Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
3. Structura materialelor
3.1 Starea fizic a materialelor
Orice substan este un sistem de particule (atomi, ioni, molecule), care se
poate gsi teoretic n una din cele trei stri fizice: gazoas, lichid sau solid. Starea
fizic este determinat de raportul dintre energia de coeziune i energia termic a
particulelor constitutie.
Energia de coeziune E
o
reprezint aportul de energie necesar separrii
substanei n particulele constitutie, respecti aporizrii. !a este puternic
dependent de natura legturii interatomice i se poate considera, ntr"o prim
apro#imaie, independent de temperatur.
Energia termic (cinetic) E
t
caracterizeaz agitaia termic a particulelor i
este proporional cu temperatura absolut:
!
t
$ % & ('.()
unde % $ (,')(* (+
",'
-.
"(
este constanta lui /oltzmann.
Se consider &
t
0 temperatura de echilibru
topire"solidificare i &
f
0 temperatura de echilibru
fierbere"condensare a unei substane pure. Starea fizic
stabil se modific cu temperatura astfel (fig. '.():
0 & 1&
f
, !
t
11 !
o
, agitaia termic a
particulelor constitutie face ca interaciunea dintre ele
s fie instabil i negli2abil. 3orespunde strii
gazoase, la care dispunerea particulelor constitutive
este dezordonat. 4a limit, n gazul perfect,
interaciunile dintre particule sunt negli2abile i
distana de ordonare este nul. 5roprietile fizice
(compresibilitatea, conductibilitatea termic, etc.)
depind e#clusi de energia termic. 6n e#emplu de
gaz perfect este neonul, la presiunea (atm i
temperatura ambiant.
Fig.3.1 Gradul de ordonare
al atomilor n starea
gazoas, lichid i solid
cristalin
gaz
lichid
solid
25 Studiul materialelor
0 &
t
7 & 7 &
f
, !
t
1 !
o
, interaciunea particulelor constitutie este parial.
8pare tendina de organizare mai compact, corespunztoare strii lichide. 4ichidul se
caracterizeaz prin ordonarea particulelor pe scurt distan, dup un model ariabil
n timp. 9istana de ordonare ariaz ntre ' i (+ raze atomice. 8naliza
difractometric cu radiaii : a lichidului a artat, c acesta este un sistem eterogen, n
care particulele constitutie se organizeaz sub form de insule mai dense, separate de
spaii ide. 8ceste spaii ide pot atinge p;n la (+< de mas. =obilitatea lor este
foarte mare, asemntoare atomilor sau moleculelor din gaze, ceea ce determin
curgerea lichidelor sub aciunea unor fore relati reduse, proprietate caracterizat prin
;scozitatea lichidului.
0 & 7 &
t
, !
t
7 !
o
, are loc dispunerea compact a particulelor, legate prin fore
de coeziune, specific strii solide.
>n stare solid substanele pot aea structur cristalin sau amorf.
Materialele cristaline prezint ordonarea regulat i periodic a particulelor
pe lung distan. !le e#ist sub form monocristalin sau policristalin.
>n cazul cristalului perfect sau
ideal, distana de ordonare este practic
infinit (fig. '.,a). 6n e#emplu de cristal
aproape perfect este monocristalul de siliciu
folosit pentru circuite integrate. Cristalul
real pstreaz aezarea ordonat i
periodic a particulelor, dar este afectat de o
serie de defecte (capitolul ?). @radul de
perfeciune al monocristalelor depinde de
tehnici de solidificare foarte comple#e.
=aterialele curent folosite (metale,
ceramice, anumii polimeri) prezint o
structur policristalin (fig. '.,b), alctuit
dintr"o mulime de microcristale (gruni
cristalini) legate prin zone mai puin ordonate, numite limite de grunte. 9istana de
ordonare a particulelor depete (++ raze atomice.
O serie de sticle minerale, ma2oritatea polimerilor organici i unele alia2e
metalice rcite ultrarapid din faza lichid prezint starea amor. !ste o stare n afar
de echilibru, care menine n stare solid ordonarea particulelor pe scurt distan
specific strii lichide.
9intre grupele de materiale prezentate, metalele i ceramicele pot e#ista n
toate cele trei stri (gazoas, lichid sau solid). 5olimerii organici au un
comportament mai comple#. =acromoleculele nu pot e#ista n stare gazoas, deoarece
energia termic necesar aporizrii implic temperaturi at;t de ridicate, nc;t se rup
legturile coalente dintre atomii lanului molecular.
