Scopul lucrarii:a) de a studia constructia instalatiei de depunere termica in vid,metode de

obtinere si masurare a vidului; b)de insusit practic metodele de depunere a straturilor metalice prin vaporizarea termica in vid si de controlat parametrii straturilor depuse

Scurte date teoretice:

In circuite integrate straturile metalice sunt necesare pentru asigurarea interconectarii dispozitivelor ,pentru a forma electrozi de poarta,pentru a micsora rezistenta anumitor trasee din alte metale ,sau pentru a forma contacte ohmice ,bariere Schattky. Straturile metalice in C.I. trebue se indeplineasca anumite cerinte: 1) Sa fie capabile sa transporte curenti cit mai mari fara sa si modifice proprietatile fizice. !) Sa poate fi depuse la temperature "oase #) Sa poate fi usor gravate cu rezolotie buna,fara ca sa se afecteze substratul $) Sa suporte fara a se defecta cicluri termice pe durate de viata a circuitului %) Sa poata fi usor conectat la terminalele capsulei &) Sa aiba o mare aderenta fata de semiconductori sau alte pelicule utilizate in C.I ') (a folosirea stratului metalic in calitate de contact trebuie sa aiba un C)* liniara intr un domeniu mare de variatie a curentului +ateriale ce se folosesc pentru metalizare, Au ,Ag, Al. - mai mare intrebuintare o are *l. Prioritatile Al,pret de cost mic ,pot fi depuse usor si procesele de fotolitografie are o rezolutie inalta,corodantii pentru *l practice nu interactioneaza cu Si si Si-! si formeaza contacte ohmice cu siliciu n. si p tip;sudarea cu ultrasunet asigura o cuplare trainica intre firul de *l si substrat; *l e destul de elastic ,de accea suporta variatiile ciclice de temperature. Neajunsurile Al: sunt legate de conformitatea straturilor depuse de electromigrare ,de rezistenta mecanica,de coroziune (a fabricarea CI pe baza de +-S se foloseste in calitate de poarta,/iSi!,+oSi!,0Si!. 1ezistenta unei pelicule conductoare de sectiune dreptunghiulara este, R=1/(hb) 2eoarece grosimea pe suprafata e aceiasi obtinem,pentru pelicula depusa , R= s1/b= sKf , 3f415b numarul de patrate cu latura b inscrise in lungimea l. 6roprietatile electrofizice ale stratului obtinute sunt determinate de, compozitia si structura7proprietatile metalului ,regimul de vaporizare.regimul de condensare) on!ensarea peliculelor pe suprafata suportului include urmatoarele etape, 1) nucleatia graungioarelor,pe suprafata apar grauncioare mici distribuite static. ") cresterea grauncioarelor,grauncioarele cresc in diametru si formeaza insulate,care se transforma in cristalite. #) unirea insulitelor,intercone8iunile insulare formeaza o mrea"a,care contine canale goale $) umplerea canalelor Influenteaza asupra procesului de frmare a peliculei , te%&eratura.In conditii obisnuite de avaporare termica in vid temperature substantei condentate 7/c) este multa mai mare decit temperature substratului7/s).6articulele a"ungind pe suprafata substratului sunt captate de el si se deplaseaza pe suprafata lui pina cind isi pierd energia surplusa si se condenseaza.+arirea temperaturii duce la formarea peliculei cu graunciori mari. 'ite(a si &resiunea.)eteza mica si presiune inalta duce la scresterea probabilitatii ca sa aiba lor interactiunea cu atmosfara si in consecinta sa aiba loc depunerea unor metale cu o8izi,ceia ce duce la marirea rezistivitatii.(a evaporarea in sistem inchis particulele care se evaporeaza si se condenseaza stabilesc un echilibru dinamic ,caruia ii corespunde o presiune de echilibru a vaporilor P=)*+1/" e,&(+ /*) 9,C constante,valoarea carora variaza pentru diferite materiale.

(a masurarea peliculei depuse se folosec interferometria cu multe raze.*ceasta metoda da rezultate satisfacatoarela masurarea grosimii mai mari de %:mm.Inainte de masurare pe suprafata se face o zgirietura.*"ustind corect microscopul in cimpul de vedere in acelas timp trebuie sa se observe suprafata cercetata si fisele de interferenta,curbate in locurile unde se afla zgirietura sau treapta.totodata fisele trebuie sa fie orientate perpendicular directiei. 6entru determinarea grosimii peliculei h se masoara cu a"utorul microscopului ocular directia 8 dintre doua fisii si marimea deplasarii ;8 in aceiasi fisie la granite de deplasare pelicula substrat. +arimile 8 si ;8 sunt masurate in diviziuni relative.<rosimea peliculei se determina prin formula, h=-."/ 0,/, (1%)

Calcule:
In cadrul lucrarii am determinat viteza de evaporare a aluminiului conform formulei, )vap4%.=#>1: $>7?5/v)15! am obtinut, )vap4%.=#>1: $>7!'5@&&)15! 4@.%&A1: % 2e asemenea am determinat grosimea h a peliculei , 1)teoretic conform formulei, h4m>cosB5$> >C>r! am obtinut, h4:.:%A15##.@!@A:.::$@4:.#1 ?m !)practice am folosit formula, h4:.!'> ;858 am obtinut, h4:.!'A71!51&)4:.! ?m -bservam din calculele efectuate mai sus ca procesul de evaporare are loc in o perioada foarte scurta de timp.2e asemenea ca calculele teoretice si datele reale ce se obtin difere cu :.11 ?m. Controlind adeziunea peliculei am obtinut un rezultat satisfacator.*deziunea nu era perfecta ,dar procenta"ul ce nu sa supus adeziunii era mic7in "ur la =D).

Concluzii:
Efectuind lucrarea de laborator , am luat cunostinte cu metodele de depunere metalica prin evaporarea termica vidata realizata in cazul nostru cu a"utorul instalatiei FGH $. 6entru depunere a fost utilizat aluminiu. 2epunerea aluminiului pe placa de siliciu a fost petrecuta in cele $ etape.Cercetind rezultatul final , am determinat grosimea stratului depus 7de :.!um) care nu coincide cu valoarea teoretica 7:.#1um).2in careva considerente , adezeniunea nu a fost efectuata perfect 7posibil placheta a fost spalata necalitativ ) si un careva D de aluminiu a fost pierdut.

UNIVERSITATEA TEHNIC A MOLDOVEI Catedra Microlectronica i Di!poziti"e cu Se#iconductoare

RA$ORT
despre lucrare de laborator nr. %
2isciplina, 9azele tehnologice ale microelectronicii

/ema, I2epunerea straturilor metalice prin evaporarea termica in vidJ

A e%ectuat: A "eri%icat:

st.gr.+K 1!1
prof. univ.

6ruteanu S. /rofim )iorel

C&i!inau '()*