Cercetare 43

FIZICA I TEHNOLOGIILE MODERNE, vol. 2, nr. 3-4, 2004

FULLERENELE O NOU FORM ALOTROPIC A
CARBONULUI

Conf. univ. dr. Petru LOZOVANU
UNIVERSITATEA DE STAT, CHIINU

1. STRUCTURA I PROPRIETILE FULLERENELOR
n natur, carbonul este ntlnit mai des n stare solid sub dou forme distincte, grafit i
diamant, ale cror proprieti fizice i chimice sunt mult diferite. Structura diamantului a fost
determinat nc n anul 1913 i face parte din sistemul reelelor cubice cu fee centrate.
Celula unitar conine opt atomi i are latura de 0,35667 nm. Structura diamantului este
prezentat n fig. 1, a.
Existena unui numr de patru electroni de valen permite carbonului formarea de
legturi covalente tetragonale ntre fiecare atom i patru dintre vecinii si, plasai n vrfurile
unui tetraedru regulat. Structura cristalin astfel obinut poart numele de structur de tip
diamant, ea fiind una din cele dou forme de structuri hexagonale compacte.
Electronii de valen ai carbonului permit formarea legturilor trigonale ntre un atom i
trei dintre vecinii si. O astfel de legtur duce la formarea unei structuri cristaline hexagonale
bidimensionale. Reeaua cristalin a grafitului se obine prin suprapunerea unor asemenea
reele bidimensionale n care dou straturi consecutive sunt deplasate unul fa de altul de-a
lungul unei legturi pe o distan egal cu lungimea unei legturi, deplasarea fcndu-se
alternativ ntr-un sens i n sens opus i astfel rezultnd o alternan a straturilor. Celula
unitar este reprezentat printr-o reea hexagonal simpl. O astfel de structur este prezentat n
fig. 1. b, dimensiunile celulei unitare fiind de 0, 674 nm n nlime i de 0,245 nm de-a lungul
unei laturi a bazei. Distana dintre straturile care formeaz structura grafitului egal cu 0,3354 nm
este mare n comparaie cu distana dintre doi atomi de carbon din reeaua hexagonal
unidimensional egal cu 0,1421 nm. De aceea se presupune c proprietile electronice ale reelei
bidimensionale a grafitului constituie o bun aproximare a proprietilor reelei tridimensionale.
Fig. 1: a structura diamantului; b structura grafitului.

Densitile celor dou faze sunt diferite datorit diferenelor mari dintre reelele
cristaline. Astfel, dac densitatea grafitului este de 2,25-2,30 g/cm
3
, densitatea diamantului
este aproximativ cu 50% mai mare, ea avnd valoarea de 3,5 g/ cm
3
.
Ultimele descoperiri au demonstrat c aceste structuri caracteristice grafitului i
diamantului sunt optime i pentru o alt modificaie a carbonului n stare solid care poart
numele de fullerene i care reprezint o form alotropic a carbonului, n care atomii
formeaz molecule cu suprafaa nchis.

44 Cercetare

FIZICA I TEHNOLOGIILE MODERNE, vol. 2, nr. 3-4, 2004
Fig. 2. Molecula de carbon C
60
.

