1

1.1.
1.2.
1.3.
1.4.
1.5.
1.6.
2.1.
2.2.
2.3.
3.1.
3.2.
3.3.
3.4.
3.5.
4.1.
Cuprins
1
2
3
4
1. GENERATOARE SI AMPLIFICATOARE CUANTICE DE RADIATII. LASERUL SI MASERUL.......... 3
CAP. 2. NOTIUNI DE FIZICA PLASMEI SI APLICATII................................................................................ 47
CAP. 3. PLASMA PRODUSA CU AJUTORUL LASERULUI...................................................................... 84
CAP. 4. SURSE DE RADIATII X BAZATE PE PLASMA PRODUSA CU AJUTORUL LASERULUI ..... 102
EMISIA SPONTANA, EMISIA INDUSA SI ABSORBTIARADIATIEI..................................................5
AMPLIFICAREA RADIATIEI. INVERSIA DE POPULATIE. TEMPERATURA NEGATIVA...............15
OBTINEREA INVERSIEI DE POPULATIE...........................................................................................19
COMPONENTELE UNUI GENERATOR SI AMPLIFICATOR CUANTIC DE RADIATII (LASER SI
MASER)..........................................................................................................................................................24
TIPURI DE LASERI UTILIZATI N TEHNICA.......................................................................................25
1.5.1. Laserul cu rubin...............................................................................................................................27
1.5.2. Laserul cu semiconductori..............................................................................................................28
1.5.3. Laserul Nd:YAG..............................................................................................................................31
1.5.4. Laserul cu excimer..........................................................................................................................33
1.5.5. Laserul cu colorant..........................................................................................................................34
1.5.6. Laserul cu CO2...............................................................................................................................35
1.5.7. Laserul cu Ar+.................................................................................................................................36
1.5.8. Laserul cu He Ne.........................................................................................................................37
1.5.9. Laserul cu electroni liberi................................................................................................................38
APLICATII ALE LASERILOR.................................................................................................................39
1.6.1. Aplicatii n stiinta. ............................................................................................................................39
1.6.2. Aplicatii ale laserilor n tehnica.......................................................................................................40
1.6.3. Holografia........................................................................................................................................41
CURENTUL ELECTRIC PRIN GAZE...................................................................................................49
CVASINEUTRALITATEA PLASMEI......................................................................................................56
UNELE APLICATII ALE PLASME N TEHNICA...................................................................................61
2.3.1. Plasma ca sursa de lumina............................................................................................................62
2.3.2. Utilizarea plasmei n analiza spectrala..........................................................................................63
2.3.3. Instalatii de plasma focalizata........................................................................................................64
2.3.4. Panouri de afisare cu plasma.........................................................................................................65
2.3.5. Aplicatii ale plasmei n tehnologii de sudare si acoperire. Plasmatronul.....................................71
2.3.6. Utilizarea plasmei termice n metalurgie........................................................................................78
2.3.7. Aplicatii ale plasmei ntratarea superficiala a metalelor. Nitrurarea ionica..................................80
FOTOIONIZAREA..................................................................................................................................84
TUNELAREA..........................................................................................................................................88
CUPLAJUL LASER-PLASMA................................................................................................................90
3.3.1. Ionizarea n cascada.......................................................................................................................93
3.3.2. Procesul Bremsstrahlung invers...................................................................................................95
EXPANSIUNEA PLASMEI.....................................................................................................................98
EMISIA DE RADIATIE DE CATRE PLASMELE OBTINUTE CU AJUTORUL LASERULUI.............99
PLASMELE PRODUSE CU AJUTORUL LASERULUI CA SURSE N EUV......................................104
2
4.2.
4.3.
4.4.
STUDII NUMERICE ALE PROCESULUI DE EXPANSIUNE A PLASMEI PRODUSE CU AJUTORUL
LASERULUI.................................................................................................................................................... 106
STUDIUL NUMERIC AL SPECTRULUI DE RAZE X-MOI EMISE DE PLASMELE LASER............. 110
STUDIUL EXPERIMENTALAL PLASMEI PRODUSA CU AJUTORUL LASERULUI....................... 113
5 BIBLIOGRAFIE............................................................................................................................................... 114
3
1. G GE EN NE ER RA AT TO OA AR RE E S SI I A AM MP PL LI IF FI IC CA AT TO OA AR RE E
C CU UA AN NT TI IC CE E D DE E R RA AD DI IA AT TI II I. . L LA AS SE ER RU UL L S SI I
M MA AS SE ER RU UL L
Generatoarele si amplificatoarele cuantice de radiatii au reprezentat
unele dintre succesele cele mai spectaculoase si eficace ale stiintei.
