Sunteți pe pagina 1din 69

LABORATOR

ELECTRONIC ANALOGIC

[v. 2012 2013]





Lucrarea 1 Introducere 1
Lucrarea 2 Dioda semiconductoare 9
Lucrarea 3 Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar 19
Lucrarea 4 Conexiunile fundamentale ale tranzistorului bipolar 33
Lucrarea 5 Amplificatorul diferenial 41
Lucrarea 6 Circuite elementare cu amplificatoare operaionale 51
Lucrarea 7 Filtre active cu amplificatoare operaionale 61



P agi na | 1



Introducere [v. 2012 2013]
LUCRAREA NR. 1

INTRODUCERE



Scopul lucrrii: recapitularea unor noiuni de baz ale electrotehnicii Legea lui Ohm, Legea lui
Kirchoff, alte noiuni elementare ; nsuirea modului de lucru cu aparatura de laborator surs de
curent, generator de semnal, osciloscop, voltmetru, ampermetru.

1. Noiuni teoretice

Tensiunea electric ntre dou puncte ale unui circuit electric este definit ca diferena de
potenial ntre cele dou puncte i este proporional cu energia necesar deplasrii de la un punct la
cellalt a unei sarcini electrice.
Unitatea de msur a tensiunii electrice n SI este voltul (V). Observaie important: tensiunea
electric este o mrime fizic relativ. Cu alte cuvinte, o tensiune se poate msura numai fa de un
punct de referin. n general, n electronic, tensiunile sunt date folosind ca punct de referin masa
circuitului, creia i se atribuie formal potenialul cu valoare nul.

Rezistena electric este o mrime fizic prin care se exprim proprietatea unui conductor
electric de a se opune trecerii prin el a curentului electric. Unitatea de msur a rezistenei electrice n SI
este ohm-ul, notat cu .

Intensitatea curentului electric, numit i intensitate electric sau simplu curentul este o
mrime fizic scalar ce caracterizeaz curentul electric i msoar sarcina electric ce traverseaz
seciunea unui conductor n unitatea de timp.
Unitatea de msur n SI este amperul (A). Amperul este o mrime fizic fundamental.

Legea lui Ohm








ntr-un circuit, intensitatea (I) curentului electric este direct proporional cu tensiunea (U)
aplicat i invers proporional cu rezistena (R) din circuit. Formula matematic a legii lui Ohm este:

=

(1.1)

unde:
I este intensitatea curentului, msurat n amperi (A);
U este tensiunea aplicat, msurat n voli (V);
R este rezistena circuitului, msurat n ohmi ().
Fig. 1.1. Legea lui Ohm
2 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic

Legile lui Kirchoff

Kirchoff I

n fiecare nod al unui circuit electric, suma intensitilor curenilor care intr n acel nod
(considerate pozitive pentru curenii care intr n nod i negative pentru curenii care ies din nod) este
zero.

=1
= 0 (1.2)

sau - suma algebric a intensitilor curenilor dintr-un nod este 0.


Fig. 1.2. Legea nti a lui Kirchoff

(1.3)

Kirchoff II

Suma orientat a diferenelor de potenial electric ntr-un circuit nchis este 0.

=1
= 0 (1.4)

sau - suma algebric a cderilor de tensiune (n cazul particular a unei rezisten e, cderea de
tensiune este dat de legea lui Ohm) ntr-o bucl nchis este egal cu tensiunea electromotoare total
disponibil n acea bucl.







Fig. 1.3. Legea a doua a lui Kirchoff
V
1
+ V
4
-V
2
- V
3
= 0

(1.5)


Divizorul de tensiune

Divizorul de tensiune rezistiv se obine prin aplicarea unei tensiuni E pe o grupare de rezistene
nseriate i astfel se poate culege o fraciune din tensiunea aplicat de pe una dintre rezistenele
gruprii, figura 1.4a:

2
= E
R
2
R
1
+ R
2
(1.6)

I
1

I
2

I
4

I
3

P agi na | 3



Introducere [v. 2012 2013]

1
= E
R
1
R
1
+ R
2
(1.7)

R
1
R
2
E
U
2
=U
0
i
R
r
E
i
U
R
a)
b)

Fig. 1.4. Divizorul de tensiune

Tensiunea pe o rezisten de sarcin R, alimentat la o surs de tensiune real (E,r) poate fi
exprimat i cu formula divizorului de tensiune, figura 1.4b:

= E
R
+ R
(1.8)

Puterea electric dezvoltat pe rezistena de sarcin este:

=
2
=

(+)
2
(1.9)
Pentru o anumit surs real de tensiune caracterizat prin tensiunea E i rezistena intern r,
prin conectarea a diferite rezistene de sarcin se obin diferite puteri dezvoltate n respectivele
rezistene. Exist o anumit valoare a rezistenei de sarcin R pentru care puterea disipat pe ea este
maxim, obinut prin rezolvarea ecuaiei:

= 0 (1.10)

Se obtine solutia R = r, valoare pentru care puterea P
R
dezvoltat n aceasta rezisten, este
maxim:

=

2
4
(1.11)

Transferul maxim de putere de la surs la sarcin corespunde adaptrii sarcinii la surs, R=r fiind
condiia de adaptare.
La funcionarea n sarcin a divizorului de tensiune, tensiunea obinut la ieire este mai mic
dect cea obinut cnd divizorul funcioneaz n gol, fiind determinat de valoarea rezistenei de
sarcin, figura 1.5a.
4 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
a)
b)
R
1
R
2
E
i
i
s
R
S
R
S
E
U
R
0
i
s

Fig. 1.5. Divizorul de tensiune cu sarcin

Divizorul de tensiune la care se conecteaz rezistena de sarcin poate fi echivalat cu un
generator ideal de tensiune cu tensiunea:

0
=

2

1
+
2
(1.12)

(corespunztoare tensiunii de ieire a divizorului cnd acesta se afl n gol), nseriat cu o rezisten de
valoare:

=

1

1
+
2
(1.13)

(echivalent cu rezistenele divizorului conectate n paralel), figura 1.5b.

Din schema echivalent a divizorului de tensiune n sarcin se disting urmtoarele cazuri:
R
s
= 0 divizorul este n scurt-circuit cnd U = 0;
R
s
divizorul de tensiune este n gol cnd U = U
0
;
R
s
0 divizorul funcioneaz n sarcin cnd 0 < U < U
0
.

2.Utilizarea aparaturii de laborator

Voltmetru

http://www.allaboutcircuits.com/vol_6/chpt_2/1.html

Se conecteaz n paralel cu elementul de circuit pentru care se dorete msurarea tensiunii.

Ampermetru

http://www.allaboutcircuits.com/vol_6/chpt_2/4.html

Se conecteaz n serie cu elementul de circuit pentru care se dorete msurarea intensitii
curentului.
ATENIE! A nu se conecta n paralel cu o surs de tensiune pentru a evita producerea unui scurt-
circuit.


P agi na | 5



Introducere [v. 2012 2013]
Generator de semnal

Generatoarele de semnal sunt aparate electronice care, n laboratoarele de msurri
electronice, sunt utilizate ca surse de tensiune variabil n timp, cu o anumit form de und
(sinusoidal, dreptunghiular, etc) , cu nivel si frecven reglabile.
Ele se folosesc la verificarea, reglarea, depanarea i msurarea diferitelor aparate i instalaii. n
esen, generatoarele de semnal conin circuite electronice care transform energia furnizat de sursa
de curent continuu n energie de curent alternativ furnizat la ieirea aparatului, ntr-un singur punct (la
borne), cu semnal reglabil ntr-un anumit domeniu de frecvene.

Osciloscop

Osciloscopul analogic clasic este realizat utiliznd un tub catodic n care un fascicul de electroni
este accelerat spre un ecran fosforescent i produce pe acesta un punct luminos. Poziia x-y a punctului
luminos pe ecran este comandat prin circuite i dispozitive specializate. Astfel, ecranul osciloscopului
devine un grafic al variaiei n timp a unei tensiuni electrice sau afieaz dou tensiuni electrice una n
funcie de cealalt.
Osciloscoapele moderne sunt adesea digitale i prezint graficele fie pe un monitor ncorporat,
fie pe monitorul unui calculator. Aceste osciloscoape convertesc semnalele electrice ntr-o reprezentare
digital i au un numr suplimentar de funcii, printre care: memorarea datelor, analiza matematic a
semnalelor, tiprirea lor la o imprimant i salvarea lor n format digital ca fiier pe un disc magnetic sau
memorie flash.
Printre parametrii cei mai importani ai semnalelor electrice care se pot msura sunt urmtorii:
perioada sau frecvena semnalelor;
timpul de cretere sau descretere (cdere) al unui impuls de la un nivel dat la altul;
ntrzierea relativ a dou semnale;
durata unui impuls;
factorul de umplere al unui semnal dreptunghiular.

6 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic

DESFURAREA LUCRRII

A1
5
6
R1
1 1 1 C1
P1 P2 P3
C2 C3
7
1
L1 L2 L3
L
RGB
RC 3
RC 2
RC 1
D1
D2
D3
R2
R3

Fig. 1.6. Montajul de laborator
1. Se conecteaz (+)-ul sursei de tensiune setat la 10 V la borna A1 i (-)-ul sursei de tenisune la borna 1
(borna de mas a circuitului), apoi se utilizeaz firele de conexiune pentru a conecta bornele C1 cu L1,
C2 cu L2 i C3 cu L3. Se variaz curentul de la bornele C1, C2, C3 cu ajutorul poteniometrelor,
observndu-se astfel variaia intensitii luminii i schimbarea culorii LED-ului.
Se cupleaz un miliampermetru ntre C1 i L1 i un voltmetru ntre A1 i P1;
Curentul din L1 se variaz la: 1mA, 2mA, 5mA, 10mA, 15mA. Pentru fiecare valoare se msoar
tensiunea dintre A1 i P1. Tensiunea se ma msura folosind un voltmetru analogic.
Se repet pentru C2 L2 cu A1-P2.
(ATENIE! se pornete ampermetrul fixat pe intensitate maxim pentru a evita posibila ardere a
echipamentului n cazul conectrii inverse.
Dac indicatorul ampermetrului depete scala maxim se nchide imediat aparatul! Pe de alt
parte, dac indicatorul pare insensibil, se descrete treptat scala de msur.)
(Atenie! LED-ul este de putere mic, dar nu se recomand apropierea excesiv i pentru timp
ndelungat a ochilor.))
Rezultatele se vor trece ntr-un tabel de forma:

1mA 2mA 5mA 10mA 15mA
U
A1P1

U
A1P2




P agi na | 7



Introducere [v. 2012 2013]

2. Se conecteaz sursa de tensiune la borna R1 (8V) cu masa la R3. Se msoar tensiunea ntre R2 i R3 i
ntre R1 i R2 i se calculeaz intensitile prin fiecare rezisten folosind legea lui Ohm (valorile
rezistenelor se calculeaz pe baza codului culorilor). Se verific prima lege a lui Kirchoff n punctul R2.

3. Se conecteaz sursa de tensiune la borna 5 + i la borna 7 -. Se va folosi osciloscopul digital setat
pe VDC pentru a vizualiza tensiunea rezultat prin divizorul de tensiune. Observai variaia tensiunii la
borna 6 variind poteniometrul i apoi tensiunea de intrare de la 8 V la 12 V. Se explic ce se ntmpl.

4. Se conecteaz sursa de tensiune la borna D1 + i la 1 -, la o tensiune de 12V. Cu ajutorul unui
voltmetru digital / a osciloscopului digital se va msura potenialul la bornele D2 i D3 fa de borna 1.
Ce se observ? (vezi Divizorul de tensiune (1)).

5. Se conecteaz generatorul de semnal cu + la borna RC1 i cu - la RC3. Frecvena se modific ntre
50Hz i 50kHz, iar tensiunea se poate varia n jurul a 5V.

Semnalul de ieire se msoar la borna RC2 fa de RC1.

Setai osciloscopul pe AUTO.

Setai manual osciloscopul astfel nct forma de und de intrare i forma de und de ieire s
poat fi vizualizate independent (fr a se suprapune).

Modificai amplitudinea tensiunii. Mutai ,,+-ul generatorului de semnal la RC3 i masa (,, --ul)
la RC1. Ce observai?
Obs.: Se utilizeaz opiunea VAC a osciloscopului.

Referatul va conine:

- schemele de principiu pentru efectuarea msurtorilor;
- tabelele cu rezultatele msurtorilor;
- graficele i determinrile fcute pe baza acestora;
- comparaie ntre valorile obinute teoretic, pe baza formulelor din lucrare, i valorile msurate


Link-uri utile:

http://www.ese.upenn.edu/rca/calcjs.html
http://www.dummies.com/how-to/content/measuring-stuff-with-a-multimeter.html
http://www.dummies.com/how-to/content/electronics-for-dummies-cheat-sheet0.html


8 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
Codul culorilor pentru rezistene:

n general, rezistenele nu sunt marcate cu o valoare inscripionat numeric, ntru-ct pe o rezistena de
dimensiuni reduse acesta nu ar fi lizibil. Astfel, se prefer folosirea unui cod al culorilor.


0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

Valoarea, n , a unei rezistene, este dat de formula:

=
1

2
10



n exemplul din figur, rezistena are o valoare de 22 * 10
1
= 220 .
Obs: multiplicator auriu semnific (-1) iar argintiu semnific (-2).

Pentru banda de toleran , auriu semnific o marj de toleran de 5%, iar
argintiu de 10%.
P agi na | 9



Dioda semiconductoare [v. 2012 2013]
LUCRAREA NR. 2

DIODA SEMICONDUCTOARE



Scopul lucrrii - Ridicarea caracteristicilor i determinarea principalilor parametri ai diodelor
semiconductoare i studiul comportrii diodei semiconductoare n circuite elementare.

1. Caracteristica static
) 1 (
0
=
kT
qu
D
D
e I i

(2.1)
Reprezint dependen a curent-tensiune, teoretic, a unei diode semiconductoare dedus prin
analiza fenomenelor fizice n jonciunea PN ideal ce au loc la aplicarea unei tensiuni din exterior.
Semnificaia mrimilor din formul este:
0
I
- curentul de saturaie al diodei;
u
D
- tensiunea de polarizare;
k - constanta lui Boltzman;
q - sarcina electronului;
T - temperatura n Kelvini;
- constant.


















