Sunteți pe pagina 1din 31

CURS_01

DISPOZITIVE
DISPOZITIVE
CIRCUITE
CIRCUITE
ELECTRONICE
ELECTRONICE
titular: Alexandru Lazar
alazar@etti.tuiasi.ro
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
DATE DESPRE DISCIPLINA
Tipul disciplinei: obligatorie
Nr. ore saptamanal: 2C+2L/2C+1L <EL/EN>
(Laboratorul se afla in corpul A Copou, sala I-15)
Forma de verificare : colocviu
Nr. credite: 4/4 <EL/EN>
Modalitati de examinare:
1. Examinarea final
-prob scris (10 subiecte) pondere:60%
2. Evaluare periodic
-5 probe scrise la laborator, din 2 in 2 sptmni
(rezolvare de probleme) pondere:20%
3. Evaluarea activitatii de laborator: pondere:20%
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
OBIECTIVELE DISCIPLINEI
Intelegerea structurii, funcionarii i modelarii
dispozitivelor electronice de baz.
Studiul circuitelor electronice analogice fundamentale -
principii de funcionare, analiz i proiectare.
Cunoaterea unor structuri specifice circuitelor integrate
analogice. nsuirea unor circuite de baza cu
amplificatoare operaionale.
Crearea abilitatilor de utilizare a aparaturii de baz din
laboratorul de electronic i a unor programe de simulare
a dispozitivelor i circuitelor electronice.
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
BIBLIOGRAFIE
[1] M. Florea, Dispozitive i circuite electronice,
Ed. Gh. Asachi, 1999
[2] Thomas L. Floyd, Dispozitive Electronice,
Ed. Teora, 2003; Prentice Hall, 2005
[3] R. Boylestad &L. Nashelsky, Electronic Devices and
Circuit Theory, PRENTICE HALL, 2006
[4] Donald A. Neamen, Electronic Circuit Analysis
and Design, McGraw-Hill, 2001
[5] A. Sedra, K. Smith, Microelectronic Circuits,
Oxford University Press Inc., 2004
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
CONVENTII DE NOTARE A
SEMNALELOR
V
BE v
BE
(t
1
)
v
be
(t
1
)
V
be
t
1
t
v
BE
0
v
be
) t ( v V ) t ( v
1 be BE 1 BE
+ =
) t sin( V ) t ( v
be be
=
a) litere mari i indici litere mari,
V
B
, I
C
, U
CE
, V
BE
, E
CC
, I
EE
=
mrimi continue i valori medii
ale mrimilor variabile (indice
dublu = sursa de alimentare).
b) litere mici i indici litere mici,
i
c
, v
be
,v
b
= valori instantanee ale
mrimilor pur variabile
(excluznd componentele
continue).
c) litere mici i indici litere mari,
i
C
, v
BE
, v
B
= mrimi totale,
componenta continu plus
componenta variabil.
d) litere mari i indici litere mici,
V
e
, I
b
, V
b
= amplitudini sau valori
efective complexe ale mrimilor
alternative.
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
CONVENTII PENTRU
ELEMENTELE DE CIRCUIT
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
RELATII SI TEOREME UTILIZATE
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
DIVIZOR DE TENSIUNE
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
DIVIZOR DE CURENT
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
METODA SUPRAPUNERII EFECTELOR
2
01
1 2
13, 2
S
R
V V V
R R
= =
+
1 2
02
1 2
7, 5
S
R R
V I V
R R
= =
+
0 01 02
5, 7 V V V V = + =
The current through, or voltage across, an element in a linear
bilateral network is equal to the algebraic sum of the currents
or voltages produced independently by each source.
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
TEOREMA LUI THEVENIN
(Teorema generatorul echivalent de tensiune)
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
TEOREMA LUI NORTON
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
TEOREMA LUI MILLMAN
(POTENTIALE LA NODURI)
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
1.1 STRUCTURA ATOMULUI
Cea mai mic particul dintr+un element,
care pstreaz proprietile acelui element
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
ISTORIC
ISTORIC
Termenul de atom apare pentru prima dat ctre anul 450 .e.n.
