1.

Schema bloc general a unui sistem de putere

2. Clasificarea dispozitivelor de putere
3. Care va fi valoarea coeficientului de difuzie a purttorilor de sarcin la nivele foarte nalte de ingecie, dac la
nivele joase de ingecie el va fi D
n
i D
p
pentru electroni i goluri consecutiv.
4. Care va fi valoarea mobilitii purttorilor de sarcin la nivele foarte nalte de ingecie, dac la nivele joase de
ingecie este egal cu
n
i
p
consecutiv.
5. Comparai durata de via la nivele nalte i nivele joase de ingecie.
6. Comparai concentraia intrinsec la concentraii nalte a impuritilor cu cea la concentraii mici.
7. Particularitile strpungerii prin avalans a jonciunii plan-paralel.
8. Particularitile strpungerii termice a diodei plan paralele.
9. Particularitile strpungerii diodei p-i-n.
10. Particularitile strpungerii diodei planare.
11. Comparai tensiunea de strpungere pentru jonciunile plan paralele i planare.
12. Pentru ce se folosete electrodul de cmp n diodele planare de putere.
13. Care este rolul inelelor de protecie prin difuzie n diodele de putere.
14. Care este rolul inelelor de cmp flotante n diodele de putere.
15. Utilizarea electrodului de cmp n diodele de putere.
16. Metoda de ridicare a tensiunii de strpungere prin corodare.
17. Procesul de pasivare a diodelor de putere.
18. Metoda de pasivare SIPOS.
19. Conectarea pentru diodele de putere I 15A.
20. Conectarea pentru diodele de putere I 15A.
21. Metodele de micorare a rezistenei contactelor.
22. Pentru ce se folosesc plcile de molibden la contactarea diodelor de putere.
23. Cum se determin tensiunea de prag a diodei de putere.
24. Cum se determin temperatura admisibil a capsulei dispozitivului de putere.
25. Cum se determin temperatura maximal a mediului ambiant.
26. Pentru ce e necesar conectarea n serie a diodelor de putere.
27. Pentru ce e necesar conectarea n paralel a diodelor de putere.
28. Prin ce se deosebete impedana termic de rezistena termic.
29. Dai definiia capacitii termice.
30. De cte ori se va modifica constanta de timp termic dac rezistena termic se va micora de dou ori.
31. Se va modifica viteza de rcire a dispozitivului de putere dac rezistena termic se va mri de dou ori, iar
capacitatea termic se va micora de dou ori.

32. Prin ce se deosebete calculul temperaturii jonciunii n cazul unui curent continuu i pulsat.
33. Circuitul echivalent termic a diodei de putere cu rcire unidirecional.
34. .Calculul rezistenei termice la rcirea bidirecional.
35. Care va fi puterea maximal disipat n diod pentru urmtorii parametri T
vj
, T
c
, Rth
j-c
.
36. Care este rezistena Rth
jA
la dispozitive cu rcire bidimensional pentru urmtorii parametri Rth
jc
, Rth
ck
, Rth
kA

37. Parametri principali a diodelor de putere
38.
39. Desenai structura n
+
- p - n
+
TBP. Neajunsuri.
40. Desenai structura n
+
- p - - - n - n
+
TBP.
41. Influena ngustrii benzii interzise asupra eficienei emitorului TBP.
42. Mrirea limei bazei la nivele nalte de ingecie n TBP.
43. Mrginirea curentului emitorului TBP.
44. Cum influeneaz rezistena metalizrii emitorului asupra coeficientului de amplificare a tranzistorului bipolar
de putere.
45. Cum se poate mri eficiena emitorului n TBP.
46. Cum se poate micora influena neomogenitii emitorului n TBP.
47. Pentru ce se folosete tranzistorul Darlington.
48. Circuitele de comutaie a unui dispozitiv de putere.
49. Enumerai cerinele pentru un dispozitiv de putere de comutaie.
50. Procedeele tipice de blocare n circuite de curent alternativ.
51. Principiul de funcionare a teristorului GTO.
52. Procedeul de blocare n circuitul cu curent continuu prin ntreruperea circuitului.
53. Procedeul de blocare n circuitul cu curent continuu prin devierea curentului
54. Procedeul de blocare n circuite de curent continuu cu o surs de alimentare anod catod.
55. Condiiile blocrii pe poarta teristorului GTO.
56. Componentele timpului de amorsare a teristorului GTO.
57. Componentele timpului de blocare a teristorului GTO.
58. Procesele de amorsare i blocare a teristorului GTO n cazul unei sarcini inductive.
59. Definii efectele bidemensionale n teristorul GTO.
60. Ce curent e necesar de aplicat la poart pentru a bloca curentul anodic I
A
=100A, dac G
0ff
= 10.
61. Cum influeneaz rezistena R
p2
asupra fiabilitii de funcionare a teristorului GTO.
62. Care este valoarea i de ce este determinat tensiunea invers maximal pe poart.
63. Cum influeneeaz rezistena stratului de poart la stingerea pe poart.
64. De ce crete densitatea curentului anodic la sfritul procesului de stingere.
65. Prametri principali a teristorului GTO
66. Calculai cligul operaional n curent dac I
TQRM
= 8 I
GRM
.
67. Rolul bobinei n optimizarea procesului de amorsare i blocare a teristorului GTO.
68. Enumrai direciile de mbuntire a performanelor teristoarelor GTO.
69. Supracomanda teristorului GTO prin integrarea teristorului auxiliar.
70. Supracomanda cu o poart ineiat de cmpul electric n teristorul GTO.
71. Realizarea supraconducerii n teristorul GTO prin rezistena exterioar.
72. Realizarea supraconducerii n teristorul GTO prin rezistena nglobat.
73. Metodele de interdigitare a porii i catodului n teristorul GTO.
74. Metoda de micorare a influeneei rezistenei R
p2
la blocarea teristorului GTO.
75. Metodele de micorare a densitii curentului anodului la sfritul procesului de blocare.
76. Metoda micorrii influeneei rezistenei R
p2
(poart ngropat).
77. Prin ce se deosebete cligul operaional de cligul maximal n curent la blocare.
78. Care este valoarea i de ce este determinat tensiunea invers maximal pe poart.
79. Metode de optimizarea a geometriei verticale a teristorului GTO.
80. Tranzistorul IGBT.
81. Tranzistorul MOSFET -U de putere
82. Tranzistorul MOSFET -V de putere