Printre primele fullerene descoperite a fost molecula de carbon C
60
ce se deosebete de
alte molecule pe care le formeaz atomii de carbon prin stabilitatea mare i ordinul nalt de
simetrie. n fig. 2 este reprezentat clusterul C
60
care const din 20 de hexagoane regulate i 12
pentagoane regulate, aranjate n aa mod nct fiecare hexagon se mrginete cu trei
hexagoane i cu trei pentagoane, iar fiecare pentagon se mrginete cu cinci hexagoane.
Fiecare atom de carbon din molecula C
60
este situat n vrful a dou hexagoane i al unui
pentagon i practic nu se deosebete de ali atomi ai moleculei. Distana dintre atomii de
carbon din molecul este egal cu 0,140 nm. Prin metoda de analiz cu raze X s-a estimat c
raza moleculei de C
60
este aproximativ de 0,357 nm.
Molecula de carbon cu structura asemntoare cu o minge de fotbal a fost descris
pentru prima dat ntr-un articol semnat de Kroto H.W., Heath J. R., OBrien S. F., Curl R. F.
i Smalley R. i publicat n 1985 n revista Nature [1]. Obinerea experimental a clusterelor
de carbon C
60
de ordin mai nalt este una dintre cele mai strlucite descoperiri din ultimele
decenii, pentru care n anul 1996 a fost decernat premiul Nobel [2]
Moleculele de carbon C
60
n stare condensat, denumit fullerit, reprezint un cristal
molecular. Structura cristalelor moleculare este asemntoare cu structura gazelor inerte n
stare solid. Moleculele C
60
formeaz dou structuri, una hexagonal i alta cubic cu feele
centrate, aceasta din urm fiind predominant. Densitatea monocristalelor este de 1,7 g/cm
3
.
n cristalele de tip cubic cu feele centrate distana dintre vecinii de ordinul I este egal cu
1,003 nm, iar constanta reelei este de 1,4198 nm. Structura fulleritei este determinat de
condiiile de cretere a cristalului. Comprimarea moleculelor C
60
n stare solid pn la
presiunea de 510
4
atm la temperaturi de 600 - 700 K duce la formarea structurii cubice cu
feele centrate i parametrul reelei a
0
= 1,36 nm, iar comprimarea la temperaturi de 800
1000 K are ca rezultat formarea structurii rombice, caracterizat de parametrii reelei
hexagonale a
0
= 0,922 nm i c
0
= 2,46 nm.
La temperaturi T >260 K moleculele de carbon C
60
formeaz o reea cu fee centrate,
n care moleculele se rotesc liber pstrndu-i forma sferic. La temperaturi mai joase de 260
K viteza de rotaie a moleculelor devine mai mic i structura reelei trece la forma cubic
simpl cu patru molecule n celula elementar. n aceste condiii carbonul C
60
are proprieti de
dielectric. La temperaturi T < 90 K micarea moleculelor nceteaz complet.
Avnd n vedere faptul c fullerenele sunt formate din aceleai hexagoane ca i grafitul,
iar cele mai eficiente metode de obinere a fullerenelor sunt bazate pe descompunerea termic
a grafitului, modelele teoretice existente pornesc de la presupunerea c fullerenele sunt
formate din hexagoane evaporate din grafit. La nclzirea grafitului legturile dintre diferite
straturi se rup i n procesul evaporrii aceste straturi se mpart n fragmente separate.
Fragmentele reprezint variate combinaii din hexagoane, care se pot uni i forma molecule.
n stare gazoas clusterii de carbon se mic datorit energiei termice, ciocnindu-se ntre ei i cu
Cercetare 45

FIZICA I TEHNOLOGIILE MODERNE, vol. 2, nr. 3-4, 2004
atomii gazului de amortizare.
S-a constatat c pentru obinerea fullerenelor este necesar meninerea n procesul
tehnologic a unei anumite presiuni a gazului de amortizare n incinta de lucru. Rolul gazului de
amortizare se reduce la rcirea fragmentelor de grafit i evacuarea energiei care se degaj la
unirea segmentelor. La unele presiuni ale gazului compunerea segmentelor devine imposibil.
Folosind heliul n calitate de gaz de amortizare, fullerenele C
60
se pot obine prin
descompunerea grafitului n arc voltaic. n cazul sintezei fullerenelor C
60
prin metoda
descompunerii grafitului cu ajutorul laserului cantitatea maxim de fullerene se obine atunci
cnd n calitate de gaz de amortizare este folosit argonul.
Un interes deosebit, att sub aspect de cercetare ct i aplicativ, prezint procesul de
sintez a fullerenelor nsoit de introducerea n interiorul moleculei prin diferite metode a
atomilor de metale. Aceste fullerene se numesc metalofullerene. n tehnologiile de obinere a
metalofullerenelor se utilizeaz descompunerea n arc voltaic a electrozilor mbibai cu atomii
metalelor respective sau cu ale srurilor lor, n prezena gazului de amortizare.
Creterea straturilor subiri de fullerene n stare amorf i cristalin pe diferite suporturi
constituie o problem dificil. Soluionarea acesteia ar permite utilizarea straturilor subiri de
fullerene C
60
n diferite domenii i, n special, la confecionarea diferitelor dispozitive
electronice.
Condiiile fizico-tehnologice optime de cretere a straturilor subiri de fullerene C
60
sunt
caracterizate de presiunea mic a vaporilor suprasaturai i de vitez relativ mare de
condensare. n metodele de sublimare n sisteme deschise condensarea are loc din fluxul de
molecule cu valoarea mare a presiunii vaporilor suprasaturai. n prezent, n tehnologia de
obinere a straturilor subiri cristaline de fullerene C
60
se utilizeaz metoda sublimrii termice n
vid.
Un ir de proprieti neobinuite apar la compuii pe care i formeaz moleculele de C
60

