8

TRANZISTORUL MOSFET DE
PUTERE
Din multitudinea tranzistoarelor utiliznd tehnologia MOS
(metal-oxid-semiconductor) ]i efectul de cmp (FET), n electronica de
putere se utilizeaz` cu prec`dere cele cu canal indus. Fa\` de
semiconductoarele de putere prezentate anterior tranzistorul MOSFET
cu canal indus se caracterizeaz` prin dou` diferen\e esen\iale:
crearea canalului de conduc\ie prin cmp electric, deci printr-o
comand` de putere redus`;
asigurarea conduc\iei n canal prin purt`tori de tip minoritar.
Exemplificarea acestor diferen\e este prezentat` prin structura
simplificat` din fig.8.1. Structura este format` din corpul p, cu o dopare
de 10
17
/cm
3
, n care se realizeaz` dou` incluziuni n
1
+
]i n
2
+
, nalt dopate,
Fig.8.1 Principiu de realizare a unui MOSFET cu canal indus.
SiO
2

TRANZISTORUL MOSFET DE PUTERE 118
10
19
/cm
3
, numite dren (D) ]i surs` (E).
Al treilea electrod, poart` G, este conectat la corpul p printr-un
strat izolant de oxid de siliciu (Si O
2
).
Dac` se polarizeaz` pozitiv poarta G n raport cu sursa S, n
corpul p se creaz` un cmp electric pozitiv, care va atrage n zona por\ii
purt`tori minoritari din p, electronii. Densitatea de purt`tori atra]i va
depinde evident de intensitatea cmpului electric creat. Sarcina realizat`
n acest mod formeaz` a]a numitul canal n indus. Dac`, n continuare,
se polarizeaz` pozitiv drenul D n raport cu sursa S, electronii din stratul
n
2
+
vor fi mpin]i din stratul n
2
+
]i atra]i de stratul n
1
+
, formnd un curent
electric, care se nchide prin canalul realizat n corp. Densitatea
electronilor din canalul indus, fiind controlat` de intensitatea cmpului
electric produs de poart`, determin` conductivitatea canalului, ]i deci
intensitatea curentului electric care se nchide, n sens tehnic, de la dren
la surs`.
Avnd n vedere cele prezentate mai sus rezult` deosebirile
func\ionale:
c`dere mai mare de tensiune dren-surs`, ca urmare a densit`\ii reduse
a purt`torilor de sarcin` din canal;
un timp de ie]ire din conduc\ie, t
OFF
, redus, din acelea]i motive;
comanda pe poarta n tensiune.


8.1 STRUCTURA. POLARIZARE
O structur` real` a unui tranzistor MOSFET de putere cu
canalul indus n este prezentat` n fig.8.2. Fa\` de structura de principiu
din fig.8.1, apar unele diferen\e:
prezen\a stratului s`rac, n
-
, cu o dopare de 10
14
10
15
/cm
3
;
realizarea inter\esut` a ansamblului corp-surs`, respectiv poart`-
surs`, n scopul asigur`rii unei ct mai bune p`trunderi a cmpului
electric n corp;
realizarea de structuri de felul celei din fig.8.2, cu sec\iune
transversal` redus` ]i conectarea, n acela]i cip, pentru curen\i mari,
a mai multor asemenea structuri n paralel, prin intermediul
metaliz`rii.




DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 119
Structura de tip cu canal indus p, care se realizeaz` mai rar,
are aceea]i construc\ie, fiind inversate doar tipurile straturilor, structura
ntre dren ]i surs` fiind p
1
+
p
-
, n, p
2
+
.
Structura complicat` a tranzistorului MOSFET de putere
introduce o serie de efecte parazite. Cele mai notabile sunt capacit`\ile
parazite ale jonc\iunilor, fig.8.2;
capacitatea dren-surs`, C
DS
;
capacitatea poart`-surs`, C
GS
;
capacitatea poart`-dren C
GD
.
De asemenea ansamblu n
-
p n
2
+
formeaz` un tranzistor bipolar
pnp parazit, iar pn
-
o diod` parazit`, care au influen\e n regimurile de
func\ionare ale tranzistorului.
{n fig.8.3 sunt prezentate
simboliz`rile uzuale pentru
tranzistor cu canal n, fig.8.3a, ]i cu
canal p, fig.8.3b.
Polarizarea direct` a
tranzistorului, cu poart` izolata,
nseamn`, pentru tranzistorul cu
canal n, polaritatea plus pe dren.
J onc\iunea polarizat` invers este
J
1
, n
-
p, tensiunea depinznd de
grosimea stratului n
-
. Se
realizeaz` n mod obi]nuit tranzistoare cu tensiuni pn` la 1000V.
Polarizarea invers`, polaritatea minus pe dren, va fi sus\inut` de
jonc\iunea J
2
, n
2
+
p, fiind de ordinul a 10 20V. Concluzia const` n
Fig.8.2 Structuta unui MOSFET cu canal n-indus.
Fig.8.3 Simbolizarea MOSFET-ului.
TRANZISTORUL MOSFET DE PUTERE 120
aceea c` tranzistorul MOSFET poate lucra numai cu alimentare n c.c. ]i
anume polarizat pozitiv.
Tranzistoarele cu canal p au o func\ionare identic`, polariz`rile
fiind de sens opus n raport cu cele de la tranzistorul cu canal n.

8.2 CARACTERISTICA STATIC~
Se consider` un tranzistor cu canal n inclus n circuitul din
fig.8.4. Caracteristicile statice, fig.8.5, se analizeaz` mpreun` cu
caracteristica de transfer, fig.8.6.


Fig.8.4 Schem` de func\ionare. Fig.8.5 Caracteristici statice. Fig.8.6 Caracteristica
de transfer.

La nivelul caracteristicii de transfer se constat` c` pentru

GSP GS
V V < , (8.1)
unde V
GSP
se nume]te tensiune de prag, curentul de dren, i
D
, este nul.
Peste aceast` valoare i
D
este practic propor\ional cu tensiunea poart`-
surs`. {n fig.8.6 caracteristica real` este prezentat` cu linie ntrerupt`
(2), iar cea idealizat` cu linie plin` (1). Tensiunea V
GSP
este de ordinul
vol\ilor.
Familia de caracteristici statice este concretizat` prin mai multe
zone:
Dreapta V
BDDS
, limitnd tensiunea maxim` admis` n sens direct.
Dep`]irea acestei tensiuni produce cre]terea curentului i
D
]i
distrugerea, prin multiplicarea n avalan]` a purt`torilor de sarcin`, a
jonc\iunii dren-corp. Fenomenul este asem`n`tor primei str`pungeri
de la tranzistorul bipolar.
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 121
Zona activ`, caracterizat` prin curen\i de dren constan\i ]i tensiuni
dren-surs` variabile. Curentul de dren este puternic dependent de
tensiunea poart`-surs`. {n fig.8.5 tensiunile poart`-surs` sunt n
raportul

GSP GS GS GS GS
V V V V V > > > >
1 2 3 4
. (8.2)
De asemenea n aceast` zon` sunt valabile rela\iile pentru
tensiunea dren-surs`,

GSP GS DS
V v v > (8.3)
]i pentru curentul de dren
[ ]
2
GSP GS D
V V k i = , (8.4)
unde k este o constant` a tranzistorului.
Zona ohmic`, caracterizat` prin tensiuni dren-surs` mici, unde exist`
rela\ia

GSP GS DS
V v v < . (8.5)
{n aceast` zon` curentul de dren este dat de

2
DS D
v k i = . (8.6)
Separa\ia dintre cele dou` zone, dreapta 1, este caracterizat`
prin

GSP GS DS
V v v = . (8.7)
Din punct de vedere al electronicii de putere, unde tranzistorul
este utilizat n regim de comuta\ie, starea de blocare se ob\ine prin
0 =
GS
v , (8.8)
iar cea de conduc\ie prin puncte de func\ionare unde v
DS
este minim, iar
i
D
maxim. Acest compromis se poate ob\ine pe curba 1, de separa\ie ntre
cele dou` zone, activ` ]i ohmic`. Tensiunile v
DS
, realizabile n condi\iile
de mai sus, sunt sensibil mai mari ca la tranzistorul bipolar, lund valori
ntre 1,5 3V.
Zona ohmic` nu trebuie confundat` cu zona de satura\ie de la
tranzistorul bipolar, fenomenul satura\iei neexistnd la tranzistorul
MOSFET.

