108

Capitolul 4. Materiale semiconductoare

Mat erial el e semiconductoare se caract erizeaz pri n conducti bilit i
el ect ri ce cupri nse ntre limit el e:
5 8
10 10 =

o [S/m] la temperat ura mediului

ambi ant .
Mat erial el e semiconductoare el ement are sunt : carbon, sili ciu, germani u,
staniu, bor, fosfor, arsen, stibiu, sul f, sel eni u, t elur i iod, i ar cel e compuse sunt
de ordinul sut elor, cel e mai frecvent utili zate fii nd: gali u-arsen, sol ide de indiu
arsen. Di n punct de vedere al legt uril or int eratomi ce (vezi a nexa 3. 3),
semi conductorii se pot clasifi ca n:
- semi conductori cu l egtura coval ent , direci onal , real izat pri n asoci erea a
doi el ectroni cu spini antiparal eli proveni i de l a 2 atomi nvecinai, cum sunt :
Si, Ge, Sn, S, Se i Te;
- semi conductori cu l egt ura hi bri d, cum sunt: solui ile solide al e indi ului cu
arsen i GaAs. Cu ct gradul de ioni cit ate subunit ar est e mai ri di cat , cu
at t legt ura are un caract er ioni c mai pronun at, iar mat eri al ul are o
comportare di el ect ri c, mai pronun at.

4. 1. Procedee de obinere i purifi care a material elor semi conductoare [Ct]

Pent ru obinerea mat eri al elor semi conductoare monocrist ali ne, se utilizeaz
procedee de cret ere din topit ur n i nci nte nchi se. Inci ntel e nchise sunt
utilizat e pent ru creterea monocrist al elor de dimensiuni mari, evit ndu-se ast fel
impurifi carea accident al . Inci ntele deschi se sunt utilizat e pentru obinerea
monocrist al elor de dimensiuni rel ati v reduse, t ransportul de subst an
efectundu-se prin intermediul unui gaz.
n fi g. 4. 1 este reprezent at o inst alaie de cretere a monocrist al elor di n
topitur n atmosfer reduct oare de hidrogen, dup metoda Csochralsky.
Procesul est e inii at cu aj utorul unui germene monocrist ali n, care se coboar n
topitur, se t opet e pari al i se extrage apoi t reptat din topitur cu viteze
cuprinse nt re 1-2mm/min. Procedeul se bazeaz pe exist ena unui gradi ent de
temperatur i pe migrarea moleculel or din st area l ichid ctre cristal , datorit
rci rii, ent ropi a fii nd mai ridi cat n cri stal . Semi conduct orul topit cri stal izeaz
pe germene i repet st ructura acestui a, obinndu-se n final o bar
monocrist alin ce are st ruct ura crist alin identi c cu struct ura germenului.
Metoda de cret ere epit axial a mat eri alelor semiconductoare presupune
existena unui subst rat suport monocristalin, tiat dup un plan crist alografic
prest abili t. Transportul de substan are loc din faza gazoas, lichid, sau solid
pri n evaporare. Gradul de purit at e i de uniformitate a st rat ului depus epit axial,
est e mai ri dicat dect al suportului. Prin aceast metoda pot fi crescut e i
straturi cu compozi ie chimi c diferit de cea a substrat ului, cu condii a ca
struct uira strat ului depus s ai b o const ant a re el ei care s difere cu cel mult
1% fa de const anta re el ei substrat ului suport pentru ca s nu induc
anizot ropi e prin t ensi une, perpendicular pe suprafa a de cret ere a
monocrist alul ui.
Pent ru ob inerea unui grad ridi cat de puritate a materi al elor
semi conductoare, sau concent raii de impuri t i cupri nse sub limitel e 10
10
10
12

cm
- 3
, se utilizeaz metode fizi ce care se bazeaz pe redi stribuia impurit ilor l a
suprafaa de separai e ntre faza lichid i soli d.

109
n fi g. 4. 1. a est e reprezent at o i nst alai e de puri fi care pri n topi re zonar
simpl . Bara di n mat eri al semi conduct or fixat la capet e, est e plasat nt r -un t ub
de cuar vidat. Prin intermedi ul unei rezi stene de nclzi re mat eri alul se topet e
local, realizndu-se dou i nterfe e li chid sol id.
Concentrai a de impurit i N
S
, din faza solid difer de concentrai a de
impurit i N
l
, din faza li chi d. Pent ru coefi ci eni de segregai e N
S
/N
l
>1,
impurit il e mi greaz din faza soli d n cea li chid, sau i nvers dac N
S
/N
l
<1.
Pent ru coefi ci eni de segregai e unit ari, met oda de puri fi care est e inefi ci ent .
Rezist en a de nclzire se deplaseaz de-a lungul inci ntei cu o vitez de 0, 5 pn
la 5mm/min.

















(a) (b)
f i g. 4. 1. I nci nt e pent r u ob i ner ea monocr i st al el or semi conduct oar e pr i n cr et er e di n
t opi t ur ( a) i de pur i fi car e pr i n t opi r e zonar ( b) . [ 1- mandr i n; 2- ger men
monocr i st al i n; 3-r ezi st en a de ncl zi r e; 4- t ub di n cuar ; -t er mocupl u] .

Dup mai multe depl asri complet e, impurit il e se acumul eaz la cape t el e
barei, care sunt ndeprt ate ult eri or, ob i nndu-se un grad ri dicat de puri tat e n
por iunea cent ral. Pent ru a spori efi ci en a met odei, numrul rezist en el or de
nclzire se poate mri , zonel e de topire fiind multi pl e, i ar numrul de depl asri
complet e de-a lungul incint ei se micoreaz. Zona topit est e meni nut nt re cele
dou pri solide al e barei , dat orit t ensiunil or superfici al e Element ele arsen i
fosfor au coeficieni de segregai e apropiai de unitat e i se elimin din zona
topit pri n evaporare.

4. 2. Modelul teoreti c al conduci ei el ectri ce

Siliciul est e el ement ul cel mai frecvent utilizat pent ru realizarea
dispoziti velor semi conduct oare i posed pat ru el et roni pe ul t imul ni vel energeti c
de val en . St ruct ura re el ei crist ali ne est e t ip cubi c, fi ecare atom st abilind
legturi covalente cu atomii vecini . n fi g. 4. 2. a est e reprezent at modul n care un
el ect ron devine electron comun al at omilor nvecinai, iar n fi g. 4. 2. b se
reprezint procesul de generare a unei perechi el ectron -gol .
La t emperat ura absolut, banda de valen a unui mat eri al semi conductor
est e compl et ocupat de elect roni. Pri n nclzire, n urma furnizrii de energie
1

3

4

1

H
2
H
2
1

2

3




4


110
din exterior, el ect ronii din banda de valen vor trece n banda de conduci e
(fi g. 4. 3. a), escal adnd banda interzis AE
g
(rel ati v redus: 0, 67 eV pent ru Si; 1, 1
eV pent ru Ge; 1, 4 eV pent ru Ga-As i, rel ati v ridi cat 3, 49 eV, pent ru GaN).
Plecarea unui el ect ron din banda de val en presupune descompl et area unei
legturi covalente, care fixeaz at omii n re eaua crist ali n. Atomul cu l egtura
descompl et at reprezint o vacan , sau un gol i se poat e asi mila cu o parti cul
cu masa efectiv i sarcina poziti v egal cu sarci na el ect ronului e, dar de
semn opus (fi g. 4. 3. b). Goluril e, dei dunt dispuse di n punc t de vedere energet ic
n banda de val en , pot cont ribui - ca i el ect roni i, l a transport ul sarci nii
el ect ri ce.











(a) (b)
f i g. 4. 2. nt r ept r under ea or bi t el or cel or 4 el ect r oni de val en ai Si ( a) i modul
de gener ar e t er mi c a unei per echi de el ect r on- gol ( b) .

Sub influen a unui cmp elect ri c ext eri or sau i nterior, gol ul i poat e
schi mba pozii a prin ocuparea l ui de ct re un elect ron, care las n urma lui un
gol n locul de unde a pl ecat. Ast fel , golul s -a depl asat de la un at om l a altul fr
ca ceilali el ectroni ai celoi doi at omi s prseasc banda de val en . Rezult
dou tipuri de purt tori de sarci n: el ect roni de conduci e i goluri.
Semi conductorul cu grad ridi cat de purit at e, se numet e intrinsec, nt ruct
mecanismul de generare a perechilor electron-gol, est e i ntri nsec, bazndu-se pe
ruperea legt urilor covalente.
Perechil e elect ron-gol generat e termi c, dispar prin refacerea l egturii
coval ent e, procesul de generare i ani hil are a perechilor fiind un proces care se
desfoar permanent i nceteaz doar la temperatura absolut . Ni vel ul Fermi E
F

est e plasat , n semi conduct orul intri nsec la mi jlocul benzii i nt erzise.
Semi conductorii care coni n impuriti se numesc extrinseci, ntruct
mecanismul de conduci e elect ri c se efectueaz n principal prin purt t ori de
sarci n maj orit ari, generai n mod extrinsec prin impurificarea mat eri alul ui
semi conductor cu el ement e cu val en e superioare sau inferioare val en ei
el ementul ui semi conductor.
Conduci a el ectri c reprezint micarea dirij at a purtt ori l or de sarcin
mobili sub influen a cmpul ui el ectric exteri or (efectul de drift), sau prin crearea
unei di stri buii neuni forme a purt toril or de sarcin mobili (efectul de di fuzi e).
Dac impuritile di n monocrist al ul de Si sunt at omi pentaval eni (P, As,
Sb), int rodui pri n substitui e, pat ru el ect roni de valen st abilesc legturi
coval ent e cu at omii de sili ciu nvecina i, iar un el ect ron rmne liber, deci se
creeaz un purt t or de sarcin majorit ar, cu sarcina el ectri c negati v, iar
semi conduct orul se numet e de t i p n. Impuri t i l e (S, Li ) se pot i nt roduce i
S
i
S
i
S
i
S
i
S
i
4+ 4+ 4+
4+ 4+ 4+
4+ 4+ 4+
4+ 4+ 4+

