1

UNIVERSITATEA DIN ORADEA

FACULTATEA DE INGINERIE ELECTRIC I TEHNOLOGIA
INFORMAIEI






TEZ DE DOCTORAT

ESTIMAREA PERFORMANEI UNUI SISTEM
FOTOVOLTAIC UTILIZND TEHNOLOGIA
THIN FILM CONECTAT LA REEA,
DIN ZONA DE VEST I NORD VEST A
ROMNIEI


CONDUCTOR TIINIFIC,
prof.univ.dr.ing. TEODOR MAGHIAR

DOCTORAND,
DUMITRU FLORIN






2009


2

CUPRINS

CAPITOULUL 1 ROLUL CLIMATULUI RADIAIILOR SOLARE IN PROIECTAREA SISTEMELOR
FOTOVOLTAICE................................................................................................................................................... 3

CAPITOLUL 2 PRINCIPIUL DE FUNCIONARE AL CELULELOR SOLARE............................................ 6

CAPITOLUL 3 PROIECTAREA UNUI SISTEM FOTOVOLTAIC................................................................ 15

CAPITOLUL 4 DATE EXPERIMENTATE PRIVIND POTENIALUL SOLAR AL CMPIEI DE VEST
PRECUM I POSIBILITATEA REALIZRII UNOR INSTALAII CU AJUTORUL TEHNOLOGIEI THIN
FILM. .................................................................................................................................................................... 19

CAPITOLUL 5 REZULTATE EXPERIMENTALE. CONTRIBUII PERSONALE. CONCLUZII FINALE25

BIBLIOGRAFIE ................................................................................................................................................... 48

3

CAPITOULUL 1 ROLUL CLIMATULUI RADIAIILOR
SOLARE IN PROIECTAREA SISTEMELOR
FOTOVOLTAICE

Climatul solar cat si radiaiile solare au un impact deosebit att asupra proiectrii unui
sistem solar cat i asupra montajului propriu zis. Proiectanii au nevoie att de datele solare
cat i de datele legate de temperatura. Temperatura afecteaz performanele unei instalaii
solare. Cnd vine vorba de utilizarea unei surse de energie alternative se pune problema
corelrii corecte a debitului de energie a unei centrale i necesarul consumatorului. Furnizorul
de energie trebuie sa ia n considerare o metoda de depozitare a energiei produse pentru a
realiza o furnizare destul de stabil avnd n vedere c energia solar nu se distribuie n mod
egal n toate zonele de pe Glob i intensitatea radiaiei solare variaz n funcie de momentul
din zi. n mod ideal un proiectant ar trebui s aib datele legate de intensitatea radiaiei solare
pentru diferite zone ale Globului i datele legate de temperatur, msurate la nivel de ore din
zi i n funcie de anotimp [76]. Astfel de date sunt rare i de aceea n ultimii ani s-a realizat o
abordare statistic astfel nct s se umple acest gol din domeniul proiectrii. Toate aceste
date sunt eseniale pentru o proiectare eficient a unui sistem solar autonom.
Radiaia solara de und-scurt care cade pe o suprafaa orizontala provenit de la soare
i ozon combinate se numete radiaia global de und-scurt. Fluxul radiaiei globale de
und-scurt, care reprezint energia radiata pe unitate de timp, este cunoscuta sub denumirea
de iradiere, simbol G. Unitatea de msur este [Wm
-2
].
n mod tipic perioada de iradiere se msoar n ore, de unde rezult iradiaia globala n
ore G
h
cu unitatea de msur [
1 2
h m MJ ] sau [
1 2
h m Wh ] sau in zile G
d

[
1 2
d m MJ ], sau n luni G
m
[
2
m MJ ] pe lun sau
2
m Wh pe lun. Iradiaia medie
zilnic dintr-o lun este notata cu (G
d
)
m
.
Radiaia global poate fi mprit n dou componente: unda de radiaie direct i
radiaia difuza. Metoda de indicare a perioadei de integrare pentru aceste date de iradiere
corespund celor folosite pentru iradierea globala i anume B
h
,

B
d
,B
m
i (B
d
)
m
sunt simboluri
folosite pentru unda de radiaie direct i D
h
, D
d
, D
m
i (D
d
)
m
sunt pentru unda de radiaie
difuz n funcie de perioada de msurare h ore, d zile, m luni i media lunar.
Radiaia solar este prezentat de multe ori ntr-o form adimensional notat cu KT
numit i index de claritate al radiaiei. Aceast valoare reprezint raportul dintre iradiaia
globala la suprafaa panoului i iradiaia global de la nivelul atmosferei n aceeai unitate de
timp. Trei perioade de integrare sunt des folosite n aceast lucrare: indexul de claritate n ore
KT
h
care reprezint G
h
/ G
oh
, indexul n zile KT
d
care reprezint raportul G
d
/ G
od
i indexul de
claritate al mediei lunare KT
m
care este (G
d
)
m
/ (G
od
)
m
. G
oh
, G
od
i (G
od
)
m
sunt cantitile
globale de iradiaie la nivelul atmosferei pentru perioadele de integrare definite de indicii
fiecrei cantiti.
4
Constanta solar I
0
reprezint iradierea la nivelul atmosferei a razei solare la distana
solar medie. Valoarea acceptat este 1367 Wm
-2
. Distana pmntului faa de soare se
modific pe parcursul anului datorit micrii de revoluie. Simbolul folosit pentru corectarea
acestei distane medii este . Iradierea extraterestra normala este deci
0
I [Wm
-2
].
Variabilitatea radiaiilor solare i implicaiile ei in proiectare
Proiectanii din domeniul fotovoltaic se confrunta in esena cu problema de a realiza o
performant optima in conversia energiei naturale in energie electrica prin realizarea de
materiale cat mai sensibile la radiaiile solare astfel ca perechile de purttori de sarcina, n
spe electron-gol, s se genereze ct mai uor. Trei situaii de baz n ceea ce privete
claritatea cerului, pot fi identificate: cer senin, cer parial senin sau cer nnorat. Acoperirea
cerului cu nori este prima cauz n ceea ce privete variabilitatea intensitii radiaiei solare de
la un minut la altul i de la o zi la alta. Modelul tipic de acoperire cu nori variaz n funcie de
locaia geografic [43]. n climatul de deert nu avem nici un nor pe cer zile la rnd. n
climate maritime la latitudini mari, pot fi nori pe cer o perioad mai lung n continuu, mai
ales iarna cnd pot sa fie foarte puine zile nsorite. Statistici legate de perioade de nnorare i
de nsorire, care n ultima vreme sunt destul de disponibile pe site-uri de profil, vin cu
informaii de mare importan n proiectarea unui sistem n funcie de zona de amplasare a lui
i ne informeaz cu privire la viabilitatea realizrii unei astfel de instalaii ntr-o anumit zon
avnd n vedere cantitatea de radiaii anual. Astfel de statistici sunt disponibile sub forma
unor hri sistematice care scot n eviden climatul diferitelor zone din Europa i din alte
pri ale lumii. Avnd n vedere ca un proiect eficient are nevoie de date solide n ceea ce
privete cantitatea de flux energetic solar, punctul de pornire n realizarea unui astfel de
proiect este s nelegem chestiunile de baza legate de climatul radiaiilor solare pentru cele
trei condiii de baz: cer senin, parial senin i cer nnorat.
Radiaia solar global a cerului senin la diferite latitudini
Iradiaia globala este compus din doua componente, radiaia solara orizontala directa
i radiaia solara orizontala difuz provenind din zona emisferica a atmosferei. Radiaia solar
global a cerului senin poate fi calculat folosind modelul ESRA (European Solar Radiation
Atlas) a cerului senin. Modelul necesit introducerea latitudinii zonei care se dorete a se
analiza, data din an, care determina geometria solar i claritatea atmosferei. Claritatea cerului
este descris de un index cunoscut ca i factorul de nebulozitate Linke. Praful, poluarea
realizata de om si vaporii de ap reduc cantitatea de iradiaie solar clar i mresc cantitatea
de iradiaie difuza. Figura 1.1 afieaz calculul iradierii cerului senin normala la raza solar ca
i funcie de altitudinile solare la nivelul mrii pentru diferite valori ale factorului de
nebulozitate Linke. Figura 1.2 afieaz valorile corespunztoare iradierii difuze pe suprafee
orizontale. Reprezentarea spectral a radiaiei globale i difuze este reprezentat n figura 1.3.
5

Figura 1.1. Modelul ESRA al iradierii de und direct in condiii de cer senin.Estimri ale
iradierii normale la unda in Whm
-2
la nivelul marii i la distana medie solara pentru un
interval al factorului Linke de 1.5 8.5.In practic factorul de turbulena Linke la nivelul
marii este rar sub 3.5.Valori de peste 6 sunt comune in zone de deert datorita prafului din
atmosfer.

Figura 1.2. Modelul ESRA al iraderii in condiii de cer senin;estimari ale iradierii difuze pe o
suprafata plana in Whm
-2
la nivelul marii i distana medie solara petru un interval al
factorului Linke intre 2 i 8.Se observ c iradierea difuz crete o dat cu creterea
factorului Linke in timp ce iradierea de unda directa scade.

