http://www.scribd.

com/doc/7485976/Nanomateriale-manual (Elemente de Nanotehnologii_manual)

http://www.scientia.ro/tehnologie/123-nanotehnologie.html

Metode analitice pentru Nanotehnologii
Creterea industriei ingineresti de micro-i nano a condus la creterea cererii pentru metodele
de analiz i de caracterizare pentru aceste materiale si sisteme. De exemplu, nano-produsele
cu suprafa de arie si volum sunt mai sensibile la impuriti i micro contaminari n timpul
prelucrrii, dect produsele cu geometrie mare, care rezult din defecte i a randamentului de
pierdere in timpul producerii. Noi metode de fabricare, materiale i procese au, n general,
aceleai preocupri, care anterior au existat pentru tehnologiile avansate (de exemplu,
curenia, contaminarea, randamentul, fiabilitatea, etc). Asadar,l vom demostra cteva
metodele ce au contribuii fa de analiza ce pot duce la rezolvarea unor probleme n timpul
fabricrii i fiabilitii si la caracterizarea unor noi materiale Aceste tehnici includ: scanning
electron microscope (SEM), Transmission Electron Microscopy (TEM), X-ray Photoelectron
Spectroscopy (XPS) Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry (TOF-SIMS).
Caracterizarea materialelor de dimensiuni din ce n ce mai mici este o parte
critic a multor industrii de fabricare, inclusiv a semiconductorilor, optoelectronicii, auto
i aerospaiale. Toate aceste industrii folosesc tot mai mult dimensiuni mici i controlate
mai bine procesele, ca parte a evoluiei tradiionale din procesul de fabricaie fa de
caracteristicile mai mici, mai uoare, mai rapide sau mai puternic, n funcie de aplicaie
lor. Partea superioara a aspectului evolutiv al contrastuluii dimensional este utilizarea
de "noi" materiale sau "noi", procese, care ar putea transporta propriile lor proprieti noi
sau idei de proiectare care nu au fost ntlnite.
Produsele din lumea nanotehnologiei au numeroase utilizri astzi i,
bineneles, aplicaii i mai mult n viitor. De exemplu: loiuni de soare, riduri fr
esturi, sisteme de vopsire cu nanoparticule, i nano-compozite de umplere ncorporat
sunt deja pe pia. Utilizrile viitoare ale nanotehnologiei promit beneficii poteniale, prin
dezvoltarea unor tehnologii mai eficiente energetic i de purificare a apei,
nanotehnologie consolidat. In partea de sus a acestei liste de beneficii ateptate i
poteniale sunt preocupri ca urmare a expunerii nanoparticulelor n mediu. Un alt
subiect de ngrijorare este faptul c nanomaterialele caracteristice pentru a spori
randamentul i fiabilitatea produsului funcional. Tehnologiile emergente sunt
acceptabile numai pentru industrie, cnd productorul poate face produsul n volum
ridicat fr deeuri semnificative pentru un profit rezonabil, i atunci cnd ncrederea
consumatorilor n produs ofer o oportunitate de pia corespunztoare.
La prima vedere, metodele de analiz tradiionale i alte caracterizari pot fi
gndite n imposibilitatea de a face fa la diminuarea aparent brusca in dimensiuni la
scara nanometrica. Multe metode de caracterizare a materialelor bine stabilite pot fi
aplicate la nanomateriale, cu modificarea minim a procedurilor stabilite analitice. Acest
lucru este de multe ori n virtutea faptului c cel puin unul (sau eventual mai multe)
dintre dimensiunile zonei de analiz sunt deja n apropierea scalei nanometri (sau mai
mici). Scopul este de a demonstra capacitatea de tehnici analitice disponibile pentru a
contribui cu succes la scala nanometric de caracterizarea a materialelor, conducnd
