UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

FACULTATEA DE INGINERIE MECANICA SI MECATRONICA

MICRO SI NANOTEHNOLOGII
-REFERAT-
STUDENT: FAGARAS ALIN
GRUPA: 544-A
Cuprins
1.Microprelucrarea siliciului monocristalin
1.1 Anizotropia
1.2 Selectivitatea procesului de corodare
1.3 Efectele corelarii anizotropiei cu selectivitate
1.4 Aplicatie
1.4.1 Suprafete antireflectante
2.Microprelucrarea siliciului policristalin
2.1 Tehnica straturilor de sacrificiu
2.2 Aplicati
2.2.1 Filtru
3.Procedeul !"A
3.1 #escrierea procedeului pentru structuri spatiale 2# 1$2#% 3#
3.2 Masca pentru radiatia & sincotronica
3.3 #epunerea 'alvanica pentru o(tinerea microstructurilor
3.4 )elula de micro'alvanizare
3.* Microin+ectarea
3., Aplicatie a procedeului !"A
4.-eferat
5.Bi!i"#r$%i&
1. Microprelucrarea siliciului monocristalin
Microprelucrarea siliciului monocristalin permite o(.inerea cavit/.ilor de diferite forme% a
orificiilor deschise% sau 0nchise de mem(rane plane$ profilate% de elemente elastice de tipul arcurilor
lamelare sau al arcurilor spirale plane du(le etc. Producerea acestor forme se (azeaz/ pe eroziune
chimic/ umed/% selectiv/% anizotrop/ 1i cu influen.area formei prin dopa+ controlat al materialului din
care sunt confec.ionate.
1.1 Anizotropia
Anizotropia este capacitatea materialelor cristaline de a prezenta comport/ri sau propriet/.i
fizice diferite% func.ie de distri(u.ia preferen.ial/ a atomilor sau moleculelor 0n spa.iu. 2n procesul
confi'ur/rii unei microstructuri prin eroziune chimic/ cu diferite su(stan.e% comportarea materialului
difer/% put3nd oscila% teoretic% 0ntre o izotropie 1i o anizotropie totale sau ideale.Anizotropia se e4prim/
prin rela.ia5
A 6 1 7
e
h
8nde5
e 9reprezenta atacul lateral :m/rimea corod/rii pe direc.ie perpendicular/;
h7 reprezenta d3ncimea corod/rii :m/rimea corod/rii pe direc.ia de ac.iune a su(stan.ei de corodare;.
Fi'ura 1 reprezinta cele dou/ situa.ii ideale5 c3nd A 6 <% pentru o corodare total izotrop/ 1i A 6
1% pentru corodare total anizotrop/.
2n realitate orice proces de corodare este caracterizat de un anume 'rad de anizotropie% deci5
< = Areal = 1

Fi'.1.)orodare izotrop/ 1i anizotrop/
1.2 Selectivitatea procesului de corodare
>Selectivitatea? S a procesului de corodare reprezint/ raportul dintre a4a de corodare a stratului
de structurare% -s 1i rata de corodare a materialului m/1tii sau a stratului de stopare a corod/rii -4.
a o(.inerea microstructurilor se utilizeaz/% de o(icei% ca material de structurare siliciul@ pentru
m/1ti se recomand/5 SiA2@ Si3B4@ Au@ )r@ Ta@ Mo@ foto 9 sau electronorezist@ ca strat de stopare a
corod/rii se poate utiliza5 Si3B4@ siliciu dopat.
Straturi sau numai zone din siliciu puternic dopate cu Cor asi'ur/ rate foarte mici de corodare 0n
raport cu siliciul nedopat@ aceast/ proprietate este utilizat/ pentru a st/p3ni mai u1or ad3ncimea de
corodare% prin realizarea unui strat de stopare a corod/rii su( stratul a c/rui 'rosime va reprezenta
ad3ncimea structurii de o(.inut.:fi'ura 2;
Fig.2.Succesiunea etapelor de lucrupentrulimitarea ad3ncimii de corodare prin Dstrat de stopare?
Pentru o(.inerea unei structuri de ad3ncime h% se incepe de la un su(strat din materialul de
structurare% de 'rosime mai mic/ :fi'. 2 a; al c/rui strat superficial este dopat cu un element care reduce
mult rata de corodare a materialului de structurare :fi'. 2 (;@ dup/ cre1tere epita4ial/ cu 'rosimea h
:fi'. 2 c; 1i aplicarea m/1tii :fi'. 2 d;% prin corodare 0n zonele descoperite de masc/ se o(.ine structura
dorit/% a c/rei ad3ncime h va fi condi.ionat/ de stratul de stopare :fi'. 2 e;.
Selectivitatea poate fi influen.at/ de doi factori5
a;7)ompozi.ia su(stan.ei de atac
(;7Temperatura (/ii.
Pentru comparare in ta(elul urmator se dau cateva solutii de corodare pentru materialele uzual
folosite la realizarea microstructurilor5

1.3 Efectele corelrii anizotropiei cu selectivitatea
2n fi'ura 3 se o(serva ce 0nseamn/ corelarea selectivit/.ii ideale cu anizotropia ideal/ la o(.inerea
unui profil caracterizat printr7o dimensiune 0n plan d 1i o ad3ncime h.