6
CAPITOLUL 2 PRINCIPIUL DE FUNCIONARE AL
CELULELOR SOLARE


Conversia energiei fotovoltaice n celulele solare parcurge doi pai eseniali. Prima
oar absorbia luminii genereaz o pereche electron gol. Electronul i golul sunt dup aceea
separai de structura dispozitivului electronii la terminalul negativ i golurile la terminalul
pozitiv astfel generndu-se curent electric.
Acest proces este ilustrat n figura 2.1, unde se poate observa principalele caracteristici
ale celulelor solare tipice care se folosesc la ora actual. Fiecare celul este descris n dou
feluri. O diagram arat structura fizica a dispozitivului i procesul de transport de electroni,
dominant, care contribuie la procesul de conversie a energiei. Aceleai procese sunt artate pe
diagrama de band a semiconductorului sau pe nivelele energetice la nivel molecular [9], [40].
Diagramele din figura 2.1 sunt doar nite scheme generale pentru a explica fenomenul
i trebuie avut n vedere diferenele de scal, nesesizabile pe desen: de exemplu grosimea
celulelor din siliciu cristalin (artate n figurile (a) i (f)) este de ordinul sutelor de microni sau
mai mult, dar grosimea diferitelor dispozitive din figurile (b) (e) (Thin film i celulele
bazate pe GaAs) sunt de doar civa microni sau chiar mai subiri. Suprafaa expus la lumin
a semiconductorului artat n figura 2.1 este acoperit n mod normal cu un nveli
antireflectant.

-
+
-
+
-
+
-
+
h

n p
p-GaAlAs
p-GaAs
n-GaAs
substrat
(a) (b)


7

p
+
n
+
intrinsec
CdS Cu(In,Ga)Se
2
MoSe
2
T
C
O
C
o
n
t
a
c
t

d
i
n

s
p
a
t
e
C
o
n
t
a
c
t

d
i
n

s
p
a
t
e
Z
n
O
-
+
-
+
-
+
-
+
h

h

(c) (d)

TCO CdS CdTe
-
+
-
+
-
+
-
+
h

h

h

-
+
C
o
n
t
a
c
t

d
i
n

s
p
a
t
e
n p
+ +
(e)
(f)


8


Contact din fata
(sticla acoperita
cu TCO)
Contact din
spate
Acoperire
cu TiO2
electrolit
-
+
h

Electrolit
T
i
O
2
-
+
h

anod electron
acceptor
electron
donor
catod
(g) (h)

Figura 2.1.(fig1) (a)Structura celulelor solare din siliciu cristalin celula tipica folosit n
acest moment; (b)celula solar din arseniur de galiu; (c)structura unei celule unijonciune
din siliciu amorf; (d), (e)structura tipic a celulelor solare bazate pe compuii semiconductori
cupru, iridiu, galiu si seleniu(d) i cadmiu i teluriu, (e); (f) contactele pot fi aranjate i pe
aceeai parte a celulei solare; (g), (h) cele mai recente tipuri de celule solare sunt bazate pe
materiale moleculare.
Modelarea materialelor semiconductoare
Modelarea celulelor solare este fundamental pentru o nelegere detailat a
funcionrii celulei solare, i o modelare eficient necesit o cunoatere detailat a
parametrilor materialului folosit [28]. n acest subcapitol se realizeaz o scurt prezentare a
proprietilor materialelor semiconductoare folosite n construcia de celule solare, incluznd
structura benzii semiconductoare i statistici legate de purttorii de sarcin, proprieti optice
i de transport, procese de recombinare etc. Parametri principali ai semiconductorilor ntlnii
n aplicaiile fotovoltaice sunt sumarizai n tabelele 2.2. i 2.3. Indicii de refracie a
materialelor folosite pentru realizarea de nveliuri antireflectante pot fi gsii n tabelul 2.4.
Numeroase programe de calculator, care folosesc parametrii materialelor
semiconductoare pentru a modela operaiile celulelor solare, s-au realizat dea lungul anilor i
unele sunt disponibile pe piaa de profil [119]:
9
PC1D realizat de P.A. Basore de la Universitatea New South Wales, Australia, este un
simulator unidimensional standard folosit de ctre comunitatea fotovoltaic;
ATLAS, un software de simulare a dispozitivelor solare realizat de SILVACO
International, folosete modele fizice n dou sau trei dimensiuni. Include unealta de
luminozitate care calculeaz captarea razei de lumin i rspunsul celulei solare. Mai
permite i folosirea de surse de lumina monocromatic sau multi-spectral;
MEDICI realizat de Technology Modelling Associate, modeleaz distribuia
bidimensional a potenialului i concentraiei de purttori ntr-un material
semiconductor.
Metode de preparare a cristalului
Un numr de tehnici sunt disponibile pentru producerea straturilor de Si utilizate n
industria fotovoltaic: CZ - Si i siliciu multicristalin (care au mai fost menionate), siliciu
multicristalin limitat din punct de vedere magnetic etc. n continuare vom scoate n eviden
chestiuni generale legate de prepararea cristalului.
siliciu Czochralski
Cea mai comun metod pentru creterea lingourilor de siliciu monocristalin const n
extragerea ntr-un ritm lent a siliciului dintr-un cuptor cu creuzet dndu-i forma dorit [114].
Metoda este foarte cunoscut i este ilustrat n figura 2.26. Este de menionat c un numr
mare de aciuni au fost ntreprinse n ultimii 10 ani pentru a reduce costul de producie a
materialului CZ i astfel s rectige n competitivitate n raport cu siliciu multicristalin.

Extragere
Siliciu pur
Material topit
Cresterea cristalului
Creuzet

Figura 2.26. Schema de principiu a creterii lingourilor de siliciu monocristalin prin
metoda Czochralski.
siliciu multicristalin
Realizarea lingourilor de siliciu multicristalin este un proces relativ simplu, i este
bazat pe controlul extraciei de cldur din topitura care se afl ntr-un cuptor cu creuzet, n
aa fel nct interfaa dintre zona de cretere i lingou s fie plat. n acest fel, siliciul crete n
10
coloane mari cu seciune de civa cm i lungime de 25cm, i marea majoritate a impuritilor
sunt separate la suprafaa lingoului [44]. Paii critici pentru a asigura o calitate bun i o
productivitate mare sunt utilizarea unui cuptor la care s se poat controla foarte bine cldura
dezvoltat n el i a avea un creuzet de o calitate mare. O schem care s descrie metoda
general este dat n figura 2.27.

Cristal
Si topit
Creuzet
Baza cuptorului
Cuptor

Figura 2.27. Schema de principiu a creterii lingorilor de mc-Si

Cuptoarele moderne folosite la prelucrarea mc-Si sunt proiectate n aa fel nct s
minimizeze neomogenitile i s maximizeze productivitatea, i de aceea n ultimii ani s-au
fcut mari eforturi n studierea unor modele potrivite pentru controlul creterii i optimizare
[98].
Module fotovoltice thin film realizate din CdTe
Etapele realizrii unei celule solare thin film din CdTe
CdTe
Marea majoritate a tehnicilor de realizare a filmurilor din CdTe se bazeaz pe una sau
amndou dintre proprietile urmtoare:
CdTe, dac este nclzit n vid la temperaturi de peste
o
600 , elibereaz n cantiti
egale Cd i Te i n final rmnnd un rezultat stoichiometric de CdTe;
n filmuri din CdTe condensate pe substrat i inute la temperaturi de peste
o
400 C,
compusul stoichiometric reprezint faza solid stabil. Elementele constitutive au
o presiune a vaporilor considerabil mai mare dect compusul n sine.
Aceste proprieti face relativ simpl producerea filmurilor din CdTe potrivite pentru
celulele solare thin film [52]. Nu s-au luat msuri excesive pentru a realiza stoichiometria,
atta timp ct temperatura de substrat este suficient de mare. CdTe sau Te Cd sau compui
11
ai acestor dou substane pot fi folosii ca material de nceput. CdTe se condenseaz
stoichiometric atta timp ct substratul este nclzit la temperaturi de C
o
500 400 sau mai
mari n timpul sau dup realizarea sedimentrii. Calitatea filmului crete cu creterea
temperaturii la C
o
600 .
CdS
Ca i CdTe, CdS are aceeai tendin de a realiza filme stoichiometrice, dar spre
deosebire de CdTe, filmurile din CdS sunt dopate nativ cu impuriti de tip n. Filmurile din
CdS pot fi realizate prin aceleai procese ca i CdTe deoarece proprietile de baz sunt destul
de asemntoare cu cele ale CdTe [95]. Urmtoarele procese au fost studiate mai intensiv, n
perspectiva producerii filmurilor:
sublimare/condensare
depoziia electronic
Un alt proces este potrivit pentru CdS: depoziia n baie chimic (chemical bath
deposition CBD). n acest proces o soluie metastabil care conine Cd i S duce la formri
spontane de filme subiri de CdS pe suprafee ale substraturilor imersate n soluie la o
temperatur de aproximativ C
o
80 . Reacia chimic este urmtoarea:

( )
( )
( )
( ) ( ) ( ) ( ) liq S aq aq aq
O H CdS H CS NH complex Cd
2 2
2
20 + + +


Filmele din CdS astfel formate sunt foarte aderente i foarte omogene chiar i la
grosimi mici.
Un oarecare dezavantaj n formarea jonciunilor abrupte de calitate fotoelectronic
nalt ntre CdTe i CdS este acela c CdS are o nepotrivire de grilaj fa de CdTe.
contactele de la spate
Este bine cunoscut din fizica semiconductorilor c nu este uor s realizezi contactul
unui semiconductor de tip p uor dopat i care are o energie de bariera relativ mare [2]. Exist
dou principii generale pentru realizarea contactelor ohmice cu semiconductori de tip p:
s se foloseasc un metal cu potenialul de lucru mai mare dect afinitatea electronului
+ energia de barier a semiconductorului cu scopul de a alinia partea superioar a
benzii de valen cu nivelul Fermi al metalului. Afinitatea electronului + energia de
bariera a CdTe este > 6[eV]. Nu exist metal cu potenialul de lucru > 6[eV]. Asta
nseamn c toate metalele duc la un contact ntrerupt, dup cum este ilustrat i n
figura 2.28., unde se arat diagrama de band a acestei situaii;
generarea unui strat puternic dopat pe suprafaa din spate n semiconductor. Inevitabila
bariera Schottky creat de ctre contactul din spate n semiconductor va fi atunci
suficient de subire astfel nct s permit deplasarea golurilor ntr-un mod eficient.
Figura 2.29. arat diagrama de band pentru a doua opiune, o regiune de suprafa
puternic dopat. n consecin, tot ce rmne este s gsim soluii practice pentru
aceast problema.