111












( a) ( b) ( c)
f i g. 4. 3. Pr obabi l i t at ea Fer mi Di r ac P
FD
, de ocupar e a ni vel el or ener get i ce i spect r ul
ener get i c al semi conduct or i l or omogeni i i z ot r opi i nt r i nseci ( a) i ext r i nseci
de t i p n ( b) i de t i p p ( c) .

intersti ial avnd acel ai efect - de creare n semi conduct or a purtt ori lor de
sarci n majorit ari. Posednd un numr de el ectroni de val en n exces fa de
atomi i veci ni ai Si , sunt elibarai el ect roni de conduci e print r -un proces de
ionizare. At omul de impurit ate se transform ntr -un ion donor care reprezint o
sarci n poziti v i mobil . Prin int roducerea n mat eri alul semi conductor a
impurit ilor donoare, se creeaz un nivel energeti c donor E
d
. Elect ronii pot t rece
cu uurin de pe nivel ul donor n banda de conduci e, escaladnd banda AE
d

situat n banda i nt erzis (fi g. 4. 3. b).
Dac impurit il e sunt atomi t rival eni (B, Al, In) int rodui prin substit uie,
trei el ectroni de val en st abil esc l egturi coval ent e cu atomii de sil ici u
nveci nai, iar legt ura coval ent cu al patrulea at om rmne descompl et at .
Exist posibilit at ea ca un el ectron de valen s fi e captat pe nivelul acceptor E
a

creat prin int roducerea impurit ilor acceptoare i situat n banda interzis E
g
, n
apropi erea benzii de val en (fi g. 4. 3. c). Se cedeaz astfel n banda de val en un
purt t or de sarcin majorit ar pozitiv sau un gol, i ar semi conductorul se numet e
de tip p.
Semi conductorii extrinseci posed i perechi el ectron-gol generai t ermi c,
iar numrul purt t orilor de sarcin majorit ari est e egal cu numrul impuri ti lor
introduse prin substi tuie. Atomii de impurit at e det ermin apari ia unor nivele i
benzi energeti ce situat e n banda int erzis, sau suprapuse pest e benzil e permise, a
cror l ime AE est e mult mai redus fa de l imea benzii interzise AE
g
. n
semi conductorul de tip n, energi a necesar elect ronului de valen excedent ar
al at omul ui donor, pent ru a deveni el ect ron de conduci e, est e : AE
g
= E
c
E
d
i
est e de ordinul suti milor de eV. n semiconductorul de tip p energi a necesar
unui el ect ron de valen pent ru a se at aa unui atom acceptor ionizndu -l i
lasnd n urma sa un gol est e: AE
a
= E
a
E
v
.
Nivelul Fermi est e plasat l a mijl ocul benzii int erzise AE
g
pent ru
semi conductorul intrinsec i l a mijlocul benzilor donoare AE
d
, sau acceptoare
AE
a
, pentru semi conductorii extrinseci.
Cu cret erea t emperaturii, nivel el e Fermi donoare E
Fd
, sau acceptoare E
Fa
,
se apropie de mijlocul benzii interzise AE
g
, iar l imea benzi i interzise AE
g
~ 4kT
se mret e, semiconductorul extrinsec comport ndu-se ca un semi conduct or
intri nsec. Cu creterea t emperaturii, el ectronii extrai din banda de valen , pot
A
E
d
E

E
C



E
F



E
V
P
FD
1 0,5 0
T=0K
T>0K
AE
g
~ KT
nivele
ocupate
E
C

E
Fd

E
d
E
v
E
a

E
Fa

E
v
AE
d
AE
d
nivele
ocupate
A
E
d
E
c
+
_

112
depi cu mult pe cei care t rec n banda de conduci e de pe un nivel donor sau o
capcan de el ectroni. Capcanel e de electroni sunt stri localizate n banda
interzis, n apropi erea nivelul ui energeti c E
c
, el ect ronul capt at avnd o
probabilit at e dominant de a fi excit at n banda de conduci e. De asemenea
cent rel e de recombi nare ale elect ronilor, sunt st ri l ocalizat e n banda int erzis,
n apropi erea nivelului energeti c E
v
, de pe care un el ectron are o probabilit at e
dominant de a fi captat din banda de val en , lsnd n urma sa un gol.
Pent ru un semiconductor impuri fi cat cu atomi donori i acceptori n numr
egal, n banda int erzis vor coexist a nivel e donoare i acceptoare i , de
asemenea, nivel e Fermi acceptoare i donoare, i ar spectrel e energet ice di n fi g.
4. 3. b i c, se vor suprapune. Semiconduct orul degenerat se va comport a ca un
semi conductor int ri nsec (compensat), cu un numr egal de purt tori de sarcin:
el ect roni sau goluri, avnd ns conducti bilit ate crescut pentru c purt torii de
sarci n au fost generai i prin mecanism de generare extri nsec. De asemenea, pe
nivelel e donoare sau acceptoare vor exista at omi ionizai, cu sarcini elect ri ce
imobil e, care nu particip l a conduci a electri c. Dac gradul de impuri fi care cu
impurit i donoare est e ridi cat, ni velul Fermi donor va fi plasat n int eriorul
benzii de conduc i e, ca i la mat eri al ele conductoare, pentru c exist o
probabilit at e domi nant ca el ect roni i s ocupe un nivel energeti c din banda de
conduci e. nt r -un mod si milar, dac impurit il e n numr mare, sunt
accept oare, nivelul Fermi accept or va fi plasat n int eriorul benzii de val en . n
ambel e cazuri , semi conduct orul est e degenerat.
Impulsul unui foton est e neglij abil n comparai e cu impul sul unui elect ron.
Tranziiil e el ect ronului nt re dou ni vel e energetice sunt mprit e n dou cl ase
n funci e de modifi carea sau nemodifi carea impulsul ui (h/ 2t)k al el ect ronul ui n
timpul t ranzii ei. Tranziiil e direct e au l oc fr modifi carea impulsului
el ect ronul ui, n timp ce n tranzi iil e indi rect e, impulsul el ect ronului se modi fi c
prin absorbi a sau eliberarea unui fonon, dar impulsul total se conserv pri n
interac iunea cu re eaua cri st alin sau cu fononii: fononi i pot fi creai sau
ani hilai.
Conducti bilit at ea electri c datorit el ect ronilor i goluril or est e
proporional cu constant a medi at de timp de rel axare t (E), caract eristi ca
reveni rii l a echili bru a sist emul ui dat orit interaciuni lor sal e, dup nt reruperea
cauzei perturbatoare, cum ar fi cmpul el ectri c apli cat semiconductorul ui. Astfel ,
expresiil e conducti vi tii datorit el ect ronilor respect iv goluri lor, sunt:
n
n
2
n
en ) E (
~
m
ne
t o = = , (4. 1)
p
n
2
p
en ) E (
~
m
ne
t o = = , (4. 2. )
unde: n, p, sunt concent rai ile vol umetr i ce al e el ect ronilor, respectiv golurilor,
m
n
, m
p
, sunt masa electronul ui respectiv a gol ului , i ar
n
,
p
, sunt mobilit il e
el ect ronul ui i golului. Mobilit at ea el ectronil or est e net superioar mobi lit ii
golurilor (la t emperatura ambi ant pent ru
n
=1350[cm
2
/Vs] ;
p
=480[cm
2
/Vs] ). n
prezena mai mult or tipuri de interac iuni , fiecare int erac iune fiind caract erizat
prin const ant a de rel axare t
i
, n rel aiile (4. 1) i (4. 2) se va introduce o
constant de rel axare:

113

1
i
ef
1

|
|
.
|

\
|
=
t
t , (4. 3)
n regim st ai onar, densi t ile de curent corespunzt oare cel or dou tipuri
de purt tori de sarci n, sunt:
E J
n n
o = , (4. 4)
E J
p p
o = , (4. 5)
iar densitatea t ot al de curent i conducti vitat ea, au expresiil e:
( )
p n p n
E J J J o o + = + = , (4. 6)
( ) ) p n ( e E
~
m
p
m
n
e
p n
p n
2
p n o
t o o o + =
|
|
.
|

