DIODA

Caracteristica - curent tensiune a jonctiunii pn

In acest material se vor determina relatiile analitice intre componentele
curentilor prin jonctiunea pn si tensiunea aplicata la bornele jonctiunii (v
D
).

1. Ipoteze

(i) Nivele mici de injectie

S-a constatat ca aplicand o tensiune v
D
>0 (fig.1) rezulta un curent net prin
jonctiune datorita golurilor care trec din zona neutra p in zona neutra n si
electronilor ce parcurg acelasi traseu in sens invers. Trecerea de purtatori
majoritari prin regiunea de bariera (RSS) in zonele unde sunt purtatori minoritari
constituie injectia de purtatori minoritari. Ca urmare, se stabileste un exces al
concentratiei de purtatori minoritari in zonele neutre fata de situatia de la
echilibru termic. Mentinerea neutralitatii atrage dupa sine modificarea
concentratiei de purtatori majoritari in zonele neutre. Rezulta, pentru zona neutra
n:

n
n
=n
n
-n
n0
=p
n
=p
n
-p
n0
, xx
n
(1)

iar pentru zona neutra p se obtine:

p
p
=p
p
-p
p0
=n
p
=n
p
-n
p0
, x-x
p
(2)

Ipoteza nivelelor mici de injectie presupune concentratiile de purtatori
minoritari injectate in zonele neutre mult mai mici decat concentratiile purtatorilor
majoritari din aceste zone:

p
n
, p
n
<<n
n
xx
n
(3)

n
p
, n
p
<<p
p
x-x
p
(4)

In consecinta, la nivele mici de injectie in zonele neutre concentratiile
purtatorilor majoritari raman practic cele de la echilibru termic:

n
n
n
n0
=N
D
, xx
n
(5)

p
p
p
p0
=N
A
, x-x
p
(6)

Corespunzator, cvasinivelele Fermi pentru electroni (E
Fn
) si goluri (E
Fp
)
sunt constante in zona neutra n, respectiv in zona neutra p (fig.2) si coincid cu
nivelele Fermi la echilibru termic din semiconductorul n, respectiv p. Diferenta
intre E
Fn
si E
Fp
se datoreaza tensiunii externe (v
D
) aplicate pe jonctiune.

E
Fn
-E
Fp
=qv
D
(7)

In zona de bariera cvasinivelele Fermi se mentin orizontale (fig.2).
Constanta nivelelor Fermi in RSS se justifica folosind expresiile densitatilor
curentilor de electroni si goluri:

j
n
(x)=n(x)
n
(dE
Fn
/dx) (8)

j
p
(x)=p(x)
p
(dEFp/dx) (9)

Cum de la x=-x
p
la x=x
n
, n(x) si p(x) variaza cu mai mult de 10 ordine de
marime, iar j
n
si j
p
au variatii numai in interiorul unui ordin de marime, din (8) si
(9) rezulta:

dE
Fn
/dx0, dE
Fp
/dx0 , -x
p
xx
n
(10)

care conduc la E
Fn
, E
Fp
constant in RSS.

(ii) Cvasiechilibru in RSS

Ipoteza considera constant in RSS, produsul dintre concentratiile de
electroni si goluri dar diferit de patratul concentratiei intrinseci:

n(x)p(x)=n
i
2
exp((E
Fn
-E
Fp
)/kT)=n
i
2
exp(v
D
/V
th
) , -x
p
xx
n
(11)

In deducerea relatiei (11) se folosesc expresiile pentru n(x) si p(x) scrise in
functie de concentratia intrinseca si nivelul Fermi intrinsec (E
i
):

n(x)=n
i
exp((E
Fn
-E
i
(x))/kT) (12)

p(x)=n
i
exp((E
i
(x)-E
Fp
)/kT) (13)

si relatia (7)
Variatiile, cu ordine de marime ale concentratiilor de purtatori mobili in
RSS se explica prin variatia importanta a nivelului energetic E
i
in aceasta zona
(fig.2)

(iii) Curentii de camp neglijabili in zonele neutre

Pentru purtatorii minoritari, in zonele neutre n componentele de camp ale
curentilor sunt neglijabile in raport cu cele de difuzie deoarece:
(a) - campul electric este foarte mic in zonele neutre,
(b) - concentratiile de purtatori minoritari sunt reduse (nivele mici de injectie)
2
Astfel, pentru densitatea de curent de goluri in zona neutra n rezulta
(model unidimensional):

j
p
=q
p
E(x)-qD
p
dp
n
(x)/dx-qD
p
(dp
n
/dx) , xx
n
(14)