cu diferite metale. Este observat corelaia dintre parametrul reelei compuilor fullerenelor cu
metale alcaline i temperatura critic de supraconductibilitate. La creterea parametrului
reelei crete liniar i temperatura critic a compuilor .
Cercetrile experimentale ale proprietilor mecanice ale fullerenelor au confirmat
speranele referitor la elaborarea unui lubrifiant n stare solid de mare eficacitate. Conform
rezultatelor obinute, suprafeele pe care au fost depuse straturi subiri de fullerene au
coeficientul de frecare foarte mic.
ntr-o serie de experiene cu probe de oel i de bronz au fost studiate proprietile
fullerenelor C
60
acestea fiind introduse n calitate de adaus n uleiurile tehnice. Dup un timp
ndelungat de utilizare a fost studiat gradul de uzur al probelor prin metoda cntririi cu
precizie. S-a constatat c la adugarea unei cantiti mici de fullerene C
60
sub form de praf
gradul de uzur al probelor se micoreaz cu 20-30%. Pentru a pune n eviden proprietile
mecanice ale fullerenelor n stare solid au fost depuse straturi de fullerene C
60
pe diferite
probe i s-a constatat c gradul de uzur se reduce de 3 ori.
n dependen de temperatur, cristalele i straturile subiri de fullerene au proprieti de
dielectric sau de semiconductor cu limea benzii interzise de 1,2 1,9 eV, iar n anumite
condiii manifest fotoconductibilitate. La doparea cu atomi ai metalelor alcaline, ele au
conductibilitate metalic i trec n starea de supraconductibilitate la temperaturi critice relativ
nalte (18 33 K).
Rezultatele studierii caracteristicilor electrice ale eantioanelor policristaline de C
60

demonstreaz c rezistivitatea acestora variaz monoton cu temperatura, iar limea benzii
interzise variaz n dependen de temperatura eantionului i presiunea aplicat.
Un alt parametru ce caracterizeaz materialele semiconductoare este timpul de relaxare
al purttorilor de sarcin. Rezultatele experimentale arat c timpul de relaxare al purttorilor
n straturi subiri de fullerene C
60
are form neexponenial, cu constanta de timp 510
-8
s.
46 Cercetare

FIZICA I TEHNOLOGIILE MODERNE, vol. 2, nr. 3-4, 2004
Faptul c timpul de relaxare nu depinde de temperatur n intervalul 150 400 K este o
dovad a existenei mecanismului de recombinare legat de trecerea electronilor ntre strile
localizate prin efectul tunel.
Una din principalele surse de informaie despre structura fullerenelor C
60
o constituie
spectrele de absorbie n domeniile ultraviolet, vizibil i infrarou. Puinele linii de absorbie
n infrarou sunt o dovad a gradului nalt de simetrie al moleculelor de fullerene C
60
. n
spectru se disting patru linii intense de absorbie, ale cror centre corespund energiilor de
1429, 1183, 577 i 528 cm
-1
, iar limea variaz n intervalul 3 10 cm
-1
[3].
La iluminarea cu radiaie n domeniul vizibil, n straturile subiri de C
60
obinute din
polivinilcarbazol i soluie saturat de toluen apare efectul de fotoconductibilitate. Din cercetrile
efectuate rezult c acest material are cele mai bune caracteristici de fotoconductibilitate dintre
materialele organice. Efectul de neliniaritate a transparenei soluiilor care conin fullerene sau
compui ai fullerenelor permite utilizarea lor n calitate de limitator de radiaie laser i obturator
optic. Intensitatea limit a obturatoarelor optice pe baz de soluii de fullerene este mult mai
joas dect a materialelor tradiionale.