\
|
+ = + = , (4. 7)
unde: m
n
i m
p
, sunt masel e el ect ronul ui respectiv gol ului .
Rel aiil e (4. 4), (4. 7), sunt val abil e doar n ipot eza c vect ori i J i E sunt
coli niari , ipot ez confi rmat n regim st aionar i pentru frecvenele rel ativ
reduse a unui cmp electri c alt ernativ apli cat unui mat e ri al izotrop.
Majorit at ea mat eri al elor semi conduct oare prezint anizotropie struct ural .
Dist an el e interatomice sunt diferite pentru di reci i cri stal ografi ce diferit e, i ar
gradul de compactit at e al struct urii est e di ferit pent ru pl anuri atomice di ferit e.
Pent ru sil ici u, cu struct ura cubi c de tipul di amant ului, gradul maxim de
compactit at e corespunde direci ei [111], distan ele di nt re planuril e (111) fii nd
minime (vezi anexa 1. 2). Energi a elect ronului n monocrist al depinde de di rec ia
sa de deplasare, exprimat prin vectorul de und k (vezi anexa 3. 2) iar masa
el ect ronul ui est e un parametru cu val ori diferite - n funci e de direci a de
deplasare. Masa efectiv (sau echi val ent) m*, depinde sensibil de direci a de
micare n crist al a purt t oril or de sarci n. Pent ru Si , masa efectiv a el ectonului
raport at l a masa de repaus m
o
, este m
n
* / m
o
= 0, 19 0, 98, n timp ce masa
efectiv a gol ului raport at l a masa de repaus, est e: m
n
* / m
o
= 0, 16 0, 52.
Masa efecti v a el ectronului (sau golul ui ), est e un t ensor, i ar vect ori i J i
E nu sunt n general coli niari , ast fel nct micarea el ect ronului nu se va
desfura dup o t rai ect ori e care coinci de cu o li nie de cmp el ect ri c, care n
general, nu est e o li nie dreapt .
Anizot ropia cristal i n determi n ori ent area diferit a vect oril or J i E ,
liniil e de curent el ectric fiind orient ate n general pe o alt direcie dect cea a
liniilor de cmp electri c.
Straturile semiconductoare subi ri au o comport are elect ri c diferit fa de
semi conductorii masivi. Aceast comportare se explic prin existena unor st ri
energetice l ocal e create l a suprafa a de separaie a st ratul ui. n mod i nevit abil ,
perfeciunea re el ei cri st aline este alt erat nt ruct, dac suprafa a este li ber,
ultimul st rat de atomi nu poat e avea toat e l egturil e satisfcut e, fi ind posibil
absorbi a pe suprafa a unor atomi sau mol ecul e (oxi gen, azot, amoni ac, ap
et c. ). Dac suprafe el e stratul ui sunt n cont act intim cu at omii alt ui mat erial
depus epit axial sau prin alt procedeu, pert urbaia int rodus de interfe e est e cu
at t mai pronun at cu ct grosimea st rat ului semiconduct or est e mai redus.
Acest e perturbaii sau defecte al e re el ei crist aline det ermin aparii a unor stri
energetice locale ce modi fi c spect rul energeti c al mat eri al ului semiconductor,
prin int roducerea unor nivel e localizate n banda int erzis, sau suprapuse pest e
benzil e permi se. n pel icula conductoare se poat e modi fi ca concent ra ia i

114
mobilit at ea purt t ori lor de sarci n, sau chiar ti pul de conduct ivitate (de exemplu:
peli cul a de ti p n poat e deveni de tip p). Est e posibil ca st rat urile de suprafa
s fie ocupat e de el ectroni de conduci e care induc n stratul superfi cial o sarcin
pozitiv, avnd ca efect o scdere a concent rai ei de el ectroni, sau apari ia unui
strat de srci re. St ril e de suprafa pot fi ocupat e i cu electroni de valen i
stratul superficial devine semi conductor de tip p, numit strat de
inversiune. n cazul n care stril e de suprafa au un caracter donor, concentrai a
de el ect roni de conduci e se mret e, i ar strat ul devine strat de acumul are. Prin
oxidarea t ermi c, supr afa a sili ciului de tip p devi ne st rat de i nversi e de ti p
n, sau dac sil ici ul est e de tip n, devi ne strat de acumul are.
Gazul el ectroni c bi dimensional (2DEG), poate fi obi nut ntr -un st rat -
canal subi re (20nm) di n GaInAs, mrginit superi or i inferi or de alte dou
straturi subiri din Al InAs. Dat orit disconti nuit il or mari ntre benzil e de
conduci e al e celor t rei st raturi, se ob in mobilit i ridi cate al e gazului elect ronic
bidimensi onal, care pot depi valoarea de 10. 000cm
2
/Vs i de asemenea,
densit i ridi cate al e curentul ui prin canal [Mat]. St ructuril e format e di n st raturi
subi ri din Al InAs GaInAs Al InAs sau Al GaAs GaAs Al GaAs se numesc
het erojonciuni i sunt utilizate pentru fabri carea tranzist oarelor cu efect de cmp
de frecvene ri di cat e, de tip HEMT (high el ectron mobili t y transist or) sau a
diodelor LASER. n ultimul t imp s -au ob inut het erojonciuni cu struct uri format e
din nit rit de galiu (GaN) nit rit de alumi niu gali u (AlGaN) [Eas]. n
tranzistoarele cu efect de cmp cu GaN, exist n mod nat ural regi uni put erni c
pol arizat e n st ratul din nit rit de alumi ni u gal iu, unde sunt concentrai el ect roni
n numr foart e mare n apropi erea regi unii de polarizare, fr a int ra in nit rit ul
de al umini u gal iu, datorit l imii de band int erzis mai mare a acest uia, care
acioneaz ca o barier. Tranzistoarel e cu efect de cmp cu GaN nu necesit
dopare cu impurit i. Gazul el ectroni c bidimensional poate fi creat n alt e
het erojonciuni semi conductoare, numai pri n dopare cu i mpuri t i pentru a
put ea suport a un exces fie de elect roni, fie de gol uri . Tranzistoarele realizat e cu
nitrit de gali u, pot dubl a sau tripl a efi cien a t ranzist oarelor real izat e cu sili ciu
sau arseniur de galiu sub aspect ul puterii consumate n raport cu puterea
transferat a semnal ului util . Conduct ivi tat ea t ermic a nitri t ului de gal iu este de
7 ori mai mare dect a arseniurii de gali u, iar ri gidit at ea di el ectri c (300MV/m),
est e de asemenea mult mai mare dect a arseni uri i de gal iu (40MV/m), ceea ce
permit e mi niaturizarea mrit a dispoziti vel or realizat e cu ni trit de galiu. Banda
interzis a nit rit ului de galiu (3, 49eV) est e incompatibil mai mare dect a
arseniurii de gali u (1, 4eV), sau a silici ului (0, 67eV) i est e la ori gi nea
performanel or dispozitivel or reali zat e cu nit rit de galiu.

4. 3. Dependena de frecven a conductivitii electrice [Ct]

Un mat eri al semiconductor se comport n cmp elect ri c ca un materi al
diel ectric cu pi erderi pri n conduci e rel ativ ri di cat e, nt ruct limita inferi oar a
conductivi t ii materialului semi conduct or, est e egal cu l imita superioar a
conductivi t ii unui mat eri al di el ectri c: o=10
- 8
[S/m]. n mat eri alul
semi conductor, deoarece pierderil e prin conduci e sunt preponderente, cel e pri n
pol arizare se pot neglija.
Schema echi val ent a unui condensator cu mat eri al semiconductor nt re
armt uri este identi c cu cea a condenstorului cu pol arizare de depl asare i
pierderi prin conduc ie, prezent at n paragraful 1. 4. 4 i reprodus n fi g. 4. 4. a.

115







( a) ( b)







( c) ( d)

f i g. 4. 4. Schemel e echi val ent e al e unui condensat or cu semi conduct or ( a) i
cor espunzt oar e uni t i i de vol um a mat er i al ul ui semi conduct or ( b) .
Dependen el e de fr ecven a component el or conduct i vi t i i compl exe ( c, d) .

Admit an a condensat orul ui cu mat erial semiconductor, avnd suprafaa S,
a armt uri lor i dist ana d, nt re ele, conform schemei echival ent e, are expresi a:
0
'
r
p
C j
r
1
Y ec + = , (4. 8)
unde:
S
d
r
p
o
= , est e rezist ena de pi erderi pri n conduci e, i ar
d
S
C
0
0
c
= , est e
capacit at ea condensatorului cu acel eai di mensiuni , dar avnd aer nt re armturi.
Considernd mrimi le cu vari ai e si nusoidal n timp, reprezentat e n
complex simpli ficat , pentru o tensiune U , apli cat armt uri lor, se st abil et e un
curent: U Y I = i un cmp d / U E = , ntre armturi.
Rel ai a (4. 8) obi ne forma:
( ) ( )
d
S
j
d
S
Ed / S J U / I Y
0
'
r
c ec o + = = = , (4. 9)
unde: J , est e densit at ea de curent , iar conductivit at ea o , s-a considerat mrime
complex, nt ruct n regim nest aionar, datorit anizotropi ei materi alul ui sau a
frecven elor ridi cat e, liniil e densi t ii de curent E J =o i ale curent ul ui S J I = ,
sunt diferit e de liniil e cmpul ui el ectri c E .
Rel ai a (4. 9), corespunztoare unitii de volum a materi alul ui
semi conductor, are expresi a:
( )E j J
r 0
c ec o + = . (4. 10)
Densit at ea de curent S / I J = , este curentul el ectri c care st rbate unitat ea
de suprafa a semi conductorul ui, i ar i ntensit at ea cmpul ui elect ri c: d / U E = ,
est e t ensiunea el ect ric dist ri buit pe unitat ea dist an ei dintre armt uri , sau a
grosimii semi conductorului. Termenul al doil ea al rel ai ei (4. 10), s -a i ntrodus
pentru a caract eriza comport area di el ectri c a materi alul ui semi conductor, i ar
primul t ermen est e asoci at propri et ii de conduci e a mat er i al ului semi conduct or.
r
u
=1/o
0
L
u
= t
~
/o
0
C
u
=c
r
c
0 E
J
d
r
p C=c
r
C
0
S
Y
0
'
o
o

0
' '
o
o

0,1 1 10 t e
~

0,1 1 10 t e
~

1
1

116
Comport area semi conductorul ui n regim nesta ionar poat e fi descris, pri n
acel eai expresii ca i n regim staionar, const ant a de timp de relaxare fii nd ns
o mrime compl ex:

0
0
j 1 et
t
t
+
= , (4. 11)
unde: t
0
reprezi nt const ant a de timp de rel axare pentru regimul st aionar.
Expresi a conductivit ii compl exe est e si milar expresi ei (4. 11):
t o o
t e
o
o
|
|
.
|

