Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie

Capitolul 3 Tranzistorul bipolar

1. Introducere
2. Procese fizice
3. Ecuaii de funcionare
4. Caracteristicile statice ale TBIP
5. Modelul Early
6. Circuitul echivalent Giacoletto
7. Parametrii de cuadripol ai TBIP
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie

1. Introducere

Semiconductor eterogen dotat cu impuriti astfel nct se formeaz
dou jonciuni pn:

p n p n p n

- regiunea din mijloc foarte ngust
p
L d << , ordin de mrime: 1 , 0 .
- regiuni laterale emitor, colector
- mult mai dotate
- de acelai tip
- au proprieti electrice i fizice diferite (prin dotri
diferite i prin dimensiuni diferite).

Procedee de fabricare: - aliere
- difuzie profilul i adncimea zonei difuzate pot
fi controlate prin concentraia de impuriti, prin temperatura de difuzie i
prin durata procesului de difuzie.













Regimurile de lucru se stabilesc dup modul de polarizare a celor 2
jonciuni:
jonciunea EB jonciunea CB
- regiunea activ normal (RAN) direct invers
- regiunea de saturaie (SAT) direct direct
- regiunea de blocare (BL) invers invers
- regiunea activ invers (RAI) invers direct

1
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie
2

Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie
2. Procese fizice














Tranzistorul este de tip P+NP+, funcionnd n RAN.
Fenomene fizice:
a) jonciunea EB este polarizat direct: golurile din emitor trec n
baz, dar , puine goluri se recombin, cele mai multe ajung la
colector; acesta este polarizat invers, este un cmp electric puternic care
favorizeaz trecerea golurilor n colector.
p
L d <<
- goluri injectate de emitor colectate de colector
) 0 ( ) (
P r P
i i w i = +
- w este grosimea efectiv a bazei, d w<
Se definete: factorul de transport n baz:
1
) 0 (
1
) 0 (
) (
= =
P
r
P
P
t
i
i
i
w i

b) jonciunea EB este polarizat direct: circul un curent de electroni
local datorat difuziei electronilor din baz n emitor. Deoarece baza este
mult mai puin dopat cu impuriti dect emitorul, curentul de electroni va
fi mult mai mic dect curentul de goluri:

n P E
i i i + = ) 0 (
Se definete: eficiena emitorului:
1 1
) 0 (
= =
E
n
E
P
i
i
i
i

c) jonciunea CB este polarizat invers: exist un curent local al
jonciunii (ca la dioda polarizat invers), .
inv
i
2 3
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie

Concluzii: tensiunea mic de pe jonciunea EB impune cureni de
colector a cror valoare nu depinde, practic, de tensiunea de pe jonciunea
CB; dispozitivul se comport la ieire ca o surs de curent mrime de
ieire (curent) comandat de o mrime de intrare (tensiune) tranfer
resistor transistor.

2 4
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie

3. Ecuaii de funcionare

Ipoteze simplificatoare
- model unidimensional;
- concentraii constante de impuriti;
- grosimile zonelor neutre ale E i C >>lungimile de difuzie;
- nivele mici de injecie (conc. purttori injectai <<conc. maj.);
- se neglijeaz fenomenele de generare-recombinare n regiunile de
trecere;
- se presupune absena altor ageni externi;
- tranzistor PNP n RAN;
- se neglijeaz regiunea de trecere EB.
n p p p
n p p L d >> <<
'
, ,











Condiii la limit (de tip Shokley):

) ( ) ( ; ) (
) 0 ( ) ( ; ) (
3
'
4
2 1
w p e p l p e n l n
p e p l p e n l n
kT
C
qu
n
kT
C
qu
p
kT
E
qu
n
kT
E
qu
p
= =
= =

Etapa I:
Se neglijeaz curentul de recombinare din baz curentul de goluri
din baz este constant
. ) 0 ( ) ( ct j
dx
dp
qD x j
p p p
= = = sau:
p
p
qD
j
dx
dp
) 0 (
=
Se integreaz:
x
qD
j
C x p
p
p
) 0 (
) ( = cu condiiile:
) ( ) (
) 0 ( ) ( 0
w p x p w x
C p x p x
= =
= = =