2. SINTEZA MOLECULELOR DE FULLERENE PRIN METODA
DESCOMPUNERII GRAFITULUI N ARC VOLTAIC
Odat cu descoperirea moleculelor de carbon C
60
una din problemele principale, actual
i n prezent, a devenit tehnologia de preparare a acestora. Sunt cunoscute mai multe metode
prin care se obin clusteri de carbon la descompunerea diferitelor substane. n cele mai multe
cazuri, sinteza moleculelor de carbon C
60
se realizeaz prin vaporizarea n gaz inert a
electrozilor de grafit nclzii n curent de mare intensitate la tensiuni mici i presiuni joase. n
funcie de condiiile de sintez, concentraia moleculelor de carbon C
60
n funinginea obinut
variaz n limite largi i n condiii optime poate atinge pn la 15% din masa total de
funingine.
Moleculele de fullerene C
60
se obin mai eficient prin metoda de descompunere n arc
voltaic a electrozilor de grafit pur din punct de vedere spectral n atmosfer de heliu. Pentru a
stabili condiiile tehnologice optime i a prepara fullerene C
60
n cantiti suficiente pentru
studierea proprietilor lor a fost proiectat i realizat o instalaie, a crei schem este
reprezentat n fig. 3.
Incinta de lucru 21 reprezint o camer cu vid de form cilindric, confecionat din oel
inoxidabil cu perei dubli, ntre care circul lichidul de rcire 13. n incint sunt plasai
electrozii de grafit 10 i 11. Electrodul 11 sub forma de disc este confecionat din grafit pur
din punct de vedere spectral i este montat n colectorul de funingine 12, care este fixat pe
peretele din spate al incintei de lucru, el fiind n contact termic cu peretele. Pe capacul 1 care
nchide ermetic incinta este montat dispozitivul mecanic de dirijare 3 cu electrodul mobil 10.
Acest electrod este confecionat din bare de grafit de tip C-S-5 cu diametrul de 6 mm i
lungimea de 140 mm. n timpul arderii electrozilor n arc voltaic dispozitivul mecanic de
dirijare, prin intermediul barei cu filet 5, deplaseaz dispozitivul de fixare a electrodului 8
meninnd distana stabilit dintre electrozi.
Directoarea 9 prevzut cu un canal care comunic cu lichidul de rcire servete pentru
rcirea electrodului. Contactul electric dintre electrodul de grafit i bara directoare se face prin
intermediul contactului mobil al dispozitivului 8. Alimentarea arcului electric se efectueaz cu
ajutorul transformatorului de coborre 7 i redresorului 6 care, la tensiuni de 1525 V, asigur
un curent cu intensitatea cuprins n limitele 50150 A. Pentru a evita nclzirea firelor
conductoare, contactul electric cu electrozii se face prin intermediul pereilor i al capacului
incintei. Scurtcircuitul este evitat de garnitura dintre incint i capac, confecionat din
cauciuc cu grosimea de 10 mm.
Cercetare 47

FIZICA I TEHNOLOGIILE MODERNE, vol. 2, nr. 3-4, 2004

Fig. 3. Schema instalaiei pentru sinteza fullerenelor:
1 capacul incintei de lucru; 2 garnitur; 3 dispozitiv mecanic de dirijare a electrodului de grafit; 4
garnitur; 5 bar cu filet; 6 redresor; 7 transformator de coborre; 8 dispozitiv de fixare a electrodului
de grafit; 9 directoare; 10, 11 electrozi de grafit; 12- colector de fullerene; 13 lichid de rcire; 14
manometru; 15 robinete; 16 - instalaie de vid; 17 termocuplu; 18- termoreglator; 19 pomp de ap; 20
rezervor cu lichid de rcire; 21 incinta de lucru.

Sistemul de rcire al instalaiei const dintr-un rezervor 20 confecionat din oel
inoxidabil cu capacitatea de 200 l nzestrat cu o pomp de ap 19. n calitate de lichid de
rcire se utilizeaz apa distilat. Temperatura lichidului de rcire este controlat cu ajutorul
unui termocuplu de platin-platinoradiu 17 conectat la dispozitivul de termostatare 18 care
dirijeaz pompa de ap.
Pentru evacuarea aerului din incinta de lucru se utilizeaz instalaia de vid 16 (VUP 4)
cu ajutorul creia n incint se creeaz presiunea de 10
-3
10
-4
Torr. Alimentarea instalaiei cu
gaz inert se realizeaz printr-o reea de conducte executate din oel inoxidabil la care sunt
conectate, prin intermediul robinetelor 15, buteliile cu Ar i He. Presiunea gazului de
amortizare n incinta de lucru este controlat cu ajutorul manometrului 14 n limitele 1 760
Torr.
48 Cercetare

FIZICA I TEHNOLOGIILE MODERNE, vol. 2, nr. 3-4, 2004
Ciclul de sintez a substanei primare, funinginea, care conine carbonul C
60
n stare
molecular, are loc n felul urmtor. Iniial, din incinta de lucru este evacuat aerul pn la
presiunea de 10
-3