12
contact de blocaj
marginea benzii de valenta
nivel FERMI
strat de saracire
metal
interfata fizica
p-CdTe


Figura 2.28. Schema benzii de energie de la interfaa metal CdTe de la o celul solar din
CdTe, care arat fenomenul de blocare a contactului
+
tunelare
strat de acumulare de Te
emisie termica
metal
strat de saracire subtire
nivel FERMI
marginea benzii de valenta
Imbunatatirea contactelor
prin substituirea stratului
de bariera, permitand
tranzitul tunelar al
golurilor
p-CdTe
interfata fizica

Figura 2.29. Schema benzii de energie a unui contact de metal asociat celulei din CdTe
dup generarea unui gol p
+
la suprafa prin mbogirea cu Te ducnd la o barier mai
mic tunnelling

Eforturi pentru dopri puternice cu impuriti acceptoare n CdTe au euat datorit
unei puternice tendine de autocompensare a acceptorilor prin formarea de donori la diferite
temperaturi ridicate, cum sunt folosite i aici.
Eforturi alternative din trecut au fost direcionate n primul rnd ctre trei compui
semiconductori: HgTe, ZnTe: Cu,Te i Cu
2
Te. [17], [18] Toate ncercrile au dus la contacte
instabile.
13
Realizarea modulelor integrate
interconectarea celulelor
Celulele solare semiconductoare sunt dispozitive care furnizeaz o tensiune n circuit
deschis de mai puin de 1V. Avnd n vedere c n aplicaiile comerciale este nevoie de o
tensiune mai mare, s-a dovedit avantajos s se conecteze o multitudine de celule solare n
serie sub forma unor module. Dac n cazul celulelor solare de siliciu, celulele individuale
trebuie s fie conectate n serie cu ajutorul unor conductoare lipite de ambele pri ale
celulelor, celulele thin film au un avantaj mare pentru ca permit conexiuni serie integrate a
mai multor celule care sunt n acelai timp definite n arii i sunt interconectate [27]. Dac
diferitele straturi ale celulei TCO, filmul p n i contactele din spate sunt separate
individual prin dungi paralele, care se suprapun asimetric peste conexiunea serie a unei celule
distincte cu cea nvecinat, poate fi obinut o form de conexiune precum cea din figura 2.30.

substrat
filmul TCO
filmul de CdS/CdTe
Celula 1
contactul din spate
prima sectiune: TCO
a doua sectiune: CdS / CdTe
a treia sectiune: contactul din spate
Celula 2

Figura 2.30. Principiul interconectrii

n unele cazuri, cum ar fi depunerile electrolitice, nu este permis s se separe filmul
TCO naintea acoperirii filmului semiconductor [29]. Aici o variaie n procedur permite
imprimarea primelor dou linii dup depunere filmului semiconductor. O ilustrare a acestui
procedeu este dat n figura 2.31. O umplutur de izolaie este necesar n acest proces.

substrat
filmul TCO
filmul de CdS/CdTe
Celula 1
contactul din spate
prima sectiune: TCO + izolatia
a doua sectiune: CdS / CdTe
a treia sectiune: contactul din spate
Celula 2

Figura 2.31. Principiul interconectrii modificat

n mod evident, folosind aceste tehnici, limea unei celule poate fi ajustat n funcie
de nevoile tehnice i / sau necesitile comerciale. Pentru CdTe o lime a celulei de
9 10[mm] pare s fie o valoare optim pentru filmuri TCO cu rezistivitate de ] [ 10 8 .
14
contactele
Fotocurentul unui modul traverseaz toate celulele conectate n serie i iese prin
contactele primei i ultimei celule, i toate tensiunile individuale produse de fiecare celul
sunt adunate pentru a forma o tensiune total [108]. De obicei conductoarele metalice sunt
ataate zonelor de contact a primei i ultimei celule cu ajutorul adezivilor conductori i mai
sunt folosite i benzi de contact care sunt montate pe spatele modului de unde se poate prelua
tensiunea.

15
CAPITOLUL 3 PROIECTAREA UNUI SISTEM
FOTOVOLTAIC


Energia produs de ctre un modul fotovoltaic
Producia anual de energie
Puterea produs de un sistem fotovoltaic depinde de un numr de factori care trebuiesc
examinai cnd sistemul este proiectat. Este de asemenea util s apreciem favorabil acurateea
metodelor simplificate cnd aceti factori sunt ignorai sau neglijai. O astfel de analiz este
realizat n mod convenabil uitndu-ne la energia anual total produs de sistem. Un studiu
recent mai complex a identificat apte factori care influeneaz performana anual a
modulelor fotovoltaice [90], i acetia sunt:
iradierea solar cumulativ profilele de iradiere pe termen lung depind de
orientarea suprafeelor i posibila captare. Acest factor depinde de locaie i variaz
intre 25 30% pentru suprafee verticale. n comparaie cu sistemele fixate la o
nclinare funcie de latitudine;
puterea maxim debitat de un modul i condiiile standard de test analiza mai
multor tehnologii fotovoltaice a artat c pentru acelai debit de putere toate
tehnologiile erau echivalente n termeni de energie anual predeterminat cu o eroare
de calcul de 5%;
temperatura de operare analizarea diferitelor tehnologii i anumitor zone de
amplasare arat c producia anual poate fi redus datorit temperaturii de operare cu
un factor cuprins ntre 2 i 10%, depinznd de design-ul modulului, viteza vntului,
tehnica de montare i temperatura de ambient;
dependena tensiunii de punctul maxim de putere la nivel de iradiere modulele a-Si
i cele din CdTe au tendina de a avea o valoare a punctul maxim de putere mai mare
la nivele de iradiere mai mici dect la iradierea standard. Acest lucru poate s rezulte
ntr-o cretere cu 10% a produciei anuale de energie;
prfuirea prfuirea sau murdrirea ntr-o oarecare msur a panourilor solare poate
s reduc cu circa 10% producia anual de energie;
variaia spectrului solar s-a determinat c efectele variaiei la nivel de or a
spectrului solar aproape c se anuleaz la nivel de an. Siliciul amorf are cea mai mare
sensibilitate la acest efect, dar schimbrile observabile rmn de obicei sub 3%;
pierderile optice cnd soarele se afl la un unghi nalt de incidena (high angle of
incidence (AOI) pierderile optice se datoreaz reflexiei mrite a sticlei care acoper
modulul fotovoltaic pentru AOI mai mare de
o
60 . Totui efectele pe termen lung sunt
16
relativ mici (tipic sub 5%) dei poate s aib efecte mai semnificative n funcie de
sezon.

Orele de vrf solar: concept i definiie

Analiza iniial aproximat i proiectarea unui sistem PV se bazeaz in mod uzual pe
orele de vrf solar (Peak Solar Hours PSH) reprezentnd o definiie convenabil a
echivalentului unei zile.
Acest concept este util pentru dimensionarea i orientarea panourilor solare care
opereaz n funcie de iradiaia global. Amplitudinea orei de vrf solar este egal cu
lungimea unei zile echivalente cu o iradiere constant egal cu constanta de intensitate 1 soare
(1kW/m
2
), rezultnd aceeai valoare a iradiaiei zilnice [63]. Acest parametru se msoar n
timp i cnd este dat n ore, are aceeai valoare numeric ca i radiaia total dintr-o zi
msurat n kWh/m
2
pe zi. Avnd n vedere aceste date, generarea total a unui panou PV
expus radiaiei solare un an ntreg, poate fi estimat cu urmtoarea formul:

=
=
365
1
0
) (
i
i A
P PSH E (3.1.)

unde: (PSH)
i
este valoarea parametrului PSH pentru ziua i i P
0
este puterea nominal a
panoului in condiii standard de funcionare.
Pentru panouri care opereaz la punctul maxim de putere, debitul de putere
instantaneu P
A
/P
max
depinde de temperatur i iradiere, i ecuaia (3.1.) este deci doar o
aproximare. O estimare mai bun a generrii anuale poate fi obinut cu ajutorul unui model
care folosete valori efective a temperaturii de ambient, i estimeaz temperatura de
funcionare a celulelor folosind conceptul NOCT [86].

. Balana energetic zilnic
Energia trebuie furnizat sarcinii in concordan cu necesarul de consum al aplicaiei,
i nevoia de energie s-ar putea s apar la momente diferite de cele n care se realizeaz
debitul energetic de la reeaua fotovoltaic. Acest fapt creeaz o neconcordan ntre trecerea
energiei de la sistemul fotovoltaic la sarcin.
Balana energetic zilnic dintre sursa de energie fotovoltaic i o sarcin domestic
tipic este ilustrat n figura 3.11. Figurile 3.11. (a) i (b) arat date legate de temperatura de
ambient i radiaia solar pentru o zi tipic din an, cu panourile fotovoltaice nclinate la
latitudine. Aceste date au fost generate statistic cu ajutorul soft-ului METEONORM [44].
Figura 3.11.(c) arat profilul consumului de energie ntr-o locuin tipic. Dac
mrimea instalaiei solare este aleas astfel nct energia total produs de reea s fie egal cu
energia consumat de sarcin, balana energetic rezultat n funcie de or este artat n
figura 3.11.(d). Balana energetic cumulativ este artat n figura 3.11.(e).
17
Aceste rezultate arat c, dei exist o balan energetic complect la sfritul zilei,
exist un neechilibru ntre sursa de energie i sarcin pentru un numr de ore din zi cnd
sarcina consum mai mult energie dect cea furnizat de generatorul fotovoltaic. Dac acest
fapt este ntlnit ntr-un sistem independent, diferena necesar trebuie furnizat de
acumulatori sau un generator de rezerv.

a.
b.
c.
18
d.
e.
Figura 3.11. - (a) profilul temperaturii n ore; (b) radiaia solar pentru o zi tipic din an;
(c) un profil de sarcin tipic, la nivel de ore; (d) balana energetic la nivel de ore;
(e) balana energetic cumulativ


19

CAPITOLUL 4 DATE EXPERIMENTATE PRIVIND
POTENIALUL SOLAR AL CMPIEI DE VEST PRECUM
I POSIBILITATEA REALIZRII UNOR INSTALAII CU
AJUTORUL TEHNOLOGIEI THIN FILM.