5
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie

x
qD
j
p x p
p
p
) 0 (
) 0 ( ) ( = (variaie liniar);








Se calculeaz: w
qD
j
p w p
p
p
) 0 (
) 0 ( ) ( = i rezult:
[ ] ) ( ) 0 ( ) 0 ( w p p
w
qD
j
p
p
= sau:

=
kT
C
qu
kT
E
qu
n p
p
e e
w
p qD
j ) 0 (
Pentru RAN:
q
kT
u u
C C
>> < , 0
kT
E
qu
n p
p
e
w
p qD
j = ) 0 (
Semnificaia lui : w

( )
'
'
'
0
2
p n
p n
C
p n
p n
q
u U
d l d w
+

=


Se observ c dac w u
C
efect de modulaie a grosimii bazei
(ceea ce duce la ideea de reacie intern n tranzistor).

Etapa II:
Se calculeaz curentul de recombinare pornind de la ecuaia de
continuitate, n regim staionar:
0
) (
1
=

dx
x dj
q
p p
t
p
p
p
n

sau:
[ ] 0
) (
) ( = +
dx
x dj
p x p
q
p
n
p

Se integreaz pe toat lungimea bazei:

[ ] 0 ) ( ) (
0 0
= +

w
p
w
n
p
x dj dx p x p
q

Dar:
6
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie

Rezult:
r p p
w
p
j j w j x dj = =

) 0 ( ) ( ) (
0

[ ]
[ ] = =
=

= =

2
0 0
) 0 (
2
1
) 0 (
) 0 (
) 0 ( ) (
w
qD
j
q
w p p
q
dx x
qD
j
p p
q
dx p x p
q
j
p
p
p
n
p
w
p
p
n
p
w
n
p
r



=

kT
C
qu
kT
E
qu
n p
p
n
kT
E
qu
n
p
e e
w
p qD
qD
w
p e p
qw
2
1

+ =
kT
C
qu
kT
E
qu
kT
E
qu
p
n
e e e
qwp
2
1
2
1
1

Rezult:

+ = 2
2
kT
C
qu
kT
E
qu
p
n
r
e e
w qp
j

Pentru RAN:
kT
E
qu
p
n
r
e
D
w qp
j
2
.
Etapa III:
- curentul local de electroni la jonciunea emitor-baz:

= 1 ) 0 (
kT
E
qu
n
p n
n
e
L
n qD
j
Etapa IV:
- curentul propriu la jonciunea colector-baz (ca la o jonciune PN
polarizat invers, dar cu zona P subirew):

+ = 1
'
' '
kT
qu
n
p n n p
co
C
e
L
n qD
w
p qD
j (colectorul este dopat
diferit cu impuriti n comparaie cu emitorul);

+ =
'
' '
n
p n n p
co
L
n qD
w
p qD
j pentru RAN
(pentru s-a luat semnul corelat cu semnul curentului de colector).
co
j
7
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie

Dac A este aria seciunilor transversale ale jonciunilor, curenii vor
fi:

(0) (0)
E p n
i A j j = +


( ) (0)
C p co p r
i A j w j A j j j = + = +

co

[ ]
(0)
B n r co E
i A j j j i i = + =
Determinarea parametrilor tranzistorului:
a) factorul de injecie al emitorului (eficiena emitorului):

n p
p n
n
kT
C
qu
kT
E
qu
n p
kT
E
qu
n
p n
p
n
n p
p
E
p
p D
n D
L
w
e e
w
p qD
e
L
n qD
j
j
j j
j
i
i
+

+
=
=
+
=
+
= =
1
1
1
1
1
) 0 (
) 0 (
1
1
) 0 ( ) 0 (
) 0 ( ) 0 (

Dar:
p
p
i
p p p
n
n
i
n n n
D
kT
q
n
n
q qp
D
kT
q
p
n
q qn
2
2
= =
= =



p
n
n p
p n
p D
n D

=
Rezult:

p
n
n
L
w

+
=
1
1
1
- baza mai slab dopat dect emitorul,
p n
<<
- baza ct mai ngust,
n
L w <<
b) factorul de transport:
8
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie


kT
C
qu
kT
E
qu
kT
C
qu
kT
E
qu
p
kT
C
qu
kT
E
qu
n p
kT
C
qu
kT
E
qu
p
n
p
r
p
r p
p
p
p
p
t
e e
e e
L
w
e e
w
p qD
e e
w qp
j
j
j
j j
j
w j
i
w i

+
=
= =

= = =
2
2
1
1
2
2
1
) 0 (
1
) 0 (
) 0 (
) 0 (
) (
) 0 (
) (
2

Rezult, pentru RAN:
2
2
1
1

p
t
L
w
1
p
L w<<
Se observ:

co E o co E t co p t co p C
i i i i i i i w i i + = + = + = + = ) 0 ( ) (
- relaia fundamental a tranzistorului.