Corespunzator , densitatea curentului de electroni in zona neutra p are
expresia:

j
n
=q
n
E(x)+qD
n
dn
p
(x)/dxqD
n
(dn
p
/dx) , x-x
p
(15)

2. Conditii la limita

Pentru determinarea distributiei purtatorilor minoritari in zonele neutre
trebuiesc stabilite mai intai conditiile la limita. In punctele ce marcheaza granitele
dintre RSS si zonele neutre (x=x
n
si x=-x
p
) din (5), (6) si (11) rezulta:

p
n
(x
n
)=(n
i
2
/n
n
(x
n
))exp(v
D
/V
th
)=(n
i
2
/N
D
)exp(v
D
/V
th
)=p
n0
exp(v
D
/V
th
) (16)

n
p
(-x
p
)=(n
i
2
/p
p
(-x
p
))exp(v
D
/V
th
)=(n
i
2
/N
A
)exp(v
D
/V
th
)=n
p0
exp(v
D
/V
th
) (17)

In regiunile neutre, p
n
si n
p
scad catre valorile de echilibru termic. Astfel se
poate scrie:

p
n
(x)
x
=p
n0
, n
p
(x)
x
=n
p0
(18)

pentru o jonctiune cu zonele neutre groase, respectiv:

p
n
(w
n0
)=p
n0
, n
p
(-w
p0
)=n
p0
(19)

daca jonctiunea are zonele neutre subtiri ( v. fig.1). S-au presupus ideale
contactele metalice de anod (la zona neutra p) respectiv de catod (la zona neutra
n). Ca urmare, la x=w
n0
si x=-w
p0
concentratiile de purtatori au valorile de la
echilibru termic.

3. Distributia purtatorilor minoritari in zonele neutre

Pentru determinarea concentratiei de goluri in zona neutra n se foloseste
ecuatia de continuitate pentru goluri de regim stationar (p/t=0)

(p
n
-p
n0
)/
p
+(1/q)(dj
p
/dx)=0 (20)

unde
p
este timpul de viata al golurilor in exces in zona neutra n. Introducand in
(20) expresia (9) a densitatii j
p
se obtine:

d
2
(p
n
-p
n0
)/dx
2
-(p
n
-p
n0
)/L
p
2
=0 (21)

3
in care L
p
=(D
p

p
)
1/2
este lungimea de difuzie a golurilor (L
p
reprezinta distanta
medie pe care difuzeaza golurile in zona neutra n pana se recombina). Ecuatia
diferentiala (21) are solutia generala:

p
n
(x)=Aexp((x-x
n
)/L
p
)+Bexp(-(x-x
p
)/L
p
) (22)

Constantele A si B depind de latimea zonei neutre n, w
n
=w
n0
-x
n
(v. fig.2)
Se pot identifica 2 situatii:

(a) - Daca L
p
<<w
n
=w
n0
-x
n
zona neutra este groasa. In acest caz folosind
conditiile la limita (16) si (18) in ecuatia (22) se obtine:

p
n
(x)=p
n0
+p
n0
(exp(v
D
/V
th
)-1)exp(-(x-x
n
)/L
p
) , xx
n
(23)

(b) - Daca L
p
>>w
n
=w
n0
-x
n
zona neutra n este subtire. In ecuatia (22) se
utilizeaza conditiile la limita (16) si (19); rezulta:

p
n
(x)=p
n0
+p
n0
(exp(v
D
/V
th
)-1)(1-(x-x
n
)/(w
n0
-x
n
)) , xx
n
(24)

Concentratia de electroni in zona neutra p se obtine printr-un procedeu
similar cu cel folosit mai sus pentru p
n
. si in acest caz se disting doua situatii:

(a) L
n
<<w
p
=w
p0
-x
p
, zona neutra p este groasa

n
p
(x)=n
p0
+n
p0
(exp(v
D
/V
th
)-1)exp((x+x
p
)/L
n
) , x-x
p
(25)

(b) L
n
>>w
p
=w
p0
-x
p
, zona neutra n este subtire

n
p
(x)=n
p0
+n
p0
(exp(v
D
/V
th
)-1)(1+(x+x
p
)/(w
p0
-x
p
)) , x-x
p
(26)

L
n
=(D
n

n
)
1/2
este lungimea de difuzie a electronilor (distanta medie pe care
difuzeaza electronii in zona neutra p pana se recombina). Din relatiile (23)-(26)
rezulta ca concentratile purtatorilor minoritari, in zonele neutre scad exponential
daca aceste regiuni sunt groase si liniar daca sunt subtiri.

