Sunteți pe pagina 1din 22

2

STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

1. OBIECTUL APLICA|IEI

Sunt studiate fenomenele care apar la comuta\ia direct` ]i invers` a tranzistoarelor de putere. Sunt vizualizate formele de und` ]i m`surate m`rimile caracteristice [n condi\iile unui circuit similar cu circuitul de test indicat [n catalog ]i [n condi\ii reale de exploatare. Analiza SPICE a circuitului de test permite compararea rezultatelor practice cu cele ob\inute prin simulare.

2. INTRODUCERE

TEORETIC~.

BIPOLAR DE PUTERE

PREZENTAREA

TRANZISTORULUI

{n electronica de putere tranzistoarele se folosesc ca elemente de comuta\ie bilateral` sau ca amplificatoare de putere [n circuitele cu sarcin` rezonant`. Tehnologia de fabrica\ie permite realizarea tranzistoarelor care lucreaz` ca elemente de comuta\ie astfel [nc@t tensiunea de satura\ie s` fie minim`, iar tensiunea de sus\inere [n blocare maxim`. Tranzistoarele utilizate ca amplificatoare de putere sunt realizate astfel [nc@t s` se maximizeze coeficien\ii de transfer, puterea ]i frecven\a de lucru.

2.1. Caracteristici statice

Pe caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar de putere din fig. 1 se pun [n eviden\` valorile limit` ale m`rimilor electrice.

bipolar de putere din fig. 1 se pun [n eviden\` valorile limit` ale m`rimilor electrice. Fig.

Fig. 1 Caracteristici statice.

36

STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

Curentul de colector i CE , tensiunea de colector v CE ]i puterea disipat` P d sunt limitate superior, deoarece sunt m`rimi care caracterizeaz` schimburi sau acumul`ri de energie. {n planul i C -v CE aceste limite definesc "aria de func\ionare sigur`" (AFS) a tranzistorului.

2.1.1. I CM - curentului de colector maxim

Este valoarea maxim` a curentului de colector la dep`]irea c`reia conduc\ia prin pastila semiconductoare cap`t` caracter ohmic. Peste aceast` valoare curentul de colector nu mai este controlat de curentul de baz` prin factorul de amplificare [n curent β.

2.1.2. P dM - puterea maxim` disipat`

Este puterea maxim` pe care o poate disipa tranzistorul [n condi\iile [n care temperatura jonc\iunii nu dep`]e]te valoarea maxim` admisibil` (θ jM = 150°C - 200°C) iar temperatura capsulei are o valoare fixat` (de exemplu 25°C). Puterea maxim` disipat` are expresia:

P

dM

=

θ

jM

25 ° C

R

th ( j

c

)

(1)

unde R th(j-c) este rezisten\a termic` jonc\iune-capsul`. {n montajele reale, temperatura capsulei depinde de modul [n care se face evacuarea c`ldurii, deci de rezisten\a termic` capsul`-radiator ]i radiator-ambiant.

2.1.3. V CEM - limita superioar` a tensiunii colector-emitor

a) Str`pungerea primar`

Corespunde fenomenului de multiplicare [n avalan]` a purt`torilor de sarcin` [n jonc\iunea polarizat` invers (colector-baz`) ]i depinde de profilul de impurit`\i din aceast` jonc\iune. Tensiunea la care apare str`pungerea, denumit` primar`, depinde de mecanismul de injec\ie de purt`tori [n baz`, deci de modul de conectare a bazei. Se pot defini urm`toarele valori limit` ale tensiunii colector-emitor:

V CE0 - cu baza [n gol (i B = 0); V CER - cu baza conectat` la emitor printr-o rezistan\` de valoare R; V CES - cu baza conectat` [n scurtcircuit la emitor; V CEX - cu baza polarizat` invers, la o tensiune specificat` V BE = V BEX ; V CER (care se noteaz` V CEM ) ]i variaz` [ntre V CE0 ]i V CES (V CE0 < V CER < V CES ); V CEX este mai mare dec@t V CES ]i ambele sunt apropiate ca valoare de tensiunea V CB0 (tensiunea colector-baz` cu emitorul [n gol).

b) Str`pungerea secundar`

Datorit` distribu\iei neuniforme a impurit`\ilor sau neuniformit`\ii profilului jonc\iunii, distribu\ia densit`tii de curent prin jonc\iune este neuniform`, ap`r@nd zone de concentrare a curentului. {n aceste zone, denumite ]i puncte fierbin\i, temperatura cre]te ]i determin` generarea termic` de purt`tori, lucru care contribuie la cre]terea local` a densit`\ii

Introducere teoretic`

37

de curent, deci ]i a temperaturii, concomitent cu sc`derea tensiunii dintre colector ]i emitor. Temperatura [n punctele fierbin\i poate cre]te peste valoarea maxim` admisibil`. Tranzistorul se poate distruge prin efect termic la o putere disipat` mai mic` dec@t puterea admisibil`. Fenomenul de str`pungere secundar` are un caracter statistic. Din acest motiv [n planul caracteristicilor i C -v CE , din fig. 1, se poate trasa o curb` care [mparte planul [n dou` zone. {n una din aceste zone poate s` apar` fenomenul de str`pungere secundar`, iar [n cealalt` probabilitatea de apari\ie are o valoare acceptabil de mic` (1%). Curba care delimiteaz` cele dou` zone este descris` de rela\ia empiric`:

i C = χ⋅ v CE -n

(2)

unde χ ]i n depind de tehnologia de fabrica\ie a dispozitivului.

2.2. Aria de func\ionare sigur` (AFS)

Reprezint` zona [n care se poate deplasa punctul figurativ de func\ionare, de coordonate i C -v CE , f`r` a exista pericolul distrugerii tranzistorului. Aria de func\ionare sigur` [n fig. 1 este m`rginit` de axele de coordonate i C -v CE ]i de curbele:

i C = I CM ; i C = P dM v CE -1, i C = χ v CE -n ,

v CE = V CEM .

pentru i C < I CM pentru i C < I CM

]i v CE < V CEM ; ]i v CE < V CEM ;

Cazul general este cel [n care i C = P dM v CE -1 se intersecteaz` cu i C = χ ⋅v CE -n [ntr-un

punct (i Cint , v CEint ) pentru care avem i Cint < I CM ]i v CEint < V CEM .

