C

i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Amplicatoare simple.
Amplicatoare diferent iale
1). Sa se proiecteze un amplicator inversor cu sarcina rezistiva, avand castigul de
joasa frecvent a |A
0
| = 20dB (10
abs
), frecvent a polului dominant f
p
= 8MHz, tensiunea
continu a la iesire V
out
= 1, 6V , capacitatea de sarcina C
L
= 2pF si = 0, 05V
1
.
Lungimea canalului tranzistoarelor este L=1m.
a). Sa se determine valoarea lui R si geometria tranzistorului W/L.
b). Cat este transconductant a de semnal mic g
m
?
c). Determinat i valoarea tensiunii continue la intrare.
d). Este optim aleasa valoarea tensiunii continue la iesire de 1, 6V ?
e). Trasat i caracteristicile Bode, t inand cont de faptul ca amplicatoruul are un pol
dominant si un zero pozitiv introdus de calea directa de semnal intrare-iesire prin
capacitatea parazita C
GD
= 16fF a tranzistorului.
M I
D
W/L V
od
V
Th
NMOS 50A 10m/1m 230mV 850mV
PMOS 50A 20m/1m 340mV 980mV
Tabelul 1: Parametrii tranzistoarelor
M
V
DD
R
C
L
V
out
V
in
I
Figura 1
Rezolvare:
a). Scriem legea lui Ohm pe rezistent a pasiva R si avem:
I =
V
DD
V
out
R
(1)
1
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Polul dominant este introdus de rezistent a si capacitatea echivalenta a nodului de iesire.
Prin urmare, expresia acestuia este:
f
p
=
1
2C
L
(r
DS
|| R)
=
r
DS
+R
2C
L
r
DS
R
=
1 +IR
2C
L
R
(2)
Rezistent a drena-sursa de semnal mic a tranzistorului MOS este r
DS
=
1
I
.
Relat iile (1) si (2) formeaza un sistem de doua ecuat ii cu necunoscutele, R si I.

In
urma rezolvarii sistemului se obt ine:
I = 132A , R = 10, 6k , r
DS
= 152k (3)
Observat ie: determinarea curentului si a rezistent ei pasive se poate face mai simplu,
daca presupunem ca R este mai mic cu un ordin de marime ca r
DS
. Atunci avem
R|| r
DS

= R. Drept urmare, din exprsia lui f
p
va rezulta ca R = 10k. Apoi, conform
legii lui Ohm, curentul I va 140A.

In nal, se gaseste r
DS
= 143k si comparand
aceasta valoarea cu cea a rezistent ei pasive, se verica presupunerea de la care am
pornit.
Este indicat sa se foloseasca metoda simplicata, deoarece da rezultate similare cu
cele obt inute din calculul riguros si proiectarea nu este afectata.

In continuare folosim
vaorile: I=140A si R=10k.
Din expresia castigului de semnal mic si joasa frecvent a putem obt ine valoarea transcon-
ductant ei:
|A
0
| = G
m
R
out
= g
m
R g
m
= 1mS (4)
Dar, totodata transconductant a de semnal mic a tranzistorului MOS este g
m
=
2I
V
od
.
Astfel vom gasi valoarea tensiunii de overdrive V
od
=280mV.
Avand calculate tensiunea de overdrive si curentul, se face o scalare si obt inem geome-
tria tranzistorului:

50 =
k 10
2 1
(230m)
2
140 =
k W
2L
(280m)
2

W
L
=
19
1
(5)
2
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
b). Transconductant a de semnal mic a fost deja calculata si are valoarea g
m
=1mS.
c). Valoarea tensiunii continue la intrare este:
V
in
= V
GS
= V
Th
+V
od
= 850mV + 280mV = 1, 13V (6)
d). Pentru a gasi valoarea optima a tensiunii continue la iesire se calculeaza limitele
admise de variat ie a acesteia si se face media aritmetica:

V
MIN
out
= V
od
= 280mV
V
MAX
out
= V
DD
= 3V V
out
= 1, 64V
(7)
valoarea tensiunii continue la iesire a fost aleasa judicios.
d).

In Figura 2 sunt ridicate caracteristicile Bode, considerand frecven

tele singula-
ritat ilor ca n sistemul 8.
10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
0d
40d
60d
80d
100d
120d
140d
160d
180d
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
20d
f
p1
=8MHz
f
zp
=10GHz
GBW=80MHz
A
0
=20dB
Figura 2
3
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e

f
p1
= 8MHz
f
zp
=
g
m
2C
GD
= 10GHz
GBW = |A
0
| f
p
= 80MHz
(8)
2). a). Sa se proiecteze un amplicator inversor cu sarcina sursa de curent, avand
castigul de joasa frecvent a |A
0
| = 32dB(40
abs
), frecvent a polului dominant la f
p
=
2MHz, capacitatea de sarcina C
L
= 2pF si = 0, 1V
1
. Lungimea canalului tranzis-
toarelor este L=0,25m. Tensiunea de intrare se aplica n grila tranzistorului PMOS.

In Tabelul 1 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor.

b). Desenat i schema echivalenta de semnal mic si nalta frecvent a corespunzatoare
amplicatorului si dat i expresiile parametrilor acesteia.
V
DD
C
L
V
out
V
in
M
1
M
2
V
G1
I
Figura 3
Rezolvare:
a). Polul dominant este introdus de rezistent a si capacitatea echivalenta a nodului de
iesire. Prin urmare, expresia acestuia este:
f
p
=
1
2C
L
(r
DS1
|| r
DS2
)
=
1
C
L
r
DS1
=
I
C
L
I = 125A (9)
Tranzistorul M
1
implementeaza sarcina sursa de curent. Tensiunea de overdrive a
acestuia se alege V
od1
= 250mV .
Tranzistorul de intrare M
2
este responsabil de castigul circuitului, prin urmare tensiu-
nea lui de overdrive va rezulta conform valorii lui A
0
.
|A
0
| = G
m
R
out
= g
m2
(r
DS1
|| r
DS2
) = g
m2
1
2I
g
m2
= 1mS (10)
4
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Dar transconductant a de semnal mic se mai poate scrie:
g
m2
=
2I
V
od2
V
od2
= 250mV (11)
Acum se pot face doua scalari si obt inem dimensiunile tranzistoarelor. Pentru NMOS
avem:

50 =
k
n
10
2 1
(230m)
2
125 =
k
n
W
1
2L
1
(250m)
2

W
1
L
1
=
5, 3
0, 25
(12)
Iar pentru tranzistorul PMOS, scriem:

50 =
k
p
20
2 1
(340m)
2
125 =
k
p
W
2
2L
2
(250m)
2

W
2
L
2
=
23, 1
0, 25
(13)
Tensiunea de polarizare aplicata n grila tranzistorului M
1
se calculeaza:
V
G1
= V
Thn
+V
od1
= 850m+ 250m = 1, 1V (14)
b). Schema echivalenta de semnal mic si nalta frecvent a este prezentata n Figura 4.
C
L
V
in
R
out
G
m
V
in
C
GD2
V
out
Figura 4
Parametrii schemei echivalente de semnal mic au expresiile:

G
m
= g
m2
R
out
= r
DS1
|| r
DS2
C
out
= C
BD1
+C
BD2
+C
GD1
+C
L

= C
L
(15)
5
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
3). Fie amplicatorul inversor de la problema 2) conectat ntr-un lant de ampli-
care. Rezistent a sursei de semnal este R
ss
=400k. Capacitatea parazita grila-drena
C
GD
=50fF. Calculat i singularitat ile circuitului si ridicat i caracteristicile de frecvent a.
V
DD
C
L
V
out
V
in
M
1
M
2
V
G1
C
GD2
R
S
I

M
2
M
1
C
L
V
out
V
G1
V
in
R
S
V
DD
I
-C
GD2
A
0
C
GD2
a) b)
Figura 5
Rezolvare:
Circuitul are trei singularitat i:
polul introdus de rezistent a si capacitatea echivalenta a nodului de iesire;
zeroul pozitiv introdus de calea directa de semnal dintre intrarea si iesirea circui-
tului prin capacitatea parazita C
GD
a tranzistorului de intrare;
polul Miller introdus de rezistent a sursei de semnal, R
SS
, care se combina cu
C
GD2
reectata la intrare multiplicata cu castigul circuitului.
Frecvent ele polilor, a zeroului pozitiv si produsul amplicare-banda sunt:

f
p
=
1
2C
L
(r
DS1
|| g
m2
)

=
g
m2
2C
L
= 80MHz
f
pM
=
1
2R
ss
(A
0
C
GD2
)
= 2MHz
f
zp
=
g
m2
2C
GD2
= 1, 3GHz
(16)
Se observa asezarea n frecvent a a singularitat ilor: polul Miller a devenit polul domi-
nant, apoi urmeaza polul dat de nodul de iesire (care are frecvent a egala cu GBW) si
apoi zeroul pozitiv.
6
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Diagramele Bode sunt desenate n Figura 6.
Observat ie: analizand frecvent ele singularitat ilor se observa ca ambii poli sunt situat i
n frecvent a mai jos decat produsul amplicare-banda. Pentru aceste cazuri GBW si
pierde semnicat ia.
1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
-100d
-60d
-20d
20d
60d
100d
140d
180d
-80
-60
-40
-20
0
20
40
-100
f
pMiller
=2MHz
f
p2
=8MHz
f
zp
=1.3GHz
A
0
=32dB
Figura 6
4). Sa se proiecteze un amplicator inversor cascoda simetrica ca n Figura 7 a).
Specicat iile sunt: castigul de joasa frecvent a |A
0
| = 46dB(200
abs
), frecvent a polului
dominant f
p
= 250kHz, capacitatea de sarcina C
L
= 1pF si = 0, 5V
1
. Lungi-
mea canalului tranzistoarelor este L=1m, nafara de cele cascoda care au L=0,5m.
Capacitatea parazita n nodul din drena lui M
1
este C
X
= 200fF, iar capacitatea
C
GD1
= 50fF.

In Tabelul 1 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor.
a). Gasit i dimensiunile tranzistoarelor.
b). Calculat i tensiunile de polarizare V
casn
, V
casp
si V
biasp
.
c). Desenat i diagramele Bode.
d). Desenat i schema echivalenta de semnal mic si nalta frecvent a corespunzatoare
amplicatorului si dat i expresiile parametrilor acesteia.
7
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
V
casn
C
L
V
out
V
in
M
1
M
2

M
3
M
4
V
DD
X
V
casp
V
biasp
I
V
casn
V
out
=1,5V
V
in
M
1
M
2
M
3
M
4
V
DD
V
casp
V
biasp
0,7V
0,8V
0,8V
0,7V
a)
b)
Figura 7
Rezolvare:
a). Deoarece polul dominant este dat de rezistent a si capacitatea echivalenta a nodului
de iesire, frecvent a f
p1
este de forma:
f
p1
=
1
2C
L
R
out
R
out
=
1
2C
L
f
p1
= 636, 6k (17)
Dar rezistent a de iesire a circuitului are urmatoarea expresie:
R
out
= (g
m2
r
DS2
r
DS1
) || (g
3
r
DS3
r
DS4
) =
1
2

2I
V
od
1
I
1
I

(18)
Pentru tranzistoarele M
2
, M
3
si M
4
alegem tensiunea de overdrive V
od
= 200mV .
Din ecuat iile (17) si (18) rezulta valoarea curentului I = 31, 4A.
Castigul de semnal mic si joasa a circuitului este de forma:
|A
0
| = G
m
R
out
= g
m1
R
out
=
2I
V
od1
R
out
V
od1
=
2IR
out
|A
0
|
= 200mV (19)
Pentru determinarea geometriei tranzistoarelor se fac urmatoarele scalari:
8
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
50
31, 4
=
10L
1
W
1

230m
200m

W
1
L
1
=
8, 2
1
(20)
Deoarece prin M
2
trece acelasi curent si are aceeasi tensiune de overdrive ca M
1
, rezulta
ca dimensiunea lui e egala cu cea a lui M
1
. T inem cont doar de faptul ca pentru
tranzistoarele cascoda se ia lungimea canalului de 0,5m.
W
2
L
2
=
4, 1
0, 5
(21)

In mod similar facem scalari pentru tranzistoarele PMOS.

