Sunteți pe pagina 1din 26

Universitatea Politehnica din Bucureti

Facultatea de Electronic Telecomunicaii i Tehnologia Informaiei













DISPOZITIVE ELECTRONICE


NDRUMAR DE LABORATOR



















Bucureti-2009









Dispozitive Electronice-ndrumar de laborator

2

LUCRAREA II-Modulul MCM4/EV






CUPRINS


CAP. I01: PREZENTAREA TRANZISTORUL BIPOLAR

CAP. I02: METODE DE MASUR I POLARIZARE A TRANZISTORULUI
BIPOLAR
CAP. I03: EFECTE ALE VARIAIEI CURENTULUI DE COLECTOR I
C
I
AL TENSIUNII DE COMAND V
BE
CU TEMPERATURA.

CAP. I04: REGIMUL DINAMIC AL TRANZISTORULUI BIPOLAR

CAP. I05 MONTAJUL EXPERIMENTAL PENTRU MASURATORI DE
CURENT CONTINUU

CAP. I06: MONTAJUL EXPERIMENTAL PENTRU MSURATORI DE
REGIM DINAMIC.

CAP. I07: NTREBRI





















Lucrarea II-Modulul MCM4/EV 3



INSTRUCIUNI DE UTILIZARE



Pentru utilizarea modulului MCM4-EV citii i meninei la ndemn acest manual.

La dezambalarea modulului sau la nceperea lucrrii punei toate accesoriile n ordine pentru a nu
le pierde i verificai integritatea acestuia. Facei un control vizual pentru a v asigura ca nu sunt
stricciuni vizibile.

nainte de conectarea modulului la tensiunea de alimentare de +/-12V, verificai c puterea
estimat corespunde cu puterea sursei de alimentare.

nainte de alimentarea modulului verificai dac cablurile de alimentare sunt corect conectate la
sursa de alimentare.

Acest modul trebuie utilizat numai conform scopului pentru care a fost conceput respectiv pentru
educaie i trebuie utilizat numai sub directa supervizare a personalului specializat.

Orice alt utilizare nu este corect i astfel periculoas. Utilizarea improprie, proast sau
neraional a modulului poate conduce la stricciuni iremediabile.



























Dispozitive Electronice-ndrumar de laborator

4
CAPITOLUL I01

PREZENTAREA TRANZISTORUL BIPOLAR

1.1 Prezentarea tranzistorului de tip PNP si NPN

Tranzistoarele de tip PNP i NPN sunt prezentate n figura 1.1i arat cum sunt dispuse jonciunile PN
i forma grafic de prezentare n schemele electrice.
Tranzistorul bipolar are dou tipuri de purttori de sarcin:electroni si goluri Golurile sunt asimilate
electronilor doar ca au sarcina pozitiv.Sunt purttori de sarcin fictivi necesari n explicarea teoretic a
funcionrii tranzistorului bipolar.
Tranzistorul bipolar este format din doua jonciuni PN: CB i BE.(fig.1.1) i este definit ca un
amplificator de curent, unde curentul principal colectoremitor este controlat de un curent mult mai mic
curentul baza-emitor prin intermediul factorului de amplificare .

1.2 Modul de polarizare (se studiaza tranzistorul NPN)

Modul de polarizare sau de alimentare n curent continuu a jonciunilor determin urmatoarele regimuri
de funcionare:

Regimul normal de funcionare RAN

Jonciunea BE este polarizat n direct (+p;-n)
Jonciunea BC este polarizat n invers pana la tensiunea de strapungere (-p;+n)
Polarizarea se poate face cu dou surse de alimentare sau cu o singur surs de alimentare pentru curentul
principal (I
C
) si un divizor rezistiv pentru alimentarea jonciunii BE (curentul de comand I
B
)
n acest regim de funcionare :
-Jonciunea BE se comport ca o diod polarizat n direct(tensiunea de polarizare pentru Si: 0,6V-0,7V
iar pentru Ge: 0,2V-0,3V) iar
-Jonciunea BC se comport ca o diod polarizat n invers(tensiunea aplicata tensiunea de strpungere)
Tranzistorul se comporta ca un amplificator de curent.(I
C
=I
B
)

Regimul de funcionare inversat RAI

n acest regim de funcionare
Lucrarea II-Modulul MCM4/EV 5
-Jonciunea BE este polarizat n direct iar
-Jonciunea CB este polarizat n direct dar la tensiuni mici pna la tensiunea de deschidere a diodei CB
(0,6V-0,7V)

Regimul de lucru blocat

-Jonciunea BE polarizat n invers sau la 0V (potenialul bazei=potenialul emitorului)
-Jonciunea CB polarizat n invers
Prin tranzistor circul numai curentul rezidual I
CEO


Regimul de lucru saturat

-Jonciunea BE polarizat n direct la o tensiune mai mare de 0.6-0.7V pentru Si i 0.2-0.3V pentru Ge
-Jonciunea CB polarizat n invers dar valoarea tensiunii aplicate este foarte mica (0,6V pentru Si)
n aceast regiune curentul I
C
nu depinde de I
B
ci numai de tensiunea de polarizare BC.

