4.

Imperfeciuni ale structurii cristaline 47

4. Imperfeciuni ale structurii cristaline
4.1 Tipuri de imperfeciuni structurale
Starea cristalin descris ca un aranjament perfect ordonat i periodic al
atomilor, considerai sfere rigide, este specific cristalului perfect sau ideal.
Materialul cristalin (metalic, ceramic sau polimer) obinut prin diferite
procedee tehnologice (turnare, sinterizare, deformare, tratament termic, etc.) este n
general un agregat policristalin, la care cristalele n contact au forme neregulate i
numeroase abateri de la structura cristalin ideal. ceste abateri se numesc
imperfeciuni sau defecte structurale. !ristalul real, afectat de defecte, este numit
cristalit sau grunte cristalin.
"mperfeciunile structurale se difereniaz din mai multe puncte de #edere$
1. Din punct de vedere al stabilitii n timp a deplasrii atomilor$
- imperfeciuni dinamice, care pro#oac deplasri #ariabile n timp ale
atomilor. stfel sunt #ibraiile atomilor fa de poziia de echilibru, cu frec#ene care
depind de natura i intensitatea legturii interatomice. mplitudinea acestor #ibraii
crete cu temperatura i de aceea defectul se numete agitaie termic. %ibraiile
atomilor influeneaz direct unele proprieti (conductibilitatea termic i electric,
cldura specific) sau indirect prin crearea de imperfeciuni statice&
- imperfeciuni statice, care produc deplasri stabile n timp ale atomilor i
modificri ale caracteristicilor structurii cristaline (distana interatomic, numrul de
coordinaie etc). ceste imperfeciuni au o influen important asupra proprietilor
fizico'mecanice dependente de microstructur i #or fi analizate mai jos.
2. Din punct de vedere geometric imperfeciunile statice pot fi$
- punctiforme, cu zero dimensiuni&
- liniare sau dislocaii, cu o dimensiune&
- de suprafa, cu dou dimensiuni.
3. Din punct de vedere al stabilitii termodinamice$
- termodinamic stabile, care produc creterea entropiei cristalului i se opun
creterii energiei libere. ()ist n condiii de echilibru i numrul lor depinde de
temperatur. *e e)emplu, lacunele&
- termodinamic instabile, care mresc energia cristalului. +umrul lor
depinde de natura i mrimea tensiunilor aplicate n procesul de fabricaie. stfel sunt
dislocaiile, limitele de gr,unte etc.
48 Studiul materialelor
4. Dup ordinul de mrime, defectele structurale sunt obser#abile prin$
' microscopie electronic$ defectele punctiforme grupate i dislocaiile&
' microscopie optic$ defectele de suprafa.
!antitati#, imperfeciunile structurale reprezint o mic fraciune (- la o mie
de atomi), fiind predominant dispunerea ordonat a atomilor. !u toate acestea, toate
proprietile dependente de microstructur sunt puternic influenate de aceste
imperfeciuni. stfel, rezistena la traciune a unui monocristal este de -.. p/n la
-... de ori mai mare dec/t a unui material policristalin.
0n afara acestor imperfeciuni, cristalul poate prezenta tensiuni interne
remanente, care pro#oac distorsiuni elastice ale reelei cristaline. *atorit acestor
distorsiuni, apar abateri p/n la -1 ale parametrilor de reea. 2rezena tensiunilor
interne afecteaz puternic unele proprieti, precum rezisti#itatea electric i rezistena
la coroziune a metalelor. *e asemenea tensiunile interne se nsumeaz cu tensiunile
din e)ploatare, fa#oriz/nd sau micor/nd probabilitatea apariiei deformrii plastice i
a ruperii.
4.2 Imperfeciuni punctiforme
"mperfeciunile punctiforme au zero dimensiuni, pentru c sunt la scar
atomic i dimensiunile defectului sunt de ordinul de mrime al constantei reticulare.
*efectele punctiforme n metale pot fi simple sau comple)e.
Imperfeciunile simple cuprind$ lacunele sau #acanele, atomii interstiiali i
atomii de substituie (fig. 3.-).
acunele sau vacanele sunt puncte de reea, , neocupate de atomi. Sursele
de lacune sunt regiunile cu o densitate mai mic de atomi, cum sunt suprafeele libere,
limitele de grunte, dislocaiile. *e e)emplu un atom superficial cu o energie mai
mare se poate deplasa de pe poziia de echilibru n e)terior. 2rin acelai mecanism, un
atom #ecin poate sri pe poziia lacunei formate. Se produce migrarea lacunei n
interiorul cristalului, concomitent cu deplasarea atomilor n sens opus. stfel, prezena

4
45
!
!5
!ig 4.1 Defecte punctiforme simple: A lacune; B, B atomi interstiiali;
C.C atomi de substituie

4. Imperfeciuni ale structurii cristaline 49
lacunelor fa#orizeaz procesul de autodifu"iune 6 deplasarea atomilor proprii n
cristal n absena unei diferene de concentraie.
%acanele sunt defecte termodinamic stabile, aflate ntr'o concentraie de
echilibru, la o temperatur dat. !oncentraia de echilibru de #acane crete
e)ponenial cu temperatura$
+#7+ 8 e)p ('9:#7;<) (3.-)
unde$ +# ' numrul de #acane, + ' numrul de atomi din unitatea de #olum& 9:# '
entalpia liber de formare a unei #acane& ; 'constanta lui 4oltzmann (=,>?@-.
'A
e%7atomB sau -,C=@-.
'?C
D7atomB)& < ' temperatura absolut. !onsider/nd c energia
de formare a unei #acane este 9:# 8 .,Ee%7atom, concentraia de lacune la
temperatura de -...F! este de ordinul a -.
'3
, fa de -.
'-G
la temperatura ambiant.
+umrul de atomi din unitatea de #olum se poate calcula cu relaia$
+ 8 +