Fi'ura53.-ezultatul com(inarii efectelor anizotropiei si selctivitatii la eroziunea chimica selectiva5 a7
selectivitate ma4ima@(7corodare izotropa cu selectivitate ma4ima@c7corodare izotropa selectiva
redusa@d7corodare anizotropa cu selectivitate mi4ta si limitarea adancimii de corodare prin statul de
stopare@e7corodarea anizotropa cu limitarea adancimii de corodare prin dimensiuni in plan al mastii.
2n fi'ura 3.a% structura cu dimensiunile d 1i h corespunde dimensiunilor m/1tii 1i respectiv 9
'rosimii stratului ad/u'at% dac/ selectivitatea su(stan.ei de atac este ma4im/ pentru materialul de
structurare :SMS 6 ma4.;% 1i nul/ pentru materialul m/1tii :SM 6 <;% iar procesul este perfect anizotrop
:A6 1;.
2n fi'ura 3.(% procesul de corodare se caracterizeaz/ prin5 SMS6 ma4@ SM 6 <@ A 6 <% pentru ca
su(stan.a de atac lucreaz/ uniform at3t 0n ad3ncime c3t 1i lateral% su( masc/.
2n fi'ura 3.c% su(stan.a de atac ac.ioneaz/ 1i asupra materialului m/1tii reduc3ndu7i 'rosimea 1i
modific3nd dimensiunea de mascare cu atacul lateral e5 SMS 6 a@ SM 6 1@ :aE1;@ A 61.
2n fi'ura 3.d% se vede rezultatul unui proces cu5 SM 6 <@ SM 6 ma4.@ <= A = 1@ forma structurii
rezultate este posi(il/ la materialele cristaline% care% cu c3t sunt mai dense cu at3t sunt mai 'reu de
corodat.

1.4 Aplicatie
1.4.1 Suprafete antireflectante

Pentru a se putea mari coeficientul de a(sor(tie al unor suprafete din siliciu monocristalin orientat
:1<<;si :11<; ce sunt iluminate su( incidenta unui laser Fe7Be cu 6,32.G nm a fost folosita tehnica
de corodare anizotropa% izotropa si de depunere cu straturi su(tiri.

Suprafata plachetei va fi (razdata de crestaturi in forma de H cu peretii verticali ori de cavitati dispuse
re'ulat dsau aleatoriu .

!n esperienta au fost folosite plachete din siliciu monocristalin crescut prin metoda )zochralsIi.
Masca de o4id a fost o(tinuta prin corodare izotropa cu BF4AF5FF %451utilizandu7se o protectie foto
cu fotorezist ne'ativ. Suprafata care a fost acoperita cu cavitati piramidale nu a necesitat masca.
Pentru corodarea anizotropa a plachetelor de siliciu a fost folosita JAF.
Pentru a se putea reduce refle4ia pe suprafetele nestructurate alle plachetelor a fost necesara aplicarea
in final a unei corodari izotrope pentru montarea suprafetei si tesirea muchiilor.
Merirea coeficientului de a(sor(tie microprelucrarea a fost urmata de o acoperire cu straturi su(tiri
de 5 Si3B4 %Ta2A*% Tio2% si KrA2."rosimea totala a straturilor fiind de <%1,m
)ele mai (une rezultate au fost o(tinute la placutele :11<;acoperite de crestaturi cu peretii verticali.
2.MI!"#!E$%!A!EA SI$II%$%I #"$I!IS&A$I'
2.1 &e(nica straturilor de sacrificiu
Tehnica straturilor de sacrificiu% utilizat/ pentru prima dat/ de Bathanson% 0n 1L,M% are la (az/
depunerea 1i confi'urarea unor straturi su(.iri sau 'roase al c/ror profil 0n plan sau 0n spa.iu reprezint/
ne'ativul unor spa.ii sau cavit/.i necesare o(.inerii micro7 sau nanostructurilor 1i care 9 0n finalul
procesului tehnolo'ic 9 sunt >sacrificate?% deci dispar.
Materialele din care sunt confec.ionate straturile de sacrificiu pot fi5
7 Materiale su(lima(ile :camphor% naftalin/% iod;@
7 Polimeri care ard sau se topesc la temperaturi nu mai mari de 1*<)@
7 Su(stan.e care se dizolv/ 0n diferi.i solven.i.
Su(stan.ele mai frecvent folosite sunt5 fotorezi1tii 1i (io4idul de siliciu. 2ndep/rtarea lor se face prin
dizolvarea cu solu.ii a c/ror selectivitate de ac.iune face vulnera(ile numai straturile de sacrificiu%
restul materialelor din care sunt alc/tuite microstructurile r/m3n3nd inerte la aceast/ ac.iune.
Su(stan.ele de dizolvare tre(uie5 s/ fie capa(ile de a ataca preferen.ial straturile de sacrificiu
respect3nd por.iunile structurate% s/ ai(/ o v3scozitate adecvat/ 1i tensiuni superficiale cu valori
corespunz/toare 0ndep/rt/rii eficiente a stratului de sacrificiu% s/ nu lase reziduuri.
Fi'.,. Succesiunea etapelor de lucru pentru aplicarea tehnicii >stratului de sacrificiu? la structuri
mo(ile din siliciu policristalin)