Celulele solare se testeaz n condiii de atmosfer AM1 (air mass 1). AM reprezint
cantitatea de aer pe care fotonii trebuie s o traverseze pana ajung la suprafaa Pmntului, la
nivelul mrii. AM1 este masa de aer din momentul amiezii solare, la nivelul mrii, cnd
soarele este perpendicular pe suprafaa Pmntului. Energia disponibil la nivelul celulelor
solare n condiii de AM1 este echivalent cu 1kW/m
2
. Cel mai bun moment din zi, n care se
realizeaz testarea celulelor este pe la prnz n perioada verii, n apropierea solstiiului. n acel
moment se ajunge cel mai aproape de standardul AM1. Testarea se poate face i n alte
perioade, doar c trebuie inut cont de faptul c valorile de ieire sunt mai mici dect cele de
vrf, care se obin n condiii optime de iradiere.
Pentru testarea celulelor avem nevoie de un multimetru care s ofere posibilitatea
citirii curentului i a tensiunii. Mai avem nevoie i de un stand care s in celulele la acelai
nivel n momentul testrii figura 4.1.


Figura 4.1. Stand de testare al celulelor solare.

Standul pe care se sprijin celula este recomandat s fie din cupru astfel msurarea
realizndu-se mai uor, deoarece se realizeaz contactul dintre electrozii pozitivi i stand i
20
pentru a msura valorile de ieire este suficient s realizm contactul dintre sonda pozitiv i
stand i sonda negativ i suprafaa iluminat a celulei. Este recomandat ca testul celulelor
care intr n componena unui modul s se realizeze n aceeai zi, pentru a menine condiiile
de testare aceleai pentru fiecare celul.
realizarea panourilor solare
Unul dintre marile avantaje n realizarea panourilor solare este faptul c pot fi
dimensionate n funcie de aplicaie, ca s debiteze ce tensiune i curent dorim. n aceast
aplicaie vom realiza panouri cu 48 de celule pentru a avea un debit de 24V n gol i 4A n
scurtcircuit, de unde rezult panouri cu un debit teoretic de 96W. Un exemplu simplu de
conectare a celulelor l avem n figura 4.2.



Figura 4.2. - (a) ir de celule solare conectate in serie(pentru mrirea tensiunii);
(b) ir de celule conectate in paralel (pentru mrirea curentului de ieire).

Celulele pot fi legate n serie, n paralel sau combinat, n funcie de necesarul de
tensiune i curent la ieire. De exemplu, dac vrem 4V i 8A vom conecta dou iruri de cte
8 celule de 0,5V i 4A n paralel.
Panourile pot fi conectate in serie, paralel sau mixt, n funcie de necesitate. Pentru a
avea o tensiune de 240V va trebui s conectm 10 panouri n serie ntr-un ir i 15 iruri n
paralel [20]. Dar daca rmnem pe 24V atunci vom avea nevoie numai de 15 panouri n
paralel avnd astfel un curent de 60A. Conectarea se face ca n figura 4.3.
21



Figura 4.3.Diferite moduri de conectare a panourilor fotovoltaice.

Bancurile de baterii sunt configurare la fel. Pentru sisteme de 24 V, folosind baterii de
6V i cu capacitate de 225Ah, avem nevoie s conectm in serie 4 baterii i n paralel 8 iruri
de cate 4 baterii. Deci un total de 32 baterii. Modul de conectare al bateriilor este afiat n
figura 4.4.


22

Figura 4.4. Diferite moduri de conectare a bateriilor.

regulatorul de sarcin i invertorul
Regulatoarele de sarcin controleaz ncrcarea bateriilor de la panourile solare.
Circuitul lor este dedicat s menin bateriile complect ncrcate i s evite suprancrcarea
sau subncrcarea.
Un regulator de sarcin poate s fie de tip serie sau de tip untare, al doilea tip
realiznd deconectarea de la baterii prin devierea curentului printr-un unt. Mai exist i
regulatoare de sarcin cu PWM (Pulse width modulation) care aplic un puls pentru a ncrca
bateriile [19]. Aceste regulatoare sunt cele mai performante i au rolul de a mri perioada de
via a bateriilor i s previn sulfatarea. Aceste regulatoare pot fi achiziionate de la
productori sau pot fi construite acas. Schema regulatorului de sarcin este artat n figura
4.5.:

Figura 4.5. Schema electrica a regulatorului cu untare.
Schema final a ntregii instalaii va fi cea din figura 4.7:
23

Figura 4.7. Schema final a instalaiei solare.
Conectarea la reea a generatoarelor fotovoltaice

Metode de conectare la reea
Conectarea la reea a sistemelor fotovoltaice este un domeniu din ce n ce mai
dezvoltat cu un potenial major pentru uzul domestic. Un sistem fotovoltaic conectat la reea
ofer ansa unei persoane sau companii s i produc singur energia electric de care are
nevoie i n acelai timp s distribuie i reelei naionale, contribuind astfel la protejarea
mediului inconjurtor. Sistemele conectate la reea lucreaz n paralel cu reeaua naional de
distribuie [53].
n mod tradiional conectarea la reea a generatoarelor se face la tensiuni nalte (HV),
n raza kV. Generatoarele fotovoltaice, situate de obicei pe acoperiurile caselor, se
conecteaz n general la reea la tensiuni joase (LV). O astfel de conexiune prezint probleme
noi pentru operatorii din reeaua de distribuie care obinuiau s distribuie i s fac conexiuni
la tensiuni nalte figura 4.8.

24

Figura 4.8. Un sistem tipic de transmisie i distribuie,ilustrat pentru sistemul public de
alimentare. Doar generatoarele fotovoltaice mari sunt conectate la reea



