Performanele globale ale receptorului:

a. sensibilitate, eficacitate (s detecteze un bit cu ct mai puini fotoni);

b. fidelitate (pentru a pstra n rspuns forma semnalului optic);
c. rspuns rapid sau banda larg (sute de MHz, GHz);
d. zgomot propriu redus;
e. stabilitate a performanelor la variaia condiiilor exterioare , variaii n timp, etc.;
f. dimensiuni convenabile (compatibile cu miezul fibrei);
g. tensiuni reduse de polarizare;
h. fiabilitate i cost minim.
i. n general, variaiile termice ale caracteristicilor trebuie compensate.

7/22/2014 3
0
d
e abs
p in
r P
1 e
r P
o
q

= = =
( )
0
d
abs in tr in
P P P P 1 e
o
= =
Dependena coeficientului de absorbie
0
de
lungimea de und incident
Responsivitatea
Eficiena cuantic
0
p
P
r
hf
=
p
e p
I
r r
e
q = =
0 p
I RP =
0
e
P
r
hf
q
=
0
p
P
I e
hf
q
=
| |
m
e
R
hf 1,24
q
q
= =
( )
f c =
e
R
hc
q
=
22.07.2014 9
Exemple
Care este valoarea maxima a benzii interzise a aunui material
semiconductor pentru a fi insensibil la lumina galbena (=600nm)



Un fotodetector cu aria activa de este iradiat cu lumina
galbena avand intensitatea de . Presupunand ca fiecare foton
genereaza o pereche electron gol sa se calculeze numarul de perechi
generate pe secunda





Care este lungimea de unda a fotonilor emisi de GaAs si Si?






22.07.2014 10
( )( )
34 8 1
max
9
6, 62 10 3 10
2, 07
600 10
ph g g
Js ms
hc
E h E E eV
m
v

= = > = =

2 2
5 10 A cm

=
2
2 I mWcm

=
( )( )
2 2 3 2 3
3
15 1
5 10 20 10 10
10
2, 9787 10
2, 07 1, 62018
ph
ph
P AI cm Wcm W
P W
N ph s
J
E
eV
eV

= = =
= = =

Poate fi sensibil un fotodetector cu Siliciu la radiatia produsa de GaAs?
Deoarece 873nm<1120nm fotodetectorul realizat din siliciu poate detecta
radiatia emisa de GaAs.
Daca este intensitatea radiatiei incidente (energia
raportata la unitatea de arie si de timp), este intensitatea
transmisa printr-un cristal de grosime d iar este
intensitatea absorbita. Daca este numarul de fotoni incidenti pe
unitatea de arie in unitatea de timp (fluxul fotonic), atunci:

22.07.2014 11
( )( )
( )( )
34 8 1
19
34 8 1
19
6, 62 10 3 10
873
1, 42 1, 6 10
6, 62 10 3 10
1120
1,1 1, 6 10
gGaAs
g
gSi
g
Js ms
hc
nm
J
E
eV
eV
Js ms
hc
nm
J E
eV
eV

= = =
| |

|
\ .

= = =
| |

|
\ .
( )
2
0
I Wm

( )
0
exp I d o
( )
0
1 exp I d o (

ph
I
( )
0
0
1 exp
ph
ph ph
I d A
I
N
h Ad dh
o
v v
( I

I = = =
reprezinta numarul de fotoni absorbiti pe unitatea de volum
Ce grosime trebuie sa aiba si pentru a absorbi 90% din
radiatia incidenta cu lungimea de unda de 1,5 micrometri?







Responsivitatea unei diode cu Ge este data in figura pentru
lungimile de unda semnificative in comunicatii optice.
Aria activa a fotodiodei este . La o tensiune
inversa de 10V curentul de intuneric este iar
capacitatea diodei blocate este 4pF, timpul de crestere fiind 0,5ns.
22.07.2014 12
Ge
0,53 0,47
In Ga As
( )
5 1
1,5 5, 2 10
Ge
m m o

=
( )
5 1
1,5 7,5 10
InGaAs
m m o

=
( )
5
1 1 1 1
1 exp 0, 9 ln ln 4, 428
1 0, 9 5, 2 10 1 0, 9
Ge
Ge
d d m o
o
( (
= = = =
( (


5
1 1 1 1
ln ln 3, 070
1 0, 9 7, 5 10 1 0, 9
InGaAs
InGaAs
d m
o
( (
= = =
( (


2
0,008 mm
0,3 A
a. Care este eficienta quantica la cele 3 lungimi de unda?
b. Care este intensitatea luminoasa la 1550nm daca fotocurentul este egal
cu valoarea curentului de intuneric?
c. Daca sarcina fotodiodei este 100 de ohmi care va fi viteza de raspuns?