a;7 prelucrarea mecanic/ 1i mecano7chimic/ a plachetei de siliciu@ (7
o4idare 1i dopare pentru o(.inerea stratului de sacrificiu@ c7sensi(ilizare pentru confi'urarea m/1tii
stratului de sacrificiu@ d7 e4punere@ e7 developare@ f7 eroziune chimic/ selectiv/ a stratului de SiA2@ ' 9
0ndep/rtarea m/1tii@ h7 depunerea materialului de structurare@ i7 sensi(ilizare pentru confi'urarea m/1tii
stratului de structurare@ +7 e4punere@ I7 developare@ l7 eroziune selectiv/ a materialului de structurare@
m7 0ndep/rtarea stratului de sacrificiu
8n e4emplu simplu care poate fi 1i o ilustrare a tehnicii straturilor de sacrificiu este o(.inerea unui
arc lamelar preformat simplu :fi'.,.; sau 0ncastrat la am(ele capete :M;. 2n func.ie de metoda de
o(.inere a stratului de sacrificiu se pot distin'e dou/ variante constructive 1i anume5
a. Structure suprapuse7 prinutilizarea unui strat de SiA2 o(.inut prin depunerea chimic/ din stare
de vapori :)H#;@ stratul de polisiliciu acoper/ modelul de SiA2% astfel 0nc3t elementele o(.inute
0n final se formeaz/ treptat deasupra su(stratului :fi'. M. a;@
(. Structure planare 9 prinutilizareaunuistrat de SiA2% o(.inut prin o4idare termic/selectiv/ :sau
local/; a su(stratului de siliciu0n ferestrele create prin eroziune chimic/ 0n stratul de protec.ie
din Si3B4% astfel 0nc3t structurile o(.inute sunt practic la acela1i nivel cu su(stratul:fi'.M. (;.

Fi'. G. A(.inerea stratului de sacrificiu pentru structure suprapuse7 a 1i pentru structure 0n'ropate9 (
8n alt e4emplu de aplicare a tehnicii straturilor de sacrificiu 0l poate oferi realizarea unor cavit/.i
0nchise de diferite forme 1i dimensiuni. Pentru o(.inerea unui sensor capacitiv de presiune cu
mem(ran/ metalic/ :fi'. L ; 1i dimensiunile apro4imative prezentate 0n fi'ur/% autorii propun solu.ia
tehnolo'ic/ simplificat prezentet/ 0n continuare5 dup/ structura par.ial/ a senzorului prin procedee
caracteristice straturilor su(.iri :fi'. L a; :depuneri% dop/ri% confi'ur/ri prin eroziune chimic/;% aplicarea
mem(rane metalice nu se poate face dec3t asi'ur3ndu7i un suport 0n timpul depunerii@ de aceea
cavitatea se va umple cu o solu.ie de polimetilstirol 0n metilcellosolveacetat% nivelat/ la 0n/l.imea
distan.ierului 9fi'. :L (;@ pe partea opus/ senzorului% prin eroziune chimic/ selectiv/ sau prin eroziune
cu laser% se deschide un orificiu care are at3t rol func.ional c3t 1i tehnolo'ic 9fi': L c;@ se depune
mem(rana metallic/ 9fi'.: L d;@ 0nc/lzind la apro4imativ 1*<) materialul plastic 9 suport de sacrificiu
9 este eliminat prin orificiul anterior prelucrat7 fi'. :L e.;
2.2 Aplicatie
2.2.1 Filtru
Pentru identificarea primar/ a fluidului 1i filtrarea particulelor cu dimensiuni mai mici de *< nm a
fost realizat un filtru alc/tuit :fi'. 11; din dou/ mem(rane din siliciu policristalin% cu perfora.ii
deplasate relativ 1i separate prin distan.iere din SiA2 uniform distri(uite pe suprafa./. #iametrul
perfora.iilor este de apro4imativ 1<Nm% iar distan.a dintre ele de apro4imativ 2< Nm. )ele dou/
mem(rane sunt sus.inute de un suport de siliciu monocristalin.

Fi'.11.Filtru
Structura 0n 0ntre'ime are dimensiuni de 14414 mm% iar aria filtrului este de 3< mmO. 8tilizat mai
ales 0n micro(iolo'ie el are 1i alte calit/.i5
a7structura poroas/ este foarte uniform/ 1i cu dimensiuni su(micrometrice@
(7mare rezisten./ mecanic/ datorat/ distan.ierelor din SiA2 care au 1i rol de ri'idizare a
mem(ranelor@
c7sta(il 1i inert din punct de vedere chimic% nu e sensi(il la contactul cu mediile a'resive mai ales
din domeniul (iolo'ic@
d7rezist/ la temperaturi peste 1<<<)@
e7acoperite cu unstrat metalic sau puternic dopate cu (or astfel 0nc3t s/ conduc/ curentul electric%
cele dou/ mem(rane pot constitui un condensator plan care permite identific/ri de fluide cu
concentra.ii diferite.
Tehnolo'ia de fa(rica.ie :fi'. 12; este o com(ina.ie de microprelucrare a siliciului policristalin%
tehnica stratului de sacrificiu 1i corodare anizotrop/ a siliciului monocristalin.