Fig 2.1 Caracteristica static a diodei semiconductoare

Curentul de saturaie I
o
este dependent de parametrii fizici, tehnologici i geometrici ai jonciunii
PN:
A
N L
D
N L
D
qn I
A n
n
D p
p
i
) (
2
0
+ = (2.2)
A - suprafaa jonciunii;
i
n
- concentraia intrinsec de purttori;
u
D
(V)
I
0

0.6
10
0.4 0.2
15
5
i
D(mA)

10 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
p
D
, n
D
- constantele de difuzie;
p
L
, n
L
- lungimile de difuzie ale purttorilor de sarcin;
D
N
,
A
N
- concentraiile de impuriti.
Valorile uzuale ale curentului de saturaie sunt: 10100 nA pentru dioda din siliciu de mic
puterei de 1 100 A pentru dioda din germaniu.

La cureni direci de ordinul 110 mA (valori des ntlnite n practic) tensiunea direct pe diod
este de 0,2 0,3 V pentru diodele din germaniu respectiv 0,6 0,8 V pentru diodele din siliciu.

Constanta este un coeficient cuprins ntre 1 i 2 (pentru germaniu este mai apropiat de 1 iar
pentru siliciu mai aproape de 2).Ea rezult din considerarea efectului de recombinare din zona de
sarcin spaial la tensiuni de polarizare directe mici (efect cu importan mai mare la diodele din siliciu
la temperatura camerei).

La tensiuni directe mai mari, caracteristica static tinde s se liniarizeze datorit cderilor de
tensiune pe zonele neutre ale jonciunii PN, care nu mai pot fi neglijate.

2. Dependena de temperatur a caracteristicii statice a unei diode semiconductoare este foarte
puternic, nregistrndu-se o dublare a curentului de saturaie la fiecare 10
0
C pentru diode din
germaniu, respectiv la fiecare 6
0
C pentru diodele din siliciu. Aceast dependen poate fi pus n
eviden i prin coeficientul de variaie a tensiunii directe de pe diod cu temperatura, la curent
constant. Teoretic, aceast variaie este de circa 2 mV per grad Celsius, pentru ambele tipuri de
material utilizate curent pentru realizarea diodelor semiconductoare.

3. Determinarea mrimilor
0
I i
Se reprezint ecuaia diodei semiconductoare la scar semilogaritmic (ca n figura 2.2).
Pe abscis se reprezint tensiunea aplicat pentru conducie direct la scar liniar i pe
ordonat curentul prin diod la scar logaritmic.
Panta dreptei astfel obinute permite deducerea coeficientului . n relaia (2.1) se neglijeaz -I
0
i se logaritmeaz, dup care se face separarea de variabile pentru obinerea relaiei lui :
D
D
i
u
kT
q
lg 3 , 2
1

= (2.3)














Fig. 2.2 - Caracteristica static a diodei la polarizare direct, la scar semilogaritmic
lg i
D

u
D
(V)
1000
100
10
lg

u

I
0

0,2 0,4 0,6
P agi na | 11



Dioda semiconductoare [v. 2012 2013]
Prin prelungirea aceleiai drepte, la intersecia cu axa ordonatei se obine curentul de saturaie
0
I .

4. Punctul static de funcionare
n circuitele electronice, diodele semiconductoare pot ndeplini mai multe funcii (redresare,
detecie, limitare, etc.), n multe situaii fiind necesar stabilirea unui regim static de funcionare.
E
+
-
R
D
i
D
u
D


Fig. 2.3 Circuit pentru determinarea punctului static de funcionare al diodei



Fig. 2.4 Determinarea teoretic a punctului static de funcionare al diodei

Pentru circuitul elementar din figura 2.3 punctul static de funcionare se determin prin
rezolvarea grafoanalitic a sistemului de ecuaii format din ecuaia caracteristicii statice a diodei (2.1) i
ecuaia dreptei statice de funcionare :
D D
i R E u = (2.4)
Punctul static de funcionare M are coordonatele ) , (
D D
I U M , iar n acest punct de
funcionare dioda este caracterizat din punct de vedere al semnalelor lent variabile (ce pot fi aplicate n
serie cu tensiunea continu E ) printr-o rezisten dinamic, pentru care se deduce relaia :
D
d
qI
kT
r = (2.5)
Rezistena dinamic d
r
se determin experimental prin calculul pantei caracteristicii statice, n
punctul static de funcionare M conform relaiei:
12 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
M
D
D
d
i
u
r

= (2.6)
5. Polarizare invers
La polarizare invers, conform ecuaiei teoretice (2.1), curentul este constant i egal cu -
0
I , aa
cum se constat n figura 2.1, pentru partea de tensiuni negative. n realitate, la polarizare invers,
regiunea de sarcin spaial se mrete i apare un curent de generare, dependent de tensiunea
aplicat, cu valori relativ importante pentru diodele din siliciu (n figura 2.1 contribuia acestui curent la
caracteristica diodei a fost reprezentat punctat).
La tensiuni de polarizare invers mai mari, datorit fenomenului Zener i a fenomenului de
multiplicare n avalan (predominant de obicei), curentul invers crete, valoare lui fiind limitat numai
de circuitul exterior.

Observaie: Fenomenul Zener reprezint smulgerea de purttori din reea prin cmpul electric
impus. Fenomenul de multiplicare n avalan se suprapune peste fenomenul Zener i presupune
creterea semnificativ a numrului de purttori de sarcin. Acest lucru se ntmpl prin generarea de
purttori n semiconductor (dioda), accelerarea lor n cmpul electric impus i ciocnirea cu ali electroni.
Rezultatul este un transfer de energie, ce semnific creterea numrului total de astfel de purttori de
sarcin.

Tensiunile de strpungere, la care apare aceast cretere a curentului, sunt dependente de
natura materialului semiconductor, din care este realizat dispozitivul, precum i de concentraiile de
impuriti, fiind cu att mai mici cu ct concentraiile de impuriti sunt mai mari.

6. Dioda Zener (stabilizatoare de tensiune)
Diodele stabilizatoare de tensiune (impropriu dar frecvent denumite diode Zener) sunt
caracterizate printr-o tensiune de strpungere bine definit, ca urmare a efectului de multiplicare n
avalan ce determin o cretere foarte puternic a curentului invers n zona de strpungere. Tensiunea
de strpungere este controlat prin concentraia de impuriti. Funcionarea normal a diodei se face n
zona reprezentat n figura 2.5 (caracteristica static, att cea direct ct i cea invers). Aceasta
permite nelegerea noiunii de tensiune stabilizat,
Z
U , precum i determinarea rezistenei dinamice a
diodei,
Z
r
, conform relaiei:
. ct I
Z
Z
Z
Z
I
U
r
=

= (2.7)
P agi na | 13



Dioda semiconductoare [v. 2012 2013]

Fig. 2.5 Caracteristica static a diodei Zener
7. Dioda Schottky
Diodele Schottky se realizeaz prin jonciune metal-semiconductor de tip redresor. La contactul
metal-semiconductor se formeaz o barier de potenial i o regiune de sarcin spaial extins numai n
semiconductor. Astfel, dioda Schottky funcioneaz numai cu purttori majoritari, electroni n cazul
semiconductorului de tip N i goluri pentru P.
La echilibru termodinamic, curentul prin diod este nul.
La polarizare direct (u
D
> 0) bariera de potenial se micoreaz i apare un curent prin
jonciune, prin deplasarea electronilor din semiconductor n metal.
) 1 (
0
=
kT
qu
D
D
e I i

, cu 1 . (2.8)
La polarizare invers (u
D
< 0) bariera de potenial crete, iar fluxul de electroni de la
semiconductor spre metal scade foarte mult. Nu exist curent rezidual.
Proprieti:
- cdere de tensiune direct mai mic (0,4V Schottky) n comparaie cu o diod
semiconductoare de tip PN(0,75V diod de Siliciu);
- funcionare foarte bun la frecvene mari i timpi de comutaie foarte mici (mai mici de 100
ps).

8. Dioda electroluminiscent (LED Light Emitting Diode)
LED-urile sunt realizate din jonciuni GaAs, semiconductor avnd banda interzis de circa 1,6
1,7 eV. Ca urmare a recombinrilor directe, se emit cuante de lumin n spectrul vizibil, cu diferite culori,
n funcie de lungimea de und a luminii emise. Diferite lungimi de und se obin prin adugarea de
impuriti n procesul de dopare. Diodele electroluminiscente funcioneaz doar la polarizare direct, la
cureni de ordinul a 20 mA.

Culori i materiale RGB
Culoare Lungime de und (nm) Tensiune (V) Material
Rou (R) 610 < < 760 1,63 < V < 2,03
AlGaAs
GaAsP
AlGaInP
GaP
14 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
Se poate observa c tensiunea direct corespunztoare este mai mare dect cea a diodelor de
siliciu.





















Fig. 2.6 Curbe spectrale pentru LED albastru, galben-verzui i rou.

(en.wikipedia.org/wiki/Light-emitting-diode)
Verde (G) 500 < <570 1,9 < V < 4
InGaN / GaN
GaP
AlGaInP
AlGaP
Albastru (B) 450 < < 500 2,48 < V < 3,7
ZnSe
InGaN
SiC ca substrat
P agi na | 15



Dioda semiconductoare [v. 2012 2013]

DESFURAREA LUCRRII


Se identific montajul din figura 2.7, n care se folosete o schem electric ajuttoare ca surs de
curent reglabil cu ajutorul poteniometrului P.
Alimentat n curent continuu ntre bornele 3 (+18 V(tensiunea efectiv de alimentare a circuitului,
dup elementele de protecie, este de 12V)) i 1 (mas), circuitul furnizeaz la borna 4 un curent reglabil
ntre 0 i 40 mA.

3
5 6
7
8
1 4
8
2
10 9 11 12 13 14 15
D2 D
1
D
3
D
Z
L
R
L
G
L
B
R1
R2


Fig. 2.7 Montajul de laborator

Conectarea bornelor pentru sursa de curent:
+18V la borna 3, borna 1 la mas;

1. Se conecteaz diodele pe rnd la borna 4 (prin intermediul ampermetrului).
Borna 2 se conecteaz la borna 1.
Se traseaz caracteristicile statice la polarizarea direct pentru diodele:
1
D - 1N4148 (diod din siliciu, de vitez) (borna 9 este anodul);
2
D - EFR 135 (diod redresoare din germaniu) (borna 10 reprezint anodul);
3
D
- 1N5819 (diod Schottky) (borna 11 reprezint anodul);
4
D - BZX 85 C5V6 (diod stabilizatoare de tensiune) (anodul este borna 2).
R
L - LED rou (anodul la borna 13);
G
L - LED verde (anodul la borna 14);
B
L - LED albastru (anodul la borna 15).

Ridicarea caracteristicilor directe se face cu montajul din figura 2.8; curentul prin diod se
msoar cu un miliampermetru, pe o scar corespunztoare de cureni, iar tensiunea la bornele diodei
cu un voltmetru electronic (de preferin voltmetru numeric). Reglai curentul la valori pentru care se
poate face o reprezentare comod la scar logaritmic adic multiplii i submultiplii zecimali ai
16 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
numerelor 1, 2 i 5 (ai cror logaritmi zecimali sunt, aproximativ, 0, 0,3 respectiv 0,7). Mai exact, setul de
valori se va folosi setul de valori: 0,1mA, 0,2mA, 0,5mA, 1mA, 2mA, 5mA, 10mA, 20mA.
Pentru realizarea montajului, sursa de curent (borna 4) se conecteaz la (+)-ul
miliampermetrului, borna (-) a miliampermetrului la (+)-ul diodei Atenie! Dioda BZX 85 C5V6 (diod
stabilizatoare de tensiune) este montat cu (-) ul la borna 12! Montajul va fi diferit fa de montajul
folosit la celelalte diode.
D
VN I
+
-
-
i
+


Fig. 2.8. Montaj pentru ridicarea caracteristicilor directe

Rezultatele msurtorilor se vor trece ntr-un tabel de forma:

U
D
(V)
I(mA)
U
Si
(V) U
Ge
(V) U
Schottky
(V) U
Zener
(V) U
LR
(V) U
LG
(V) U
LB
(V)

2. La curentul I
9
= 5 mA se nclzete (cu mna) dioda 1N4148 i se constat, calitativ, modificarea
tensiunii directe pe diod.

3. Trasaicaracteristicile statice ale celor trei diode la scar semilogaritmic (ca n figura 2.2) i
determinai parametrii
0
I i (notai aceti parametrii n tabelul de mai jos).

lg I
D
U
Si
(V) U
Ge
(V) U
Schottky
(V) U
Zener
(V) U
LR
(V) U
LG
(V) U
LB
(V)

... ... ...


Siliciu Germaniu Schottky Zener LED R LED G LED A
I
0




4.1. Se vor trasa caracteristicile la scar liniar pe acelai grafic (numai n domeniul de cureni comun
diodelor).
Pentru 1N4148 se va trasa i dreapta static de funcionare (ecuaia (2.4), cu E= 5i R= 1 )
i se va determina punctul static de funcionare M (prin precizarea coordonatelor sale,
D
U i
D
I ). n
punctul static de funcionare astfel stabilit, se va determina, grafic, rezistena dinamic (cu relaia (2.6));
se va calcula i valoarea teoretic a rezistenei dinamice cu formula (2.5) n care
q
kT
= 26 mV, are
valoarea dedus la punctul anterior iar
D
I are valoarea din punctul de funcionare i se vor compara
rezultatele.

4.2. Se realizeaz circuitul din figura 2.9 pentru fiecare diod cu E = 5 V i R1 = 1k i se msoar
mrimile caracteristice punctului static de funcionare,
D
U (cu voltmetru numeric) i
D
I (cu un
P agi na | 17



Dioda semiconductoare [v. 2012 2013]
miliampermetru montat n serie cu dioda) i se compar cu rezultatele obinute prin metoda
grafoanalitic, la punctul precedent. (Atenie la conectarea diodei Zener!).


E
+
-
R1
D
i
D
u
D
-
i
+
VN
+
-


Fig. 2.9 Circuit pentru determinarea PSF

5.1. Cu montajul din figura 2.10 se msoar curentul invers prin dioda de Ge la tensiunile E = 0, -5 V,
-10 V, -20 V.

E
-
+
R2
D
+
i
-
VN
+
-


Fig. 2.10 Montaj pentru msurarea curentului invers


5.2. Se msoar caracteristica invers a diodei stabilizatoare de tensiune BZX 85 C5V6 cu montajul din
figura 2.11, pentru tensiuni (E) ntre 5V i 20V.