Filozoful grec Leucip dezvolt teoria conform creia materia nu
este infinit divizibil i introduce noiunea de atomos, ceea ce nu
poate fi divizat. Civa ani mai trziu, Democrit, un discipol al lui
Leucip, definete materia ca fiind un ansamblu de particule
indivizibile, invizibile i eterne: atomul. Aceast nou concepie
nu a fost rezultatul unor observaii sau experiene, ci mai
degrab al unor intuiii. Teoria a fost dezvoltat ulterior de Epicur,
apoi de poetul latin Lucreiu. Au trecut ns 2000 de ani pn
cnd teoria atomic a fost formulat tiinific.
n anul 1803, fizicianul i chimistul englez John Dalton a elaborat
o teorie atomic proprie care explic Legea proporiilor multiple,
afirmnd c din moment ce substanele se combin numai n
proporii integrale, atomii trebuie s existe la baza materiei.
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
MODELUL PLANETAR-BOHR
Numrul Atomic=numrul de protoni coninut de nucleu
La atomii neutrii electric, numrul de protoni i electroni este
egal
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
PATURI ELECTRONICE SI ORBITE
Energiile corespunztoare electronilor sunt
mrimi discrete i cresc odat cu distana
fa de nucleu
Electronii graviteaz pe orbite (nivele
energetice) ce sunt grupate in pturi
energetice, notate cu K,L,M,N,etc.
In ficare ptur sunt un numr bine definit
de nivele energetice ce pot fi ocupate (Ne=2;
8; 18; 32; etc)
Electronii din ultima ptur sunt electronii
de valen ce sunt slab legai, sunt implicai
in reaciile chimice i determin
proprietile electrice ale substanelor
Utilizarea modelului echivalent de benzi
energetice
Ionizarea =procesul de captare sau pierdere
a unor electroni din BV datorit micorrii
sau creterii energiei energiei ecestor
electroni.
2
e
n 2 N =
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
TABELUL LUI MENDELEEV
Numrul atomic i numrul electronilor de
valen determin poziia n tabel
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
SEMICONDUCTOARE,CONDUCTOARE
SI IZOLATOARE
Energia electronului este 0 n afara atomului
La conductoare cmpul electric este mai puin
intens n zona Benzii de Valen
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
CARACTERIZAREA CONDUCTIBILITATII MATERIALELOR
(REZISTIVITATEA SI BANDA INTERZISA)
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
SILICIU SI GERMANIU
(STRUCTURA & LEGATURI COVALENTE)
Structura atomica
Forma cristalizare
Reprezentare
conventionala
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
SARCINI ELECTRICE
IN SEMICONDUCTOARELE INTRINSECI
T=0K el in BV
T>0K apar perechi
electron-gol
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
CONDUCTIA ELECTRICA IN
SEMICONDUCTOARE
Curenti de drift E
Curenti de difuzie ~
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
SEMICONDUCTOARE
EXTRINSECI TIP N
Dopare
Extrinseci n
Extrinseci p
Nd -donori
Na -acceptori
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
SEMICONDUCTOARE
EXTRINSECI TIP P
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
JONCTIUNEA PN
NEPOLARIZATA
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
MARIMI ELECTRICE IN
JONCTIUNEA PN NEPOLARIZATA
PN abrupta si regiunea de trecere complet saracita
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
JONCTIUNEA PN
POLARIZATA INVERS
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
CONCENTRATIA PURTATORILOR
LA POLARIZARE DIRECTA
x
p
n0
n
p0
-W
1
W
2
0
p
n
(
W
2
)
n-region
p-region
L
p
diffusion
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
CONCENTRATIA PURTATORILOR
LA POLARIZARE INVERSA
x
p
n0
n
p0
-W
1
W
2
0
n-region
p-region
diffusion
ETTI IASI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE
JONCTIUNEA PN
POLARIZATA DIRECT