\
|
+ = + =
+
=
p n
2
p n
0
m
p
m
n
e
~
j 1
, (4. 12)
unde: o
0
, est e conductivi tat ea n regim st aionar.
Cu rel ai a (4. 12), rel ai a (4. 10) obine forma:
E j
~
j
1
1
E j
~
j 1
J
'
r 0
0
0
'
r 0
0
|
|
|
|
|
.
|

\
|
+
+
=
|
|
.
|

\
|
+
+
= c ec
o
t
e
o
c ec
t e
o
, (4. 13)
Schema echival ent corespunzt oare unit ii de volum a mat erial ului
semi conductor, est e reprezentat - conform rel ai ei (4. 13) n fi g. 4. 4. b i est e
compus din rezist en a unit ar r

= , capacit at ea unitar
'
r 0
C c c =

i
inductivitatea unit ar:
0
/
~
L o t

= . Schema echival ent pune n eviden aparii a

rezonaei l a frecven :

t c c
o
t
o
t
c c t
~
2
1
~
2
1
f
'
r 0
0
0
'
r 0
r
= = , (4. 14)
care are valori n domeni ul mi croundelor.
Rel ai a (4. 12) poat e fi scris sub forma:

( )
2
~
0
2
0
2
~
j 1 0
0
)
~
( 1
j
)
~
( 1 )
~
( 1
~
j 1
t e
o
e
t e
o
t e
o
t e
o
o
t
t e
+

+
=
+
=
+
=

. (4. 15)
Utiliznd rel aiil e (4. 10) i (4. 15), di n rel ai a:
' ' j ' o o o + = , (4. 16)
rezult prin identi fi care expresi ile component elor conducti vit ii complexe a
mat eri al ului semiconductor n funci e de frecvena cmpului el ectri c aplicat .

( )
2
0
~
1
'
t e
o
o
+
= , (4. 17)

( )
,
~
1
~
' '
2
0 '
r 0
(
(

+
=
t e
t o
c c e o (4. 18)
Dependen a de frecven , l a t emperat ura mediului ambiant, al e
component el or conducti vit ii sunt reprezent at e n fi g. 4. 4. c, d. Interaciunile
purt t oril or de sarcin cu impurit il e ioni zate i cu fononii sunt predomi nant e.






117
4. 4. Funci ile materi alel or semiconductoare

4. 4. 1. Funci a de conduci e comandat n tensiune
Func ia de conduci e comandat n t ensi une a mat erial el or
semi conductoare, se bazeaz pe fenomenul de pert urbare a dist ribuiei
purt t oril or de sarci n sub influen a unui cmp el ect ri c int ern sau apli cat din
exterior. Aplicarea unei tensiuni el ect rice U, respecti v a unui cmp el ectri c
gradU E = , unui semi conduct or omogen, det ermin ncli narea nivelelor i
benzil or energeti ce. nt r -un semiconduct or de tip n, sub i nfl uen a cmpului E ,
el ect ronii de conduci e sunt accel erai , deplasndu-se de-a lungul liniilor de
cmp. n urma int eraciuni lor cu reeaua cri st alin, el ectronii pi erd pari al sau
total energi a lor cineti c, pe care o cedeaz fononilor re el ei . Dat orit prezenei
cmpul ui el ect ri c, electronii dobndesc din nou energi e, i ar n final rezult o
micare di rij at a el ectronilor, care reprezint contri bui a l or l a curentul elect ri c
prin semi conduct or. Print r -un proces similar, se desfoar conduci a realizat de
goluri, care sunt purt tori mi norit ari , sensul deplasrii fii nd sensul cmpului
el ect ri c apl icat i opus sensului de deplasare a el ect ronil or.
Vit eza medi e ordonat a el ect roni lor, est e vit eza de dri ft i are expresi a -
ca i n cazul mat eri al elor conductoare:
E
~
m
e
E v
n
n n
d
t = = , (4. 19)
unde:
n
, est e mobil itat ea el ect ronilor, care pent ru Si - la t emperatura medi ului
ambi ant , are valoarea de:
n
= 1350 [cm
2
/Vs] .
n mod anal og, vit eza de drift a gol urilor est e:
E
~
m
e
E v
p
p p
d
t = = , (4. 20)
unde:
p
, este mobili tat ea goluril or, care pentru Si - la t emperatura ambi anta are
val oarea de:
p
= 480 [cm
2
/Vs] .
n cazul n care mat erial ul semi conduct or conine o concentrai e
neuni form de purt t ori de sarcin pe o direci e oarecare r , rezult prin inj eci e
spa ial de purt tori proces numit dopare, apare un cmp el ectri c int ern sau
imprimat , care det ermin un proces de di fuzi e a purt toril or de sarci n,
densit il e corespunztoare ale curenilor de el ectroni sau goluri avnd
expresiil e:
( ) r n grad eD J
n n
dif
= , (4. 21)
( ) r p grad eD J
p p
dif
= , (4. 22)
unde: e / kT D
p , n p , n
= , sunt coefi cienii de di fuzie ai purttoril or de sarci n.
Pent ru ndeplini rea funciei de conducie elect ric comandat n tensiune,
se impune ca valoril e conductivi t ii el ectri ce, s fie cont rol abi le i
reproducti bil e din punct de vedere tehnologic, iar permiti vitat ea real s fi e
redus pentru mi corarea capacit i lor parazite. Astfel de mat erial e sunt : Si,
GaAs, Ge, GaN.

4. 4. 2. Funci a de conversi e opto - electronic
Radi aiil e el ectromagneti ce inci dent e pe suprafa a unui mat eri al
semi conductor, genereaz purt tori de sarci n, care se vor deplasa diri ja t sub

118
aciunea unui cmp elect ri c exterior. n apli ca iil e uzual e, prezi nt i nteres
radi aiil e din spect rul infrarou, vizibil i ult raviol et.
Radi ai a el ect romagneti c este pari al refl ectat i pari al absorbi t de
mat eri al ul semi conduct or, part ea absor bi t determinnd ionizarea at omilor re elei
i crearea de purt tori de sarcin liberi (efect fot oelect ri c i nt ern). Pent ru energii
mari al e radi aiilor, el ect ronii sunt extrai din mat erial i emii n exterior (efect
fotoel ectric ext ern).
Absorbia propri e reprezint i nteraciunea dint re un foton cu energi e E
f
=
he, i un el ectron de valen , care trece n banda de conduci e, escal adnd banda
interzis de l ime AE
g
, atunci cnd: E
f
> AE
g
(fi g. 4. 5. a), crendu-se ast fel un
gol. Absorbi a proprie apare l a semi conduct orii int rinseci, iar lungimea de und
limit, care reprezint lungimea maxim i corespunde frecvenei minime, are
expresi a:

g
i
E
h 2 c 2
A
t
e
t
= = , (4. 23)
i care pent ru sili ciu, are val oarea
i
= 1, 1m, n domeniul ui i nfrarou.
Pent ru lungimi de und superioare: >
i
, semiconductorul est e
transparent, i ar pent ru <
i
, semiconduct orul est e opac, absorbind radi aiil e n
domeniul vizibil sau ultravi ol et.
Absorbia datorat impurit ilor (fi g. 4. 5. b), are loc n semiconduct ori
extrinseci i rezult din int eraci unea di ntre un fot on i un atom de impurit at e,
care est e ionizat pe baza energiei fotonului . Ast fel sunt generai purt t ori de
sarci n de un singur tip, atomii ionizai reprezent nd sarcini el ectri ce imobil e.
Pragul de absorb ie limit AE
a, d
est e mult mai redus dect la semi conduct ori i
intri nseci , i ar l ungi mea de und limit , sau lungimea de und maxim, est e mult
mai mare dect l a semi conduct orii i ntri nseci , deci n domeniul infrarou
ndeprt at , avnd expresi a:
i
d , a
e
E
hc 2

A
t
)) = , (4. 24)
Semi conductorii extrinseci au sensibil it at e crescut l a radi aii, pent ru c
pragul l or de absorb ie est e mult mai redus n comparaie cu cel al
semi conductoril or i ntrinseci, dar prezint dezavant ajul funci onrii l a temperaturi
joase, apropi at e de temperatura absol ut, deoarece l a temperatura ambi ant
impurit il e sunt ionizate prin absorbi e de energi e t ermic i nu mai reacioneaz
la il uminri (n spect rul vizibil ), sau i radi eri (n spect rul infrarou).












(a) (b)
f i g. 4. 5. Absor b i a pr opr i e ( a) i dat or at i mpur i t i l or ( b) a unui fot on.
E
c
E
d
E
a
E
v
E
v

AE
d

AE
g

E
c

nivele
ocupate
AE
a


119
Generarea purt tori lor de sarcin pri n efect fot oelect ri c intern, est e
contracarat de un proces de recombinare, care are ca efect micorarea numrului
purt t oril or de sarcin, cu o vit ez de recombinare V
r
, proporional cu
concent rai a de purt tori n exces An, pent ru elect roni i Ap pent ru goluri, n
prezena ilumi nrii .
Expresiil e vitezelor de recombi nare al e electronil or i goluril or sunt:
'
n
V
n
r
t
A
~ , (4. 25)
'
p
V
p
r
t
A
~ , (4. 26)
unde:
'
p , n
t , reprezint t i mpii de vi a ai purttoril or de sarcin n exces i care
pot fi considerai constani pent ru iluminri reduse: An << n; Ap << p, unde n i p
reprezint concentraiile purt torilor de sarcin n absen a iluminrii. Pentru
iluminri put erni ce: An >> n; Ap >> p, t i mpii de vi a variaz invers propori onal
cu ilumi narea.
Conducti vit atea t ot al a mat erialului o
t
, are o component o
corespunzt oare absenei ilumi nrii i o component de fot oconductivi tat e Ao:
o A o o + =
t
, (4. 27)
unde:
( ) p n e
p n
A A o A + = , (4. 28)
Pent ru ndeplini rea funci ei de conversi e optoel ectric, est e necesar ca
mat eri al ul semi conduct or s prezi nt e:
- sensibili tat e ridi cat fa de radi ai a el ectromagneti c, constant nt r -un
domeniu l arg de lungi mi de und, sau di mpot riv s prezint e un maxim pentu
o anumit lungime de und;
- val ori mari al e timpilor de vi a ai purt tor ilor n exces, pentru evit area
procesul ui de recombinare;
- mobilit i ri di cat e
n
,
p
, pent ru asi gurarea unor viteze mari de rspuns;
- conductivi t i reduse n absen a ilumi nrii, pentru asi gurarea unui raport
semanl/zgomot ri di cat.