Fi'. 11. Succesiunea etapelor de realizare a filtrului
Fi'. 11. a5 au fost utilizate pachete de siliciu monocristalin de(itat dup/ planul:1<<;. 8n strat de
SiA2 crescut termic are 'rosimea corespunz/toare distan.ei dintre mem(rane. 8rmeaz/ un strat de poli7
Si de 'rosime 1%* Nm7 0n care va fi structurat/ mem(rana superioar/. Se depune )H# un strat de SiA2
pentru evitarea impurific/rii polisiliciului.
Fi'. 11. (5 orificiile primei mem(rane sunt confi'urate utiliz3nd fotolito'rafia 1i corodarea 0n
plasm/ reactiv/ a c/rei compozi.ie se modific/ dup/ natura stratului :poli7 Si sau SiA2;. A nou/
depunere de o4id% cu 'rosimea de ,<< nm asi'ur/ protec.ie lateral/ a stratului de poli 9Si.
Fi'.11.c5 utiliz3nd ca masc/ structura anterior creat/ se face o difuzie selectiv/ 0n monocristalul de
siliciu% cu (or% la 12<<) timp de 4 ore. Se o(.in% astfel% zonele semisferice puternic dopate cu (or care
vor rezista corod/rii anizotrope a suportului de siliciu monocristalin% d3nd forma mem(rane inferioare.
Fi'. 11.d5 la corodarea anizotrop/% 0n locul solu.iei clasice de E#P care poate penetra stratul lateral
de SiA2 afect3nd dimensiunile mem(ranei superioare% autorii recomand/ un corodant const3nd din G*
vol. P echimolar solu.ie de hidrazin/ 0n ap/ 1i 1* vol. P etilendiamin/% care nu dizolv/ straturi de SiA2
mai su(.iri de 1<< nm. #istan.ierii de SiA2 se formeaz/ prin atacul stratului intermediar cu solu.ie de
acid fluorhidric. Atacul continu/ p3n/ la realizarea trecerilor 0ntre cele dou/ mem(rane% ac.ion3nd uni7
sau (ilateral% 0n acest fel determin3du7se 1i dimensiunile apro4imative ale distan.ierelor.
2n urma atacului chimic pentru distru'erea par.ial/ a stratului de sacrificiu mem(ranele devin
hidrofo(e@ dac/ utilizarea filtrului pretinde propriet/.i hidrofile ale mem(ranelor acestea se o(.in prin
cre1terea unui strat de apro4imativ nm de SiA2 pe 0ntrea'a structur/.


3. #!"E*E%$ $I+A
Pentru o(.inerea microstructurilor metalice 1i din polimeri% dezvoltate 0n spa.iu% pe 2 1$3 a4e 1i
pe 3 a4e% cu raport mare 0ntre 0n/l.imea 1i dimensiunea lor 0n plan% a fost f/cut cunoscut% 0n anul 1LG<%
procedeul !"A. )el care a comunicat apari.ia acestui procedeu nou de lucru a fost Qolf'an' Ehrfeld%
de la )entrul de )ercet/ri Bucleare din Jarlsruhe. Prima realizare a fost o minicentrifu'/ pentru
separarea izotopilor de uraniu% din nichel% a c/rei dimensiune minim/ 0n plan era de * Nm 1i avea o
0n/l.ime de 3<< Nm.
Procedeul 1i7a '/sit numeroase aplica.ii5 zone Fresnel% elemente fluidice% lentile 1i prisme din
PMMA% microcontacte din nichel% micro(o(ine din cupru% cleme metalice 1i ro.i din.ate din nichel
formate pe un su(strat separat 1i asam(late ulterior cu ar(orii% prisme he4a'onale din nichel7 adaosuri
metalice pentru materiale compozite% duze pentru tra'erea fi(relor din materiale plastice% microtur(ine
din nichel sau cupru 9 cu fi(r/ inte'rat/ pentru m/surarea tura.iei tur(inei% micromotoare ma'netice%
mocromotoare electrostatice% m/1ti metalice pentru structurarea 0n plasm/ a suprafe.elor asferice
nanometrice.
3.1 *escrierea procedeului pentru structuri spa,iale 2 1-1* .i 3*
Procesul tehnolo'ic schematic de o(.inere a microstructurilor prin procedeul !"A rezult/ din
fi'. G.1. Spre deose(ire de procesele de microstructurare superficial/ a siliciului% pe care s7au (azat
celelalte prelucr/ri micromecanice% la aplicarea procedeului !"A% 'rosimea stratului de rezist
corespunde cu 0n/l.imea dorit/ a microstructurii% deci va fi de c3teva sute de micrometri@ su(stratul se
prefer/ a fi metalic% iar dac/ este un dielectric sau semiconductor 9 el va fi acoperit 0nainte cu un strat
metalic su(.ire care s/7i confere propriet/.i conductive@ rezistul utilizat este PMMA:denumirea
comercial/5 PE&!"AS;@ masca prin intermediul c/reia este confi'urat stratul de rezist este de o
construc.ie special/% astfel 0nc3t s/ ai(/ calit/.i a(sor(ante sau transparente pentru radia.ia utilizat/@
radia.ia & sincrotronic/ folosit/% de lun'ime de und/ <%1....2 nm are calitatea de a fi foarte puternic/ 9
pentru a putea ac.iona pe 0ntrea'a 'rosime foarte mare a rezistului% are o diver'en./ foarte mic/
apreciat/ la apro4imativ * mrad :practice% radia.ia este paralel/; 1i aceasta permite o(.inerea pere.ilor
verticali de mare 0n/l.ime :de altfel7 lito'rafia cu radia.ie sincrotronic/ poart/ 1i numele de >lito'rafie
ad3nc/?;.
Konele e4puse radia.iei & vor deveni u1or solu(ile 0n developant% deci PMMA lucreaz/ ca rezist
pozitiv.
Etapele de e4punere 1i developare :fi'. 12.a; reprezint/ faza de !TA"-AF!E.
8tiliz3nd depunerea 'alvanic/ rezult/ un profil ne'ativ al formei o(.inute din rezist@ se poate depune
cupru% nichel% aur sau orice alt metal@ depunerea este selectiv/ 1i se face pe su(stratul conductiv
neacoperit de confi'ura.ia de rezist. #ac/ 'rosimea stratului metalic depus este inferioar/ 'rosimii
stratului de PMMA% dup/ 0ndep/rtarea rezistului se o(.ine microstructura metalic/ unicat. #ac/
depunerea 'alvanic/ continu/ p3n/ la acoperirea complet/ a modelului de PMMA% se o(.ine o form/ cu
'oluri reprezent3nd ne'ativul modelului. -i'iditatea formei depinde de 'rosimea stratului metalic care
acoper/ modelul. Aceasta este etapa de "AHAB!KA-E.
Fi'.12.Procedeul !"A) a7pentrustructuri0n spa.iu 2 R #@ (7 pentru structure 0n spa.iu 3#% cu
0nclinarea fasciculului de electroni@ c7 pentru structure 0n spa.iu 3 d% cu du(l/ 0nclinare a fasciculului de
electroni@ d 9 pentru structure 0n spa.iu 3#% cu 0nclinare 1i rotirea fasciculului de electroni 0n +urul a4ei
perpendiculare pe su(strat@ e7 pentru structure 0n spa.iu 3#% cu e4punerea succesiv/ prin m/1ti de
confi'ura.ii diferite.
Prin aplicarea unei pl/ci de in+ectare prin re.eaua c/reia se poate in+ecta material plastic% se pot
o(.ine rapid 1i ieftin numeroase copii din polimeri@ este faza de MA#EA-E$ T8-BA-E$
!BSE)TA-E.
Poate urma o a doua "AHAB!KA-E care va copia9 0n ne'ativ 9 profilul structurilor din polimeri%
fi4ate la placa de in+ectare. Placa metalic/ de turnare% acoperit/ 0n preala(il cu un strat de separare% va
servi drept electrod% iar depunerea 'alvanic/ va reprezenta copia independent/ metalic/.
Forma din polimeri poate constitui modelul pentru presarea pul(erilor ceramice@ se o(.in astfel piese
unicat a c/ror desprindere de pe model se va face prin distru'erea acestuia.
Pentru o(.inerea microstructurilor 3# e4ist/ mai multe variante :fi'. G.1 (% c% d% e; care se deose(esc
0ntre ele prin etapa de e4punere. -adia.ia & poate fi 0nclinat/ cu un'hiuri diferite fa./ de suprafa.a
rezistului% poate fi rotit/ sau e4punerea se poate face secven.ial 9 0n fiecare secven./ folosindu7se c3te o
masc/ cu confi'ura.ii diferite.

