TRANSISTORES BJT,

DARLINGTON, MOSFET,
IGBT
Ponce Wong Luis Andrei
Transistores BJT:

Dispositivo electrnico de estado slido que permite controlar el paso de la
corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la
conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electrones negativos), tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
- Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
- Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
- Colector, de extensin mucho mayor.

Transistores MOSFET:
Son un dispositivo unipolar, ya que la corriente
existe tanto en forma de electrones como de
huecos. En un FET de canal n, la corriente se debe
a electrones, mientras que en un FET de canal p, se
debe a huecos. Ambos tipos de FET se controlan
por una tensin entre la compuerta y la fuente.


Diferencias entre FET y BJT
La independencia de entrada de los FET es
considerablemente mayor que la de los BJT.
Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
Los FET son ms estables con la temperatura que los
BJT.
Los FET son, en general, ms fciles de fabricar que
los BJT, pues suelen requerir menos pasos de
enmascaramiento y difusiones.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite
almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su
utilizacin como elementos de almacenamiento, a
contrario de los BJT.

Transistores Darlington:
Dispositivo semiconductor que combina dos
transistores bipolares en un tndem (a veces llamado
par Darlington) en un nico dispositivo, tiene una alta
ganancia de corriente.
Este amplificador tiene una ganancia mucho mayor que
la de un transistor corriente, pues aprovecha la
ganancia de los dos transistores. (las ganancias se
multiplican).

Transistores IGBT:
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del
ingls Insulated Gate Bipolar Transistor) es un
dispositivo semiconductor que posee las
caractersticas de las seales de puerta de los
transistores de efecto campo con la capacidad de alta
corriente y voltaje de baja saturacin del transistor
bipolar, combinando una puerta aislada FET para la
entrada de control y un transistor bipolar como
interruptor en un solo dispositivo. El circuito de
excitacin del IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las caractersticas de conduccin son
como las del BJT.

Aplicaciones:
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se
usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en
algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL
o BICMOS.
El transistor MOSFET es el transistor ms utilizado en la industria
microelectrnica. Prcticamente la totalidad de los circuitos
integrados de uso comercial estn basados en l.
Los transistores Darlington se utilizan ampliamente en circuitos en
donde es necesario controlar cargas grandes con corrientes muy
pequeas.
El transistor IGBT generalmente se aplica como interruptor
controlado en circuitos de electrnica de potencia, tambin han
permitido desarrollos hasta entonces no viables en particular en los
Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en maquinas
elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada
da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes
de eso: automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor,
electrodomstico, televisin, domtica, Sistemas de Alimentacin
Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.
Valores comparativos:
Corrientes (A) Voltajes (v) Frecuencias
BJT 15A Hasta 1200v 25Khz
Darlington 5A Hasta 1200v 50Khz
MOSFET 5A Hasta 1000v 300Khz - 400Khz
IGBT 60A Hasta 2000v 75Khz