25

CAPITOLUL 5 REZULTATE EXPERIMENTALE.
CONTRIBUII PERSONALE. CONCLUZII FINALE


n continuare vor fi prezentate date privind estimrile performanei unui sistem
fotovoltaic conectat la reea, din zona judeelor Timi, Arad, Bihor i Satu Mare. Sistemul este
realizat cu tehnologia thin-film, puterea fotovoltaic debitat este de 4kW, pierderile
estimative ale sistemului sunt considerate a fi 14%, nclinaia optim a modulului este de
o
37 i orientarea este ctre sud la
o
0 .
Simulrile au fost realizate pe baza datelor msurate in teren. Unde vom avea:
E
d
: media produciei de energie electric zilnic pentru sistemul dat (kWh);
E
m
: media produciei de energie electric lunar pentru sistemul dat (kWh);
G
d
: media iradiaiei globale dintr-o zi pe metru ptrat primit de modulele
sistemului (kWh/m
2
);
G
m
: media iradiaiei globale dintr-o lun pe metru ptrat primit de modulele
sistemului (kWh/m
2
);
Mai departe, tot prin intermediul datelor din teren i cu ajutotul simulrii am
determinat iradiaia global lunar unde au fost analizate mai multe date cum ar fi: iradiaia
orizontal, iradiaia pentru un unghi optim de nclinaie, iradiaia la unghiul de
o
90 , factorul
de turbulen Linke, iradiaia difuz / iradiaia global i unghiul de nclinaie optim. Acestea
au fost determinate pentru ntreaga zon de vest de la Snicloul Romn pn la Satu Mare,
deficitul anual de iradiaie datorit fenomenului de umbrire orizontal a fost considerat 0,0%,
iar unghiul de nclinaie de 37, orientarea n plan sau azimutul a fost considerat a fi de 0, au
mai fost folosite urmatorele notaii la simulare:
G
h
: Iradiaia pe un plan orizontal (Wh/m
2
);
G
opt
: Iradiaia pe planuri cu inclinaie optim (Wh/m
2
);
G(90): Iradiaia pe un plan la unghi de: 90 grade. (Wh/m
2
);
I
opt
: nclinaia optim (grade);
T
L
: Factorul Linke (-);
D/G: Raportul dintre radiaia difuz i cea global (-);
Ultimele simulri au fost realizate pentru estimarea mediei zilnice de iradiere solar,
aceste calcule i simulri au fost fcute pentru fiecare lun n parte acestea au fost determinate
pentru municipiul Oradea i zona din apropiarea acestuia cuprins ntre municipiile Salonta n
sud i Aled n est, unde au fost folosite notaiile:
Timpul este exprimat in timp solar local .Pentru a afla timpul GMT, se aduna -1
hours 21 minutes;
G: Iradierea global pe un plan fix (W/m
2
);
G
d
: Iradierea difuz pe un plan fix (W/m
2
);
26
G
c
: Iradierea global n condiii de cer senin pe un plan fix (W/m
2
);
A: Iradierea global pe un plan cu sistem de urmrie dublu-axial (W/m
2
);
A
d
: Iradierea difuz pe un plan cu sistem de urmrire dublu-axial (W/m
2
);
A
c
: Iradierea global n condiii de cer senin pe un plan cu sistem de urmrire
dublu axial (W/m
2
).
Problematica proiectrii unui sistem fotovoltaic este suficient de complex pentru a
necesita trecerea n revist a aspectelor teoretice utilizate. Astfel n primul capitol este
prezentat importana rolului climatului radiaiei solare n analiza eficienei utilizrii
energiei solare ca surs alternativ, ecologic de energie. Pentru a ne forma o idee de
ansamblu au fost prezentate caracteristicile cheie ale climatului cu radiaii solare n diferite
pri ale globului pmntesc, analizndu-se cantitativ radiaia solar i calculul geometriei
solare, estimndu-se iradiaia global i difuz orizontal dintr-o or i a iradiaiei pentru
diferite condiii ale cerului pe planuri nclinate din iradiaia difuz orizontal dintr-o or.
Climatul solar cat si radiaiile solare au un impact deosebit att asupra proiectrii unui sistem
solar cat i asupra montajului propriu zis. Proiectanii au nevoie att de datele solare cat i de
datele legate de temperatura. Temperatura afecteaz performanele unei instalaii solare. Cnd
vine vorba de utilizarea unei surse de energie alternative se pune problema corelrii corecte a
debitului de energie a unei centrale i necesarul consumatorului. Furnizorul de energie trebuie
sa ia n considerare o metoda de depozitare a energiei produse pentru a realiza o furnizare
destul de stabil avnd n vedere c energia solar nu se distribuie n mod egal n toate zonele
de pe Glob i intensitatea radiaiei solare variaz n funcie de momentul din zi. n mod ideal
un proiectant ar trebui s aib datele legate de intensitatea radiaiei solare pentru diferite zone
ale Globului i datele legate de temperatur, msurate la nivel de ore din zi i n funcie de
anotimp. Astfel de date sunt rare i de aceea n ultimii ani s-a realizat o abordare statistic
astfel nct s se umple acest gol din domeniul proiectrii. Toate aceste date sunt eseniale
pentru o proiectare eficient a unui sistem solar autonom.
Capitolul al doilea prezint principiul de funcionare al celulelor solare pentru a putea
analiza precursorii cercetrilor efectuate. Astfel caracteristicile electrice i proprietile
optice ale structurilor tipice de celule solare au fost utilizate la modelarea materialelor
semiconductoare, urmrindu-se i obinndu-se eficiena ideal pentru modulele
fotovoltaice cu foi subiri realizate din CdTe. n scop de exemplificare, a fost prezentat linia
de producie a firmei ANTEC Solar GmbH. Linia de producie a fost conceput ca o linie de
producie n doi pai, fiind format dintr-o linie de acoperire galvanic complect automat
pentru modulele integrate cu substrat de sticl de dimensiuni ] [ 120 60
2
cm i o linie de
modulare semiautomat, pentru acoperirea ermetic, ataarea contactelor, msurare i
adaptarea modulelor din punct de vedere ergonomic la cerinele pieei. Linia complect
automat de producie, din prima faz, este constituit din 9 pai:
curarea substraturilor;
ataarea contactului transparent (ITO + SnO
2
) la o temperatura de C
o
250 ;
27
debitarea filmurilor de TCO pentru definirea celulei i pentru realizarea
interconectrii;
depunerea de CdS i CdTe prin procedura de Sublimare n Spaiu Apropiat (Close-
Space Sublimation CSS) la o temperatura de C
o
500 ;
activarea(mbuntirea jonciunii prin recoacere n cuptoare cu atmosfer
controlat la aproximativ C
o
400 );
realizarea gravurrii cu chimicale pentru pregtirea zonei de contact (acumularea
de Te);
trasarea cu ajutorul uneltelor mecanice a materialului semiconductor pentru a
pregti interconectarea celulelor solare;
ataarea contactului din spate;
debitarea cu ajutorul uneltelor mecanice a materialului semiconductor pentru a
separa i interconecta celulele solare;
n linia de modulare substraturile cu seturi de celule interconectate (adesea numite
submodule) sunt conectate i sigilate pentru a putea fi utilizate n sisteme energetice. Aceasta
parte a fabricii realizeaz urmtoarele procese:
curarea sticlei de acoperire;
ataarea cablurilor de contact la module;
testarea funcionrii fotovoltaice pentru a identifica module sub standard, care pot
fi excluse din procesul de producie;
tierea foliilor realizate din EVA la dimensiunile cerute;
unirea modulului cu foliile EVA i cu sticla de acoperire;
laminarea (seturi de 6 module);
umplerea gurilor de contact;
ataarea cutiei de contacte;
msurtorile cantitative a performanelor fotovoltaice (pentru seturi de 3 module);
ataarea semnului de discriminare n funcie de tip;
clasificarea, selectarea i mpachetarea pentru livrare.
Linia de modulare necesit i intervenii manuale ale personalului pentru diferite
ajustri, datorit naturii eterogene a procesului. Fiecare linie este instalat ntr-o hal separat.
Amndou halele sunt conectate de un coridor pentru transferul modulelor. Figura 2.33 arat
aranjamentul geometric al diferitelor procese.
Cu o eficien de conversie de 18,8% la o celul din laborator de 0,5 cm
2
i 16,6%
pentru minimodule cu o arie de aproximativ 20cm
2
, Cu(In,Ga)Se
2
este n ziua de astzi pe
departe cea mai eficient celul solar realizat prin tehnologia thin - film. Aici vorbim de
patru inovaii tehnologice importante care, n perioada 1990 2000, au dus la mbuntiri
considerabile a eficienei atingndu-se eficiena maxim de 18.8%. Aceti pai reprezint
elementele cheie a prezentei tehnologii realizate din aliajul Cu(In,Ga)Se
2
:
28
calitatea filmului a fost mbuntit substanial de mecanismul de cristalizare indus
de prezena de Cu
y
Se (y < 2). Acest proces mai este susinut de o temperatur de
substrat apropiat de temperatura de nmuiere a substratului de sticl;
substratul de sticl a fost schimbat de la sticl fr Na la sticl care conine Na.
Adugarea de Na a dus la o mbuntire enorm a eficienei i stabilitii celulei
solare, cat i la o toleran de proces mai mare;
absorbantele fotovoltaice mai vechi erau compuse doar din CuInSe
2
. nlocuirea
parial a In cu Ga este o alt mbuntire notabil, care a mrit potenialul de barier
a materialului absorbant de la 1,04 eV la 1,1 1,2 eV pentru dispozitivele de mare
eficien. Beneficiul ncorporrii de 20-30% Ga se mai regsete i n calitatea
electronic superioar a stratului semiconductor realizat din Cu(In,Ga)Se
2
fa de
aliajul format doar din CuInSe
2
;
electrodul folosit pentru stratul CuInSe
2
, folosit la celulele solare mai vechi, era
realizat dintr-un strat de CdS de m 2 grosime ataat prin metoda PVD(Physical
Vapour Deposition). Acesta a fost nlocuit de o combinaie de nm 50 de CdS
reprezentnd un strat de filtrare aezat prin metoda depunerii prin baie chimic, i un
strat fereastr puternic conductor realizat din ZnO.
Pentru proiectarea unui sistem fotovoltaic, prezentat n capitolul 3, s-a pornit de la
datele iniiale privind energia produs de ctre un modul fotovoltaic i balana energetic
n sisteme fotovoltaice autonome necesare pentru dimensionarea sistemelor fotovoltaice
independente. Puterea produs de un sistem fotovoltaic depinde de un numr de factori care
trebuiesc examinai cnd sistemul este proiectat. Este de asemenea util s apreciem favorabil
acurateea metodelor simplificate cnd aceti factori sunt ignorai sau neglijai. O astfel de
analiz este realizat n mod convenabil uitndu-ne la energia anual total produs de sistem.
Un studiu recent mai complex a identificat apte factori care influeneaz performana anual
a modulelor fotovoltaice.
Un considerent important de luat n calcul n proiectarea unui sistem fotovoltaic
independent este balana dintre energia produs de ctre reeaua fotovoltaic i energia
consumat de sarcin. Orice neconcordan ntre aceste dou energii este compensat de
depozitele de energie, care se realizeaz de obicei cu ajutorul bateriilor rencrcabile numite i
acumulatoare. Consideraii legate de balana energetic se fac n funcie de mai multe
caracteristici determinate n timp, i pot fi discutate n termeni de energie depozitat n baterii.
Sunt cicluri zilnice care ne arat c acumulatorii se ncarc n timpul zilei i se descarc n
timpul nopii dac se conecteaz o sarcin la ieire sau n orice moment n care energia
consumat depete energia furnizat de reeaua fotovoltaic. Rata descrcrii n ciclul zilnic
variaz de la aplicaie la aplicaie, dar pentru sisteme fr un generator alternativ de rezerv
este foarte probabil ca aportul energetic oferit de acumulatori s nu fie suficient tot timpul.
Mai exist un ciclu n funcie de clim, care ine cont de variaiile condiiilor de clim. Ciclul
climatic apare cnd sarcina zilnic depete valoarea medie de proiectare a energiei zilnice
furnizat de generatorul fotovoltaic. n anumite sisteme (de obicei n aplicaii n care posibila
29
ntrerupere a energiei electrice nu este vital), acumulatorul ar putea juca rolul de depozit de
energie funcie de sezon, astfel nct pe perioada iernii s furnizeze o parte din energia
acumulat pe perioada verii.
Modelarea sistemelor reprezint un element cheie n proiectarea unui sistem
fotovoltaic. Poate veni cu rspunsuri la un numr de probleme importante cum ar fi
dimensiunile reelei fotovoltaice, orientarea i configuraia electric, poate de asemenea s
determine mrimea diferitelor subsisteme cum ar fi bateria i / sau invertorul. Criteriile de
proiectare vor varia n funcie de natura aplicaiei. n sisteme independente, consideraiile ca
producia de energie s acopere necesarul consumatorului sunt foarte importante. Sigurana
sursei de energie i consideraiile economice sunt de asemenea importante. Un aspect
important n proiectarea sistemelor independente l mai reprezint dimensionarea. Probleme
analizate n cadrul proiectrii au fost cele de conectare la reea a sistemelor fotovoltaice, de
conversie i control n partea electronic din sistem i calculul de dimensionare al bateriilor.
Cel mai simplu sistem fotovoltaic nu are nevoie de control electronic sau condiionare a
puterii. O instalaie fotovoltaic cu un numr bine ales de celule solare n serie ncarc o
baterie (acumulator). Bateria susine furnizarea de energie cnd nu este suficient energie
solar, dar n acelai timp ajut la meninerea tensiunii furnizate, n anumite limite
prestabilite. O astfel de abordare are meritul simplitii dar are limitri serioase. Nu exist
control pentru a limita cantitatea de sarcin care este furnizat bateriei, i nu exist
posibilitatea limitrii descrcrii bateriei. Puterea furnizat sarcinii va fi constituit din curent
continuu i tensiunea ar fluctua considerabil n funcie de starea sarcinii. De asemenea nu
exist posibilitatea controlului tensiunii de la nivelul instalaiei fotovoltaice pentru a ne
asigura c furnizeaz puterea maxim. n scopul de a depi aceste limitri se folosesc circuite
electronice de putere, pentru a controla curentul de sarcin care ncarc bateriile, pentru a
transforma tensiunea (conversia de la curent continuu fluctuant la curent continuu) i pentru a
converti curentul continuu n curent alternativ (invertoare). Exist trei funcii importante pe
care o baterie le ndeplinete ntr-un sistem fotovoltaic:
se comport ca un filtru care depoziteaz energia necesar i elimin neconcordana
dintre energia furnizat de generatorul fotovoltaic i necesarul la consumator. Puterea
pe care o produce un modul fotovoltaic la un moment dat variaz n funcie de
cantitatea de lumin care ajunge pe modul (i este 0 pe perioada de noapte). Marea
majoritate a consumatorilor au nevoie de o surs de energie constant pentru a putea
funciona normal. Bateria furnizeaz energie cnd modulul fotovoltaic nu produce
energie sau produce mai puin dect este necesar. Bateria mai are rolul de a depozita
energia produs n plus de ctre panoul fotovoltaic;
bateria reprezint o rezerv de energie care poate fi folosit n timpul zilelor cu cer
noros sau n caz de urgen n cazul n care anumite pri din sistemul fotovoltaic
cedeaz;
bateria previne fluctuaiile mari de tensiune, care pot duna funcionrii normale. Un
modul fotovoltaic poate s furnizeze puterea n orice punct dintre punctele de
30
scurtcircuit i circuit deschis, depinznd de caracteristicile sarcinii. ntr-un sistem
nominal de 12V, de exemplu, putem avea o tensiune oarecare din intervalul 0 20V.
Multe sarcini nu pot s opereze pe o raz att de vast de tensiuni. Amplasnd o
baterie ntre modulul fotovoltaic i sarcin, va stabiliza ntr-o oarecare msur
tensiunea, astfel nct sarcina s nu primeasc o tensiune prea mare sau prea mic.
n ultimele dou capitole sunt prezentate date experimentale privind potenialul solar
al Cmpiei de Vest i sunt subliniate avantajele ce apar n urma utilizrii instalaiilor
fotovoltaice cu foi subiri. Unul dintre marile avantaje n realizarea panourilor solare este
faptul c pot fi dimensionate n funcie de aplicaie, ca s debiteze ce tensiune i curent dorim.
Cu ajutotul simulrii am determinat iradiaia global lunar unde au fost analizate mai
multe date cum ar fi: iradiaia orizontal, iradiaia pentru un unghi optim de nclinaie,
iradiaia la unghiul de
o
90 , factorul de turbulen Linke, iradiaia difuz / iradiaia global i
unghiul de nclinaie optim. Acestea au fost determinate pentru ntreaga zon de vest de la
Snicolaul Romn pn la Satu Mare, deficitul anual de iradiaie datorit fenomenului de
umbrire orizontal a fost considerat 0,0%, iar unghiul de nclinaie de 37, orientarea n plan
sau azimutul a fost considerat a fi de 0. n final au fost realizate simulri pentru estimarea
mediei zilnice de iradiere solar, aceste calcule i simulri au fost fcute pentru fiecare lun n
parte pentru municipiul Oradea i zona din apropierea acestuia cuprins ntre municipiile
Salonta n sud i Aled n est. Au fost utilizate dou tipuri de modele de simulare, o simulare
realizat cu softul RETScreen utiliznd datele tehnice (msurtori din teren) i o simulare
economic de unde avem diagrama cash flow.
Elementele de noutate obinute n urma cercetrilor efectuate sunt cele legate de
estimrile performanei unui sistem fotovoltaic cu foi subiri conectat la reea, din zona
judeelor Timi, Arad, Bihor i Satu Mare.