4. 4. 3. Funci a de detec i e a radiaiilor nucleare [Ct]
Radi ai a nucl ear este format fi e di n elect roni (radia ia |), fie din
parti cul e nucleare grel e, cu mas mult mai mare dect masa el ect ronul ui, cu sau
fr sarcin el ectric, aa cum sunt protonii, neut roni i, deut ronii, trit onii et c. , sau
radi aia elect romagneti c cu energi e ridi cat , cum est e radiai a X sau .
Part iculele nucl eare ncrcat e el ectric, genereaz perechi electron gol,
spre deosebi re de neutroni, sau radi a ia |, care produc ntr -o prim etap,
parti cul e ncrcat e el ectri c i care ult eri or genereaz perechi el ectron gol.
Procesul de stopare el ect roni c, est e un proces de i nt eraciune neeleastic,
care apare l a vit eze mari al e part icul elor inci dent e i n care energi a parti cul ei
det ermin excit area, sau emisi a el ectronilor. St oparea nuclear reprezint o
interac iune n care parti cul a incident imprim atomil or re el ei crist ali ne o
micare de t ransl ai e.
Puterea de st opare P
S
, reprezint pierderea de energi e a parti cul ei pe
unit atea de lungime a t rai ect oriei par curse n mat eri al ul semi conductor, i ar
parcursul mediu l
o
, reprezi nt lungimea medi e a t rai ect oriei parcurse de parti cul
pn la opri re.

120
n fi g. 4. 6 sunt reprezentat e dependen el e put eril or de st opare i parcursul
de energi e al parti culelor i ncident e.
Pent ru ndeplini rea funci ei de det ecie a radi aiil or nucleare, este necesar ca
mat eri al el e semi conductoare s prezi nte sensi bilit at e ri dicat l a radi aiil e
nucleare, mobilit i ridi cate ale purt torilor de sarcin, pentru asi gurarea unor
viteze de rspuns ridi cate, ri gi dit at ea di elect ri c ridi cat i conductivit at ea
el ect ri c sczut , ntruct dispoziti vel e de det eci e a radi aiil or nucleare
fucni oneaz l a t ensi uni ridi cat e.










(a) (b) (c)

f i g. 4. 6. Dependen el e put er i i de st opar e de ener gi a el ect r oni l or E
e
( a)
sau pr ot oni l or E
p
( c) i al e par cur sul ui medi u al el ect r oni l or ( b) .


4. 4. 4. Funci a de conversi e el ectro - optic

Mat erial el e semi conductoare el ectroluminescent e func ioneaz pe baza
propri et ii de emi si e a radi ai ei l uminoase atunci cnd materialul ui i se apli c un
cmp el ectri c, sau este parcurs de curent el ect ri c.
Procesul care det ermin emisi a opti c, este replica procesului prin care se
absoarbe radiaia electromagneti c. Sub infl uen a cmpul ui sau curent ului
el ect ri c, elect ronii ocup nivel e energeti ce i revin pe ni vele inferioare printr -un
proces de recombinare. Mecani smele de recombinare radi ativ a purt t ori lor de
sarci n n exces, sunt realizat e prin exci t ai e i ntri nsec, care const n ionizarea
prin ciocni re a impurit ilor n prezena unui cmp elect ri c i ntens (E>10MV/ m),
prin excit ai e datorat inj ec iei de curent el ect ri c, sau prin multiplicare n
aval an, prin excit aie opti c, sau prin efect tunel .
Dup durat a proceselor de recombinare, emisia opti c se numete
fluorescen , (pent ru durat e cupri nse nt re: 10
- 5
10
- 8
s) sau fosforescen (pentru
durat e cupri nse ntre: 110
4
s).
Mecanismel e de recombinare sunt de mai multe tipuri (fi g. 4. 7. a).
Recombi narea direct are loc at unci cnd el ectronul t rece din banda de
conduci e n banda de val en , cu el iberare de energi e radiat iv (cu emisi a unui
foton), sau neradi ati v, cnd energia electronului este cedat re elei crist aline,
(care absoarbe un fonon).
Recombi narea indi rect are loc pri n intermediul unor nivel e energeti ce
plasat e n banda int erzis, n procesul de recombinare fiind impli ca i i fononii
care caract erizeaz st ril e vibraional e al e reel ei cristaline. Recombi narea
indi rect , prin care el ect ronul de conduci e ocup nt r -o prim et ap un nivel
0,01 0,1 1
[MeV]
0,01 0,1 1 10
[MeV]
0,01 100
[MeV]
P
S
[MeV/mm
]
P
S
[MeV/mm
]
l
o
[mm]
E
e
E
e
E
p
Si

Ge

10 10 10

121
local, i ar ult eri or trece n banda de val en, are un caract er predomi nant
neradi ativ.
Recombi narea pri n alipi re est e caract eri stica semiconductori lor extrinseci
de tip p (pent ru care, impurit ile sunt ionizate l a temperat ura ambi ant ), i
const n captarea unui elect ron de conduci e de ct re un ion acceptor.











(a) (b)




(c) (d)







(e) (f)

fig. 4.7. Mecanisme de recombinare direct, indirect i prin alipire, pentru un material izotrop (a)
i confi gur a i a supr af e el or echi ener get i ce n f unc i e de numr ul de st r i n ( E) ,
( sau numr ul de und k) , pentr u un semi conductor care pr ezi nt i nver sie de popul a ie ( b).
Tr anzi i e spont an ( c) i st i mul at pr i n i nt er medi ul unui fot on a el ect r onul ui , cu emi si e
st i mul at a fot oni l or , car e sunt n faz i au aceeai fr ecven ( d) . Jonc i une pn
nepol ar i zat l a echi l i br u ( e) i pol ar i zat di r ect l a neechi l i br u ( f ) .

Procesel e de recombinare radi ativ pot avea un caract er spontan,
corespunzt or unei stri de echili bru t ermic sau stimul at, corespunztor unei st ri
de dezechil ibru provocat . Recombinarea spontan genereaz fot oni cu di recii ,
frecven e i faze al eatoare, emisia fiind incoerent , i ar recombin area stimulat
genereaz fotoni cu aceeai frecven i aceeai direci e, emi sia fii nd coerent .
La emisia stimul at , se genereaz un foton care are aceeai frecven,
direcie de propagare i faz ca i fotonul stimulator (fi g. 4. 7. d). Atunci cnd mai
muli el ect roni se afl n st area de excit ai e E
2
, dect n st area fundament al E
1
,
iar tranzii a est e det ermi nat pri n int ermediul unui fot on, sist emul prezi nt
inversie de popul ai e. n prezena unui cmp de radi ai e cu: hv = E
2
E
1
emisi a
stimul at va depi absorb ia fotonilor i mai muli fotoni cu energi e hv vor
depi sist emul, n comparai e cu numrul de fotoni care intr n sist em. Acest
proces se numete amplifi care cuanti c.
E
c
E
d
E
a
E
v
Direct Indirect Prin alipire
E
Fn
E
c
E
F
E
v
E
Fp
E

E
T = 0k

T > 0k

AEg

E
m
i
s
i
e

A
b
s
o
r
b

i
e

n(E)
n(E)
E
1
E
2
2
2
1
1
E
2
E
1
h
v
= E
2
E
1
electroni n
regiunea p
goluri n
regiunea n
goluri
electroni
E
F
p n
p n
E
Fn


E
Fp
d

122
Pent ru ca mat eri alul semiconductor s constit ui e o surs opti c, este
necesar ca emi sia radi ativ prin recombinare stimul at s fi e mai pronun at
dect absorbia luminoas, ceea ce se poat e real iza pri ntr -o i nversiune de
popul ai e (fi g. 4. 7. b).
Inversiunea de populai e const n ocuparea cu elect roni a ni velelor
inferioare al e benzii de conducie pn l a pseudoni vel ul Fermi E
Fn
i eliberarea
nivelel or superioare al e benzii de val en pn l a pseudonivel ul Fermi E
Fp
. Ast fel
toat e ni velel e sau st ri le energeti ce impl icate n t ranziiil e emisive nu mai sunt
disponibil e pent ru t ranziiil e de absorbie, energia impli cat n procesul de
absorbi e fiind superioar energi ei furnizat e n procesul de emi sie.
Pseudoni velel e Fermi E
Fn
i E
Fp
nlocui esc nivel el e Fermi E
F
, n condiiil e de
dezechilibru al cristalului.
Sursel e semi conduct oare de fotoni coereni, pot fi obi nui prin mai mult e
procedee: prin pompaj opti c cu o surs opti c, prin radi ai e | de el ect roni sau
prin int ermediul unei jonciuni pn put erni c dopate, parcurs de un curent . n
general, prin dopri puternice se creaz semi conduct ori de tip p i n
degenerai, cvasi -ni vel el e Fermi fiind plasat e n exteriorul limitel or E
c
, E
v
al e
benzii i nterzise (fi g. 4. 7. b). La echilibru, cvasi -ni vel el e Fermi sunt aliniat e
(fi g. 4. 7. e). La pol arizare direct a jonci unii pn, cvasi -ni vel el e Fermi se
dist an eaz n raport direct, cu valoarea tensiunii direct e apl icate (fi g. 4. 7. f).
Sub influen a t ensiunii de pol arizare di rect , goluril e se vor deplasa n
regiunea n iar electronii n regiunea p. Astfel , el ect ronii i golurile vor fi
spa ial coinci dente i are l oc recombi narea radi ati v a l or pe di st an a d.
nt ruct el ect ronii sunt mult mai mobili dect goluril e, adncimea d a regi unii
active, est e n princi pal determinat de mobilit at ea elect roni lor i est e de acel ai
ordi n de mrime cu lungimea de und a modulul ui el ect romagneti c care est e
ampli fi cat (vezi dioda LASER). Densit at ea curentului prin jonciune, pentru care
apare i nversia de popul aie i emisi a sti mulat a radia iei , este de ordinul zecilor
de mii de amperi pe cm
2
pent ru j onciuni simple i de ordi nul sutel or de amperi
pe cm
2
pent ru het erojonciuni dubl e [Das].