=aterialele metalice au tendin mare de cristalizare. 3omparati cu metalele,
polimerii organici cristalizeaz cu dificultate. 8ceast dificultate crete cu
comple#itatea lanului molecular. 9e aceea, n stare solid, polimerii organici e#ist
Fig.3.! Structura cristalin:
a. monocristalin; b. policristalin
a. b.
Fig. 3.3 Schema de principiu a extragerii
monocristalului de siliciu: tia de tragere; !.
fereastra de obser"are; #. intrare gaz inert;
$. interfa%a germene & cristal; '. interfa%a
cristal & lichid; (. creuzet de cuar% nclzit cu
rezisten% electric; ). e"acuare gaz inert.
3. Structura materialelor 26
sub form semicristalin sau complet amorf. 9in punct de edere al tendinei la
cristalizare, materialele ceramice se plaseaz ntre metale i polimerii organici. Se
nt;lnesc at;t materiale ceramice cristaline, cum sunt diferii o#izi (=gO), c;t i
materiale cu structur amorf, cum sunt sticlele minerale.
Se e#emplific dificultile de obinere a monocristalelor prin tehnologia de
ob%inere a monocristalului de siliciu, un material de o deosebit importan n
microelectronic, la fabricarea circuitelor integrate folosite la calculatoare, instalaii
audio de mare fidelitate, robotic, automatizri.
9in punct de edere al resurselor, siliciul este al doilea element din scoara
terestr, unde se gsete sub form de o#izi sau silicai. Siliciul tehnic pur se obine
prin reducerea n cuptor electric a dio#idului de siliciu (SiO
,
) cu carbon sau carbur de
calciu (3a3
,
). 9in siliciu tehnic pur se
produce tetraclorura de siliciu (Si3l
?
),
care se reduce n mediu de hidrogen la
siliciu de nalt puritate. 6rmeaz un
proces de purificare zonar pentru
obinerea siliciului ultrapur
(AA,AAAAA<).
5entru obinerea proprietilor
semiconductoare, n siliciul ultrapur se
adaug o mic cantitate de impuriti,
cca (+ ppm ((+
"B
) atomi de fosfor sau
aluminiu.
6na din metodele de obinere a
monocristalului de siliciu este metoda
3zochrals%i (fig. '.'). O cantitate de
siliciu ultrapur se topete ntr"un
creuzet de cuar, nclzit cu rezisten
electric, ntr"o atmosfer reductoare
sau de gaz inert. 4a (?,+C3, c;nd baia
topit este stabilizat, un germene
monocristalin fi#at la captul unei ti2e
de e#tracie ine n contact cu
suprafaa bii. @ermenele este apoi
e#tras lent n sus, conduc;nd la obinerea unui cristal cu aceeai orientare a reelei
cristaline ca i a germenelui. 5entru omogenizarea condiiilor de cretere, baia topit i
ti2a sunt antrenate ntr"o micare n sens iners.
>n anul (AB,, tehnologia e#istent permitea obinerea unor monocristale de
siliciu cu diametrul n 2ur de ,+ mm. 8stzi, diametrul lor atinge (B+ p;n la ,++mm,
cu lungimi de ( p;n la ,m.
=onocristale sunt apoi tiate transersal cu ferstraie diamantate pentru
obinerea de plachete circulare de (mm grosime. 9up polizarea i lustruirea oglind a
unei suprafee plane, se graeaz circuitele integrate prin microlitografie cu radiaie
laser.
27 Studiul materialelor
3.2 Structura cristalin
3.2.1 Noiuni de baz
Starea cristalin este caracterizat prin dispunerea ordonat pe lung distan a
particulelor constitutie n structuri cristaline specifice.
"ristalul (+,(mD. +,(mm) este un agregat de atomi, ioni sau molecule, cu
aran2amentul spaial periodic, conform legilor simetriei.
"ristalograia este disciplina care studiaz arhitectura cristalelor, respecti
repartiia particulelor n spaiu i legile geometrice care le fi#eaz poziia.
5entru descrierea structurii cristaline se folosesc dou concepte
fundamentale: reeaua spaial i motiul.
#eeaua spaial este un ansamblu infinit de puncte (noduri), obinut prin
translaia n spaiu a trei ectori necoplanari a
, b
, c
, b
, b
, c