31










32





33

Performance of Grid-connected PV
PVGIS estimates of solar electricity generation
Location: 4538'50" North, 210'21" East, Elevation: 78 m a.s.l.,
Nearest city: Timisoara, Romania
Nominal power of the PV system: 4.0 kW(thin - film tehnology)
Estimated losses due to temperature: 9.5% (using local ambient temperature)
Estimated loss due to angular reflectance effects: 2.8%
Other losses (cables, inverter etc.): 14.0%
Combined PV system losses: 24.4%
Fixed system: inclination=35, orientation=0
Month E
d
E
m
H
d
H
m

Jan 1.60 49.6 1.92 59.6
Feb 2.38 66.6 2.92 81.8
Mar 3.15 97.8 4.03 125
Apr 3.64 109 4.81 144
May 4.08 126 5.55 172
Jun 4.15 124 5.74 172
Jul 4.36 135 6.07 188
Aug 4.27 132 5.92 184
Sep 3.79 114 5.08 152
Oct 3.05 94.5 3.97 123
Nov 1.81 54.3 2.26 67.7
Dec 1.34 41.5 1.61 49.8
Yearly average 3.14 95.4 4.16 127
Total for year 1150 1520

Vertical axis tracking system inclination=0
Month E
d
E
m
H
d
H
m

Jan 0.94 29.0 1.19 37.0
Feb 1.60 44.7 1.99 55.7
Mar 2.52 78.3 3.19 98.8
Apr 3.37 101 4.38 131
May 4.16 129 5.56 172
Jun 4.43 133 6.03 181
Jul 4.55 141 6.23 193
Aug 4.06 126 5.53 171
Sep 3.10 93.1 4.10 123
Oct 2.08 64.4 2.72 84.3
Nov 1.09 32.6 1.42 42.6
Dec 0.75 23.3 0.98 30.3
Yearly average 2.73 82.9 3.62 110
Total for year 995 1320

Inclined axis tracking system inclination=0
Month E
d
E
m
H
d
H
m

Jan 1.41 43.6 1.66 51.3
34
Feb 2.34 65.5 2.80 78.3
Mar 3.58 111 4.43 137
Apr 4.54 136 5.87 176
May 5.46 169 7.28 226
Jun 5.77 173 7.85 235
Jul 6.10 189 8.34 259
Aug 5.63 175 7.63 236
Sep 4.47 134 5.82 175
Oct 3.17 98.4 4.01 124
Nov 1.64 49.3 2.00 60.0
Dec 1.12 34.6 1.32 41.0
Yearly average 3.78 115 4.93 150
Total for year 1380 1800

2-axis tracking system
Month E
d
E
m
H
d
H
m

Jan 1.96 60.6 2.40 74.3
Feb 2.94 82.2 3.65 102
Mar 4.02 124 5.13 159
Apr 4.79 144 6.29 189
May 5.62 174 7.56 234
Jun 5.92 178 8.09 243
Jul 6.28 195 8.64 268
Aug 5.91 183 8.11 251
Sep 4.98 149 6.63 199
Oct 3.91 121 5.11 159
Nov 2.24 67.2 2.83 84.8
Dec 1.62 50.3 1.99 61.6
Yearly average 4.19 127 5.55 169
Total for year 1530 2020

E
d
: Average daily electricity production from the given system (kWh)
E
m
: Average monthly electricity production from the given system (kWh)
H
d
: Average daily sum of global irradiation per square meter received by the modules of the given system
(kWh/m
2
)
H
m
: Average sum of global irradiation per square meter received by the modules of the given system (kWh/m
2
)
35






36


Performance of Grid-connected PV
PVGIS estimates of solar electricity generation
Location: 4559'58" North, 217'36" East, Elevation: 95 m a.s.l.,
Nearest city: Arad, Romania
Nominal power of the PV system: 4.0 kW(thin - film tehnology)
Estimated losses due to temperature: 9.1% (using local ambient temperature)
Estimated loss due to angular reflectance effects: 2.8%
Other losses (cables, inverter etc.): 14.0%
Combined PV system losses: 24.0%
Fixed system: inclination=35, orientation=0
Month E
d
E
m
H
d
H
m

Jan 1.60 49.6 1.92 59.4
Feb 2.43 67.9 2.96 82.9
Mar 3.18 98.7 4.04 125
Apr 3.66 110 4.83 145
May 4.10 127 5.57 173
Jun 4.14 124 5.70 171
Jul 4.33 134 6.00 186
Aug 4.27 132 5.90 183
Sep 3.77 113 5.02 151
Oct 3.06 94.7 3.95 123
Nov 1.75 52.6 2.17 65.2
Dec 1.29 39.9 1.54 47.7
Yearly average 3.14 95.4 4.14 126
Total for year 1140 1510

Vertical axis tracking system inclination=0
Month E
d
E
m
H
d
H
m

Jan 0.93 28.7 1.18 36.6
Feb 1.60 44.8 1.99 55.8
Mar 2.53 78.3 3.18 98.5
Apr 3.38 101 4.38 131
May 4.17 129 5.56 172
Jun 4.40 132 5.97 179
Jul 4.49 139 6.13 190
Aug 4.04 125 5.48 170
Sep 3.07 92.1 4.04 121
Oct 2.06 63.9 2.69 83.5
Nov 1.05 31.4 1.37 41.0
Dec 0.72 22.3 0.94 29.0
Yearly average 2.71 82.4 3.58 109
Total for year 988 1310