TRANZISTORUL MOSFET DE PUTERE 122
8.3 CARACTERISTICI DINAMICE
Pentru analiza caracteristicilor dinamice se consider`
tranzistorul introdus n schema din fig.8.7, unde sarcina, de tip R+L, este
asimilat` unui generator de curent constant.
Alimentarea circuitului de poart` se face prin a]a numitul driver
de poart`, DG. {n fig.8.7 s-au figurat ]i capacit`\ile parazite C
GD
]i C
GS
,
care joac` un rol important n realizarea comuta\iei tranzistorului.

8.3.1 INTRAREA {N CONDUC| IE
Se presupune c` driverul de poart` DG poate furniza un semnal
treapt`, E
G
, fig.8.8. Acest semnal nu este identic cu tensiunea v
GS
ca
urmare a prezen\ei condensatoarelor parazite C
GD
]i C
GS
, care ncep un
proces de nc`rcare. {n acest fel, de]i s-a aplicat la intrare un semnal
treapt`, tensiunea v
GS
are o cre]tere exponen\ial` cu o constant` de timp
( )
GS GD G
C C R + =
1
1
, (8.9)
unde R
G
este rezisten\a din circuitul de poart`, iar curentul de nc`rcare
al condensatoarelor parazite se nchide dup` circuitele din fig.8.9a,
practic cele dou` condensatoare fiind conectate n paralel.
Tensiunea dren surs` avnd valoarea

d DS
V v = , (8.10)
capacitatea parazit` C
GD
, care este variabil` n func\ie de v
DS
, fig.8.10,
are valoarea
1
GD
C .
Primul interval din procesul de intrare n conduc\ie, fig.8.8, se
nume]te timp de ntrziere, t
d
, fiind generat de faptul c`

GSP GS
V v < , (8.11)
interval n care
0 =
D
i (8.12)
]i

d DS
V v = . (8.13)
Dup` t
d
, tensiunea poart`-surs` devine mai mare ca V
GSP
]i
curentul de dren ncepe s` creasc` cu un gradient di
d
/dt determinat de
sarcina R, L. Intervalul de timp n care curentul cre]te la valoarea de
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 123
regim sta\ionar I
0
se nume]te timp de cre]tere a curentului t
ri
. {n aceast`
perioad` curentul de nc`rcare a condensatoarelor parazite ncepe s` se
nchid` ]i prin tranzistor, circuitul dren-surs`.
Pe intervalul
1
fv
t ncepe sc`derea tensiuii-dren surs`, ca urmare
a faptului c` tranzistorul se g`se]te n zona activ`.



Fig.8.8 Intrarea n conduc\ie.
Fig. 8.7 Circuit pentru analiza regimurilor
dinamice.
TRANZISTORUL MOSFET DE PUTERE 124



Mic]orarea tensiunii v
DS
este mai
accentuat` ca urmare a deschiderii, pentru
timp scurt la sfr]itul intervalului t
ri
, a
diodei de regim liber n. Mai mult,
urmeaz` blocarea conduc\iei acestei
diode, eviden\iat` prin curentul I
RRM
, care
se suprapune peste curentul de dren,
fig.8.8.
Pe urm`torul interval,
2
fv
t ,
tensiunea dren-surs` scade mai lent ca
urmare a trecerii tranzistorului n zona ohmic`, n final atingndu-se
valoarea de regim sta\ionar V
DSON
.
Pe intervalele
1
fv
t +
2
fv
t , practic nc`rcarea condensatoarelor
nceteaz` ca urmare a modific`rii capacit`\ii C
GD
dup` fig.8.10.
La sfr]itul intervalului
2
fv
t , rencepe nc`rcarea
condensatorului parazit poart`-dren, prin circuitul din fig.8.9b ]i dup`
constanta de timp
( )
1
2 GD DSON G
C R R + = , (8.14)
unde R
DSON
este rezisten\a dren-surs` pentru starea n conduc\ie a
tranzistorului.
Timpul de intrare n conduc\ie este