2 2
0
2
1
1
2
1
1
1
1

p p
n
n p
p
n
n
L
w
L
w
L
w
L
w

0
este factorul de curent al tranzistorului n conexiunea BC. Valorile tipice
sunt apropiate de 1 dar mai mici dect 1.
9
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar

4. Caracteristicile statice ale TBIP

a) caracteristicile statice (n general)










* caracteristica de transfer o mrime de ieire n funcie de o
mrime de intrare: - sau cu parametru sau ) (
0 i
v v ) (
i o
v i
i
i
- ) ( sau cu parametru ;
0 i
i v ) (
i o
i i
i
v
* caracteristica de ieire o mrime de ieire n funcie de cealalt
mrime de ieire cu parametru o mrime de intrare:
- ) ( cu parametru sau sau
o o
v i
i
i
i
v
- ) ( cu parametru sau ;
o o
i v
o
v
i
i
* caracteristica de intrare o mrime de intrare n funcie de cealalt
mrime de intrare cu parametru o mrime de ieire:
- ) ( cu parametru sau ;
i i
v i
o
v
o
i
- ) ( cu parametru sau .
i i
i v
o
v
o
i

b) caracteristicile statice ale TBIP n conexiunea BC








b1) caracteristica de ieire
.
) (
ct i
C C C
E
u i i
=
=
Relaii:
co E o C
i i i + =
10
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar

+ = 1
'
' '
kT
qu
n
p n n p
co
C
e
L
n qD
w
p qD
A i

2
0
2
1
1
1
1
p
p
n
n
L
w
L
w

- pentru , 0 =
E
i

= 1
kT
qu
co C
C
e i i :
- pentru 0 =
C
u , 0 =
C
i
- pentru 0 <
C
u .
0
ct i i
c C
= =

- pentru , mA i
E
1 =

= 1 1
0
kT
qu
co C
C
e i i :
- pentru 0 <
C
u
co C
i i + = 1
0

- anularea lui se face pentru
C
i 0 >
C
u
- pentru , mA i
E
2 =

= 1 2
0
kT
qu
co C
C
e i i (n mA):
- pentru 0 <
C
u
co C
i i + = 1
0

- anularea lui se face pentru , dar la o valoare
cu puin mai mare dect n cazul precedent;
C
i 0 >
C
u
- pentru , mA i
E
3 =

= 1 3
0
kT
qu
co C
C
e i i (n mA):
- pentru 0 <
C
u
co C
i i + = 1
0

- anularea lui se face pentru , dar la o valoare
cu puin mai mare dect n cazul precedent;
C
i 0 >
C
u




11
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar

Observaii:
- caracteristici aproape orizontale, abaterea provenind de la variaia lui
i a lui
co
i
0
cu tensiunea prin intermediul lui ;
C
u w
- caracteristici aproape echidistante la creteri egale ale curentului de
emitor provenind de la variaia lui
0
cu curentul de emitor (colector);
- anularea curentului de colector se face pentru tensiuni de colector
pozitive, mici i foarte apropiate ca valoare pentru diferite valori ale
curentului de emitor.

Regimuri de funcionare:
- regiunea de blocare (tiere), pentru 0
E
i ;
- regiunea activ normal;
- regiunea de saturaie.
b2) caracteristica de ieire
.
) (
ct u
C C C
E
u i i
=
=
Relaii:

co
kT
qu
co
kT
qu
n p
co E o C
i e
w
ct i e
w
p qD
A i i i
E E
+ = + = + =
0
0
.

