SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

2. SEMICONDUCTOARE





2.1 Purttori de sarcin n semiconductoare

2.1.1 Conductoare, izolatoare, semiconductoare

Din punctul de vedere al proprietii corpurilor solide de a fi strbtute de
curent electric sub aciunea unei tensiuni electrice continue aplicate din exterior,
acestea se mpart n trei mari categorii:
- conductoare (metalele);
- semiconductoare;
- izolatoare.
Dup cum s-a artat anterior, n metale ntlnim o structur cristalin, unde n
nodurile reelei cristaline se gsesc plasai ioni pozitivi, n timp ce printre noduri se
mic liber i haotic electroni. Apariia electronilor liberi se explic prin fora de
legtur foarte slab a electronilor de valen. Concentraia electronilor liberi este
de ordinul 10
28
m
-3
i nu depinde practic de temperatur. Rezistena electric a
metalelor este determinat de frecvena ciocnirilor electronilor liberi cu ionii
pozitivi din nodurile reelei. Ionii sunt ntr-o permanent vibraie termic n jurul
unei poziii de echilibru. Cu creterea temperaturii, amplitudinea oscilaiilor crete,
ceea ce frneaz micarea de ansamblu a electronilor liberi sub aciunea unui cmp
electric exterior. Aa se explic creterea rezistenei (rezistivitii) metalelor cu
temperatura.
Din punct de vedere al conductivitii ( = 1/), metalele nregistreaz valori
foarte mari,
m
[10
6
, 10
8
]
-1
m
-1
. Exist i o categorie de materiale, numite
izolatoare, pentru care conductivitatea este extrem de mic,
i
[10
-12
,10
-20
]
-1
m
-1
.
Electronii de valen ai atomilor acestor materiale sunt foarte puternic legai de
atomi. Izolatoarele nu conduc curentul electric deoarece n interiorul lor, practic, nu
exist purttori liberi de sarcin electric. Aceste materiale, cum ar fi mica,
materiale plastice, sticla, ceramica, marmura, hrtia, cauciucul etc. sunt foarte
folosite n electrotehnic n general pentru a realiza diferite izolaii electrice.
24
2. SEMICONDUCTOARE

25
ntre metale i izolatoare, din punct de vedere al conductivitii, se plaseaz
semiconductoarele, pentru care
s
[10
4
, 10
-8
]
-1
m
-1
. Spre deosebire de metale, la
semiconductoare, conductivitatea crete puternic cu temperatura (absolut), aa
cum se indic n fig. 2.1.
La temperaturi foarte coborte,
semiconductoarele sunt izolatoare, iar la
temperaturi ridicate sunt conductoare
destul de bune. n categoria
semiconductoarelor intr o mare
varietate de substane: oxizi, compui,
elemente chimice ca siliciul, germaniul,
seleniul, etc. n dispozitivele electronice
semiconductoare, cele mai utilizate
materiale sunt cristalele elementelor
tetravalente Ge i Si i a unor compui
intermetalici, ndeosebi GaAs (arseniur
de galiu).

n cazul semiconductoarelor,
electronii de valen sunt legai de atom
mai slab dect la materialele izolatoare. Aceste legturi pot fi rupte dac electronii
primesc o energie suficient devenind astfel electroni liberi. Pentru trecerea
electronilor din stadiul de electroni legai de atom n starea de electroni liberi,
trebuie transmis o energie minim W, numit energie de activare. Pentru
semiconductoare, energia de activare se plaseaz n domeniul 0,025 3 eV.
Fiecare material semiconductor n parte este caracterizat de o anumit valoare a
energiei de activare. Astfel, pentru Ge avem W = 0,72 eV, pentru Si, W = 1,1
eV, etc. Folosind acelai criteriu, al energiei de activare, putem constata c la
metale, W = 0, iar la izolatori, W = 3 10 eV. Energia de activare la metale
fiind nul, la orice temperatur numrul electronilor liberi este acelai. n cazul
izolatoarelor, energia de activare fiind foarte mare, prin nclzire, practic nu apar
purttori liberi.
T
Fig. 2.1 Variaia cu temperatura a
conductivitii semiconductoarelor
Datorit valorilor mici, energia de activare poate fi transmis electronilor de
valen din materialele semiconductoare de energia de agitaie termic a ionilor
reelei cristaline. Spre deosebire de metale, cu creterea temperaturii n
semiconductoare crete numrul electronilor liberi. De exemplu, la Si pur,
concentraia electronilor liberi crete de la 10
17
m
-3
(la temperatura camerei) pn la
10
24
m
-3
, la temperatura de 700 C (legea 3/2).


SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

26

2.1.2 Purttori de sarcin n semiconductoare. Semiconductoare
intrinseci

La semiconductoare este caracteristic faptul c la conducie particip pe lng
electronii liberi (de conducie) i electronii de valen, rmai legai de atomii din
reeaua cristalin. Pentru nelegerea acestui tip de conducie analizm comportarea
electronilor dintr-un cristal de germaniu. Atomul de germaniu are patru electroni de
valen. n reeaua cristalului de germaniu, fiecare atom este nconjurat echidistant
de patru atomi. Fiecare electron de valen al unui atom formeaz o pereche cu un
electron de valen din atomul vecin. Electronii devin comuni ambilor atomi. Acest
tip de legtur, caracterizat prin punerea n comun a electronilor de valen ntre
atomii vecini, se numete legtur covalent. n fig. 2.2 a se reprezint modelul
spaial al legturilor unui atom de germaniu din reeaua cristalin, iar n fig. 2.2 b
modelul plan (simplificat) al legturilor covalente dintre atomii de germaniu.

+
+
+
+ +










a
b

Fig. 2.2 a) Modelul spaial al legturilor unui atom dintr-un cristal
de ge niu rmaniu pur; b) Legturile covalente ale cristalului de germa
pur (reprezentare simplificat n plan a modelului spaial)


Starea legturilor din fig. 2.2 corespunde temperaturilor foarte sczute, cnd
cristalul se comport ca un izolator aproape perfect. La temperaturi mai nalte,
datorit caracterului fluctuant al energiei de agitaie termic, o parte din electronii
din legturile covalente pot deveni electroni liberi, primind o energie (cel puin)
egal cu energia de activare. Electronii eliberai din atomii neutri las n locurile pe
care le prsesc ''goluri'', adic legturi covalente nesatisfcute. Sub aciunea unui
cmp electric exterior, electronii din unele legturi covalente ale atomilor vecini
2. SEMICONDUCTOARE
27

pot ''umple'' aceste ''goluri''. Ca urmare, n atomii de unde au plecat rmn alte
''goluri''. Dup apariia unui ''gol'', un electron dintr-un atom vecin l umple, lsnd
n urma lui alt gol. Prin urmare, are loc o deplasare a electronului legat (de valen)
ntr-un sens i a golului n sens contrar. n acest fel, golurile se comport ca nite
particule fictive, cu sarcin pozitiv +e i mas m
p
, care se deplaseaz prin cristal
i contribuie, alturi de electronii liberi, la conducia electric.
Micarea electronilor liberi, eliberai din legturile covalente, se poate
reprezenta printr-o micare clasic, supus legilor mecanicii newtoniene, sub
aciunea forelor externe (cmpuri electrice exterioare), a unei particule fictive,
numit electron de conducie. Acesta are sarcina electric -e i o mas m
n
. n m
n
se
include efectul cmpului electric periodic, datorat ionilor reelei cristaline,
electronul fiind supus doar forelor externe, macroscopice.
In concluzie, n semiconductoare particip la conducie dou tipuri de purttori
de sarcin mobil: electronii (negativi) i golurile (pozitive).
ntr-un semiconductor pur, la echilibru termic, purttorii mobili apar numai
prin generarea termic a perechilor electron-gol. n acest fel, vor rezulta tot atia
electroni de conducie cte goluri.
Semiconductorul n care concentraia de electroni este egal cu cea de goluri se
numete semiconductor intrinsec, iar concentraia respectiv n
i
, concentraia
intrinsec:

n
0
= p
0
= n
i
(2.1)

unde n
0
i p
0
reprezint concentraiile de electroni, respectiv de goluri, n
semiconductorul pur, la echilibru termic. Pentru o temperatur dat, n
0
i p
0
sunt
mrimi constante care depind de natura semiconductorului pur respectiv.


2.2 Semiconductoare cu impuriti. Conductivitatea electric a unui
semiconductor cu impuriti

2.2.1 Semiconductoare cu impuriti

Tipul conduciei electrice intr-un semiconductor poate fi determinat i de
prezena i de natura atomilor strini (impuriti) n reeaua sa cristalin. Procesul
(tehnologic) de impurificare a unui semiconductor se numete dopare (sau
dotare). Nivelele normale de dopare sunt foarte mici, de ordinul un atom de
impuritate la 10
4
10
7
atomi de semiconductor din cristal.