2 1
fv fv ri d ON
t t t t t + + + = . (8.15)
Fig.8.9 {nchiderea curentului de nc`rcare a condensatoarelor parazite.
Fig.8.10 Varia\ia capacit`\ii C
GD.

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 125
Ca urmare a propriet`\ilor tranzistorului, t
OFF
este de ordinul
zecilor de nanosecunde, cel mult sute de nanosecunde, permi\nd
func\ionarea acestuia la frecven\e de ordinul sutelor de kHz.
Supracurentul produs de I
RRM
este neesen\ial pentru tranzistor,
astfel c` nu se iau m`suri speciale de protec\ie.
{n privin\a pierderilor de putere acestea sunt importante pe
intervalul de comuta\ie propriu-zis,

2 1
fv fv ri C
t t t t + + = , (8.16)
]i ca urmare a frecven\ei mari de lucru, provoac` un regim termic
important. Ca urmare n cadrul regimului termic al tranzistorului acestea
se iau n calcul, furnizorii oferind energia de pierderi pentru o comuta\ie,
E
JC
, puterea de comuta\ie calculndu-se cu
f E P
JC C
= , (8.17)
unde f este frecven\` de comuta\ie.

8.3.2 IE}IREA DIN CONDUC| IE
Pentru a se ob\ine blocarea conduc\iei trebuie ca tensiunea
poart`-surs` s` fie

GSP GS
V v < . (8.18)
Evident c` valoarea normal` este
0 =
GS
v , (8.19)
care se poate realiza prin desc`rcarea condensatoarelor parazite C
GD
]i
C
GS
.
Considerndu-se aceste condensatoare nc`rcate la valoarea
anterioar`, +E
G
, desc`rcarea are loc dup` graficul din fig.8.11.
Procesul de ie]ire din conduc\ie este unul invers celui de intrare
n conduc\ie. Presupunnd c` la t =0, tensiunea
0 =
G
E , (8.20)
timpul de ie]ire din conduc\ie

fi rv rv d OFF
t t t t t + + + =
2 1
, (8.21)
este generat de timpul de desc`rcare al condensatoarelor, proces care
decurge invers ca la intrarea n conduc\ie. Timpul de ntrziere t
d
este
TRANZISTORUL MOSFET DE PUTERE 126
cauzat de necesitatea
mic]or`rii tensiunii v
GS

astfel nct tranzistorul
s` nceap` s` ias` din
zona ohmic`, urmnd
timpii de cre]tere a
tensiunii
1
rv
t n zona
ohmic` ]i
2
rv
t n zona
activ`.
Timpul de
ie]ire din conduc\ie t
OFF
,
rela\ia (8.21), este de
acela]i ordin cu t
ON
, iar
problema pierderilor de
putere identic` ca la
intrarea n conduc\ie.
Supratensiuni pot apare ca urmare a sarcinii inductive la
modificarea gradientului de curent la nceputul intervalului t
fi
, n acela]i
mod ca la tranzistorul bipolar.

8.4 CIRCUITE DE COMAND~ PE POART~
Circuitele de comand` pe poart` trebuie s` realizeze
urm`toarele condi\ii:
asigurarea unei tensiuni v
GS
>V
GSP
pentru intrarea n conduc\ie;
anularea tensiunii v
GS
pentru ie]irea din conduc\ie;
separarea galvanic` ntre circuitul de comand` ]i cel de putere, dren-
surs`.
{n fig.8.12 este prezentat un circuit tipic de comand` pe poart`.
Comanda este produs` de generatorul G, care furnizeaz` la ie]ire un
semnal logic. Prin optocuplorul T
3
se realizeaz` separarea galvanic`.
La semnul logic 1 n colectorul lui T
3
, tranzistorul MOSFET T
1