50
31, 4
=
20L
4
W
4

340m
200m

W
4
L
4
=
35, 8
1
(22)
Pentru tranzistorul cascoda PMOS avem:
W
2
L
2
=
17, 9
0, 5
(23)
b). Deoarece schema este simetrica, alegem tensiunea continua la iesire de valoare
jumatate din tensiunea de alimentare V
out
= 1, 5V . Acum putem alege V
DS1
= V
SD4
=
700mV si V
DS2
= V
SD3
= 800mV (am alocat mai mult spat iu n tensiune tranzis-
toarelor cascod a, caci ele parasesc primele regimul de saturat ie).

In Figura 7 b) sunt
marcate tensiunile drena-sursa pentru ecare tranzistor din schema.
Tensiunile de polarizare din grilele tranzistoarelor se calculeaz a astfel:

V
casn
= V
GS2
+V
DS1
= (V
Thn
+V
od2
) +V
DS1
= 0, 85 + 0, 2 + 0, 7 = 1, 75V
V
DD
V
biasp
= V
SG4
V
biasp
= V
DD
(|V
Thp
| +V
od4
)
V
biasp
= 3 0, 98 0, 2 = 1, 82V
V
DD
V
casp
= V
SD4
+V
SG3
V
casp
= V
DD
V
SD4
(|V
Thp
| +V
od3
)
V
casp
= 3 0, 7 (0, 98 + 0, 2) = 1, 12V
(24)
c). Circuitul are doi poli si un zero pozitiv. Polul dominant este introdus de rezistent a
si capacitatea echivalenta a nodului de iesire, polul de nalta frecvent a se datoreaza
nodului intermediar din drena lui M
1
(nodul X), iar zeroul pozitiv este dat de calea
directa de semnal de la intrare la iesire prin C
GD1
. Frecvent ele singularitat ilor sunt:
9
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e

f
p1
=
1
2C
L
R
out
= 250kHz
f
p2

=
g
m2
2C
X
= 250MHz
f
zp
=
g
m1
2C
GD1
= 1GHz
GBW = |A
0
| f
p1
= 50MHz
(25)
Caracteristicile de frecvent a, amplitudine si faza, sunt trasate n Figura 8.
1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
-90d
-30d
0d
30d
60d
90d
120d
150d
180d
-80
-60
-40
-20
0
20
40
-60d
f
p1
=250kHz
f
p2
=250MHz
f
zp
=1GHz
GBW=50MHz
A
0
=46dB
Figura 8
d). Schema echivalenta de semnal mic si nalta frecvent a corespunzatoare amplica-
torului este prezentata n Figura 9.
Parametrii schemei echivalente de semnal mic au expresiile:
10
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
C
L
V
in
R
out
G
m1
V
in
C
GD1
V
out
R
X
C
X
V
X
G
m2
V
X
X
Figura 9

G
m1
= g
m1
R
X

=
1
g
m2
C
X
= C
BD1
+C
BD2
+C
GD2
G
m2
= g
m2
R
out
= (g
m2
r
DS2
r
DS1
) || (g
3
r
DS3
r
DS4
)
C
out
= C
BD2
+C
BD3
+C
GD2
+C
GD3
+C
L

= C
L
(26)
Castigul amplicatorului se scrie ca si produsul castigurilor celor doua etaje:
|A
0
| = G
m1
R
X
G
m2
R
out

= G
m1
R
out
(27)
5). Sa se proiecteze un amplicator inversor cu sarcina sursa de curent si avand
tranzistorul de intrare cascodat ca n Figura 10 a). Castigul de joasa frecvent a este
|A
0
| = 40dB(100
abs
), produsul amplicare-banda GBW = 31, 8MHz, capacitatea de
sarcina C
L
= 5pF si = 0, 1V
1
. Lungimea canalului tranzistoarelor este L=0,5m.
Capacitatea parazita n nodul din drena lui M
1
este C
X
= 50fF, iar capacitatea
C
GD1
= 30fF.

In Tabelul 2 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor.
a). Dimensionat i tranzistoarele si gasit i tensiunile de polarizare V
casn
si V
biasp
.
b). Determinat i domeniul de variat ie al tensiunii de iesire, daca amplitudinea semna-
lului de iesire este V
semn
= 0, 5V .
c). Gasit i singularitat ile circuitului, calculat i frecvent ele lor si desenat i diagramele
Bode.
d). Dac a rezistent a sursei de intrare este R
ss
= 100, redesena

ti diagramele Bode.
Rezolvare:
a). Produsul amplicare-banda se scrie:
11
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
M I
D
W/L V
od
V
Th
NMOS 50A 10m/1m 175mV 450mV
PMOS 50A 20m/1m 225mV 450mV
Tabelul 2: Parametrii tranzistoarelor
V
casn
C
L
V
out
V
in
M
1
M
2

M
3
V
DD
X
V
biasp
I
V
out
=2V
1V
V
casn
V
in
M
1
M
2
M
3
V
DD
V
biasp
1V
1V
a) b)
Figura 10
GBW =
G
m
2C
L
=
g
m1
2C
L
G
m
= g
m1
= 1mS (28)
Castigul de semnal mic si joasa frecvent a are urmatoarea expresie:
|A
0
| = G
m
R
out

= g
m1
r
DS3
= g
m1
1
I
I = 100A (29)
Transconductant a de semnal mic a lui M
1
se poate scrie:
g
m1
=
2I
V
od1
v
od1
= 200mV (30)
Pentru tranzistorul cascoda M
2
si pentru cel de sarcina M
3
se alege tensiunea de over-
drive V
od2
= V
od3
=200mV.
Avand valorile curentului si a tensiunii de overdrive prin toate tranzistoarele schemei,
se pot face scalari pentru dimensionarea lor.
12
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
50
100
=
10L
1
W
1

175m
200m

W
1
L
1
=
7, 5
0, 5
(31)
Deoarece M
2
are aceeasi tensiune de overdrive si este strabatut de acelasi curent ca si
M
1
, va avea aceeasi dimensiune.
50
100
=
20L
1
W
1

225m
200m

W
3
L
3
=
25, 3
0, 5
(32)
Se calculeaza bugetul de tensiune, astfel alocam ecarui tranzistor o tensiune drena-
sursa de 1V. Drept urmare, tensiunea de iesire va V
out
=2V.