Fig. 2.11 Montaj pentru deteminarea caracteristicii diodei Zener

Se traseaz caracteristica invers a diodei stabilizatoare la scar liniar pe un grafic pe care se
traseaz, spre comparaie i caracteristica direct. n punctul static de funcionare caracterizat prin
Z
I
=
10 mA, se determin rezistena dinamic cu relaia (2.7), msurnd tensiunea pe diod la curenii:
Z
I
=
5 mA i
Z
I
= 15 mA.

Referatul va conine:

- schemele de principiu pentru ridicarea caracteristicilor directe i inverse ale diodelor (1p);
18 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
- tabelele cu rezultatele msurtorilor (2p);
- graficele i determinrile fcute pe baza acestora (3p);
- rezultatele teoretice (1p)
- simularea circuitului (schem i valori) (2p);
- compararea datelor experimentale cu cele teoretice (1p).

Exemple de datasheet-uri pentru diodele folosite:

http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/15021/PHILIPS/1N4148.html (D
1
)
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/2818/MOTOROLA/1N5819.html (D
3
)
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/good-ark/BZX85C6V8.pdf (D
4
)
http://www.led-lights.co.uk/datasheets/YZ-RV5N30N.pdf (LED rou)
http://www.led-lights.co.uk/datasheets/YM-GZ5S15Y.pdf (LED verde)
http://www.led-lights.co.uk/datasheets/YM-BV5S15Y.pdf (LED albastru)

Caracteristici principale pentru EFR 135 (D
2
):
I
DMax
= 5A
V
inv max
= 100 V
I
0
= 100 A
V
d
< 0,6 V



P agi na | 19



Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar [v. 2012 2013]
LUCRAREA nr. 3

CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTORULUI
BIPOLAR


Scopul lucrrii - Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar n conexiunile emitor-
comun (EC) i baz-comun (BC), determinarea unor parametri de curent continuu i de regim dinamic ai
tranzistorului bipolar.

1. Convenii de notare
n figura 3.1 este reprezentat simbolul unui tranzistor NPN cu precizarea sensului curenilor i
tensiunilor aa cum vor fi folosite n aceast lucrare. ntre aceste mrimi se pot scrie relaiile:

i
E
= i
C
+i
B
(3.1)


U
CE
= U
CB
+U
BE
(3.2)



Fig. 3.1. Tranzistor NPN func ionnd n RAN

2. Dependena curenilor de tensiuni
Comportarea tranzistorului bipolar n regim continuu este definit de relaiile ce descriu
dependena curenilor

de tensiunile aplicate la bornele celor dou jonciuni

.

n regiunea activ normal, jonciunea emitor-baz este polarizat direct i jonciunea colector-
baz este polarizat invers; relaiile de baz pentru curenii unui tranzistor NPN sunt:

(3.3)

=
0

+
0
(3.4)
n aceste relaii:
A este suprafaa jonciunii baz-emitor,

este constanta de difuzie a purttorilor minoritari din baz (electronii) a cror concentraie
este
n
p
;
20 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic

= 26 la temperatura camerei;
este grosimea efectiv a bazei dat de relaia

=
2(
0

(3.5)

n relaia (3.5):
- grosimea fizic a bazei;

0

- bariera de potenial a jonciunii colector-baz;


- concentraia de purttori majoritari din colector;


- concentraia de purttori majoritari din baz;


- permitivitatea electric a materialului din care este confecionat tranzistorul.
Se constat c, la creterea tensiunii de polarizare invers a jonc iunii baz -colector, grosimea
efectiv a bazei scade.
Parametrul
0
este factorul de curent al tranzistorului n conexiunea baz comun i are expresia
aproximativ :

0
= 1
1
2

2
1

(3.6)

unde semnificaia mrimilor este:

- lungimea de difuzie a electronilor (n baz);


- lungimea de difuzie a golurilor (n emitor) ;


- conductivitatea electric a bazei ;


- conductivitatea electric a emitorului.


Se remarc dependena lui
0
de tensiunea colector-baz prin intermediul lui .

3. Parametrii de cuadripol
Din punct de vedere practic, pentru determinarea regimului de funcionare n curent continuu,
este necesar cunoaterea urmtoarelor caracteristici:
caracteristica static de intrare;
caracteristica de transfer direct;
caracteristica de ieire.

n conexiunea baz comun, electrodul de referin este baza; n conexiunea emitor comun,
electrodul de referin va fi emitorul.

Din punct de vedere dinamic, la semnale mici, lent variabile, tranzistorul poate fi caracterizat
prin parametrii de cuadripol, definii prin ecuaiile:



Fig. 3.2. Tranzistorul analizat ca un cuadripol
P agi na | 21



Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar [v. 2012 2013]


(3.7)

i
U ,
o
U ,
i
I i
o
I sunt mrimile variabile sinusoidale, cu sensurile obinuite acceptate pentru
cuadripoli (figura 3.2). Parametrii h vor fi indexai sau , dup cum tranzistorul este utilizat n
conexiunea BC sau EC; de obicei se noteaz

.

4. Caracteristica de intrare pentru TBIP n conexiune BC
Caracteristica de intrare a tranzistorului n conexiunea BC, adic ) (
EB E E
u i i = , se deduce din
relaia (3.3), n care se nlocuiete
EB BE
u u = .

Reprezentarea grafic este dat n figura 3.3, unde s-a considerat ca parametru, tensiunea
CB
u .
Se constat caracterul exponenial al caracteristicii de intrare i influena mic a tensiunii de colector
asupra caracteristicii de intrare.

Exponentul poate fi afectat de coeficientul , ca la dioda semiconductoare, determinarea lui
experimental fcndu-se n acelai mod (vezi laborator 1).














Fig. 3.3 Caracteristica de intrare n conexiunea BC

5. Caracteristica de transfer pentru TBIP n conexiune BC
Caracteristica de transfer ) (
E C C
i i i = este descris de ecuaia (3.4) i este reprezentat grafic n
figura 3.4.











Fig. 3.4 Caracteristica de transfer n conexiune BC
i
E
u
BE
U
CB
=0V
U
CB
=5V
I
E
U
BE
M
I
E
i
C
i
E
I
C
I
CB0
22 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
Factorul de curent
0
, care d panta acestei drepte, variaz foarte puin cu tensiunea

(prin
intermediul lui ) i datorit curentulului de colector (scdere att la cureni mici ct i la cureni mari,
dependen care nu rezult din teoria elementar a tranzistorului).

Factorul de curent al tranzistorului n conexiunea baz comun,
0
, se determin cu relaia

0
=

0
1+
0
(3.8)
Precizia acestei relaii este puternic afectat de imprecizia msurrilor curenilor

, de
valori foarte apropiate.

0 CB
I este curentul jonciunii colector-baz polarizate invers cu emitorul n gol (neconectat), de
valoare foarte mic pentru tranzistoarele realizate din siliciu i dependent de tensiunea
CB
u .

6. Caracteristica de ieire pentru TBIP n conexiunea BC
Caracteristicile de ieire ) (
CB C C
u i i = , sunt determinate de relaiile (3.4) i (3.6) i sunt
reprezentate grafic n figura 3.5.















Fig. 3.5 Caracteristica de ieire n conexiune BC

Se constat dependena foarte mic a curentului de colector de tensiunea
CB
u n regiunea activ
normal, caracteristicile fiind practic orizontale i echidistante. Acest fapt confer tranzistorului n
conexiunea BC caracterul de generator de curent. Caracteristicile de ieire sunt trasate pentru trepte
constante ale curentului de emitor.

Pentru tensiuni
CB
u < 0, curentul de colector scade datorit polarizrii in conducie direct i a
jonciunii colector-baz, ceea ce duce la funcionarea tranzistorului n regiunea de satura ie.

7. Punctul static de funcionare al TBIP n conexiune BC
n circuitul elementar din figura 3.6, punctul static de funcionare se determin prin rezolvarea
grafo-analitic a sistemului de ecuaii:
i
C
u
CB
M

U
CB
E
C
I
C
E
C
R
C
i
E
P agi na | 23



Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar [v. 2012 2013]

+ =
=
=
CB C C C
CB E C C
C EB E E
u i R E
u i i i
u u i i
) , (
) , (
(3.9)
unde valoarea curentului de emitor este fixat de circuitul de intrare (n lucrare, de ctre generatorul de
curent).


Fig. 3.6 Circuit pentru determinarea PSF a TBIP n conexiunea BC

n figura 3.5, n planul caracteristicilor statice, se traseaz dreapta de sarcin i, pentru
E E
I i = ,
se obine punctul static de funcionare M cu coordonatele ) , , (
CB C E
U I I M ; pe caracteristica de
intrare, punctul static de funcionare este ) , (
EB E
U I M .

n punctul static de funcionare, se pot determina parametrii pentru caracterizarea funcionrii
tranzistorului la semnale variabile mici, conform relaiilor:
M
E
BE
ib
i
u
h

= ,
M
E
C
fb
i
i
h

= ,
M
CB
C
ob
u
i
h

= (3.10)
Parametrii
ib
h i
fb
h sunt dai i de relaiile teoretice ( deduse din ecuaiile (3.3) i (3.4) ) sub
forma
C E
ib
I q
kT
I q
kT
h

(3.11)

0

fb
h (3.12)
Parametrul
rb
h nu poate fi determinat printr-o aceeai metod deoarece variaiile foarte mici
ale tensiunii
EB
u (la variaii mari ale tensiunii
CB
u ) sunt afectate de fenomene secundare, cum ar fi
modificarea regimului termic al tranzistorului la variaia tensiunii de colector.

8. Caracteristica de intrare pentru TBIP n conexiune EC
Caracteristica de intrare pentru tranzistorul n conexiunea EC, dat de funcia ) (
BE B B
u i i = are
ca parametru tensiunea
CE
u , care intervine, n principal, prin parametrul w. Ecuaia acestei
caracteristici se obine din relaiile (3.1), (3.3) i (3.4) sub forma:

0 0
) 1 (
CB
kT
u q
p n
B
I e
w
n D q A
i
BE


=

(3.13)
i este reprezentat grafic n figura 3.7.
24 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic











Fig. 3.7 Caracteristica de intrare la conexiunea EC

Se constat forma exponenial a caracteristicii, cu o influen redus a tensiunii
CE
u (prin
intermediul variaiei grosimii efective a bazei, w) i anularea curentului de baz pentru o valoare diferit
de zero a tensiunii
BE
u (pentru u
BE
= 0, curentul este negativ).

9. Caracteristica de transfer pentru TBIP n conexiune EC
Caracteristica de transfer este dat de relaia (3.14):

0 0 CE B C
I i i + = (3.14)
unde
0
este factorul de curent n conexiune EC a crui expresie dedus din relaiile (3.1) i (3.4) este:

0
0
0
1

= (3.15)
-
0 CE
I este curentul de colector msurat cu baza n gol i determinat prin relaia:
0 0 0
) 1 (
CB CE
I I + = (3.16)
Factorul de curent al tranzistorului n conexiunea EC depinde de tensiunea colector-emitor (prin
intermediul grosimii efective a bazei, w) i de curentul de colector (aceast dependen este mai
puternic dect a factorului de curent
0
) ca n figura 3.8.

Fig. 3.8 Factorul de curent al TBIP n conexiune EC

Factorul de curent
0
se determin din relaia (3.14) sub forma:
M
i
B
u
BE
U
CE
=5V U
CE
=1V
I
B
U
BE
P agi na | 25



Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar [v. 2012 2013]

B
CE C
i
I i
0
0

= (3.17)

10. Caracteristicile de ieire pentru TBIP n conexiune EC
Caracteristicile de ieire (figura 3.9) dau dependena curentului de colector de tensiunea
CE
u
avnd ca parametru curentul de baz,
B
i , i sunt descrise de relaia (3.14); dependena mai puternic a
factorului de curent al tranzistorului,
0
, de
CE
u , determin o nclinare mai puternic a caracteristicilor
fa de orizontal.
n zona tensiunilor
CE
u mici, ecuaia (3.14) nu mai este valabil, tranzistorul funcionnd n
regiunea de saturaie.













Fig. 3.9. Caracteristicile de ieire la conexiunea EC

11. Punctul static de funcionare al TBIP n conexiune EC
Pentru circuitul elementar din figura 3.9b, punctul static de funcionare se determin prin
metoda grafo-analitic de rezolvare a sistemului format din ecuaiile:

+ =
=
=
CE C C C
CE B C C
CE BE B B
u i R E
u i i i
u u i i
) , (
) , (
(3.18),
curentul
B
i fiind determinat de circuitul de intrare (n cazul lucrrii, prin generator de curent constant).



Fig. 3.9b - Circuit pentru determinarea PSF a TBIP n conexiunea EC
i
C
u
CE
M

U
CE
E
C
I
C
E
C
R
C
i
E
26 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
n punctul static de funcionare, M , caracterizat prin parametrii ) , , , (
CE BE B C
U U I I M , se pot
definii parametrii h pentru semnal mic, lent variabil (ceea ce permite liniarizarea n jurul PSF, deci
introducerea variaiilor prin ) :

M
B
BE
ie
i
u
h

= ,
M
B
C
fe
i
i
h

= ,
M
CE
C
oe
u
i
h

= (3.19).
La fel ca i
rb
h , parametrul
re
h nu se poate msura cu precizie prin aceast metod.

ntre parametrii hibrizi n conexiunea EC i cei n conexiunea BC exist urmtoarele relaii
aproximative :

C
f
ib fe ie
qI
kT h
h h h + ) 1 ( (3.20)

fe
fe
fb
h
h
h
+

1
(3.21)

Observaii:
n anumite circuite electronice, tranzistorul bipolar poate fi folosit n conexiune invers prin
schimbarea rolurilor terminalelor emitor i colector. Parametrul ce caracterizeaz aceast funcionare
este factorul de curent n conexiune invers,
i
sau
i
. Cu excepia unor tranzistoare special construite,
factorul de curent
i
, este foarte mic, de obicei, subunitar.


P agi na | 27



Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar [v. 2012 2013]

DESFURAREA LUCRRII

Se identific montajul din figura 3.10, n care se folosete un circuit ajuttor n calitate de
generator de curent reglabil din poteniometrul
P
. Pentru curenii de baz necesari tanzistorului NPN n
conexiune EC se alimenteaz schema cu +5 V (aproximativ) la borna 2 fa de borna de mas (borna 1) i
se obine la borna 3 un curent reglabil (n sensul sgeii) ntre 0200 A ; pentru curenii de emitor
necesari aceluiai tranzistor NPN n conexiune BC se alimenteaz schema cu -5V la borna 2 fa de borna
1 (borna de mas) i se obine la borna 4 un curent reglabil ntre 050 mA.