4. 4. 5. Funci a de conversi e termo el ectri c [Ct]
Din expresiil e (4. 1), (4. 2), (4. 7) al e conducti vit ii materi alul ui
semi conductor, rezul t posi bilit at ea int eraciuni i di nt re cmpul t ermic i cmpul
el ect ri c din i nteri orul mat eri alului, ntruct at t numrul de purt t ori de sarci n
ct i timpul lor de rel axare, depind de temperat ur. Prin urmare, t emperat ura
poate influena sau chi ar genera curentul el ectri c prin semiconductor.
Temperatura influen eaz struct ura de benzi energeti ce, modi fi cnd valoril e
benzil or E
C
, E
V
, E
F
, i l imea benzii i nterzise: AE
g
. Cu cret erea t emperaturii,
limea benzii int erzise: A E
g
~4kT, se mret e, dar mobilitat ea i numrul
purt t oril or de sarcin cret e n msur mult mai mare, iar conducti vit atea
mat eri al ului semiconductor se mrete.
n fi g. 4. 8. a, sunt prezent ate dependin el e de temperatur al e concentraiil or
de purtt ori n semiconductori i nt rinseci. Numrul purt t orilor de sarcin
intri nseci cret e exponeni al cu t emperat ura, deci i nfl uen a t emperat uri i asupra
curentul ui pri n mat erialul semi conductor est e considerabil .
Pent ru temperaturi rel ativ sczut e (T < T
1
), procesul de generare a
purt t oril or de sarci n est e extrinsec, i ar conductivi tat ea materi alul ui
semi conductor: o ~ o
n
, se modi fi c exponenial cu temperatura (fi g. 4. 8. b). Pent ru
temperaturi medii (T
1
< T < T
2
), procesul de generare ext rinsec ncet eaz dat ori t

123
epuizrii at omilor donori, deci concentrai a de el ect roni de conduci e n, rmne
constant , crescnd doar mobilit at ea
n
a elect ronilor, dar se mrete agit ai a
termic, care are efect preponderent i conduce la scderea conductivitii o
n
.
Pent ru temperaturi ridicat e (T > T
2
), mecani smul int ri nsec de generare a
purt t oril or de sarci n devine predomi nant, i ar conducti vit at ea o = o
i
crete
exponeni al cu t emperat ura.













( a) (b)
f i g. 4. 8. Dependen el e de t emper at ur al e concent r a i i l or de pur t t or i
de sar ci n n semi conduct or i i nt r i nseci ( a) i al e conduct i vi t i i
semi conduct or i l or ext r i nseci de t i p n ( b) .

Un gradient de temperat ur poat e genera un curent elect ri c nt r -un materi al
semi conductor pri n difuzia purt toril or de sarcin si tuai n regiunea cu
temperatur ri dicat i concent ra ie mare de purt tori , spre regi unea cu
temperatur sczut i concent ra ia redus de purt tori.
Dac circuitul rmne deschis, i a nat ere un cmp el ectri c E
s
, care se va
opune t endin ei de deplasare a purt t or il or spre regi unea mai rece, a crui
expresi e est e:
, gradT E
s s
o = (4. 29)
unde: o
s
= n 10 mV/ K, est e o const ant de mat erial , numit t ensiune di fereni al .
Pent ru ndeplini rea funci ei de conversi e termo - elect ri c, se impune ca
mat eri al el e semi conductoare s prezinte: coefi ci ent de vari ai e cu temperatura:
dt
d 1 o
o
o
o
= ; timp de relaxare redus, pent ru viteze de rspuns ridi cate;
conductivi tat e redus, pent ru asi gurarea sensi bilit il or ridi cate; st abi lit ate
termic i t ensiune diferenial ri dicat . Ast fel de mat erial e sunt oxizii de Cu,
Co, Cr, Ni, Mn precum i SnSb, PbSb, InSb, GaAs [Ct].

4. 4. 6. Funci a de conversi e magneto electri c [Ct]
Presupunem un mat erial semiconductor parcurs de un curent electri c, pl asat
nt r-un cmp magnet ic t ransversal, prezentat n fi g. 4. 9.
Sub influena cmpului magneti c E , apli cat semiconduct orului , o particul
ncrcat cu sarcin pozitiv, se va depl asa de -a l ungul lini il or cmpul ui el ect ric
n absen a unui cmp magneti c exterior (fig. 4. 9. b).
n prezena cmpului magneti c exterior H , cu ori ent are t ransversal fa de
cmpul E , for a Lorentz care acioneaz asupra parti cul ei, are i o component
10
17


10
11

10
18


n
j
[cm
-3
]

o
n

o
i

1/T
o
n
,o
i

Ge
Si
GaAs
1/300 T
2
T
1


124
transversal pe di recia de micare, i ar trai ect ori a parti cul ei se curbeaz n sensul
forei Lorentz, a crei expresie este:
), B x v ( q E q F = = (4. 30)
unde q est e sarci na pozitiv a parti cul ei.
For a Lorentz care acioneaz asupra purttoril or de sarci n negati v, ar e
aceeai direci e dar sens opus, sensul de mi care i de curbare a t rai ectoriil or
el ect ronilor fiind de asemenea opus. Ast fel , pe suprafa a S
1
, se vor acumul a
sarci ni el ect rice pozi tive, iar pe suprafa a S
2
, sarcini elect ri ce negati ve, rezult nd
un cmp Hall E
H
a crui expresie este:
, H x J R E
H
H
= (4. 31)
unde: R
H
est e const ant a Hall i depinde - pentru mat eri al e semi conductoare cu
anizot ropi e, de intensit atea cmpului magneti c apli cat, iar J est e densit atea de
curent pri n semi conduct or.
Efectul Hall const n deformarea li niilor de cmp el ectri c i de curent n
prezena cmpul ui magneti c t ransversal i aparii a cmpul ui Hal l E
H
orient at
perpendicular pe pl anul det erminat de vectorii E i H .
Efectul magnetorezi stiv const n modi ficarea rezist ivit ii materi alul ui
semi conductor n prezena unui cmp magneti c apli cat normal pe di reci a de
micare a purt toril or de sarcin.









(a) (b) (c)
f i g. 4. 9. Efect ul Hal l n mat er i al e semi conduct oar e ( a) i for a car e ac i oneaz
asupr a pur t t or i l or mobi l i de sar ci n el ect r i c pozi t i v n pr ezen a
cmpul ui el ect r i c ( b) i magnet i c ( c) .

Dat ori t for ei Lorentz, proi eci a parcursului liber mijl oci u al purtt orilor
pe di reci a cmpului elect ri c apl icat se micoreaz pri n curbarea trai ectoriilor
purt t oril or de sarci n (fi g. 4. 9. c), rezul tatul global fiind mri rea rezistivi t ii
mat eri al ului . n cmpuri magneti ce i ntense apare un proces de saturai e i
rezistivit at ea mat eri alul ui nu se va mri pent ru o mrire supli mentar a
intensit ii cmpului magneti c.
Pent ru ndeplini rea funciei de conversi e magnet o-el ectric, este necesar ca
mat eri al el e semi conductoare s posede val ori ridicat e ale const ant ei Hall i al e
densit ii de curent , iar cmpul Hall s nu fi e i nfl uen at de factori externi, cum ar
fi t emperatura. Ast fel de mat eri al e sunt: InSb, InAs.

4. 4. 7. Funci a de conversi e mecano - el ectri c
Int eraciunea mecano elect ri c se manifest fi e sub forma unei
dependen e a energi ei el ect ronilor di n banda de conduci e, de gradul de
distorsi onare a re el ei cri staline, fi e sub forma unui efect piezoel ectri c
asemntor celui nt lnit l a mat eri al el e diel ectri ce.
+
+
+
_
+
E
E
H
B
V
V J
H
J
F

q
q
S
2
S
1
H
E


125
Primul t ip de int eraciune care apare l a deformri al e re el ei cri st aline de
tip armoni c i l a frecven e ri di cat e ( f > 100 GHz), genereaz un poteni al de
deformaie U
d
de forma:
U
d
= o
d
S
(4. 32)
unde: o
d
est e const antade mat erial, i ar S reprezi nt deformarea el asti c.
Int eraciunea prin efect pi ezoel ectri c exist at t n regim staionar ct i
vari abil, i ar cmpul el ect ri c produs de o deformaie S depinde de frecven .
Pent ru ndepli nirea funciei de conversi e mecano elect ri c este necesar ca
mat eri al el e semi conduct oare s prezint e rezistivit i, mobilit i ale purtt orilor i
coefici eni pi ezoel ectzri ci ri dicai , i ar const ant el e de at enuare ale undelor
el asti ce de volum i de suprafa s fi e reduse. Astfel de mat eri al e sunt: CdS,
CdSe, ZnO, GaAs.