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

28
n reeaua cristalin se pot introduce dou tipuri de impuriti:
a) dac n cristalul de germaniu se introduc atomi pentavaleni (de exemplu,
arseniu), numai 4 din cei 5 electroni de valen se leag covalent cu atomii vecini
de germaniu, iar cel de-al cincilea se
desprinde de atomul de impuritate i
devine electron liber (fig. 2.3). Pentru ca
el s devin electron de conducie, este
suficient o energie n jur de 0,01 eV, la
Ge, respectiv 0,05 eV, la Si, capabil s-l
desprind de atom. La temperatura
camerei, practic toi aceti ai 5-lea
electroni devin electroni de conducie.
Electronul cedat nu las ns o legtur
nesatisfcut; atomul de arseniu (As)
devine ion pozitiv (devenind purttor de
sarcin imobil). Impuritile pentavalente
creeaz deci, n reeaua cristalin a
germaniului un singur fel de purttori
mobili de sarcin: electroni. Impuritile
care permit astfel de cedri de electroni
liberi se numesc donori, iar
semiconductorul cu atomi de impuritate donori se numete semiconductor extrinsec
de tip n (negativ).
As
Ge
Ge
Ge Ge
electron
liber
Fig. 2.3 Legturile covalente n
cristalul de germaniu, n care un atom
de germaniu a fost nlocuit cu un atom
de impuritate pentavalent (arseniu)
n semiconductorul extrinsec de tip n, n
n0
reprezint concentraia total de
electroni liberi la echilibru termic, provenii att de la atomii de impuritate, ct i
datorit agitaiei termice a reelei, care genereaz perechi electron-gol. n acest caz,
n
n0
>>p
0
i semiconductorul are conductivitatea electric mult mai mare dect
conductivitatea aceluiai semiconductor n stare pur. Deoarece conducia n acest
caz se face n principal cu electroni, ea se numete conducie de tip n. n
semiconductorul de tip n, electronii sunt purttori majoritari, iar golurile sunt
purttori minoritari. De exemplu, la 20 C, pentru Ge pur conductivitatea are
valoarea = 2,2
-1
m
-1
, iar Ge de tip n are = 10
2

-1
m
-1
. Conductivitatea
semiconductorului este cu att mai mare cu ct concentraia purttorilor de sarcin
liberi este mai mare.
b) n cristalul de germaniu se pot introduce impuriti formate din atomi
trivaleni (indiu, galiu, bor, aluminiu). i n acest caz atomii de impuritate vor
ocupa n reea locul unor atomi de germaniu, avnd ns fiecare cte o legtur
covalent nesatisfcut. Atomul trivalent de bor - de exemplu, are lips un electron
2. SEMICONDUCTOARE
29

de legtur (fig. 2.4). Atomul de bor poate accepta un electron provenind de la o
legtur Ge - Ge a unui atom vecin.
Apare un gol care tinde s se
completeze prin atragerea unui
electron de valen de la un alt
atom de germaniu vecin. Astfel,
n reeaua semiconductorului se
formeaz un numr de goluri
egal cu numrul atomilor de
impuritate. Atomii de impuritate
devin ioni negativi (fici) i
poart denumirea de acceptori.
Purttorii de sarcin mobili
majoritari sunt n acest caz
golurile iar purttorii mobili de
sarcin minoritari sunt electronii
liberi provenii din generarea de
perechi electron-gol, pe seama
fluctuaiei energiei de agitaie termic a reelei. Deci, n
p0
>> n
0
i avem conducie
de tip p.
B
Ge
Ge
Ge Ge gol
electron mprumutat
de la atom de Ge vecin
Fig. 2.4 Formarea golurilor n cristalul de
germaniu extrinsec dotat cu atomi de bor


2.2.2 Conductibilitatea semiconductoarelor i structura benzilor
energetice

Conform teoriei cuantice, att n stratul de valen ct i n cel de conducie,
electronii sunt caracterizai de valori cuantificate (discontinue) ale energiei.
Nivelele energetice (posibile) ale electronilor de valen se grupeaz n banda de
valen, iar a electronilor liberi n banda de conducie. Cele dou benzi sunt
separate de banda interzis. Se cunoate c pentru semiconductorul intrinsec, pur
din punct de vedere chimic, la o anumit energie primit din exterior, un numr de
electroni din stratul de valen prsesc atomii respectivi, devenind electroni liberi
ce particip la procese de conducie. Aportul energetic exterior necesar este egal cu
nlimea W a benzii interzise.
n fig. 2.5 se prezint structura benzilor energetice n cazul unui semiconductor
intrinsec.
Atunci cnd un electron de valen primete energie din exterior, el poate rupe
legtura covalent, devenind electron liber. Prin acest proces apare i golul, care

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

30
particip la conducie ca purttor de sarcin pozitiv. Ca urmare, electronul liber
este un purttor al crui nivel energetic corespunde benzii de conducie, pe cnd
golul este un purttor pozitiv, al crui nivel energetic corespunde benzii de valen.
Cnd un electron prsete
atomul, devenind electron
liber, spunem c se genereaz
o pereche electron - gol. ntr-
un semiconductor intrinsec are
loc un proces continuu de
generare a perechilor electron
- gol, a crui intensitate
depinde de energia primit de
semiconductor, din exterior.
Simultan, are loc i un proces
invers, de recombinare
electron - gol, rezultnd atomi
neutri.
Un semiconductor asupra
cruia nu acioneaz ageni
exteriori cum ar fi: cmp
electromagnetic, radiaii cu particule sau electromagnetice, se spune c se afl la
echilibru termic. n acest caz, concentraiile de electroni i goluri generai prin
mecanism intrinsec, depind de temperatura absolut:
W
W
Banda de
valen
Banda de
conducie
Banda
interzis
Fig. 2.5 Structura benzilor energetice la
un semiconductor intrinsec

= =
kT
W
T A p n
i i
2
exp
2 / 3
(2.2)

unde n
i
, p
i
sunt concentraiile de electroni i goluri n semiconductorul intrinsec, T
- temperatura absolut, k - constanta lui Boltzmann, W - limea benzii interzise,
A - constant, i - indice care arat c procesul se refer la semiconductor intrinsec.
Dac n semiconductor apare un cmp electric, electronii se vor mica n sens
invers cmpului, iar golurile n sensul liniilor de cmp. Se formeaz un curent de
electroni i
ni
, respectiv de goluri i
pi
, ambii n acelai sens (al liniilor de cmp).
Curentul total de conducie prin semiconductor este egal cu suma celor doi cureni.
Componentele curentului de conducie nu sunt egale (i
ni
> i
pi
), deoarece
mobilitile celor dou tipuri de purttori nu sunt egale.
2. SEMICONDUCTOARE

Analiza folosind structura de
benzi se aplic i la
semiconductoarele extrinseci. n
cazul semiconductoarelor dopate
cu impuriti pentavalente
(donoare), impuritile introduc
un nivel energetic n banda
interzis a semiconductorului,
numit nivel donor, situat foarte
aproape de banda de conducie,
ca n fig. 2.6.
Cum valoarea W
d
este
foarte mic (0,01 0,05) eV la
temperaturile ambiante
obinuite, practic toi atomii
donori furnizeaz cte un
electron liber, electronii
devenind astfel purttori
majoritari.
F
W
W
d
Banda de
valen
Banda de
conducie
Nivel
donor
ig. 2.6 Structura benzilor energetice la un
semiconductor extrinsec cu impuriti donoare
n cazul semiconductorului
dopat cu impuriti trivalente,
acestea introduc n banda
interzis un nivel acceptor,
foarte aproape de banda de
valen, ca n fig. 2.7. Ca
urmare, la temperatura ambiant,
practic toi atomii acceptori
capteaz cte un electron, care a
primit o energie W
a
<< W
d
,
formndu-se un numr de goluri
egal cu numrul de atomi
acceptori. Deci, golurile devin n
acest caz purttori majoritari, iar
electronii devin purttori
minoritari.
W
W
a
Banda de
valen
Banda de
conducie
Nivel
acceptor
Fig. 2.7 Structura benzilor energetice la un
semiconductor extrinsec cu impuriti acceptoare