In Figura 10 b) sunt
marcate tensiunile drena-sursa pentru ecare tranzistor din schema.

In aceste condit ii,
tensiunile continue din grilele lui M
2
si M
3
vor :

V
casn
= V
GS2
+V
DS1
= (V
Thn
+V
od2
) +V
DS1
= 0, 45 + 0, 2 + 1 = 1, 65V
V
DD
V
biasp
= V
SG3
V
biasp
= V
DD
(|V
Thp
| +V
od3
)
V
biasp
= 3 0, 45 0, 2 = 2, 35V
(33)
b). Pentru un semnal de iesire cu amplitudinea de 0, 5V , domeniul de variat ie al
tensiunii de iesire este urmatorul:

V
MIN
out
= V
od1
+V
semn
= 700mV
V
MAX
out
= V
DD
V
od2
V
od3
V
semn
= 2, 1V
(34)
c). Circuitul are trei singularitat i: polul dominant introdus de rezistent a si capacitatea
echivalenta a nodului de iesire, un pol de nalta frecvent a introdus de nodul intermediar
din drena lui M
1
si un zero pozitiv datorat caii directe de semnal dintre intrare si iesire
prin C
GD1
. Frecvent ele singularitat ilor sunt:

f
p1
=
GBW
|A
0
|
= 300kHz
f
p2

=
g
m2
2C
X
= 3GHz , g
m2
=
2I
V
od2
= 1mS
f
zp
=
g
m1
2C
GD1
= 5, 3GHz
(35)
Diagramele Bode sunt trasate n Figura 11.
13
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
-90d
-30d
0d
30d
60d
90d
120d
150d
180d
-80
-60
-40
-20
0
20
40
-60d
f
p1
=300kHz
f
p2
=3GHz
f
zp
=5.3GHz
GBW=30MHz
A
0
=40dB
Figura 11
d). Pentru cazul n care rezistent a sursei de semnal este R
ss
=100, aceasta rezistent a
se combina cu capacitatea C
GD1
reectata la intrare prin efect Miller, si duce la aparit ia
unui pol suplimentar. Frecvent a acestuia se calculeaza conform relat iei:
f
p3
=
1
2R
ss

g
m1

r
DS1
||
1
g
m2

C
GD1
=
1
2R
ss
g
m1
g
m2
C
GD1
= 53GHZ (36)
Capacitatea C
GD1
este reectata la intrare cu valoarea multiplicata cu castigul tran-
zistorului afectat de efectul Miller.

In aceste condit ii, diagramele Bode se redeseneaza ca n Figura 12.

14
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
-180d
-150d
-120d
-90d
-60d
-30d
0d
30d
60d
90d
120d
150d
180d
-60
-40
-20
0
20
40
-80
f
p1
=300kHz
f
p2
=3GHz
f
zp
=5.3GHz
f
pMiller
=53GHz
GBW=30MHz
A
0
=40dB
Figura 12
6). Sa se proiecteze un amplicator inversor cascoda pliata cu intrarea pe tranzistor
PMOS. Castigul de joasa frecvent a este |A
0
| = 46dB(200
abs
), frecvent a polului domi-
nant este f
p1
= 250kHz, capacitatea de sarcina C
L
= 1pF si = 0, 3V
1
. Lungimea
canalului tranzistoarelor este L=1m. Capacitatea parazita n nodul din drena lui M
2
este C
X
= 200fF, iar capacitatea C
GD1
= 50fF. Curentul n ramura de iesire este de
1,5 ori mai mare ca cel din ramura de intrare I
5
= 1, 5I
1
. Se recomnada ca tensiunile
de overdrive a tranzistoarelor care nu sunt raspunzatoare de castigul circuitului sa e
200mV.

In Tabelul 2 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor.
a). Dimensionat i tranzistoarele si gasit i tensiunile de polarizare V
casn
, V
casp
si V
biasp
.
b). Determinat i domeniul de variat ie al tensiunii de iesire, daca amplitudinea semna-
lului de iesire este V
semn
= 0, 7V .
c). Gasit i singularitat ile circuitului, calculat i frecvent ele lor si trasat i diagramele Bode.
Rezolvare:
a). Din expresia frecvent ei polului dominat se poate determina rezistent a de iesire,
astfel:
15
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
V
casn
C
L
V
out
V
in
M
1
M
2
M
3
M
4
V
DD
X
V
casp
V
biasp
V
biasn
M
5
I
1,5 I
2,5 I
Figura 13
f
p1
=
1
2C
L
R
out
R
out
= 637k (37)
Dar, totodata rezistent a de iesire se scrie:
R
out
= [g
m3
r
DS3
(r
DS2
|| r
DS1
)] || [g
m4
r
DS4
r
DS5
] (38)
Daca nlocuim rezistent a drena-sursa si transconductant a de semnal mic cu r
DS
=
1/I, respectiv g
m
= 2I/V
od
, rezulta o ecuat ie din care se obt ine valoarea curentului I.
Trebuie t inut cont de valorile curentilor: I
1
= I, I
3
= I
4
= I
5
= 1, 5I si I
2
= I
1
+I
3
=
2, 5I. Tensiunile de overdrive sunt V
od2
= V
od3
= V
od4
= V
od5
= 200mV .
R
out
=

2I
3
V
od3
1
I
3

1
I
2
||
1
I
1

||

2I
4
V
od4
1
I
4
1
I
5

I = 35A (39)
Castigul de semnal mic si joasa frecvent a este de forma:
|A
0
| = G
m
R
out
= g
m1
R
out
G
m
= g
m1
= 314S (40)
Transconductant a de semnal mic a lui M
1
se mai poate scrie:
g
m1
=
2I
1
V
od1
V
od1
= 223mV (41)
16
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e

In tabelul 3 sunt date valorile curent ilor si a tensiunilor de overdrive pentru toate
tranzistoarele din schema.
M M
1
M
2
M
3
M
4
M
5
I 35A 87, 5A 52, 5A 52, 5A 52, 5A
V
od
223mV 200mV 200mV 200mV 200mV
Tabelul 3: Punctele statice ale tranzistoarelor
Folosind setul de referint a se fac cateva scalari pentru a dimensiona tranzistoarele din
schema.