1.3 Regimul de curent continuu n tranzistorul bipolar


1.3.1Modul de circulaie a curenilor n tranzistorul bipolar
este prezentat in fig.1.2a i 1.2b

Relaiile dintre cureni:

I
E
=I
C
+I
B
(1.1)
I
C
=I
E
+I
CB0
(1.2)
Unde este un coeficient cuprins ntre 0,9-0,999 iar I
E
arat fraciunea curentului de emitor din curentul
de colector.
I
CB0
este curentul invers al jonciunii BC fiind de ordinul nA si se masoara intre terminalele BC polarizat
invers,pna la tensiunea de strpun gere cnd terminalul emitorului este nelegat n circuit (n gol)
nlocuind I
E
din (1.1) n (1.2)
I
C
=(I
C
+I
B
)+I
CB0
(1.3)
I
C
(1-)=I
B
+I
CB0
(1.4)
Dispozitive Electronice-ndrumar de laborator

6
(1.5)
I
C
=I
B
+I
CE0
(1.6)
Unde este definit ca fiind:
(1.7)
Iar:
I
CE0
=(+1)I
CB0
(1.8)
Uzual este cuprins intre 10-100 dar poate avea valori si mai mari si este definit ca factor de amplificare
in curent.
Relaiile dintre tensiuni n tranzistorul bipolar.
V
CE
=V
BE
+V
CB
(1.9)
1.3.2Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
Din relaiile (1.6), (1.9) rezult static (sau de curent continuu) si se noteaz cu .
(1.10)
Stiind c I
CB0
este un curent rezidual mult mai mic dect I
C
sau I
B
se poate neglija n ecuaia (1.10) iar
coeficientul de amplificare static are expresia simplificat:
(1.11)
n fig. 1.3 se prezint caracteristica de intrare al unui tranzistor NPN n configuraie emitor-comun: I
B
/V
BE

la V
CE
constant.



n fig.1.4a se prezint caracteristica de transfer I
C
/I
B
la V
CE
constant.
Lucrarea II-Modulul MCM4/EV 7

Caracteristica de iesire a unui tranzistor NPN n configuraie emitor comun este prezentat n fig.1.4b
.Aceast caracteristic arat evoluia curentului de ieire I
C
atunci cnd V
CE
variaz, iar I
B
este
parametru.Din aceast caracteristic se poate determina static, zonele de saturatie, blocare si strpungere
ale tranzistorului bipolar.

1.3.3Configuraii de amplificare cu tranzistor bipolar aflat n regim dinamic
Sunt trei configuraii de amplificare dup electrodul comun al intrrii si ieirii.
Cele trei configuraii sunt prezentate n fig.1.5,1.6 si 1.7si sunt scheme de curent alternativ (nu sunt
atasate schemele de polarizare n curent continuu)


Configuraia emitor-comun
Schema din fig.1.5 prezint configuraia emitor-comun, intrarea IN este intre BE iar ieirea OUT este
intre CE, emitorul fiind electrodul comun.
I
C
=
0
I
B
(1.12)
n curent continuu ecuaiile sunt urmatoarele:
I
C
=
F
I
B
(1.13)
V
RC
=V
CC
-V
CE
(1.14)
I
C
=V
RC
/R
C
(1.15)
Dispozitive Electronice-ndrumar de laborator

8
Creterea curentului I
C
duce la creterea tensiunii V
RC
si implicit a scderii tensiunii V
CE
.Similar dac
V
BE
scade ,V
CE
crete (scade I
C
)Pentru aceast configuraie amplificarea n tensiune a etajului este foarte
mare.(A
V
=V
O
/V
IN
) si este de tip inversor.(semnalul de ieire este defazat fa de cel de la intrare cu 180
0
)


Configuraia colector-comun
Este prezentat n fig.1.6.Electrodul comun intrrii i ieirii este colectorul.
V
O
=I
E
R
E
(1.16)
V
O
=V
IN
-V
BE
(1.17)
Cum V
BE
este relativ constant, V
O
V
IN
deci amplificarea n tensiune este 1
Amplificatorul este neinversor i este folosit n general ca adaptor de impedant:
Impedan mare la intrare (R
E
)/impedana foarte mica la ieire(R
g
/)//R
E
.
(R
g
este rezistena serie a generatorului de semnal)

Lucrarea II-Modulul MCM4/EV 9
Configuraia baz-comun
Este prezentat n fig.1.7.n aceast configuraie semnalul care trebuie amplificat se aplic pe emitor
(ntre EB) iar semnalul amplificat se masoar n colector (ntre CB) electrodul Baz fiind comun.
Relaii de curent continuu:
V
CB
=V
CC
-R
C
I
C
(1.18)
Caracteristici principale
Amplificatorul este neinversor
Amplificarea n tensiune este proporional cu valoarea lui R
C
Impedana de intrare este foarte mica zeci de ohmi
Este configuraie des utilizat la construirea amplificatoarelor de nalt frecven.