3.2 Masca pentru radia,ie sincrotronic
Masca pentru radia.ie & sincrotronic/ are trei componente distincte5
a7 un support cu c3t mai maretransparen./ la radia.ia &@
(7 unmaterial a(sor(ant pentru asi'urarea contrastului@
c7 o ram/ care s/ asi'ure ri'iditatea mecanic/ necesar/ pozi.ion/rii% centr/rii 1i schim(/rii automate
a m/1tii.
)a material suport se utilizeaz/ siliciul 1i titanul. "rosimile de mem(ran/ care asi'ur/ transparen./
de L<P a radia.iei sincrotronice cu lun'imea de und/ T 6 <%*3 nm sunt urm/toarele5 (eriliu 9 1L Nm%
nitrur/ de (or 9 ,%M Nm% titan 9 <%4* Nm.
)a material a(sor(ant se recomand/ aur% Uolfram sau tantal.)apacitatea a(sor(ant/ este apreciat/
prin raportul 0ntre densitatea de putere a radia.iei rezultat/ la trecerea prin zona transparent/ 1i prin
zona opac/@ acesta tre(uie s/ dep/.easc/ valoarea 1<<< pentru ca masca s/ fie considerat/ a avea
contrast suficient. "rosimile uzuale sunt de apro4imativ 1M Nm7 pentru aur 1i apro4imativ 1G Nm7
pentru Uolfram.
Structura a(sor(ant/ poate fi o(.inut/ prin procedee su(stractive sau aditive:lift7off;.
Principalele etape ale tehnolo'iei de realizare a m/1tii pentru procedeul !"A sunt5
a7 o(.inerea suportului@
(7 structurarea stratului de resist pentru masca intermediar/@
c7 depunerea 'alvanic/ a structurii a(sor(ante@
d7 copierea m/1tii intermediare pe masca de lucru.
-ama% care sus.ine suportul structurii a(sor(ante sau mem(rana transparent/ la raze &% poate
confec.ionat/ din !BHA- :alia+ cu 1GP )o% 2GP Bi% *4P Fe;1i este format/ odat/ cu suportul% printr7o
succesiune de opera.ii cunoscut/: prelucrarea mecanic/ a semifa(ricatului masiv din !BHA- p3n/ la
o(.inerea unei ru'ozit/.i -a 6 <%2* Nm% aplicarea stratului 9suport% corodare par.ial/ a 'rosimii ramei
pentru a men.ine un perete de apro4imativ 1 mm cu rol de ri'idizare% structurarea stratului de rezist%
depunerea 'alvanic/ selectiv/ a structurii cu rol de ri'idizare% structurarea stratului de rezist% depunerea
'alvanic/ selectiv/ a structurii a(sor(ante% 0ndep/rtarea rezistului% corodarea complet/ a peretului
!BHA-.
Fi'. 13 arat/ etapele de realizare a mem(ranei suport din titan% prin >transfer?. 8n strat de
car(on de sla(/ aderen./ la placheta de siliciu este depus selectiv prin procedeul )H#% astfel 0nc3t
mar'inea plachetei s/ r/m3n/ li(er/ :a;@ prin pulverizare catodic/ se depune un strat de 273 Nm
'rosime% din titan 9 materialul suportului m/1tii% av3nd o (un/ aderen./ la mar'inea plachetei de siliciu
:(;@ placheta este lipit/ cu un adeziv pe ram/ :c;@ printr7o u1oar/ 0ndoire a plachetei de siliciu se asi'ur/
desprinderea mem(ranei :d;@ prin corodare uscat/ 0n plasm/ de o4i'en se 0nl/tur/ stratul intermediar de
car(on :e;.