]i

v CE = V CEM , iar dac` V CEint > v CEM , AFS este m`rginit` de i C = P dM v CE -1, i C = I CM ]i

Dac` i Cint > I CM , atunci AFS este m`rginit` de

i C = χ⋅v CE -n,

i C

=

I CM

v CE = V CEM .

{n fig. 2 este reprezentat un exemplu de arie de func\ionare sigur`.

2 este reprezentat un exemplu de arie de func\ionare sigur`. Fig. 2 Aria de func\ionare sigur`.

Fig. 2 Aria de func\ionare sigur`.

{n cazul func\ion`rii [n curent continuu, curba care m`rgine]te AFS este figurat` cu linie continu` pentru dou` temperaturi ale capsulei tranzistorului (25°C ]i 100°C). Se

38

STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

observ` c` aria de func\ionare sigur` se mic]oreaz` la cre]terea temperaturii capsulei. {n cazul [n care tranzistorul func\ioneaz` [n regim de impulsuri, AFS se m`re]te (figurat` punctat). {n aceast` situa\ie, [n pauza dintre impulsuri, jonc\iunea se r`ce]te. Din acest motiv curentul maxim poate dep`]i valoarea sa maxim` de curent continuu (I CM ) ]i puterea instantanee poate fi mai mare dec@t cea de curent continuu. Tot [n aceast` situa\ie aria de func\ionare sigur` este m`rginit` doar de str`pungerea secundar`, exponentul n fiind cu at@t mai mare cu c@t durata impulsului scade.

2.3. Tranzistorul [n regim de comuta\ie

2.3.1. Parametrii de impuls Datorit` fenomenelor de stocare, recombinare ]i deplasare a purt`torilor de sarcin` [n regiunea bazei ]i [n regiunea colector-baz`, intrarea [n conduc\ie ]i blocarea tranzistorului [n circuitul de sarcin` se produc cu o anumit` [nt@rziere fa\` de intrarea [n conduc\ie ]i blocarea [n regiunea bazei.

de intrarea [n conduc\ie ]i blocarea [n regiunea bazei. Fig. 3 Diagrame func\ionale la comutarea tranzistorului

Fig. 3 Diagrame func\ionale la comutarea tranzistorului bipolar.

M`rimile care caracterizeaz` comutarea tranzistorului, definite folosind formele de

und` din fig. 3, sunt:

t on - intervalul de timp [ntre cre]terea curentului de baz` (0,1i B1 ) ]i atingerea de c`tre i C a valorii 0,9i CM ; t off - intervalul de timp [ntre c`derea curentului de baz` (0,9i B1 ) ]i atingerea

valorii 0,1i CM de c`tre i C ; t p

durata impulsului aplicat [n baz`;

-

[nt@rzierea la cre]tere; t s - timp de stocare;

t

d

-

Tranzistorul bipolar [n circuit de comuta\ie

39

t on - se nume]te timp de comuta\ie direct`, iar t off timp de comuta\ie invers`. Fiecare din cei doi timpi se compune dintr-o [nt@rziere (t d ]i t s ) ]i un timp de cre]tere / c`dere a frontului (t r , t f ).

3. TRANZISTORUL BIPOLAR {N CIRCUIT DE COMUTA|IE

Se va analiza [n continuare dependen\a diagramelor func\ionale ale tensiunii ]i curentului prin tranzistor ]i solicit`rile la care este supus acesta [n func\ie de caracteristicile acestuia ]i de circuitul [n cadrul c`ruia lucreaz`.

3.1. Comutarea pe sarcin` rezistiv`

Tranzistorul din fig. 4 comut` pe sarcin` rezistiv`, formele de und` liniarizate [n

]i fiind

, se vor determina teoretic puterile medii disipate [n comuta\ie ]i se va

comuta\ie fiind prezentate [n fig. 5. |in@nd cont c` U

date E

C

,

I

CM

ttt

,,,

r

f

s

CE( sat )

<<

E

C

,

I

CE

0

<< I

CM

trasa graficul puterii instantanee.

I CE 0 << I CM trasa graficul puterii instantanee. Fig. 4 Tranzistorul bipolar [n comuta\ie

Fig. 4 Tranzistorul bipolar [n comuta\ie pe sarcin` rezistiv`:

a) circuit; b) excursia punctului figurativ de func\ionare.

a) circuit; b) excursia punctului figurativ de func\ionare. Fig. 5 Diagrame func\ionale ale tranzistorului bipolar [n

Fig. 5 Diagrame func\ionale ale tranzistorului bipolar [n comuta\ie.

Pe intervalul 0 ÷ t

r putem scrie:

40

STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

]i

i

C

u CE

=

=

I

E

CM

C

t

t

r

, unde I

i R

C

=

E

C

1

CM

=

t

t

r

.

E

C

R

Puterea medie la comutarea [n conduc\ie este:

P

r

=

1 t

r

i

C

t

r

o

u dt

CE

=

I

CM E

C

6

.

La comutarea [n intervalul t

f , se ob\ine [n mod asem`n`tor:

i

C

=

I

CM

⎜ ⎝

1

t

t

f

]i u

CE

= E

C

t

t

f

.

Puterea medie disipat` [n intervalul t f este:

P

f

=

t

1

f

t

f

0

i

C

u dt

CE

=

I

CM

E

CD

6

.

Puterea medie disipat` de tranzistor se poate exprima:

P =

T

t

f

+

t

r

T

(

P

r

+

P

f

)

=

(

t

)

tI

+

r f

CM

E

C

6

T

.