H 7 (3.?)
unde$ numrul lui #ogadro +

8 >,.?C@-.
?C
atomi7mol& H ' densitatea& ' masa
atomic. Iezult c pentru cupru, la -...F! (H 8 =,3g7cm
C
, 8 >C,Ag7mol), numrul
de echilibru de #acane pe unitatea de #olum, +# 8 ?,?@-.
?A
#acane7m
C
.
Se poate obine o concentraie de #acane superioar concentraiei de echilibru
pe cale termic prin rcire rapid pentru a fi)a starea de temperatur nalt, deformare
plastic sau iradiere cu particule de energie nalt.
#tomii interstiiali sunt atomi strini, 4, sau atomi proprii, 4, n poziii
intermediare n reea.
#tomii de substituie, ! sau !J, sunt atomi strini, care ocup poziia unei
lacune.
Defectele comple$e rezult din asocierea defectelor simple (figura 3.?)$
- bivacane %i trivacane ' asocierea a dou sau trei #acane&
- interstiial disociat * ' pereche de atomi interstiiali&
- cro&dion ( ' atomi interstiiali e)tini n lungul unui ir reticular dens&
- clustere K ' aglomerri discontinue de atomi interstiiali sau de substituie
e)tinse pe zone restr/nse.
*efectele punctiforme pro#oac deformarea elastic local a reelei cristaline
i modificarea constantei reticulare (dup cum indic sgeile din figura 3.-).
%acanele i atomii de substituie, cu raza mai mic dec/t raza atomilor metalului de
baz, contract constanta reticular i introduc tensiuni interne de ntindere. tomii
(
:
B
!ig. 4.2 Defecte punctiforme complexe: D-interstiial disociat; -cro!dion; "-cluster
*
(
K
50 Studiul materialelor
interstiiali i cei de substituie, cu raza superioar razei atomului metalului de baz,
dilat constanta reticular i introduc tensiuni interne de compresiune.
2rezena defectelor punctiforme modific o serie de proprieti i cinetica unor
transformri de faz nsoite de difuzie. stfel, defectele punctiforme constituie
obstacole pentru flu)ul electronic i determin creterea rezistenei electrice. *e
asemenea, atomii de impuriti i mai ales clusterele sunt obstacole n deplasarea
dislocaiilor, conduc/nd la durificarea soluiei solide i scderea plasticitii. 2rezena
lacunelor faciliteaz procesele de difuzie i accelereaz transformrile de faz cu
difuzie. *ifuzia controleaz n mare msur comportamentul materialelor metalice la
temperaturi ridicate, n condiii de fluaj sau la tratamente termice.
0n cristalele ionice, meninerea neutralitii electrice a cristalului impune
e)istena unor perechi de defecte de
semn opus. Se disting (fig. 3.C)$
- defectul 'c(ott)*, compus
dintr'o #acan anionic i alta
cationic&
- defectul !ren)el, alctuit
dintr'o #acan i ionul propriu
dislocat interstiial.
0n polimerii organici apar n
plus o serie de defecte punctiforme n
structura lanului molecular$
- defecte de morfologie a
lanului, cum este defectul Iene;er (fig.
3.3a), care const din modificarea modului de asociere a dou uniti structurale,
urmat de configuraia iniial a lanului. Se produce o treapt n lanul molecular.
- defecte de structur sau de compo"iie c(imic a lanului. 0n figura 3.3b se
prezint o abatere de la structura lanului, c/nd apare o unitate sindiotactic ntr'un
lan izotactic.
ceste defecte influeneaz fle)ibilitatea lanului molecular la plierea n
structura cristalin, deformare elastic, #ibraii termice i mecanice.
defect
a.
b.
!ig. 4.4 Defecte #n structura polimerilor: a. $ene%er;
b. defect de structur a lanului la un polimer i&otactic
defect
a)
.
b).
+a
L
!l
M
!ig. 4.3 Defecte punctiforme #n cristale
ionice: a. "ren%el; b. '(ott%)
b. a.

4. Imperfeciuni ale structurii cristaline 51
4.!. Imperfeciuni liniare " dislocaii
4.!.1 Tipuri de dislocaii
*islocaiile sunt imperfeciuni monodimensionale, la care una dintre
dimensiuni este mult mai mare dec/t constanta reticular.
Dislocaiile sunt %iruri reticulare cu defect de coordinaie, care determin
deformarea elastic a reelei cristaline pe distane mari fa de linia dislocaiei.
!el mai simplu mecanism de generare a dislocaiilor este alunecarea asincron
(incomplet) a unei pri din cristal. Se consider un cristal, secionat cu un semiplan
ideal de tiere 4!*, de grosime infinit mic (fig. 3.Aa), numit plan de alunecare.
*irecia 4 care limiteaz intern semiplanul de alunecare, poart denumirea de linia
dislocaiei sau dislocaie. *ac se e)ercit un efort paralel cu planul 4!*, o parte a
cristalului alunec pe distane finite. *irecia, mrimea i sensul deplasrii se
caracterizeaz cu un #ector b