In urma calculelor va rezulta:
W
1
L
1
=
14, 2m
1m
,
W
2
L
2
=
13, 4m
1m
,
W
3
L
3
=
8m
1m
,
W
4
L
4
=
W
5
L
5
=
26, 5m
1m
(42)
Tensiunile drena-sursa aplicate tranzistoarelor din ramura de iesire se aleg astfel ncat
tensiunea continua la iesire sa e 1, 5V (jumatate din tensiunea de alimentare). Vom
aloca mai mult spat iun tensiune tranzistoarelor cascoda, deoarece ele parasesc primele
regimul de saturat ie, atunci cand tensiunile drena-sursa scad. O posibila mpart ire
este: V
DS2
= V
SD5
= 0, 5V si V
DS3
= V
SD4
= 1V .

In Figura 14 sunt marcate tensiunile
drena-sursa pentru ecare tranzistor din schema.
V
casn
V
out
=1,5V
V
in
M
1
M
2
M
3
M
4
V
DD
V
casp
V
biasp
V
biasn
M
5
0,5V
0,5V
1V
1V
Figura 14
17
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Tensiunile continue care trebuie aplicate n grilele tranzistoarelor se calculeaza conform
relat iilor (43):

V
casn
= V
GS3
+V
DS2
= (V
Thn
+V
od3
) +V
DS2
= 0, 45 + 0, 2 + 0, 5 = 1, 15V
V
DD
V
biasp
= V
SG5
V
biasp
= V
DD
(|V
Thp
| +V
od5
)
V
biasp
= 3 0, 45 0, 2 = 2, 35V
V
DD
V
casp
= V
SD5
+V
SG4
V
casp
= V
DD
V
SD5
(|V
Thp
| +V
od4
)
V
casp
= 3 0, 5 (0, 45 + 0, 2) = 1, 85V
(43)
b). Pentru un semnal de iesire cu amplitudinea de 0, 7V , domeniul de variat ie al
tensiunii de iesire este urmatorul:

V
MIN
out
= V
od2
+V
od3
+V
semn
= 1, 1V
V
MAX
out
= V
DD
V
od4
V
od5
V
semn
= 1, 9V
(44)
1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
-120d
-90d
-60d
-30d
0d
30d
60d
90d
120d
150d
180d
-100
-60
-40
-20
0
20
40
-80
f
p1
=250kHz
f
p2
=400MHz
f
zp
=1GHz
GBW=50MHz
A
0
=46dB
Figura 15
18
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
c). Circuitul are doi poli si un zero pozitiv. Frecvent ele acestora se calculeaza dupa
cum urmeaza:

f
p1
= 250kHz
f
p2

=
g
m3
2C
X

= 400MHz , g
m3
=
2I
3
V
od3
= 525S
f
zp
=
g
m1
2C
GD1
= 1GHz
(45)
Diagramele Bode sunt trasate n Figura 15.
7). Sa se proiecteze un amplicator diferent ial cu sarcin a rezistiva si iesire simetrica
ca n Figura 16 a). Castigul de joasa frecvent a este |A
0
| = 20dB, frecvent a polului
dominant este f
p1
=2MHz, tensiunea continua la iesire este V
out
=2V, capacitatea de
sarcina C
L
=2pF si capacitatea C
GD1
=50fF. Lungimea canalului tranzistoarelor este
L=1m.

In Tabelul 2 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor.
C
L
V
biasn
I
p
M
1
M
2

M
3
V
DD
X
I
m
O
p
O
m
R R
I
V
biasn
I
p
M
1
M
2

M
3
V
DD
I
m
O
p
O
m
R R
1V
1,5V
0,5V
a) b)
Figura 16
a). Dimensionat i tranzistoarele si gasit i tensiunea de polarizare V
biasn
.
b). Determinat i domeniul de variat ie al tensiunii de iesire, daca semnalului de iesire
are 1V varf la varf.
c). Determinati domeniul de variat ie al tensiunii de intrare.
19
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
d). Desenat i caracteristicile de frecvent a (amplitudine si faza).
e). Cum variaza tensiunea n nodul de circuit care este comun surselor tranzistoarelor
de intrare?
f). Modicat i circuitul astfel ncat castigul sa ramana neschimbat, dar banda sa se
dubleze.
g). Ce se ntampla daca V
biasn
= 600mV ?
h). Cat este amplitudinea semnalului de iesire, pentru un semnal la intrare de ampli-
tudine 500mV si frecvent a 1kHz?
i). Daca V
in
= 0, 01sin(125, 66 10
6
t), cat este amplitudinea semnalului de iesire?
j). Desenat i schema echivalenta de semnal mic corespunzatoare amplicatorului si dat i
expresiile parametrilor acesteia.
Rezolvare:
a). Frecvent a polului dominant este:
f
p
=
1
2R
out
C
L
=
1
2[2(R|| r
DS
)]C
L

=
1
2RC
L
R

= 20k (46)
Curentul prin rezistent a de sarcina R, se scrie conform legii lui Ohm astfel:
I
2
=
V
DD
V
out
R
I = 100A (47)
Castigul amplicatorului are urmatoarea expresie:
|A
0
| = G
m
R
out
=
g
m1
2
[2(R|| r
DS
)]

= g
m1
R g
m1
= 500A (48)
Daca scriem transconductant a de semnal mic a tranzistorului M
1
, va rezulta valoarea
curentului de polarizare:
g
m1
=
2(I/2)
V
od1
V
od1
= 200mV (49)
Pentru tranzistorul M
5
care implementeaza sursa de curent ce furnizeaza curentul de
polarizare al etajului diferent ial se alege tensiunea de overdrive V
od5
= 200mV .
Tranzistoarele de intrare se dimensioneaza astfel:
50
50
=
10L
1
W
1