 

(3)

(4)

(5)

 

(6)

(7)

 

(8)

Folosind rela\iile anterioare pentru curent, tensiune ]i putere, [n intervalele de timp t r

]i t f se ob\in puterile instantanee:

p

r

( t )

=

I

CM

t

E

C

t

r

t ⎞ ⎟

t

2

2

r

]i

p ( t )

f

=

I

CM

t

E

C

t

f

t ⎞ ⎟

t

2

2

f

.

(9)

Puterea instantanee disipat` are varia\ia din fig. 6.

. (9) Puterea instantanee disipat` are varia\ia din fig. 6. Fig. 6 Puterea instantanee disipat` de

Fig. 6 Puterea instantanee disipat` de tranzistorul bipolar [n comuta\ie pe sarcin` rezistiv`.

3.2. Comutarea pe sarcin` inductiv`

{n condi\ii reale de func\ionare procesul de comutare al tranzistorului bipolar de putere este determinat nu numai de parametrii intrinseci de comuta\ie ci ]i de caracterul sarcinii. Astfel, s` consider`m circuitul din fig. 7.a cu tranzistor [n comuta\ie, lucr@nd pe sarcin` inductiv-rezistiv`.

Tranzistorul bipolar [n circuit de comuta\ie

41

Tranzistorul bipolar [n circuit de comuta\ie 41 Fig. 7 Diagrame func\ionale pentru comutarea tranzistorului bipolar pe

Fig. 7 Diagrame func\ionale pentru comutarea tranzistorului bipolar pe sarcin` inductiv`:

a) circuit; b) excursia punctului figurativ de func\ionare.

[ntr-

un proces complet de comuta\ie (conduc\ie-blocare ]i invers) determin` at@t de puterea disipat` de tranzistor c@t ]i asigurarea sa [n raport cu str`pungerea secundar`. Dac` R<ωL ]i tranzistorul se afl` ini\ial [n blocare, [n punctul figurativ A, la aplicarea comenzii de comutare [n conduc\ie se produce saltul acestuia [n B, parcurg@ndu-se [n continuare curba de satura\ie B-C. Dup` comanda de blocare, punctul figurativ descrie

traiectoria C-D-A. {n func\ie de circuitul de polarizare al intr`rii, punctul D de poate afla pe

una din caracteristicile de str`pungere primar` (u

). Pe traiectoria C-D-

A se descarc` energia acumulat` [n inductan\`, o parte pe rezisten\a de sarcin` iar cealalt`

prin tranzistor. {n intervalul de blocare t

, circuitul echivalent de comutare este cel din fig. 8 [n care

tranzistorul a fost modelat printr-un comutator T ideal (aceast` aproximare este posibil`

[ntruc@t tranzi\ia este determinat` [n principal de constanta de timp a sarcinii), iar tensiunea

[n str`pungerea primar` este u

Traiectoria punctului figurativ de func\ionare [n planul caracteristicilor i

C

(

u

CE

)

,

CE0

,

u CER

sau

u CEX

rev

CE

U

CE sus

(

)

.

Aplic@nd teorema Kirchhoff II pentru circuitul echivalent se ob\ine:

L di

dt

+

Ri

c

=− E

C

U

CE sus

(

) .

(10)

Comutarea [n blocare [ncepe [n momentul [n care comutatorul S trece de pe pozi\ia 1

pe pozi\ia 2. Condi\ia ini\ial` pentru curent fiind:

=

E

C

U

CE ( sat

)

it

( ==

C

0 )

I

CM

,
R

solu\ia ecua\iei (10) este:

i

C

=

E

C

U

CE ( sus )

R

⎝ ⎠

t

1 e

τ

+

I

CM

e

t

τ

.

(12)

(11)

42 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE Fig. 8 Comutarea [n blocare pe sarcin` R-L:

Fig. 8 Comutarea [n blocare pe sarcin` R-L:

a) circuit echivalent; b) curentul de colector ]i tensiunea colector-emitor.

]i energia

de

func\ionare parcurge traiectoria A-B-C-D-A.

p sunt mari,

traiectoria parcurs` de punctul figurativ de func\ionare poate intersecta curba de probabilitate a str`pungerii secundare ([n F), punctul figurativ se [ntoarce spre zona care specific` tensiunea [n str`pungere secundar`, dispozitivul put@ndu-se distruge.

Dac` sarcina este puternic inductiv` astfel [nc@t

la

sf[r]itul

[nc`rc`rii

este

suficient

de

L

mare

/ >> ,/ >>

R

t

r

LR

( W

L

=

L

I

2

CM

/ 2

),

t

f

acumulat`

punctul

Dac` tensiunea de alimentare E

C ]i durata de aplicare a impulsului t

3.3. Tehnici de comand` a tranzistoarelor bipolare de putere

Pentru cre]terea vitezei de comutare [n conduc\ie ]i respectiv blocare a tranzistorului bipolar de putere au fost elaborate o serie de tehnici de comand`. Intervalul de timp t

poate fi mic]orat prin aplicarea ini\ial a unui curent de baz` mare pentru [nc`rcarea rapid` a regiunii de baz`, iar apoi curentul este redus la o valoare necesar` pentru a suporta regimul de satura\ie sta\ionar (cvasisatura\ie). Timpul de blocare t off poate fi redus prin inversarea

sensului curentului de baz`. Cre]terea valorii ini\iale a curentului invers de baz` determin` mic]orarea timpului de stocare. {n lucrare sunt studiate tehnicile de comand` care permit controlul comut`rii [n conduc\ie ]i controlul de antisatura\ie.

on

3.3.1. Controlul comut`rii [n conduc\ie

Principiul controlului de comutare [n conduc\ie, [n vederea mic]or`rii timpului t

on

este

prezentat [n fig. 9.

Tranzistorul bipolar [n circuit de comuta\ie

43

Tranzistorul bipolar [n circuit de comuta\ie 43 Fig. 9 Controlul comut`rii [n conduc\ie: a) principiu; b)

Fig. 9 Controlul comut`rii [n conduc\ie:

a) principiu; b) circuit practic.