, paralel cu planul de alunecare, numit vectorul

+,rgers.
52 Studiul materialelor
0n funcie de poziia #ectorului b

fa
de linia dislocaiei 4, e)ist dou tipuri de
dislocaii simple$
' marginal sau pan, de tip <aNlor'
OroPan&
' elicoidal sau urub, de tip 4Qrgers&
#islocaia marginal$ se caracteri'
zeaz prin b

4 (fig. 3.Ab). 2artea de

deasupra planului de alunecare se deplaseaz
cu poriunea haurat (!!J, **J), ceea ce
produce n aceast zon o comprimare a
planelor reticulare. pare semiplanul reticular
suplimentar sau e$traplanul (4(K), cu
aspect de pan, perpendicular pe planul de alunecare i limitat de linia dislocaiei 4.
0n figura 3.> se prezint aranjamentul atomic ntr'o seciune perpendicular pe
dislocaia 4, care e#ideniaz e)traplanul K. Se obser# c linia dislocaiei 4 este
un ir reticular cu un numr de coordinaie mai redus (este nconjurat de A atomi),
care separ zona alunecat de zona rmas fi). 2rin con#enie se consider dilocaia
poziti#, dac e)traplanul este situat deasupra planului de alunecare i se noteaz ,
respecti# negati#, dac e)traplanul este sub planul de alunecare, simbolizat T.

a. b.
!ig. 4.- *enerarea dislocaiei mar+inale prin alunecare: a. cristalul secionat cu planul ideal
de t,iere -ABCD., AB - linia dislocaiei; b. dislocaia mar+inal,

!
*
4

!
*
4 !R
*R
b
e)traplan
K
(

plan de
alunecare
e)traplan
K

!ig. 4.. Dislocaia mar+inal po&iti/
#ntr-un cristal cu structur cubic

4. Imperfeciuni ale structurii cristaline 5!
#islocaia elicoidal% se caracterizeaz prin b

SS 4 (fig. 3.G). Se produce o

forfecare a cristalului, cu o deplasare relati#, pe poriunea haurat. 2lanele reticulare
se intersecteaz i apare o suprafa, care nfoar elicoidal linia dislocaiei 4,
asemenea flancului unui urub. 2rin con#enie, dislocaia se consider de dreapta, dac
se parcurge n sens orar i se simbolizeaz , respecti# de st/nga, dac suprafaa se
parcurge n sens antiorar. 0n acest caz, se simbolizeaz .
O dislocaie se e#ideniaz n reeaua cristalin cu ajutorul circuitului
+,rgers, trasat ntr'o seciune perpendicular pe linia dislocaiei (fig. 3.=). cesta este
un patrulater M+2TI construit n lungul irurilor reticulare, a#/nd laturile opuse cu
acelai numr de distane interatomice. O reea fr dislocaii permite nchiderea
circuitului. *ac n interiorul lui e)ist cel puin o dislocaie, apare un defect de
nchidere MI, egal cu modulul #ectorului 4Urgers. Mrimea MI este ntotdeauna un
multiplu al constantei reticulare.
0n majoritatea cazurilor, dislocaiile sunt comple)e, rezultate prin asocierea de
dislocaii simple.
#islocaia mi&t$ este caracterizat prin linia dislocaiei 4 curb (fig. 3.Ea),
aa nc/t diferitele segmente ale liniei 4 au o anumit poziie fa de #ectorul b

. 0n
fiecare punct al dislocaiei, #ectorul 4Qrgers este constant i poate fi descompus ntr'o
component marginal <aNlor (<), normal la linia 4 i o component elicoidal
a. b.
!ig. 4./ Dislocaia elicoidal a. +enerarea dislocaiei prin
alunecare; b. dispunerea atomilor #n 0urul axei AB

!
*
4
b
!R
*R

4

M I +
2 T
b
+ M
T 2
M
b
T
+
2
a. b. c.
!ig. 4.0 Circuitul B1r+ers #n: a. reea cristalin fr dislocaii; b. reea cu dislocaie
mar+inal; c. reea cu dislocaie elicoidal
54 Studiul materialelor
4Urgers (4), tangent la linia 4. !aracterul dislocaiei se modific n lungul liniei
dislocaiei 4. stfel, n este de tip elicoidal, apoi mi)t, iar n 4 de tip marginal.
Kormarea dislocaiilor mi)te se datoreaz faptului c o linie de dislocaie
simpl nu se oprete n interiorul cristalului. *islocaia se e)tinde p/n la nt/lnirea
suprafaei libere sau a unui obstacol ca$ alte dislocaii, limita de grunte etc. *islocaia
mi)t rezult prin nlnuirea succesi# a dislocaiilor simple marginale i elicoidale,
p/n la atingerea suprafeei cristalului sau nchiderea unei bucle de dislocaii.
0n figura 3.Eb se prezint o dislocaie mi)t plan cu forma de bucl nchis,
care limiteaz regiunea n care s'a produs alunecarea. Va modul general, dislocaia
mi)t poate a#ea o form spaial comple).
0n cristalul nedeformat, dislocaiile formeaz o reea spaial ' reeaua !ran),
n ochiurile creia reeaua cristalin este lipsit de dislocaii.
4.!.2 'riginea dislocaiilor
*islocaiile apar n procesul solidificrii prin$
- condensarea lacunelor e)istente n lichid&
- creterea preferenial a cristalelor dup treapta dislocaiei elicoidale,
incident la suprafaa de cretere&
- formarea de plane reticulare incomplete&
- alunecri cauzate de tensiunile de contact cu$ ali gruni n cretere,
incluziunile nemetalice, pereii #asului de turnare etc.
*islocaiile pot apare, de asemenea, sub aciunea tensiunilor pro#ocate de
procesul deformrii plastice, transformrile de faz cu #ariaii de #olum, alierea sau
rcirea rapid.
!antitatea de dislocaii se apreciaz prin densitatea de dislocaii , definit ca
raport ntre lungimea V a dislocaiilor din #olumul %$
H 8 V 7 % Wm
'?
X (3.C)
!ea mai redus densitate de dislocaii corespunde strii de echilibru. 0n
metalele recoapte, H 8-.
E
Y -.
-.
m
'?
i crete la -.
->
m
'?
n metalele puternic deformate
a.
*
4
*R
b
a. b.
!ig. 4.1 a. Dislocaie mixt; b. Bucl plan de dislocaii
b
<
L4
'4
'<
L<
4