31

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE


a p n
x
b
x
x
c
x
d
x
e x
f
-
+
U
0
V

E
i
N
d
p
p
n
n
N
a
x
2.3 Jonciunea p n

2.3.1 Procese fizice n jonciunea p-n

Dac ntr-un semiconductor se realizeaz,
prin procedee speciale, o zon p i o zon n,
astfel ca trecerea de la o zon la cealalt s se
fac pe o distan foarte mic (de regul, sub
10
-5
mm), se obine o jonciune p - n (fig. 2.8).
Notnd cu N
a
concentraia atomilor
acceptori i cu N
d
concentraia atomilor
donori, n fig. 2.8 b se prezint distribuia
concentraiei impuritilor, n cazul ideal, cnd
trecerea de la regiunea p la regiunea n se face
brusc (jonciune abrupt). De obicei,
concentraiile impuritilor n cele dou zone
nu sunt egale (N
a
> N
d
), jonciunea numindu-
se n acest caz asimetric.
Procesele fizice care au loc n jonciunea p
- n au o importan deosebit n funcionarea
celor mai multe dispozitive semiconductoare.
n cel mai simplu caz, jonciunea p - n poate fi
utilizat la realizarea diodelor
semiconductoare.
32
n vecintatea suprafeei de separaie a
zonelor p i n exist o variaie puternic a
concentraiei purttorilor majoritari.
Diferenele de concentraii ale golurilor i
electronilor determin difuzia purttorilor
majoritari dintr-o zon n alta: golurile tind s
difuzeze din zona n iar electronii n zona p.
Datorit procesului de difuzie, ct i datorit
recombinrii purttorilor majoritari cu cei
difuzai, n vecintatea suprafeei de separaie
are loc o micorare substanial a concentraiei
purttorilor majoritari (fig. 2.8 c). n
consecin, sarcina ionilor imobili ai
Fig. 2.8 Jonciunea p-n. a) structura
jonciunii; b) distribuia concentraiei
de impuriti; c) distribuia concentra-
iei purttorilor majoritari; d) distribu-
ia sarcinii spaiale; e) distribuia
intensitii cmpului electric intern al
regiunii de trecere; f) distribuia
potenialului
2. SEMICONDUCTOARE

33
impuritilor rmne necompensat de sarcina purttorilor majoritari, conducnd la
apariia n vecintatea suprafeei de separaie, a unei sarcini spaiale fixat n
reeaua cristalin. Sarcina spaial este format din ioni negativi de impuriti
acceptoare, n zona p i de ioni pozitivi de impuriti donoare, n regiunea n (fig.
2.8 d). Regiunea n care apare sarcina spaial, din vecintatea suprafeei de
separare se numete regiune de trecere. Celelalte zone, fr sarcin spaial, se
numesc regiuni neutre.
Sarcina spaial produce un cmp electric intern al regiunii de trecere, care se
opune difuziei purttorilor majoritari (fig. 2.8 e). Prezena cmpului electric duce la
apariia unui potenial, a crui distribuie este precizat n fig. 2.8 f. Se constat
apariia unei bariere de potenial n regiunea de trecere care se va opune difuziei
purttorilor majoritari. in acest caz va exista totui un curent de difuzie i
d
= i
pM
+
i
nM
, unde i
pM
i i
nM
sunt componentele curenilor de goluri, respectiv de electroni,
produi de acei purttori majoritari care au o energie suficient de mare pentru a
nvinge bariera de potenial U
0
din regiunea de trecere. Cum bariera de potenial
este mare, curentul de difuzie i
d
este foarte mic.
Cmpul intern al jonciunii antreneaz dintr-o zon n alta purttorii minoritari,
formnd un curent de conducie, i
c
= i
pm
+ i
nm
, unde i
pm
i i
nm
sunt componentele
curenilor de goluri, respectiv de electroni (purttori minoritari). n regimul de
echilibru termic al unei jonciuni nepolarizate, curentul de difuzie i
d
este egal i de
sens contrar cu curentul de conducie i
c
, astfel nct curentul rezultant prin
jonciune este nul (fig. 2.9 a).














Fig. 2.9 Polarizarea jonciunii p n; a) jonciunea p n nepolarizat; b)
jonciunea p n polarizat direct; c) jonciunea p n polarizat invers
i
pM
i
nM
i
pm
i
nm
n p
a
V
U
0
+ - u
a

i
pM
i
nM
i
pm
i
nm
n p
u
a
>0
u
a
V
U
0
b
- + u
a

i
pM
i
nM
i
pm
i
nm
n p
U
0
u
a
<0
u
a V
c
Presupunem c jonciunea p-n este prevzut cu dou contacte laterale metalice
(fig. 2.9), care permit conectarea dispozitivului n circuit. Cu toate c exist o

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

34
diferen de potenial ntre zonele p i n, reprezentnd bariera de potenial U
0
,
tensiunea la bornele dispozitivului, n gol, este egal cu zero. Aceasta se explic
prin existena n circuit a dou contacte metal - semiconductor, care produc
poteniale de contact, astfel nct tensiunea rezultant ntre terminale este egal cu
zero.
Dac se aplic la bornele jonciunii p-n o tensiune u
a
cu polaritatea din fig. 2.9
b, cmpul electric exterior diminueaz intensitatea cmpului electric din regiunea
de trecere i ca urmare bariera de potenial scade de la valoarea U
0
la valoarea U
0
-
u
a
. Curentul de difuzie crete i poate atinge valori foarte mari, n timp ce curentul
de conducie se modific puin. Curentul prin jonciune este egal cu curentul de
difuzie, format din purttorii majoritari, reprezentnd curentul direct al jonciunii.
Aplicnd o tensiune u
a
< 0, adic cu polaritatea plus pe borna n, cmpul electric
din regiunea de trecere este ntrit de cmpul electric aplicat din exterior. Bariera
de potenial crete de la U
0
la U
0
+ u
a
. Curentul de difuzie scade practic la zero.
Prin jonciune va circula curentul de purttori minoritari (de conducie) i
c
. Ca
valoare, acest curent este foarte mic i
reprezint curentul invers al jonciunii p-n.
b
a
x
c x
d
V
U
0
L
n
-L
p

E
m
+
-
E
p n
x
Pentru stabilirea unor proprieti ale
regiunii de trecere, eseniale pentru
nelegerea funcionrii dispozitivelor
semiconductoare, se folosete un model
simplificat al jonciunii, obinut n ipoteza c
densitile de sarcin spaial, din regiunea
de trecere, sunt constante n cele dou zone
(fig. 2.10).
n fig. 2.10 s-a notat cu L
n
limea
regiunii de trecere n zona n i cu L
p
limea
regiunii de trecere n zona p.
Se poate deduce lrgimea regiunii de
trecere a jonciunii, conform relaiei:

+ = = =
d a
n p
N N e
U
L L L
1 1 2
0

(2.3)
Fig. 2.10 Model simplificat al jonciu-
nii p-n. a) structura jonciunii;
b) distribuia sarcinii spaiale;
c) distribuia intensitii cmpului
electric; d) distribuia potenialului

unde:
- permitivitatea materialului;
e - sarcina electric elementar;
2. SEMICONDUCTOARE

35
U
0
- bariera de potenial;
N
a
, N
d
- concentraiile de impuriti acceptoare, respectiv donoare.
n cazul n care jonciunii i se aplic o tensiune u
a
, limea regiunii de trecere
devine:


( )

= = =
d a
a
n p
N N e
u U
L L L
1 1 2
0 0

(2.4)

Pe baza acestui model se pot deduce urmtoarele proprieti importante ale
regiunii de trecere:
- regiunea de trecere se comport ca un dielectric datorit concentraiei sczute a
purttorilor;
- extinderea regiunii de trecere n zonele p i n este invers proporional cu
concentraia impuritilor n zonele respective;
- lrgimea regiunii de trecere crete odat cu tensiunea invers aplicat
jonciunii.


2.3.2 Caracteristica static a jonciunii p-n. Punctul static de funcionare

Fie o jonciune p-n utilizat ca diod semiconductoare (fig. 2.11). Electrodul cu
potenial pozitiv n timpul conduciei se numete anod, iar cellalt electrod se
numete catod.