{n primul interval de timp curentul injectat [n baz` satisface condi\ia: βI

B2

) , iar

care asigur` regimul cvasista\ionar. {n varianta real`

I

C

(

sat

B1

>

apoi acesta este redus la valoarea I

de circuit, curentul de baz` este exponen\ial. Curentul de baz` maxim este:

I

B

1

=

U

B

1

U

B

E ,

R

1

(13)

iar valoarea sta\ionar` a acestuia este:

I

B

2

=

U

U

B 1

B

E .

R

1

+

R

2

Condensatorul se [ncarc` la tensiunea:

u

R

2

U

C

B 1

R

1

+

R

2

,

(14)

(15)

av@nd constanta de timp:

τ

1

=

R

1

R

2

R

1

+

R

2

C

.

(16)

Pentru a dimensiona condensatorul C, vom pune condi\ia egalit`\ii [ntre sarcina electric` cu care acesta este [nc`rcat [ntre momentele comuta\iei:

Q

c =

RI C

2 B

(17)

]i sarcina electric` ce trebuie injectat` sau extras` din baz`:

Q

Rezult` valoarea condensatorului:

C =

=

I

B

τ

B B ef

(

B ef

(

)

)

.

.

τ

R

2

(18)

(19)

44

STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

Rela\ia (19) poate fi utilizat` ]i pentru determinarea experimental` a lui τ . {n

B ( ef )

acest scop, se modific` valoarea lui C p@n` c@nd tensiunea u

minime, atunci c@nd la intrarea circuitului se aplic` impulsuri dreptunghiulare.

CE

are fronturi de comuta\ie

3.3.2. Controlul de antisatura\ie

Dac` tranzistorul este comutat "puternic" [n conduc\ie, are loc o reducere a timpului de

, dar la comutarea invers`, [n blocare, se produce cre]terea timpului de

comutare direct` t

stocare,

indezirabil`. O solu\ie mai eficient` pentru rezolvarea acestei probleme este utilizarea unui

circuit de antisatura\ie, (fig. 10).

. {n aplica\iile de comuta\ie la frecven\e ridicate aceast` situa\ie devine

on

t s

la frecven\e ridicate aceast` situa\ie devine on t s Fig. 10 Circuit cu diod` D a

Fig. 10 Circuit cu diod` D as de antisatura\ie pentru minimizarea timpului de stocare.

P@n` la intrarea [n satura\ie a tranzistorului, dioda D

U

Curentul injectat [n baz` este i

este blocat`:

as

Das

=

C =

UUU

BE

+−

D

1

I

0

.

0

.

(20)

CE

1 , iar curentul de colector este egal cu cel al

sarcinii, I

se deschide, o parte a

U

curentului I

de satura\ie scade, tranzistorul trec@nd din regim de satura\ie puternic` [n cvasisatura\ie. {n

condi\iile de limit` de satura\ie, av@nd U

se poate controla prin

, c`derile de tensiune pe cele

dou` diode D

adi\ionarea unor diode [n serie cu D

; gradul

= I

B

B

La atingerea pragului impus pentru

B1

se ramific` prin

1

]i

D

as

D

as

, dioda

D

as

CE( sat )

]i curentul injectat [n baz` scade, I

Das

BE()on

=

U

CE( sat )

= U

D

1 . Pragul pentru u

CE

=

I

1

I

a s

BB

sunt egale, u

1 . Curentul de colector se poate ob\ine din ecua\ia:

I

C

=

β

I

sB

=

β

s

(

I

B

II

10

C

−+

β

s

)( =

β

s + 1

I

B

1

+

I

0

)

,

(21)

unde cu β

trebuie s` aib` un timp de revenire mai redus dec@t timpul de stocare al

tranzistorului. Mai mult, tensiunea invers` maxim` a diodei trebuie s` fie similar` cu tensiunea de sus\inere a tranzistorului.

s s-a notat un factor de amplificare echivalent, la satura\ie.

as

Dioda D

Tranzistorul bipolar [n circuit de comuta\ie

45

{n circuitele din fig. 10, dioda D

2 este introdus` pentru a permite eliminarea sarcinii

stocate prin curent invers [n baz`, etc.

Dezavantajul major al metodei prezentate const` [n cre]terea puterii disipate, datorat`

]i [ntr-o oarecare m`sur` cre]terii curentului de colector prin

cre]terii tensiunii

u

CE

adi\ionarea componentei de curent prin D

as

.

3.4. Circuite de protec\ie pentru tranzistoare bipolare de putere

Circuitele de protec\ie individual` ("snubber circuits") pentru tranzistoare bipolare cu jonc\iuni (TBJ) de putere sunt utilizate pentru a men\ine pe intervalul de comuta\ie traiectoria punctului figurativ de func\ionare [n AFS. Astfel tranzistorul este supus la un regim de stress la comutarea [n conduc\ie/blocare, c@nd at@t curentul c@t ]i tensiunea au valori ridicate, ceea ce conduce la puteri mari disipate, efecte nedorite ale str`pungerii dispozitivului ].a. Circuitele de protec\ie individual` a TBJ de putere sunt necesare tocmai pentru a diminua (dac` nu a reduce [n totalitate) elementele de stress. {n cele ce urmeaz`, [n vederea simplific`rii analizei circuitelor de protec\ie, se consider` varia\ia curentului prin tranzistor liniar`. Aceast` ipotez` permite elaborarea unor criterii simple pentru proiectarea circuitelor de protec\ie.

3.4.1. Circuit de protec\ie la comutarea [n blocare

Problema care se cere rezolvat` la comutarea [n blocare const` [n diminuarea puterii disipate pe dispozitiv.

=0. La

descre]te liniar, iar

componenta i

se ob\ine:

comutarea [n blocare, [n prezen\a snubber-ului R

Tranzistorul are curentul [n conduc\ie i

Cs

=

I

0

i

C

prin D

s

C =

s

,

I

0

C

s

]i tensiunea la borne

, D

s

, curentul

i

C

u

CE

[ncarc` capacitatea

C

s

. {n intervalul de blocare

t

0

< <

t

t

f

i

Cs

=

I

0 t

t

f

(22)

iar curentul prin tranzistor este:

i I

C

=

0

1

t

t

f

.