4. 5. ntrebri

1. Cl asi fi cai materi al ele semiconductoare dup crit erii le compozii ei i
tipului l egturilor at omice.
2. Stabilii i analizai modelul t eoreti c al conduci ei el ect ri ce n
mat eri al el e semi conductoare i scri ei expresiil e conduct ibili t ii, utiliznd
constant a de timp mediat de timp de relaxare;
3. Analizai din punct de vedere al mecanici i cuant ice, mecanismul de
generare i recombinare a perechilor el ectron-gol , n mat eri al el e
semi conductoare. 4. Analizai i comparai di n punct de vedere al mecani ci i
cuanti ce mat eri al el e semi conductoare int rinseci i ext rinseci, precum i modul de
obinere, prin impuri ficare, a acestor mat eri al e;
5. Exprimai apari ia anizot ropi ei struct ural e a mat erial el or
semi conductoare i modul n care energi a i masa efect iv a el ect ronul ui, depi nde
de direci a sa de deplasare.
6. Descri ei procedeele de puri ficare a material el or semi conductoare.
7. Descri ei procedeel e de obinere a mat eri al elor semiconductoare
monocrist aline.
8. Stabilii dependenel e de frecven ale component elor conductibi lit ii
el ect ri ce compl exe, considernd materialul semi conductor ca un mat erial
diel ectric cu pol arizare de depl asare i cu pi erderi pri n conducie i deducei
schema echi val ent a materi alul ui semiconductor, mot ivnd rel a ii le formal e
obinute:
9. S se deduc schema echival ent a unui mat erial semiconductor,
utiliznd expresia densit ii de curent n funci e de intensit at ea cmpul ui el ectri c
apli cat.
10. Analizai procesele de dri ft i de di fuzi e din materi al el e
semi conductoare i stabil ii expresiil e mrimilor asociat e acestor procese.
11. Precizai n ce const frnarea nucl ear i cea el ect ronic a ioni lor
implant ai ntr -un mat eri al amorf;
12. Descrie i canalizarea ionil or implant ai n mat eri al e monocrist aline i
analizai profil ul concent rai ei de impurit i real e i i deal e;
13. St abilii corel ai a dint re unghiul cri tic de inciden a ionilor impl antai i
gradul de compacti tate a reelei monocri staline;

126
14. Enumerai principal el e mat eriale semi conductoare uti lizat e pentru
fabri carea dispoziti velor semi conductoare i precizai succi nt dezavant aj el e pe
care l e prezint n comparai e cu nitritul de galiu;
15. Precizai avant aj ele pe care le prezi nt ni tratul de galiu pent ru
fabri carea dispoziti vel or semi conductoare n comparai e cu alt e mat eriale
semi conductoare uti lizat e n acelai scop i enumerai principal el e domenii n
care posibilit il e ni tratului de gali u depesc posi bilit il e celorl altor materi al e
semi conductoare;
16. Analizai nt r-un mod comparativ i di feren iat , pe baza schemelor
struct ural e, dou tranzistoare cu efect de cmp realizate cu si liciu, respectiv nit rit
de gali u i expli cai succint pri n ce di fer cel e dou st ruct uri, avnd n vedere
procesel e care au loc;
17. Explicai formarea unei heteroj onci uni l a suprafa a de separai e dint re
cri st alul suport de nitrit de gali u i stratul depus de acesta, di n nit rit de
alumi niugaliu i analizai formarea gazului elect ronic bi dimensional;
18. Expli ca i motivul pent ru care gazul el ect roni c bidimensi onal se poat e
forma n materi al e semi conductoare numai prin dopare cu impuriti, excepi e
fcnd sistemul format din nit rit de galiunit rit de al umini ugaliu;
19. Comparai nitri tul de galiu cu alt e mat eriale semi conductoare, din
punctul de vedere al mobilit ii el ect ronilor, al cmpul ui de st rpungere n
aval an, al benzii interzise, al temperaturii de funcionare i al densit ii de
put ere pe milimet ru de lungime a gril ei;
20. Apreci ai influena benzii interzise largi a nitri tului de galiu asupra
posibilit ilor de emisie i absorbi e a radi ai ei el ectromagnetice i comparai
posibilit il e mai mari ale nit ritul ui de gali u cu cele al e altor materi al e
semi conductoare;

4. 6. Probl eme

1. S se explice mot ivul pentru care sil iciul, germaniul, nitri t ul de gali u i
diamant ul au aspect e diferit e dei au st ructuri crist ali ne asemntoare. Limea
benzii int erzise pent ru sili ciu, este: Eg = 1, 11 eV; pentru germaniu: Eg = 0, 67
eV; pent ru nit ritul de galiu: Eg = 3, 49 eV, iar pentru di amant : Eg = 5, 4 eV.

Rezol vare:
Aspectul diferit se datoreaza di feren el or ntre lungimi le de und maxime
absorbit e de Si , Ge i di amant, a cror expresi e est e:
g
E
hc
E
hc
= =
min
max
, unde: h = 6, 63 10
- 34
J s, c = 2, 998 10
8
m/s.
Pent ru germani u:
max
= 1, 86 m, pent ru sili ciu:
max
= 1, 12 m, pentru
nitrit de galiu:
max
= 0, 36 nm, i ar pent ru di amant:
max
= 0, 23 m. i nnd cont
c spect rul vizibil presupune lungimi de und cupri nse nt re limitel e: 0, 4 m i
0, 73 m, rezul t absorbi a mai puternic a lumi nii inci dente pe supr afa a
cri st alelor de germaniu i sil ici u, ceea ce le confer aspect ul cenui u. Diamantul
i nitritul de gali u nu absorb l umina vi zibil inci dent , care este t ransmis sau
refl ectat de cri st al.

2. S se determine grosimea x a st rat ului de si liciu consumat prin
oxidare, pentru a realiza un st rat di n bioxid de sili ciu cu grosimea x
0
. Se

127
cunosc: masa at omi c a sil ici ului: A
Si
= 28, 09 u. a. m. , masa mol ecul ar a
bioxidului de sili ciu: A
Si O2
= 60, 08 u. a. m. , densi t ile vol umet rice:

Si
= 2, 33 g / cm
3
,
Si O2
= 2, 27 g / cm
3
i numrul lui Avogadro: N = 6, 023
10
23
mol ecul e/mol.

Rezol vare:
Numrul l ui Avogadro reprezint numrul de molecul e con inut e nt r -un
mol de substan sau numrul de atomi coninu i int r -un atom gram de
subst an . O mol ecul gram sau un mol de subst an este masa de subst an
exprimat n grame, egal numeri c cu masa molecular a substan ei, exprimat n
unit i atomice de mas.
Not m cu S suprafa a pl achet ei de sili ciu supus procesul ui de oxidare.
Numrul de atomi de siliciu est e egal cu numrul de mol ecul e de bioxid de sili ci u
sau:

N
A
x S
N
A
x S
SiO
SiO
Si
Si
2
2
0
= ,
de unde rezult x = 0, 455 x
0
.
Prin oxidare, volumul stratul ui din bioxid de sili ciu est e aproape dublu fa
de vol umul de sili ciu consumat. Acest rezult at este utilizat n tehnol ogi a de
realizare a ci rcuit elor integrat e.

3. Un monocrist al de sili ciu int ri nsec se inclzet e de la t emperatura T =
300 K pn l a t emperat ura T = 400 K. Legea de vari ai e a concentrai ei de
sarci n int ri nseci est e de forma:

kT
g
E
i
e T A n
2
2
0
A

= ,
unde: A
0
este o constant , l imea benzii interzise est e AEg = 1, 11 eV, i ar
constant a lui Bol tzmann are val oarea: k = 8, 62 10
- 5
eV / k.
S se cal cul eze:
a) Coefi cientul de vari ai e cu temperatura al rezistivit aii , la temperatura T
= 300 K.

b) Rezistivi tat ea l a t emperat ura T = 400 K, tiind c rezisti vitat ea l a T =
300 K est e
i
(300 K) = 2 10
3
Om.

Rezol vare:
a) Rezistivi tat ea depinde invers proporional de concentrai a de purttori de
sarci n n
i
sau:

kT
g
E
i
e T A
2
2
1
A

=

Coefi cient ul de vari aie cu t emperat ura al rezistivi t ii est e:
074 , 0
2
2
1
2
=
|
|
.
|

\
|
+
A
= =
T
kT
E
dT
d
g
i
i

K
- 1


b) Raportul rezistivi t ilor corespunztoare celor dou t emperaturi este:

128

( )
( )
|
.
|

\
|

|
.
|

\
|
=
T T k
g
E
i
i
e
T
T
T
T
1
`
1
2
2
`
`

Se observ o vari aie extrem de pronun at a rezisti vit ii
semi conductorului intri nsec cu t emperat ura, rezistivit at ea l a t emperat ura
ambi ant fiind rel at iv ridi cat . Semi conductorii extri nseci au rezistivit at e mai
sczut l a t emperat ura ambi ant , iar vari ai a cu temperat ura est e mai puin
pronun at .