n tabelul nr.1 de mai jos sunt date prin comparaie principalele caracteristici a celor trei tipuri de
configuraii: emitor comun,colector comun i baz comun unde:
R
g
este rezistena serie a generatorului de semnal, iar
r
e
este un parametru al schemei echivalente de semnal mic i are o valoare de aproxmativ 25mV/I
E

TABELUL 1

Configuraie
Parametri
Emitor comun Colector-comun Baz-comun
Impedan de intrare
R
IN
r
e
- mic R
E
- foarte mare r
e
- foarte mic
Impedan de ieire
R
OUT
R
C
- mare (R
g
/)//R
E
-foarte mic R
C
- mare
Amplificare n curent
A
i
- mare - mare 1
Amplificare n tensiune
A
V
R/r
e
- mare 1 R/r
e
- mare
Amplificare n putere
A
P
A
i
A
v
foarte mare A
i
- mare A
v
- mare
Relaii de faz intre V
IN

i V
OUT
180
0
0
0
0
0





Dispozitive Electronice-ndrumar de laborator

10

CAPITOLUL I02

METODE DE MASUR I POLARIZARE A TRANZISTORULUI BIPOLAR

2.1 Polarizarea tranzistorului bipolar n configuraie emitor-comun

Modul de polarizare n vederea msuratorilor parametrilor pentru un tranzistor NPN este artat n fig.2.1a
Tensiunea de colector V
CE
se aplica prin intermediul rezistentei R
C
de la o surs de alimentare extern
V
CC
.Tensiunea de baz V
BE
se aplica prin intermediul rezistentei R
B
de msur de la o sursa de tensiune
V
BB
care poate fi preluat prin divizor rezistiv de la sursa V
CC
, sau poate fi exterioar.


Caracteristica de ieire este prezentat n fig.2.1b punctul deterninat n planul I
C
/V
CE
de intersecia
I
CQ
,V
CEQ
se numete punct static de funcionare al tranzistorului Q sau PSF.Acestui punct i corespunde
un curent de baz I
BQ
(parametru)
Punctul static de funcionare definete astfel tensiunile ntre toi electrozii tranzistorului precum i toi
curenii care trec prin tranzistor: V
BE
,V
CE
, V
CB,
I
B
, I
C
i I
E
.
Pentru determinarea PSF se au n vedere si relaiile:
I
E
=I
C
+I
B
(2.1)
V
CB
=V
CE
-V
BE
(2.2)
Unde V
BE
este o marime aproximativ fix si depinde de tipul materialului din care este realizat
semiconductorul.
Asadar pentru determinarea PSF sunt necesare msurtori asupra mrimilor I
C,
V
CE
i I
B
In condiiile n
care tensiunile V
CC
i V
BB
au valori precizate.
V
CC
=V
CE
+R
C
I
C
(2.3)
R
C
=(V
CC
-V
CE
)/I
C
(2.4)
I
B
=I
C
/ (2.5)
V
BB
=V
BE
+R
B
I
B
(2.6)
R
B
=(V
BB
-V
BE
)/I
B
(2.7)
Msurtorile au n vedere aadar, determinarea tensiunilor V
BB
,V
BE
i V
CE

Din ecuaiile 2.3;2.4;2.5;2.6 i 2.1 rezult:,I
C
,I
E

I
C
=(V
CC
-V
CE
)/ R
C
(2.8)
I
B
=(V
BB
-V
BE
)/ R
B
(2.9)
=I
C
/I
B
(2.10)
Lucrarea II-Modulul MCM4/EV 11
Marcarea PSF pe caracteristicile de ieire se face ca n fig.2.2


I
C sat
se afl pe dreapta (V
Cemax
,0) de sarcin i este curentul prin tranzistor atunci cnd I
C
nu depinde de I
B
(V
CE
=V
Cesat
=aprox.0,6V)
Considernd ecuaia 2.8 rezult condiia de calcul a valorii minime a rezistenei R
C

R
C
=V
CC
/I
Csat
(2.11)
Valorile curentului I
B
si a tensiunii V
BE
se determin din caracteristica de intrare
V
BE
=f(I
B
) i respectiv caracteristica de ieire I
C
=f(V
CE
)
2.2 Regiunile din caracteristica de ieire n care opereaz tranzistorul bipolar n configuraie
emitor-comun

n regiunea I: sau zona de blocare (tiere) tranzistorul practic nu conduce:
V
BE
=0
I
C
=I
CE0

V
CE
=V
CC

n regiunea II:Tranzistorul se afl n regim normal de funcionare (RAN)
I
C
=I
B
vloare practic independenta de valoarea tensiunii V
CE

Dispozitive Electronice-ndrumar de laborator

12
n regiunea III valoarea tensiunii V
CE
este foarte mic iar I
C
depinde numai de aceast valoare i
nu de valoarea curentului I
B
.
2.3 Circuite de polarizare de la o singur surs de alimentare