Caracteristica static a diodei semiconductoare reprezint dependena
curentului prin diod, numit curent anodic de tensiunea dintre anod i catod,
numit tensiune anodic.
Fig. 2.12 Caracteristica static a
diodei semiconductoare
10
20
30
0,3
0,2
u
a
[V]
0,8 0,4
0,1
1,2
i
a
[A]
U
str
i
a
[mA]
200 100
b
a
A C
p n
Fig. 2.11 Dioda semiconductoare
a) structur; b) simbolizare

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

36
n fig. 2.12 se prezint caracteristica static a diodei semiconductoare, pentru
care s-au adoptat scri diferite pe semiaxe. n cadranul I se prezint caracteristica
direct, unde tensiunea anodic are valori foarte mici (0,2, , 0,5V) la Ge i (0,6,
, 0,9V) la Si, iar curentul poate avea valori mari. n cadranul III se reprezint
ramura de polarizare invers, n care tensiunile aplicate diodei pot avea valori mari,
dar curentul prin diod este practic constant i foarte mic. Caracteristica teoretic a
unei diode este de forma:

= 1 exp
kT
eu
I i
a
S a
(2.5)
unde:
u
a
- tensiunea aplicat la borne;
e - sarcina electric elementar;
k - constanta lui Boltzmann;
T - temperatura absolut;
I
S
- curent de saturaie, dependent de concentraiile purttorilor minoritari.
Factorul
e
kT
e
T
= se exprim dimensional n voli i se numete tensiune
termic (e
T
= 26 mV la T = 300 K). Pentru tensiuni inverse mari (fa de e
T
),

T k
U e
a
exp << 1 i i
a
I
S
. La polarizri directe, dac U
a
> e
T
i

T k
U e
a
exp >> 1,
se obine ecuaia:

kT
eu
I i
a
S a
exp (2.6)

La tensiuni inverse mari se constat o cretere important a curentului invers
prin diod, datorat multiplicrii n avalan a purttorilor de sarcin. Sub aciunea
cmpului electric rezultat prin aplicarea tensiunii la borne, purttorii de sarcin sunt
accelerai, putnd produce ionizri, respectiv generri de perechi electron - gol,
datorit ciocnirilor neelastice. Purttorii rezultai sunt la rndul lor accelerai i pot
genera noi perechi electron - gol prin alte ciocniri neelastice.
Temperatura jonciunii p-n influeneaz substanial curentul prin diod, n
sensul creterii, att la conducia direct, dar n special la polarizarea invers (fig.
2.13).
2. SEMICONDUCTOARE

Se consider un circuit electric
format dintr-o diod nseriat cu o
rezisten R i cu o surs de t.e.m E
(fig. 2.14). Dndu-se valorile E i R i
caracteristica static a diodei i
a
= i
a

(u
a
), se cere s se determine curentul
prin diod i tensiunea la borne.
Pentru rezolvarea problemei, se
utilizeaz caracteristica static a diodei
i relaia obinut prin aplicarea legii a
II-a a lui Kirchhoff pe circuitul
considerat.
37

i
a
= i
a
(u
a
)

Ri
a
+ u
a
= E
Fig. 2.13 Influena temperaturii asupra
caracteristicii statice a diodei
semiconductoare
200
i
a
[A]
U
str
[A]
100
u
a
[V]
0,8 1,2 0,4
0,1
0,2
0,3
30
20
10
20 C
40 C
30 C
tg = R
E

i
a
R
i
a0
M
u
a0
u
a
i
a
D
+

E
R
u
a
i
a











a b

Fig. 2.14 Dioda semiconductoare n circuit. a) circuitul de alimentare;
b) determinarea punctului static de funcionare

Soluia sistemului constituie curentul prin diod i tensiunea la bornele sale.
Cum relaia i
a
= i
a
(u
a
) este dat sub form grafic, soluia sistemului se obine pe
cale grafic (metoda grafo - analitic). Reprezentarea celei de-a doua ecuaii din
sistem n planul i
a
- u
a
poart denumirea de dreapt static de sarcin. Intersecia
dreptei statice de sarcin cu caracteristica diodei se numete punct static de
funcionare. Coordonatele acestui punct (i
a
,, u
a0
) reprezint soluia problemei.


SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

38

2.3.3 Comportarea jonciunii p-n n regim variabil, la semnal mic

Fie o diod semiconductoare funcionnd ntr-un punct static de funcionare M,
de coordonate u
a0
, i
a0
(fig. 2.15). Dac tensiunea anodic are variaii de joas
frecven n jurul valorii u
a0
(mici n comparaie cu tensiunea termic e
T
), de forma:

i
a0
u
a
i
a

tg = i
a
/u
a

= 1/R
u
a0
M
u
a
i
a
) ( ) (
0
t u u t u
a a a
+ = ,

curentul prin diod este:

) ( ) (
0
t i i t i
a a a
+ =

Variaia i
a
(t) este determinat n
funcie de u
a
, prin intermediul pantei la
caracteristica static n punctul M, adic:
Fig. 2.15 Regimul dinamic al
jonciunii p n


0
1
a
u
a
a
i
du
di
R
= ,
a
i
a
u
R
i =
1

unde:
1
0

=
a
u
a
a
i
du
di
R

se numete rezisten intern a diodei. Folosind ecuaia diodei ideale:

= 1 exp
kT
eu
I i
a
S a
, rezult:
( )
S a S
a
S
a
S
a
a
I i
kT
e
I
kT
eu
I
kT
e
kT
eu
kT
e
I
du
di
+ =

= 1 exp exp


0
1
1 1
0 0
a S
u
a S
u
a
a
i
i I q
kT
i I e
kT
du
di
R
a a
+
=
+
=

=


2. SEMICONDUCTOARE

39

0 a S
T
i
i I
e
R
+
=

Atunci cnd variaia u
a
(t) a tensiunii la bornele diodei este de frecven
ridicat, curentul prin diod este determinat i de capacitile proprii ale jonciunii
p-n: capacitatea de barier C
b
i capacitatea de difuzie C
d
. Schema echivalent a
diodei la variaii mici, de frecven
ridicat, n jurul unui punct static
de funcionare este prezentat n
fig. 2.16. R
i
C
b
R
i
R
i
C
d C
b Capacitatea de barier
corespunde sarcinii spaiale
acumulate n regiunea de trecere i
depinde de tensiunea u
a
, conform
relaiei:
a b c
Fig. 2.16 Schema echivalent de semnal
mic a diodei semiconductoare
a) schema echivalent general; b) schema
echivalent la polarizare direct; c) schema
echivalent la polarizare invers


0
0 '
1
U
u
C
C
a
b
b

=

unde C
b0
este capacitatea de barier a jonciunii nepolarizate.
n fig. 2.17 se prezint variaia capacitii C
b
cu tensiunea aplicat.

C
b
, C
d
C
d
0
U
a
10 20
U
inv
[V]
C
b
[pF]
C
b






U
a


a b

Fig. 2.17 Variia capacitilor diodei cu tensiunea aplicat
a) capacitatea de barier; b) capacitatea de barier i
de difuzie la polarizarea direct




SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

40
Capacitatea de difuzie corespunde efectului acumulrii de sarcin datorit
procesului de difuzie a purttorilor de sarcin n regiunile neutre ale
semiconductorului. Valoarea capacitii de difuzie C
d
depinde de punctul de
funcionare a diodei, fiind extrem de mic atunci cnd jonciunea este polarizat
invers (fig. 2.17).
La polarizarea n sens direct, rezistena intern a diodei R
i
este foarte mic,
astfel c efectul capacitilor C
b
i C
d
poate fi neglijat. Schema echivalent a diodei
la semnal mic este ca n fig. 2.16 b. La polarizarea invers, rezistena R
i
este foarte
mare, deci capacitatea jonciunii, egal practic cu C
b
, are un efect de untare care
poate fi neglijat. n acest caz, schema echivalent de semnal mic a diodei rezult ca
n fig. 2.16 c.



2.4 Tipuri de diode semiconductoare

n industrie se folosesc mai multe tipuri de diode semiconductoare, dintre care
amintim: dioda redresoare, dioda de comutaie, dioda cu contact punctiform, dioda
stabilizatoare (Zener), dioda varicap, dioda tunel, fotodioda, dioda
electroluminiscent, dioda laser.
Diodele redresoare se construiesc (sau s-au construit) cu germaniu, siliciu, iar
la puteri mici, cu seleniu. Diodele de putere medie i mare au o construcie care
permite montarea lor pe radiatoare, pentru a crete suprafaa de disipare a cldurii.
Principalii parametri ai diodelor redresoare sunt: curentul mediu redresat, I
0
;
curentul direct de vrf repetitiv, I
FRM
; tensiunea invers de vrf repetitiv, U
RRM
;
temperatura maxim a jonciunii, T
j max
; rezistena termic, R
th
care determin
transferul de cldur n exterior.
La diodele cu siliciu, curentul mediu redresat poate atinge valori de sute sau
chiar mii de amperi, cu tensiuni inverse de vrf repetitive de mii de voli,
temperatura de lucru maxim a jonciunii fiind de 150 C. La diodele cu germaniu,
valorile de curent i tensiune sunt mai mici i temperatura maxim de lucru a
jonciunii este de 80 C.
Diodele redresoare se folosesc pn la frecvene de cca. 1020 kHz, deoarece
la frecvene nalte, capacitatea de barier produce un puternic efect de untare a
rezistenei inverse i proprietile de redresare sunt diminuate (sau chiar dispar).
Dioda stabilizatoare (Zener). Sunt diode cu siliciu, care utilizeaz ramura
caracteristicii curent - tensiune, corespunztoare polarizrii inverse. La o anumit
tensiune invers se produce generarea prin multiplicare n avalan i - ntr-o
2. SEMICONDUCTOARE

