Sunteți pe pagina 1din 6

1

PARAMETRII S N APLICAII DE NALT


FRECVEN

Gabriela CIUPRINA, Aurel Sorin LUP, Alina TOMESCU
Universitatea Politehnica din Bucureti, Spl. Independenei 313, 060042, Bucureti;
gabriela.ciuprina@upb.ro, sorin@lmn.pub.ro, tomescu.alina@yahoo.com
Abstract. Parametrii S sunt mrimi complexe, dependente de frecven, asociate unui sistem
multiport. Exist ns o multitudine de posibiliti de introducere a lor, ceea ce face ca
interpretarea lor fizic i nelegerea semnificaiei lor s fie adesea greoaie. Aceast lucrare
prezint un studiu critic al modurilor de definire a parametrilor S, comentnd semnificaia lor
pentru dispozitive pasive n care apare sau nu propagarea cmpului electromagnetic.
1 Introducere
Parametrii S (de mprtiere, sau de repartiie) sunt mrimi complexe, dependente de frecven,
asociate unui sistem multiport. Iniial, au fost folosii n teoria liniilor electrice, pentru
definirea lor fiind utilizate undele de tensiune incidente, reflectate sau transmise. Mai general,
ei pot fi definii in sisteme cu microunde ce pot fi abordate n termeni de circuit. Exist ns o
multitudine de posibiliti de introducere a lor [1,2,3] ceea ce face ca interpretarea lor fizic i
nelegerea semnificaiei lor s fie adesea greoaie.
Parametrii S nu au un corespondent n teoria circuitelor electrice, pentru c acestea nu conin
elemente de circuit n care s existe propagare ca n ghidurile de und. i totui, n teoria
circuitelor s-au extins raionamente similare celor fcute pentru circuitele de microunde,
introducndu-se conceptul de "unde de putere", terminologie provenit din semnificaia lor care
are legatur cu dependena dintre puterea activ absorbit de o sarcin conectat la un port i
frecvena de lucru [4]. Exist formule de conversie ntre parametrii S i parametrii clasici ai
teoriei circuitelor (impedana, admitana, etc), dar literatura trebuie privit cu atentie cci din
cauza nelegerii greite a semnificaiei, unele formule sunt inutile (de exemplu cele din [5],
articol criticat de [6]). nelegerea parametrilor S este deosebit de important pentru aplicaii de
nalt frecven ce includ componente active i pasive din circuitele integrate [7], inclusiv
sisteme microelectromecanice (MEMS), precum i sisteme de transfer "fr fir" (wireless) de
putere [8].
Aceast lucrare prezinta un studiu critic al modurilor de definire a parametrilor S, comentnd
semnificaia lor pentru dou exemple. Primul exemplu este un sistem pasiv ce presupune
propagare de unde electromagnetice (interconexiuni simple sau combinate cu microcomutatoare
de RF), iar al doilea exemplu este un circuit tipic pentru transfer wireless de putere.
2 Prezentarea clasic: unde i pseudo-unde
Abordarea n termeni de circuit a unui sistem de microunde poate fi fcut dac se definesc
terminelele unui astfel de sistem, precum i tensiunea i curentul acestor terminale. Aceste
mrimi se pot defini n mod natural pentru sisteme cu microunde care funcioneaz ntr-un mod
transversal electromagnetic (TEM), pentru orice alt mod de propagare definirea fiind
convenional [3].
In Fig. 1 este reprezentat un sistem cu 2 porturi. n partea stng sunt reprezentate sensurile de
referin ale tensiunii i curentului asociate terminalelor, parametrii de circuit ca matricea
impedanei Z, sau matricea admitanei Y fiind asociai acestei reprezentri. n partea dreapt
sunt sugerate undele incidente i undele reflectate asociate porturilor, parametrii S (matricea S)
fiind asociai acestei reprezentri.
2

Fig.1. Mrimi asociate unui sistem diport: (stnga) tensiuni, cureni, matrice de impedan Z; (dreapta)
unde direct/incidente, inverse/reflectate, matricea parametrilor S

Pentru un sistem multiport cu microunde se definete o impedan caracteristic asociat
modului de propagare corespunztor fiecrui port Z
0k
. n general, impedana caracteristic este
real [3], ea corespunznd unei situaii de propagare fr distorsiuni. Tensiunea i curentul unui
port se exprim ca fiind combinaii liniare ale undelor direct (incident) notat cu indice + i
invers (reflectat), notat cu indice ntr-un mod similar ca n cazul liniei:

) k=1,2 (1)
Parametrii S fac legtura ntre undele transmise sau reflectate de tensiune (cele cu indicele ,
care ies din sistem) i undele incidente de tensiune (cele cu indicele +, care intr n sistem). De
fapt nu se lucreaz direct cu mrimile U
k+
si U
k
ci cu valori asociate ale lor, notate cu a
k
i b
k
i
definite astfel:

(2)
de unde

(3)
Dac impedanele caracteristice sunt egale i pur reale, atunci se poate vorbi de impedana
caracteristic a multiportului, notat Z
0
, iar puterea activ transferat sistemului prin terminalul
k se exprima ca

(4)
unde a
k
= |a
k
| si b
k
= |b
k
|, deci puterea activ transmis pe la borna k este diferena dintre puterea
medie injectat prin unda incident i puterea medie extras prin unda reflectat. Parametrii S
(matricea de repartiie/mprtiere) sunt definii de relaia dintre undele reflectate i undele
incidente pentru toate cele n terminale:
(5)
unde a este vectorul coloan al mrimilor a
k
care reprezint unde normate incidente asociate
celor n porturi, b este vectorul coloan al marimilor b
k
care reprezint unde normate reflectate,
iar S este o matrice patrat de dimensiune n. Semnificaia fiecrui parametru este imediat. S
ii

reprezint un coeficient de reflexie la terminalul i, fiind raportul dintre unda de tensiune
reflectat la terminalul i i unda incident la acelai terminal, cnd toate celelalte terminale sunt
adaptate. S
ij
reprezint un coeficient de transmisie de la terminalul j la terminalul i, fiind
raportul dintre unda de tensiune transmis la terminalul i si unda incident la terminalul j cnd
toate celelalte terminale sunt adaptate.
n [1] parametrii S sunt introdui forat. Se pornete de la formulele (2) dar n care apare o
aceeai mrime Z
0
, numit impedan de referin, pentru toate porturile.
n [4] se face o prezentare asemntoare, dei formulele nu sunt chiar identice cu cele de mai
sus. Tot aici se introduce i o alt abordare, menit a realiza o punte cu definirea unor parametri
S pentru circuitele de curent alternativ. n loc de o impedan caracteristic se folosete o
impedan de referin Z
ref
, cu restricia ca partea ei real s fie strict pozitiv i se definesc
pseudo-unde care nu mai au semnificaie fizic, sunt numai artificii matematice, dar care au
proprieti convenabile. Ele sunt echivalente cu undele din prezentarea clasic atunci cnd
impedana de referin este egal cu impedana caracteristic a modului de propagare. Dei
pseudo-undele depind de impedana de referin, tensiunea i curentul nu depind de valoarea
3
impedanei de referin, dei aceasta apare explicit n expresiile lor. Se definesc similar psedo-
parametri S. Faptul ca pseudo-undele sunt aceleai cu undele normate definite n mod clasic
dac impedana de referin este egal cu impedana caracteristic, ar face acest alegere una
natural. Ea nu este ntotdeauna cea mai convenabil. Dac impedana caracteristic variaz
mult cu frecvena (aa cum este cazul sistemelor cu pierderi), acesta reprezint un inconvenient
n interpretarea msuratorilor (conform [4]).
3 Unde de putere
Parametrii S nu au un corespondent n teoria circuitelor electrice, pentru c acestea nu conin
elemente de circuit n care s existe propagare ca n ghidurile de und. Este lipsit de sens s
vorbeti despre impedana caracteristic a unui circuit electric multiport. i totui, n teoria
circuitelor s-au extins raionamente similare celor fcute pentru circuitele de microunde. Se
folosete o impedan de referin arbitrar. Se definesc prin analogie mrimi care sunt numite
unde, ns corect ar fi s li se pun prefixul pseudo [4]. O afirmaie similar se face pentru
parametrii S. Pseudo-undele si pseudo-parametrii S sunt mrimi compatibile cu ambele teorii.
Pentru un port al unui circuit, se folosete un numar complex asociat portului, notat

, iar
pseudo-undele se definesc ca fiind (Youla, 1961, conf. [4])

)
(

)
(

) (6)
Impedana

este arbitrar, singura restricie fiind ca ea s aib partea real strict pozitiv.
Dac este egal cu impedana de sarcin conectat la acel port, atunci a
k
si b
k
se numesc unde
de putere. Cand

este pur real, undele de putere se reduc la pseudounde cu

. Undele
de putere satisfac relaia (4) pentru orice

. Pseudo-undele satisfac (4) doar dac

este real.
4 Conversii S-Z; Proprieti
n [1] se demonstreaz uor formulele de conversie de la S la Z i de la Z la S, presupunnd
ns c toate porturile au asociate o aceeai impedan de referin Z
0
:
(

