10

ALTE TIPURI DE DISPOZITIVE

SEMICONDUCTOARE DE
PUTERE
10.1 DIODA CU AVALAN}~ CONTROLAT~
Dioda obi]nuit` este sensibil` la supratensiuni inverse,
deteriorndu-se dac` tensiunea invers` este mai mare dect V
BR
. Dioda
cu avalan]` controlat`, cu structura din fig.10.1, este realizat` printr-o
tehnologie care i asigur` o uniformitate geometric` ]i chimic`.
Fig.10.1 Structura ]i simbolul Fig.10.2. Caracteristica invers`.
diodei cu avalan]` controlat`.
ALTE TIPURI DE DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 142
Tensiunea invers` este re\inut` de straturile n
-
p
-
, slab dopate.
La solicit`rile n sens invers dioda cu avalan]` controlat` permite o
putere de acela]i nivel ca n sens direct, curentul fiind uniform distribuit
n sec\iunea transversal`. Caracteristica n sens invers, inclusiv
dependen\a acesteia la temperatur` este prezentat` n fig.10.2.
Dioda poate suporta supratensiuni inverse nerepetitive, limitnd
valoarea supratensiunii, conform caracteristicilor din fig.10.2.
Aceste diode sunt utilizate fie pentru redresare obi]nuit`, fie n
circuitele de protec\ie la supratensiuni. In acest ultim caz dioda se alege
dup`
100 =
RRM R
V V (10.1)
unde V
RRM
este tensiunea invers` repetitiv` maxim` a dispozitivului
protejat, iar V
R
tensiunea invers` de avalan]` a diodei de protec\ie.

10.2 DIODA DUBL~ CU AVALAN}~
CONTROLAT~
Structura ]i cele dou` simboluri ale acestei diode sunt
prezentate n fig.10.3
Fig.10.3 Structura ]i simbolul Fig.10.4 Caracteristica static`.
diodei cu dubl` avalan]`.

Practic aceast` diod` poate fi considerat` ca fiind format` din
dou` diode cu avalan]` controlat` montate n opozi\ie. Structura
concret` a acestei diode este format` din stratul n, cu rezisten\` mare ]i
cele dou` straturi marginale p, de rezisten\` sc`zut`. Caracteristica
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 143
static`, fig.10.4, este simetric` n cele dou` cadrane de func\ionare,
pentru polarizare direct` ]i invers`.
Este utilizat`, din acelea]i motive ca ]i dioda cu avalan]`
controlat`, n circuitele de protec\ie la supratensiuni ale dispozitivelor
semiconductoare de putere.

10.3 TRIACUL
Structura triacului, fig.10.5, indic` faptul c` acesta este practic
compus din dou` tiristoare conectate antiparalel. Un tiristor, cu anodul la
electrodul E
1
, este format din straturile p
1
n
2
p
2
n
3
, iar al doilea, cu anodul
la electrodul E
2
, din straturile p
2
n
2
p
1
n
1
. Poarta G este plasat` pe stratul
special n
G
.
Caracteristica static`, fig.10.6, este simetric` n cele dou`
cadrane func\ionale, pentru polarizarea direct` ]i invers`, indicnd
proprietatea triacului de a conduce n ambele direc\ii, n func\ie de
polaritatea aplicat` la electrozii E
1
]i E
2
. Astfel pentru func\ionarea n
cadranul 1, se polarizeaz` cu plus pe E
1
, iar pentru cadranul 3, cu plus pe
E
2
.


Fig.10.5 Structura ]i simbolul triacului. Fig.10.6 Caracteristica static`.

Forma caracteristicilor statice, asem`n`toare cu a tiristorului
obi]nuit, indic` prezen\a fenomenului de autoamorsare ]i de
automen\inere n conduc\ie, I
L
fiind curentul de amorsare, I
H
curentul de
men\inere, iar V
BD
]i V
BR
sunt tensiunile de pr`bu]ire n sens direct ]i
invers.
ALTE TIPURI DE DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 144
Caracteristicile de comand` sunt de aceea]i form` ca la
tiristorul obi]nuit, fiind ns`, ca ]i cele statice, simetrice, permi\nd
intrarea n conduc\ie att pentru curen\ii de poart` pozitivi, ct ]i
negativi.
Func\ionarea triacului este asem`n`toare cu a tiristorului
obi]nuit, triacul fiind mult mai sensibil la gradiente de tensiune dv
T
/dt
]i are frecven\a de lucru pentru amors`ri alternative n ambele sensuri,
destul de redus`, ca urmare a timpului necesar pentru recombinarea
purt`torilor.
Triacul este utilizat pentru puteri mici, n special n re\elele de
c.a., pentru controlul tensiunii, respectiv puterii.