Fig. 3.10 - Montajul de laborator

1. Se traseaz caracteristica de intrare a tranzistorului n conexiunea BC conform schemei de msur din
figura 3.11. Pentru aceasta, generatorul de curent se va alimenta cu 5 V la borna 2 fa de borna de
mas (borna 1), ieirea generatorului de curent fiind borna 4, care se conecteaz la 6 . Borna 5 (baza
tranzistorului T) se conecteaza la mas (1). Borna 7 se conecteaz la plusul unei alte surse de tensiune,
iar minusul acestei surse se conecteaz tot la borna 5; ideea de baz este fixarea, n acest mod, a
tensiunii colector-baz la U
CB
=5V. Ampermetrul se leag ntre bornele 4 i 6 i se conecteaz un
voltmetru ntre 5 i 6.


Fig. 3.11 Circuit pentru trasarea caracteristicii de intrare n conexiune BC

Pentru curentul de emitor se vor lua valorile: 0,1; 0,2; 0,5; 1; 2; 5; 10; 20; 50 mA, iar tensiunea
colector-baz va fi de 5 V. Rezultatele se trec n tabelul 3.1 i se traseaz caracteristica de intrare att la
scar liniar ct i la scar logaritmic (pentru curent) pentru determinarea parametrului ca la dioda
28 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
semiconductoare.

U
CB

5V
i
E
(mA) 0 0,1 0,2 0,5 1 2 5 10 20 50
u
EB
(mV)

Tabelul 3.1

2. Se traseaz caracteristica de transfer ) (
E C C
i i i =

folosind schema de msur din figura 3.12.
Voltmetrul se va muta ntre 5 i 7, comparativ cu figura 3.11. ntruct valorile curenilor
C
i i
E
i
sunt foarte apropiate, se prefer msurarea curentului de baz pentru fiecare valoare a
curentului de emitor, iar curentul de colector se deduce din relaia (3.1); tensiunea
CB
u este de 5
V. Pentru curentul de emitor se vor lua aceleai valori ca la punctul precedent. Rezultatele se trec
n tabelul 3.2 i se traseaz caracteristica de transfer la scar liniar. Ampermetrul se conecteaz
ntre 5 i 1 (n baza tranzistorului).


Fig. 3.12 - Circuit pentru trasarea caracteristicii de transfer n conexiune BC

Pentru
E
i =2 mA, se determin factorul de curent al tranzistorului n conexiunea BC,
0
, cu
relaia (3.8), n care
0 CB
I este valoarea curentului de colector obinut cu emitorul n gol .
Se vor compara valorile obinute pentru
0
i
0 CB
I cu valorile rezultate din relaiile (3.15) i (3.16), n
care
0
are valoarea determinat n acelai punct de funcionare la punctul 7.

U
CB

5V
i
E
(mA) 0 0,1 0,2 0,5 1 2 5 10 20 50
i
B
(uA)
i
C
(mA)

Tabelul 3.2

3. Se traseaz caracteristicile statice de ieire n conexiunea BC cu schema de msur din figura 3.12.
Pentru tensiunea de ieire se vor lua valorile 0,1; 0,5; 1; 2; 5; 10 V, iar curentul de emitor va fi
fixat la valorile 2; 4; 6; 8; 10; mA . Rezultatele se trec n tabelul 2.3.

i
E
(mA) u
CB
(V) 0 0,1 0,2 0,5 1 2 5 10
2 i
B
(uA)
i
C
(uA)
4 i
B
(uA)
i
C
(uA)
P agi na | 29



Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar [v. 2012 2013]






T
abelul 3.3

Pentru
E
i = 2 mA, se inverseaz semnul tensiunii
CB
U (se schimb bornele sursei) i se
determin valoarea acestei tensiuni pentru care curentul de colector se anuleaz; msurtoarea se va
face cu atenie, deoarece anularea curentului de colector se produce la valori mici ale tensiunii colector
baz ( n intervalul 0,6 0,7 V).

4. n planul caracteristicilor ridicate la punctul precedent, se traseaz dreapta static de funcionare,
conform relaiei (3.9) n care
C
R = 3,6 k i
C
E =12 V i se determin coordonatele punctului static de
funcionare, tiind c
E
I = 2 mA (metoda grafo-analitic).
Se realizeaz montajul elementar din figura 3.6b cu
C
R = 3,6 k i
C
E =12 V.


Fig. 3.6b - Circuit pentru determinarea PSF n conexiune BC

Se realizeaz montajul de la cerina 2. Borna 8 se conecteaza la plusul sursei E
c
, minusul sursei E
c

se conecteaz la 1.
Se msoar coordonatele punctului static de funcionare pentru
E
I = 2 mA (U
CB
i I
C
).
Se compar rezultatele obinute prin cele dou metode (grafo-analitic i experimental). n
punctul de funcionare astfel determinat, se calculeaz parametrul
ib
h pe caracteristica de intrare, iar
parametrii
fb
h

i
ob
h

se calculeaz folosind rezultatele din tabelele corespunztoare, avnd n vedere
dificultatea msurrii unor variaii foarte mici ale curentului de colector direct pe grafic. Se vor folosi
relaiile (3.10).

5. Se alimenteaz generatorul de curent cu +5 V la borna 2 (fa de borna 1); se traseaz caracteristica de
intrare n conexiunea EC, ) (
BE B B
u i i = , conform schemei de msur din figura 3.13. Bornele 1 i 6 sunt
legate mpreun; borna 7 se leag mpreun cu borna 2; miliampermetrul se conecteaz ntre bornele 3
i 5.
Tensiunea
BE
u se va msura cu un voltmetru electronic, de preferin numeric (conectat ntre
bornele 5 i 6). Se va msura tensiunea
BE
u pentru urmtoarele valori ale curentului de baz:
B
i = 0; 10;
20; 30; 40 i 50 A.
6 i
B
(uA)
i
C
(uA)
8 i
B
(uA)
i
C
(uA)
10 i
B
(uA)
i
C
(uA)
30 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic


Fig. 3.13 - Circuit pentru trasarea caracteristicii de intrare n conexiune EC

ntruct caracteristica de intrare ) (
BE B
u i pleac de la valori negative ale curentului de baz, se
vor pune n scurt circuit baza cu emitorul i se va msura ) 0 (
B
i (schimbnd bornele miliampermetrului).
Se menine curentul de baz la valoarea constant
B
I = 50 A i se msoar tensiunea baz-emitor
pentru urmtoarele valori ale tensiunii colector-emitor: 0; 1; 5 i 10 V. Rezultatele se vor trece n tabelul
3.4. Se va trasa graficul ) (
BE B
u i cu
CE
U =5V, la scar liniar.

U
CE
(V) 5 0,1 1 10
i
B
(uA) 0 10 20 30 40 50 50 50 50
u
BE
(mV) 0

Tabelul 3.4
6. Se msoar mrimile necesare pentru ridicarea caracteristicii de transfer, conform schemei de msur
din figura 3.14.


Figura 3.14 - Circuit pentru trasarea caracteristicii de transfer n conexiune EC
Tensiunea colector-emitor va fi
CE
u = 5 V. Se va nota, mai nti, valoarea curentului de colector
cu baza n gol,
0 CE
I . Se va regla apoi curentul de baz pentru a se obine cureni de colector de valoare
0.5; 1; 2; 5; 10; 20; 50 mA, rezultatele fiind trecute n tabelul 3.5.

U
CE
(V) 5 1 10
i
B
(uA) 0 0 0
i
C
(mA) 0,5 1 2 5 10 20 50 2 0 2

0
-

Tabelul 3.5
P agi na | 31



Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar [v. 2012 2013]
n acelai tabel, se va trece factorul de curent al tranzistorului,
0
, calculat cu relaia (3.7). Se
msoar factorul de curent al tranzistorului n conexiunea EC la alte dou tensiuni colector-emitor,
CE
u
=1 V i
CE
u =10 V. Pentru fiecare dintre aceste valori, se determin, mai nti
0 CE
I (cu baza n gol) i apoi
curentul de baz necesar obinerii aceluiai curent colector
C
I = 2 mA. Se va trasa graficul funciei de
transfer i
C
(i
B
), la scar liniar.

7. Se determin caracteristicile de ieire ale tranzistorului n conexiune EC cu parametru
B
i , conform
schemei de msur din figura 3.15.


Fig. 3.15 - Circuit pentru trasarea caracteristicilor de ieire n conexiune EC

ntre bornele 3 i 5 se conecteaz un microampermetru; ntre bornele 6 i plusul sursei de
tensiune E
C
un miliampermetru, iar ntre bornele 6 i 7 un voltmetru numeric.
Pentru curentul de baz,

, se vor lua valorile 10; 20; 30; 40; 50 A, iar curentul colector se va
msura pentru urmtoarele valori ale tensiunii colector-emitor care asigur funcionarea tranzistorului n
regiunea activ normal: 0,5; 1; 2; 5; 10 V i se traseaz familia de caracteristici ) (
CE C
u i la scar liniar.
Se efectueaz msurtorile pentru ridicarea caracteristicilor de ieire n zona de saturaie a
tranzistorului i n zona activ normal nvecinat, pentru tensiuni mici ntre colector i emitor. Se va
folosi acelai montaj i se vor considera aceleai valori ale curentului de baz iar tensiunea colector-
emitor se regleaz la valorile 0,1; 0,2; 0,3; 0,4 i 0,5 V.

Rezultatele se trec n acelai tabel 3.6 i se va trasa un grafic separat pentru aceast zon la o
scar convenabil pentru
CE
u .


Fig. 3.15b - Circuit pentru determinarea PSF n conexiune EC
32 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
8. Se realizeaz schema din figura 3.15b pentru determinarea punctului static de funcionare. Se fixeaz
sursa
C
E = 12 V i se regleaz curentul de baz pn cnd
C
I = 2 mA.
Se vor nota coordonatele punctului static de funcionare (
C
I ,
B
I ,
CE
U ,
BE
U ).
Pe caracteristicile statice de ieire ale tranzistorului desenate la punctul precedent se traseaz
prin interpolare, cu aproximaie, caracteristica static corespunztoare curentului de baz msurat
anterior i dreapta de sarcin descris de ecuaia (3.18). La intersecia lor se obine punctul static de
funcionare ale crui coordonate trebuie s fie apropiate de cele msurate.
n acest punct static de funcionare, se vor determina parametrii
ie
h (pe caracteristica de
intrare),
fe
h (pe caracteristica de transfer),
oe
h (pe caracteristicile de ieire) conform relaiilor (3.19).
Se vor verifica relaiile de legtur ntre parametrii hibrizi n cele dou conexiuni, conform relaiilor (3.20)
i (3.21), punctele de funcionare fiind apropiate.

9. Se msoar factorul de curent al tranzistorului n conexiune invers, conform schemei de msur din
figura 3.16 i folosind relaia
B
EC E
i
i
I i
0

= , unde
E
i este curentul nregistrat de ampermetrul din
emitor pentru
B
i = 200 A, iar
0 EC
I este curentul nregistrat de acelai aparat pentru
B
i = 0 (baza n gol).


Fig. 3.16 Circuit pentru determinarea factorului de curent n conexiunea CC

Referatul va conine:
schemele de msur pentru parametrii i pentru caracteristicile statice ale tranzistorului n cele
dou conexiuni;
tabelele cu rezultatele msurtorilor;
graficele corespunztoare i determinrile fcute pe baza acestora aa cum se indic la modul de
lucru;
schemele elementare cu tranzistoare pentru determinarea punctelor statice de funcionare
respective;
rezultate obinute n simularea lucrrii utiliznd Multisim;
n cazul unor neconcordane ntre rezultatele teoretice i cele experimentale se vor da scurte
justificri.
Datasheet-ul tranzistorului utilizat:
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BD237.pdf
P agi na | 33



Conexiunile fundamentale ale tranzistorului bipolar [v. 2012 2013]
LUCRAREA NR.4

CONEXIUNILE FUNDAMENTALE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR



Scopul lucrrii msurarea performan elor amplificatoarelor elementare realizate cu
tranzistoare bipolare n cele trei conexiuni fundamentale (baz la mas, emitor la mas, colector la
mas), precum i ale amplificatorului cu sarcin distribuit.

1. Montaje fundamentale:
Cele trei scheme fundamentale i amplificatorul cu sarcin distribuit sunt prezentate n figura
4.1, sub forma schemelor de principiu. Pentru fiecare dintre ele se definesc :
- amplificarea de tensiune :
1
2
U
U
(pentru
s
Z dat) ;
- amplificarea de curent :
1
2
I
I
(pentru
s
Z dat) ;
- impedana de intrare :
1
1
I
U
(pentru
s
Z dat) ;
- impedana de ieire :
U
2
I
2
(pentru g
R
dat) i U
1
=0;

n ceea ce privete comportarea la frecvene nalte, cele patru montaje sunt caracterizate prin
frecvene-limit de sus de valori diferite (frecvenele la care modulul amplificrii de tensiune scade cu 3
dB fa de valoarea de la frecvene medii).

Z
o
Z
i
I
1
I
2
U
1
U
2
Z
S


Z
o
Z
i
I
1
U
1
Z
S
I
2
U
2

a) Emitor la mas b) Baz la mas
U
2
Z
o
Z
i
I
1
I
2
U
1
Z
S

I
2
R
E
Z
o
Z
i
I
1
U
1
U
2
Z
S

c) Colector la mas d) Sarcin distribuit

Fig. 4.1 Conexiunile fundamentale ale tranzistorului bipolar (scheme de principiu)
2. Parametrii tranzistorului n regim dinamic
34 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
Pentru funcionarea tranzistorului la frecvene joase, se vor utiliza parametrii hibrizi:

U
1
= h
i
I
1
+ h
o
U
2
I
2
= h
f
I
1
+ h
r
U
2

(4.1)
Pentru fiecare dintre cele trei conexiuni fundamentale se poate determina cte un set de astfel
de parametri (h
ij
bc
, h
ij
ec
, h
ij
cc
). Cei mai convenabili parametri hibrizi, din punct de vedere practic, sunt cei n
conexiune emitor comun (EC); acetia se vor nota fr indice superior.