(23)

46 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE Fig. 11 Circuit pentru protec\ia la comutarea [n

Fig. 11 Circuit pentru protec\ia la comutarea [n blocare (snubber "off"):

a) circuit; b) diagramele func\ionale ale tensiunii ]i curentului la comutarea [n blocare.

Tensiunea la bornele condensatorului ]i tranzistorului este:

u

Cs

= u =

CE

t

s 0

1

C

i dt

Cs

=

I t

0

2

2C t

s

f

.

(24)

Formele de und` ale m`rimilor electrice pentru trei valori ale capacit`\ii C

s sunt

reprezentate [n fig. 11.b.

1. Pentru o valoare mic` a lui C

s

, tensiunea

u

C

atinge valoarea E [nainte ca

i

C

anuleze. La t

devine egal` cu E, dioda D

f

dioda de nul D, [n paralel pe sarcin`, comut` [n conduc\ie ]i tensiunea

s este blocat`, iar [nc`rcarea condensatorului [nceteaz`.

s` se

u

CE

2. Pentru o valoare C

s

=

C

s1

se produce anularea curentului de colector la t=t , c@nd

f

u CE

= E. Din rela\ia (24) se ob\ine:

C

s

1

=

I t

0 f

.

2 E

(25)

, [nc`rcarea este mai lent`, are loc prelungirea procesului

s` ating`

valoarea sta\ionar` E, comutarea [n circuitul de sarcin` nu este [ncheiat`. Utiliz@nd rela\iile (23) ]i (24), se poate determina energia disipat` de tranzistorul bipolar [n prezen\a circuitului snubber off:

de comuta\ie. De]i curentul de colector se anuleaz` [nainte ca tensiunea u

3.

Pentru o valoare C

s

>

C

s1

CE

W

f

=

t f

0

u

i dt

CE C

=

t f

0

⎜ ⎜

I t

0

2

2C t

s

f

⎟ ⎟ ⎠ I

0

⎜ ⎜ ⎝ 1

t

2

I t

0

2

f

⎟ ⎟ dt =

t

f

24C

s

,

(26)

care pentru C

W = 0

f

s =

I Et

C

f

s1

12

.

devine:

(27)

Compar@nd aceast` energie cu cea ob\inut` [n circuitul f`r` snubber se constat` un raport de 1:6, ceea ce exprim` [n mod evident utilitatea circuitului de protec\ie. O analiz` mai detaliat` a circuitului snubber off trebuie s` ia [n considerare ]i influen\a snubber-ului asupra energiei disipate de dispozitiv la comutarea [n conduc\ie.

Tranzistorul bipolar [n circuit de comuta\ie

47

3.4.2. Circuit de protec\ie la comutarea [n conduc\ie

Ca ]i pentru celelalte situa\ii prezentate, punctul figurativ de func\ionare pentru regimul normal trebuie s` se g`seasc` [n AFS. {n acest caz, circuitul de protec\ie este utilizat

pentru reducerea pierderilor de comuta\ie ]i mai ales la frecven\e de lucru mari.

1. {n circuitul din fig. 12. a snubber-ul este utilizat [n scopul reducerii tensiunii la

bornele de ie]ire ale dispozitivului la comutarea [n conduc\ie. Diagramele func\ionale pentru circuitul men\ionat sunt trasate [n fig. 12.b.

La comutarea [n conduc\ie inductan\a L

ΔU =

LI

0 ,

t ri

t ri

CE

s a snubber-ului "on" preia saltul de tensiune:

(28)

unde t

curentului, di/dt, la valori mici ale lui L

este timpul de cre]tere al curentului pentru valori mici ale lui

L

s

; panta de cre]tere a

ri

s este dictat` numai de parametrii tranzistorului.

Pentru valori mari ale lui L

s

, se reduce c`derea de tensiune

u

CE

ca ]i valoarea

curentului i

C

[n comuta\ie.

{n intervalul de conduc\ie al tranzistorului, energia acumulat` [n inductan\a

se au [n vedere 2

snubber-ului, L I

factori:

s

inductan\a se au [n vedere 2 snubber-ului, L I factori: s 0 2 2 , este

0 2 2, este disipat` [n R

s

. La determinarea rezisten\ei

R s

a) Pe durata bloc`rii tranzistorului, c`derea de tensiune la bornele R

s este adi\ionat`

tensiunii de alimentare, astfel c` la bornele tranzistorului apare supratensiunea:

Δ U

CE max

=

R I

s 0

.

(29)

apare supratensiunea: Δ U CE max = R I s 0 . (29) Fig. 12 Circuit

Fig. 12 Circuit pentru protec\ia la comutarea [n blocare (snubber "on"):

a) circuit; b) diagramele func\ionale ale tensiunii ]i curentului la comutarea [n conduc\ie.

s trebuie s` scad` la o valoare minim` (de exemplu la

0 ) astfel [nc@t la [nceputul unui nou ciclu de comutare s` fie realizate acelea]i condi\ii

b) {n blocare curentul prin L

0,1I

ini\iale.

48

STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

Rezult` c` intervalul minim de blocare al tranzistorului trebuie s` satisfac` condi\ia:

t

L

s

R

s

.

2 , 3

(30)

off

>

Dimensionarea elementelor snubber-ului ia [n considera\ie procesele de blocare at@t [n conduc\ie c@t ]i [n blocare.