10.4 TIRISTORUL ASIMETRIC
Cunoscut n literatura de specialitate sub abrevierea ASCR
(Asymmetrical Silicon Controlled Rectifier), acest tiristor are structura
]i simbolul din fig.10.7

Fig.10.7 Structur` ]i simbol Fig.10.8 Caracteristica static`.

Diferen\ele constructive fa\` de tiristorul obi]nuit constau n :
prezen\a stratului suplimentar n
1
+
;
lungimea stratului n
-
mult redus`.
Func\ionarea n cadranul 1, fig.10.8, este identic` cu a
tiristorului obi]nuit. {n schimb n cadranul 3, ca urmare a mic]or`rii
lungimii stratului n
-
, tensiunea V
BR
este mult redus`. De asemenea, din
motivul de mai sus ]i ca urmare a prezen\ei stratului n
1
+
, se reduce
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 145
lungimea de difuzie a purt`torilor de sarcin` ]i timpul de blocare a
tensiunilor pozitive, t
q
, se mic]oreaz` de dou` pn` la trei ori, permi\nd
tiristorului s` func\ioneze la frecven\e mari, de pn` la 30 kHz. Acest
lucru conduce ]i la mic]orarea c`derii de tensiune V
TON
, ]i
corespunz`tor a pierderilor de putere n conduc\ie.
Se utilizeaz` la puteri medii ]i cu alimentare n c.c.
10.5 TIRISTORUL CU CONDUC| IE
INVERS~
Acest tiristor, abreviat prin RCT (Reverse Conducting
Thyristor), se compune dintr-un tiristor obi]nuit ]i o diod` antiparalel.
Structura acestuia ]i simbolul sunt prezentate n fig.10.9


Fig.10.9 Structur` ]i simbol. Fig.10.10 Caracteristic` static`.

Tiristorul, cu electrozi clasici, anod ]i catod este format de
straturile p
+
n
+
n
-
p n
2
+
. Dioda antiparalel, avnd anodul la catodul
tiristorului, este format` din straturile p n
-
n
1
+
.
Caracteristica static`, fig.10.10, confirm` cele prezentate mai
sus, ]i anume conduc\ia n ambele sensuri, n sens direct cu amorsare
comandat`, iar n sens invers exact ca o diod` obi]nuit`.
Are o utilizare destul de rar` ]i n aplica\ii speciale.
10.6 TIRISTORUL CONTROLAT PRIN
CMP
Abreviat prin ini\ialele FCT (Field Controlled Thyristor), acest
dispozitiv are structura ]i simbolul din fig. 10.11.
ALTE TIPURI DE DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 146

Fig.10.11 Structur` ]i simbol. Fig.10.12 Caractersitica static`.

Straturile acestui tiristor sunt cele clasice de la tiristorul
obi]nuit, stratul pozitiv, p
2
+
, fiind ns` puternic dopat. Ca urmare a
structurii poart`-catod, nglobat` n stratul n
-
, acest tiristor se comand` n
tensiune,
0 <
GK
U . (10.2)
Purt`tori minoritari din stratul por\ii sunt mpin]i, prin stratul n
-
,
spre stratul catodului. {n acest fel se creeaz` o sarcin` negativ`, care
moduleaz` conductivitatea stratului n
-
, asem`n`tor canalului de la
tranzistoarele MOSFET. Prin aceast` conductivitate controlat` se
nchide curentul anod-catod, i
T
, care va depinde, conform cu
caracteristica static` din fig.10.12, att de tensiunea anod-catod, v
T
, ct
]i de tensiunea U
GK
. Caracteristicile 1, 2 ]i 3 au raportul tensiunilor
poart`-catod n rela\ia