175m
200m

W
1
L
1
=
W
2
L
2
=
7, 6
1
(50)
20
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Tranzistorul M
3
are aceeasi tensiune de overdrive ca si cele de intrare, dar curentul sau
de dren a este dublu. Drept urmare, dimensiunea lui va de doua ori mai mare decat
a celor de intrare, adica:
W
3
L
3
=
15, 2
1
(51)
Tensiunea V
biasn
se poate calcula:
V
biasn
= V
GS3
= V
Thn
+V
od3
= 650mV (52)
b). Domeniul de variat ie al tensiunii de iesire este:

V
MIN
out
= V
od1
+V
od3
+V
semn
= 0, 2 + 0, 2 + 0, 5 = 0, 9V
V
MAX
out
= V
DD
V
semn
= 3 0, 5 = 2, 5V
(53)
c). Domeniul de variat ie al tensiunii de intrare este:

V
MIN
in
= V
GS1
+V
od3
= (V
Thn
+V
od1
) +V
od3
= 0, 85V
V
MAX
in
= V
DD
= 3V
(54)
In Figura 16 b) sunt marcate tensiunile drena-sursa pentru ecare tranzistor din
schema.
d). Circuitul are un pol introdus de nodul de iesire si un zero pozitiv datorat caii
directe de semnal dintre intrare si iesire prin capacitatea grila-drena a tranzistoarelor
de intrare. Frecvent ele singularitat ilor sunt:

f
p
= 2MHz
f
zp
=
g
m1
2C
GD1
= 1, 6GHz
GBW = |A
0
| f
p
= 20MHZ
(55)
Diagramele Bode sunt trasate n Figura 17.
21
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
-200d
-160d
-140d
-120d
-100d
-80d
-60d
-40d
-20d
0d
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
-180d
f
p1
=2MHz
f
zp
=1.6GHz
GBW=20MHz
A
0
=20dB
Figura 17
e).

In nodul de circuit care este comun surselor tranzistoarelor de intrare nu avem
variat ie de semnal, deoarece acest nod este masa virtuala.
f). Daca njumatat im rezistent a de sarcina si dublam curentul de polarizare a etajului
diferent ial, castigul va ramane constant, iar banda se va dubla.
g). Deoarece tensiunea minima care poate aplicata n grila M
3
este V
biasn
MIN
=V
GS3
+V
od3
=0,65V, rezulta ca 0, 6V nu este de ajuns ca tranzistorul sa ramana n
regimul de saturat ie. Drept urmare, M
3
nu va funct iona corect ca sursa de curent,
deoarece este n regim liniar.
h). Semnalul de la iesirea circuitului are urmatoarea forma:
v
out
= |A
0
| v
in
= |A
0
| 0, 5sin(2 1kHz t) = 5sin(2 1kHz t) (56)

In condit iiele n care amplitudinea semnalului de iesire depaseste tensiunea de alimen-

tare, cum este cazul de fat a, semnalul de iesire va limitat la 3V. Am t inut cont si de
faptul c a ne situam n banda de frecvent e cu f = 1kHz.
22
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
i). Semnalul la iesire se scrie:
v
out
= |A
0
| v
in
= |A
0
| 0, 01sin(125, 66MHz t) = 0, 1sin(2 20MHz t) (57)
Frecvent a semnalului este f = 20MHz egala cu produsul amplicare-banda. Prin
urmare, castigul circuitului e unitar, iar semnalul de iesire va avea amplitudinea egala
cu cea a semnalului de intrare, adica V
out
= V
in
=100mV.
j). Schema echivalenta de semnal mic este prezentata n Figura 18
C
L
V
in

R
out
G
m
V
in
C
GD1
C
GD2
V
out
Figura 18
8). Sa se proiecteze un amplicator diferent ial cu sarcina oglinda de curent si iesire
asimetrica, avand tranzistoare bipolare la intrare. Produsul amplicare-banda este
GBW=80MHz, capacitatea de sarcina C
L
= 2pF, capacitatea C
BC1
= 40fF, capaci-
tatea totala n nodul comun grilelor oglinzii de curent este C
X
= 100fF si V
EA
= 50V .
Lungimea canalului tranzistoarelor este L=0,5m.

In Tabelul 2 sunt dat i parametrii
de referint a ai tranzistoarelor.
a). Dimensionat i tranzistoarele si gasit i tensiunea de polarizare V
biasn
.
b). Trasat i diagramele Bode.
c). Cum se schimba GBW daca tranzistoarele bipolare se nlocuiesc cu tranzistoare
MOS, avand V
od
=200mV.
Rezolvare:
a). Produsul amplicare-banda este de forma:
GBW =
G
m
2C
L
=
g
m1
2C
L
g
m1
= 2mS (58)
Totodata, transconductant a de semnal mic a unui tranzistor bipolar are expresia:
23
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
C
L
V
biasn
I
p
Q
1
Q
2
M
3
V
DD
X
I
m
M
4
M
5
V
out
I
Figura 19
g
m1
=
I/2
V
T
I = 100A (59)
Pentru tranzistoarele M
3
-M
4
din oglinda de curent si pentru M
5
care implementeaza
sursa de curent, alegem V
od
= 200mV .
Se fac scalari pentru aarea geometriei tranzistoarelor MOS. Pentru cele cu canal p,
M
3
si M
4
, avem:
50
50
=
20L
3
W
3

225m
200m

W
3
L
3
=
W
4
L
4
=
12, 6
0, 5
(60)
Tranzistorul cu canal n se dimensioneaza astfel:
100
50
=
10L
5
W
5