Torr, apoi se face degazarea electrozilor. Cu ajutorul dispozitivului de
deplasare 3 electrozii se aduc n contact i se aprinde arcul voltaic pentru un timp de 23
minute, necesar pentru ca electrodul 10 s se nclzeasc pn la temperatura de lucru. n
continuare, incinta de lucru se videaz pn la presiunea de 10
-3
Torr i apoi se umple cu
gazul de amortizare, Ar sau He, pn la presiunea de lucru. La sinteza moleculelor de carbon
C
60
presiunea gazului poate varia de la 50 Torr la 150 Torr.
Dup aprinderea arcului voltaic, se stabilete intensitatea curentului n arc n dependen
de distana meninut dintre electrozi. n timpul ct arcul voltaic este aprins, temperatura
pereilor incintei de lucru se menine n limitele 30 2C cu ajutorul sistemului de rcire.
n funcie de tensiunea aplicat, curentul stabilit i viteza de deplasare, descompunerea
electrodului de grafit 10 poate fi realizat ntr-un interval de timp de 20 min pn la 60 min.
Viteza maxim de ardere a electrodului atinge 510
-5
ms. La arderea n arc voltaic n
condiii optime, electrodul de grafit 11 practic nu ce descompune ntruct pe suprafaa lui, n
punctul de contact cu electrodul 10, se acumuleaz un precipitat care conine nanotuburi. S-a
stabilit c masa precipitatului depinde n mare msur de viteza de deplasare a electrodului 10
i de curentul n arcul voltaic. n dependen de parametrii arderii, masa precipitatului
constituie de la 8 % pn la 90 % din masa electrodului.
Dup descompunerea electrodului 10, circuitul de rcire se ntrerupe i incinta se
nclzete pn la temperatura de 60 C i se menine la aceast temperatur timp de 1020
min, pstrnd n continuare presiunea gazului de amortizare Dup ce ea se rcete pn la
temperatura camerei, incinta de lucru se deschide i se colecteaz funinginea depus pe
colectorul 12 de pe pereii ei. Prin metode chimice i de sublimare termic din funinginea
obinut se extrag moleculele de fullerene C
60
i de ordin superior.

BIBLIOGRAFIE:
1. Kroto H.W., Heath J.R., OBrien S.F., Curl R.F. and Smalley R.// C
60
Buckmins-
terfullerene. // Nature. 1985. T. 318. - P. 162-163.
2. . . . . // . - 1998. -T. 168. - 3. -
C. 324-330.
3. Lozovanu P., Lasser G., Stamati M., Caraman M., // Carbon vibration modes in C
60

fullerenes. J. Optoelectr. and Advanced Materials, v. 4, 2002, p. 151-154.


DIFRACIA RADIAIEI X PE REEAUA CRISTALIN

Prof. drd. Viorica CHIOREAN
BAIA MARE, ROMNIA

Difracia este fenomenul de ptrundere a radiaiei electromagnetice n spatele
obstacolelor sau abaterea de la propagarea rectilinie a radiaiei.
Reeaua cristalin se caracterizeaz prin faptul c distana dintre doi atomi vecini,
similar cu o fant, este comparabil cu lungimea de und a radiaiei X
galben
) 6000 / 1 (
0
=
ceea ce face posibil fenomenul de difracie a radiatei X pe cristale.
Experiene cu difracia radiaiei X pe cristale au fost efectuate n 1912 de ctre Max von
Laue, Knipping, Friedrich, Bragg i fiul su.
Aranjarea reticular n starea cristalin se realizeaz sub form de :
Cercetare 49

FIZICA I TEHNOLOGIILE MODERNE, vol. 2, nr. 3-4, 2004



a) Difracia radiaiei X pe un ir reticular de atomi cu constanta a
1
. Un fascicul
paralel de raze X cade pe irul reticular sub unghiul
0
i este difractat sub unghiul . Radiaia
X mprtiat de ctre atomii irului reticular interfer i rezult maxime i minime de
interferen. Maximele de interferen se formeaz n direcia n care diferena de drum a
radiaiei X mprtiate este un numr ntreg de lungimi de und =n.
n fig. 2, a
1
=A
1
A
2
este constanta reelei, diferena de drum =A
1
C
1
-A
2
B
2
;

1
2 2
0
cos
a
B A
=
i deci A
2
B
2
=a
1
cos
0
;

1
1 1
cos
a
C A
=
, de unde A
1
C
1
=a
1
cos.
Pentru diferena de drum obinem = a
1

cos- a
1
cos
0

sau = a
1
(cos cos
0
) = n care este condiia de difracie Bragg.
Condiia de difracie Bragg este ndeplinit pentru toate razele mprtiate dup
generatoarele conurilor care au ca ax comun irul reticular de atomi:
pe un plan perpendicular pe irul reticular figurile de interferen sunt cercuri
concentrice;
pe un plan paralel cu irul reticular
figurile de interferen sunt hiperbole
echilaterale.

b) Difracia razelor X pe un plan
reticular cu constantele a
1
i a
2.
Maximele de difracie se deformeaz pe cele doua direcii Ox i Oy dac sunt ndeplinite
condiiile de difracie Bragg:
1
= a
1
(cos cos
0
) = h;
2
= a
2
(cos cos
0
) = k.
Figurile de interferen se obin la
interseciile celor doua sisteme de conuri.
Maximele de interferen sunt punctele ce rezult
din intersecia hiperbolelor echilaterale
corespondente celor doua direcii.