Tensiunea V
BB
poate fi a doua sursa de polarizare sau realizata din sursa de colector cu divizor rezistiv,
aceast din urm soluie rezultnd ca urmare a diferenei foarte mari (cu un ordin sau mai multe ordine de
mrime) dintre curentul de colector i curentul de baz(I
B
=I
C
/)
Curentul prin divizorul rezistiv trbuie s aib o vloare de cel putin 10I
B
si care este mult mai mic (cu cel
putin un ordin de marime) dect I
C
Schema de polarizare este prezentat n fig.2.4

Calculul R
1
i R
2
are n vedere ipoteza c valoarea curentului I
D
prin divizor este 10I
B
.
Curentul I
C
:
I
C
=(V
CC
-V
CE
)/R
C
iar I
B
=I
C
/ astfel:
Curentul I
D

I
D
=10I
C
/=10(V
CC
-V
CE
)/R
C
(R
1
+R
2
)I
D
=V
CC
(2.12)
I
D
R
2
=V
CC
R
2
/(R
1
+R
2
) (2.13)
Sau:
V
BB
= V
CC
R
2
/(R
1
+R
2
) dac notm R
B
=(R
1
//R
2
)
R
1
=R
B
(V
CC
/V
BB
) (2.14)
R
2
=R
B
V
CC
/(V
CC
-V
BB
) (2.15)

2.4Clasele de operare ale tranzistorului bipolar.
Fixarea punctului static de funcionare (PSF) a unui tranzistor bipolar pe dreapta de sarcina din cadrul
caracteristicii de transfer, din punct de vedere alternativ forez funcionarea tranzistorului n trei clase:
Clas A: PSF este fixat in mijlocul dreptei de sarcin (V
CEQ
se afla la mijlocul dreptei de sarcina)
n acest caz semnalul din baz este reprodus la ieire n mod liniar :
V
OUT
=A
V
V
IN
situaia este prezentat n fig.2.5
Lucrarea II-Modulul MCM4/EV 13

Clas B: n acest caz, PSF este plasat spre zona de tiere a tranzistorului,iar forma semnalului la ieire se
prezint ca n fig.2.6:este amplificat numai semialternana pozitiv cea negativ fiind suprimat.

Clasa C: PSF este mutat n zona de blocare iar curentul de ieire este pulsatoriu periada de conducie a
tranzistorului este mai mica dect perioada de blocare fig.2.7.



Dispozitive Electronice-ndrumar de laborator

14

CAPITOLUL I03


EFECTE ALE VARIAIEI CURENTULUI DE COLECTOR I
C
I AL TENSIUNII DE COMAND
V
BE
CU TEMPERATURA.

3.1 Efecte termice
Curentul de colector este n legtur direct cu puterea disipat pe tranzistor:
P
D
=V
CE
I
C
(3.1)
Puterea disipata este corelat cu temperatura jonciunilor de care depinde marimea curentului rezidual
I
CBO
.astfel acest curent, spre exemplu, se dubleaz la cresterea temperaturii jonciunilor cu 10
0
C.
Acest curent intr ns n expresia curentului de colector (1.2), astfel nct putem afirma c temperatura
influieneaza direct aceast marime.
Marimea tensiunii V
BE
deasemenea depinde de temperatur crescnd aproximativ cu 2,5mV/
0
C iar
creterea V
BE
duce imediat la creterea curentului I
C

Stabilizarea PSF pentru meninerea constant a curentului I
C

Metoda reaciei negative : este cea prezentat n fig.3.1.


-Se ataeaza emitorului o rezisten R
E
cu rolul de limitare a curentului I
C
potenialul pe R
E
este
dependent de tensiunea V
BB
care furnizeaz un curent I
B
constant prin rezistena R
B
(reacia negativ).

Metoda fixrii unei rezistene ntre baz si colector prezentat n fig.3.2

V
CE
=V
CC
-I
C
R
C
(3.2)
I
B
=V
CB
/R
F
=(V
CE
-V
BE
)/R
F
(3.3)
Dac I
C
crete V
CE
scade, deci scade I
B
care astfel menine constant curentul de colector.

Lucrarea II-Modulul MCM4/EV 15

Influena variaiei curentului I
C

Efectul creterii temperaturii este creterea curentului I
CB0
Se definete termenul de stabilitate n curent S
i
(Fig.3.1)
(3.4)

Sau:
(3.5)
Un S
i
mic arat o mare stabilitate a PSF ,dac se consider S
i
10 rezult imediat condiia: R
B
9R
E
.
Influena variaiei tensiunii V
BE

Se definete stabilitatea n tensiune S
V
: n condiiile n care I
CB0
i sunt constani.
(3.6)
Un S
V
mic arat o stabilitate bun cu variaia lui V
BE

Meninnd condiia R
B
9R
E

Afirmnd c o bun stabilitate a tensiunii V
BE
este atunci cnd nu variaz cu mai mult de 10%
S
V
=-1/R
E
(3.7)
Astfel formula(3.6) poate fi scris:
(3.8)
Variaie mic a curentului I
C
presupune o valoare mare a produsului R
E
I
C

Se admite o variaie de 5-10% a curentului de colector, rezult imediat :
R
E
I
C
10-20|V
BE
|
Influena parametrului
(3.9)
Unde:
S
i1
este stabilitatea n curent la
1

S
i2
este stabilitatea n curent la
2

(3.10)
R
E
introduce o puternic reacie negativ n regim dinamic, de aceea n mod obinuit ea este
scurcircuitat cu un capacitor a carui marime se calculeaz funcie de banda frecvenelor de lucru.