4. Componentele curentului prin jonctiune (i
D
)

In regiunea de sarcina spatiala curentul are la origine fenomene de
generare recombinare, iar transportul purtatorilor mobili este determinat de
campul electric din aceasta zona (i
D,gr
). In regiunile neutre curentul este datorat
tot fenomenelor de generare recombinare, dar mecanismul de transport
preponderent este difuzia purtatorilor minoritari (i
D,d
).
Curentul prin jonctiune este in regim stationar independent de x:

i
D
=i
D,gr
+i
D,d
(27)

4
Parcurgand jonctiunea de la zona neutra p spre zona neutra n
concentratia golurilor si implicit contributia lor la curentul total scade, crescand
corespunzator contributia electronilor. Aceste observatii sunt prezentate calitativ
in figura 3.
Curentul total se compune din curentul de goluri si curentul de electroni:

i
D
=i
n
(x)+i
p
(x) (28)

Din ecuatiile (27), (28) si pe baza figurii 3 se deduc expresiile curentului de
generare-recombinare (din RSS) :

i
D,gr
=i
p
(-x
p
)-i
p
(x
n
)=i
n
(x
n
)-i
n
(-x
p
) (29)

si respectiv de difuzie

i
D,d
=i
p
(x
n
)+i
n
(-x
p
)=i
p
(x
n
)+i
n
(-x
p
) (30)


5. Curentul de generare recombinare

Calculul componentei de generare recombinare pleaca de la ecuatiile de
continuitate scrise in regim stationar si cunoscand R
p
=R
n
=U. Din ecuatia de
continuitate pentru electroni (2.16b) va rezulta:

-U+(1/q)dj
n
/dx=0 (31)

tinand cont ca i
n
=A
J
j
n
, unde A
J
e aria jonctiunii, din relatiile (29) si (31) se
deduce:

i
D,gr
=qA
J
(32) U x dx
xp
xn
( )

Rezolvarea integralei din relatia (32) presupune cunoasterea dependentei
de x a vitezei nete de recombinare. Conform modelului Schockley-Read-Hall
(v.relatia (2.15a)) si a relatiilor (16) si (17), U are expresia:

U=(n
i
2
(exp(v
D
/V
th
)-1))/(
n
(p+p
i
)+
p
(n+n
i
)) (33)

daca se are in vedere ca nivelele adanci sunt plasate de obicei la mijlocul benzii
interzise (E
t
E
i
). Aproximand
n
=
p
=
0
din (33) rezulta:

U(x)=(n
i
2
exp(v
D
/V
th
)-1)/
0
(n+p+2n
i
) (34)

Viteza neta de recombinare depinde de x in RSS prin intermediul
concentratiilor n si p. Introducand in (34) expresiile (12) si (13) ale lui n(x) si p(x)
se obtine o formula complicata pentru U ce face imposibila rezolvarea analitica a
5
integralei. Se obtin rezultate satisfacatoare daca in expresia integralei se
foloseste valoarea maxima a vitezei nete (U
max
). Din (34) rezulta ca U este
maxim cand n=p deoarece in ipoteza de cvasiechilibru np=constant. Din relatiile
(11)-(13) se obtine pentru n=p:

E
Fn
-E
i
=E
i
-E
Fp
=qv
D
/2 (35)

Rezulta din (34):

U
max
=(n
i
/2
0
)(exp(v
D
/2V
th
)-1) (36)

daca in integrala din (32) se substituie U prin U
max
se deduce:

i
D,gr
=I
0gr
(exp(v
D
/2V
th
)-1) (37)

I
0gr
=qA
J
(n
i
/2
0
)x
d
(v
D
) (38)

unde I
0gr
este curentul rezidual de generare recombinare, iar x
d
latimea RSS.

