9

TRANZISTORUL BIPOLAR CU
POART~ IZOLAT~ (IGBT)
Tranzistoarele bipolare ]i MOSFET au, fiecare n parte, o serie
de performan\e foarte avantajoase pentru aplicatii, dar ]i unele
dezavantaje care limiteaz` dimensiunea aplica\iei.
Astfel tranzistorul bipolar n raport cu cel MOSFET are
avantajele:
capacitate mai mare n curent ]i tensiune;
c`dere mic` de tensiune in conduc\ie, V
CEON
.
Pe de alt` parte dezavantajele mai importante sunt:
timpi relativ mari de comuta\ie;
curent ]i putere de comand` mare;
prezen\a satura\iei;
pericolul de distrugere prin cea de a doua str`pungere.
Tranzistorul MOSFET este avantajos din motivele:
timpi mici de comuta\ie;
comand` de putere mic`, n tensiune;
inexisten\a satura\iei ]i a celei de a doua str`pungeri.
{n schimb capacitatea de preluare a tensiunilor ]i curen\ilor este
relativ mic`.
O mbinare a avantajelor celor dou` tipuri de tiristoare s-a
reg`sit ntr-un nou dispozitiv semiconductor de putere numit tranzistor
bipolar cu poart` izolat` IGBT.
TRANZISTORUL BIPOLAR CU POART~ IZOLAT~ 134
9.1 STRUCTUR~. POLARIZARE
O structur` vertical` printr-un IGBT cu canal n este prezentat`
n fig.9.1, iar n fig.9.2 simbolizarea acestuia.
Straturile unui tranzistor IGBT sunt:
stratul colectorului de tip p
+
, nalt dopat, 10
19
/cm
3
;
stratul de s`r`cire de tip n
-
, slab dopat, 10
14
/cm
3
;
corpul p, mediu dopat, 10
17
/cm
3
;
stratul emitorului n
2
+
, nalt dopat, 10
19
/cm
3
.
Suplimentar la unele tranzistoare se mai g`se]te ]i stratul
tampon n
1
+
, nalt dopat 10
19
/cm
3
.
Dac` tranzistorul nu are stratul tampon se nume]te IGBT
simetric, n caz contrar asimetric. Influen\a prezen\ei acestui strat va fi
prezentat` interior.
Emitorul tranzistorului se conecteaz` la stratul n
2
+
prin
intermediul metaliz`rii 1, din aluminiu. Metalizarea por\ii G este
separat` de corpul p prin stratul de oxid de siliciu, 2.
Pentru analiza polariz`rii se consider` poarta izolat`.
Polarizarea direct` const` n aplicarea polarit`\ii plus pe colectorul C al
tranzistorului. Este polarizat` invers doar jonc\iunea J
2
, bariera de
poten\ial extinzndu-se n toat` grosimea stratului n
-
, IGBT-ul putnd
sus\ine tensiuni de pn` la 1500 2500V.
{n cazul polariz`rii inverse, minusul pe colector, exist` diferen\e
ntre tranzistorul simetric ]i asimetric. Astfel pentru tranzistorul
asimetric, fig.9.1, sunt polarizate invers jonc\iunile J
1
]i J
3
. Fiind
Fig.9.1 Structur`. Fig.9.2 Simbolul IGBT-ului cu canal n.
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 135
jonc\iuni de tip n
+
p, respectiv n
+
p
+
, barierele de poten\ial sunt reduse,
iar capacitatea n tensiune invers` de ordinul zecilor de vol\i.
{n cazul tranzistorului simetric, lipsind stratul n
1
+
, jonc\iunea J
1

este format` din straturile n
-
p
+
, bariera de poten\ial fiind de acela]i
ordin de m`rime ca la polarizarea direct`.
A]adar tranzistorul simetric poate func\iona alimentat att n
c.c. ct ]i c.a., n timp ce tranzistorul asimetric poate func\iona alimentat
numai cu tensiune continu`.
Se realizeaz` foarte rar ]i IGBT-uri cu canal de tip p, structura
fiind asem`n`toare, iar tipul straturilor inversat.