Dispozitive Electronice-ndrumar de laborator

16

CAPITOLUL I04

REGIMUL DINAMIC AL TRANZISTORULUI BIPOLAR

Se studiaz regimul dinamic, la semnal mic al tranzistorului bipolar la frecven joas, fix. Se determin
principalii parametri ai circuitului echivalent natural i se demonstreaz dependena lor de punnctul static
de funcionare.

4.1 Modelul de regim dinamic liniar
Caracteristicile tranzistorului bipolar sunt neliniare n regiunea activ normal (RAN) ; funcionarea sa
dinamic este lineara numai la semnal mic.Se consider c tranzistorul lucreaz la semnal mic atunci cnd
tensiunea dintre baza intern i emitor verific inegalitatea:
(4.1)
sau V
b
,
e
2,6mV la T
0
=300K
n aceste condiii tranzistorul poate fi nlocuit n curent alternativ, la frecvene joase prin circuitul
echivalent natural la semnal mic prezentat n fig.4.1
Elementele circuitului natural depind de punctul static de funcionare al tranzistorului.La tranzistoarele cu
siliciu pentru un curent de colector de ordinul miliamperilor panta tranzistorului g
m
are valori de zeci i
chiar sute de mA/V ,fiind un parametru de transfer.Ordinul de marime al rezistenelor r
bb
,
-zeci de
ohmi,r
b
,
e
-khiloohmi,r
b
,
c
-megaohmi,r
ce
-zeci de khiloohmi.Efectul rezistenei r
b
,
c
este neglijabil pentru
aplicaii de joas frecven.

Obs:

Notaiile nscrise ntre paranteze n schema 4.1sunt echivalente.
I
c
,I
b
,I
e
,V
o
,V
in
,V
b
,
e
, sunt valori ale regimului dinamic (de curent alternativ)
Se pot scrie urmtorele relaii de definiie pentru parametrii tranzistorului bipolar:

Fig.4.1
Lucrarea II-Modulul MCM4/EV 17
Factorul de amplificare n curent alternativ n conexiune emitorcomun.
0

(4.2)

0
sau dinamic se masoar n condiiile rezultate ca urmare a surtcircuitrii n curent alternativ a
ieirii.(V
0
=0)
Panta tranzistorului (conductana de transfer) g
m

(4.3)
Cum V
b
,
e
V
in
deoarece r
bb
,
r
b
,
e
se poate aproxima: g
m
=I
c
/V
in
|V
o
=0
Rezistena echivalent la intrare:R
i

R
i
=r
bb
,
+r
b
,
e
r
b
,
e
V
i
/I
b
(4.4)
Relaia de legtur dintre
0
i g
m

0
=g
m
r
b
,
e
(4.5)
Rezistena echivalent la ieir r
ce

r
ce
=V
o
/I
c
|V
in
=0 (4.6)
V
in
=0 nsemn scurtcircuit n curent alternativ la intrare.
Elementele acestui circuit depind de PSF astfel:
g
m
=I
C
/V
th
40I
C
(4.7)
r
b
,
e
=
0
/g
m
(4.8)
r
ce
=V
A
/I
C
(4.9)
unde V
th
este tensiunea termic,I
C
este curentul de colector continuu,V
A
este tensiunea Early.























Dispozitive Electronice-ndrumar de laborator

18
CAPITOLUL I05

MONTAJUL EXPERIMENTAL PENTRU MASURATORI DE CURENT CONTINUU

I05.1 OBIECTIVE
Msurarea curentului de baz i al curentului de colector n curent continuu
Msurtori n vederea determinrii caracteristicii I
C/
V
CE
cu parametru I
B

Desenarea graficului caracteristicii statice de ieire

I05.2 APARATE NECESARE

Surs de alimentare PS1-PSU/EV sau PSLC/EV, Unitate de control individual SIS1/SIS2/SIS3
(opional).
Modulul MCM4/EV
Multimetru
Osciloscop

105.3 DESFURAREA LUCRRII

MCM-4 Deconectai toate unturile
Montai SIS1 Setai toate comutatoarele pe deschis
SIS2 Introducei cod lecie: B04


Se pornete de la modulul aflat pe placa MCM-4 stnga sus cu schema electric prezentat n fig.5.1a:
Tehnica de polarizare aleas este cu doua surse:
Sursa fix de 12V si un divizor rezistiv reglabil pentru tensiunea V
BE
Surs variabila 1,2V-24V.(V
CC
) si o rezisten serie pentru polarizarea jonciunii BC.