Fi'.13.Etapele realizarii prin transfer a mem(ranei9suport de titan
-ealizarea m/1tii intermediare, care are ca suport al structurii a(sor(ante o mem(ran/ de siliciu% este
prezentat/ schematic 0n fi'.14.Pentru confi'urarea structurii a(sor(ante se folose1te lito'rafia cu
fascicul de electroni.


Fi'. 14. Etapele realiz/rii m/1tii intermediare5
a7lito'rafie electronica@ (7 corodare anizotrop/ 0n plasm/ reactiv/@ c7 depunere 'alvanic/@ d 9
0ndep/rtarea rezistului.
Fi'. 14 a5 suportul este o plachet/ de siliciu corodat/ par.ial 0n zona viitoarei mem(rane p3n/ la o
'rosime de apro4imativ 2 Nm. "rosimea stratului de rezist de (az/ nu dep/1e1te 'rosimea uzual/ la
lito'rafia optic/ sau la lito'rafia electronic/ apro4imativ 1*<< nm.Stratul metalic intermediar are rolul
de a fi purt/torul profilului structurii de rezist de (az/ 0n care se va depune 'alvanic a(sor(antul
radia.iei sincrotronice@ acesta poate fi% de e4emplu nichel% 1i va fi depus autocatalitic. Pentru
confi'urarea stratului de electronorezist 9PMMA se utilizeaz/ e4punerea prin (aleiere cu fascicul de
electroni.
Se o(.ine 9fi'. 14 (7 o masc/ de PMMA care va contri(ui la confi'urarea stratului metalic
intermediar% prin corodare anizotrop/ 0n plasm/ reactiv/ )FF3.
Fi'. 14 c5 structura a(sor(ant/ din aur se depune 'alvanic 0ntr7o 'rosime de apro4imativ 1 Nm.
Fi'. 14 d5 prin dizolvarea modelului de rezist se 0ndep/rteaz/ 1i stratul intermediar metalic% iar ceea
ce se o(.ine este masca intermediar/ necesar/ lito'rafiei cu raze &.
A structur/ asem/n/toare m/1tii intermediare are 1i masca de lucru% cu sin'ura deose(ire c/ structura
a(sor(ant/ :din aur7 de e4emplu; are o 0n/l.ime mult mai mare: 1<V1<Nm;.
Succesiunea principalelor etape :fi'. 1*; arat/ modul de transpunere a profilului m/1tii intermediare 0n
stratul 'ros de PMMA prin radia.ie sincrotronic/. Mem(rana m/1tii de lucru poate fi o(.inut/ prin
transfer.


Fi'. 1*. Etapele realiz/rii m/1tii de lucru din aur5
a7 lito'rafie cu radia.ie & sincrotronic/@ (7 depunere 'alvanic/ 1i 0ndep/rtarea modelului din rezist
Structura stratului 'ros de PMMA se face printr7o succesiune de e4puneri 1i develop/ri repetate.
"rosimea ma4im/ ce poate fi structurat/ la o e4punere este de 1<<Nm.
Aplicarea unui strat uniform 1i de 'rosime mare p3n/ la 1 mm de rezist :PMMA; se face prin turnarea
1i uniformizarea prin laminare a unui monomer urmat/ de polimerizarea acestuia la temperatur/ 0nalt/%
sau la temperatura camerei7 dac/ i se adau'/ un ini.iator de polimerizare@ 0n urma polimeriz/rii MMA
trece 0n PMMA.
3.3 *epunerea galvanic pentru o/,inerea microstructurilor
Stratul 'ros de PMMA depus 1i developat poate constitui el 0nsu1i o microstructur/ din polimer.
Pentru o(.inerea microstructurilor metalice este necesar/ depunerea 'alvanic/% folosind ca electrod
suportul metalic al m/1tii@ dar % depunerea 'alvanic/ este necesar/ 1i la o(.inerea unor forme metalice
ri'ide pentru in+ectarea 0n serie a microstructurilor din polimeri 9 0n acest caz placa metalic/ a
instala.iei de in+ectat fiind utilizat/ ca electrod.
#ificult/.ile ridicate de micro'alvanizare sunt urm/toarele5
a7 aderen./ insuficient/ care ar putea duce la desprinderea microstructurilor@
(7 depunerile metalice de la (aza structurii de PMMA sunt favorizate de sla(a ei aderen./
1i de microasperit/.ile de la mar'inea de contact cu suportul 1i modific/ dimensiunile 1i
profilul microstructurii metalice de o(.inut@
'- tensiunile interne din interiorul stratului depus 'alvanic duc la deformarea
microstructurii. Principalii factori care influen.eaz/ apari.ia tensiunilor interne sunt5
densitatea de curent% 'rosimea stratulu idepus 1i temperatura. Temperatura optim/ este
de *<7 ,<).
d7 ipsa de uniformitate a stratului depus poate fi evitat/ sau numai redus/ prin aplicarea
unor m/1ti profilate de corec.ie din material dielectric :care uniformizeaz/ densitatea de
curent pe suprafa.a piesei; 1i prin introducerea 0n compozi.ia (/ii de depunere a unui
a'ent de planarizare@
e7 raportulfoarte mare 0ntre 0n/l.imea 1i l/.imea microstructurii face ca depunerile metalice
0n canalele foarte 0n'uste s/ nu fie uniforme@ de aceeacompozi.ia (/ii de
micro'alvanizare tre(uie s/ asi'ure >udarea? uniform/ a 0ntre'ii structuri.
f7 #e'a+area hidro'enului 0n timpul depunerii favorizeaz/ formarea structurilor poroase
sau chiar structuri incomplete.
Metalul din care se realizeaz/ cel mai adesea microstructurile prin procedeul !"A este nichelul.
A compozi.ie tipic/ a unei (/i de sulfamat de nichel pentru micro'alvaniz/ri con.ine5 32M '$l anhidrid/
de sulfamat de nichel@ M, '$l
(+