astfel la o nelegere fundamental a materialelor i, de asemenea, ncorporarea
ulterioar a acestora n produsele reale.
Multe tehnici analitice disponibile astzi pot furniza date privind nano-ingineria
materialelor. Aceste tehnici sunt acceptate si bine stabilite, dei aplicarea lor la
materiale noi, care nu pot fi cunoscute. Dezvoltarea de instrumente de analiz n mod
specific pentru nanotehnologie este n curs de desfurare, dar utilizarea a unei noi
msurtori cu o nou tehnologie poate duce la multe ntrebri neateptate sau variabile,
spre deosebire de date sigure in contextul istoric considerabil. Costurile de dezvoltare
de instrumente sunt, de asemenea, extrem de ridicate n termeni de timp, persoanelor
i capitalurilor. Utilizarea de instrumente de analiz care includ dovedit TEM, SEM,
XPS, XRD, Auger i TOF-SIMS pentru a caracteriza produse de nano-i micro-
tehnologie sunt descrise aici. O nelegere complet a comportamentului produsului i
caracteristicile pe parcursul procesului de fabricaie i durata de via ulterioar a
produsului este necesar att pentru producia, ct i din motive de siguran.
Domenii de interes n prelucrarea i utilizarea nanomaterialelor includ: Corespunde
materiea prim primit ateptrilor? Cum se efectueaz o inspecie de intrare pe aceste
materii prime? Cum trec nanoparticule contaminate n timpul prelucrrii? Sunt expui
operatori de compoziia i formele de nanoparticulelor? Performana produsului n
mediul de consum? Sunt nanoparticule emise ca urmare a eecurilor fiabilitatea i cum
o cuantificare nu este emis? Cum se analizeaz depunerea de contaminanti
moleculare, care poate crea energie ridicat a suprafeei i eecurile stiction n
dispozitive MEMS? Multiple tehnici disponibile astzi pot furniza date valoroase i fiabile
pentru a rspunde acestor preocupri
1.2 informaii detaliate i aria analitic
In toate msurtorile analitice care sunt axate pe arii mici sau volume, este important ca
tehnica de analiz sa fie n concordan cu zona, volumul sau regiunea de interes. De
exemplu, dac o distribuie a densiti reduse de particule la scara nanometrica pe un
substrat este de interes, este necesar s se utilizeze un instrument analitic, cu o oarte
mare (scar milimetru sau centimetru) zone analitice (adic mult mai mare dect
particule)? n mod similar,ar fi oportun s se utilizeze o tehnic, cu o adancime de
informaii cu privire la scara microni (adic mult mai mare) dect la scar a dimensiunii
particulelor de studiu? n funcie de circumstane, s se rspund la aceste ntrebri ar
putea s fie da sau nu. n primul caz, n cazul n care densitatea particulelor este
suficient de mare, sau particulele nii sunt suficient de diferite pentru un substrat
atunci raspunsul poate fi da n schimb, pentru al doilea exemplu, dac informaiile
despre nii ele particulele se doreste, atunci acesta poate fi inadecvat s se utilizeze o
metod de caracterizare care cerceteaz mai adnc dect particulele, fr o nelegere
a consecinelor. O serie de caracteristici de interes pot fi definite dup cum urmeaz n
ceea ce privete caracteristicile nanodimensionale (particule i / sau filme):
1 Dimensiuni XY (adic dimensiunea lateral)
2 Distribuia Dimensiune (de exemplu gama de dimensiuni ale particulei)
3. Z dimensiune (adica, grosime)
4 Compunerea (n vrac i / sau de suprafa)
5. Chimia de suprafa sau funcionalitate (de exemplu diferenele dintre suprafaa i n
vrac)
6. Cristalinitatea i dimensiunea cristalitelor. Ali factori pot fi, de asemenea, de interes,
in functie de aplicatie si tipul de material.