4. Imperfeciuni ale structurii cristaline 55
la rece. ()primat mai sugesti#, n oelul recopt e)ist -;m de dislocaii ntr'un cm
C
, iar
dup deformarea la rece se ajunge la -.
G
;m7cm
C
.
*ensitatea de dislocaii se poate stabili prin studiul figurilor de coroziune la
microscopul optic, prin microscopie electronic sau difractometrie cu radiaii Z.
4.!.! (ropriet$ile dislocaiilor
*islocaiile sunt cele mai importante imperfeciuni structurale, cu rol
determinant asupra proprietilor dependente de structur. stfel, pe baza noiunilor de
teoria dislocaiilor, pot fi e)plicate comportarea la deformare plastic i ruperea
metalelor. *e aceea, cunoterea proprietilor dislocaiilor are o deosebit importan
teoretic i practic.
2rincipalele proprieti ale dislocaiilor sunt$
1. Dislocaiile provoac defor-
marea elastic a reelei cristaline pe
distane mari fa de linia dislocaiei
(p/n la ?. distane interatomice). 0n jurul
fiecrei dislocaii, se creaz un c/mp de
tensiuni de form cilindric cu raza C'3
diametre atomice. Va o dislocaie
marginal poziti# (fig. 3.-.), deasupra
planului de alunecare, tensiunile sunt de
compresiune, iar sub planul de alunecare,
sunt de ntindere. (nergia ( de deformare
elastic, acumulat de dislocaie se
calculeaz cu relaia$
( 8 :b
?
V (3.3)
unde$ :'modulul de elasticitate trans#ersal& b'modulul #ectorului 4Urgers& V'lungimea
dislocaiei. pariia unei dislocaii crete energia cristalului, ceea ce face ca dislocaia
s fie un defect termodinamic instabil.
2. Dislocaiile se deplasea" n cristal sub aciunea unui efort tangenial
paralel cu vectorul +2rgers %i de mrime supracritic 3
cr
.
*eplasarea dislocaiilor este fa#orizat de tendina spontan de reducere a
energiei cristalului, prin refacerea simetriei reelei cristaline.
Dislocaiile marginale se pot deplasa prin alunecare 4slip5 %i crare
4climb5.
Deplasarea prin alunecare (fig. 3.--) are loc ntr'un plan ce conine linia
dislocaiei i #ectorul 4Urgers
b

. *eplasarea este perpendicular pe dislocaie i

paralel cu direcia #ectorului b

. *eplasarea se face progresi#, p/n la eliminarea

dislocaiei sub form de treapt la suprafaa cristalului, ceea ce modific ire#ersibil
forma cristalulului sau p/n la blocarea dislocaiei de ctre obstacole.
2entru majoritatea materialelor deplasarea dislocaiilor pe planele de
alunecare constituie mecanismul de ba" al deformrii plastice la rece (temperatura
de deformare inferioar temperaturii de recristalizare). (ste un mecanism care necesit
[
!ig. 4.16 C2mpul de tensiuni
din 0urul unei dislocaii
5) Studiul materialelor
eforturi mici i nu depinde de temperatur. 0n absena dislocaiilor, eforturile de
forfecare, pentru a deplasa o parte a cristalului n raport cu alta, sunt mari, deoarece
este necesar ruperea simultan a tuturor legturilor dintre toi atomii adiaceni
planului de alunecare. *eplasarea prin cristal a unei dislocaii marginale necesit
eforturi mult mai reduse, deoarece implic numai ruperea legturilor dintre atomii a
dou iruri reticulare adiacente planului de alunecare. Mai sugesti#, deplasarea pe o
suprafa plan a unui co#or de dimensiuni mari se face mai uor prin formarea unei
cute la unul din capete i deplasarea acesteia n lungul co#orului.
0n cristalele metalice (izotrope) planele prefereniale de alunecare a
dislocaiilor marginale sunt cele de densitate atomic ma)im$ \---] pentru !K!,
\--.] pentru !%! i \...-] pentru ^!. 0n cazul cristalelor ionice, micarea
dislocaiilor este fa#orizat de planele care nu pun n contact ioni de acelai semn. *e
aceea, la MgO, care are structura !K!, planele de alunecare sunt \--.].
0
n cristalele cu legtur co#alent, dislocaiile se deplaseaz cu dificultate datorit
caracterului orientat al legturii. *in aceast cauz, ceramicele ionice i co#alente au
un numr mic de dislocaii mobile. Spre deosebire de metale, ceramicele au o
deformabilitate foarte redus, a#/nd comportament fragil. 2olimerii semicristalini sunt
de asemenea n marea lor majoritate fragili, datorit faptului c mobilitatea
dislocaiilor este limitat de prezena lanurilor moleculare i a masei amorfe.
Deplasarea prin 7crare_ a dislocaiei marginale este perpendicular pe
planul de alunecare (fig. 3.-?). 2entru poziia J4J este necesar migrarea prin difuzie
* ` * `
2lan de
alunecare
+ `
a.
+ `
b.
* `
+ `
c. d.
!ig. 4.11 /oluia deplasrii dislocaiei mar+inale po&iti/e prin alunecare