9.2 FUNC| IONARE.
CARACTERISTICA STATIC~
Stare de func\ionare a unui IGBT se realizeaz` dac` este
polarizat ca n fig.9.3. Produc`tori de IGBT-uri furnizeaz` mai multe
tipuri de scheme echivalente func\ionale, care permit descrierea
func\ion`rii acestui tranzistor. O astfel de schem` echivalent`
simplificat` este prezentat` n fig.9.4, unde IGBT-ul este nlocuit printr-
un tranzistor MOSFET cu canal n ]i un tranzistor bipolar pnp. Rezistorul
R
n
-1
materializeaz` rezisten\a stratului n
-
.
Tranzistorul MOSFET materializeaz` partea de comand` a
IGBT-ului care este similar` cu cea a tranzistorului MOSFET, n sensul
c` n corpul p se creeaz`, prin cmp electric, canalul de tip n. Prin acest
canal electronii injecta\i din surs`, polarizat` negativ, se reg`sesc n
dren, iar prin stratul n
-
n baza tranzistorului pnp, comandnd intrarea
rapid` n conduc\ie a acestuia. Blocarea tranzistorului pnp se face prin
blocarea conduc\iei MOSFET-ului. {n felul acesta se realizeaz` comanda
n tensiune, deci de putere mic`, ]i timpi de comuta\ie mici. Pe de alt`
parte prezen\a ntre colector ]i emitor a tranzistorului pnp asigur` o
c`dere de tensiune V
CEON
comparabil` cu cea de la tranzistoarele
bipolare. Se evit` de asemenea fenomenul satura\iei, comanda pe poart`
fiind n cmp electric.
Pozi\ia tranzistorului pnp, T
1
, n structura IGBT-ului este
prezentat` n fig.9.7.
Caracteristicile statice, i
c
=f(V
CE
), au forma din fig.9.5 ]i se
analizeaz` mpreun` cu caracteristica de transfer i
c
=f(V
GE
) din fig.9.6.



TRANZISTORUL BIPOLAR CU POART~ IZOLAT~ 136


{n ceea ce prive]te familia de caracteristici statice se definesc
zonele:
dreapta V
CESUS
, , care limiteaz` tensiunea maxim` admis` n sens
direct, la valori mai mari dect V
CESUS
ap`rnd fenomenul primei
str`pungeri, cu acelea]i caracteristici ca la tranzistoarele bipolare;
zona activ`, cu acelea]i propriet`\i ca la MOSFET;
zona ohmic`;
pentru tranzistoarele simetrice tensiunea V
BR
, de pr`bu]ire n sens
invers.
Caracteristica de transfer are exact acelea]i propriet`\i ca la
tranzistorul MOSFET.
Stabilirea punctului de func\ionare se face n acela]i mod ca la
tranzistorul MOSFET, n sensul [ndeplinirii condi\iilor:
Fig.9.3 Schem` de func\ionare. Fig.9.4 Schem` echivalent` simplificat`.
Fig.9.5 Caracteristica static`. Fig.9.6 Caracteristica de transfer.
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 137
s` asigure la curent maxim, tensiune V
CEON
minim`, punctul de
func\ionare plasndu-se pe curba de separa\ie ntre zonele activ` ]i
ohmic`;
punctul de func\ionare s` se g`seasc` n interiorul ariei de
func\ionare sigur`, SOA, de form` asem`n`toare cu cea de la
MOSFET.
Tensiunea V
CEON
, care caracterizeaz` IGBT-ul, are valori ntre
0,9 , 2,2V.
Alegerea ]i calculul regimului termic urmeaz` aceea]i
metodologie de la tranzistorului MOSFET.

9.3 AUTOAMORSAREA
Structura IGBT-ului este practic de tipul pnpn, identic` cu cea a
unui tiristor obi]nuit. Din acest motiv IGBT-ul este suspect de apari\ia
fenomenului de autoamorsare, dup` modelul de la tiristorul obi]nuit.