4. MONTAJUL STUDIAT

Se remarc` [n fig. 13 modulul de comand` care este un circuit basculant astabil realizat cu tranzistoarele T 2 ]i T 3 . Etajul de ie]ire este realizat [n contratimp cu T 3 ]i T 4 , astfel [nc@t prin saturarea tranzistoarelor, acestea s` prezinte o impedan\` de ie]ire foarte mic` [n ambele stari. Circuitul basculant astabil este astfel dimensionat [nc@t s` oscileze pentru tensiuni de alimentare cuprinse [ntre V + = 4 ÷ 10V ]i V - = 0 ÷ -8V furniz@nd semnale de comand` pentru tranzistorul de putere studiat. Tranzistorul de putere studiat este T 1 2N 5492 cu parametrii I CM = 6A, f T = 0,8 MHz, P d = 50 W / θ c = 25 °C. Pentru T 1 care este echivalent cu tranzistorul 2N3055, se cunosc: t d = 0,2μs, t s = 2,6μs, t s = 2,7μs, t f = 6μs, la I B = +/- 4A. Diodele folosite sunt 1N4148. Pentru a evita str`pungerea diodelor se limiteaz` tensiunea de alimentare (E) la 30V. De asemenea se limiteaz` curentul prin tranzistor (i C ) la 1A pentru a se evita supra[nc`lzirea acestuia.

tranzistor (i C ) la 1A pentru a se evita supra[nc`lzirea acestuia. Fig. 13 Schema electric`

Fig. 13 Schema electric` a montajului studiat.

Elemente de simulare SPICE

49

Rezisten\ele din circuit trebuie s` aib` inductan\a parazit` c@t mai mic`, astfel [nc@t constanta de timp proprie s` fie mic` [n raport cu timpii de comuta\ie. {ntrerup`toarele sunt marcate [n dreptul pozi\iei care introduce [n circuit componenta respectiv`.

5. ELEMENTE DE SIMULARE PSPICE

Circuitul PSpice corespunz`tor tranzistorului bipolar cu sarcin` rezistiv` [n colector din fig. 14 este urm`torul:

Comutatia tranzistorului bipolar de putere * Sarcina rezistiva, fara DF, snubber on, snubber off, CB si DAS. .LIB C:\PSPICE\L2\LIB \DIODE.LIB .LIB C:\PSPICE\L2\LIB \BIPOLAR.LIB

Q 5

*Circuitul din baza

4

0

Q2N5492

VIN

1

0

PULSE(-5 5 0 0 0 25u 50u)

Rb

1

2

56

D1

2

3

1N4148

D2

3

4

1N4148

D3

4

2

1N4148

*Circuitul din colector

VCC

6

0

30V

Rs

5

6

40

*Optiuni

 

.TRAN

10n

100u

.OPTIONS

ITL5=0

RELTOL=0.0001

.END

10n 100u .OPTIONS ITL5=0 RELTOL=0.0001 .END Fig. 14 Tranzistor bipolar [n comuta\ie cu sarcin`

Fig. 14 Tranzistor bipolar [n comuta\ie cu sarcin` rezistiv`.

50

STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

{n fig. 14 este [nlocuit circuitului astabil pentru generarea impulsurilor de comand` cu

sursa de tensiune [n impulsuri V

IN

.

Pentru diode ]i tranzistoare se folosesc modele PSpice aflate [n bibliotecile diode.lib, respectiv BIPOLAR.LIB. Tranzistorul bipolar este modelat de PSpice ca un tranzistor intrinsec, cu rezisten\ele ohmice [n serie cu colectorul (RC), cu baza (valoarea acesteia este dependent` de curent) ]i cu emitorul (RE). Parametrii de model mai importan\i ai tranzistoarelor bipolare, [n regim de comuta\ie sunt:

Parametru

Semnifica\ie parametru de model

Valoare

Unitate de

de model

implicit`

m`sur`

IS

curent de satura\ie al jonc\iunii p-n

1E-16

A

BF

valoarea lui β direct

100

-

BR

valoarea lui β invers

1

-

RB

rezisten\a bazei la curent nul

0

Ohm

RE

rezisten\a ohmic` a emitorului

0

Ohm

RC

rezisten\a ohmic` a colectorului

0

Ohm

CJE

capacitatea jonc\iunii baz`-emitor la curent nul

0

F

CJC

capacitatea jonc\iunii baz`-colector la curent nul

0

F

TF

timpul de tranzit la comuta\ia direct`

0

S

TR

timpul de tranzit la comuta\ia invers`

0

S

6. DESF~}URAREA APLICA|IEI

Aparate ]i echipamente necesare:

- dou` surse stabilizate de tensiune de 0 - 10V ]i 0,5A, pentru alimentarea diferen\ial`

a astabilului, de exemplu stabilizatorul dublu IFIN Multistab 235;

- stabilizator de tensiune de 0 - 30V ]i 0,75A, pentru alimentarea tranzistorului de studiat, de exemplu IFA Stabitrans 303 sau IEMI 4102;

- osciloscop cu dou` spoturi ]i banda de cel pu\in 10 MHz, de exemplu Tesla BM;

- dou` sonde f`r` divizor;

- calculator compatibil IBM PC;

- pachet de programe PSpice.

6.1. Se vizualizeaz` pe osciloscop tensiunea u com furnizat` de astabil. Se m`soar`

timpii de comand` ai conduc\iei, respectiv bloc`rii, deci ]i perioada de repeti\ie. Se ajusteaz`

E pentru ca amplitudinea I E a curentului de emitor s` fie 0,75 A.