Observaii:
- caracteristicile nu sunt echidistante;
- panta caracteristicilor este mai mare (w apare i explicit la numitor i
el scade cnd tensiunea de colector crete n modul);
- anularea curentului se face tot pentru valori pozitive ale lui .
C
u
.
) (
ct u
E E E
C
u i
=
i = b3) caracteristica de intrare
Relaii:
kT
qu
n p
kT
qu
kT
qu
n p
E
E C E
e
w
p qD
A e e
w
p qD
A i

= (pentru RAN)
12
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar









Observaii:
- caracteristica exponenial;
- pentru , caracteristica trece prin origine; 0 =
C
u
- influena lui este mic, prin intermediul lui w;
C
u
b4) caracteristica de transfer ) (
E C C
i i i = sau ) (
E C C
u i i =
Relaii:

co E o C
i i i + =







Observaii:
- practic, paralel cu prima bisectoare;
- la cureni mari,
0
scade.
b5) influena temperaturii asupra caracteristicilor statice:












13
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar

Observaii:
- caracteristicile se deplaseaz ctre stnga sus, PSF se apropie de
zona de saturaie.

b6) aproximarea caracteristicilor (model n curent continuu)

Desen - vezi verso dou desene
Observaii:
- la intrare, tranzistorul poate fi modelat n cea mai simpl form cu o
tensiune de prag, , cu valori tipice de 0,2 V pentru Ge i 0,6 V pentru Si;
curentul de emitor este stabilit de circuitul exterior;
D
V
- n colector, tranzistorul este modelat printr-un generator de curent
comandat de curentul din emitor; de cele mai multe ori se folosete
egalitatea , care presupune c pentru factorul de curent
E C
i i
0
se ia
valoarea 1.

c) caracteristicile statice ale TBIP n conexiunea EC









c1) caracteristica de ieire
.
) ' (
ct i
C C C
B
u i i
=
=
Relaii:

co E o C
i i i + =

B C E
i i i + =
Se elimin i rezult:
E
i
14
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar

15

Capitolul 3 Tranzistorul bipolar


ceo B C
i i i + =
0
cu
0
0
0
1

= (factorul de curent al
tranzistorului n conexiune EC) i
0
1
=
co
ceo
i
i .









Observaii:
- caracteristicile au panta mai mare deoarece
0
depinde mai puternic
de prin intermediul lui :
E C c
u u u =
'
w
p
n
n p
p
n
n p
p
n
n p
L
w
L
w
L
w
L
w
L
w
L
w

=
2
2
2
0
0
0
2
1
1
2
1
1 1
2
1
1
1

- caracteristicile trec printr-un punct foarte apropiat de origine;
- caracteristicile nu sunt echidistante deoarece dependena de curentul
de colector a factorului de curent n conexiune EC este mai mare dect n
cazul conexiunii BC.

c2) caracteristica de ieire
. '
) ' (
ct u
C C C
B
u i i
=
=
Relaii:
co
kT
qu
n p
co
kT
qu
n p
co E C
i e
w
p qD
A i e
w
p qD
A i i i
B E
+ = + = + =

'
0 0 0

B C E C c
u u u u u '
'
+ = =


16
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar









. '
) ' ( '
ct u
B B B
C
u i
=
i = c3) caracteristica de intrare
Relaii:
( )
co E co E E C E B
i i i i i i i i = = =
0 0
1

p
n
n p
L
w
L
w

=
2
0
2
1
1 (puternic influenat de )
C
u'









Observaii:
- carateristicile nu trec prin origine;
- tensiunea are o influen mic.
C
u'
c4) caracteristica de transfer ) (
B C C
i i i = , parametru ;
C
u'
Relaii:

co B C
i i i + =
0









17
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar

Observaii:
- influen mai mare a tensiunii de colector prin intermediul lui
care determin o variaie mai puternic a lui
w
0
.
c5) Dependena de temperatur a caracteristicilor statice
c6) Valori uzuale pentru
0

o
(0.95 - 0.995) i (20 -300);
c7) Aproximarea caracteristicilor statice:









- la intrare, tranzistorul poate fi modelat n cea mai simpl form cu o
tensiune de prag, , cu valori tipice de 0,2 V pentru Ge i 0,6 V pentru
Si; curentul de baz este stabilit de circuitul exterior;
BE
V
- n colector, tranzistorul este modelat printr-un generator de curent
comandat de curentul din baz; de cele mai multe ori se folosete egalitatea
, care presupune c relaia pentru curentul de colector devine:
E C
i i
B C
i i
0
= prin neglijarea curentului rezidual, .
co
i