37
Inclined axis tracking system inclination=0
Month E
d
E
m
H
d
H
m

Jan 1.38 42.8 1.62 50.4
Feb 2.36 66.1 2.81 78.6
Mar 3.55 110 4.38 136
Apr 4.53 136 5.83 175
May 5.47 170 7.28 226
Jun 5.68 170 7.69 231
Jul 5.98 185 8.13 252
Aug 5.56 172 7.50 232
Sep 4.37 131 5.66 170
Oct 3.13 97.0 3.93 122
Nov 1.54 46.3 1.88 56.3
Dec 1.06 32.8 1.25 38.8
Yearly average 3.73 113 4.84 147
Total for year 1360 1770

2-axis tracking system
Month E
d
E
m
H
d
H
m

Jan 1.95 60.6 2.38 73.8
Feb 3.01 84.2 3.71 104
Mar 4.02 125 5.10 158
Apr 4.79 144 6.27 188
May 5.64 175 7.57 235
Jun 5.83 175 7.93 238
Jul 6.16 191 8.43 261
Aug 5.84 181 7.98 247
Sep 4.89 147 6.48 194
Oct 3.90 121 5.06 157
Nov 2.15 64.5 2.69 80.7
Dec 1.56 48.4 1.89 58.6
Yearly average 4.15 126 5.47 166
Total for year 1520 2000

E
d
: Average daily electricity production from the given system (kWh)
E
m
: Average monthly electricity production from the given system (kWh)
H
d
: Average daily sum of global irradiation per square meter received by the modules of the given system
(kWh/m
2
)
H
m
: Average sum of global irradiation per square meter received by the modules of the given system (kWh/m
2
)


38






39


Performance of Grid-connected PV
PVGIS estimates of solar electricity generation
Location: 472'33" North, 2157'2" East, Elevation: 125 m a.s.l.,
Nearest city: Oradea, Romania
Nominal power of the PV system: 4.0 kW(thin - film tehnology)
Estimated losses due to temperature: 8.6% (using local ambient temperature)
Estimated loss due to angular reflectance effects: 2.8%
Other losses (cables, inverter etc.): 14.0%
Combined PV system losses: 23.6%
Fixed system: inclination=35, orientation=0
Month E
d
E
m
H
d
H
m

Jan 1.55 48.0 1.83 56.7
Feb 2.51 70.2 3.02 84.6
Mar 3.32 103 4.17 129
Apr 3.78 113 4.96 149
May 4.24 131 5.74 178
Jun 4.13 124 5.68 170
Jul 4.36 135 6.03 187
Aug 4.21 131 5.78 179
Sep 3.73 112 4.93 148
Oct 3.02 93.7 3.86 120
Nov 1.70 51.0 2.08 62.5
Dec 1.13 34.9 1.33 41.3
Yearly average 3.14 95.6 4.12 125
Total for year 1150 1510

Vertical axis tracking system inclination=0
Month E
d
E
m
H
d
H
m

Jan 0.86 26.6 1.10 34.1
Feb 1.59 44.4 1.97 55.0
Mar 2.57 79.6 3.20 99.1
Apr 3.44 103 4.44 133
May 4.28 133 5.70 177
Jun 4.38 131 5.91 177
Jul 4.50 140 6.12 190
Aug 3.96 123 5.34 165
Sep 3.00 90.1 3.93 118
Oct 2.00 62.0 2.59 80.3
Nov 0.99 29.7 1.29 38.6
Dec 0.63 19.5 0.82 25.5
Yearly average 2.69 81.7 3.54 108
Total for year 981 1290




40
Inclined axis tracking system inclination=0
Month E
d
E
m
H
d
H
m

Jan 1.28 39.7 1.50 46.4
Feb 2.39 67.0 2.81 78.8
Mar 3.68 114 4.49 139
Apr 4.71 141 6.03 181
May 5.73 178 7.60 236
Jun 5.68 170 7.66 230
Jul 6.02 187 8.15 253
Aug 5.44 169 7.29 226
Sep 4.30 129 5.52 166
Oct 3.03 94.1 3.77 117
Nov 1.48 44.4 1.78 53.5
Dec 0.90 27.8 1.06 32.8
Yearly average 3.73 113 4.82 146
Total for year 1360 1760

2-axis tracking system
Month E
d
E
m
H
d
H
m

Jan 1.90 59.0 2.27 70.3
Feb 3.15 88.1 3.82 107
Mar 4.22 131 5.30 164
Apr 5.01 150 6.52 196
May 5.93 184 7.94 246
Jun 5.83 175 7.91 237
Jul 6.21 193 8.47 263
Aug 5.74 178 7.79 241
Sep 4.84 145 6.36 191
Oct 3.85 119 4.93 153
Nov 2.10 62.9 2.59 77.8
Dec 1.35 41.9 1.61 50.0
Yearly average 4.18 127 5.47 166
Total for year 1530 2000

E
d
: Average daily electricity production from the given system (kWh)
E
m
: Average monthly electricity production from the given system (kWh)
H
d
: Average daily sum of global irradiation per square meter received by the modules of the given system
(kWh/m
2
)
H
m
: Average sum of global irradiation per square meter received by the modules of the given system (kWh/m
2
)


41






42

Performance of Grid-connected PV
PVGIS estimates of solar electricity generation
Location: 4747'36" North, 2253'43" East, Elevation: 123 m a.s.l.,
Nearest city: Satu Mare, Romania
Nominal power of the PV system: 4.0 kW(thin - film tehnology)
Estimated losses due to temperature: 8.1% (using local ambient temperature)
Estimated loss due to angular reflectance effects: 2.8%
Other losses (cables, inverter etc.): 14.0%
Combined PV system losses: 23.2%
Fixed system: inclination=35, orientation=0
Month E
d
E
m
H
d
H
m

Jan 1.33 41.2 1.55 48.2
Feb 2.21 61.8 2.64 74.0
Mar 3.14 97.3 3.91 121
Apr 3.54 106 4.62 139
May 4.05 126 5.46 169
Jun 3.86 116 5.26 158
Jul 4.12 128 5.66 176
Aug 3.89 121 5.31 164
Sep 3.32 99.6 4.36 131
Oct 2.72 84.3 3.44 107
Nov 1.49 44.7 1.81 54.4
Dec 0.96 29.8 1.13 35.1
Yearly average 2.89 87.9 3.77 115
Total for year 1050 1380

Vertical axis tracking system inclination=0
Month E
d
E
m
H
d
H
m

Jan 0.75 23.2 0.95 29.6
Feb 1.41 39.5 1.74 48.8
Mar 2.42 75.0 3.00 93.0
Apr 3.22 96.6 4.13 124
May 4.07 126 5.39 167
Jun 4.06 122 5.46 164
Jul 4.23 131 5.72 177
Aug 3.65 113 4.90 152
Sep 2.69 80.7 3.50 105
Oct 1.81 56.2 2.34 72.5
Nov 0.88 26.4 1.15 34.4
Dec 0.55 16.9 0.72 22.2
Yearly average 2.48 75.6 3.26 99.1
Total for year 907 1190



Inclined axis tracking system inclination=0
43
Month E
d
E
m
H
d
H
m

Jan 1.08 33.6 1.26 39.1
Feb 2.07 58.0 2.42 67.8
Mar 3.42 106 4.15 129
Apr 4.33 130 5.51 165
May 5.37 167 7.08 220
Jun 5.16 155 6.92 207
Jul 5.53 172 7.45 231
Aug 4.90 152 6.52 202
Sep 3.72 112 4.75 143
Oct 2.68 83.1 3.31 103
Nov 1.28 38.4 1.54 46.1
Dec 0.75 23.4 0.89 27.6
Yearly average 3.37 102 4.33 132
Total for year 1230 1580

2-axis tracking system
Month E
d
E
m
H
d
H
m

Jan 1.61 50.0 1.90 58.8
Feb 2.73 76.4 3.28 91.9
Mar 3.96 123 4.93 153
Apr 4.62 138 5.97 179
May 5.57 173 7.41 230
Jun 5.31 159 7.15 214
Jul 5.71 177 7.75 240
Aug 5.18 160 6.97 216
Sep 4.20 126 5.48 164
Oct 3.42 106 4.33 134
Nov 1.81 54.4 2.22 66.7
Dec 1.14 35.2 1.34 41.7
Yearly average 3.78 115 4.90 149
Total for year 1380 1790

E
d
: Average daily electricity production from the given system (kWh)
E
m
: Average monthly electricity production from the given system (kWh)
H
d
: Average daily sum of global irradiation per square meter received by the modules of the given system
(kWh/m
2
)
H
m
: Average sum of global irradiation per square meter received by the modules of the given system (kWh/m
2
)


44






45
Monthly Solar Irradiation
PVGIS Estimates of long-term monthly averages
Location: 473'49" North, 2157'2" East, Elevation: 138 m a.s.l.,
Nearest city: Oradea, Romania
Optimal inclination angle is: 36 degrees
Annual irradiation deficit due to shadowing (horizontal): 0.0 %
Month H
h
H
opt
H(90) I
opt
T
L
D/G T
D
T
24h
N
DD

Jan 1090 1820 1860 64 2.9 0.62 -0.9 -1.5 585
Feb 1960 3020 2850 59 3.2 0.52 1.4 0.6 457
Mar 3190 4170 3310 47 3.2 0.49 6.0 4.9 340
Apr 4430 4940 3150 32 3.5 0.47 12.4 11.2 117
May 5690 5720 3000 19 3.6 0.45 18.0 16.6 33
Jun 5900 5640 2720 13 3.8 0.47 20.8 19.5 5
Jul 6110 6000 2950 17 3.9 0.42 22.5 21.4 0
Aug 5330 5760 3380 28 4.0 0.42 22.2 20.9 19
Sep 3920 4930 3640 43 4.1 0.42 17.2 15.9 95
Oct 2580 3870 3490 56 3.6 0.45 12.9 11.4 297
Nov 1280 2070 2070 63 3.0 0.59 6.4 5.4 461
Dec 816 1320 1340 64 3.0 0.69 0.3 -0.3 598
Year 3530 4110 2810 36 3.5 0.46 11.6 10.5 3007
H
h
: Irradiation on horizontal plane (Wh/m
2
)
H
opt
: Irradiation on optimally inclined plane (Wh/m
2
)
H(90): Irradiation on plane at angle: 90deg. (Wh/m
2
)
I
opt
: Optimal inclination (deg.)
T
L
: Linke turbidity (-)
D/G: Ratio of diffuse to global irradiation (-)
T
D
: Average daytime temperature (C)
T
24h
: 24 hour average of temperature (C)
N
DD
: Number of heating degree-days (-)