Fig.5.1a
Msurtorile de cureni au la baz legea lui Ohm: se msoar tensiunea pe o rezisten de msur cu
valoare precizat, dup care curentul prin aceast rezult imediat: I=V
R
/R
Lucrarea II-Modulul MCM4/EV 19
Montajul este astfel realizat pentru ca tensiunea pe rezistena de masur s se masoare cu voltmetrul sau
osciloscopul, alternativ fa de mas la bornele acestei rezistene (nu se masoar direct la bornele
rezistenei de masur) obinnduse V
R1
respectiv V
R2
Tensiunea pe rezisten este:
V
R
=V
R1
-V
R2
Rezistena de msur pentru curentul de baz n acest caz este R
1
=4,7K

Schema de msur rezultat n urma efecturii scurturilor realizate cu unturile J
2
; J
5
; J
4
;J
8
;J
6
,n
schema 5.1a, este prezentat n fig. 5.1b
Mod de lucru
Se msoar tensiunile V
BB
,V
BE
i V
CE
n urmtoarele condiii:
Se fixeaz tensiunea V
CC
la valoarea de 14V
Se modific R
V1
pentru obtinerea valorilor tensiunii V
BB
conform Tabelului 2
Se msoar tensiunea V
CE
de fiecare dat de cte ori se msoar V
BB
i se trece n Tabelul2
Se msoar tensiunea V
BE
de fiecare dat de cte ori se msoar V
BB
i se trece n Tabelul2


Fig.5.1b
Curenii I
B
i I
C
se calculeaz:
I
B
=(V
BB
-V
BE
)/R
1
R
1
=4,7K; R
2
=470
I
C
=(V
CC
-V
CE
)/R
2

F
=I
C
/I
B
Se ridic curbele:
I
B
=f(V
BE
), caracteristica de intrare
I
C
=f(I
B
) caracteristica de transfer n curent al tranzistoruluiT
1

I
C
=f(V
BE
) caracteristica de transfer al tranzistoruluiT
1

unde:
I
C
=I
S
exp(V
BE
/V
th
), (I
S
este curentul de saturaie al tranzistorului.)
Tabelul 2

V
BB
(mV) 647 741 835 929 1023 1070
V
BB
valori
msurate

V
BE
(mV)
V
CE
(V)
I
B
(mA)
I
C
(mA)

F

Dispozitive Electronice-ndrumar de laborator

20
105.4Determinarea caracteristicii de ieire I
C
=f(V
CE
) cu parametru I
B


MCM-4 Deconectai toate unturile
Montai SIS1 Setai toate comutatoarele pe deschis
SIS2 Introducei cod lecie: B04

Se pornete de la modulul aflat pe placa MCM-4 stnga sus cu schema electric prezentat n fig.5.1a:
Tehnica de polarizare aleas este cu doua surse:
Sursa fix de 12V i un divizor rezistiv reglabil pentru tensiunea V
BE
Surs variabil 1,2V-24V (V
CC
) si o rezisten serie pentru polarizarea jonciunii BC.
Schema de msur rezultat n urma efecturii scurturilor
realizate cu unturile J
2
; J
5
; J
4
;J
8
;J
6
, n schema 5.1a, este prezentat
n fig. 5.1b
Modul de lucru:
Se msoar tensiunile V
BB
,V
BE
i V
CE
n urmtoarele condiii:

Se fixeaz tensiunea V
CE
la valoarea de 0,1V modificnd tensiunea V
CC
.
Se modific R
V1
pentru fixarea valorilor tensiunii V
BB1
nscris n Tabelului 3
Se msoar de fiecare dat tensiunea V
BE
i se trece n Tabelul 3
Se modific tensiunea V
CC
de la valoarea de 0,1V la 12V meninnduse valoarea lui V
BB1

constant (pentru obinerea unor tensiuni V
CE
conform Tabelului 3).
Se msoar de fiecare dat tensiunea V
CC
i V
BE
care apoi se trec n Tabelul 3
Se reiau msurtorile dup ce se modific R
V1
n vederea fixrii V
BB2
respectiv V
BB3
nscrise n
Tabelul3.
Se calculeaz I
C1
,I
C2
,I
C3
cu ajutorul formulei: I
C
=(V
CC
-V
CE
)/R
2

(I
C1
=(V
CC1
-V
CE
)/R
2
, I
C2
=(V
CC2
-V
CE
)/R
2
, I
C3
=(V
CC3
-V
CE
)/R
2
)