4. Imperfeciuni ale structurii cristaline 57
a irului reticular 4, iar pentru poziia _4_ aportul prin difuzie a unui nou ir
reticular. *eoarece difuzia este acti#at de creterea temperaturii, acest mecanism este
prezent numai la temperaturi ridicate. (l contribuie, de e)emplu, la deformarea
plastic la cald sau n condiii de fluaj a materialelor metalice.
Dislocaia elicoidal se deplasea" numai prin alunecare, perpendicular pe
dislocaie i #ectorul 4Urgers, asemenea interseciei lamelor unui foarfece la nchidere
sau deschidere (fig. 3.G). *eoarece linia dislocaiei este paralel cu #ectorul 4Urgers,
planul de alunecare nu este definit uni#oc i de aceea orice plan de densitate atomic
ma)im, care trece prin linia dislocaiei, este un plan de alunecare posibil. !a urmare,
la nt/lnirea unui obstacol, dislocaia elicoidal i poate schimba planul de alunecare
prin alunecare deviat 4cross slip).
!. Dislocaiile interacionea" ntre ele, n scopul reducerii energiei
cristalului.
*islocaiile din acelai plan de alunecare, de acelai tip i semn se resping,
pentru c la apropiere mresc distorsiunea reelei, iar cele de semne contrare se atrag
compens/ndu'se (fig.3.-Ca). "nteraciunea dislocaiilor de semne contrare, din plane
de alunecare paralele apropiate este aceeai i este nsoit de apariia de lacune sau
atomi interstiiali (fig. 3.-Cb).
*islocaiile marginale de acelai semn, din plane de alunecare paralele
distanate, se atrag i se dispun una sub alta ntr'o configuraie de minim energie,
numit perete de dislocaii (fig. 3.-Cc).
"nteraciunea dislocaiilor din plane de alunecare, care se intersecteaz, poate
produce o fr/ngere reciproc a dislocaiilor. par trepte n dislocaii, care nu
influeneaz deplasarea dislocaiilor marginale, dar fr/neaz deplasarea dislocaiilor
elicoidale. 0n figura 3.-Cd se prezint, generarea treaptei la o dislocaie marginal,.
4. Dislocaiile interacionea" cu defectele punctiforme.
0n interaciunea lor, dislocaiile sunt surse de lacune i de atomi interstiiali
(fig. 3.-Cb). tomii dizol#ai interstiial segreg n zonele dilatate din #ecintatea
liniei dislocaiilor. Se formeaz _atmosfere 8ottrell_ de impuriti, care micoreaz
mobilitatea dislocaiilor i cresc rezistena la deformare plastic.

4
4
545 a4a



!ig. 4.12 Deplasarea dislocaiei mar+inale prin crare din po&iia AB #n AB sau A3B3
58 Studiul materialelor
ceast interaciune e)plic fenomenul punctului de curgere la oelurile cu
coninut redus de carbon, durificarea soluiilor solide, mbtr/nirea mecanic etc.
-. Dislocaiile se multiplic prin surse !ran)-9ead.
O surs Kran;'Iead (fig. 3.-3) este o dislocaie cu capetele blocate n punctele
i 4 ale planului de alunecare (stadiul -). Sub aciunea unei tensiuni perpendiculare
pe a)a dislocaiei, superioare unei #alori critice, se produce curbarea dislocaiei
(stadiul ?) p/n, la forma unei semicerc (stadiul C). *islocaia se propag n
continuare sub forma a dou spirale, care n final se ating i formeaz o bucl nchis
(stadiile 3, A, >). 4ucla se separ de dislocaia mam (stadiul G) i un nou sector al
dislocaiei este adus n poziia iniial. Sursa continu
s emit noi dislocaii. 4ucla e)terioar crete p/n
atinge suprafaa cristalului, unde creaz o treapt sau
p/n nt/lnete un obstacol.
<ensiunea critic, care acti#eaz o surs
Kran;'Iead, este dat de relaia$

cr
8 :b 7 V (3.A)
<ensiunea critic scade pentru dislocaiile
lungi, deplasate pe distane scurte.
Mecanismul de formare de noi dislocaii prin
surse Kran;'Iead e)plic capacitatea mare de
deformare plastic a unor metale. stfel, eliminarea n
procesul de deformare plastic a dislocaiilor la suprafaa piesei este compensat de
crearea de noi dislocaii prin sursele Kran; Iead. 2e de alt parte, formarea de noi
d. c.
*8b7b
c d
d
c
c
d
lacune
d
c
atomi interstiiali
a.
b.
!ig. 4.13 4nteraciunea dislocaiilor mar+inale; a. din acela5i plan de alunecare;
b., c. din plane paralele; d. din plane perpendiculare
!ig. 4.14 'ursa "ran%-$ead