este n conduc\ie, asigurnd prin R
G
comanda de intrare n conduc\ie a
lui TP. Prin inversorul U tiristorul T
2
este blocat, avnd pe poart` semnal
nul.
La inversarea comenzii, T
1
se va bloca, iar T
2
intr` n conduc\ie
asigurnd desc`rcarea condensatoarelor parazite. Uneori, pentru
mic]orarea lui t
OFF
, se practic` polarizarea negativ` a tranzistorului T
2
,
pentru a m`ri curentul de desc`rcare.
Fig.8.11 Ie]irea din conduc\ie.
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 127
Circuitele reale de comand` pe poart` au n vedere prezen\a mai
multor tranzistoare, n func\ie de schema convertorului. In acest caz se
utilizeaz` circuite integrate specializate, care permit comanda mai multor
tranzistoare, asigurarea unor protec\ii, precum ]i a altor cerin\e generate
de tipul de convertor.
8.5 FUNC| IONAREA N CONDUC| IE
Dimensionarea tranzistoarelor MOSFET se face dup` tensiune
]i curent, n acela]i mod ca la celelalte dispozitive semiconductoare de
putere.
{n tensiune, avnd n vedere ]i eventualele supratensiuni din
procesul de ie]ire din conduc\ie, alegerea const` n stabilirea tensiunii

d BDDS
V k V > , (8.22)
unde V
d
este tensiunea de alimentare, iar
k =1,5 2 , (8.23)
n func\ie de eficienta circuitelor de protec\ie la supratensiuni.
Fig.8.12 Circuit de comand` pe poart`.
Fig.8.13 Aria de operare sigur`.
TRANZISTORUL MOSFET DE PUTERE 128
Curentul nominal al tranzistorului i
D
se alege n func\ie de
curentul solicitat de convertor I
d
, regimul de func\ionare, continuu sau
intermitent, ]i temperatura de func\ionare estimat`. La fel ca la
tranzistorul bipolar esen\ial` este ncadrarea punctului de func\ionare n
aria de operare sigur`, SOA, fig.8.13.
Aceast` arie con\ine trei limit`ri:
la tensiunea maxim` n sens direct, V
BDDS
;
la curent maxim, n c.c. , i
D
, iar n regim de impuls, I
DM
;
la putere maxim` disipat` n tranzistor, curbele nclinate.
Pentru alegerea curentului nominal se utilizeaz` caractersiticile
statice, n general pentru temperatura maxim` de utilizare, urm`rind
ncadrarea lor n SOA.
Esen\ial este ns` calculul regimului termic dup` acela]i model
ca la diode ]i tiristoare, lundu-se n calcul att puterea disipat` n regim
sta\ionar ct ]i n comuta\ie, componente furnizate de produc`tori. In
general pierderile n conduc\ie se calculeaz` cu