6.2. Se studiaz` cazul sarcinii pur rezistive (L s = 0), f`r` circuite snubber, circuit de

control a comut`rii [n conduc\ie (C b =0), diod` antisatura\ie D as , ]i diod` de nul D f . Se vizualizeaz` pe osciloscop u com , v CE (t), i C (t)i E (t) ]i evolu\ia punctului figurativ de

Desf`]urarea aplica\iei

51

func\ionare de coordonate i C (t)-v CE (t) [n planul ariei de func\ionare sigur` (AFS), folosind bornele U com , U 0 ]i I E . Se m`soar` timpii t d , t r , t s , t f . Circuitul pentru simularea PSpice este reprezentat [n fig. 14, iar fi]ierul de circuit corespunz`tor este 62.CIR din directorul C:\PSPICE\L2 . Pentru analiza PSpice se urm`re]te succesiunea:

se analizeaz` fi]ierul circuit 62.CIR cu succesiunea de comenzi: Files, Edit;

se par`se]te meniul Edit cu comanda Exit;

se intr` [n meniul Probe pentru a se vizualiza formele de und` furnizate de PSpice cu succesiunea de comenzi: Probe, Run Probe;

se vizualizeaz` tensiunea colector-emitor a tranzistorului [ntre punctele 5 ]i 0 cu comenzile: Add-trace, V(5);

se vizualizeaz` curentul de colector ]i curentul de baz` cu succesiunea de comenzi Plot-control, Add-plot, Exit, Add-trace, F4, IC(Q) ]i similar IB(Q). Se m`soar` timpii t d , t r , t s , t f .

se vizualizeaz` puterea instantanee disipat` de tranzistor cu succesiunea de comenzi Plot-control, Add-Plot, Exit, Add-Trace, V(5)*IC(Q). Pentru a se analiza puterea instantanee ]i valoarea sa maxim`, se folose]te comanda Zoom. Din situa\ia anterioar`, cu formele de und` pentru V(5), IC(Q), IB(Q) ]i putere instantanee afi]ate pe ecran, se revine [n situa\ia [n care pe ecran se afi]eaz` doar I(Q) cu succesiunea de comenzi: Plot-control, Remove plot, Remove plot, Exit.

se vizualizeaz` evolu\ia punctului figurativ de func\ionare (PFF) i C (t)-v CE (t) [n planul ariei de func\ionare sigur` (AFS) cu succesiunea de comenzi: X-axis, X-variable, V(5). Se putea anticipa evolu\ia PFF [n AFS ? Se p`r`se]te meniul Probe cu succesiunea de comenzi: Exit, Exit, Exit-program.

6.3. Se introduce [n circuit dioda de antisatura\ie D as pentru reducerea timpului de stocare. Se vizualizeaz` pe osciloscop u com , v CE (t), i C (t)i E (t). Se m`soar` timpii t d , t r , t s , t f . Ce se constat` ? Pentru analiza PSpice, circuitul corespunz`tor este desenat [n fig. 15, iar fi]ierul de circuit corespunz`tor este 63.CIR din C:\PSPICE\L2 .

52 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE Fig. 15 Tranzistor bipolar [n comuta\ie cu sarcin`

Fig. 15 Tranzistor bipolar [n comuta\ie cu sarcin` rezistiv` ]i circuit cu diod` antisatura\ie pentru reducerea timpului de stocare.

Se vizualizeaz` diagramele func\ionale PSpice care pun [n eviden\` fenomenul considerat. Se m`soar` timpii corespunz`tori comuta\iei tranzistorului. Ce diferen\e se observ` fa\` de punctul anterior ?

6.4. Se introduce [n circuiul de la punctul 6.2 condensatorul C b pentru controlul comut`rii [n conduc\ie. Se vizualizeaz` pe osciloscop u com , v CE (t), i C (t)i E (t). Se m`soar` timpii t d , t r , t s , t f . Circuitul pentru analiza PSpice este prezentat [n fig. 16, iar fi]ierul de circuit corespunz`tor este 64.CIR din directorul C:\PSPICE \L2 . Se vizualizeaz` pe monitor diagramele V(6), IC(Q) ]i IB(Q) pun@ndu-se [n eviden\` reducerea fronturilor de comuta\ie [n conduc\ie a tensiunii colector-emitor comparativ cu cazul de la punctul 6.2. Se efectueaz` multiple simul`ri cu diverse valori ale C b p@n` se ob\ine o valoare minim` a frontului de comuta\ie [n conduc\ie a tensiunii pe tranzistorul bipolar de putere. Ce valoare are condensatorul C b [n acest caz ?

Desf`]urarea aplica\iei

53

Desf`]urarea aplica\iei 53 Fig. 16 Tranzistor bipolar [n comuta\ie pe sarcin` rezistiv` ]i circuit pentru controlul

Fig. 16 Tranzistor bipolar [n comuta\ie pe sarcin` rezistiv` ]i circuit pentru controlul comut`rii [n conduc\ie.

6.5. Se analizeaz` comuta\ia tranzistorului bipolar pe sarcin` inductiv-rezistiv`, f`r`

diod` de nul ]i circuite snubber. Circuitul din baz` nu con\ine nici dioda antisatura\ie, nici condensatorul pentru controlul comut`rii [n conduc\ie. Se vizualizeaz` pe osciloscop u com , v CE (t), i C (t)i E (t) ]i evolu\ia punctului figurativ de func\ionare de coordonate i C (t)-v CE (t), folosind bornele U com , U 0 ]i I E . Cum v` explica\i oscila\ia i C (t) ]i v CE (t) [n absen\a "aparent`" a unui condensator [n circuit ? Circuitul corespunz`tor analizei PSpice este prezentat [n fig. 17, iar fi]ierul de circuit corespunz`tor este 65.CIR din C:\PSPICE \L2 .

circuit corespunz`tor este 65.CIR din C: \ PSPICE \L2 . Fig. 17 Tranzistor bipolar [n comuta\ie

Fig. 17 Tranzistor bipolar [n comuta\ie pe sarcin` inductiv-rezistiv`.

Se vizualizeaz` curentul de colector, de baz`, tensiunea colector-emitor ]i puterea instantanee disipat` de tranzistor. Exist` momente [n care puterea instantanee pe tranzistor este negativ`, deci tranzistorul cedeaz` energie. Cum explica\i acest lucru \in@nd cont c` dispozitivul este pasiv, deci nu con\ine surse de energie ?

54

STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

Se m`soar` timpii t d , t r , t s , t f . Se vizualizeaz` evolu\ia punctului figurativ de func\ionare [n planul AFS. Identifica\i punctele corespunz`toare st`rilor sta\ionare [n care tranzistorul este saturat ]i respectiv blocat. Cum aprecia\i condi\iile [n care lucreaz` tranzistorul [n acest circuit ?