3 2 1 GK GK GK
U U U < < , (10.3)
iar caracteristica 0 este pentru U
GK
=0.
Acest tiristor nu r`mne n conduc\ie prin autoamorsare,
comanda trebuind s` fie permanent`.
Blocarea conduc\iei se poate realiza prin extragerea, cu ajutorul
por\ii, a sarcinilor din stratul n
-
, dup` un model asem`n`tor ca la
tiristorul GTO, adic` prin introducerea unui curent pozitiv n poart`.
{n general t
ON
]i t
OFF
sunt relativ mari ca urmare a timpului
necesar modul`rii conductivit`\ii stratului n
-
. Suplimentar cei doi timpi
sunt n rela\ia

ON OFF
t t > . (10.4)
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 147
Se utilizeaz` n aplica\ii de putere mic`, aceste tiristoare
fabricndu-se la tensiuni de sute de vol\i ]i curen\i de zeci de amperi.
10.7 TIRISTORUL MCT
Simbolizarea MCT provine de la tiristor cu control MOS (MOS
Controlled Thyristor). Modific`rile constructive au n vedere numai
partea de comand` ]i constau n ata]area la structura obi]nuit` a unui
tranzistor MOSFET n scopul realiz`rii unor comenzi de mic` putere, n
tensiune, ct ]i pentru realizarea comenzii de blocare a conduc\iei.
{ntruct structurile straturilor acestui tiristor sunt foarte
complicate, se vor prezenta complet`rile numai la nivelul schemelor
echivalente.
Prima structur`, mai simpl`, fig.10.13, con\ine numai un
tranzistor MOSFET, cu canal de tip p.
Fig.10.13 MCT cu Fig.10.14 MCT cu Fig.10.15 Simbolizarea
MOSFET pentru blocare. dou` MOSFET-uri. MCT.

Structura con\ine cele dou` tranzistoare din schema echivalent`
clasic` a tiristorului obi]nuit. Amorsarea conduc\iei se face prin curentul
pozitiv de poart`, i
G
, ca la tiristorul obi]nuit. Blocarea conduc\iei se
realizeaz` prin intrarea n conduc\ie a MOSFET-ului T
3
, prin comand` n
tensiune negativ`. Conduc\ia n acest tranzistor se nchide de la surs` la
dren, nsemnnd extragerea purt`torilor de sarcin` din baza tranzistorului
T
2
, blocarea acestuia ]i n final blocarea conduc\iei anod-catod.
A doua variant`, fig.10.14, utilizeaz` al doilea MOSFET, T
4
, cu
canal n, pentru a realiza o comand` n tensiune ]i pentru intrarea n
conduc\ie. Intrarea n conduc\ie se comand` prin
0 >
GK
U , (10.5)
prin care tranzistorul T
4
intr` n conduc\ie, polariznd baza tranzistorului
T
1
negativ, prin sarcinile injectate din sursa acestuia, comun` cu catodul
polarizat negativ. {n felul acesta tranzistorul T
1
intr` n conduc\ie ]i
ALTE TIPURI DE DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 148
furnizeaz` curentul de baz` necesar tranzistorului T
2
pentru a intra n
conduc\ie ]i a asigura amorsarea tiristorului.
Timpii tipici de intrare, respectiv ie]ire din conduc\ie, au
valoarea
sec 1 = =
OFF ON
t t (10.6)
Constructiv aceste tiristoare se realizeaz` n dou` variante,
pentru montajul cu catod comun, N-MCT, ]i pentru montajul cu anod
comun, P-MCT. Simbolizarea diferen\ei acestor tipuri de tiristoare este
obligatorie, ntruct comanda pe poart` se aplic` n raport cu electrodul
comun.






























DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 149


10 ALTE TIPURI DE DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE............141
10.1 DIODA CU AVALAN}~ CONTROLAT~...........................................................141
10.2 DIODA DUBL~ CU AVALAN}~ CONTROLAT~............................................142
10.3 TRIACUL................................................................................................................143
10.4 TIRISTORUL ASIMETRIC....................................................................................144
10.5 TIRISTORUL CU CONDUC| IE INVERS~.........................................................145
10.6 TIRISTORUL CONTROLAT PRIN CMP...........................................................145
10.7 TIRISTORUL MCT.................................................................................................147