4. Imperfeciuni ale structurii cristaline 59
dislocaii, care se blocheaz intern la obstacole, determin creterea rezistenei la
deformare plastic.
.. :n planele de alunecare dislocaiile se grupea" la obstacole.
*islocaiile se acumuleaz la limita de grunte, particulele de faz secundar,
dislocaiile imobile, incluziunile nemetalice, unde genereaz un c/mp de tensiuni.
+umrul de dislocaii, care se pot bloca la un obstacol, depinde de tipul barierei,
natura materialului i de temperatur. cumularea dislocaiilor la obstacole determin
creterea rezisentei la deformare plastic i micorarea plasticitii, stare cunoscut
sub numele de ecruisare.
*epirea unui obstacol se poate face prin schimbarea planului de alunecare
sau prin ocolire. 0n figura 3.-Aa se prezint ocolirea precipitatelor de faz secundar
prin curbarea dislocaiei i formarea unor bucle de dislocaii n jurul precipitatelor.
cest proces st la baza durificrii prin precipitare.
Vimita de grunte (fig. 3.-Ab) este un obstacol, care nu poate fi ocolit i
determin blocarea dislocaiilor. :enerarea unor tensiuni suficient de mari poate
conduce la formarea de microfisuri i la iniierea ruperii.
4.!.4 Influena dislocaiilor asupra re,istenei la
deformare plastic$
*in figura 3.-> reiese c, rezistena la deformare plastic ([) a materialelor
cristaline #ariaz n funcie de densitatea de dislocaii (H) dup o curb cu minim.
0n cristalul ideal H 8 ., iar rezistena teoretic este ma)im (punct -).
Iezistena minim [
o

(punct ?) corespunde strii de echilibru a materialului
policristalin, caracterizat prin densitatea de dislocaii H
o
(-.
E
Y-.
-.
m
'?
pentru oelul
recopt). !urba [(H) #a caracteriza la H e H
.
monocristalele, iar H f H
.
6 materialele
policristaline. 0n monocristale, creterea densitii de dislocaii le micoreaz
rezistena, spre deosebire de materialele policristaline, la care creterea densitii de
dislocaii este nsoit de durificare.
0n consecin, rezistena la deformare poate crete pe dou ci$
I " crearea de monocristale cu o densitate redus de dislocaii (zona C),
pentru a obine o rezisten apropiat de cea teoretic.
a. b.
!ig. 4.1- a. 6colirea precipitatelor; b. Blocarea dislocaiilor la limita de +runte
b

Sursa Kran;'Iead
limita de grunte
microfisura
)0 Studiul materialelor
0n prezent se pot obine monocristale filiforme numite &(is)ers -englez),
barbes sau poils (francez), cu diametrul .,AY?gm i lungimi ?Y-.mm.
0n tabelul 3.- se e)emplific rezistena de rupere la traciune a unor Phis;ers
de metale i materiale ceramice, comparati# cu
ale metalelor policristaline tehnic pure.
*atorit dimensiunilor foarte mici,
monocristalele filiforme se folosesc n
materialele compo"ite, alctuite dintr'o matrice
tenace din !u, l, g, aliaj +i'!r, polimeri, i
elemente de armare din Phis;ers din h, Mo,
l
?
O
C
, 4, !, 4
3
!, Si!, fibre de sticl, etc.
Iezistena materialelor compozite este de A'-.
ori mai mare dec/t a matricei. Iezistena se
mrete cu creterea diferenei dintre modulele
de elasticitate ale matricei i fibrelor, creterea
forelor de coeziune matrice'fibre, micorarea
diametrului fibrelor i a distanei dintre ele.
;abel 4.1 $e&istena la traciune a unor !(is%ers 5i metale policristaline -78mm
9
.
Ke !u in l?OC ! (grafit) 43! Si!
Phis;ers -C... C... ??A. ?.... ?-... G... --...
material
policristalin
C.. ?A. -=. ' ' ' '
II - cre%terea densitii de dislocaii n materialelele policristaline (zona 3,
din figura 3.->). 2e acest principiu se bazeaz durificarea materialelor metalice prin
ecruisare, aliere, clirea oelului etc.
Ielaia dintre limita de curgere [
c
, ca indicator global al rezistenei la
deformare plastic i densitatea de dislocaii H este$
[
c

8 [
o
L j : b H
'-7?
(3.>)
unde [
o
' limita de curgere la starea de echilibru, recoapt& j ' coeficient de durificare,
care depinde de tipul de reea cristalin i compoziia chimic a aliajului. *ensitatea
de dislocaii se limiteaz la -.
->
Y-.
-G
m
'?
. Va #alori mai mari, se produce fragilizarea
materialului.
4.4 Imperfeciuni de suprafa$
*efectele de suprafa sunt imperfeciuni bidimensionale, dou dintre
dimensiuni fiind mult mari dec/t constanta reticular. naliza structurii unui material
policristalin (fig. 3.-G) arat c este alctuit din gruni cu orientare arbitrar a reelei
Hd H
o
[
ma)
[
o
1
!
2
4
k
[
!ig. 4.1. 4nfluena densitii de
dislocaii : asupra re&istenei la
deformare ;