3. Mrimile caracteristice amplificatorului cu tranzistor
Pentru cele patru scheme din figura 4.1, mrimile caracteristice (mai puin frecvena limit de
sus) se determin teoretic, cunoscnd parametrii h ai tranzistorului n punctul static de funcionare.
n relaiile de calcul, date n tabelul 4.1:
-
s
Z este impedana de sarcin;
- g
Z
este impedana generatorului de semnal (nu este reprezentat n figura 4.1).
n fiecare caz n parte, sunt trecute i relaiile aproximative de calcul, valabile n ipotezele :

1
1

1

(4.2)
Observaie: Aceste condiii sunt ndeplinite frecvent n practic (i n circuitul testat).
n tabel s-au folosit notaiile:
f r o i
h h h h h =
(4.3)

h h h N
r f
+ + = 1
EC
(Emitor la mas)
BC
(Baz la mas)
CM
(Colector la mas)
SD (aprox.)
(sarcin
distribuit)
u
A

s
s i
s f
SZ
Z h h
Z h

+

s
s i
s f
SZ
Z h h
Z h h

+
+ ) (

1
) 1 (
) 1 (

+ +
+
s f i
s f
Z h h
Z h

e
C
Z
Z


i
A

f
s o
f
h
Z h
h

+ 1
1
+
+

s o
f
Z h N
h h

f
s o
f
h
Z h
h

+
+

1
1

f
h
i
Z

i
s o
s i
h
Z h
h Z h

+
+
1

S Z h N
h Z h
s o
s i
1

+
+

s o i
s o
s i
Z h h
Z h
Z N h
+
+
+
1


0
Z

0 g
g
h R h
R h
i
+
+

o
i
h Z h
Z N h
+
+
g
g

f o
i
h
Z
S h Z N
Z h
g
g
g
1
+
+
+


-

Tabelul 4.1

Pentru determinarea amplificrii de tensiune, a amplificrii de curent i a impedanei de intrare
se folosete schema de msurare din figura 4.2, n care mrimile ce pot fi msurate direct sunt
tensiunile U
1
, U
2
i U
1.
P agi na | 35



Conexiunile fundamentale ale tranzistorului bipolar [v. 2012 2013]
R
S
I
2
Amplificator
R
I
1
U
1

U
1
U
2

Fig 4.2. Amplificatorul abordat ca un cuadripol

Se deduc uor relaiile :
1
2
U
U
A
u
= (4.4)
s
i
R
R
U U
U
A


=
1 1
2
(4.5)

R
U U
U
Z

=
1 1
1
int
(4.6)
n privina impedanei de intrare, se observ c, n cazul schemei concrete utilizate (figura 4.4),
impedana de intrare calculat cu relaia (4.3) este afectat de prezena circuitului de polarizare, astfel
c, pentru montajele emitor la mas (EM), colector la mas (CM) i cu sarcin distribuit (SD), la care
intrarea se face pe baz, se obine :
2 1 int
|| ||
b b i
R R Z Z = (4.7)
iar pentru montajul baz la mas, la care semnalul se aplic pe emitor, se obine:
e i
R Z Z ||
int
= (4.7)
n aceste relaii,
i
Z este impedan de intrare definit pentru schema de principiu din figura
4.1 i calculabil cu relaiile din tabelul 4.1, pentru fiecare schem n parte.
De asemenea, n tabelul 4.1, prin
s
Z se va nelege combinaia, n paralel, a rezistenei de
sarcin,
s
R , adugate din exterior i a rezistenei
c
R (pentru montajele EM, BM, i SD), respectiv
1 e
R
(pentru montajul CM), necesare pentru polarizarea corect a tranzistorului n curent continuu.

4. Impedana de ieire:
Pentru msurarea impedanei de ieire se folosete schema de msur din figura. 4.3, n care
g
R este rezistena de ieire a generatorului de semnal.

R
S
Amplificator
R
g
U
1

U
2
K


Fig. 4.3 Schema pentru msurarea impedanei de ieire
36 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
Se deduce relaia:

=

1 1
2
2
U
U
R
A
A
R Z
s s ies
(4.8)
Unde:
-
2
U
este tensiunea de ieire n gol (
s
R );
-
2
U
este aceeai tensiune de ieire, msurat cu rezistena de sarcin
s
R (ambele pentru
aceeai tensiune de intrare
1
U
).
De remarcat este faptul c impedana de ieire msurat (
ies
Z ) este dat de impedana de ieire
definit pentru schema de principiu (
0
Z ), n paralel cu rezistena
c
R (pentru montajele EM, BM i SD):
c ies
R Z Z ||
0
= (4.9)
respectiv cu rezistena
1 e
R (pentru montajul CM) :
1 0
||
e ies
R Z Z = (4.9)

5. Frecvena de tiere superioar
Frecvena de tiere superioar (frecvena limit de sus) se determin cu circuitul din figura 4.2,
cu 0 = R i fr rezisten de sarcin din exterior. Frecvena limit de sus se deduce din relaia :
2
) (
20
max 2
U
f U = (4.10)
unde
20
U este valoarea tensiunii de ieire n band (la 10kHz), la aceeai amplitudine a semnalului de
intrare.

























P agi na | 37



Conexiunile fundamentale ale tranzistorului bipolar [v. 2012 2013]

DESFURAREA LUCRRII

Se identific montajul din figura 4.4, n care se folosete un tranzistor de tipul BC547C.
Se alimenteaz montajul cu
C
E =19 V (la borna 2 fa de mas borna 1), se msoar (direct pe
pinii tranzistorului), cu un voltmetru de curent continuu, tensiunile din punctul static de funcionare i
apoi se determin curentul prin tranzistor.

R
R
g
R
e2
R
1
R
2
C
4
R
e1
C
3
R
b2
C
2
R
b1
C
1
R
C
1 1
3
4
5
6
7
8
9
10


Fig. 4.4 Montajul de laborator
ntruct se obin C
I
= 2 mA i CE
U
= 5 V, pentru verificarea rezultatelor experimentale, se vor
lua parametrii h din catalog, adic:
Parametrul h Grupa A Grupa B Grupa C Unitate
Min Tipic Max Min Tipic Max Min Tipic Max
h
i
1,6 2,7 4,5 3,2 4,5 8,5 6 8,7 15 k
h
r
1,5 2 3 X10
-4

h
f
125 190 260 240 330 500 450 580 900
h
o
18 30 30 60 60 110

1. Se realizeaz, pe rnd, cele patru scheme de amplificatoare elementare (figura 4.1. - EM, BM, CM, i
SD) folosind, n mod convenabil, condensatoarele
1
C
,
2
C
i 3
C
.
Pe rnd, pentru fiecare figur 4.1a 4.1d se realizeaz montajul corespunztor. Valorile pentru
rezistenele folosite i pentru tensiunea aplicat se ridic din tabelul 4.2.
Se va folosi osciloscopul digital pentru msurarea tensiunii de intrate i a tensiunii de ieire.

Amplificarea de tensiune, amplificarea de curent i impedana de intrare se vor determina
utiliznd schema din figura 4.2.

38 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
Impedana de ieire se determin folosind schema din figura 4.3.

Rezultatele se vor trece n tabelul 4.2, n care sunt precizate i nivelurile de tensiune ce se aplic
la intrarea fiecrui amplificator. n acelai tabel, se vor trece i rezultatele msurrii frecvenei limit de
sus cu schema din figura 4.3. Frecvena limit de sus se va msura folosind etalonarea n dB a
milivolmetrului de curent alternativ utilizat n lucrare .

2. Se calculeaz
u
A ,
i
A i
i
Z pentru valorile rezistenei de sarcin specificate n tabelul 4.2 precum i
o
Z impedana de ieire, pentru
g
R =1 k, cu relaiile din tabelul 4.1; se calculeaz
int
Z i
ies
Z cu
relaiile (4.7) i (4.7), respectiv (4.9) i (4.9) i se completeaz tabelul 4.2.

Cerine:
Referatul va conine:
- schemele de msurare i relaiile de calcul pentru amplificrile de tensiune i de curent i
pentru impedanele de intrare i de ieire;
- schema de msurare a frecvenei limit de sus;
- tabelul 4.2 cu rezultatele msurtorilor;
- valorile calculate pentru
u
A ,
i
A ,
i
Z ,
0
Z ,
int
Z i
ies
Z cu relaiile din tabelul 4.1 i cu celelalte
relaii de calcul date;
- comentarea eficienei formulelor aproximative pentru amplificrile de tensiune i de curent i
pentru impedana de intrare.

P agi na | 39



Conexiunile fundamentale ale tranzistorului bipolar [v. 2012 2013]

EM BM CM SD
1
2
U
U
A
u
=
S
i
R
R
U U
U
A


=
1 1
2

R
U U
U
Z

=
1 1
1
int

R

k 56 1 56 56
R
s
k 10 10 1 10
U
1
mV 5 5 200 100
U
1

mV
U
2
mV
A
u
-
A
i
-
Z
int
k

=

1
A
A
R Z
S ies

Rg k 1 1 1 1
R
s
k 10 10 1 10
U
s
mV 5 2000 200 100
U
2
mV
U
2
mV
Z
ies
k
2
) (
20
max 2
U
f U =
kHz) 10 (
2 20
U U =
U
20
dB
0 0 -10 0
U
2
dB -3 -3 -13 -3
f
max
kHz

Se folosesc relaiile
din tabelul 3.1 i
celelalte formule
din lucrare
Au -
Ai -
Zi kHz
Z0 kHz
Zint kHz
Zies kHz

Tabelul 4.2

Datasheet-ul tranzistorului utilizat:
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC547B.pdf

40 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic

P agi na | 41



Amplificatorul diferenial [v. 2012 2013]
LUCRAREA NR. 5

AMPLIFICATORUL DIFERENIAL




Scopul lucrrii - studierea funcionrii amplificatorului diferenial cu tranzistoare bipolare,
msurarea amplificrilor de tensiune i a impedanelor de intrare pentru diferite moduri de excitaie
iinfluena coeficientului de rejecie a modului comun asupra acestora.

1. Principiul de funcionare
Schema de principiu a amplificatorului diferenial este reprezentat n figura 5.1, n care
rezistena
0
R este rezistena de cuplaj a celor dou etaje elementare, unul cu colectorul la mas, iar
cellalt cu baza la mas. Avnd n vedere cele trei moduri posibile de excitaie a amplificatorului
diferenial, precum i cele trei moduri de culegere a tensiunii de ieire, este indicat s se lucreze direct
cu expresiile tensiunilor
1
U i
2
U . Amplificrile de tensiune se definesc numai pentru modurile
particulare de lucru.

~
+
-
~
+
-
e1 e2
T T
R
s
R
s
R
0
U
1
U
2


Fig. 5.1. Schema de principiu a amplificatorului diferenial

Presupunnd c tranzistoarele T i T sunt caracterizate prin parametrii h n conexiunea
emitor comun, tensiunile
1
U i
2
U se pot scrie sub forma:

) (
1 2 1
1
1
r
v
v
r r
r
A U
ic
id u
+
+
=
(5.1)
) (
2 2 1
2
2
r
v
v
r r
r
A U
ic
id u
+
+
=
(5.2)
unde s-au folosit notaiile:
-
u
A i
u
A - amplificrile de tensiune ale tranzistorului T i respectiv T n montaj emitor la mas, cu
aceleai sarcini ca i n circuitul din figura 5.1, date de relaiile:
42 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
Z S S
s i
s f
u
R h h
R h
A
'
'
=
+

=
(5.3)
Z S S
s i
s f
u
R h h
R h
A
' '
=
+

=
(5.4).
-
1
r ,
2
r - coeficienii de rejecie a modului comun, dependeni de rezistena de cuplaj
0
R , conform
relaiilor:
f
i
h
h
R
r

+ =
0
1
2 1
(5.5)
f
i
h
h
R
r

+ =
0
2
2 1
(5.6).
-
id
v - tensiunea de mod diferenial la intrare i
ic
v - tensiunea de mod comun la intrare:
2 1
e e v
id
=
(5.7)
2
2 1
e e
v
ic
+
=
(5.8).

2. Circuite simetrice
Pentru un circuit simetric (elementele de circuit simetrice egale, tranzistoare identice i
funcionnd n puncte statice de funcionare identice), se obin relaiile:
) (
2
1
1
r
v
v A U
ic
id u
+ =
(5.9)
) (
2
1
2
r
v
v A U
ic
id u
+ =
(5.10)
s i
s f
u
hR h
R h
A
+
=
(5.11)
f
i
h
h
R
r
0
2 1+ =
(5.12)

3. Comportarea la intrare a amplificatorului diferenial
La intrare, amplificatorul diferenial din figura. 5.1 va fi caracterizat prin curenii de intrare:
) (
1
1 2 1
1
r
v
v
r r
r
Z
I
ic
id
i
b
+
+
=
(5.13)
) (
1
2 2 1
2
r
v
v
r r
r
Z
I
ic
id
i
b
+
+
=
(5.14)
care depind de modul de excitaie, de coeficienii de rejecie a modului comun,
1
r i
2
r i de
impedanele de intrare n tranzistoarele T i respectiv T considerate cu emitorul la mas, adic:
P agi na | 43



Amplificatorul diferenial [v. 2012 2013]
i
s o
s i
i
h
R h
R h h
Z
+
+
=
1
(5.15)
i
s o
s i
i
h
R h
R h h
Z
+
+
=
1
(5.16)
n condiiile unui circuit simetric, se obin relaiile:
) (
2
1
r
v
v
Z
I
ic
id
i
b
+ =
(5.17)
) (
2
1
r
v
v
Z
I
ic
id
i
b
+ =
(5.18)
cu
i i
h Z (5.19)

4. Amplificator diferenial cu rezistene n emitor pentru stabilizarea PSF
n cazul n care tranzistoarele au rezistene n serie cu emitorul, relaiile obinute rmn valabile
cu modificarea corespunztoare a parametrilor h cu relaiile de transformare:

e r f i
e o
e r f i
i
x
R h h h h
R h
R h h h h
h ) 1 (
1
) 1 (
+ + +
+
+ + +
= (5.20)
f
e o
e o f
f
x
h
R h
R h h
h
+

=
1
(5.21)
e f r
e o
e f r
r
x
R h h
R h
R h h
h +
+
+
=
1
(5.22)
o
e o
o
o
x
h
R h
h
h
+
=
1
(5.23)
Observaie: Se monteaz rezistene n serie cu tranzistorul pentru stabilizarea termic a
punctului static de funcionare i pentru mbuntirea performanelor de regim dinamic ale montajului
elementar emitor la mas.