d DSON J
I V p = , (8.24)
unde V
DSON
se determin` din caracteristica static` pe care func\ioneaz`
tranzistorul. Avnd n vedere c` V
DSON
este mai mare dect la
tranzistoare bipolare, pierderile de putere (8.24) sunt sensibil mai mari ]i
cresc cu cre]terea temperaturii jonc\iunilor.
De asemenea pierderile n comuta\ie sunt dependente de
rezisten\a de poart` R
G
, produc`torii indicnd rezisten\e standard de
utilizat.
8.6 CIRCUITE DE PROTEC| IE
Pentru tranzistoare MOSFET sunt necesare mai multe circuite
de protec\ie.
O prim` protec\ie se refer` la circuitul poart`-surs`.
Supratensiunile poart`-surs` pot produce str`pungerea stratului de oxid
de siliciu. {n general tensiunile maxime poart`-surs` admise sunt de pn`
la 25 30V. Supratensiunile pot s` provin` din circuitul de comand` pe
poart`, de la sursa E
C
, fig.8.12, acestea putnd fi u]or controlate,
utiliznd o surs` stabilizat`. Supratensiunile mai pot proveni ]i din
circuitul dren-surs`, n special la comut`ri. {n unele scheme de comand`,
aceste supratensiuni se anihileaz` prin prevederea n paralel cu
tranzistoarele T
1
]i T
2
, fig.8.12, a unor diode antiparalel. La apari\ia pe
poart` a unor supratensiuni mai mari ca E
C
, indiferent de polaritate, una
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 129
din aceste diode se deschide ]i limiteaz` m`rimea supratensiunii la valori
admise.
Dificult`\i produc ]i subtensiunile din circuitul poart`-surs`.
Mic]orarea accidental` a tensiunii poart`-surs` produce mic]orarea
conductivit`\ii canalului, iar ca urmare a tendin\ei curentului i
D
de a
r`mne constant, cresc sensibil pierderile de putere, nr`ut`\ind regimul
termic. Protec\ia se realizeaz` prin circuite specializate de supraveghere
a m`rimii acestei tensiuni, incluse n driverul de poart`.
Protec\ia la supratensiuni dren-surs` se realizeaz` cu circuite
RC asem`n`toare cu cele de la tiristoare, sau circuite R,C ]i diode ca la
tranzistoarele bipolare, calculul f`cndu-se similar, fig.8.14.
Rezisten\a R a circuitului are n vedere limitarea curentului de
desc`rcare a condensatorului. In fig.8.14a desc`rcarea condensatorului C
se face prin tranzistor, astfel nct limitarea curentului este strict
necesar`. Pentru circuitul din fig.8.14b, prezen\a diodei n mpiedic`
desc`rcarea condensatorului prin tranzistor, oblignd desc`rcarea numai
prin rezisten\a R.
Protec\ia la supracuren\i folose]te proprietatea tranzistorului de
a se bloca, ntr-un timp scurt, prin comanda adecvat` pe poart`.
Se utilizeaz` n principal dou` solu\ii. Prima solu\ie are n
vedere m`surarea valorii curentului, printr-un senzor adecvat,
compararea acesteia cu o referin\` ]i elaborarea comenzii de blocare a
conduc\iei.
A doua solu\ie, de dat` mai recent`, se bazeaz` pe tranzistoarele
MOSFET cu senzor de curent inclus, fig.8.15.
Cteva din celule constitutive ale MOSFET-ului sunt conectate
la doi electrozi speciali, suplimentari fa\` de cei clasici, K-electrod
Kelvin ]i CS-surs` de curent. Tensiunea culeas` la ie]irea acestui circuit,
u
p
, este propor\ional` cu curentul de dren i
D
]i ca urmare poate oferi
informa\ii n timp real despre valoarea supracurentului. Mai departe
Fig.8.14 Circuite de protec\ie Fig.8.15 MOSFET cu senzor
la supratensiuni. de curent.
TRANZISTORUL MOSFET DE PUTERE 130
semnalul este prelucrat la fel ca n cazul anterior. Acest ultim tip de
protec\ie are cteva caracteristici foarte avantajoase:
exclude senzorul de curent exterior ]i constantele de timp aferente;
asigur` o protec\ie distribuit` ]i individual`, pentru fiecare tranzistor
al convertorului.

8.7 TRANZISTOARE IN PARALEL
{ntruct tranzistoarele MOSFET se fabric` pentru curen\i relativ
mici, 100 200A, n cazul convertoarelor de putere mare este necesar`
conectarea acestora n paralel, dup` schema din fig.8.16.
Problema principal` n egalizarea curen\ilor dup`

2
0
2 1
I
i i
D D
= = (8.25)
{ntre caracteristicile de transfer ale celor dou` tranzistoare pot
s` apar` diferen\e care s` conduc` la o nc`rcare inegal`, ca n fig.8.17.
Tranzistorul T
1
, mai nc`rcat se va nc`lzi mai mult dect T
2
.
Caracteristica de transfer, cu cre]terea temperaturii se modific` n pozi\ia
1 , conducnd la un curent