c) Difracia razelor X pe o reea tridimensional cu constantele a
1
, a
2
, a
3
, care
reprezint distanele la care sunt aezai atomii dup cele trei direcii x, y, z. Aplicarea teoriei
dezvoltate pentru irul reticular i planul reticular nu poate fi fcut experimental deoarece n
natur nu exist astfel de reele i nu pot fi realizate artificial.
Pentru reeaua tridimensional se obin maxime de interferen la intersecia celor trei
sisteme de conuri aezate coaxial n raport cu axele Ox, Oy, Oz. Pe o plac fotografic dispus
perpendicular pe axa Oz n afara sistemului de hiperbole se mai obine un sistem de cercuri
concentrice; intersecia simultan a acestor linii formeaz figura de interferen cu maximele
nite puncte.
50 Cercetare

FIZICA I TEHNOLOGIILE MODERNE, vol. 2, nr. 3-4, 2004
Razele difractate se ntlnesc prin respectarea simultana a trei condiii numite i
ecuaiile lui Laue:
a
1
(cos cos
0
) = h
a
2
(cos cos
0
) = k
a
3
(cos cos
0
) = l
Aici h, k, l sunt indicii Miller.
Teoria interferenei razelor X a fost elaborat de Max von Laue care a stabilit prin calcul
locul petelor (punctelor) de interferen pe o rentgenogram. Relaia lui Bragg 2dsin=n
permite s se considere cristalul nu ca un sistem de atomi, ci ca un sistem de plane atomice pe
care se realizeaz reflexia razelor X.
Relaia lui Bragg pentru diferite sisteme cristalografice
sin = n/2d - sistem cubic; (a
1
= a
2
= a
3
) - sistem tetragonal; (a
1
= a
2
a
3
) - sistem
rombic
) (
4
0 sin
2 2 2
2
2
2
l k h
a
+ + =

; ) (
4
0 sin
2
3
2
2
1
2 2 2
2
a
l
a
k h
+
+
=

; ) (
4
0 sin
2
3
2
2
2
2
2
1
2 2
2
a
l
a
k
a
h
+ + =

.

Difracia ca metod de studiu a reelei cristaline, se aplic n:
a) metoda cristalului fix (Laue); b) metoda cristalului rotit; c) metoda pulberilor.
Rentgenograma unei probe cristaline se obine astfel. Proba are de obicei forma unui
cilindru cu diametrul de 1 mm. Filmul se aeaz n lungul peretelui interior al casetei, iar
proba este n centrul casetei.












Figurile de interferen sunt conuri coaxiale cu centrul n proba, iar intersecia conurilor
cu pelicula determin formarea liniilor de interferen; fiecare linie de interferen este
rezultatul reflexiei de la un sistem de plane atomice paralele situate la distanta d. La sistemul
cubic d = a / a ; a = n / 2 sin.

BIBLIOGRAFIE:
1. G. Mastacan, Al. Ciocnel. Studiul cristalelor cu raze X, 1962, Editura Tehnic.
2. I. I. Nicolaescu. Introducere n fizica corpului solid, 1997, Editura Cultura, Piteti.
3. Vasile Z. Iuan, Iului I. Pop. Fizic, Editura didactic i pedagogic, 1983, Bucureti.



Cercetare 51

FIZICA I TEHNOLOGIILE MODERNE, vol. 2, nr. 3-4, 2004
EXPRESIA GENERAL A INTENSITII INTEGRALE
Prof. drd. Viorica Chiorean i prof. Erika Balogh
GRUPUL COLAR "C. D. NENIESCU", BAIA MARE

n cazul interaciei radiaiei X cu substana se poate determina coeficientul integral de
reflexie i expresia general a intensitii integrale.
Pentru pulberi cristaline (cristale mozaic, nu ideale!) de mrime
5 6
10 10

m se
definete expresia general a intensitii maximelor de interferen, rezultate din interaciunea
radiaiei X cu substana, sub forma:
2
) ( ) ( F f W A J L K I
hkl hkl
=
unde K este un coeficient care unete toate mrimile constante ce se refer la o linie de
interferen;

cos sin
1
) (
2
= L
este factorul Lorentz care d dependena I
hkl
de unghiul i
caracterizeaz absena condiiilor ideale de interferen Laue; I
hkl
este factorul de repetare ce
ine seama de numrul planelor echivalente care particip la reflexia pe o anumit direcie;
A() factorul de absorbie care ine cont de absorbia razelor primare i reflectate de ctre
prob, A() crete dac crete;
2
sin
0

= =

B
m
e
i
i
W este factorul termic care arat de cte ori
se micoreaz intensitatea liniei de interferen datorit oscilaiei termice a atomilor reelei
fa de starea neoscilant;