5. Amplificarea diferenial
n cazul unei excitaii simetrice pe modul diferenial ( e e =
1
, e e =
2
, e v
id
2 = , 0 =
ic
v ), se
obin la ieiri tensiuni egale ca amplitudine i n antifaz:
e A U
u
=
1
(5.24)
e A U
u
=
2
(5.25)
Se definete amplificarea diferenial a circuitului ca raportul dintre tensiunea diferenial de
ieire (
2 1
U U ) i tensiunea diferenial de intrare (
id
v ) i, din relaiile anterioare rezult, pentru un
circuit simetric:
u dd
A A = (5.26)
Datorit nesimetriilor circuitului (oricnd prezente), se obine i o tensiune de mod comun de
ieire, definit prin relaia:
44 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
2
2 1
U U
U
oc
+
= (5.27)
(este necesar ca aceast tensiune de mod comun s fie ct mai mic, deci factorul de rejecie trebuie s
fie ct mai mare).

6. Pentru o excitaie diferenial nesimetric ( e e =
1
, 0
2
= e , e v
id
= , e v
ic
= ), ca n figura 5.2, se obin
urmtoarele relaii:
e
r
r A
U
u
1
2
1
+
=
(5.28)
e
r
r A
U
u
1
2
2

=
(5.29)
e
r
A
U
u
o c
=
(5.30)
r
r
Z Z
i id
1
2
+
=
(5.31)

~
+
-
e1=e
T T
R
s
R
s
R
0
Z
in
U
1
U
2


Fig.5.2. Amplificatorul diferenial excitaie nesimetric

Se constat c pentru 1 >> r se obin tensiuni de ieire n antifaz i egale ca amplitudine, dar
reduse la jumtate n comparaie cu excitaia simetric, iar impedana de intrare va fi aproximativ
i id
Z Z 2
1

(5.32)
Cele trei mrimi sunt afectate de coeficientul de rejecie a modului comun numai cnd acesta
are valori mici.
Relaii asemntoare se obin i n cazul 0
1
= e i e e =
2
. Pentru un circuit simetric, rezult:
i id id
Z Z Z 2
2 1
= = , mrime ce reprezint impedana de intrare pe modul diferenial.

7. Excitaia pe modul comun
Excitaia pe modul comun ( e e e = =
2 1
, 0 =
id
v , e v
ic
2 = ) se obine prin legarea n paralel a
celor dou intrri, ca n figura 5.3. Din relaiile generale date mai nainte, se deduc mrimile electrice ce
caracterizeaz acest mod de excitaie a amplificatorului diferenial:
P agi na | 45



Amplificatorul diferenial [v. 2012 2013]
e
r
A
U U U
u
oc
2
2 1
= = = (5.33)
i ic
Z
r
Z
2
= (5.34)

~
+
-
e
T T
R
s
R
s
R
0
Z
ic
U
1
U
2


Fig. 5.3. Amplificatorul diferenial excitaie pe modul comun

Tensiunile de ieire au valori mici, dependente de coeficientul de rejecie a modului comun, r.
Dac se definete amplificarea pe modul comun ca fiind raportul dintre tensiunea de mod comun de la
ieire (
oc
U ) i tensiunea de mod comun aplicat la intrare ( e e e = =
2 1
), se obine:
r
A
e
U
A
u oc
cc
= = (5.35)
Rezult i semnificaia coeficientului de rejecie a modului comun (5.36), a crui valoare trebuie
s fie ct mai mare.
cc
dd
A
A
r = (5.36)
Amplificrile de mod diferenial i de mod comun (
dd
A i
cc
A ), impedane le de intrare pe
modul diferenial i pe modul comun (
id
Z i
ic
Z ) i coeficientul de rejecie a modului comun ( r )
formeaz parametrii principali ai amplificatorului diferenial.

8. Coeficientul de rejecie
Mrirea coeficientului de rejecie a modului comun se poate face prin mai multe metode. n
lucrare este ilustrat metoda mririi rezistenei de cuplaj,
0
R , prin folosirea unui montaj baz la mas ca
generator de curent constant.

9. n figura 5.5 este prezentat schema electric a unui amplificator diferenial cu circuit unic de
polarizare a bazelor tranzistoarelor i cu rezistene n emitoare pentru stabilizarea PSF.
Cnd excitaia se face pe modul diferenial, cu punctul A conectat la mas, impedana de
intrare diferenial este afectat de rezistenele
1 b
R i
2 b
R . Dac
b b b
R R R = =
2 1
impedana de intrare
diferenial msurat cu schema din figura 5.5 va fi:
46 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
id b d
Z R Z ||
int
= (5.37)
i se determin cu relaia:
R
v e
v
Z
i g
i
d

=
int
(5.38)

T
1
T
2
T
3
R
b1
R
E1
R
b2
R
E2
+E
c
A


Fig. 5.5. Amplificator diferenial cu circuit unic de polarizare a bazelor i rezistene n emitoare pentru
stabilizarea PSF




Fig. 5.5. Msurarea impedanei de intrare difereniale

Pentru modul de excitaie comun, cele dou baze sunt cuplate mpreun pe curent alternativ,
rezistenele
1 b
R i
2 b
R ce apar n paralel vor fi folosite pentru msurarea impedanei de intrare pe
modul comun, prin excitarea pe borna A, conform relaiei

2 1 int
||
b b
i A
i
c
R R
V V
V
Z

= (5.39)

P agi na | 47



Amplificatorul diferenial [v. 2012 2013]
5.10 Ca o ilustrare a felului n care amplificatorul diferenial rejecteaz semnalele de mod comun, se
determin experimental coeficientul de rejecie a tensiunii de alimentare, definit conform relaiei (5.50),
unde ) (
2 1 C C
U U este variaia diferenei dintre tensiunile continue de la bornele de ieire ale
amplificatorului diferenial obinut pentru o variaie
c
E a tensiunii de alimentare.
) (
2 1 C C
c
s
U U
E
r


= (5.40)
48 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic


DESFURAREA LUCRRII

Se identific schema din figura 5.6, preciznd valorile tuturor elementelor din circuit.

T
1
T
2
T
3
T
4
R
b1
R
1
C
0
C
1
C
2
C
3
C
4
C
5
C
6
R
2
R
3
R
4
R
5
R
6
R
7
R
8
R
9
R
10
R
11
R
12
R
13
R
14
R
15
R
17
R
18
R
19
R
E1
R
b2
R
E2
2
1
7
9
10
17
8
6
11
5
4
3
12
1 2 3
4

Fig. 5.6. Amplificatorul diferenial montajul de laborator

Amplificatorul diferenial este realizat cu tranzistoarele
1
T i
2
T , cu rezistenele
1 E
R i
2 E
R n
emitoare i cu un singur circuit de polarizare a bazelor (
1 B
R ,
2 B
R , R
6
, R
19
) i avnd cuplajul realizat cu un
generator de curent constant, funcie ndeplinit de tranzistorul
3
T .
Coeficientul de rejecie a modului comun poate fi modificat prin modificarea rezisten ei de
cuplaj
0
R ; n paralel cu generatorul de curent (ce ofer o rezisten de cuplaj foarte mare) se pot cupla
la mas, prin condensatorul
0
C , rezistene diferite.
Pentru obinerea tensiunilor n antifaz, se folosete circuitul defazor realizat cu tranzistorul
cu sarcini egale n emitor i n colector; pentru a obine i rezistene de ieire echivalente ct mai
apropiate la cele dou ieiri ale defazorului, se introduce rezistena R, care va fi folosit i pentru
msurarea impedanei de intrare difereniale.

1. Se alimenteaz circuitul cu
C
E =18 V (la borna 2 fa de mas). Se msoar punctele statice de
funcionare ale celor patru tranzistoare. Tranzistoarele folosite sunt de tipul BC 558b i au
P agi na | 49



Amplificatorul diferenial [v. 2012 2013]
0

f
h 330. Se determin pantele tranzistoarelor
1
T i
2
T . Se consider parametrii
x
i
x
i
x
i
h h h


13 , 17 52
u i
A Z k .
2. Se aplic semnal sinusoidal la intrarea circuitului defazor (borna 3) cu frecvena de 1 kHz i cu
valoarea eficace de 20 mV. Se msoar tensiunile la bornele de ieire (bornele 4 i 5) multimetrul setat
pe curent alternativ, constatndu-se egalitatea valorilor eficace i se verific faptul c cele dou tensiuni
sunt n antifaz..
3. Se msoar amplificarea de tensiune
u
A i impedana de intrare
i
Z pentru amplificatorul format cu
tranzistorul
1
T n montaj emitor la mas (mrimi ce vor interveni n calculul parametrilor
amplificatorului diferenial). Pentru aceasta, se cupleaz prin condensatorul
0
C i rezistena R13 la mas
colectorul generatorului de curent, ceea ce face ca cele dou tranzistoare s funcioneze ca
amplificatoare separate cu emitorul la mas. Borna 11 se conecteaz la mas, se leag mpreun bornele
5 i 6 i se aplic la intrarea circuitului defazor un semnal sinusoidal de frecven 1 kHz i cu o
amplitudine ce determin
5
V =20 mV. Se msoar tensiunile
5
V i
8
V i apoi se calculeaz:
5
8
V
V
A
u
= i
5
5 3
5
|| R
V V
V
R Z
B i

= .
Se calculeaz
x
i i
h Z .
Dac se efectueaz msurtori i pentru amplificatorul realizat cu tranzistorul
2
T , rezultatele
obinute vor fi apropiate. Se deconecteaz condensatorul
0
C .

4. Cu borna 11 la mas, se excit simetric amplificatorul diferenial. Se msoar tensiunile de la intrrile
n amplificatorul diferenial care trebuie s fie e=20 mV i tensiunile de la ieirile
1
U i
2
U . Se
vizualizeaz tensiunile
1
U i
2
U i se constat c sunt n antifaz.

Se verific relaiile (5.25) i (5.25).

Se msoar tensiunea de ieire de mod comun,
oc
U , la borna 10, pentru dou valori ale
coeficientului de rejecie a modului comun, obinute cu
0
R (generator de curent constant) i cu
0
R =47 .

5. Cu condensatorul
3
C n continuare la mas se excit nesimetric amplificatorul diferenial. Pentru
5
V =20 mV, se msoar tensiunile de ieire,
1
U i
2
U , constatndu-se reducerea la jumtate a
amplitudinii fa de cazul precedent.

Se vor ridica curbele ) (
1
r U , ) (
2
r U , ) (
0
r U
C
pentru cele 5 valori ale coeficientului de rejecie a
modului comun, r, obinute pentru cele 5 valori ale rezistenei de cuplaj. Se traseaz variaia celor trei
tensiuni n funcie de r pe acelai grafic, la scar semilogaritmic, marcnd pe grafic i punctele teoretice
ce rezult din relaiile (5.28), (5.29) i (5.30), n care amplificarea de tensiune,
u
A , are valoarea
msurat la punctul 3 iar r se calculeaz cu relaia (5.12) unde parametrul
i
h este nlocuit cu
i
x
i
Z h = ,
msurat la punctul 3.
50 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
Cu acelai montaj se msoar impedana de intrare pe modul diferenial, pentru
0
R :
R
V V
V
Z
int
5 3
5
1 d

= .
Se calculeaz apoi
1 id
Z din relaia (5.37).
Se msoar, n mod analog,
2 id
Z , pentru care trebuie s se obin o valoare apropiat de
1 id
Z .
Se verific relaia (5.32), unde
i
Z este valoarea msurat la punctul 3.

6. Se excit amplificatorul diferenial pe modul comun cuplnd bornele de intrare n amplificatorul
diferenial mpreun, semnalul sinusoidal de valoare eficace
5
V =1 V aplicndu-se la borna 11 de la
borna 5; se msoar tensiunile
1
U i
2
U precum i
oc
U ; se verific relaia (5.33). Msurtorile se fac
pentru toate valorile lui
0
R i se reprezint grafic dependena tensiunilor de ieire de coeficientul de
rejecie a modului comun (la scar semilogaritmic).

Se confrunt valorile coeficientului de rejecie a modului comun determinate teoretic cu relaia
(5.12) cu valorile msurate deduse din relaia (5.36). Se vor explica diferenele constatate.

Se determin impedana de intrare pe modul comun msurnd tensiunile la bornele de la
intrare. n relaia (5.39) se vor lua
6
V V
i
= i
5
V V
A
= . Msurtorile se vor face pentru toate valorile
coeficientului de rejecie a modului comun i se va verifica relaia (5.35). Se va trasa grafic dependena
impedanei de intrare pe modul comun de coeficientului de rejecie a modului comun, r.

7. Se msoar diferena dintre tensiunile continue de la cele dou borne de ieire, n absena
semnalului; se micoreaz tensiunea de alimentare cu
C
E =1 V (variaie care nu afecteaz prea mult
punctele statice de funcionare ale tranzistoarelor) i se msoar din nou diferena dintre cele dou
tensiuni. Se calculeaz coeficientul de rejecie a tensiunii de alimentare cu relaia (5.40).


Referatul va conine:

- schema electric a montajului, valorile tuturor elementelor (0,5p);
- rezultatele msurtorilor punctelor statice de funcionare (1p);
- rezultatele msurtorilor privind mrimile
u
A i
i
Z (1p);
- rezultatele msurtorilor privind amplificatorul diferenial, graficele ) (
1
r U , ) (
2
r U i ) (r U
oc
,
rezultatele msurtorilor asupra impedanei de intrare difereniale (simetric + nesimetric) (3p);
- rezultatele msurtorilor asupra amplificatorului diferenial excitat pe mod comun, curbele
) (
1
r U i ) (r Z
ic
precum i valorile teoretice calculate pentru aceaste mrimi (1,5 p);
- Rezultatele simulrilor (2p);
- Comentarii pe baza diferenelor dintre experimental i simulat (1p).

Datasheet-uri:
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC548B.pdf
P agi na | 51



Circuite elementare cu aplificatoare operaionale [v. 2012 2013]
LUCRAREA nr. 6

CIRCUITE ELEMENTARE CU AMPLIFICATOARE OPERAIONALE



Scopul lucrrii: Se studiaz cteva dintre circuitele elementare ce se pot realiza cu
amplificatoare operaionale (AO), n care acestea sunt considerate ca elemente de circuit caracterizate
prin parametrii de catalog, statici i dinamici.

1. Amplificatorul inversor
Amplificatorul inversor are schema din figura 6.1.
AO
R
1
R
2
R
3
v
i v
o


Fig. 6.1 Amplificatorul inversor

Pentru un AO ideal amplificarea de tensiune este dat de relaia:
1
2
R
R
A
u
= (6.1)
Relaia este valabil pentru valori mici ale amplificrii de tensiune. Pentru valori mari ale
amplificrii de tensiune, eroarea introdus n calcul de valoarea finit a amplificrii n bucl deschis a
amplificatorului operaional,
0
A , devine important, relaia (6.1) fiind nlocuit de relaia :
0
1
2
1
2
1
1
1
A
R
R
R
R
A
u
+
+
= (6.2)
Amplificarea de tensiune cu bucl nchis este influenat i de valoarea li mitat a produsului
amplificare-band a lui AO precum i de rezistenele de intrare i de ieire ale AO.