4. Imperfeciuni ale structurii cristaline )1
cristaline, iar fiecare grunte poate fi subdi#izat n subgruni formai din microblocuri
n mozaic.
*efectele de suprafa, sunt$ limita de grunte, limita de subgrunte, structura
de blocuri in mozaic, limita de macl, defectele de mpachetare etc.
1. imita de grunte 4limita
la ung(iuri mari5 este suprafaa de
separaie a doi gruni cristalini #ecini,
al cror unghi b, de dezorientare a
reelelor cristaline, este de ordinul
zecilor de grade (fig. 3.-=).
Vimita de gr,unte este o zon
de tranziie, cu grosimea de dou p/n
la trei distane interatomice, care, prin
orientarea progresi# a atomilor,
asigur racordul reelelor cristaline
#ecine. :rosimea limitei de grunte i
gradul de distorsiune a reelei depind
de orientarea relati# a grunilor i de
prezena impuritilor.
Vimita de grunte este o zona
de energie intern nalt, datorit
concentrrii defectelor structurale
(lacune, atomi strini, dislocaii). 0n
consecin, limitele de grunte au
urmtoarele proprieti$
' reactivitatea c(imic
ridicat, care se manifest prin
dizol#area energic a limitelor n
medii corozi#e (coroziune
intercristalin) i prin atacul
metalografic preferenial la limita de
grunte&
' tendina spontan a grunilor de a-%i reduce energia superficial,
asigurat de raportul minim dintre suprafaa i #olumul grunilor. *e aceea, la
m,rirea temperaturii, grunii cristalini cresc, tinz/nd spre forma sferic de raz
ma)im&
' sunt sediul de iniiere a transformrilor de fa" n stare solid %i de
precipitare a noii fa"e .
Vimita dintre grunii de aceeai natur este ntotdeauna incoerent& nici un
plan cristalografic dintr'o parte a acesteia nu'i pstreaz coerena de cealalt parte,
astfel nc/t dislocaiile nu o pot tra#ersa sau ocoli. Vimita de grunte este un obstacol
la care se acumuleaz dislocaii. *e aceea, cantitatea de limit de grunte, e#aluat
prin mrimea de grunte, influeneaz puternic proprietile fizico'mecanice
dependente de microstructur. stfel, granulaia fin (cantitate mare de limit de
A>'A=
o
!ig. 4.10 'eciune cristalo+rafic printr-o
limit de +runte.
limita de
grunte
gru
nte
subgrunte
sublimita
blocuri n
mozaic
grunte
cristalin
!ig. 4.1/ <icrostructura materialului
policristalin
)2 Studiul materialelor
grunte) asigur #alori ridicate ale rezistenei mecanice la rece, rezistenei la
deformare plastic, plasticitii, tenacitii, rezistenei la oboseal, forei coerciti#e,
rezisti#itii electrice etc. :ranulaia grosier fa#orizeaz rezistena mecanic la
temperaturi ridicate, permeabilitatea magnetic, prelucrabilitatea prin achiere,
clibilitatea etc.
*ependena rezistenei la deformare plastic la rece [
c
n funcie de diametrul
mediu de grunte d se e)prim prin relaia lui <etc($
[
c
8 [
o
L ;7d
'-7?
(3.G)
unde [
o
, ; ' constante de material.
Vimitele de grunte, care separ gruni cristalini de natur diferit, se numesc
suprafee interfa"ice. ceste suprafee pot fi coerente sau incoerente.
Suprafeele interfazice coerente se caracterizeaz printr'o continuitate ntre
reelele cristaline ale celor dou faze. Se realizeaz ntre faze care au plane reticulare
nrudite din punct de #edere al distribuiei atomilor i al distanei dintre atomi. *e
e)emplu, planul \---] de la reeaua !K! i planul \...-] la reeaua ^!.
Suprafeele interfazice incoerente nu asigur continuitatea de reea i de aceea
au o mobilitate inferioar celor coerente. ceasta determin o #itez mai rapid de
cretere a precipitatelor coerente comparati# cu cele incoerente. 0n funcie de coerena
suprafeelor interfazice, precipitatele determin mecanisme diferite de durificare, fie
datorit rezistenei nt/mpinate la tra#ersarea de ctre dislocaii a precipitatelor
coerente, fie n cazul celor incoerente, datorit c/mpului de tensiuni creat prin ocolirea
precipitatelor sau la blocarea micrii dislocaiilor.
2. imita de subgrunte (sublimita sau limita la ung(iuri mici5 este o
suprafa de separaie ntre poriuni ale aceluiai grunte cristalin, dezorientate cu un
unghi b de ordinul gradelor (fig. 3.-E). Se obser# c majoritatea planelor
cristalografice i pstreaz coerena, dislocaiile put/nd trece pe aceste plane dintr'o
parte n alta a sublimitei.
Sublimita este rezultatul interaciunii dislocaiilor de acelai tip i semn din
plane de alunecare paralele. 0n figura 3.-Cc s'a prezentat un perete de dislocaii
marginale. 0ntre unghiul de dezorientare b i distana * dintre dislocaii e)ist relaia$

A'>
o
dislocatie lacuna
!ig. 4.11 'eciune cristalo+rafic printr-o sublimit.