175m
200m

W
5
L
5
=
7, 5
0, 5
(61)
Tensiunea din grila lui M
5
se calculeaza ca la problema anterioara: V
biasn
= 0, 65V .
b). Circuitul are patru singularitat i: polul dominant introdus de nodul de iesire, un
pol si un zero de nalta frecvent a datorate nodului oglinzii de curent si un zero pozitiv
dat de calea directa de semnal dintre intrare si iesire prin capacitatea baza-colector
a tranzistoarelor de intrare. Frecvent ele singularitat ilor si produsul amplicare-banda
sunt:
24
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e

f
p1
=
1
2R
out
C
L
= 140kHz , R
out
= r
CE2
|| r
DS4
=
V
EA
I/2
||
1
(I/2)
= 285k
f
p2
=
g
m3
2C
X
= 800MHz , g
m3
=
I/2
V
od3
= 500S
f
lhz
=
2g
m3
2C
X
= 1, 6GHz
f
zp
=
g
m1
2C
BC1
= 8GHz
GBW = 80MHz
(62)
Diagramele Bode sunt trasate n Figura 20.
1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
-200d
-160d
-140d
-120d
-100d
-80d
-60d
-40d
-20d
0d
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
-180d
f
p1
=140kHz
f
p2
=800MHz
f
zn
=1.6GHz
f
zp
=8GHz
GBW=80MHz
A
0
=55dB
Figura 20
c). Daca nlocuim tranzistoarele bipolare de intrare cu tranzistoare MOS si pastram
acelasi valoare a curentului, se va modica valoarea lui g
m1
conform urmatoarei relat ii:
25
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
g
m1
=
2(I/2)
V
od1
= 500S g
mMOS
=
1
4
g
mTB
(63)
Rezulta ca |A
0
| la circuitul implementat doar cu tranzistoare MOS, va scadea de 4 ori
fat a de varianta BiCMOS.
9). Sa se proiecteze un amplicator diferent ial cu sarcina surse de curent si iesire sime-
trica ca n Figura 21 a). Produsul amplicare-banda este GBW = 80MHz, castigul
de joasa frecvent a |A
0
| = 32dB(40
abs
), capacitatea de sarcina C
L
= 2pF, capacita-
tea C
GD1
= 50fF si tensiunea de overdrive pentru toate tranzistoarele din schema
V
od
= 200mV . Lungimea canalului tranzistoarelor este L=0,5m.

In Tabelul 2 sunt
dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor.
a). Dimensionat i tranzistoarele si gasit i tensiunile de polarizare V
biasp
si V
biasn
.
b). Determinat i domeniul de variat ie al tensiunii de iesire, daca semnalului de iesire
are 1, 2V varf la varf.
c). Desenat i diagramele Bode.
d). Presupunand valoarea tensiunii continue la iesire egala cu valoarea tensiunii con-
tinue la intrare, gasit i valoarea acestora.
C
L
V
biasn
I
p
M
1
M
2
M
3
V
DD
I
m
M
4
M
5
V
biasp
O
p
O
m
I
V
biasn
I
p
M
1
M
2
M
3
V
DD
I
m
M
4
M
5
V
biasp
O
p
O
m
1,3V
0,65V
1,05V
V
MC
=1,7V
a) b)
Figura 21
Rezolvare:
a). Produsul amplicare-banda este de forma:
26
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
GBW =
G
m
2C
L
=
g
m1
2C
L
g
m1
= 1mS (64)
Totodata, transconductant a de semnal mic a unui tranzistor MOS are expresia:
g
m1
=
2(I/2)
V
od1
I
1
= I
2
= I
3
= I
4
=
I
5
2
= 100A (65)

In urma scalarilor obt inem raportul W/L a tranzistoarelor:

W
1
L
1
=
W
2
L
2
=
7, 5
0, 5
,
W
3
L
3
=
W
4
L
4
=
25, 3
0, 5
,
W
5
L
5
=
15, 1
0, 5
(66)
Tensiunile de poalrizare V
biasn
si V
biasp
se determina astfel:
V
biasn
= V
GS5
= 0, 65V
V
DD
V
biasp
= V
SG3
V
biasp
= 2, 35V (67)
b). Domeniul de variat ie a tensiunii de iesire este:

V
MIN
out
= V
od1
+V
od5
+V
semn
= 0, 2 + 0, 2 + 0, 6 = 1V
V
MAX
out
= V
DD
V
od3
V
semn
= 3 0, 2 0, 6 = 2, 2V
(68)
c). Circuitul are un pol introdus de nodul de iesire si un zero pozitiv datorat caii
directe de semnal dintre intrare si iesire prin capacitatea grila-drena a tranzistoarelor
de intrare. Frecvent ele singularitat ilor sunt:

f
p
=
GBW
|A
0
|
= 2MHz
f
zp
=
g
m1
2C
GD1
= 3, 2GHz
GBW = 80MHZ
(69)
Diagramele Bode sunt trasate n Figura 22.
27
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
-180d
-150d
-120d
-90d
-60d
-30d
0d
-40
-20
-10
0
10
20
30
40
-30
f
p1
=2MHz
f
zp
=3.2GHz
GBW=80MHz
A
0
=32dB
Figura 22
d). Pentru a aa valoarea tensiunii continue la iesire, t inem cont de relat iile:
tensiunile de continue la intrare si iesire sunt egale, V
in
= V
out
;
amplitudinea semnalului la iesire este V
semn
= 0, 6V ;
tensiunea drena-sursa este data de relat ia: V
DS
= V
od
+ V , cu V = 100mV ;
tensiunea grila-sursa se scrie: V
GS
= V
Th
+V
od
;
tensiunea de overdrive a tuturor tranzistoarelor din schema este V
od
= 200mV ;
tensiunea de prag atat pentru tranzistoarele PMOS, cat si pentru cele NMOS
este V
Thn
= |V
Thp
| = 450mV
Tensiunea continua la intrare are expresia:
V
in
= V
GS1
+V
DS5
= (V
Thn
+V
od
) + (V
od
+ V ) = 0, 95V (70)
Tensiunea continua maxima la iesire se scrie:
28
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
V
DD
V
MAX
out
= V
SD3
+V
semn
V
MAX
out
= V
DD
(V
od
+V ) V
semn
= 2, 1V (71)
Tensiunea continua minima la iesire este:
V
MIN
out
= V
DS1
+V
DS5
+V
semn
V
MIN
out
= 2(V
od
+ V ) +V
semn
= 1, 2V (72)
Tensiunea continua la iesire se alege aproximativ la mijlocul intervalului (1,2; 2,1).
O posibila valoare ar V
out
=1,7V. Atunci si valoarea tensiunii continue la intrare e
V
in
=1,7V.