2. Amplificatorul neinversor
Amplificatorul neinversor are schema de principiu din figura 6.2. Considernd AO ideal,
amplificarea de tensiune va fi:
2
1
1
R
R
A
u
+ = (6.3)
52 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
AO
R
1
R
2
R
3
v
i
v
o


Fig. 6.2. Amplificatorul neinversor

3. Repetorul de tensiune
Repetorul de tensiune se realizeaz din schema din figura 6.2 cu rezistea R
1
necuplat (R
1
).
Se obine:
1 =
u
A (6.4)
Repetorul de tensiune realizat cu AO prezint amplificare de tensiune unitar, impedan de
intrare foarte mare i impedan de ieire foarte mic.

4. Amplificatorul diferenial realizat cu AO
Amplificatorul diferenial realizat cu AO este reprezentat n figura 6.3.
AO
R
1
R
2
R
3
v
i2
v
o
R
4
v
i1


Fig. 6.3 Amplificatorul diferenial

Pentru un AO ideal, tensiunea de ieire se poate scrie sub forma:
2
1
2
4 3
3
1
1
2
1
i i o
R
R
R R
R
R
R

+
+
+ = (6.5)
Condiia ca circuitul s se comporte ca un amplificator diferenial este:
4
3
1
2
R
R
R
R
= (6.6)
P agi na | 53



Circuite elementare cu aplificatoare operaionale [v. 2012 2013]
Astfel, tensiunea de ieire va fi:
( )
2 1
1
2
i i o
R
R
= (6.6)
Tensiunea de mod comun este rejectat n msura n care este ndeplinit relaia (6.6).

5. Integrator cu AO
n figura 6.4 este reprezentat un integrator cu AO.
AO
R
1
C
R
3
v
i
v
o


Fig. 6.4 Amplificator integrator

Pentru semnal sinusoidal de amplitudine constant (
1
U ) i cu frecvena variabil (f), integratorul
furnizeaz la ieire un semnal cu aceea i frecven, cu amplitudinea dependent de frecven (prin
intermediul pulsaiei) i de elementele circuitului (
1
1
CR
U
o

= ) i defazat fa de semnalul de intrare cu


o faz dependent de frecven ( = arctg CR ), unde = 2f.
















Fig. 6.5. Forma de und a semnalului furnizat la ieirea integratorului
E
-E
t
v
i

t
v
0

V
T
54 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
Pentru un salt de tensiune aplicat la intrarea inversoare, rspunsul este exponenial. n cazul
unei succesiuni de impulsuri, dac durata impulsurilor este mic n raport cu constanta de timp
1
CR ,
atunci circuitul funcioneaz ca un integrator, dnd la ieire o tensiune aproape continu, egal cu
componenta continu a impulsurilor aplicate la intrare. n figura 6.5 se arat forma de und obinut la
ieire n cazul aplicrii unor impulsuri cu factorul de umplere egal cu 0,5 .

Se obine:
E
C R
T
V
1
2
= (6.7).
Capacitatea poate fi pus n paralel cu o rezisten , obinndu -se o constant de integrare
repartizat mai mic.
Eroarea de integrare este dependent de timpul de integrare.

6. Comparatorul cu histerezis

AO
R
1
R
5
R
6
v
i
v
o
E
R
+
-


Fig.6.6 Comparatorul cu histerezis

Comparatorul cu histerezis din figura 6.6 folosete amplificatorul operaional cu o reacie
pozitiv realizat cu rezistenele
5
R i
6
R . Se obine o caracteristic de transfer cu histerezis, ca n
figura 6.7, unde s-au folosit notaiile:

6 5
6
6 5
5
0 1
R R
R
E
R R
R
V V
R p
+
+
+
= (6.8)
6 5
6
6 5
5
0 2
R R
R
E
R R
R
V V
R p
+
+
+
+ = (6.9)
6 5
5
0 1 2
2
R R
R
V V V V
p p
+
= = (6.10).
Prin
0
V s-au notat valorile maxim i minim ale tensiunii de ieire a AO, aa cum se observ i
n figura 6.7. Cu ajutorul raportului rezistenelor
5
R i
6
R se modific lrgimea histerezisului (
H
V ), iar
cu ajutorul tensiunii de referin
R
E se precizeaz poziia acestuia fa de origine.
P agi na | 55



Circuite elementare cu aplificatoare operaionale [v. 2012 2013]












Fig.6.7 Caracteristica de transfer a comparatorului cu histerezis


7. Generator de impulsuri dreptunghiulare cu AO

AO
R
5
R
6
R
2
C
v
i
v
o
E
R
+
-


Fig.6.8 Generatorul de impulsuri dreptunghiulare

Un generator de impulsuri dreptunghiulare cu AO se poate realiza ca n figura 6.8, n care se
folosete circuitul de comparare cu histerezis din figura 6.6, tensiunea de la intrarea sa fiind tensiunea
de pe capacitatea C, variabil n timp; ncrcarea i descrcarea acestei capaciti se fac prin rezistena
2
R de la ieirea AO, care st n una din cele dou stri stabile n funcie de semnul diferenei dintre
tensiunile celor dou intrri ale AO.

Pentru 0 =
R
E (figura 6.9.a) se obine o form de und aproape simetric (nesimetria provine
numai din diferena valorilor absolute ale tensiunii de ieire a AO n cele dou stri).

Perioada impulsurilor va fi dat de relaia:

+ = + =
6
5
2 1 1
2 1 ln 2
R
R
C R T T T (6.11)


v
o

v
i

+V
o

-V
o

V
PL
V
PH

56 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic














Fig.6.9 a Formele de und de la intrarea i de la ieirea generatorului de impulsuri
pentru E
R
=0

n cazul n care 0
R
E , se obin impulsuri cu factor de umplere diferit de 0,5 (figura 6.9.b),












Fig.6.9 b. Formele de und de la intrarea i de la ieirea generatorului de impulsuri
pentru E
R
0
caracterizate prin:
2 0
1 0
2 1
ln CR
p
p
V V
V V
T

= ,
2 0
1 0
2 2
ln
p
p
V V
V V
CR T
+
+
= (6.12).
unde
1 p
V si
2 p
V au expresiile (6.8) i (6.9), determinate pentru comparatorul cu histerezis.
Pentru 0 =
R
E , frecvena impulsurilor se regleaz din modificarea histerezisului circuitului
(raportul rezistenelor
5
R i
6
R ). Pentru 0
R
E , prin modificarea tensiunii de referin, se modific
att frecvena ct i factorul de umplere al impulsurilor generate:
2 1
1
T T
f
+
= (6.13)
2 1
2
T T
T
n
+
= (6.14).
v
i

t
V
pH
V
pL
v
o

t
+V
o

V
o

T
1
T
2
T
1
T
2
v
i

t
V
pH
V
pL
v
o

t
+V
o

V
o

P agi na | 57



Circuite elementare cu aplificatoare operaionale [v. 2012 2013]

DESFURAREA LUCRRII

Se identific montajul din figura 6.10, echipat cu amplificatoare operaionale A741,
caracterizate prin A
0
=100.000. Circuitul se alimenteaz cu tensiunile de alimentare +15V (borna 2 fa
de mas) i 15V (borna 3) fa de mas (borna 1).
AO 5 6
8
13
12
7
9
10
11
13
4
AO
R
1
R
6
R
2
`
R
2
``
C
C
0
R
4 6
= R R
3 5
= R
P


Figura 6.10 Montajul de laborator

Tensiunile de comand se aplic prin intermediul unui repetor de tensiune realizat tot cu AO
(pentru a avea o impedan a generatorului de semnal ct mai mic), acesta fiind comandat printr-un
poteniometru ce permite reglarea tensiunii de intrare n limite largi. Tensiunile de intrare n circuitul
testat se vor msura la ieirea repetorului de tensiune (borna 5).

1. Se realizeaz schema de amplificator inversor (figura 6.1) cu rezistenele R
1
=1,2 k i
R
2
=12 k (R
2
pentru reacie). Se aplic semnal sinusoidal de frecven 200 Hz. Pentru o tensiune de
ieire de 5V (valoare eficace), se msoar amplificarea de tensiune (A
u
) i se compar cu rezultatul
obinut cu relaia (6.1). Se compar faza semnalului de ieire cu faza semnalului de la intrare, pe
osciloscop, constatndu-se inversarea de faz a semnalului amplificat.

Se repet msurtoarea pentru R
2
= 4.7 M i se compar cu rezultatele obinute cu relaiile
(6.1) i (6.2). Se vor explica diferenele constatate.
Pentru ambele valori ale rezistenei R
2
se traseaz caracteristica de frecven (pentru R
2
se ia V
i

=100mV iar pentru R
2
se ia V
i
=2mV).

2. Se realizeaz schema de amplificator neinversor (figura 6.2) cu R
2
=12k i R
1
=1,2 k; se aplic
semnal sinusoidal de frecven 200 Hz i amplitudine 100 mV i se msoar amplificarea de tensiune,
comparndu-se cu ajutorul osciloscopului i fazele tensiunilor de intrare i de ieire.

58 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
Se realizeaz montajul repetor de tensiune (se elimina rezistena R
1
) i se msoar amplificarea
de tensiune.

Rezultatele msurtorilor pentru aceste dou montaje se compar cu valorile obinute cu
relaiile (6.3) i (6.4). Pentru montajul de amplificator neinversor se ridic i caracteristica de frecven.

3. Se realizeaz schema de amplificator diferenial (se leag borna 13 la mas i borna 7 cu borna 10)
(figura 6.3) cu R
1
=1,2k, R
2
=12k, R
3
=1,2k i R
4
=12 k. Se aplic semnale cu frecvene de 200 Hz,
astfel:

- V
i1
=100mV ; V
i2
=0; se msoar V
01
- V
i1
=0 ; V
i2
=100 mV; se msoar V
02
- V
i1
= V
i2
= 1V; se msoar V
03
.
Se determin amplificarea de tensiune de mod diferenial definit ca
1
1
i
o
V
V
sau
2
2
i
o
V
V
i
amplificarea de mod comun definit ca

1
3
i
o
V
V
. Se interpreteaz rezultatele.

4. Se realizeaz montajul de integrator (se leag borna 11 la borna 7 i borna 8 la mas) (figura 6.4)
cu R
1
=1,2 k i C =0,22F. Se aplic semnal eficace de 1V i se msoar amplificarea de tensiune ca
funcie de frecven i se va reprezenta grafic; se va pune n eviden, pe osciloscop, modificarea
diferenei de faz dintre intrare i ieire la modificarea frecvenei semnalului de la intrare.

Se aplic la intrare impulsuri dreptunghiulare cu perioad T=30ms i amplitudinea cuprins ntre
1 i 5V. Se vizualizeaz (cu ajutorul osciloscopului) formele de und de la intrare i de la ieire (figura
6.5) i se msoar V (cu ajutorul osciloscopului), comparnd rezultatul cu valoarea obinut cu relaia
(6.7).

Se modific, n limite largi, frecvena impulsurilor de comand i se vizulalizeaz forma de und
de la ieire. Se interpreteaz rezultatele.

5. Se realizeaz montajul de comparator (se introduce o surs de tensiune nainte de borna 8 i se leag
borna 13 cu borna 7) (figura 6.6) cu R
1
=1,2 k ; R
5
= 1,2k ; R
6
=12k i E
R
=0. Se aplic pe intrare o
tensiune continu reglabil (eventual de la repetorul de tensiune cu borna 14 cuplat succesiv la cele
dou borne de alimentare, tensiunea fiind reglabil prin poteniometru) i se msoar tensiunile de
ieire n cele dou stri i tensiunile de prag V
p1
i V
p2
. Se deduce mrimea histerezisului i se verific
relaia (6.10).

Se vizualizeaz, pe osciloscop, caracteristica de transfer (figura 6.7), aplicnd pe intrarea
comparatorului, prin intermediul repetorului de tensiune, un semnal de frecven 200 Hz i amplitudine
mare (poteniometrul P la maxim). La intrarea X a osciloscopului se aplic tensiunea de intrare iar la
intrarea Y semnalul de la ieirea comparatorului (borna 7).

Se modific frecvena semnalului i se constat influena acesteia asupra formei caracteristicii
de transfer; se justific, teoretic, modificrile caracteristicii de transfer.

P agi na | 59



Circuite elementare cu aplificatoare operaionale [v. 2012 2013]
Se repet msurtorile pentru R6 =120 k; E
R
=0 i apoi pentru R
6
=120 k ;
+

+
= E
R R
R
E
R
6 5
6
. Se verific relaiile (6.8), (6.9) i (6.10).

6. Se realizeaz generatorul de impulsuri dreptunghiulare (se introduce i o surs de tensiune la borna 8)
(figura 6.8) cu R
2
=12k ; R
5
=1,2k ; R
6
=120 k; E
R
=0 i C =0,22 F. Se vizualizeaz formele de und de
la ieirea circuitului i de pe borna inversoare a AO. Se msoar amplitudinile impulsurilor, frecvena de
oscilaie i factorul de umplere, verificndu-se relaia (6.11). Se repet msurtorile pentru R
6
=12 k.

Pentru R
6
=12k , rezistena R
5
se cupleaz la ieirea repetorului de tensiune, iar la borna 14 se
aplic tensiunea de alimentare pozitiv, E
+
. Se vizualizeaz forma de und la ieirea i la intrarea
inversorului AO, astfel nct pe osciloscop s se vad i componenta continu a tensiunii vizualizate.

Se constat influena tensiunii de referin asupra frecvenei impulsurilor i a factorului de
umplere.

Pentru E
R
=0 ; 2; 3; 4 V se msoar T
1
, T
2
, f i n i se compar cu valorile obinute cu relaiile
(6.12), (6.13) i (6.14).





Referatul va conine:

Referatul va conine schemele electrice ale tuturor montajelor msurate cu :
- valorile numerice ale componentelor ;
- relaiile de calcul specifice ;
- formele de und vizualizate n comparaie ;
- tensiunile de intrare, atunci cnd este cazul ;
- valorile mrimilor electrice msurate i calculate precum i comentarii asupra acestora.

Datasheet-uri :
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/SGSThomsonMicroelectronics/mXssuwx.pdf

60 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic

P agi na | 61



Filtre active cu amplificatoare operaionale [v. 2012 2013]
LUCRAREA NR. 7

FILTRE ACTIVE CU AMPLIFICATOARE OPERAIONALE



Scopul lucrrii: Studiul filtrelor active realizate cu amplificatoare operaionale prin ridicarea
caracteristicilor lor de frecven.