22.07.2014 13
( )( )( )
( )( )
( )( )( )
( )( )
( )( )( )
( )
34 8 1
850
19 9
34 8 1
1300
19 9
34 8 1
1550
19
6, 626 10 3 10 0, 33 /
48,1%
1, 60218 10 850 10
6, 626 10 3 10 0, 58 /
55, 31%
1, 60218 10 1300 10
6, 626 10 3 10 0, 73 /
1, 60218 10 1550
Js ms A W
hcR
e C m
Js ms A W
hcR
e C m
Js ms A W
hcR
e C
q

= = =


= = =


= =

( )
9
58, 39%
10 m

6 9 2
6
7
7
2 2
9 2
0, 3 0, 3 10 8.10
0, 3 10
4,1096 10
0, 73 /
4,1096 10
51, 37 5,137 /
8.10
ph D
ph
o
o
o
I I A A Aria m
I
A
P W
R A W
P W
I Wm mW cm
Aria m

= = = =

= = =

= = = =
12
100 4 10 0, 4 0, 5
cr
RC ns t ns t

= = = =
Sa se arate ca maximul eficientei cuantice apare atunci cand:
22.07.2014 14
dR R
d
=
2
1
0
1
0
0
e hc
R R
hc e
d hc dR hcR d
d e d e d
hc dR hcR
e d e
dR R dR R
d d
q
q

q



= =
| |
= + =
|
\ .
| |
+ =
|

\ .
| | | |
+ = =
| |

\ . \ .
O APhD cu siliciu are o eficien cuantic de 80% pentru o lungime de
und de 900nm.Presupunnd c puterea optic incidenta este
0,5microwat iar curentul fotodiodei este de 11 microamperi s se gseasc
factorul de multiplicare n avalan.

22.07.2014 15
( )
( )( )
( )( )
19 9
34 8
6
ph 0
ph
0,8 1,602 10 C 900 10 m
e A
R 0,581
hc W
6,625 10 Js 3 10 m/ s
I P R 0,5 10 0,581 0,291 A
I 11 A
M 38
I 0,291 A
q

= = =

= = =
= = ~
Zgomote n procesul de recepie.

22.07.2014 18
The electric current in a photodetector
circuit is composed of a superposition of the
electrical pulses associated with each
photoelectron

The variation of this current is called shot
noise
If the photoelectrons are multiplied by a gain
mechanism then variations in the gain
mechanism give rise to an additional variation in
the current pulses. This variation provides an
additional source of noise, gain noise
Noise in photodetector
Noise in APD
22.07.2014 31
Fig.8-9 Generarea zgomotului cuantic

n n
n e
P( n )
n!

=
}
= =
b
T
o
in
b
dt t P
hf hf
T P
n ) (
1
0
q
( ) ( )( )
F M kM 1 k 2 1 M = +
( ) | |
k 0..1 | o = e
Fig.8-10 Factorul de zgomot n excees
n funcie de ctigul mediu al APhD
( )
x
F M M ~ x 0...1 e
( ) ( )
2 2 2
s Q s p
0
i S f df 2qI M F M B o

= = =
}
( )
s p
S f 2qI =
22.07.2014 32
( )
2 2 2 2 2
N Q DB DS p D L
i i i i 2q I I M F( M )B 2qI B = + + = + +
( )
2 2
DB D
i 2qI M F M B =
2
DS L
i 2qI B =
( ) ( ) ( )
p s T
I t I i t i t = + +
2 2
B
T T T
0
L
4k T
i ( t ) S ( f )df B
R
o

=< >= =
}
L
B
T
R
T k
f S
4
) ( =
2
b
T n
L
4k T
F B
R
o =
2 2 2
B
s T p d n
L
4k T
2q( I I )B F B
R
o o o = + = + +
Exemplu numeric
O diod PIN are la 1300nm urmtorii parametrii:
iar curenii de suprafa pot fi considerai neglijabili.
Puterea optic incident (continu) este de 300nW iar banda receptorului
este de 20MHz.Se cer curenii efectivi de zgomot.