41
oarecare msur - prin efect Zener, a perechilor electron - gol. Efectul Zener const
din ruperea unor legturi covalente i formarea perechilor electron - gol datorit
trecerii prin efect tunel a electronilor din banda de valen n banda de conducie.
n consecin, curentul invers prin jonciune ncepe s creasc brusc, tensiunea la
bornele diodei fiind aproape constant. Diodele Zener sunt construite pentru a
funciona n mod normal pe caracteristica invers de strpungere nedistructiv.
Caracteristicile diodei Zener sunt prezentate n fig. 2.18.

a b
i
a
U
Z
I
Z
u
a
u
a
U
Z
I
Z

+
i
a









Fig. 2.18 Dioda Zener. a) cazul sensului adoptat ca la diodele redresoare;
b) cazul sensului de referin inversat

Principalii parametri ai diodei Zener sunt: puterea nominal, tensiunea
nominal de strpungere, U
Z
(pentru o valoare specific a curentului n regiunea de
strpungere, I
Z
), rezistena intern (dinamic) n poriunea de funcionare a
caracteristicii, coeficientul de variaie cu temperatura a tensiunii stabilizate:

[ ] C
T
U
U
Z
Z
Z
0
/ % 100
1

=

Puterile diodelor stabilizatoare ating zeci de W i tensiuni U
Z
cuprinse de la 2
pn la sute de voli.


2.5 Tranzistorul bipolar

2.5.1 Tranzistorul ca element comandat prin semnal

Una din funciile eseniale pe care le realizeaz tranzistorul este amplificarea
semnalelor electrice. Un amplificator are structur de diport; la bornele de intrare

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

42
se aplic un semnal, iar la bornele de ieire, un receptor numit sarcin (rezisten
sau n general impedan de sarcin) pe care se obine semnalul amplificat (fig.
2.19 a).
Considerm cazul simplu, n care amplificatorul are ca sarcin o rezisten R i
conine un singur tranzistor. Analiznd circuitul dinspre bornele de ieire 2 2
amplificatorul se poate reprezenta printr-un generator echivalent de tensiune sau de
curent G, comandat prin semnalul de intrare, notat generic prin x
1
(fig. 2.19 b).

E
i
0
+i
2
x
1
R
2
2
G


1
i
2
i
1
2
2
u
1 u
2 R
1
i
2
x
1
G
2
2
R



a b c
Fig. 2.19 Funcia de amplificare a tranzistorului. a) structura de diport a unui
amplificator; b) schema echivalent cu generator echivalent de tensiune sau
curent; c) schema echivalent cu surs de alimentare





Generatorul de semnal G reflect n esen proprietile de amplificare ale
tranzistorului, fr a specifica un aspect esenial: amplificarea n putere se
realizeaz pe seama consumului de energie de la o surs de alimentare care asigur
funcionarea normal a tranzistorului. Aceast surs este menionat n fig. 2.19 c,
ca avnd t.e.m. E. Este posibil ca sarcina s fie parcurs numai de curentul i
2

produs de semnalul de intrare, nu i de componenta continu i
0
, care asigur
funcionarea normal a tranzistorului.
Ca urmare, cel mai simplu amplificator conine: sarcina, pe care se obine
semnalul amplificat; tranzistorul, care se comport ca un generator de tensiune sau
de curent, comandat prin semnalul de intrare; elementele care asigur funcionarea
tranzistorului ntr-un regim, unde se obin proprietile de amplificare (sursa E i
alte elemente).
Exist dou categorii de tranzistoare: bipolare i unipolare.
n tranzistoarele bipolare, mecanismul conduciei este determinat att de
purttorii majoritari, ct i de purttorii minoritari din semiconductor. Semnalul x
i

prin care se comand tranzistorul bipolar ntr-un etaj de amplificare este un curent
electric iar generatorul echivalent G este un generator de curent.

2. SEMICONDUCTOARE

43

2.5.2 Structura fizic i funcionarea tranzistorului bipolar

Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive semiconductoare cu dou jonciuni
formate printr-o succesiune de 3 zone pnp sau npn (fig. 2.20). Zona din mijloc a
tranzistorului se numete baz (B) i este realizat cu urmtoarele proprieti: este
foarte ngust (de ordinul micronilor sau chiar zecimi de micron) i are o dopare cu
impuriti mult mai mic dect regiunile laterale. O zon extrem, cu cea mai mare
dopare cu impuriti se numete emitor (E). Cealalt zon extrem se numete
colector (C).

E
p n
C
B
n
E
n p
C
B
p


a b

Fig. 2.20 Tranzistorul bipolar. a) structura pnp; b) structura npn

Cele dou jonciuni ale unui tranzistor se numesc jonciunea emitorului,
respectiv jonciunea colectorului. La funcionarea n regiunea activ (n care se
manifest proprietile de amplificare ale tranzistorului), jonciunea emitorului este
polarizat n sens direct, iar jonciunea colectorului n sens invers. Pentru a urmri
procesele fizice din tranzistor studiem tranzistorul pnp. Pentru structura npn
funcionarea este similar, inversndu-se rolurile electronilor i golurilor i
sensurile tensiunilor i curenilor.
Presupunem c se alimenteaz numai jonciunea colectorului (E
E
= 0). Prin
aceast jonciune va circula n acest caz numai curentul invers, de purttori
minoritari, notat cu I
CB0
. Regiunea de trecere a jonciunii are o lrgime mare,
datorit prezenei tensiunii de polarizare invers E
C
. Ea se extinde mult n zona
bazei, deoarece aceasta este mult mai slab dopat cu impuriti dect n zona
colectorului.
Dac se consider alimentarea normal a tranzistorului (fig. 2.21), cu
jonciunea emitorului polarizat n sens direct, va exista un curent de difuzie prin
aceast jonciune: golurile din emitor difuzeaz n baz, formnd curentul i
pE
, iar
electronii din baz difuzeaz n emitor, formnd curentul i
nBE
.
Deoarece concentraia impuritilor, deci i a purttorilor majoritari, este mult
mai mare n emitor dect n baz, curentul de difuzie prin jonciunea emitorului va
fi, in cea mai mare parte, curent de goluri. Golurile injectate de emitor n baz,
formnd curentul i
pE
al jonciunii emitorului devin n baz purttori minoritari. S-a

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

44
precizat c lrgimea w a bazei este foarte mic iar regiunea de sarcin spaial a
jonciunii colectorului se extinde mult n zona n a bazei. n consecin, golurile
difuzate n baz vor fi preluate i transportate n colector de ctre cmpul intern din
regiunea de trecere a jonciunii colectorului, formnd curentul i
pEC
. Transferul
aproape integral n colector al golurilor difuzate n baz se numete efect de
tranzistor. El se produce datorit grosimii foarte reduse a bazei, precum i datorit
extinderii pronunate, n zona bazei a regiunii de trecere a jonciunii colectorului. O
mic parte din golurile injectate n baz nu trec n colector, ci se recombin cu
electronii din baz, formnd curentul i
pEB
. Sursa E
E
asigura o circulaie de electroni
care iau locul celor recombinai cu golurile n baz.












+
a
p p n
i
pEC
i
E i
B
w
B
C

E
+
E
E
E
C
i
pEB
i
pE
i
nBE I
CB0
i
C
B E
+
b
i
B
B

E
E
+
E
C
i
E
i
C
Fig. 2.21 Tranzistorul pnp a) diagrama curenilor prin tranzistor; b) simbolul
tranzistorului n circuitul de alimentare

Avnd n vedere cele artate, rezult urmtoarele relaii ale curenilor pentru
tranzistorul bipolar pnp:

i
E
= i
pE
+ i
nBE

i
C
= i
pEC
+ I
CB0


i
B
= i
pEB
+ i
nBE
- I
CB0

nsumnd i
C
cu i
B
i innd cont c:

i
pE
= i
pEC
+ i
pEB

rezult:
2. SEMICONDUCTOARE

45

i
C
+ i
B
= i
pEC
+ I
CB0
+ i
pEB
+ i
nBE
-I
CB0
= i
pE
+ i
nBE
= i
E

Raportul:


pE
pEC
N
i
i
=

se numete factor static de amplificare n curent i are valori de 0,98, , 0,998.
Neglijnd componenta i
nBE
n raport cu i
pE
deoarece concentraia purttorilor
majoritari n emitor este mult mai mare dect n baz, rezult: i
E
= i
pE
. Cu aceast
simplificare se obin ecuaiile uzuale ale curenilor prin tranzistor:

i
C
=
N
i
E
+ I
CB0

i
B
= (1-
N
) i
E
- I
CB0


n cazul tranzistorului npn (fig. 2.22), electronii majoritari din emitor difuzeaz
n zona bazei. De aici, electronii difuzai, devenii purttori minoritari, trec prin
efect de tranzistor n zona colectorului. Deci, circulaia purttorilor se face n mod
analog tranzistorului pnp, cu deosebirea c sensul curentului de electroni este
invers sensului de circulaie a electronilor. Polaritile tensiunilor aplicate
tranzistorului npn se inverseaz fa de tranzistorul pnp, ns n valori absolute,
aceste tensiuni au acelai ordin de mrime.