4. S se calcul eze curentul care trece printr -o pl ac de sili ciu dopat cu 10
16

atomi de bor / cm
3
, de lungime: L = 100 m i seciune: S = 10
- 3
cm
2
, tensiunea
apli cat avnd val oarea U = 20 V, l a temperatura ambiant, pentru care l a
conduci a el ectri c parti cip doar purt t orii de sarcin majorit ari i la 300 C,
cnd l a conduci a el ectric part ici p i purttorii de sarcin minori tari. Se cunosc
forma dependen ei mobilit aii purtt oril or de sarcin de t emperatura: ~ T
- 2, 5
,
sarci na el ect ronului: e = 1, 6021 10
- 19
C, concent raiil e purttoril or de sarcin
la temperatura ambiant: p = 1, 002 10
16
cm
- 3
, n = 1, 12 10
14
cm
- 3
i mobili t ile
purt t oril or la t emperat ura ambi ant:
n, 300
= 1000 cm
2
/ Vs,
p, 300
= 350 cm
2
/
Vs.


Rezol vare:
Semi conductorul extrinsec realizat pr i n dopare cu bor este de ti p p,
concent rai a golurilor fiind superi oara concent rai ei de el ectroni.
La temperatura ambi ant a: T = 300 K, rezi stivit at ea are expresi a:
cm
p e
p
O =

= 72 , 1
1

,
iar curentul prin plac est e:
A
L
S U
R
U
I 16 , 1 =

= =

La temperatura : T = 573 K, mobil itaile purt at oril or sunt:

S V
cm T
n n

=
|
.
|

\
|
=

2
5 , 2
300 ,
34 , 198
300


S V
cm T
p p

=
|
.
|

\
|
=

2
5 , 2
300 ,
42 , 69
300
,
iar rezist ivit at ea pl acii semiconduct oare est e:

( )
cm
p n e
p n
O =
+
= 707 , 8
1



Curent ul care va trece prin pl aca are val oarea:

129
A
L
S U
I 23 , 0 =

Pri n urmare, l a o cretere pronun ata a t emperaturii, curentul prin pl aca de
semi conductor extrinsec scade de cinci ori, deci mult mai pu in comparati v cu o
plac din semi conductor int rinsec unde curentul ca i rezist ivitatea, se modi fic
cu mai mult e ordine de marime.

5. Efectul Hall apare in mat eri al el e conductoare si semiconductoare.
Coefi cientul Hall pentru cupru are val oarea: R
H
= 7, 3 10
- 11
m
3
/C, i ar
conductivi tat ea est e: o
n
= 6, 7 10
9
S/m. S se det ermine densitat ea el ect ronilor n
si mobilit at ea lor . S se det ermine expresi a coefi ci entului Hall pent ru un
semi conductor extri nsec, lund n considerare ambele tipuri de purt tori de
sarci n.

Rezol vare:
Cmpul Hal l are expresia:
B J R E
H
H
= ,
iar coefici entul Hall se poate exprima sub forma: R
H
=
n
/ o, unde:
n
este
mobilit at ea el ect ronilor, conduc ia el ectric n cupru fi i nd asi gurat prin
el ect roni. Rezul t valoarea mobilit ii el ectronil or:

n
= o R
H
= 4900 cm
2
/Vs.

Concentrai a el ectronilor se det ermin di n rel ai a:

n
n
n
n
H
n e
R

= = ,
rezultnd valoarea:

3 22
10 57 , 8
1

= cm
e R
n
H
.
Pent ru un semi conduct or extri nsec, conducia el ect ric este asi gurat de
ambel e tipuri de purttori de sarcin, a cror parti cipare la conduci a el ect ric se
exprim pri n raportul: .
,
o
o
p n
Coefi ci ent ul Hall are expresia:

( )
,
1
2
2
p n b
p n b
e
R
p p
n n
H
+

= + =
o
o
o

o
o
o

unde :
p
n
b

= .

6. S se reprezi nte diagrama benzilor energeti ce pent ru sili ciu dopat cu: N
A
= 10
16
atomi de bor/cm
3
. S se poziioneze nivelul Fermi intri nsec si nivelul
Fermi. Folosi nd ni vel ul Fermi ca ni vel de referi n, s se indice energiil e
el ect ronul ui si densi tat ea golurilor pent ru temperat urile: -78 C; 27 C; 300 C.
Pent ru t emperatura ambiant (27 C), se cunosc: AE
g
= 1, 11 eV; k = 8, 62 10
- 5

eV/K; n
i
= 1, 45 10
10
cm
- 3
.


130
Rezol vare:
Not am cu N
C
, N
V
concent rai a purtat orilor de sarci ni in banda de conduci e,
respectiv de val en . Expresil e concentra ilor purt atorilor de sarci n sunt:

( )
T k
E E
c
F C
e N n

= ,
= p
( )
T k
V
E
F
E
V
e N

unde funci a exponenial reprezint probabilit atea ocuparii de cat re un elect ron a
unei st ri energeti ce localizat e l a margi nea benzii de conducie, respecti v de
val en , pent ru care corespund energiil e E
C
, respect iv E
V
.

Pent ru un semiconductor i ntri nsec, relaii le devin:

( )
T k
i
E
F
E
i
e n n

= ,

( )
T k
F
E
i
E
i
e n p

=

i nt ruct n = p = n
i
, rezult :
( )
C
V
V C
N
N
kT E E Ei ln
2
1
2
1
+ + =
Est e de remarcat c N
C
si N
V
depi nd de temperatur in acel ai mod:
N
C
~T
3/ 2
, N
V
~T
3/ 2
, iar raportul lor ramne const ant .
Pent ru semi conduct orul intri nsec, nivel ul Fermi est e pl asat la mijlocul
benzii int erzise l a T = 0 K.
Admi nd ipot eza i onizarii complet e a i mpuritilor, concent ra ia de goluri
la echili bru, are expresi a:

(

+ + =
2 2
4
2
1
i A A
n N N p
Densit at ea purtat ori l or de sarcini di n semiconductorul i ntri nsec, depi nde de
temperatur i de laimea benzii i nterzise, presupus independent de
temperatur, conform rel ai ei:

kT
g
E
i
e T n
A

~
5 , 1
1
,
sau:

|
.
|

\
|

|
.
|

\
|
=
300
1 1
5 , 1
300 , ,
300
T kT
g
E
i T i
e
T
n n
Poziiile nivelul ui Fermi si valoril e concent rai ilor purt tori lor de sarci n
sunt reprezent at e n diagrame i nscrise n t abel:

n
i
|cm
- 3
| p |cm
- 3
| E
i
- E
F
|eV|
T
1
= 195 K 7, 28 10
4
~10
16
0, 431
T
2
= 300 K 1, 45 10
10
~10
16
0, 348
T
3
= 573 K 1, 06 10
15
1, 002 10
16
0, 111


131


Cu cret erea temperaturii semiconductorul extrinsec se comport ca un
semi conductor i ntri nsec, nivelul Fermi apropiindu-se de nivelul Fermi i ntrinsec.
Temperatura are un efect put erni c asupra purt torilor de sarci n int rinseci
generai termi c i nu afect eaz prea mult concentrai a purttoril or de sarci n
majorit ari.

7. S se cal culeze Nivel ul Fermi pent ru silici u dopat cu
19 18 6
10 , 10 , 10 at omi
donori/ cm
2
la temperatura camerei, presupunnd ionizarea complet . Cu valo ril e
obinute, s se verifi ce dac ipot eza ionizrii complet e est e just ifi cat . Se
considera nivel ul donor pl asat fa de marginea benzii de conducie, l a 0, 05 eV.
Se cunoate concent rai a de impurit i a sili ciul ui int rinsec:
3 19
10 45 , 1

= cm n
i
, precum i limea benzii i nt erzise: eV Eg 11 , 1 = A .











Rezol vare:
Presupunnd compl et a ionizare a impuri t ilor, sau
D
N n = , poziia
nivelului Fermi
F
E fa de nivelul Fermi intri nsec Ei corespunde temper aturii
absolut e K T 0
0
= , pent ru fiecare caz, est e:
(a) eV
n
n
T k E E
i
i F
348 , 0 ln
1
= = ;
(b) eV E E
i F
467 , 0 = ;
(c) eV E E
i F
527 , 0 = ;
Impurit il e sunt ionizat e atunci cnd nivelul donor nu este ocupat cu
el ect roni. Probabilit at ea de ocupare a ni vel ului donor, conform st atisticii Fermi
Dirac, este:
( )
kt
) E E ( ) E E ( 2 / E
kt
E E
D
i F D C g F D
e 1
1
e 1
1
E f

+
=
+
=
Ec
Ed
Ef
Ei
eV
Eg
555 , 0
2
=

Ed-Ef
0,05 eV
Ef-Ei

132
iar probabilit at ea ca nivelul donor s nu fi e ocupat de un el ect ron, est e:
) ( 1
D
E f i se calculeaz pent ru fi ecare caz in part e:
(a) ) ( 1
D
E f =99, 7%
(b) ) ( 1
D
E f =81, 26%
(c) ) ( 1
D
E f =30, 00%
Prin urmare, i pot eza ionizrii compl et e a impuritilor donoare est e
val abil n primel e dou cazuri . Pent ru nivelel e ridi cate de dopare, aceast
ipot ez nu mai est e conform cu realit at ea fizi c. De altfel, la concent ra ii mari
semi conductorul est e degenerat i nu mai est e val abil rel ai a
2
i p
n n = .

4.7. Anexe

Rezistena de ptrat
Rezist en a de pt rat R reprezint
rezistena unui strat cu grosimea g de form
pt rat i se msoar in ohm/p. (fi g. A. 9. ).
Rezist en a pe pt rat se poat e expri ma n
funci e de rezisti vit at ea mat erial ului . Pent ru
un semiconductor de tip n, rezist en a pe pt rat
are expresia:

g g ng e g N e
R
n
n n D n

o
= = = =
1 1 1
unde: e
i
n
sunt sarcina i mobilit at ea el ect ronului,
N
D
=n est e concent rai a atomilor donori sau
el ect ronilor. Rezistena st rat ului are forma:
R
I
L
R =