46






47






48


BIBLIOGRAFIE SELECTIV

1. Abken, A., Heinemann, F., Kampmann, A,, Leinkiihler, G., Rechid, J., Sittinger, V.,
Wietler, T. and Reineke-Koch, R., 1998. Large area electrodeposition of
Cu(In,Ga)Se2 precursors for the fabrication of thin film solar cells. Proc. 2nd
World Con. on Photovoltaic Solar Energy Conversion, Vienna, p. 1133.
2. Abou-Elfotouh, F.A., Moutinho, H., Bakry, A., Coutts, T.J. and Kazmerski, L.L.,
1991. Characterization of the defect levels in copper indium diselenide. Solar Cells,
Vol. 30, p. 151.
3. Birkmire, R.W., McCandless, B.E., Shafarman, W.N. and Varrin, R.D., 1989.
Approaches for high efficiency CuInSe2 solar cells. Proc. 9th. European
Photovoltaic Solar Energy Conf., Freiburg, p. 134.
4. Bube, R.H., 1992. Photolectronic Properties of Semiconductors, Cambridge
University Press, Cambridge, UK.
5. Cahen, D. and Noufi, R., 1989. Defect chemical explanation for the effect of air
anneal on CdS/CuInSe2 solar cell performance. Appl. Phys. Lett., Vol. 54, p. 558.
6. Contreras, M., Egaas, B., Ramanathan, K., Hiltner, J., Swartzlander, A.Hasoon, F. and
Noufi, R., 1999. Progress toward 20% efficiency in Cu(In,Ga)Se2 polycrystalline
thin-film solar cells. Prog. Photovolt. Res.Appl. Vol. 7,p. 311.
7. Contreras, M.A., Egaas, B., Dippo, P., Webb, J., Granata, J., Ramanathan, K., Asher,
S., Swartzlander, A. and Noufi, R., 1997. On the role ofNa and modifications to
Cu(In,Ga)Se absorber materials using thin-MF (M = Na, K, Cs) precursor layers.
Proc. 26th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., Anaheim, p. 359.
8. Contreras, M.A., Wiesner, H., Niles, D., Ramanathan, K., Matson, R., Tuttle, J.,
Keane, J. and Noufi, R., 1996. Defect chalcopyrite Cu(Inl-,Ga,)3Se5 materials and
high Ga-content Cu(In,Ga)Se2-based solar cells. Proc. 25
th
IEEE Photovoltaic
Specialists,W ashington, DC, p. 809.
9. Coutts, T.J., Kazmerski, L.L. and Wagner, S., 1986. Ternary Chalcopgrite
Semiconductors: Growth, Electronic Properties, and Applications, Elsevier,
Amsterdam.
10. Deibel, C., Dyakonov, V., Parisi, J., Palm, J., Zweigart, S. and Karg, F.,2002.
Electrical characterisation of damp-heat trated Cu(In,Ga)(S,Se)2 solar cells. Proc.
17th European Photovoltaic Solar Energy Conf., Munich, p. 1229.
11. Delahoy, A.E., Ruppert, A. and Contreras, M., 2000. Charging and discharging of
defect states in CIGS/ZnO junctions. Thin Solid Films, Vols.
12. Devaney, W.E., Chen, W.S., Steward, J.M. and Mickelson, R.A., 1990. Structure
and properties of high efficiency ZnO/CdZnS/CuInGaSe2 solar cells. IEEE Trans.
Electron Devices, Vol. ED-3 7, p. 428.
13. Dhingra, A. and Rothwarf, A., 1996. Computer simulation and modeling of graded
bandgap CuInSe2/CdS based solar cells. IEEE Trans. Electron Devices, Vol. ED-
43, p. 613 ,
14. Dimmler, B., Powalla, M. and Schock, H.W., 2002. CIS-based thin-film
photovoltaic modules: potential and prospects. Prog. Photovolt. Res. Appl.Vol. 10,
p.149.
15. Dullweber, T. Rau. U., Contreras, M., Noufi, R. and Schock, H.W., 2000.
Photogeneration and carrier recombination in graded gap Cu(In, Ga)Se2 solar cells.
IEEE Trans. Electron. Dev., Vol. ED-47, p. 2249.
16. Guillemoles, J.-F., Rau, U., Kronik, L., Schock, H.W. andCahen, D., 1999.
Cu(In,Ga)Se2 solar cells: device stability based on chemical flexibility.
Adv.Mat..Vol. 8.p. 111.
49
17. Haalboom, T., Godecke, T., Ernst, F., Riihle, M., Herberholz, R., Schock, H.W.,
Beilharz. C. and Benz, K.W.. 1997. Phase relations and microstructure in bulk
materials and thin films of the ternary system Cu-In-Se. Inst. Phys. Conf. Ser., Vol.
152E, p. 249.
18. Hanket, G.M., Singh, U.P., Eser, E., Shafarman, W.N. and Birkmire, R.W., 2002.
Pilot-scale manufacture of Cu(InGa)SeZ films on a flexible polymer substrate.
Proc. 29thIEEEPhotovoltaicSpecialistsConf.N, ew Orleans, p. 567.
19. Hanna, G., Jasenek, A., Rau, U. and Schock, H.W., 2000. Open circuit voltage
limitations in CuInl -,Ga,Se2 thin- film solar cells dependence on alloy
composition. Phys. Stat. Sol. A, Vol. 179, p. R7.
20. Hariskos, D., Ruckh, M., Riihle, U., Walter, T., Schock, H.W., Hedstrom, J. and
Stolt, L., 1996. A novel cadmium free buffer layer for Cu(In,Ga)Se2 based solar
cells. Solar Energy Mat. Solar Cells, Vols. 41/42, p. 345.
21. Hartmann, M., Schmidt, M., Jasenek, A., Schock, H.W., Kessler, F., Herz, K. and
Powalla, M., 2000. Flexible and light weight substrates for Cu(In,Ga)Sez solar cells
and modules. Proc. 28th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., Anchorage, p. 638.
22. Hartmann, M., Schmidt, M., Jasenek, A., Schock, H.W., Kessler, F., Herz, K. and
Powalla, M., 2000. Flexible and light weight substrates for Cu(In,Ga)Sez solar cells
and modules. Proc. 28th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., Anchorage, p. 838.
23. Heath, J.T., Cohen, J.D., Shafarman, W.N., Liao, D.X. and Rockett, A.A., 2002.
Effect of Ga content on defect states in CuInl_,Ga,Se2 photovoltaic devices.Appl.
Phys. Lett.,Vol. 80,p. 4540.
24. Hedstrom, J., Ohlsen, H., Bodegard, M., Kylner, A., Stolt, L., Hariskos, D., Ruckh,
M. and Schock, H.W., 1993. ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se/sub 2/ thin film solar cells with
improved performance. Proc. 23rd ZEEE Photovoltaic Specialists Conf., Lousville,
p. 364.
25. Hengel, I., Neisser, A., Klenk, R. and Lux-Steiner, M.C., 2000. Current transport in
CuInS2:Ga/Cds/Zn0 - solar cells. Thin Solid Films, Vols. 361-362, p. 458.
26. Herberholz, R., Igalson, M. and Schock, H.W., 1998. Distinction between bulk and
interface states in CuInSe2/CdS/Zn0 by space charge spectroscopy. J. Appl. Phys.,
Vol. 83, p. 3 18.
27. Herberholz, R., Nadenau, V., Ruhle, U., Koble, C., Schock, H.W. and Dimmler, B.,
1997. Prospects of wide-gap chalcopyrites for thin film photovoltaic modules. Solar
Energy Mater. Solar Cells, Vol. 49, p. 227.
28. Herberholz, R., Rau, U., Schock, H.W., Haalboom, T., Godecke, T., Ernst, F.,
Beilharz, C., Benz, K.W., and Cahen, D., 1999. Phase segregation, Cu migration
and junction formation in Cu(In,Ga)Se2, Eur. Phys. 1. Appl. Phys., Vol. 6, p. 131.
29. Holz, J., Karg, F. and Phillipsborn, H.V., 1994. The effect of substrate impurities
30. Kushia, K., Tachiyuki, M., Kase, T., Sugiyama, I., Nagoya, Y., Okumura, D., Sato,
M., Yamase, O., and Takeshita, H. 1997. Fabrication of graded band-gap
Cu(InGa)Sez thin-film mini-modules with a Zn(O.S,OH), buffer layer, Solar
Energy Mat. Solar Cells, VoI. 49, p. 277.
31. Kushiya, K., 2001. Improvement of electrical yield in the fabrication of CIGS-
based thin-film modules. Thin SolidFilms, Vol. 387, p.257.
32. Kushiya, K., Nii, T., Sugiyama, I., Sato, Y., Inamori, Y., Takeshita, H., 1996.
Application of Zn-compound buffer layer for polycrystalline CuInSe2-based thin-
film solar cells. Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 35, p. 43 - 83.
33. Kushiya, K., Tachiyuki, M., Kase, T., Nagoya, Y., Miura, T., Okumura, D., Satoh,
M., Sugiyama, and I., Yamase, O., 1997. Improved FF of CIGS thin-film mini-
modules with Zn(O,S,OH), buffer by post-depostion light soaking. Proc. 26th IEEE
Photovoltaic Specialists Conf., Anaheim, p. 327.