Se calculeaz I
B
cu ajutorul formulei: I
B
=(V
BB
-V
BE
)/R
1
Tabelul 3
V
CE
(V) 0,1 0,5 1 5 8 12
V
CC1
(V)
V
BB1
(mV) 800 800 800 800 800 800
V
BE1
(mV)
I
B1
(A)
I
C1
(mA)
V
CC2
(V)
V
BB2
(mV) 950 950 950 950 950 950
V
BE2
(mV)
I
B2
(A)
I
C2
(mA)
V
CC3
(V)
V
BB3
(mV) 1070 1070 1070 1070 1070 1070
V
BE3
(mV)
I
B3
(A)
I
C3
(mA)

Lucrarea II-Modulul MCM4/EV 21
Cu valorile obinute se ridic caracteristica de ieire I
C
=f(V
CE
)la I
B1
,I
B2
iI
B3

Rezult o familie de trei caracteristici statice de ieire:
Comentariu:
Curentul de colector crete la tensiuni mici V
CE
, rapid cu V
CE
apoi curba evoluiaz cvasiparalel cu axa
V
CE
,Curentul de colector n aceast parte a curbei depinde numai de I
B
pentru valori mici ale acestuia din
urm. Aceast zon este specific zonei cvasiliniare ale tranzistorului bipolar. Pentru cureni mari I
B

curentul de colector se satureaz i nu mai depinde de I
B
ci numai de mrimea lui V
CE
.
n regiunea linear, rezistena static de ieire este mare (R
ieire
=V
CE
/I
C
K)

Tabelul 4 rezult din Tabelul 3 si cuprinde valorile I
B
,I
C
i
F
masurate la tensiunea V
CE
=5V

Tabelul 4
I
B
(A)(se trece
valoarea
msurat)
30 50 100
I
C
(mA)

F


Se ridic caracteristicile:

I
C
=f(I
B
)

F
=f(I
C
) pentru cele 3 valori.ale lui I
B


































Dispozitive Electronice-ndrumar de laborator

22
CAPITOLUL I06

MONTAJUL EXPERIMENTAL PENTRU MSURATORI DE REGIM DINAMIC.

I06.1 OBIECTIVE
Msurarea curentului de baz i al curentului de colector n curent alternativ (semnal alternativ cu
frecvena mai mare de 1KHz)
Determinarea lui
0
coeficientul de amplificare dinamic
Determinarea parametrilor schemei echivalente la semnal mic a tranzistorului bipolar
Determinarea rezistenelor de intrare i ieire la frecvena de masur.
I06.2 APARATE NECESARE

Surs de alimentare PS1-PSU/EV sau PSLC/EV, Unitate de control individual SIS1/SIS2/SIS3
(opional).
Modulul MCM4/EV
Multimetru
Osciloscop
Generator de semnal

106.3 DESFURAREA LUCRRII
MCM-4 Deconectai toate unturile
Montai SIS1 Setai toate comutatoarele pe deschis
SIS2 Introducei cod lecie: B04

Se pornete de la modulul aflat pe placa MCM-4 cu schema electric prezentat n fig.5.2a:

Fig.5.2a
Lucrarea II-Modulul MCM4/EV 23
Tehnica de polarizare aleas este cu doua surse:
Sursa fix de 12V si un divizor rezistiv reglabil pentru tensiunea V
BE
Surs variabila 1,2V-24V (V
CC
) si o rezisten serie pentru polarizarea jonciunii BC.

Schema de msur prezentat n fig. 5.2b este rezultat n urma efecturii scurturilor
realizate cu unturile J
10
; J
13
;J
16
;J
17
,J
14
n schema 5.2.a iar generatorul de semnal G se
fixeaz ntre ploturile 18 i 22.
Mod de lucru:
Tranzistorul T5 se polarizeaz (PSF) n urmtoarele condiii:
Tensiunea V
CC
=15V fixat.
Se ataeaz rezistena adiional R
adi
=10K la J
11

Se regleaz R
V4
la valoarea de 100
Tensiunea V
BB
de polarizare a bazei se fixeaza cu ajutorul semireglabilului R
V3
, astfel nct
I
C
s aib valorile impuse de Tabelul5.
(Se modific R
V3
pentru a obine V
R10
= 0,1V etc.)
Curentul I
C
se msoar indirect msurndu-se tensiunea pe rezistena din emitor R
E
:V
R10
(deasemenea nscris n Tabelul5)
I
C
=V
RE
/R
E



-Se determin variaia parametrilor dinamici
0
,g
m
,R
in
V
o
i respectiv A
V
=V
0
/V
in
cu curentul
continuu de colector I
C
conform Tabelului 5.
Dup aplicarea tensiunilor de curent continuu (fixarea PSF)
Se aplic de la generatorul de semnal G o tensiune alternativ sinusoidal cu frecvena de 1Khz i
o amplitudine necesar obinerii condiiei ca V
in
s fie aproximativ 10mV RMS sau mai mic
(valoarea este nscris n Tabelul5, astfel nct V
0
s nu aib forma de und modificat fa de
intrare (condiia de semnal mic )
Msurtorile n curent alternativ se fac numai cu osciloscopul, masurndu-se pe rnd valorile RMS ale
tensiunilor V
in
,V
g
i V
0
,aceste valori fiind apoi trecute n Tabelul 5
Obs.:
Valorile amplitudinilor tensiunilor i curenilor alternativi sunt date n mrimi RMS