1 1
'
D D
i i < , (8.26)
realizndu-se n fapt o reac\ie negativ` avnd ca sens echilibrarea
curen\ilor. Ca urmare nu se iau m`suri speciale de echilibrare. Totu]i, la
Fig.8.16 Tranzistoare n paralel. Fig.8.17 {nc`rcarea tranzistorului n paralel.
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 131
proiectare, la fel ca la tiristoarele bipolare, se accept` un dezechilibru de
cca 20%, care conduce la o supradimensionare voit` a acestora.
Datorit` vitezei mari de comuta\ie pot s` apar` oscila\ii de
curent, ca urmare a unor oscila\ii ntre comenzile celor dou` tranzistoare.
Evitarea acestor oscila\ii se realizeaz` prin decuplarea comenzii
pe poart` prin rezisten\e separate R
G
, ca n fig.8.16, sau prin nlocuirea
acestor rezistoare prin diode.

8.8 ALTE CONSIDERA| II
A]a cum s-a men\ionat mai sus tranzistorul MOSFET, ca
urmare a structurii con\ine un tranzistor bipolar ]i o diod` parazite.
Tranzistorul bipolar parazit, de tip npn, este format de straturile
n
-
p n
2
+
, baza tranzistorului fiind format` din corpul p, iar emitorul din
sursa n
2
+
. Factorul de amplificare n curent, , a acestui tranzistor este
suficient de mare ca urmare a configura\iei corpului. Intrarea n
conduc\ie a acestui tranzistor, produce urm`toarele efecte:
mic]orarea substan\ial` a tensiunii V
BDDS
, ca urmare a cre]terii
densit`\ii de purt`tori de sarcin` din stratul n
-
;
la tensiuni mari poart`-dren, tranzistorul parazit fiind n conduc\ie,
poate intra n satura\ie, prelund curentul dren-surs`, blocarea lui
nefiind posibil` ntruct corpul p nu este accesibil pentru evacuarea
sarcinii stocate.
Dioda parazit` este format` din straturile p n
-
n
+
, avnd deci
catodul comun cu drenul. Func\ional ea se comport` ca o diod`
antiparalel cu tranzistorul putndu-se deschide atunci cnd sarcina, ca
urmare a structurii convertorului, inverseaz` sensul curentului.
{n felul acesta se pierde capacitatea de blocare a MOSFET-ului,
ceea ce constituie o avarie ce conduce la distrugerea tranzistorului.
Anularea efectelor produse de
tranzistorul bipolar parazit se realizeaz`
constructiv prin men\inerea bazei acestuia la
poten\ialul sursei n scopul evit`rii intr`rii n
conduc\ie. Concret acest lucru se realizeaz`,
fig.8.2., prin extinderea metaliz`rii sursei n zona
corpului p.
Anularea efectelor diodei parazite, efecte
ce pot apare n unele scheme de convertoare, de
exemplu n punte, se realizeaz` prin plasarea
diodei n
1
, respectiv n.
Fig.8.18 Anularea
efectului diodei
parazite.
TRANZISTORUL MOSFET DE PUTERE 132
Plasarea numai a diodei n
1
asigur` o cale de nchidere a
curentului de sens invers, fiind n fapt o diod` de regim liber. Solu\ia
radical` const` n plasarea diodei n , care nu va permite amorsarea, n
nici o situa\ie a diodei parazite.





































DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 133

8 TRANZISTORUL MOSFET DE PUTERE .....................................................................117
8.1 STRUCTURA. POLARIZARE...............................................................................118
8.2 CARACTERISTICA STATIC~..............................................................................120
8.3 CARACTERISTICI DINAMICE............................................................................122
8.3.1 INTRAREA {N CONDUC| IE...........................................................................122
8.3.2 IE}IREA DIN CONDUC| IE.............................................................................125
8.4 CIRCUITE DE COMAND~ PE POART~.............................................................126
8.5 FUNC| IONAREA N CONDUC| IE.....................................................................127
8.6 CIRCUITE DE PROTEC| IE ..................................................................................128
8.7 TRANZISTOARE IN PARALEL ...........................................................................130
8.8 ALTE CONSIDERA| II ..........................................................................................131