18
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie

5. Modelul Early

Tranzistorul este utilizat pentru prelucrarea semnalelor variabile.
Semnalele variabile se aplic n serie cu tensiunile de polarizare - ca
urmare, se vor modifica curenii, deci i tensiunile pe rezistena de sarcin.
n cazul general, semnalul variabil se suprapune peste regimul de
curent continuu.
Tranzistorul element neliniar adic relaiile dintre tensiuni i
cureni sunt neliniare. Liniarizarea se poate face n condiii de semnal mic.









Definiie: factor de amplificare n curent:
0
1
2
2
=

u
i
i

- pentru conexiunea BC:
. ct u
E
C
C
i
i
=

=
- pentru conexiunea EC:
. '
'
ct u
B
C
C
i
i
=

=
- pentru conexiunea CC:
. ' '
' '
ct u
B
E
C
i
i
=

=
Conexiunea BC:








18
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie


Relaii:

co E C
i i i + =
0
rezult, prin derivare:

+ =

+ =
= =
=
. .
0
0
.
0
0
ct u
E
E
ct u
E
E
ct u
E
E
E
C
C C
C
di
du
du
d
i
di
d
i
di
di

Deoarece:
kT
qu
n p
E
E
e
w
p qD
A i = ,
E
PSF
E
E
I
kT
q
du
di
=

deci:

.
0
0
.
0
0
1
ct u
E E
ct u
E
E
C C
du
d
q
kT
I q
kT
du
d
I
= =
+ = + =

Deoarece n RAN depinde puin de (prin W), rezult:
0

E
u
0
.
Dependena
0
de PSF:







variaia lui
0
cu curentul de colector (emitor) determinat de:
- generarea de purttori electroni-goluri din zona de trecere ( );
- efecte la nivel mare de injecie (
t
).

Conexiunea EC:







Relaii: =

=
= . '
'
ct u
B
C
C
i
i

19
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie

= = + = + =
1
E C B C E B C E
i i i i i i i i
Factor de amplificare n regim variabil n conexiunea EC:
e
h
21
= .
Variaia lui cu curentul de emitor (colector) este mult mai puternic
dect n cazul conexiunii BC.

Conexiunea CC: nu prezint elemente importante din punct de vedere al
regimului static de funcionare; referirile se fac la conexiunea EC.


Modelul Early:

Condiii: semnale variabile mici;
regim staionar.
a) circuitul de intrare
) , (
C E E E
u u i i =
Se difereniaz n jurul unui PSF, ( )
C E C E
I I U U M , , ,

C
M
C
E
E
M
E
E
E
u
u
i
u
u
i
i

=

K
u
i r u
u
i
u
i
i
u
i
u
C
E en C
M
C
E
M
E
E
E
m
E
E
E

+ =

=
1 1

Se deseneaz sub forma unui circuit electric:









20
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie

Observaii:
- : rezistena natural a emitorului:
en
r

kT
qu
n p
E
E
e
w
p qD
A i = (pentru RAN: , 0 <
C
u
q
kT
u
C
>> )
E
M
kT
qu
n p
E
E
I
kT
q
e
kT
q
w
p qD
A
u
i
E
= =

Rezult:
E E
M
E
E
en
I I q
kT
u
i
r
026 , 0 1 1
= =

= (valoare mic)
- K : coeficientul de modulaie a grosimii bazei:

M
C
E
M
C
kT
qu
n p
M
C
E
u
w
w
I
u
w
w
e p AqD
u
i
E

1 1
2


M
C
E
M
C
E
M
C
E
M
E
E
u
w
w q
kT
I
u
w
w
kT
qI
u
i
u
i
K

=
1
1
1

(reprezint influena ieirii asupra intrrii prin intermediul grosimii efective
a bazei reacia intern n tranzistor).