7 ioni@ 4< '$l acid (oric@ 2 ml$l a'ent de umectare.

Parametrii tehnolo'ici ai depunerii5
7 pF7 solu.ie5 4%<
7 temperatura5 *2)
7 densitatea de curent5 172 A$dmO
Se asi'ur/ astfel o rat/ de depunere de 12712< Nm$or/.
-u'ozitatea stratului depus depinde de ru'ozitatea suportului de depunere. Pentru straturi cu 0n/l.imea
mai mare de 1<< Nm ru'ozitatea are valori su( 1 Nm.
#uritatea stratului depus scade cu cre1terea densit/.ii de curent 1i este cuprins/ 0ntre 3*<7 2<< unit/.i
HicIers :la o 0nc/rcare de 1<< ';.
3.4 elula de microgalvanizare
)elula de micro'alvanizare:fi'. G.*; tre(uie s/ asi'ure depunerea metalului 0n cele mai 0n'uste
ad3ncituri@ de aceea anodul va fi format din (ile de nichel de polarizate introduse dintr7un co1@ catodul
va fi rotit continuu% ia relectrolitul7 continuu filtrat. #iafra'ma folose1te pentru uniformizarea densit/.ii
de curent. Se mai poate depune% prin micro'alvanizare5 aur :m/1ti necesare procedeului !"A;% cupru
:micro(o(ine;% alia+e nichel7 co(alt% alia+e fier7 nichel :micromotoare electroma'netice; etc.

Fi'. 1,.)elul/ de microdepunere 'alvanic/
Microstructura metalic/ astfel o(.inut/ poate fi utilizat/ ca atare :de e4emplu5 amplificatoarele
fluidice; sau poate constitui forma 0n care va fi in+ectat sau presat polimerul unor viitoare
microstructuri dintr7un asemenea material.
a realizarea formei de presare sau in+ectare cu ri'iditate sporit/% se va proceda a1a cum rezult/ din
fi'. 1M.
Pe o plac/ de (az/% care ulterior va fi sacrificat/% este realizat/ microstructura din rezist
:PMMA; prin lito'rafie ad3nc/ cu radia.ie & sincrotronic/ :fi'. 1M.a;.
8tiliz3nd placa de (az/ drept electrod se o(.ine ne'ativul metalic din nichel al microstructurii din rezist
:fi'. 1M. (;.
Prelucrarea mecanic/ final/ tre(uie s/ mic1oreze a(aterile de planitate ale pl/cii de ri'idizare
:fi'. 1M c;.
-u'ozitatea 1i a(aterile de planitate ale p/r.ii posterioare a formei ar putea afecta dimensiunile 1i forma
microstructurii din material plastic@ aceastapentruc/% la contactul cu placa de o.el a ma1inii de in+ectare
:fi'. 1M cW;% forma se poate deforma.

