Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
\
|
|
|
.
|
\
|
+ = 1
'
' '
kT
qu
n
p n n p
co
C
e
L
n qD
w
p qD
A i
(
(
|
|
.
|
\
|
+
~
2
0
2
1
1
1
1
p
p
n
n
L
w
L
w
- pentru 0 =
E
i ,
|
|
.
|
\
|
= 1
kT
qu
co C
C
e i i :
- pentru 0 =
C
u , 0 =
C
i
- pentru 0 <
C
u .
0
ct i i
c C
= =
- pentru mA i
E
1 = ,
|
|
.
|
\
|
= 1 1
0
kT
qu
co C
C
e i i :
- pentru 0 <
C
u
co C
i i + = 1
0
- anularea lui
C
i se face pentru 0 >
C
u
- pentru mA i
E
2 = ,
|
|
.
|
\
|
= 1 2
0
kT
qu
co C
C
e i i (n mA):
- pentru 0 <
C
u
co C
i i + = 1
0
- anularea lui
C
i se face pentru 0 >
C
u , dar la o valoare
cu puin mai mare dect n cazul precedent;
Elemente de electronic analogic
- pentru mA i
E
3 = ,
|
|
.
|
\
|
= 1 3
0
kT
qu
co C
C
e i i (n mA):
- pentru 0 <
C
u
co C
i i + = 1
0
- anularea lui
C
i se face pentru 0 >
C
u , dar la o valoare
cu puin mai mare dect n cazul precedent;
Observaii:
- caracteristici aproape orizontale, abaterea provenind de la variaia lui
co
i i a lui
0
cu tensiunea
C
u prin intermediul lui w;
- caracteristici aproape echidistante la creteri egale ale curentului de
emitor provenind de la variaia lui
0
cu curentul de emitor (colector);
- anularea curentului de colector se face pentru tensiuni de colector
pozitive, mici i foarte apropiate ca valoare pentru diferite valori ale
curentului de emitor.
Regimuri de funcionare:
- regiunea de blocare (tiere), pentru 0 s
E
i ;
- regiunea activ normal;
- regiunea de saturaie.
Caracteristica de ieire
.
) (
ct u
C C C
E
u i i
=
=
Relaii:
co
kT
qu
co
kT
qu
n p
co E o C
i e
w
ct i e
w
p qD
A i i i
E E
+ = + = + =
0
0
.
Elemente de electronic analogic
Observaii:
- caracteristicile nu sunt echidistante;
- panta caracteristicilor este mai mare (w apare i explicit la numitor i
el scade cnd tensiunea de colector crete n modul);
- anularea curentului se face tot pentru valori pozitive ale lui
C
u .
Caracteristica de intrare
.
) (
ct u
E E E
C
u i i
=
=
Relaii:
kT
qu
n p
kT
qu
kT
qu
n p
E
E C E
e
w
p qD
A e e
w
p qD
A i ~
|
|
.
|
\
|
= (pentru RAN)
Observaii:
- caracteristica exponential;
- pentru 0 =
C
u , caracteristica trece prin origine;
- influena lui
C
u este mic, prin intermediul lui w;
Elemente de electronic analogic
Caracteristica de transfer ) (
E C C
i i i = sau ) (
E C C
u i i =
Relaii:
co E o C
i i i + =
Observaii:
- practic, paralel cu prima bisectoare;
- la cureni mari,
0
scade.
Influena temperaturii asupra caracteristicilor statice:
Observaii:
- caracteristicile se deplaseaz ctre stnga sus, PSF se apropie de
zona de saturaie.
Elemente de electronic analogic
Aproximarea caracteristicilor (model n curent continuu)
Modelul in curent continuu al unui tranzistor bipolar de tip PNP
pentru circuitul de ieire cu
0 c
i
Modelul in curent continuu al unui tranzistor bipolar de tip NPN
pentru circuitul de ieire fr
0 c
i
Observaii:
- la intrare, tranzistorul poate fi modelat n cea mai simpl form cu o
tensiune de prag,
D
V , cu valori tipice de 0,2 V pentru Ge i 0,6 V pentru Si;
curentul de emitor este stabilit de circuitul exterior;
- n colector, tranzistorul este modelat printr-un generator de curent
comandat de curentul din emitor; de cele mai multe ori se folosete
egalitatea
E C
i i ~ , care presupune c pentru factorul de curent
0
se ia
valoarea 1.
Elemente de electronic analogic
Caracteristicile statice ale TBIP n conexiunea EC
Caracteristica de ieire
.
) ' (
ct i
C C C
B
u i i
=
=
Relaii:
co E o C
i i i + =
B C E
i i i + =
Se elimin
E
i i rezult:
ceo B C
i i i + =
0
cu
0
0
0
1
=
(factorul de curent al tranzistorului n conexiune EC)
i
0
1
=
co
ceo
i
i .
Elemente de electronic analogic
Observaii:
- caracteristicile au panta mai mare deoarece
0
depinde mai puternic
de
E C c
u u u =
'
prin intermediul lui w:
p
n
n p p
n
n p
p
n
n p
L
w
L
w
L
w
L
w
L
w
L
w
+
|
|
.
|
\
|
~
(
(
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
=
2 2
2
0
0
0
2
1
1
2
1
1 1
2
1
1
1
- caracteristicile trec printr-un punct foarte apropiat de origine;
- caracteristicile nu sunt echidistante deoarece dependena de curentul
de colector a factorului de curent n conexiune EC este mai mare dect n
cazul conexiunii BC.
Caracteristica de ieire
. '
) ' (
ct u
C C C
B
u i i
=
=
Relaii:
co
kT
qu
n p
co
kT
qu
n p
co E C
i e
w
p qD
A i e
w
p qD
A i i i
B E
+ = + = + =
'
0 0 0
B C E C c
u u u u u '
'
+ = =
Elemente de electronic analogic
Caracteristica de intrare
. '
) ' ( '
ct u
B B B
C
u i i
=
=
Relaii:
( )
co E co E E C E B
i i i i i i i i = = =
0 0
1
p
n
n p
L
w
L
w
+
|
|
.
|
\
|
=
2
0
2
1
1 (puternic influenat de
C
u' )
Observaii:
- carateristicile nu trec prin origine;
- tensiunea
C
u' are o influen mic.
Caracteristica de transfer ) (
B C C
i i i = , parametru
C
u' ;
Relaii:
co B C
i i i + =
0
Elemente de electronic analogic
Observaii:
- influen mai mare a tensiunii de colector prin intermediul lui w
care determin o variaie mai puternic a lui
0
.
Aproximarea caracteristicilor statice:
Observaii:
- la intrare, tranzistorul poate fi modelat n cea mai simpl form cu o
tensiune de prag,
D
V , cu valori tipice de 0,2 V pentru Ge i 0,6 V pentru Si;
curentul de baz este stabilit de circuitul exterior;
- n colector, tranzistorul este modelat printr-un generator de curent
comandat de curentul din baz; de cele mai multe ori se folosete egalitatea
E C
i i ~ , care presupune c relaia pentru curentul de colector devine:
B C
i i
0
= prin neglijarea curentului rezidual,
co
i .