{n mod normal curentul de colector se nchide ntre stratul de
colector p
+
]i stratul de emitor n
+
, traversnd corpul p. Acest curent este
desenat cu linie continu` n fig.9.7. Pentru a se evita efectele nedorite ce
apar la MOSFET, metalizarea emitorului acoper` par\ial ]i corpul
tranzistorului. Astfel poate s` apar` a]a numitul curent lateral, i
L
, desenat
cu linie ntrerupt`, direct ntre colector ]i emitor, f`r` traversarea
stratului n
2
+
. Se pune astfel n eviden\` un alt tranzistor, T
2
, de tip npn,
format din straturile n
-
pn
2
+
, care completeaz` schema echivalent`
Fig.9.7 Autoamorsarea. Fig.9.8 Schem` echivalent` complet`.

TRANZISTORUL BIPOLAR CU POART~ IZOLAT~ 138
simplificat` din fig.9.4, dup` schema din fig.9.8. Acest tranzistor are
ntre baz` ]i emitor rezistorul R
c
, care corespunde rezisten\ei corpului p.
{nchiderea curentului lateral, i
L
, prin corp produce c`derea de
tensiune u
L
, fig.9.8, cu polaritatea plus pe baz`, propor\ional` cu acest
curent. Cnd curentul de colector este relativ mare ]i curentul lateral i
L

cap`t` valori apreciabile. Tensiunea u
L
din baza tranzistorului T
2
devine
suficient de mare nct tranzistoarele T
1
]i T
2
, a c`ror schem` este
identic` cu cea de la tiristorul obi]nuit, s` intre n procesul de
autoamorsare.
Efectele autoamors`rii conduc la:
intrarea n satura\ie a celor dou` tranzistoare T
1
]i T
2
nso\it` de o
cre]tere accentuat` a curentului de colector ]i distrugerea IGBT-ului;
imposibilitatea bloc`rii conduc\iei prin comand` pe poart`, aceasta
fiind dezactivat` prin apari\ia autoamors`rii;
blocarea conduc\iei se poate realiza numai prin anularea curentului
de colector prin acelea]i mijloace ca la tiristorul obi]nuit.
Evitarea acestui fenomen se realizeaz` n dou` moduri. Pentru
structuri de tipul celei din fig.9.7 trebuie men\inut curentul de colector

CM c
I i , (9.1)
unde I
CM
este curentul maxim de colector admis de IGBT pentru care nu
apare fenomenul autoamors`rii.
A doua variant`, care evit`
limitarea de mai sus, const` n modificarea
constructiv` prezentat` n fig.9.9. Evitarea
autoamors`rii const` n mic]orarea
tensiunii u
L
prin reducerea rezisten\ei
corpului R
C
, n zona de nchidere a
curentului lateral. {n acest sens corpul se
realizeaz` din dou` regiuni, p cu doparea
de 10
17
/cm
3
]i p
+
cu dopare 10
19
/cm
3
.
Regiunea p
+
, avnd evident o
conductivitate mai mare, va conduce la o
tensiune u
L
redus` ]i se va evita intrarea n
conduc\ie a tranzistorului T
2
]i apariatia
fenomenului de autoamorsare.
Pericolul apari\iei acestui
fenomen este sporit n procesul de blocare
a conduc\iei, cnd ca urmare a curentului relativ mare ]i a tensiunii
colector-emitor n cre]tere, tensiunea u
L
scap` de sub control ]i IGBT-ul
Fig.9.9 Structur` pentru
evitarea autoamors`rii.
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 139
r`mne n conduc\ie, de]i comanda pe poart` este activat` pentru ie]irea
din conduc\ie.