6. Curentii de difuzie


Odata stabilite distributiile purtatorilor minoritari in regiunile neutre ale
jonctiunii se pot calcula componentele de difuzie ale curentilor de electroni si
goluri. Se pleaca de la relatiile (14) si (15). Se identifica:

(a) w
n
>>L
p
, w
p
>>L
n
- jonctiune groasa. Introducind (23) si (25) in (14) respectiv
(15) se obtine:

j
p
j
p,d
=qD
p
(p
n0
/L
p
)(exp(v
D
/V
th
)-1)exp(-(x-x
n
)/L
p
) , x>x
n
(39)
j
n
j
n,d
=qD
n
(n
p0
/L
n
)(exp(v
D
/V
th
)-1)exp(x+x
p
)/L
n
) , x<-x
p
(40)

(b) w
n
<<L
p
, w
p
<<L
n
- jonctiune subtire. {n acest caz in (14) si (15) se folosesc
(27) respectiv (26) si se calculeaza:

j
p,d
=qD
p
(p
n0
/(w
n0
-x
n
))(exp(v
D
/V
th
)-1) , x>x
n
(41)

j
n,d
=qD
n
(n
p0
/(w
p0-
x
p
))(exp(v
D
/V
th
)-1) , x<-x
p
(42)

tinand cont de notatiile din figura 3 si de relatia (30) se obtine pentru
curentul total de difuzie expresia:

i
D,d
=A
J
(j
p,d
(x
n
)+j
n,d
(-x
p
)) (43)

In figura 3 s-au reprezentat, in zonele neutre, curentii de difuzie de
electroni si goluri pentru jonctiunea groasa. Sunt figurati curentii asociati
6
purtatorilor minoritari din zonele neutre (i
n
(x) pentru x<-x
p
si i
p
(x) pentru x>x
p
).
Curentul total de difuzie (i
D,d
) este independent de x deoarece atat curentul total
(i
D
) cat si componenta de generare recombinare (i
D,gr
v. (38)-(39) ) sunt
constante. Aceasta observatie a permis reprezentarea in fig.3, si a curentilor
datorati purtatorilor majoritari din zonele neutre si anume: i
n
(x) pentru x>x
n
si i
p
(x)
pentru x<-x
p
.
Avand in vedere relatiile (39)-(42) rezulta:

i
D,d
=I
0d
(exp(v
D
/V
th
)-1) (44)


in care I
0d
este curentul rezidual de difuzie. Expresia lui I
0d
depinde de grosimea
jonctiunii. Se disting doua cazuri:

(a) - jonctiune groasa : din (39), (40) si (43) rezulta:

I
0d
=qA
J
n
i
2
(D
p
/N
D
L
p
+D
n
/N
A
L
n
) (45)

(b) - jonctiune subtire : din (41) - (43) si (44) se obtine:

I
0d
=qA
J
n
i
2
[D
p
/N
D
(w
n0
-x(v
D
))+D
n
/N
A
(w
p0
-x
p
(v
D
))] (46)


7. Caracteristica generala, i
D
-v
D

Din relatiile (27), (37) si (44) rezulta expresia caracteristicii generale i
D
-v
D

pentru o jonctiune pn:

i
D
=I
0d
(exp(v
D
/V
th
)-1)+I
0gr
(exp(v
D
/V
th
)-1) (47)

Curentul rezidual I
0d
nu variaza cu v
D
la jonctiunea groasa (v. relatia (45)).
in schimb I
0d
la jonctiunea subtire (v. (46)) si I
0gr
(v. relatia (38) depind slab de
tensiunea aplicata pe jonctiune prin expresiile marimilor x
p
si x
n
respectiv x
d
.
La jonctiunea din Si, I
0d
<<I
0gr
. Ca urmare ecuatia caracteristicii (47) se
simplifica pe domenii de tensiuni.
La tensiuni mici (v
D
0.4V conteaza numai componenta de generare
recombinare:

i
D
=i
D,gr
I
0gr
(exp(v
D
/2V
th
)-1) (48)

La tensiuni mari, v
D
>0,65V:

i
D
i
D,d
=I
0d
(exp(v
D
/V
th
)-1) (49)

Relatia (49) este denumita ecuatia jonctiunii ideale.
7
In practica pentru caracteristica curent-tensiune se foloseste in locul
relatiei cu doua exponentiale (47) o expresie mai simpla cu o exponentiala:

i
D
=I
0
(exp(v
D
/mV
th
)-1) (50)
unde I
0
=I
0d
+I
0gr
este curentul rezidual al jonctiunii iar m este factorul de idealitate.
Pentru jonctiunea din Si, m are valori intre 1 si 2.




8