=
+ +
=
1
1
) ( 2
q
i
lw kv hu i
j hkl
j j j
e f F

este factorul de structur care arat de
cte ori intensitatea razelor reflectate de un plan atomic oarecare al cristalului cu reea
complex este mai mare sau mai mic dect intensitatea razelor reflectate de acelai plan al
unei reele simple;
e
a
i
i
f =
2
este factorul atomic (amplitudinea de structur).
mprtierea radiaiei X este datorat interaciei radiaiei cu atomii pe care cade
fasciculul de radiaie. Pot fi dou feluri de mprtiere:
mprtiere fr schimbarea lungimii de und a radiaiei incidente;
mprtiere cu schimbarea prin efectul Compton.
mprtierea fr schimbare de lungime de und este datorat interaciei radiaiei
incidente cu electronii pe care cmpul electric alternativ E=E
0
sint ce corespunde radiaiei
incidente i pune n micare oscilatorie, electronii devenind astfel emitori de energie radiant
de aceeai frecven cu cea a oscilaiilor lor, deci cu cea a radiaiei incidente. Randamentul
mprtierii radiaiei X pe atom pentru o direcie dat se msoar prin factorul de difuzie f.
Intensitatea mprtiat de ntregul atom:
2
f I I
e a
= ,
unde I
e
este intensitatea mprtiat de un electron;
e
a
A
A
f = , A
a
amplitudinea undei
mprtiate de ntregul atom; A
e
amplitudinea undei mprtiate de un electron, A
a
= f

A
e
.
Se arat c
dr
r r
r U f

sin 4 sin 4
sin ) (
0

;
Valoarea maxim

=
0
) ( dr r U f corespunde pentru
0
sin
=

, adic =0. U(r) reprezint

probabilitatea de a gsi un electron ntre sferele de raz r i r+dr fa de centrul atomului;
52 Cercetare

FIZICA I TEHNOLOGIILE MODERNE, vol. 2, nr. 3-4, 2004

sin 4 r
exprim diferena de faz datorat electronilor din atom ce se afl la distana r fa
de centrul atomului pentru =0 ; 0
sin
=

; fZ (numrul de electroni din interiorul

atomului).
Valoarea amplitudinii atomice (valoarea radiaiei difuzate) se determin cu distribuia
electronilor n atom. Densitile electronice au fost calculate teoretic pentru mai multe
elemente. Exemplu: curba distribuiei densitii electronice pentru ionii potasiului i clorului.
Aria
dr r U ) (
0

de sub aceast curb este egal cu numrul electronilor atomului. Fiecare

parte a norului electronic ce nconjoar nucleul mprtie razele X proporional cu densitatea
sa. Calculul factorului atomic al radiaiei mprtiate de toi electronii atomului conduce la
ecuaia


= =
0 0
) ( ) (
sin
Z dr r U dr r U f

pentru
1
sin
=

.

Factorul de repetare (J
hkl
)
Intensitatea integral se definete i prin factorul de repetare. Acesta ine seama de
numrul planelor echivalente care particip la reflexia pe o anumit direcie.
Factorul de repetare depinde de valoarea indicilor Miller ai planelor, sistemul de care
aparine cristalul studiat (cubic, tetragonal, rombic) i metoda de studiu.
Ca exemplu, factorul de repetare pentru sistemul cubic i tetragonal este:

Sistem cubic Sistem tetragonal
Planele (100) (111) (110) (hk0) (hhl) (hkl) (100) (001) (110) (hk0) (h0l) (hhl) (hkl)
J
hkl
6 8 12 24 24 48 4 2 4 8 8 8 16

Factorul de sructur (f
hkl
)
Exist reele complexe care sunt determinate dac se indic toate coordonatele atomilor
care se refer la o celul elementar. Pentru a cunoate care dintre planele unei reele
complexe particip la reflexie trebuie calculat amplitudinea rezultant a reelei. Pentru
aceasta se compun geometric amplitudinile tuturor reelelor simple din care este format
reeaua dat:
n
A A A A A
r r r r r
+ + + + = ...
3 2 1
sau
n
i
n
i i
e A e A e A A

+ + + = ...
2 1
2 1
,
unde ) ( 2 lw kv hu + + = . Dac reeaua complex este format din q reele simple, atunci
amplitudinea de structur F
hkl
se scrie:

=
+ +
=
q
j
lw kv hu i
j hkl
j j j
e A F
1
) ( 2

=
+ +
=
q
j
lw kv hu i
j hkl
j j j
e f F
1
) ( 2

Factorul de structur F
hkl
2
este numrul care arat de cte ori intensitatea razelor
reflectate de un plan atomic oarecare al cristalului cu reea complex este mai mare sau mai
mic dect intensitatea razelor reflectate de acelai plan atomic al unei reele simple.
De exemplu, pentru o reea cubic simpl cu un singur atom pe celula elementar
[[000]] factorul de structur este 1
0 ) 0 0 0 ( 2
= = =
+ +
f fe fe F
l k h i
hkl

.