( )
'
0
'
0
'
'
'
0
1
2
U
u
l d
p n
p n
q
u U
d w
C
p n
p n
C
=
+

'
0
'
0
'
0
1
1
2
U
U U
l
u
w
C
M
C

Valori tipice pentru K:
5 3
10 10 .
b) circuitul de ieire
Relaia:
) ( ) , (
0 0 0 0 C c E C E c E C
u i i u i i i i + = + =
21
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie

Se difereniaz:

C
M
C
c
C
M
C
E E
M
E
E E C
u
u
i
u
u
i i
i
i i i

+ =
0 0 0
0



C
M
C
c
M
C
E E
M
E
E C
u
u
i
u
i i
i
i i

+ =
0 0 0
0


Se poate scrie sub forma:

C cn E C
u g i i =
Se deseneaz sub forma unui circuit electric:










Observaii:
- factor de amplificare n curent n conexiunea BC
- conductana natural a emitorului dependena de PSF:
cn
g

2 2
0
2
1
1
2
1
1

=
p p
n
n p
L
w
L
w
L
w

( )
C C p C p p C
u
w
w u
w
w L
w
u
w
L
w
L u

1
1 2
1
2
1
2
1
2
2
1
0
2
0

( )
M
C
E c
M
C
E
M
C
c
cn
u
w
w
I g
u
i
u
i
g

+ =

=
1
1 2
0 0
0 0

22
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie

( )
( )
en
c
M
C
E c cn
Kr
g
kT
q
q
kT
u
w
w
I g g
0
0 0 0
1 2 1
1 2

+ =

+ =
Se obin valori mici pentru conductana natural a emitorului -
S
7 6
10 10

- ceea ce confer TBIP caracterul de generator de curent i n
regim dinamic.
Pentru semnale rapid variabile, intervin elementele capacitive:









Se adaug i rezistena distribuit a bazei,
' bb x
r r = :










Pentru circuitul Early elementele de circuit depind i de frecven, ceea face
dificil utilizarea lui.

Capacitile tranzistorului

La jonciunea emitor-baz polarizat direct capacitatea de difuzie
este mai important dect capacitatea de barier; la jonciunea colector baz
polarizat direct conteaz ambele componente, mai important fiind,
totui, capacitatea de barier.

bc dc c be de e
C C C C C C + = + =
Capacitile de barier ca la jonciunea PN:
23
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie


0
0
1
U
U
C
C
E
be
be

=
'
0
0
1
U
U
C
C
C
bc
bc

=
Capacitatea de difuzie este determinat de variaia sarcinii purttorilor
mobili de sarcin din baz la variaii ale tensiunii emitor baz respectiv
colector-baz.










- condiii la limit de tip Shockley:

kT
qu
n
kT
qu
n
C E
e p w p e p p = = ) ( ; ) 0 (
Cantitatea total de sarcin:

kT
qu
n
kT
qu
kT
qu
n
w w
d d
E C E
e qAwp e e qAwp
w p p
qAw dx x qAp dQ Q
2
1
2
1
2
) ( ) 0 (
) (
0 0

+ =
=
+
= = =


Capacitatea de difuzie la jonciunea emitor-baz:

E
p
kT
qU
n
M
E
d
de
I
kT
q
D
w
e
kT
q
qAwp
du
dQ
C
E
2 2
1
2
= = =
Capacitatea de difuzie la jonciunea colector-baz:

K
C
K kT
qI
K D
w
D
w
kT
q
u
w
w q
kT
e
w
p qD
A
u
w
e qAp
du
dQ
C
de E
p p
M
C
kT
qU
n p
M
C
kT
qU
n
M
C
d
dc
E
E
= =

=
=

= =
1
2
1
2
1
2
1
2 2

24
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie


6. Circuit echivalent Giacoletto

Este un model pentru care parametrii nu depind de frecven pn la o
valoare foarte mare a acesteia ( ).

f 5 , 0 <
Se deduce din modelul Early:

C cn E E
C
E en E
u g i I
K
u
i r u
=

+ =

Prima relaie se scrie:

en
C
en
E
E
Kr
u
r
u
i

= sau:

en
C E
E
en
E
en
E
Kr
u u
u
r
K
u
r
i

+

=
1
1

care se scrie sub

forma:

o
C E
E
en
E
E
r
u u
u S
r
u
i

+ +

=
Analog, relaia a doua se scrie:

C
en
cn
en
C E
en
C cn
en
C
en
E
C cn C C
u
Kr
g
Kr
u u
r
K
u g
Kr
u
r
u
u g i i

=
=

= =

1
1
sau:

r
u
r
u u
u S i
C
o
C E
E C

+ =

Se deseneaz, sub forma unui circuit electronic, cele dou relaii:






25
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie

Interpretarea parametrilor (n ordinea importanei):
*
C C o
en
o
en en
I I
kT
q
r r r
K
S 40
1
=

S este panta tranzistorului, n
V
mA
, pentru n mA );
C
I
V
mA
S 40 =
pentru . mA I
C
1 =
*
S S
r
r
en

=
1
1 1

(reprezint curentul local al jonciunii EB, valori tipice de k pentru de
ordinul mA)
C
I
- se pune n eviden relaia:
o
Sr

=
*
C
en o
qI
kT
K
S
K Kr r =


(reprezint reacia intern a tranzistorului, valori tipice de )
dependent de PSF i de frecven;

5 4
10 10
*
en
co cn
en
cn
Kr
g S
K
g
Kr
g
r

+ =

=
1 1 1 1 1

(dependent de PSF i de frecven, valori tipice pentru de

r 10 10
6
)
* rezistena distribuit a bazei, valori tipice zeci sute .
x
r
Schema se poate desena i pentru conexiunea EC.








Schema simplificat pentru frecvene joase




26
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie



Schema simplificat pentru amplificare mic






Schema simplificat pentru frecvene nalte
27
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie

7. Parametrii de cuadripol

Din punct de vedere dinamic, tranzistorul poate fi caracterizat printr-
un model matematic prin care se iau n considerare relaiile dintre mrimile
de intrare (curent, tensiune) i mrimile de ieire (curent, tensiune) ale
acestuia considerat ca un cuadripol.







- mrimi de intrare: - curentul de intrare,
i
I
- tensiunea de intrare,
i
U
- mrimi de ieire: - curentul de ieire,
0
I
- tensiunea de ieire,
0
U
Relaiile dintre cele patru mrimi determin seturi de parametri
- mai importani
- parametrii y (pentru analiza circuitelor funcionnd la frecvene
mari)
- parametrii h (pentru analiza circuitelor funcionnd la frecvene
mici).
Parametrii h se pot msura n cele mai bune condiii: scurt circuit la
ieire (sarcina format dintr-o capacitate mare) i ntrerupere la intrare
(comand prin generator de curent).
Deducerea parametrilor h din parametrii circuitului echivalent
Giacoletto pentru conexiunea EC:









28
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie

Parametrii h se deduc pornind de la definiie:


r r r r r Z Z r
I
U
h h
x x x
i
i
i
+ + = + == = =
11

- valori tipice: k (pentru cureni de ordinul mA);
- dependent de PSF (prin
C
qI
kT
r
0

= );
- are importan la cureni mari;
x
r
- la frecvene mari intervine i o dependen de frecven;

=
+

=
+

= = =
=
Sr
r r
r
S
Z
u
Z
u
Z
u
Su
I
I
h h
e b e b
e b
e b
U
f
1 1
1
' '
'
'
0
1
2
21
2

- principalul parametru dinamic al tranzistorului;
- numeric, practic egal cu parametrul static
0
;
- valori tipice: ; 300 50
- relaia

= Sr permite determinarea parametrului dac se

cunoate curentul din PSF;
i
h
- se poate pune n evidena panta tranzistorului:

i
x
i
f
x i
f f
h
r
h
h
r h
h
r
h
r
S

= = =
1
1

r
r
Z
Z
Z Z
Z
U
U
h h
i
I
o
i
i
=
+
= = =
12

- valori tipice;
5 4
10 10


- dependent de PSF;
- dependent de frecven.
29
Capitolul 3 Tranzistorul bipolar notie

r r r
Sr
r
U
Z Z
Z
S
Z Z r
U
U
I
h h
o o
o
o
o
I
o
o
o
i
+
+ =
+
+ =
=

+
+
+
+
= = =
=
1 1 1 1
1 1
0
22

- valori tipice: S
5 4
10 10

;
- dependent de PSF i de frecven.

Schema cu parametrii h simplificai (prin neglijarea lui h
12
i h
22
)
30