2 EXPERIMENT

n scopul de a ilustra diferite caracteristici ale tehnicilor analitice comune, au fost
efectuate dou seturi de analize.
(1) O serie de nanomateriale disponibile n comer au fost dobndite. Acestea au fost
apoi supuse la o serie de teste pentru a investiga compoziia lor. (2) O prob MEMS
(Microelectromechanical systems) cu un monostrat-gam de acoperire de protecie a
fost, de asemenea, analizat. Urmtoarele msurtori vor fi descrise i prezentate n
exemple ilustrative:
1. TEM (Transmission Electron Microscopy)
2. XPS (X-ray Spectroscopia fotoelectron)
3. XRD (difractie de raze X)
4. AES (Auger Electron Spectroscopy)
5. TOF-SIMS (Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)


2.1 Microscopie electronic de transmisie.

TEM (JEOL 2010. 200kV), a fost efectuat pe nanoparticule Al cu form sferic i o
dimensiune medie de 18nm (dimensiunea de 2-50nm). Particulele au fost sonificate n
metanol i distribuite pe o gril eantionTEM. Rezultatele arat c particulele nu au fost
de fapt toate sferice i, de fapt, o serie de forme au fost observate. Aceste tije inclus i
sa alturat particule ("gantere"), aa cum se vede n figura 1 examinarea n continuare
aparticulelor individuale a relevat un strat amorf n jurul valorii de afara particule (Figura
2). Mai multe analizeTEM-EDS au artat c stratul amorf a fost bogat in oxigen, deci a
fost cel mai probabil un oxid. Nici alte tehnici de analiz ar putea s arate diferena
dintre cea mai mare parte i suprafaa materialului cu acest nivel atomic de detaliere.



















Fig. 1.Imaginea TEM a nanoparticulelor Al
2
O
3
Fig.2 Imaginea TEM a nanoparticulelor Al
2
O
3

(aria de scanare 1,5nmx1,5nm) (aria scanata 44nm x 44 nm)


2.2 Spectroscopia fotoelectron a razelor- X

XPS a fost efectuat pe mai multe nanoparticule contaminate de Si i Ti-: SiO2 (30nm),
Si3N4 (20nm), SiC (55nm) iTiN (15nm). Informaia detaliat de XPS este dependent
att pe elementul de studiu i de unghiul de inciden al razelor X, dar este de obicei n
intervalul de 10-100A. XPS poate furniza astfel informaii cu privire la oxidarea
particulelor i modificarea chimic de suprafa, fie prin expunerea atmosferic sau prin
prelucrare deliberat. De reinut faptul c particulele cu privire la scara nanometrica,
facem n esen, o analiz n mai mare parte a particulelor ntregi i nu exist o
distincie clar ntre suprafa i n vrac pentru particule foarte mici.
Figura 3 prezinta regiunea Si a trei nanoparticule: SiC, Si02 i Si3N4. Din acest spectru,
se poate observa c particulele de oxid de siliciu au caracter semnificativ i n mod















Fig.3 Spectrele XPS ale regiunii de Si Fig.4 Spectrele XPS ale regiunii nnaoparticolelor de TiN
In nanoparticolele de SiC, SiO
2
si Si
3
N
4
aratate in mixtura de oxigen si nitrura



similar, particulele de nitrur de siliciu de asemenea, au fost oxidate. Figura 4 prezinta
regiune spectral a Ti din nanoparticule de TiN. Se poate observa faptul c aceast
regiune este complex i c exist mai muli oxizi i nitruri prezente. Acestea sunt
provizoriu identificate n spectrul de frecvene de la varfurile shiftate. Sumele relativ a
acestor diferite stri chimice pot fi cuantificate, de asemenea, care pot fi extrem de util
n timpul studiilor de functionalizarea nanoparticulelor i de comportamentul lor atunci
cnd sunt expuse la procesele chimice diferite.

2.3 Difractie de raze X
XRD a fost efectuat pe o serie de nanoparticule pentru a confirma c starea lor
cristalin compensat de stat preconizate a materialelor achiziionate. Materialul detaliat
n acest caz a fost SiC, cu o dimensiune medie a particulelor de 55nm. Figura 5
prezint o scanare a unghiului 2 folosind difractometrul Panalytical X'pert. Faza
predominant s-a dovedit a fi cubic, cum era i de ateptat, cu o contribuie minor din
faze hexagonal i/sau romboedric. Dimensiunea cristalitelor a fazei primare a fost
determinat s fie n intervalul de 22nm, adic n mod substanial mai mic dect
dimensiunea medie a particulelor de 55nm. Aceast distincie a artat c multe dintre
particulele constau din cristalite multiple. Ca o completare, la unghiiuri mari de difractie
de raze X sa descris mai sus, unghi mic dispersia de X raze poate fi, de asemenea, de
fcut pentru a investiga distane mai mari, cum ar fi polimer de stivuire i distribuiile
dimensiunea particulelor, care are, de asemenea, relevan pentru materiale
nanoengineirei.





Fig.5. Spectrul XRD al SiC scanat la unghul de
difractie 2.