Factorul de polarizare (p)
Radiaia X monocromatic este nepolarizat. Procesul de difuzie a radiaiei X conduce
la fascicule difractate parial polarizate, gradul de polarizare depinde de unghiul de difuzie.
Cercetare 53

FIZICA I TEHNOLOGIILE MODERNE, vol. 2, nr. 3-4, 2004
Aceasta nseamn c intensitatea radiaiei difuzate de un electron variaz cu unghiul de
difuzie. Factorul de polarizare este:
2
2 cos 1
2
+
= P
.

Factorul Lorentz (l())
Este factorul care n formula intensitii liniei caracterizeaz absena condiiilor ideale
de interferen Laue. La interferena radiaiilor monocromatice n cristale rotitoare,
intensitatea integral este proporional cu
2
sin 1 , care se numete factor Lorentz.
n roentgenografia pulberilor factorul Lorentz este:

cos sin
) 2 ( cos 1
) (
2
2
+
= L
.
De obicei, pentru factorul Lorentz i factorul de polarizare se construiete curba comun
n funcie de unghiul de reflexie i de aici se determin valorile lor. Astfel factorul Lorentz d
schimbarea intensitii integrale n funcie de unghiul .
Mai este necesar s se in cont i de faptul c intensitatea integral este proporional
cu
3
i pentru micorarea expunerii la studiul structurii substanelor policristaline este nevoie
s fie folosit o radiaie mai moale.

Factorul termic (W
~
)
Agitaia termic are tendina de a perturba legtura stabil dintre particule. Distrugerea
acesteia nu este posibil dect atunci cnd energia termic medie depete energia de
legtur. Acest lucru se poate realiza dac ridicm temperatura suficient de mult pentru a
distruge ordinea la distan. Mrimea
2 2
sin
3
8 sin
0
~

= = =

u B
m
e e
I
I
W
se numete factor termic. Aici u este deplasarea medie ptratic a atomilor de la centrul lor
de oscilaie n direcie perpendicular pe planul de reflexie. Din relaia de definiie se vede c
micarea termic nu modific poziia liniilor de interferen, numai intensitatea lor, i anume
le slbete cu att mai mult cu ct este mai mare raportul

sin
, adic cu ct este mai mare
distana interplanar sau ceea ce este acelai lucru cu ct sunt mai mari indicii Miller ai
planului i temperatura absolut a corpului. Deplasarea atomilor din poziia ideal poate
aprea i sub influena altor factori n afar de oscilaia termic (de exemplu, deformri
plastice).
Studiul factorului termic d informaii asupra forelor de legtur interatomice. n
corpurile cu temperaturi de topire ridicate i cu legturi puternice, factorul termic este mic, iar
n cristalele organice factorul termic prezint o influen puternic asupra intensitii de
reflexie.

Factorul de absorbie (a())
Cristalele reale sunt cristale cu defecte, de aceea procesul de difracie este nsoit de
absorbie. Factorul de absorbie este o mrime care ine cont de absorbia razelor primare
incidente i a celor reflectate de prob i intr n expresia pentru intensitatea integral.
Factorul de absorbie depinde de mrimea coeficientului de absorbie al substanei
studiate, de forma probei, de unghiul i de lungimea drumului r de trecere prin prob.
Valoarea factorului de absorbie se d n tabele sau n grafice.
54 Cercetare

FIZICA I TEHNOLOGIILE MODERNE, vol. 2, nr. 3-4, 2004
Se constat experimental c factorul de absorbie crete cu creterea unghiului , iar
factorul termic (W) i factorul atomic (f
2
) scad odat cu creterea unghiului .
n studiul figurilor de difracie este necesar s se aib n vedere faptul c liniile nu sunt
infinit de subiri, deoarece nu are o valoare matematic exact i este cuprins n intervalul
.
n concluzie, innd cont de toi factorii care determin intensitatea integral se poate
scrie:
2
) ( ) ( F f W A J L K I
hkl hkl
=


BIBLIOGRAFIE:
1. Emil Luca, Gheorghe Zet. Fizic general, Ed. Didactic i pedagogic, Bucureti, 1981.
2. Iuliu Pop, Mircea Crian. Fizica corpului solid i a semiconductorilor, Ed. Didactic i
pedagogic, Bucureti, 1983.
3. Mihai Drgnescu. Electronica corpului solid, Ed. Tehnic, Bucureti, 1972.