Dispozitive Electronice-ndrumar de laborator

24
Tabelul 5
V
R10
(V) 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
I
C
(mA) 1 2 3 4 5 6
V
g
(mV)
V
in
(mV) 5 5 5 5 5 5
V
0
(mV)
A
V

g
m
(mA/V)

0

R
in
(k)

Obs:
Pentru msurtorile n regim dinamic, ndeplinirea condiiei de scurt-circuit n alternativ la ieire se
realizeaz cu o rezisten sarcin R
v4
=100 de valoare mult mai mic dect Rc+r
ce
,astfel nct:
Marimile A
V
, g
m
(mA/V),
0
, R
in
(k) se pot calcula cu formulele: (6.4),(6.2),(6.1) respectiv (6.3) si se
trec n Tabelul 5
/laV
0
=0 (6.1)

/laV
0
=0 (6.2)

/laV
0
=0 (6.3)
(6.4)
Se ridic caracteristicile:

0
=f(I
C
),
g
m
=f(I
C
),
R
in
= f(I
C
) i
A
V
= f(I
C
)

Msurarea rezistenei de ieire r
ce

Se realizeaz configuraia din fig.5.3.
Rezistena de ieire a tranzistorului bipolar care lucreaz n RAN prin definiie este:
(6.5)
Condiia de V
in
=0 este asigurat n curent alternativ de capacitorul C
3
fixat intre baz i mas.cu un
accesoriu ce relizeaz un scurtcirciut ntre C
3
i J
11
Calculul rezistenei de ieire are n vedere determinarea curentului alternativ I
c
Punctul static de funcionare este stabilit conform Tabelului 6
Curentul de colector este stabilit de divizorul rezistiv R
6
,R
v3
prin reglajul curentului de baz. Tensiunea
V
CE
se menine la valoarea din Tabelul 6 modificnd corespunztor V
CC
.
Lucrarea II-Modulul MCM4/EV 25
Semnalul sinusoidal se aplic de la generator la ieirea tranzistorului prin rezistena R
V4
cu valoarea
maxim de 10K (cu ajutorul unui accesoriu care face legatura ntre cablul de generator i J
17
)
Frecvena semnalului sinusoidal este fixat la 1Khz iar amplitudinea se regleaz astfel nct V
0
=0,4V
RMS
Modul de lucru
Se fixeaz V
CC
la o tensiune fix de 15V
Se regleaz curentul de colector conform Tabelului 6 din semireglabilul R
v3
astfel nct tensiunea
V
CE
s fie cea nscris n acela tabel.
Pentru fiecare I
C
se msoar n curent alternativ:
Tensiunea V
0
i tensiunea V
rv4
i se trec n Tabelul 6.
Valoarea rezistenei de ieire se calculeaz cu formula de mai jos:










Tabelul 6
V
CE
(V) 14 13 12 11 10
I
C
(mA) 1 2 3 4 5
V
O
(mV)
V
rv
(V)
r
ce
(K)

Se ridic caracteristica:
r
ce
=f(I
C
)





Dispozitive Electronice-ndrumar de laborator

26
CAPITOLUL I07

INTREBRI I EXERCITT REFERITOARE LA FUNCIONAREA N CURENT CONTINUU A
TRANZISTORULUI BIPOLAR
MCM-4 Deconectai toate unturile
Montai SIS1 Setai toate comutatoarele pe deschis
SIS2 Introducei cod lecie: B04

7.1ntre ce valori este cuprins
F
?
a.1-10
b.10-20
c.20-40
d.100-400
e.500-1000
f.1000-2000

7.2 Ce se ntmpl n circuit dac curentul de colector este 0?
a.sursa de tensiune de colector este deconectat i I
C
=0
b.I
C
=0 deoarece circuitul colectorului este ntrerupt
c. I
C
=0 deoarece circuitul emitorului este ntrerupt
d. I
C
=0 deoarece este scurt-circuit ntre baza i emitorul tranzistorului

7.3 Cte jonciuni are un tranzistor NPN?
a.3
b.2
c.1
d.0

7.4 Ce raport definete coeficientul de amplificare?
a. I
B
/I
C

b.I
E
/I
B

c.(I
C
-I
CB0
)/I
C

d.I
C
/I
E

e.(I
C
+I
CB0
)/I
E

7.5 Considernd direcia curenilor cea normal (de la+ la-) ecuaiile unui tranzistor PNP
sunt:
a.I
E
=I
C
+I
B

b.I
B
=I
C
+I
E

c.-I
E
=I
B
-I
C

d.I
E
=I
B
-I
C

7.6.Coeficientul de amplificare rezult din ecuaiile:
a./2=+1
b.=(-1)(+1)
c.=/(1-)
d.=+1