)(

( )

( )

(7)
unde I este matricea unitate. Este interesant c n [5] se prezint tabele de conversii ntre
parametri pentru impedane complexe ale sursei i sarcinii, iar din reacia [6] rezult c toate
aceste formule bazate pe unde de putere sunt inutile.
Utilizarea matricei S poate fi folosit i la circuitele active. In general, dispozitivele active au
caracteristici neliniare, dar pentru semnale foarte mici, n vecinatatea unui punct static de
funcionare precizat, caracteristicile lor pot fi liniarizate [2]. In aceste condiii, rspunsul la
semnale mici ale dispozitivelor active poate fi descris prin matricea S care, n acest caz, depinde
de punctul static de funcionare. Se pot demonstra urmatoarele proprieti ale matricei S [2]:
Dac multiportul este reciproc, atunci matricea S este simetric. Acest lucru se ntmpl
pentru dispozitivele alctuite din materiale liniare i izotrope (cazul elementelor uzuale de
circuit: rezistoare, bobine, condensatoare, bobine cuplate, interconexiuni).
Dac multiportul este pasiv, atunci modulele componentelor matricei S sunt subunitare.
Dac multiportul este pasiv i fr pierderi (nedisipativ), atunci S este unitar, adic

.
n acest caz, suma ptratelor modulelor parametrilor S pe orice linie sau coloan este egal cu
unitatea, condiie ce reflect conservarea puterii n dispozitivul considerat; de asemenea,
produsul scalar dintre orice linie a matricei S cu alt linie conjugat este zero, ceea ce
evideniaz existena anumitor relaii ntre fazele parametrilor S.
Pentru dispozitivele active, matricea S este nesimetric, iar parametrii S pot avea modulul
supraunitar.
4
5 Exemple
n acest paragraf sunt prezentate dou exemple pentru care este util nelegerea semnificaiei
parametrilor S. Rezultatele au fost obinute folosind funcii ale programului ROMWorkbench,
dezvoltat iniial de autori in [7].
Primul exemplu, a crui schem echivalent este prezentat n Fig. 2 ilustreaz folosirea unui
microcomutator de radio-frecven (RF) plasat transversal fa de o interconexiune.
Comutatorul este presupus a fi de tip capacitiv

, modificarea admitanei sale


echivalente fcndu-se prin modificarea distanei (capacitii) dintre armturile sale, o
capacitate mic neperturbnd trecerea semnalului de la poarta 1 la poarta 2, iar o capacitate
mare blocnd trecerea semnalului pe linie (Fig. 3)

Fig. 2 Schema echivalent a unui microcomutator capacitiv conectat transversal fa de o
interconexiune.

Fig. 3 Tensiunea pe linie n cazul n care semnalul trece (n stnga, capacitatea comutatorului este mare),
respectiv n cazul n care semnalul este blocat (n dreapta, capacitate este mica).

Parametrul S
11
n starea n care semnalul de RF trece reprezint pierderi datorate reflexiei
semnalului transmis, cauzate de neadaptarea sarcinii la linie (Fig. 4).

Fig. 4. Modulul parametrului S11 (stnga), respectiv valoarea lui in decibeli (dreapta) pentru cele dou
stri stabile: semnal trece ("C-up") i semnal blocat ("C-down"). Pierderi prin reflexie = S
11
n starea n
care semnalul trece (curba verde).

5
Parametrul S
21
n starea n care semnalul de RF trece sunt pierderi rezitive pe linie, inclusiv
datorate efectul pelicular, iar n starea n care semnalul este blocat acelai parametru S
21
reflect
izolarea ntre portul de intrare i cel de ieire (Fig. 5).

Fig. 5. Modulul parametrului S
21
(stnga), respectiv valoarea lui in decibeli (dreapta) pentru cele dou
stri stabile: semnal trece ("C-up") i semnal blocat ("C-down"). Pierderi prin inserie = S
21
n starea n
care semnalul trece (curba verde). Izolarea = S
21
n starea n care semnalul este blocat (curba mov)

Datorit ordinelor de mrime diferite, pierderile prin inserie se reprezint separat de izolare
(Fig. 6 - n care ordinele de mrime obinute sunt tipice pentru un microcomutator de tip
capacitiv). n multe lucrri se omite a se mai pune semnul negativ la mrimile exprimate n
decibeli, dei acest lucru poate genera confuzii.