In Figura 21 b) sunt marcate tensiunile drena-sursa pentru ecare tranzistor din

schema.
Acum putem calcula tensiunile drena-sursa a tuturor tranzistoarelor din schema si vom
verica daca tranzistoarele sunt saturate.

V
SD3,4
= V
DD
V
out
= 3 1, 7 = 1, 3V , V
SD3
> V
od
V
DS5
= V
in
V
GS1
= 1, 7 (0, 45 + 0, 2) = 1, 05V , V
DS5
> V
od
V
DS1,2
= V
DD
V
SD3
V
DS5
= 3 1, 3 1, 05 = 0, 65 , V
DS1
> V
od
(73)
10). Sa se proiecteze un amplicator diferent ial cu sarcina surse de curent cascoda
ca n Figura 23 a). Intrarea se face pe tranzistoare PMOS, iar iesirea este simetrica.
Produsul amplicare-banda este GBW = 80MHz, castigul de joasa frecvent a |A
0
| =
32dB(40
abs
), capacitatea de sarcina C
L
= 2pF, capacitatea C
GD1
= 50fF si tensiunea
de overdrive pentru toate tranzistoarele din schema V
od
= 200mV . Lungimea canalului
tranzistoarelor de intrare si a celor cascoda este L=0,5m, iar restul au L=1m.

In
Tabelul 2 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor.
a). Dimensionat i tranzistoarele si gasit i tensiunile de polarizare V
biasn
, V
casn
si V
biasp
.
b). Determinat i domeniul de variat ie al tensiunii de iesire, daca semnalului de iesire
are 0, 8V varf la varf.
c). Desenat i diagramele Bode.
d). Daca valoarea tensiunii continue la iesire este egala cu valoarea tensiunii continue
de intrare, V
out
= V
in
, gasit iti o posibila valoare pentru acestea. Se t ine seama ca
V
DS
= V
od
+ V , unde V = 100mV .
29
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
C
L
V
biasn
I
p
M
1
M
2
M
3
V
DD
I
m
M
4
M
5
V
biasp
O
p
O
m
V
casn
M
6
M
7
I
V
biasn
I
p
M
1
M
2
M
3
V
DD
I
m
M
4
M
5
V
biasp
O
p
O
m
V
casn
M
6
M
7
V
CM
=1,5V
0,85V
0,65V
1V
0,5V
a) b)
Figura 23
Rezolvare:
a). Deoarece specicat iile sunt aceleasi ca la problema 9), va rezulta aceeasi valoare
a curentului prin ramurile etajului diferent ial I
1
= I
2
= I
3
= I
4
= I
5
= I
6
= I
7
/2 =
100A, ca la problema precedenta. Mai stim ca tensiunea de overdrive este V
od
=
200mV pentru toate tranzistoarele din schema. Pentru dimensionarea tranzistoarelor
se fac scalari. Astfel, rezulta:
W
1
L
1
=
W
2
L
2
=
25, 3
0, 5
,
W
7
L
7
= 4
25, 3
1
W
3
L
3
=
W
4
L
4
=
7, 5
0, 5
,
W
5
L
5
=
W
6
L
6
=
15, 1
1
(74)
Tensiunile de polarizare din grilele tranzistoarelor se calculeaza dupa cum urmeaza:
V
biasn
= V
GS5
= 0, 65V
V
casn
= V
GS3
+V
DS5
= 1, 15V
V
DD
V
biasp
= V
SG7
V
biasp
= 2, 35V (75)
30
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Observat ie: valoarea tensiunii V
DS5
se calculeaza la punctul d).
b). Domeniul de variat ie a tensiunii de iesire este:

V
MIN
out
= V
od3
+V
od5
+V
semn
= 0, 2 + 0, 2 + 0, 4 = 0, 8V
V
MAX
out
= V
DD
V
od7
V
od1
V
semn
= 3 0, 2 0, 2 0, 4 = 2, 2V
(76)
1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
-180d
-150d
-120d
-90d
-60d
-30d
0d
-40
-20
-10
0
10
20
30
40
-30
f
p1
=2MHz
f
zp
=3.2GHz
GBW=80MHz
A
0
=32dB
Figura 24
c). Circuitul are un pol introdus de nodul de iesire si un zero pozitiv datorat caii
directe de semnal dintre intrare si iesire prin capacitatea grila-drena a tranzistoarelor
de intrare. Frecvent ele singularitat ilor sunt:

f
p1
=
GBW
|A
0
|
= 2MHz
f
zp
=
g
m1
2C
GD1
= 3, 2GHz
GBW = 80MHZ
(77)
31
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Diagramele Bode sunt trasate n Figura 24.
d). Tensiunea continua la intrare are expresia:
V
DD
V
in
= V
SD7
+V
SG1
V
in
= 3 (0, 2 + 0, 1) (0, 45 + 0, 2) = 2, 05V (78)
Tensiunea continua maxima la iesire se scrie:
V
DD
V
MAX
out
= V
SD7
+V
SD1
+V
semn
V
MIN
out
= 32(0, 2+0, 1) 0, 4 = 2V (79)
Tensiunea continua minima la iesire este:
V
MIN
out
= V
DS3
+V
DS5
+V
semn
V
MIN
out
= 2(0, 2 + 0, 1) + 0, 4 = 1V (80)
Tensiunea continua la iesire se alege aproximativ la mijlocul intervalului (1V, 2V ). O
posibila valoare ar V
out
=1, 5V . Atunci si valoarea tensiunii continue la intrare este
V
in
= 1, 5V .

In Figura 23 b) sunt marcate tensiunile drena-sursa pentru ecare tranzistor din

schema.
Acum putem calcula tensiunile drena-sursa a tuturor tranzistoarelor din schema:

V
SD7
= V
DD
V
SG1
V
in
= 3 (0, 45 + 0, 2) 1, 5 = 0, 85V
V
DS3
+V
DS5
= V
out
= 1, 5V aleg V
DS3
= 1V , V
DS5
= 0, 5V
V
SD1
= V
DD
V
SD7
V
DS3
V
DS5
= 0, 65V
(81)
32