a
n n p
i
E i
B
w
B
C
+
E
+
E
E
E
C
I
CB0
i
pBE
i
nEC
i
nEB
i
nE
i
C
B E

b
i
B
B
+
E
E
+
E
C
i
E
i
C
Fig. 2.22 Tranzistorul npn a) diagrama curenilor prin tranzistor; b) simbolul
tranzistorului n circuitul de alimentare


SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

46
n concluzie, se pot reine urmtoarele aspecte importante privind funcionarea
tranzistorului bipolar, n regimul de lucru considerat (pentru regiunea activ de
funcionare):
- tensiunea ntre emitor i baz este mic (zecimi de volt), ntruct jonciunea
emitoare este polarizat n sens direct;
- tensiunea ntre colector i baz are o valoare mare (voli, zeci de voli sau chiar
sute de voli), deoarece jonciunea colectoare este polarizat invers, putnd
prelua tensiuni mari;
- curentul de colector este aproximativ egal cu curentul de emitor;
- ntruct curentul obinut n ''circuitul de ieire'' al tranzistorului (circuitul de
colector) este practic egal cu curentul din ''circuitul de intrare'' (circuitul baz -
emitor), iar tensiunea baz - colector este mult mai mare dect tensiunea baz -
emitor, rezult c puterea ce se poate obine n circuitul de ieire este mai mare
dect puterea n circuitul de intrare, ceea ce permite realizarea funciei de
amplificare n putere a unui semnal.


2.5.3 Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

n schemele de amplificare, precum i n alte circuite electronice, tranzistorul
este tratat ca un cuadripol activ, avnd dou borne de intrare i dou borne de
ieire. Dar tranzistorul are numai trei borne (terminale). Rezult c, pentru a fi
utilizat ntr-un anumit circuit, de exemplu de amplificare, este necesar ca o born a
tranzistorului s fie comun att circuitului de intrare ct i circuitului de ieire. n
funcie de electrodul folosit ca born comun, tranzistorul are trei conexiuni
posibile (fig. 2.23): baz comun (BC), emitor comun (EC) i colector comun
(CC).

u
EB

a
Fig. 2.23 Scheme fundamentale de conectare a tranzistorului. a) baz comun
(BC); b) emitor comun (EC); c) colector comun (CC)
u
BC

c
i
B
u
EC
+
E
B

+
E
C
i
C
i
E
u
BE

b
i
B
u
CE
+
+

E
B
E
C
i
E
i
C
i
C
i
E
i
B
u
CB
+
+

E
E
E
C










2. SEMICONDUCTOARE

47
Caracteristicile statice ale unui tranzistor exprim legturile dintre curenii prin
tranzistor i tensiunile aplicate, n regim staionar. Dependenele se pot exprima
analitic, ns cel mai frecvent se dau sub form grafic.
Principalele caracteristici ale tranzistoarelor sunt:
- familia caracteristicilor de ieire, care d dependena curentului din circuitul
de ieire n funcie de tensiunea la bornele de ieire i curentul din circuitul de
intrare (ca parametru): i
E
= f(u
E
, i
i
);
- familia caracteristicilor de intrare reprezint dependena curentului din
circuitul de intrare ca funcie de tensiunea de intrare i tensiunea de la bornele
de ieire (ca parametru): i
i
= f'(u
i
, u
E
).
Evident, caracteristicile tranzistorului depind de schema de conectare. Pentru
conexiunea baz comun (BC), cele dou caracteristici reprezint dependenele:

i
C
= f
1
(u
CB
,i
B
)

i
E
= f
2
(u
EB
,u
CB
)

Un exemplu de caracteristici n conexiune BC este dat n fig. 2.24.
















Fig. 2.24 Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar n conexiune BC.
a) caracteristici de ieire; b) caracteristici de intrare
b
u
CB
npn
-u
CB
pnp
1
2
3
4
5
i
E
= 1mA
[V]
i
E
= 2mA
i
E
= 3mA
i
E
= 4mA
i
E
= 5mA
i
C
[mA]
r
e
g
i
u
n
e
a

d
e

s
a
t
u
r
a

i
e

regiunea de blocare
a
5 10
8V npn
-8V pnp
2V npn
-2V pnp
i
E
[mA]
5
u
CB
=
0,4
u
EB
npn
-u
EB
pnp
u
CB
=
0,2
n planul caracteristicilor de ieire se pot distinge urmtoarele regiuni:
- regiunea activ direct (normal), n care jonciunea emitorului este polarizat
n sens direct, iar jonciunea colectorului este polarizat n sens invers, expresia
curentului de colector fiind dat de relaia:

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

48

i
C
=
N
i
E
+ I
CB0
(pentru i
E
> 0)

- regiunea de blocare (de tiere), n care jonciunea emitorului fie nu este
polarizat (deci i
C
= I
CB0
), fie este polarizat invers,
- regiunea de saturaie, n care ambele jonciuni sunt polarizate n sens direct,
- regiunea activ invers, n care emitorul i colectorul i inverseaz rolurile;
jonciunea colectorului are polarizare direct, iar cea a emitorului are polarizare
invers. Analog cu relaia pentru regiunea activ normal, putem scrie:

i
E
=
I
(- i
C
)+ I
EB0


n aceast relaie, sensurile de referin ale curenilor s-au considerat cele de la
regiunea activ normal, iar
I
i I
EB0
au semnificaii similare mrimilor
N
i I
CB0
.
n amplificatoarele obinuite, tranzistorul funcioneaz cel mai frecvent n
regiunea activ direct (normal) a caracteristicilor statice. Aici caracteristicile sunt
practic drepte echidistante, avnd o nclinare foarte mic fa de orizontal,
nclinare datorat creterii factorului
N
cu tensiunea de alimentare u
CB
. Efectul se
datoreaz ngustrii zonei neutre, ca urmare a lrgirii regiunii de sarcin spaial a
jonciunii colectorului la creterea tensiunii inverse u
CB
.
Intr-o serie de circuite electronice, cum sunt cele de comutaie static,
tranzistorul funcioneaz n regiunile de blocare, de saturaie i chiar cu alimentarea
inversat.
Pentru reprezentarea complet a caracteristicilor tranzistorului bipolar, se dau
uneori, ntr-o diagram cu patru cadrane, patru familii de caracteristici. Pe lng
cele dou familii deja prezentate (cele de ieire i cele de intrare) se mai dau i
dou familii pentru caracteristici de transfer:

i
C
= f
3
(i
B
, u
CB
)

u
EB
= f
4
(u
CB
,i
B
)

In circuitele electronice, cea mai utilizat schem de conexiune a tranzistorului
bipolar este EC. In aceast conexiune, familiile caracteristicilor de ieire i de
intrare reprezint dependenele:

i
C
= f (u
CE
,i
B
)

2. SEMICONDUCTOARE

49
i
B
= g (u
BE
, u
CE
)

Familia caracteristicilor de ieire este reprezentat n fig. 2.25.
Pentru a stabili dependena
curentului de ieire i
C
n funcie de
curentul de intrare i
B
, folosim
relaiile:
u
CE
npn
-u
CE
pnp
i
B
= 100A
i
B
= 60A
i
B
= 40A
i
B
= 20A
8
6
4
2
i
B
= 0
i
C
[mA]
10
10 20 5 15
i
B
= 80A

i
C
=
N
i
E
+ I
CB0


i
B
=(1 -
N
) i
E
- I
CB0


Din cea de-a doua relaie
extragem i
E
i nlocuim n prima
relaie:
[V]


N
CB B
E
I i
i

+
=
1
0

Fig. 2.25 Caracteristicile de ieire ale
unui tranzistor n conexiune EC

( )
( )
N
CB N N
B
N
N
CB CB B
N
N
C
I
i I I i i

+
+

= + +

=
1
1
1 1
0
0 0


Rezult:


N
CB
CE CE B N
N
CB
B
N
N
C
I
I I i
I
i i

= + =

=
1
;
1 1
0
0 0
0


n care
N
N
N

=
1
se numete factor de amplificare static n curent al
tranzistorului, n conexiunea EC. Cum
N
este foarte apropiat ca valoare de 1 (
N

= 0,98, , 0,998), factorul
N
este relativ mare, ntre 30 i 1000. Aa cum s-a
menionat anterior, creterea tensiunii aplicate invers n circuitul colectorului
produce o uoar cretere a factorului
N
.Aceasta provoac ns o modificare mult
mai pronunat a lui
N
. Drept consecin, caracteristicile de ieire au n regiunea
activ o nclinare relativ mare, fa de cazul conexiunii BC.