Fig.6. Exemplul tipic de raportare a rezultatelor msurate/simulate pentru microcomutatoarele de radio-
frecven: pierderi prin inserie (stnga), izolare (dreapta).
Pentru un microcomutator se doresc pierderi prin inserie ct mai mici (n modul ct mai apropiate
de 1, deci n dB ct mai aproape de 0 dB) i izolare ct mai mare (n modul ct mai aproape de 0,
deci n dB ct mai mare n valoare absolut). Un microcomutator ideal are pierderi prin inserie de
0 dB izolare infinit (valori mici i mari se refer la valorile n dB, luate cu semnul +).

Un al doilea exemplu este unul n care nu au loc fenomene de propagare. Schema de circuit
echivalent este prezentat n Fig. 7 i reprezint cel mai simplu model pentru ceea ce n limba
englez se numete cam pretenios "wireless electricity". De fapt, principiul este acela al
transferului maxim de putere, aplicat unui circuit de curent alternativ, n care exist un sistem de
bobine cuplate. Dac se urmarete dependena puterii active absorbite de sarcina R n funcie de
frecvena sursei care alimenteaz circuitul primar (curba albastr n Fig. 7) , atunci se observ c
aceasta este n legatur cu modulul la ptrat al parametrului S
21
, considerat a fi randamentul
transferului de putere pentru un astfel de dispozitiv.
6


Fig.7 Model de circuit pentru "wireless electricity" (stnga). Puterea consumat de sarcina R (curba
albastr) i modulul la ptrat al parametrului S21 L = 15.1e-6 H; C = 1.2e-10 F; C1 = C2 = C; M = L/10;
R = 1; E = 10; Rs = 0; L1 = L/2; L2 = L; R1 = R2 = 5 (dreapta)
6 Concluzii
Semnificaia parametrilor S depinde de tipul de dispozitiv pentru care sunt calculai sau
msurai, dispozitiv n care pot exista fenomene de propagare a cmpului electromagnetic, sau
nu. n cazul n care exist fenomene de propagare, semnificaia parametrilor S este legat de
reflexia cmpului electromagnetic la un port sau de propagarea cmpului de la un port la altul.
n cazul n care nu exist propagare, atunci semnificaia lor este legat de dependena puterii
active absorbit de o sarcin n funcie de frecvena de lucru, folosindu-se n mod forat
termenul de unde de putere. Parametrii S sunt importani pentru aplicaiile de nalt frecven
deoarece ei sunt cei care se pot msura la astfel de frecvene, ntruct nu necesit ndeplinirea
unor condiii de gol sau de scurt-circuit ca n cazul msurrii impedanelor sau admitanelor,
condiii ce sunt dificil de ndeplinit la frecvene nalte.

Mulumiri Rezultatele prezentate n acest articol au fost obtinute cu sprijinul Ministerului Muncii, Familiei i
Proteciei Sociale prin Programul Operaional Sectorial Dezvoltarea Resurselor Umane 2007-2013, contract nr.
POSDRU/89/1.5/S/62557 i prin programul Parteneriate n domenii prioritare PN-II-PT-PCCA-2011-3, derulat
cu sprijinul ANCS, CNDI UEFISCDI, proiect nr. 5/2012.

Referine
[1] S.J. Orfanidis. Electromagnetic Waves and Antennas, 2008. Disponibil online la http://www.ece.rutgers.edu/
orfanidi/ewa/.
[2] George Lojewski. Dispozitive i circuite de microunde. Editura Tehnic, 2005.
[3] Anca Tomescu si F.M.G. Tomescu. Sisteme cu microunde. MatrixROM, 2001.
[4] R.B. Marks and D.F. Williams. A general waveguide circuit theory. Journal of Research of the National Institute
of Standards and Technology, 97(1992):533562.
[5] Dean A. Frickey. Conversions between S, Z, Y, H, ABCD, and T parameters which are valid for complex source
and load impedances. IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, 42(1994):205211.
[6] Roger B. Marks and Dylan F. Williams. Comments on conversions between S, Z, Y, H, ABCD, and T parameters
which are valid for complex source and load impedances. IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques,
43(1995):914915.
[7] D. Ioan and G. Ciuprina, Reduced Order Models of On-chip Passive Components and Interconnects, Workbench
and Test Structures, Book chapter in the book Model Order Reduction: Theory, Research Aspects and
Applications (W.H.A. Schilders, H.A. van der Vorst, J. Rommes, Eds.), in the book series Mathematics in
Industry, Springer-Verlag, Heidelberg, 13 (2008), 447-467.
[8] T. Imura, H. Okabe, Y. Hori, Basic Experimental Study on Helical Antennas of Wireless Power Transfer for
Electric Vehicles by using Magnetic Resonant Couplings, IEEE conf. on Vehicle Power and Propulsion
Conference, 2009, 936-940.

Evaluare