4. Imperfeciuni ale structurii cristaline )!
b l b 7 * (3.= )
unde b este modulul #ectorului 4Urgers al dislocaiilor ce formeaz sublimita.
Sublimitele apar n procesul cristalizrii sau prin redistribuirea dislocaiilor la
recristalizarea materialului ecruisat.
3. 'tructura de blocuri n mo"aic. S'a constatat c i n absena sublimitelor,
un grunte cristalin este alctuit din microblocuri elementare de ordinul de mrime
.,.-'-m, care sunt dezorientate reciproc de la c/te#a secunde la -.'?. minute.
Structura de blocuri n mozaic este dat de reeaua Kran; de dislocaii din cristal. 0n
interiorul unui bloc nu e)ist dislocaii. !reterea densitii de dislocaii este nsoit
de finisarea blocurilor n mozaic i mrirea rezistenei la deformare plastic.
4. imita de macl este o interfa plan, coerent, n cadrul unui grunte
cristalin monofazic, care separ macla de restul cristalului.
Macla (fig. 3.?.) este o poriune din cristal deplasat, astfel nc/t reprezint
imaginea simetric a zonei rmase fi)e, n raport cu un plan de maclare. Va microscop,
macla apare ca o band cu limitele de macl paralele. Va un atac metalografic mai
intens, macla este de culoare contrast fa de restul gruntelui.
Maclele sunt de origine mecanic sau de cretere. =aclele mecanice apar n
procesul deformrii plastice. Sunt specifice pentru structurile cristaline cu puine
sisteme de alunecare, cum este structura he)agonal compact (in, !o, Mg etc.) sau
tetragonal cu #olum centrat (Sn). =aclele de cre%tere sau de recoacere apar n
procesul de recristalizare. Macle de recoacere apar la structura cubic cu fee centrate
(!u, oel austenitic etc), n urma recristalizrii materialului ecruisat.
-. Defectul de mpac(etare reprezint suprafaa de separaie ntre poriuni ale
aceluiai grunte cristalin, n care s'a produs o modificare a succesiunii normale a
planelor de densitate atomic ma)im. par n procesul cristalizrii cu #iteze mari sau
la deformarea plastic a structurilor !K! sau ^!. 0n structura !K!, succesiunea
normal a planelor este 4!4!... (fig. C.Ab), iar n zona perturbat poate fi ca la
structura he)agonal, compact, 44...(fig. C.>b). 0n structura ^!, apare n zona
perturbat succesiunea planelor de la structura !K!. 2rezena acestor defecte reduce
mobilitatea dislocaiilor i mrete rezistena la deformare plastic.
plane de
maclare
macla
plane de
maclare
atom deplasat
atom rmas fi)
!ig. 4.26 =imita de macl: a. deplasarea atomilor ; b. aspect microstructural
a. b.
limita de
macl
)4 Studiul materialelor
4.5 .e,umat /i conclu,ii
!ristalul real se abate de la modelul ideal pentru c prezint o serie de defecte
la scar atomic, care influeneaz n mod decisi# proprietile dependente de
microstructur. *in punct de #edere geometric, defectele structurale pot fi
punctiforme, liniare i de suprafa.
Defectele punctiforme, simple (#acane, atomi interstiiali sau de substituie)
sau comple)e (interstiial disociat, croPdion sau cluster), deformeaz elastic local
reeaua cristalin, introduc/nd tensiuni interne, cu efect de cretere a rezistenei
electrice i a rezistenei la deformare.
Dislocaiile sunt defectele liniare, care produc deformarea elastic a reelei
spaiale pe distane mari fa de linia dislocaiei. *islocaiile simple pot fi marginale,
dac #ectorul 4Urgers este perpendicular pe linia dislocaiei sau elicoidale, dac
#ectorul 4Urgers este paralel cu aceasta. 2rezena dislocaiilor n reeaua cristalin se
poate e#idenia cu ajutorul circuitului +2rgers. *islocaiile comple)e rezult prin
asocierea de dislocaii simple. Dislocaia mi$t se caracterizeaz printr'o linie a
dislocaiei curb, ca urmare a nlnuirii succesi#e de dislocaii marginale i elicoidale.
0n cristalul n stare de echilibru, dislocaiile alctuiesc reeaua spaial Kran;, n
ochiurile creia nu e)ist dislocaii.
*islocaiile determin n reeaua cristalin un c/mp cilindric de tensiuni
elastice, care mrete energia cristalului. "nteraciunea dislocaiilor ntre ele, c/t i cu
celelate defecte structurale este o interaciune ntre c/mpurile de tensiuni ale acestora,
care tinde s reduc energia cristalului. *eplasarea dislocaiilor prin alunecare st la
baza procesului de deformare plastic la rece a materialelor metalice. 4locarea
dislocaiilor la obstacole determin starea de ecruisare, caracterizat prin creterea
rezistenei la deformare. !eramicele i polimerii organici tridimensionali au dislocaii
cu mobilitate redus, ceea ce le confer un comportament fragil.
Iezistena la deformare plastic a unui monocristal scade cu creterea
densitii de dislocaii. Va materialele policristaline durificarea este asigurat de o
densitate mrit de dislocaii, realizat prin clire, aliere sau deformare plastic la
rece.
imitele de grunte reprezint suprafee de separaie ntre gruni cristalini, a
cror dezorientare a reelei cristaline este de ordinul zecilor de grade. Vimita ntre
gruni cristalini de aceeai natur, este incoerent. 'uprafeele interfa"ice, care
separ gruni cristalini de natur diferit, pot fi incoerente sau coerente. Suprafeele
coerente pot fi tra#ersate de dislocaii. Vimitele de grunte incoerente constitue blocaje
n planele de alunecare a dislocaiilor, cu efect de durificare. 'ublimitele sunt perei de
dislocaii, care determin dezorientarea unor #olume din gruntele cristalin sub
unghiri mici, de ordinul gradelor. Sublimitele prezint o coeren parial a planelor de
alunecare, fiind tra#ersate de dislocaii. 'tructura de blocuri n mo"aic reprezint
micro#olume dezorientate sub unghiuri sub ?. secunde, determinate de reeaua Kran;
de dislocaii. imita de macla este o interfa plan coerent, care separ macla de

4. Imperfeciuni ale structurii cristaline )5
restul gruntelui. !ontrolul strict al naturii i cantitii defectelor structurale permite
obinerea de materiale cu un comple) dorit de proprieti fizico'mecanice.