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

50
Regiunea de saturaie a caracteristicii de ieire este situat n cadranul I. In
aceast regiune, caracteristicile de ieire ale tranzistorului sunt foarte apropiate.
Pentru scri obinuite, regiunea de saturaie se reduce practic la o dreapt, cu
nclinaie apropiat de 90, numit dreapt de saturaie.
Regiunea de blocare (tiere), corespunde situaiilor de polarizare invers a
jonciunii emitor - baz. Riguros, regimul de tiere se obine pentru i
B
= - I
CB0
.
Dac se consider situaia n care emitorul i colectorul i inverseaz rolurile,
caracteristicile se extind n cadranul III (tranzistor inversat). Apare regiunea activ
invers.
Familia caracteristicilor de intrare este prezentat n fig. 2.26.
i pentru conexiunea EC se poate da o
reprezentare n patru cadrane prin
introducerea a dou familii de caracteristici
de transfer:

i
C
= f' (i
B
, u
CE
)

u
EB
= f'' (u
CE
,

i
B
)

Caracteristicile tranzistoarelor bipolare
se pot exprima i sub form analitic. Se
consider un tranzistor n conexiune BC.
Folosind ecuaia diodei ideale, se pot
deduce ecuaiile curenilor i
C
i i
E
, pentru
oricare regim de funcionare.
u
BE
npn
-u
BE
pnp
80
60
40
20
[V]
0,2 0,1 0,3
u
CE
=
1V npn
-1V pnp
5V npn
-5V pnp
u
CE
=
i
B
[A]
Fig. 2.26 Caracteristici de intrare ale
tranzistorului n conexiune EC
Notnd I
CS
i I
ES
curenii de saturaie ai jonciunilor de colector respectiv de
emitor, curenii i
C
i i
E
pot fi considerai ca rezultnd din nsumarea a cte doi
cureni, corespunztori celor dou jonciuni. Astfel, prin jonciunea colectorului
circul componentele:

1 exp
kT
u e
I
CB
CS
corespunztoare tensiunii u
CB
i

1 exp
kT
u e
I
EB
ES N
dat de jonciunea emitorului ca urmare a efectului de
tranzistor.
2. SEMICONDUCTOARE

51
n mod similar, prin jonciunea emitorului circul:

1 exp
kT
u e
I
EB
ES
, datorit tensiunii u
EB
aplicat i

1 exp
kT
u e
I
CB
CS I
, datorit efectului de tranzistor n regiunea activ
invers.
Rezult expresiile:

= 1 exp 1 exp
kT
u e
I
kT
u e
I i
BE
ES N
CB
CS C

= 1 exp 1 exp
kT
u e
I
kT
u e
I i
CB
CS I
EB
ES E


Cele dou ecuaii formeaz modelul Ebers - Moll al tranzistorului bipolar.


2.5.4 Influena temperaturii asupra caracteristicilor statice ale
tranzistorului

Concentraiile purttorilor minoritari din cele trei regiuni ale tranzistorului
bipolar depind exponenial (T
3/2
) de temperatura cristalului. Aceast particularitate
determin o influen important a temperaturilor jonciunilor asupra
caracteristicilor statice ale tranzistorului. Dintre efectele cele mai importante
menionm:
- creterea curentului de colector i
C
cu temperatura, avnd ca efect deplasarea
spre n sus a curbelor din familia caracteristicilor de ieire (fig. 2.27). O
influen deosebit o are creterea substanial cu temperatura a curentului de
purttori minoritari I
CB0
. La tranzistoarele cu Si, curentul rezidual este extrem
de mic, de ordinul nA, astfel c ponderea sa, chiar la temperaturi ridicate, este
mai mic dect la tranzistoarele cu Ge.

SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

52
- micorarea tensiunii emitor - baz (pentru i
E
= ct sau i
B
= ct), avnd ca efect
modificarea caracteristicilor de intrare, att n schema BC, ct i n EC (fig.
2.28 a, b).
- creterea coeficientului static de amplificare
N
i implicit a coeficientului
N

la majoritatea tranzistoarelor.

















2.5.4 Stabilirea punctului static de funcionare al tranzistorului

Pentru funcionarea corect a tranzistorului bipolar ntr-un etaj de amplificare,
aa cum s-a vzut la nceputul capitolului (cnd s-a discutat despre tranzistor ca
element comandat prin semnal, fig. 2.19 c), tranzistorul trebuie s fie alimentat n
serie cu rezistena de sarcin, astfel nct s fie asigurat funcionarea n regiunea
activ a caracteristicilor de ieire.
Considerm conexiunea EC, care este de fapt i cel mai des folosit n
circuitele electronice.
Asigurarea unui punct static de funcionare n regiunea activ normal a
caracteristicilor, caracterizat de curentul de baz i
B0
, curentul de colector i
C0
i
tensiunea colector - emitor u
CE0
, necesit polarizarea n sens de conducie a
jonciunii emitoare i a jonciunii colectorului n sens de blocare. Aceasta se poate
realiza cu ajutorul a dou surse E
C
i E
B
(fig. 2.29). Rezistena R
B
din circuitul
bazei se alege astfel ca pentru o rezisten de sarcin R
S
R
C
i o tensiune de
a
i
E
T
1
u
EB
T
1
>T
2
T
2
Fig. 2.28 Modificarea caracteristicilor
de intrare cu temperatura
a) n conexiunea BC;
b) n conexiunea EC
b
i
B
T
1
u
BE
T
1
>T
2
T
2
i
B
= 200A
i
B
= 150A
i
B
= 100A
i
B
= 50A
8
6
4
2
[V]
i
C
[mA]
10 20
u
CE 5 15
40C
20C
Fig. 2.27 Modificarea cu temperatura a
familiei caracteristicilor de ieire la un
tranzistor (conexiune EC)
2. SEMICONDUCTOARE
53

colector E
C
date, s se impun un punct de funcionare convenabil, n regiunea
activ admisibil a caracteristicii statice.
Schemele din fig. 2.29 au
dezavantajul c necesit dou
surse de alimentare care s
asigure funcionarea montajului,
de aceea se folosete rar.
Pentru realizarea etajului de
amplificare, se poate utiliza i o
singur surs de alimentare, prin
care se stabilete att polarizarea
jonciunii colectorului, ct i
polarizarea jonciunii emitorului.
Cea mai simpl situaie const n
alimentarea bazei de la sursa de
colector E
C
, printr-o rezisten R
B

care asigur valoarea i
B0
a curentului de baz (fig. 2.30).

a
i
B
+
E
B

+
E
C
i
C
R
C
+
b
i
B

E
B
+

E
C
i
C
R
C
R
B
R
B
Fig. 2.29 Alimentarea unui tranzistor ntr-un
etaj, folosind dou surse de alimentare.
a) tranzistor pnp; b) tranzistor npn
Presupunem c sunt date
caracteristicile de ieire ale
tranzistorului (ca n fig. 2.31)

i
C
= f (u
CE
,i
B
)

precum i mrimile E
C
, R
B
i
rezistena de sarcin (de colector).
Se pune problema determinrii
punctului static de funcionare,
definit prin mrimile i
B0
, i
C0
i
u
CE0
. n acest scop, se scrie legea a
II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de
colector i pe circuitul de
alimentare a bazei.
i
B

+
E
C
i
C R
C
R
B
u
CE
u
BE
i
B
+

E
C
i
C R
C
R
B
u
CE
u
BE
a b
Fig. 2.30 Alimentarea unui tranzistor ntr-un
etaj, folosind o singur surs de alimentare.
a) tranzistor pnp; b) tranzistor npn

E
C
= R
C
i
C
+ u
CE

E
C
= R
B
i
B
+ u
BE

Deoarece u
BE
<< E
C
, putem scrie:

SURSE

54
I CIRCUITE DE ALIMENTARE

u
CE
[V]
i
B
= 150A
i
B
= 100A
i
B
= 50A
8
6
4
2
i
C
[mA]
10 20 5 15
10
i
B
= 200A
i
B
= 0
25
i
B
= 350A
i
B
= 250A
i
B
= 300A
i
B
= 400A
u
CE0
i
C0
M
M

tg = R
C















Fig. 2.31 Stabilirea punctului static de funcionare pentru
tranzistorul alimentat de la o singur surs