9.4 CARACTERISTICI DINAMICE.
CIRCUITE DE COMANDA PE POART~
Intrare ]i ie]ire din conduc\ie a IGBT-ului, avnd n vedere
structura de comand`, este identic` cu a MOSFET-ului, n sens c`
efectul capacit`\ilor parazite poart`-emitor, C
GE
, ]i poart`-colector, C
GC
,
intervin n procesul de comuta\ie n acela]i mod ca ]i capacit`\ile C
GD
]i
C
GS
.
Diferen\ele care apar constau n:
timpi mai mari de intrare n conduc\ie, t
ON
, ]i ie]ire din conduc\ie
t
OFF
, valorile fiind de ordinul sutelor de nanosecunde;
la nceputul ie]irii din conduc\ie, naintea nceperii sc`derii
curentului de colector, apare un vrf destul de nsemnat al acestui
curent, cauzat de nceperea recombin`rii golurilor din stratul de
colector;
la tranzistorul asimetric prezen\a stratului tampon n
1
+
, asigur` o
recombinare direct` a golurilor din stratul de colector, reducnd
supracurentul ]i mic]ornd substan\ial timpul de blocare t
OFF
;
ca urmare a impedan\ei mari de intrare a circuitului de poart` pot s`
apar` oscila\ii ale comenzii, motiv pentru care se introduc filtre pe
semnalul de comand`, iar conexiunile circuitului de comand` se
realizeaz` cu lungime ct mai mic`. Un circuit tipic de comand` pe
poart`, fig.9.10, este aproape identic cu cel de la MOSFET.
Diferen\ele constau n:
prezen\a filtrului RC pentru prentmpinarea oscila\iilor comenzii;
Fig.9.10 Circuit de comand` pe poart`.
TRANZISTORUL BIPOLAR CU POART~ IZOLAT~ 140
polarizarea negativ` la ie]irea din conduc\ie cu scopul de a reduce
vrful de curent de la nceputul bloc`rii.
Nivelul polariz`rii negative este de maxim 5V nivel la care
reducerea vrfului de curent este substan\ial`. Peste aceast` valoare
vrful de curent nu se mai mic]oreaz`.
Se men\ioneaz` c` acest vrf de curent este suportat f`r`
probleme de IGBT, reducerea lui fiind, cel mai adesea, solicitat` de
sarcin` .
Simulitudinea comenzii IGBT-urilor ]i MOSFET-urilor merge
pn` la identitate, n sensul c` se realizeaz` drivere de poart` integrate cu
utilizare pentru ambele tipuri de tranzistoare.

9.5 CIRCUITE DE PROTEC| IE
Protec\iile necesare pentru un IGBT sunt acelea]i de la
MOSFET ]i se realizeaz` n acela]i mod. In privin\a protec\iei la
supracurent, se men\ioneaz` utilizarea numai a primei metode, ca urmare
a faptului c` nu se realizeaz` IGBT-uri cu senzor de curent nglobat.
O alt` diferen\` const` n sensibilitatea IGBT-ului la gradient de
tensiune dV
CE
/dt n procesul de ie]ire din conduc\ie. Astfel dac`
gradientul este prea mare poate s` apar` fenomenul de autoamorsare.
Produc`torii indic` o arie de operare sigur` la polarizare a por\ii invers`,
RBSOA, fig.9.11, care limiteaz` valorile curentului de colector i
C
, n
func\ie de gradientul dv
CE
/dt, pentru v
GE
<0.
Oricum gradientul dv
CE
/dt
admis este mult mai mare fa\` de
celelalte dispozitive semiconductoare
de putere. Mic]orarea gradientului
dv
CE
/dt se realizeaz`, la fel ca la toate
dispozitivele semiconductoare de
putere, prin circuite RC n paralel
colector-emitor, dup` modelul de la
MOSFET.
Avnd n vedere capacitatea
mare n curent a IGBT-urilor, uneori se
utilizeaz` doar o capacitate n paralel
cu circuitul colector-emitor.



Fig.9.11 Aria de operare sigur`
RBSOA.

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 141
9 TRANZISTORUL BIPOLAR CU POART~ IZOLAT~ (IGBT)................................133
9.1 STRUCTUR~. POLARIZARE...............................................................................134
9.2 FUNC| IONARE. CARACTERISTICA STATIC~...............................................135
9.3 AUTOAMORSAREA .............................................................................................137
9.4 CARACTERISTICI DINAMICE. CIRCUITE DE COMANDA PE POART~.....139
9.5 CIRCUITE DE PROTEC| IE ..................................................................................140