1. Filtrele active
Filtrele active (cu tranzistoare bipolare, cu tranzistoare cu efect de cmp sau cu amplificatoare
operaionale) realizeaz aceleai funcii ca i filtrele cu elemente pasive filtre trece jos, trece sus, trece
band, etc. dar sunt capabile s asigure o amplificare de putere supraunitar i acoper un domeniu
de frecvene mult mai larg, n special spre frecvene joase (fr a necesita bobine i condensatoare de
dimensiuni foarte mari) .
Realizarea filtrelor active cu amplificatoare operaionale prezint i avantajul unei mai bune
independene a caracteristicii de transfer i a parametrilor filtrelor de parametriI elementelor active
utilizate i, implicit, de variaia acestora la modificri ale mediului ambiant.

2. Realizarea filtrelor active cu amplificatoare operaionale
Sunt mai multe posibiliti de realizare a filtrelor active cu amplificatoare operaionale
caracterizate printr-o funcie de transfer cu doi poli, dup modul de utilizare a amplificatorului
operaional i de structura reelei pasive selective utilizate. n lucrare, amplificatorul operaional este
folosit ca o surs de tensiune comandat n tensiune (deci ca un amplificator ideal de tensiune) conform
schemei din figura 7.1.a.
Amplificatorul din figura 7.1.a este caracterizat prin:
- amplificare de tensiune, k A
u
= , dependent de cele dou rezistene din reeaua de reacie,
a
R i
b
R :
a
b
R
R
k + =1 (7.1)
- impedana de intrare ,
i
Z , foarte mare;
- impedana de ieire, 0
o
Z , foarte mic.

n acest fel, impedana de intrare i impedana de ieire nu vor afecta circuitele de reacie
selective conectate la ieirea i la intrarea amplificatorului. n continuare, pentru amplificatorul din
figura 7.1.a, realizat cu amplificator operaional, va fi folosit simbolul din figura 7.1.b.
AO
R
a
R
b
v
i
v
i
v
o
v
o
k
a) b)

Fig. 7.1. Amplificatorul de tensiune realizat cu AO
62 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
3. Schema de principiu a filtrelor active cu AO
Schema de principiu a filtrelor active realizate cu amplificator operaional folosit amplificator de
tensiune, este reprezentat n figura 7.2.
Funcia de transfer a circuitului se obine sub forma :
) 1 ( ) ( ) (
) (
) (
2 3 1 4 4 3 2 1 5
4 1
k Y Y Y Y Y Y Y Y Y
Y Y k
s V
s V
s H
i
o
+ + + + + +

= = (7.2)


v
i
v
o
k
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5


Fig. 7.2. Schema de principiu a filtrelor active cu AO

Prin particularizarea admitanelor
i
Y se pot obine filtre cu diverse caracteristici de frecven.

4. Funcia de transfer a unui filtru trece jos (FTJ)
Funcia de transfer a unui filtru trece jos (FTJ), avnd numitorul un polinom de gradul 2 este:
2
0 0
2
2
0
) (

+ +
=
s s
k
s H (7.3)
n care :
- k este amplificarea n band, la frecvene joase ;
-
0
este frecvena caracteristic a filtrului ;
- este coeficientul de amortizare.
Variaia modulului funciei de transfer, pentru un regim sinusoidal permanent, la scar dublu
logaritmic, este reprezentat n figura 7.3, pentru mai multe valori ale factorului de amortizare.
Amplificarea la frecvena caracteristic va fi :

k
j H = ) (
0
(7.4)
Aceasta nseamn c, pentru <1, se obin caracteristici de frecven cu supracreteri n band,
dar cu o scdere mai rapid a amplificrii n afara benzii de trecere.
Se observ c, pentru 0 , la frecvena caracteristic, amplificarea de tensiune tinde ctre
infinit, ceea ce arat c circuitul oscileaz pe frecvena caracteristic.




P agi na | 63



Filtre active cu amplificatoare operaionale [v. 2012 2013]













Fig. 7.3. Modulul funciei de transfer pentru diferite valori ale factorului de amortizare (FTJ)

n figura 7.4 este desenat schema unui filtru trece jos corespunztor schemei de principiu din
figura 7.2, pentru care se deduc relaiile :
2 1 2 1
0
1
C C R R
= (7.5)

(

+ + =
2
1
2 2
1 1
1 1
2 2
) 1 ( 1
R
R
C R
C R
k
C R
C R
(7.6)

v
i
v
o
k
R
1
R
2
C
2
C
1


Fig. 7.4. Filtru trece-jos

Amplificarea n band este k iar n afara benzii, la frecvene suficient de mari fa de
0
,
amplificarea scade cu 40 db pe decad, scdere specific funciei de transfer cu doi poli.

5. Funcia de transfer a unui filtru trece sus (FTS)
Funcia de transfer a unui filtru trece sus (FTS) avnd numitorul un polinom de gradul 2 este :
2
0 0
2
2
) (
+ +
=
s s
ks
s H (7.7)
n care:
10
1
0.1
0.1
1
10
H(j)
k

0

=0.1
=1
=2
64 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
- k este amplificarea n band, la frecvene nalte ;
-
0
este frecvena caracteristic a filtrului ;
- este coeficientul de amortizare al filtrului.
Variaia modulului funciei de transfer, pentru un regim sinusoidal permanent, la scar dublu
logaritmic, este reprezentat n figura 7.5 pentru mai multe valori ale factorului de amortizare.














Fig. 7.5. Modulul funciei de transfer pentru diferite valori ale factorului de amortizare (FTS)

Amplificarea de tensiune la frecvena caracteristic devine :

=
k
j H ) (
0
(7.8)
Din figura 7.5 se constat c, pentru <1, se obin caracteristici de frecven cu supracreteri n
band, dar cu o scdere mai pronunat a amplificrii pentru >
0
. Pentru 0 , amplificarea de
tensiune la frecvena caracteristic tinde spre infinit, ceea ce nseamn c circuitul oscileaz pe aceast
frecven.
v
i
v
o
k
C
1
R
1
C
2
R
2


Fig. 7.6. Filtru trece-sus

n figura 7.6, este desenat schema unui filtru trece sus corespunztoare schemei de principiu
din figura 7.2, pentru care se deduc relaiile :
2 1 2 1
0
1
C C R R
= (7.9)
10
1
0.1
0.1
1
10
H(j)
k

0

=0.1
=1
=2
P agi na | 65



Filtre active cu amplificatoare operaionale [v. 2012 2013]

(

+ + =
1 1
2 2
1
2
2 2
1 1
) 1 ( 1
C R
C R
k
C
C
C R
C R
(7.10)
Pentru filtrul trece sus, la frecvene mari, ncepe s se produc scderea amplificrii,
determinat de banda de frecvene limitat a amplificatorului operaional real utilizat; n figura 7.5,
aceast scdere este reprezentat punctat.

6. Funcia de transfer a unui filtru trece band (FTB)
Funcia de transfer a unui filtru trece band (FTB), avnd numitorul un polinom de gradul 2,
este:
2
0
0 2
0
) (
+

=
s
Q
s
s
Q
k
s H (7.11)
n care:
-
0
este frecvena caracteristic (sau de acord, de rezonan, central) a filtrului;
- Q este factorul de calitate al circuitului (inversul coeficientului de amortizare, , folosit pentru
celelalte filtre) ;
- k este amplificarea la acord a filtrului .













Fig. 7.7. Modulul funciei de transfer (FTB)

Variaia modulului funciei de transfer, la scar liniar pe ambele coordonate, este reprezentat
n figura 7.7; se definete banda de trecere a filtrului ca fiind domeniul de frecvene pentru care modulul
amplificrii este mai mare dect
2
1
din valoarea maxim a amplificrii :
Q
B
0
1 2

= = (7.12)
n figura 7.8 este desenat schema unui filtru trece band corespunztoare schemei de principiu
din figura 7.2, pentru care se deduc urmtoarele relaii :
2 1 3 2 1
0
1
R R R C C II
= (7.13)

1

1
H(j)
k

0

2

2
1
66 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic

|
|
.
|

\
|

+
+

=
2 1
2 1
3 1 2 2
2 1 3 2 1
1 1
1
C C
C C
R R R C
k
R R R C C
Q
II
II
(7.14)

v
i
v
o
k
R
1
R
2
R
3
C
1
C
2


Fig. 7.8. Filtru trece-band

Banda la 3 db, definit cu relaia (7.12) se obine sub forma :
2 1
2 1
3 1 2 2
1 2
1 1
2
C C
C C
R R R C
k
f B
B

+
+

= = =
II
(7.15)
Pentru fiecare parametru al filtrului activ (de exemplu, frecven caracteristic, factor de
calitate, etc.) se poate defini un factor de sensibilitate fa de unul dintre parametrii schemei (rezistene,
capaciti, etc.).
Pentru filtrul trece band, se calculeaz factorul de sensibilitate al factorului de calitate, Q, n
raport cu variaiile amplificrii amplificatorului de baz, conform relaiei :
k k
Q Q
S
k
Q
/
/

= (7.16)
Acest factor de sensibilitate se poate deduce din relaia (7.14).













P agi na | 67



Filtre active cu amplificatoare operaionale [v. 2012 2013]

DESFURAREA LUCRRII

1. Se identific montajul din figura 7.9. Amplificatorul operaional AO
1
se folosete ca repetor de
tensiune pentru a asigura comanda filtrelor cu generator de tensiune cu o impedan de ieire ct mai
mic. Amplificatorul operaional AO
2
este folosit cu o reacie negativ de tensiune neselectiv prin
rezistena
b
R , liniar i cu o reacie negativ neliniar, prin diodele ZENER, care intr n funciune numai
pentru semnale mari la ieire; acest circuit permite limitarea amplitudinii oscilaiilor atunci cnd se
msoar frecvena caracteristic filtrului.
Prin modificarea rezistenei
a
R se obin trei valori ale amplificrii de tensiune :
- pentru
a
R ,
b
R

= 1,8 k ; k = 1 ;
- pentru
a
R = 1,8 k,
b
R

= 1,8 k ; k = 2 ;
- pentru
a
R = 900 ,
b
R

= 1,8 k ; k = 3.

AO
R
1
R
a
R
a1
R
b1
K
1
Dz
1
Dz
2
R
b
C
1
C
2
R
2
R
1
R
2
R
1
R
2
R
3
C
1
C
1
C
2
C
2
10
4
6
5
7
8
9
12
11
14 16
15 13


Figura 7.9. Montajul de laborator

Rezistena
1 b
R = 200 , n mod normal scurt circuitat de comutatorul
1
K , se folosete pentru
mrirea amplificrii de tensiune, k , peste valoarea 3, n aa fel nct filtrul s oscileze, n scopul
msurrii frecvenei caracteristice.
Rezistena
1 a
R

= 20 se folosete pentru a realiza o mic variaie a amplificrii de tensiune
pentru a determina factorul de sensibilitate al filtrului trece band.
Se alimenteaz circuitul cu tensiunile de alimentare + 12 V (la borna 2) i 12 V (la borna 3),
borna comun a celor dou surse de alimentare fiind masa (borna 1).

2. Se realizeaz filtrul trece jos din figura 7.4, conectnd 6 cu 11 i 5 cu 12.
68 | P agi na



ndrumar laborator Electronic Analogic
Se msoar frecvena caracteristic a filtrului, pentru care se realizeaz 0 (sau 3 k ) n
condiiile n care
1
R =
2
R i
1
C =
2
C . Pentru acesta se deschide comutatorul
1
K , ceea ce asigur valoare
maxim pentru rezistena
b
R i se ia pentru
a
R valoarea minim; frecvena se msoar cu ajutorul
figurilor Lissajous sau cu un frecvenmetru numeric.
Se traseaz caracteristica de frecven a filtrului pentru cele trei valori ale amplificrii k
obinute la punctul 1. Se aplic, la intrare, la borna 10, tensiune sinusoidal de 100mV i frecven
variabil (aceeai tensiune se regsete la borna 4). Se modific frecvena n scar logaritmic (ncepnd
cu 20Hz) i se msoar tensiunea de ieire (borna 5). Se vor face msurtori i pentru alte frecvene
situate n jurul frecvenei caracteristice a filtrului. Se va nota frecvena la care tensiunea de ieire devine
maxim (dac este cazul).

3. Se realizeaz filtrul trece sus din figura 7.6, conectnd 6 cu 13 i 5 cu 14.
Se msoar frecvena caracteristic i caracteristicile de frecven pentru cele trei valori ale
amplificrii (i deci i ale coeficientului de amortizare, ) ca i pentru filtrul trece jos.

4. Se realizeaz filtrul trece band (6 cu 15, 5 cu 16).
Se msoar frecvena caracteristic (sau de acord). Se traseaz cele trei caracteristici de
frecven. La fiecare dintre ele, se vor determina i frecvenele la care amplificarea de tensiune scade cu
3 dB fa de valoarea maxim, de la acord.
Se traseaz caracteristica de frecven n cazul n care
b
R = 1,8 k i
a
R = 953 + 20 , ceea ce
determin o mic variaie a amplificrii de tensiune, n cazul n care k = 2 fa de cazul n care k = 3. Se
determin banda de trecere i frecvena de acord i se determin noua valoare a factorului de calitate,
cu relaia (12).

Referatul va conine:

- schemele electrice ale celor trei filtre studiate ;
- tabele cu frecvena caracteristic, factorul de amortizare, respectiv factorul de calitate, Q i
amplificarea n band (pentru FTJ i FTS) respectiv la acord (pentru FTB), valori msurate i valori
calculate pentru toate cele trei valori ale lui k ;
- caracteristicile de frecven ale celor trei filtre ;
- determinarea teoretic, conform relaiilor (7.16) i (7.14) i compararea experimental cu
valoarea experimental a factorului de sensibilitate al factorului de calitate Q n raport cu amplificarea
de tensiune, k , pentru filtrul trece band, cu k = 3 ;
- rezultatele simulrii
- s se calculeze caracteristica de transfer a filtrului trece band, n cazul n care amplificatorul
operaional este caracterizat prin funcia de transfer n bucl deschis :
max
0
/ 1 f f j
A
A
u
+
= (7.17)
i s se calculeze noua frecven de acord, dac
0
A = 100.000 i
max
f = 10 Hz (valori tipice pentru A
741, utilizat n lucrare).

Datasheet-uri:
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/SGSThomsonMicroelectronics/mXssuwx.pdf