroni liberi in cristal, acestia participa la constructia electrica, la captele cristalului aplicanduse o diferenta de potential legaturile covalente ramase incomplete vor fi ocupate ulterior de alti atomi desprinsi din legaturi covalente, care lasa alte legaturi libere s.a.m.d aceasta ocupare a legaturilor libere prin deplasarea unor leectroni pooate fi echivalata cu miscarea in sens opus a unor particule fictive, incarcate positiv numite goluri. in cazul semiconductorilor intrinseci la conducerea electrica participa doua tipuri de purtatori de sarcina: electronii liberi si golurile ; practic in momentul iesirii unui electron din legatura covalenta se genereaza o pereche electron-gol aparitia purtatorilor liberi de sarcina electrica in semiconductorul intrinsic poate fi expica si in modelul benzilor energetice

La cresterea temperaturii se mareste agitatia termica a electronilor din BV astfel incat unii dintre acestia pot trece n BC, devenind electroni liberi in cristal. Locul ramas liber in BV poate fi echivalent cu o particular pozitiva care participa la randul ei la conductie. n=concentratia purtatorilor negative de sarcina electrica n=N/V; N= nr de purtatori, V=volum p-concentratia purtatorilor pozitivi ni=concentratia perechilor electron-gol n=p=ni Concentratia purtatorilor liberi de sarcina electrica creste odata cu cresterea temperaturilor.

Semiconductori cu impuritati
acest tip de semiconductori se obtin prin introducerea in structura cristalului de baza format din atomi tetravalenti a unor atomi cu valenta diferita, reprezentand cateva procente din compozitia materialului

Semiconductori de tip n
se obtin prin introducerea unor atomi pentavalenti in reteaua cristalului tetravalent, ex As patru dintre electronii de valenta formeaza legaturi covalente cu atomul de Si din vecinitate. Al cincilea electrn se poate desprinde usor de atomul de As devenind electron liber in cristal. Deoarece atomii impuritati sunt relativi rari locul ramas liber nu se reocupa de alti electroni (impuritatea nu genereaza goluri) deoarece la temperaturi scazute nu exista conductie intrinseca urtatorii liber de sarcina din cristal vor fi doar electroni eliberati de atomul de As, din acest motiv semiconductorul este umit de tip n(negativ) odata cu cresterea temepraturii apare si conductia intrinseca, adica se formeaza perechi electroni-gol prin iesirea unor electroni din legaturi covalente formate de atomii de Si la temperaturi foarte ridica numarul perechilor electron-gol devine mult mai mare decat al electronilor datorati impurtatilor astfel incat semiconductorului se comporta ca unul intrinsec deoarece impurtitatile pentavalente isi cedeaza cate un electron cristalului, ele sunt numite impuritati donoare nd=concentratia impuritatilor donoare

Concentratia purtatorilor liberi negativi de sarcina electrica depinde de temperaturi conform graficului : n I (temperaturi mici) n<nd ;p=0 II(temperaturi intermediare) nnd ;p0 III(temperature mari) nd n=nd+ni; p=ni I II III T In modelul benzilor energetice atomii de impuritati au niste nivele energetice situatie in BI, foarte aproape de BC

La temperaturi mici, datorita agitatiei termine pot trece in BC doar electronii atomilor de impuritate. Odata cu cresterea temperaturii incep sa apara si tranzitii din BV a materiei de baza in BC.

Semiconductori de tip p
se obtin prin introducerea unor impuritati trivalente in reteaua unui cristal tetravalent, ex :B Si

Si

Si

Si

Si Pentru a-si intregi structura stabila de octet, atomul trivalent accepta un electron suplimentar preluat dintr-o legatura covalenta a atomilor de Si. DIn acest motiv, impuritatile trivalente sunt numite si impuritati acceptoare. Locul ramas liber dupa acceptarea unui electron de catre atomul de B pentru a fi ocupat ulterior de un alt electron dintr-o legatura covalenta s.a.m.d, obtinandu-se un gol liber in crital.

la temperaturi mici, purtatorii liberi de sarcina din semiconductorii de tip p sunt doar golurile, de aceea semocoductorul este numit de tip pozitiv la temperaturi mari, apare si generarea de perechi electron-gol din legaturile covalete ale Si na= concentratia impuritatilor acceptoare dependenta concentratiei purtatorilor pozitivi liberi de sarcina de temperatura este ilustrata de graficul urmator : n I (temperaturi mici) p<na ;n0 II(temperaturi intermediare) pna; n0 III(temperature mari) na p=na+ni; n=ni I II III T In reprezentarea nivelelor energetice impuritatile acceptoare au nivele energetice inguste, libere, in interiorul BI a semiconductorului tetravalent, in preajma benzii de valenta.

La temperature scazute purtatorii liberi de sarcina vor fi doar golurile pozitive aparute in BV.

Jonctiunea p-n. Dioda semiconductoare

Jonctiunea p-n reprezinta zona de trecere obtinuta prin alaturarea unui semiconductor de tip p cu un semiconductor de tip n p n

electron liber gol Electronii liberi din preajma suprafetei de contact dintre cele 2 regiuni semiconductoare vor trece in zona de tip p. ELectronii vor ocupa golurile libere intalnite, acest proces purtand numele de recombinare.

In urma recombinarii, in zona de granita apare o regiune saracita in purtatori liberi de sarcina, numita strat de baraj. Datorita deplasarii electronilor in zona de tip p, acesta se incarca negativ, in timp ce zona ed tip n ramane incarcata pozitiv. Diferenta de potential intre cele 2 regiuni creata un camp electric ce se opune deplasarii electronilor spre zona de tip p. - + p n

strat de baraj Daca se aplica la cele 2 capete niste contacte metalice se obtine un dispozitiv numit dioda semiconductoare. Acest element de circuit se comporta in mod diferit la trecerea curentului electric intr-un sens sau in celalalt. a) Polarizare directa : + pe zona p si pe zona n Aplicarea unei tensiuni intre capetele diodei determina aparitia unui camp electric creat de sursa orientat in sens opus campului intern, conducand astfel la reducerea stratului de baraj. Electronii liberi din zona n pot strapunge stratul de baraj fiind atrasi de borna pozitiva a sursei. In polarizarea directa dioda permite trecerea curentului electric, comportandu-se ca un rezistor.

b) Polarizarea inversa + pe zona n, - pe zona p In acest caz, campul electric creat de sursa de tensiune este in acelasi sens cu campul intern, ducand la largirea stratului de baraj. Electronii liber din zona n sunt respinsi de potentialul negativ aplicat pe zona p astfel incat nu vor strabate jonctiunea. In acest caz, dioda se comporta ca un izolator blocand trecerea curentului.

Dioda semiconductoare
introdusa intr-un circuit de curent alternativ, permite trecerea acesteia intr-un singur sens transformarea curentului alternativ intr-un curent continuu poarta numele de redresare R u(t)=Um*sint =2=2/T => i(t)=Im*sint ; Im, =const

Introducand o dioda semiconductoare in acest circuit se obtine redresarea monvalen

Pentru a obtine redresa bialternanta se poate utiliza un montaj de patru diode semiconductoare legate in punte.

Pentru a obtine un curent continuu stationar, in circuit se introduc condensatori care se incarca atunci cand tensiunea ia valori mari si se descarca la valori mici ale tensiunii aplicate circuitului. Se obtine astfel o netezire a tensiunii continue aplicate consumator.