6.6. Se introduce [n circuitul de la punctul anterior dioda de nul D f . Se vizualizeaz`

diagramele curen\ilor ]i tensiunilor pe dispozitiv. Circuitul de analiz` PSpice este prezentat [n fig. 18, iar fi]ierul de circuit corespunz`tor este 66.CIR.

fig. 18, iar fi]ierul de circuit corespunz`tor este 66.CIR. Fig. 18 Tranzistor bipolar [n comuta\ie cu

Fig. 18 Tranzistor bipolar [n comuta\ie cu sarcin` inductiv-rezistiv` ]i diod` de nul.

Se vizualizeaz` curentul de colector, de baz`, tensiunea colector-emitor ]i puterea instantanee disipat` de tranzistor. Ce diferen\e se constat` fa\` de punctul anterior ?

6.7. Pentru configura\ia din cadrul punctului anterior se introduce circuitul snubber

off. Deoarece pentru cazul considerat se poate presupune c` sarcina este puternic inductiv`, iar impulsurile de comand` au factorul de umplere δ = 0,5, se ob\ine pentru curentul prin

= 0,375Ω. La acest curent tranzistorul are

sarcin` valoarea de palier I

t

C

Se vizualizeaz` pe osciloscop curentul prin tranzistor ]i tensiunea colector-emitor a acestuia, precum ]i evolu\ia punctului figurativ de func\ionare (PFF) [n planul ariei de func\ionare sigur` (AFS). Circuitul corespunz`tor analizei PSpice este prezentat [n fig. 19, iar fi]ierul de circuit corespunz`tor este 67.CIR.

0

= δ

V

cc

/

R

off

f

= 0,35μ

s

. Se ob\ine, utiliz@nd rela\ia (25), valoarea condensatorului snubber

.

s1 = 2,1875 F

n

Desf`]urarea aplica\iei

55

Desf`]urarea aplica\iei 55 Fig. 19 Tranzistor bipolar [n comuta\ie cu sarcin` inductiv-rezistiv`, diod` de nul ]i

Fig. 19 Tranzistor bipolar [n comuta\ie cu sarcin` inductiv-rezistiv`, diod` de nul ]i circuit snubber "off".

Se vizualizeaz` curentul de colector IC(Q), curentul prin condensatorul snubber

I(Coff), tensiunea colector-emitor V(5), puterea instantanee disipat` de tranzistor IC(Q)*V(5) ]i evolu\ia PFF [n planul AFS. Se observ` folosindu-ne de Zoom evolu\ia parabolic` a tensiunii colector-emitor [n cursul comuta\iei tranzistorului [n blocare. Cum aprecia\i modificarea puterii instantanee pe tranzistor [n cursul celor dou` comuta\ii ? Efectua\i alte

. S` se explice

evolu\ia PFF [n planul AFS pentru cele trei situa\ii ob\inute.

dou` simul`ri cu valori ale lui C

mai mari ]i respectiv mai mici dec@t

C

s1

off

6.8. {n cadrul configura\iei de la punctul 6.6 se introduce circuitul snubber on. La

= 0,375Ω a curentului de colector calculat` anterior,

tranzistorul are t

valoarea inductan\ei din circuitul snubber on L

curentul prin tranzistor ]i tensiunea colector-emitor a acestuia, precum ]i evolu\ia PFF [n planul AFS. Circuitul pentru analiza PSpice este prezentat [n fig. 20, iar fi]ierul de circuit corespunz`tor este 68.CIR. Se vizualizeaz` curentul de colector IC(Q), tensiunea colector-emitor V(5), puterea instantanee disipat` de tranzistor IC(Q)*V(5) ]i evolu\ia PFF [n planul AFS. Se observ` utiliz@nd Zoom faptul c` tranzistorul comut` [n conduc\ie la tensiune colector-emitor nul`,

H . Se vizualizeaz` pe osciloscop

valoarea de palier I

0

= δ

V

cc

/

R

off

r =1,2μ

s.

Se ob\ine utiliz@nd rela\ia (28) ]i impun@nd

on = 96μ

Δ

U

= V

cc

CE

puterea disipat` [n cursul acestui proces fiind nul`. Cum aprecia\i influen\a circuitul snubber on asupra puterii instantanee pe tranzistor [n cursul comuta\iei [n blocare ? Efectua\i alte

mai mari ]i respectiv mai mici dec@t valoarea calculat`

dou` simul`ri cu valori ale lui L

anterior. Ce observa\i ?

on

56 STUDIUL REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE

REGIMULUI DE COMUTA|IE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE DE PUTERE Fig. 20 Tranzistor bipolar [n comuta\ie cu sarcin`

Fig. 20 Tranzistor bipolar [n comuta\ie cu sarcin` inductiv-rezistiv`, diod` de nul ]i circuit snubber "on".

7. {NTREB~RI

7.1. S` se calculeze puterea disipat` de tranzistorul T 1 [n satura\ie datorit`

tensiunii de satura\ie U 0 .

7.2. S` se calculeze pentru cazul sarcinii rezistive puterea disipat` de tranzistorul T 1

[n cursul comuta\iei, folosind pentru t r , t f ]i frecven\a impulsurilor de comand` valorile

m`surate experimental. S` se compare puterea disipat` [n satura\ie calculat` anterior cu cea datorat` comuta\iei.

7.3. S` se calculeze pentru cazul sarcinii inductiv-rezistive la comutarea [n blocare,

energia stocat` [n condensatorul C al circuitului snubber "off", energia disipat` [n rezisten\a R s ]i s` se fac` bilan\ul puterilor.

7.4. Din ce motiv apar oscila\ii ale curentului i C (t) la comutarea [n blocare pe sarcin`

inductiv-rezistiv` (punctul 6.5). S` se estimeze valoarea capacit`\ii colector-emitor a tranzistorului T 1 utiliz@nd rezultatele simul`rii PSpice ?