2.4 Spectroscopia Auger
AES este o tehnica excelenta care complementteaz SEMul (microscopie electronica de
baleiaj), n care AES poate oferi hri elementare cu rezoluia spaial n mod semnificativ mai
bun i de suprafa mai sensibile dect SEM/EDS. Informaiile detaliate tipice pentru Auger
este n intervalul de 30-60A, cu o Rezoluie spaial. n Figura 6a se prezinta o imagine Auger
SEM obinute de la nanoparticulele formate dinr-un amestec de dou componente (Al i Cu)
depuse pe siliciu. n figura 6b se arat o hart a elementului de cupru i figura 6c prezint o
hart a elementului de aluminiului, att obinute din aceeai zon ca imagine SEM. Imaginea
SEM si hartile au fost achiziionate cu ajutorul unui microscop Electronic cu scanare Auger
modelul 680 ce demostreaz n mod clar distribuirea particulelor de Al i Cu. Analizele
elementare a particulelor individuale a artat compoziii elementare ntre urmtoarele limite:
Al:C (43%), Si (20%), Al (19%), O (18%), Cu (0,6%), Cu:C (40%), Si (25 %), O (19%), Cu
(16%). Prezena acestor niveluri aparente de carbon i siliciu este probabil s fie o consecin a
informaii detaliate sczute de msurare (pentru C) i mprtierea electron de la substrat
(pentru Si).




a)







b) c)
Fig.6 Imaginea mapata a nanoparticulelor mixte de Cu/Al (a), imaginea
mapata a Cu (b) i imaginea Al (c).


2.5 Spectrometrie de masa cu ioni secundari de timp-de-zbor (TOF-SIMS)
TOF - SIMS nu are rezoluia spaial a tehnicilor cu fascicule de electroni , cum ar fi SEM ,
TEM sau AES, cu toate acestea are o adncime de informaii extrem de redus , n intervalul de
10 - 20.A , ceea ce nseamn c poate oferi informaii cu succes la suprafeele acoperite de un
monostrat sau mai puin de material. Aceast sensibilitate de suprafa extrem o face ca o
metod ideal pentru a examina nivelurile sczute de contaminare molecular pe suprafee.
Acest lucru are o importan deosebit pentru dispozitive MEMS acoperite cu straturi de
nanometri n grosime, cum ar fi fluorocarburi, aa cum se arat n exemplele de mai jos. n
figura 7a sunt prezentate datele de la o suprafa contaminat, care au rspuns slab mecanic
i adeziune excesiv. n figur 7b sunt prezentate datele de la aceeai locaie de pe un
dispozitiv ce funcioneaz corespunztor. Principala diferen ntree antioane a fost prezena
varitii ionilor de siliciu privind proba lips. Acesta este suspectat c siliciu degazat de lipirea
epoxidic folosit pentru a ngloba aparatul i ulterior depuse la suprafa stratului anti-
adeziune, n eficacitatea inhibrii sale. Prezena silicului privind structurile n micare a condus
la probleme de adeziune n timpul funcionrii practice, datorit creterii de energie n
comparaie cu suprafaa sa de acoperire pe baz de fluorocarbon.





3 CONCLUZII
Fiecare dintre studiile descries mai sus pentru fiecare, i, de asemenea, descriierile metodelor
diferitele de analiz au fost utilizate pentru a demonstra unele din capacitile dintre metodele
disponibile n present ca metode analitice prezente. Alte metode nu sunt descrise aici, care pot,
de asemenea, s contribuie n mod semnificativ la caracterizarea nanomaterialelor Printre
acestea se numr spectroscopia Raman, n special cu privire la nanotuburi de carbon,i AFM
(microscopia atomic de forta), pentru studii de morfologie i dimensionale. Aceste tehnici
stabilite pot fi aplicate cu succes in mod curent la materialele noi. Dezvoltarea n continuare i
de specializare a acestor metode este, de asemenea, n curs de desfurare, cum este
dezvoltarea i stabilirea de noi metode de analiz, pentru a rspunde nevoilor att a comunitii
nanomaterialelor ci i nevoilor pentru toate industriile de nalt tehnologie.

http://www.iontof.com/technique-timeofflight-IONTOF-TOF-SIMS-TIME-OF-FLIGHT-SURFACE-
ANALYSIS.htm
http://www.london-
nano.com/sites/default/files/uploads/research/highlights/Time%20of%20Flight,Secondary%20Ion%20M
ass%20Spectroscopy%20(SIMS).pdf
http://phi-gmbh.eu/wp-content/uploads/2013/10/Time-of-Flight-Secondary-Ion-Mass-
Spectrometry.pdf