22.07.2014 33
D L
I 4nA; 0,65; R 1k q O = = =
( )( )( )
( )( )
19 9
7
p 0 0
34 8
0,65 1,6 10 C 1300 10 m
q
I RP P 3 10 W 0,204 A
hc 6,625 10 Js 3 10 m/ s
q

= = = =

( )( )( )
2 19 6 6 18 2
Q p
i 2qI B 2 1,6 10 C 0,204 10 A 20 10 Hz 1,3 10 A

= = =
2
q Q
I i 1,1nA = =
( )( )( )
2 19 9 6 20 2
DB D
i 2qI B 2 1,6 10 C 4 10 A 20 10 Hz 2,56 10 A

= = =
2
d DB
I i 0,16nA = =
( )( )
( )
23
2 6 18 2
B
T
3
L
4 1,38 10 J / K 293K
4k T
i B 20 10 323 10 A
R 10 O

= = =
2
th T
I i 18nA = =
22.07.2014 34
2
p
2
I
Putere medie semnal
RSZ
Putere zgomot o
= =
2 2
in
B
in d n
L
R P ( t )
RSZ
k T
2q( RP I )B 4 F B
R
=
+ +
( )
B
in n
2
L
4k T qB
P RSZ RSZ 1 1 F
R q R B RSZ
(
= + +
(

( )
R q hf q =
Dac predomin zgomotul termic, o
T
>>o
s
se obine
( )
2 2
L in
termic
B n
R R P
RSZ
4k TF B
=
B n
in termic
L
4k TF B 1
P RSZ
R R
=
22.07.2014 35
n cazul cnd predomin zgomotul cuantic o
T
<< o
s
se poate aprecia
limita cuantic a RSZ:
in cuantic
2hfB
P RSZ
q
=
in in
cuantic
RP P
RSZ
2qB 2hfB
q
= =
Limita cuantic i termic
pentru PIN

RSZ n numr de fotoni/bit.
Fie N
p
numrul fotonilor coninui ntr-un bit 1.
( )
1
p in b in
E P T P D

= =
in
p p
P
E N hf
D
= = in p
P N hfD =
p
cuantic p
N hfD
RSZ N
2hfD / 2
q
q = =
B = D / 2
p PIN in APhD in
I MR P R P = =
( )
2
in
APhD
2
in d B L n
( MRP )
RSZ
2qM F M ( RP I )B 4( k T / R )F B
=
+ +
22.07.2014 36
2
in in in in
APhDcuantic
2
in d
( MRP ) ( RP ) P P
RSZ
2qM F( RP I )B 2qFB 2hfFB f
q
= =
+
in in
PINcuantic APhDcuantic
P P 1
RSZ RSZ
2hfB F 2hfB
q q
= =
PINcuantic
APhDcuantic
RSZ
RSZ
F
=
2
2 2
in
APhDtermic in
B L n
( MRP )
RSZ M P
4( k T / R )F B
=
PINtermic
2
APhDtermic
RSZ 1
RSZ M
=
APhD
RSZ ( M )
0
M
c
=
c
3
B n
opt opt
L in d
k TF
kM ( 1 k )M
qR ( RP I )
+ =
+
B n
3
opt
L in d
4k TF
M
kqR ( RP I ) +
22.07.2014 37
Fig. 8-15 Decizie n receptorul digital
( ) ( ) ( )
0 / 1 1/ 0 0 / 1 1/ 0
1
BER p 0 P p 1 P P P
2
= + +
2 2 2
0 s0 T0
o o o = +
2 2 2
1 s1 T1
o o o = + Dac p
0
(I) i p
1
(I) reprezint distribuii Gauss cu variana i respectiv
( )
D D
2
I I
1 1 D
1/ 0 1
1 1 1
I I I I 1 1
P p I dI exp dI erfc
2
2 2 2 to o o

(

= = =
(

} }
( )
D D
2
0 D 0
0 / 1 0
I I 0 0 0
I I I I 1 1
P p I dI exp dI erfc
2
2 2 2 to o o

(

= = =
(

} }
22.07.2014 38
2
z
2
erfcz e d

=
}
( )
D 0 1 D
D
1 0
I I I I 1
BER I erfc erfc
4
2 2 o o
| |

= +
|
|
\ .
D 0 1 D
1 0
I I I I
Q
o o

= =
0 1 1 0
D
0 1
I I
I
o o
o o
+
=
+
1 0
= o o
( )
D 1 0
I I I 2 = +
2
Q
2
1 Q 1
BER erfc e
2
2 Q 2t

| |
= ~
|
\ .
1 0 1 0
1 0
I I I I 1
Q RSZ
2 2 o o o

= ~ =
+
Fig.8-16 BER=f(Q) (8-54)