E
C
R
B
i
B


Pentru deducerea punctului static de funcionare n schema din fig. 2.30, se
rezolv grafic sistemul:

i
C
= f (u
CE
,i
B
)

E
C
= R
C
i
C
+ u
CE

E
C
R
B
i
B


Din ultima ecuaie a sistemului rezult imediat:

i
B0
E
C
/ R
B


In planul caracteristicilor de ieire se face reprezentarea grafic a dreptei statice
de sarcin (ecuaia E
C
= R
C
i
C
+ u
CE
). Intersecia dreptei statice de sarcin cu
caracteristica corespunztoare curentului i
B0
, determin punctul static de
funcionare M, de coordonate u
CE0
, i
C0
.
2. SEMICONDUCTOARE
55

De asemenea, dac se d tensiunea E
C
i punctul static de funcionare, se pot
calcula rezistenele R
C
i R
B
care s asigure punctul static de funcionare dat.
S-a artat c variaia temperaturii produce modificarea caracteristicilor statice
ale tranzistoarelor. Considernd modificarea temperaturii la o valoare mai ridicat,
punctul static de funcionare se modific din M n M' (fig. 2.31). Curentul de
colector crete, iar u
CE
scade. O cerin important impus circuitului de
polarizare a tranzistorului, care nu este ndeplinit de schemele din fig. 2.30, este
asigurarea stabilitii punctului static de funcionare la variaia temperaturii.
innd seama de influena temperaturii asupra curentului rezidual I
CB0
,
tensiunii u
EB
(corespunztoare unui curent i
E
= const.) i asupra factorului
N
,
precum i de efectul acestor mrimi asupra curentului de colector exprimat de
relaia:

i
C
= i
C
(I
CB0
, U
EB
,
N
),

se obine variaia total a curentului de colector, prin diferenierea relaiei i
trecerea la diferene finite:


N
N
C
EB
EB
C
CB
CB
C
C
i
U
U
i
I
I
i
i

=
0
0


sau:


N EB U CB I C
S U S I S i

+ + =
0
, unde


0 CB
C
I
I
i
S

= ;
EB
C
U
U
i
S

= ;
N
C
i
S

=


sunt factorii de sensibilitate ai curentului de colector, n raport cu I
CB0
, U
EB
i

N
. Micorarea variaiei i
C
, la modificarea temperaturii, se realizeaz cu ajutorul
unor scheme de polarizare a tranzistorului, care asigur stabilizarea termic a
punctului static de funcionare.




SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

56

NTREBRI PROBLEME

1. Cum se comport semiconductoarele din punct de vedere al conductivitii la
temperaturi foarte joase?

2. Care este energia de activare a electronilor de valen W dintr-un
semiconductor (exprimat n eV)?

3. Cine particip la conducie ntr-un semiconductor intrinsec?

4. Ce efect are creterea temperaturii asupra numrului de electroni liberi din
materialele semiconductoare?

5. Cine asigur conducia electric n semiconductoarele intrinseci?

6. Ce relaie este ntre masa electronului de conducie m
n
i masa electronului
m
e
?

7. Care este sarcina electronului de conducie, fa de sarcina electric elementar
e?

8. Ce relaie respect, pentru un semiconductor pur, la echilibru termic la o
temperatur dat, concentraiile de electroni n
0
i de goluri p
0
?

9. Ce valen au impuritile folosite pentru a realiza un semiconductor extrinsec
de tip n?

10. Ce valen au impuritile folosite pentru a realiza un semiconductor extrinsec
de tip p?

11. Ce valoare poate avea din punct de vedere al energiei un electron liber dintr-un
material semiconductor?

12. Ce valoare poate avea din punct de vedere al energiei un gol dintr-un material
semiconductor?

2. SEMICONDUCTOARE
57

13. Cum depinde de temperatura absolut T concentraia de electroni i de goluri
generai prin mecanism intrinsec ntr-un semiconductor la echilibru termic?

14. Unde este plasat nivelul energetic donor introdus ntr-un semiconductor
extrinsec de tip n de impuritile donoare?

15. Unde este plasat nivelul energetic acceptor introdus ntr-un semiconductor
extrinsec de tip p de impuritile acceptoare?

16. Ce se constat din punctul de vedere al concentraiei purttorilor majoritari n
vecintatea suprafeei de separaie a unei jonciuni p n ?

17. Ce efect are cmpul intern al regiunii de trecere creat de sarcina spaial a unei
jonciuni p-n asupra difuziei purttorilor majoritari?

18. Cine formeaz sarcina spaial a unei jonciuni p n ?

19. n ce relaie se afl, la regimul de echilibru termic al unei jonciuni p-n
nepolarizate, curentul de difuzie i
d
i curentul de conducie i
c
?

20. n ce relaie se afl, pentru o jonciune p-n polarizat n sens direct, curentul de
difuzie i
d
i curentul de conducie i
c
?

21. n ce relaie se afl, pentru o jonciune p-n polarizat n sens invers, curentul de
difuzie i
d
i curentul de conducie i
c
?

22. Cum variaz la o jonciune p-n, la aplicarea unei tensiuni inverse, limea
regiunii de trecere n funcie de concentraiile de impuriti din zonele
respective?

23. Cum se comport, din punct de vedere al conduciei electrice, regiunea de
trecere a jonciunii p n?

24. Ce efect are asupra lrgimii regiunii de trecere a unei jonciuni p n tensiunea
invers aplicat jonciunii?

25. Ce reprezint caracteristica static a diodei semiconductoare?


SURSE I CIRCUITE DE ALIMENTARE

58
26. Ce se constat la aplicarea pe dioda semiconductoare a unor tensiuni inverse
mari?

27. Cum depinde din punct de vedere al legii matematice, n expresia caracteristicii
teoretice a unei diode semiconductoare, curentul de tensiunea aplicat
jonciunii?

28. Ce efect are creterea temperaturii jonciunii unei diode semiconductoare
asupra valorii curentului prin diod?

29. Cum se definete riguros rezistena intern a unei diode semiconductoare
funcionnd n punctul static M(U
a0
, I
a0
), cu variaii de semnal mic u
a
, i
a
?

30. Cine determin apariia capacitii de barier C
b
a unei jonciuni p-n?

31. Ce efect are asupra capacitii de barier creterea tensiunii aplicate pe
jonciunea p-n?

32. Ce se ntmpl cu valoarea rezistenei interne a diodei la o valoare mai mare a
curentului de punct static al diodei semiconductoare?

33. Unde se plaseaz n mod normal punctul de funcionare la o diod Zener?

34. Ce regiune a tranzistorului bipolar este caracterizat de cel mai nalt nivel de
dopare cu impuriti?

35. Ce regiune a tranzistorului bipolar este caracterizat de cel mai redus nivel de
dopare cu impuriti?

36. Care este cea mai ngust regiune ntr-un tranzistor bipolar?

37. Cine asigur conducia ntr-un tranzistor bipolar?

38. Cum se definete pentru un tranzistor pnp, factorul de amplificare n curent
N
?

39. Cine asigur, n cea mai mare parte, pentru un tranzistor pnp curentul de
difuzie prin jonciunea emitorului?

2. SEMICONDUCTOARE

40. Ce se ntmpl cu golurile n baza unui tranzistor pnp?

41. Cine determin, pentru un tranzistor pnp, transferul aproape integral al
golurilor din regiunea de emitor n cea de colector?

42. Care este, pentru un tranzistor bipolar n conexiune normal, valoarea tipic a
factorului static de amplificare n curent
N
?

43. n ce relaie se afl, pentru un tranzistor bipolar n conexiune normal, curentul
de colector i curentul de emitor?

44. Cum sunt polarizate jonciunile tranzistorului bipolar funcionnd n regiunea
activ direct (normal)?

45. Cum sunt polarizate jonciunile tranzistorului bipolar funcionnd n regiunea
activ invers?

46. Cum sunt polarizate jonciunile tranzistorului bipolar funcionnd n regiunea
de blocare?

47. Cum sunt polarizate jonciunile tranzistorului bipolar funcionnd n regiunea
de saturaie?

48. Care este valoarea tipic a factorului de amplificare static n curent al
tranzistorului n conexiunea emitor comun
N
?

49. Cum variaz, conform caracteristicilor de intrare ale tranzistorului n
conexiunea emitor comun, pentru aceeai valoare a tensiunii u
BE
, i
B
n funcie
de u
CE
?

50. Ce efect are creterea temperaturii asupra curbelor din familia caracteristicilor
de ieire pentru un tranzistor bipolar funcionnd n conexiunea emitor comun?

59
51. Ce efect are creterea temperaturii asupra tensiunii emitor-baz pentru un
tranzistor bipolar funcionnd n conexiunea emitor comun?