Fi'. 1M.A(.inerea formei ri'ide de in+ectare pentru microstructuri din polimeri
E4ist/ de asemenea 1i posi(ilitatea netezirii suprafe.ei depuse de nichel prin ad/u'area 0n (aia de
depunere a unui a'ent de netezire care este un produs de natura or'anic.
-u'ozit/.ile o(.inute pe suprafa.a posterioar/ a formei la depunerea de nichel% f/r/ sau cu prelucrarea
mecanic/ ulterioar/% rezult/ din ta(elul G.1
Procedeu -ma4 :Nm; -a :Nm;
#epunere din (aie f/r/ a'ent
de netezire
1<...1* 1.4...3%L
ustruire cu a(raziv% aplicat/
dup/ 'alvanizare
1%1...2%M <%<M...<%1G
epuire% aplicat/ dup/
'alvanizare
2%<...2%, <%1L...<%24
-ectificare% aplicat/ dup/
'alvanizare
2...4 <%14...<%2
-ectificare X lustruire% dup/
'alvanizare
1%3...2%< <%11...<%13
#epunere din (aie cu a'ent de
netezire
<%M...1%2 <%<M...<%14
Placa de (az/ este 0ndep/rtat/ prin prelucrare mecanic/% pentru a eli(era microstructura din rezist :fi'.
1M d ;. 2ndep/rtarea pl/cii se poate face 1i f/r/ a o sacrifica% dac/ 0naintea procesului de lito'rafiere se
aplic/ pe placa de (az/ un strat care s/ reduc/ aderen./ la suprafa.a sa 1i care va fi 0ndep/rtat 0n faza d
prin dizolvare selectiv/ 9 dup/ tehnica >Straturilor de sacrificiu?.
Microstructura din rezist este 0ndep/rtat/ prin dizolvare sau corodare uscat/ :fi'. 1M e;.
3.0 Microin1ectarea
Polimerii utiliza.i pentru o(.inerea microstructurilor pot fi@
7 termori'izi :Poliuretan 9 8P;@
7 termoplastici :Policlorur/ de vinil 9 PH)% Acrilonitril7 (utadienstiren 9 ACS%
Polimetilmetacrilat 9 PMMA;.
Parametrii tehnolo'ici caracteristici procesului de formare a microstructurilor din polimeri
rezult/ din ta(elul G.2
#arametrul te(nologic #olimeri
&ermorigizi &ermoplastici
Temperatura de formare :); 4< 2<<
Temperatura formei :); M< 2*
Presiunea de formare :(ar; 1<...1<< 1<<
For.a de 0nchidere a formei :t$mO; *< 3<<<
!nstala.iile de in+ectare sau presare folosite pentru etapa de formare a microstructurilor din
polimeri nu se deose(esc de cele clasice% ci numai ciclul de lucru este adaptat raportului foarte mare
0ntre ad3ncimea structurii 9h% 1i dimensiunea sa minim/ transversal/ 9dmin.
Temperatura formei este mai mare comparativ cu procesele o(isnuite de in+ectare si este
mentinuta tot timpul formarii la o valoare de apro4imativ M< 'rade celsius inferioara temperaturii de
topire a polimerului
)iclul de functionare al masinii de in+ectat cu melc tre(uie sa asi'ure umplerea completa
a celor mai comlicate forme.
3.2. Aplica,ie a procedeului $I+A
Pentru o(.inerea matri.elor de multiplicare a discurilor de picI7 up 1i a discurilor cu citire optic/
:fi'. 1G; se porne1te de la un model diferit% dar este urmat/ aceea1i succesiune de etape.
a discurile de picI7up modelul :fi'. 1G a; este format 0ntr7un strat de lac pe (az/ de
nitroceluloz/ 0n care o mic/ spatul/ 0nc/lzit/ transform/ semnalul de pe(and/ 0ntr7o vi(ra.ie
materializat/ printr7o urm/ 0n spiral/% cu pasul de 100 Nm 1i ad3ncimi de 2* Nm.

Fi'. 1G. A(.inerea matri.elor pentru audio7 discuri
a discurile cu citire optic/ modelul :fi'. 1G (; este format dintr7un suport de sticl/ polisat/%
acoperit cu un strat de lac fotosensi(il. !nforma.ia este 0nre'istrat/ su( forma unor adncituri de
l/.ime <%4 Nm% lun'ime <%*... 2 Nm 1i ad3ncime corespunz/toare 'rosimii de lac fotosensi(il 9 <%12
Nm :sauproeminen.e 9 func.ie de tipul de disc;% dispuse dup/ o spiral/ cu pasul de 1%, Nm.
2nre'istrarea se face cu un laser de ar'on cu T 6 4*G nm% al c3rui spot cu dimensiuni de 4<<
nm este focalizat pe suprafa.a lacului fotosensi(il.
erin,e ale stratului metalic Metale
Al Ag Au 'i u r
)oeficient de refle4ie mare X X X 7 X 7
Sta(ilitate la contactul cu aerul 7 X X X 7 X
Sta(ilitate 0n (aia de nichelare 7 X X X X X
Propriet/.i de strat separator 7 X 7 X X X
Selectivitate la coroziune X X 7 7 7
)onducti(ilitate electric/ X X X Y X Y
acul fotosensi(il este pozitiv% deci prin e4punere devine solu(il 0n developant@ aceasta a fost etapa
de lito'rafie 9 utiliz3nd e4punere cu fascicul laser.
Modelul este acoperit cu un strat conductor :fi'. 1G c;% care 9 la discurile cu citire optic/ 9 tre(uie s/
ai(/ un 'rad de refle4ie sporit% pentru ca ori'inalul s/ poat/ fi citit.
2n principiu% pot fi utilizate diverse materiale metalice% care s/ r/spund/ la mai multe cerin.e impuse
de procesul tehnolo'ic. Ta(elul de mai sus l/mure1te de ce este ales ar'intul ca material de placare.
#epunerea stratului de ar'int se poate face prin evaporare termic/ 0n vid% pulverizare catodic/ sau
reducere chimic/ din solu.ie5 pentru discurile o(i1nuite se folose1te ultima metod/@ pentru discurile cu
citire optic/ se recomand/ evaporarea% deoarece prin depunere chimic/ rezult/ o suprafa./ mai ru'oas/.
Etapele reprezentate 0n fi'. G.L d ...' sunt de 'alvanizare% iar ca form/ de lucru% deci ca matri./ pentru
o(.inerea corpului discului sau 9 altfel spus7 suportul informa.iei. Profilul formei poate fi copiat prin
polimarizarea unui lac fotosensi(il la radia.ia 8H :h1;% prin in+ectarea unu ipolimer termoplastic :h2;%
prin presarea unui polimer termori'id :h3;.
Bi!i"#r$%i&
T&)n"!"#i$ S*ru'*uri!"r Mi'r"+&'$ni'&: E,i*ur$ T&)ni'$ Bu'ur&s*i -.//50
Autori5 7 coordonator5#r.!n'.Simona Antonescu
7 Prof.dr.in'. "eor'eta !onascu
7 !n'. Adina Pircala(oiu