Calitatile remarcabile ale acestor dispozitive justifica cu prisosinta interesul
deosebit care li s-a acordat. Realizarea lor a fost determinata de o serie de
cerinte practice si a fost posibila odata cu aparitia unei noi discipline:
electronica cuantica. Aceasta disciplina se bazeaza n primul rnd pe
utilizarea treptata a spectrului undelor electromagnetice, care se gaseste n
afara domeniului undelor radio, si n al doilea rnd pe adoptarea unor noi
metode de lucru n locul celor clasice.
Functionarea generatoarelor si amplificatoarelor de ultra-nalta
frecventa obisnuite, de tip clistron, se bazeaza pe interactiunea cmpului
electromagnetic cu electronii liberi, interactiune care se produce datorita
prezentei sarcinii electrice a electronului. Functionarea generatoarelor si
amplificatoarelor cuantice este, nsa, n strnsa legatura cu noile metode
fizice bazate pe fenomenele cuantice. n acest din urma caz n locul
electronilor liberi care se misca n vid, se utilizeaza electronii legati n
materie: n moleculele, n atomii sau n ionii unui corp solid, lichid sau
gazos. Deci functionarea lor presupune existenta unui mediu material.
Principiul general de functionare a acestor dispozitive cuantice se
bazeaza pe asa-numitul fenomen de sau
descoperit de A. Einstein n anul 1917.
Dupa cum este cunoscut, undele electromagnetice pot sa
interactioneze cu un sistem atomic (o molecula, un atom sau un ion)
producnd o variatie a energiei interne a acestuia. Deci daca o astfel de
unda interactioneaza cu un atom, un ion sau o molecula, energia acestora
emisie stimulata emisie indusa
4
va creste pna la o anumita valoare bine determinata. Sistemul atomic
respectiv va fi excitat prin trecerea sa, de exemplu, din starea fundamentala
ntr-o anumita stare energetica cuantificata superioara. De aici el
poate reveni n starea fundamentala (din care a plecat) prin eliberarea
energiei cstigate sub forma de radiatii, cu frecventa data de conditia lui
Bohr:
(1.1)
n aceasta relatie, si sunt energiile starilor excitata si fundamentala
ale sistemului atomic, iar este constanta lui Planck. n acest mod se
produce emisia de radiatie cu frecventa data de conditia (1.1). Aceasta
emisie se poate produce n doua moduri distincte.
Daca cmpul undei electromagnetice care interactioneaza cu sistemul
atomic aflat n starea energetica superioara este nul, atunci procesul de
trecere a sistemului n starea fundamentala, urmat de emisia de radiatie, se
numeste . Daca asupra sistemului atomic aflat n starea
excitata actioneaza cmpul undei electromagnetice avnd frecventa
egala cu frecventa corespunzatoare tranzitiei considerate, sistemul
atomic va emite o unda care se gaseste ntr-o relatie de faza bine
determinata cu unda incidenta. Acest proces se numeste sau
. La rndul sau, unda emisa n acest mod va fi n masura sa
stimuleze un alt sistem atomic si asa mai departe. Procesul va conduce
astfel la amplificarea undei incidente, ceea ce constituie ideea esentiala a
principiului de functionare a generatoarelor si amplificatoarelor cuantice de
radiatii.
Acestor dispozitive li s-au dat de la descoperirea lor si pna n
prezent, diverse denumiri, dar cea mai corecta este denumirea de
generatoare si amplificatoare cuantice de radiatii, care desemneaza
aparatele respective independent de domeniul n care lucreaza. n plus
) n ( (m)
mn
n m mn
W W h
m
W
n
W
h
mn

emisie spontana
emisie indusa
emisie stimulata
5
aceasta denumire indica si procesele fundamentale de natura cuantica, pe
care se bazeaza functionarea dispozitivelor.
Vom vorbi deci despre generatoare si amplificatoare cuantice n
domeniul microundelor sau despre generatoare si amplificatoare cuantice n
domeniul optic. Pentru simplificare nsa, vom folosi si denumirile de maser si
laser desemnnd prin aceasta fie procesul n baza caruia se produce
generarea sau amplificarea radiatiilor, fie dispozitivele respective.
A. Einstein a introdus notiunea de emisie indusa pornind de la
consideratii termodinamice asupra unui ansamblu de sisteme atomice. El a
examinat un ansamblu de sisteme atomice care se gasesc n echilibru
termic cu peretii incintei n care se afla ansamblul de sisteme la temperatura
absoluta . Dupa cum stim, sistemele atomice poseda nivele energetice
discrete, cuantificate, ntre care se pot produce tranzitii urmate de emisie
sau de absorbtie de radiatie: la trecerea unui sistem de pe nivelele
energetice inferioare pe cele superioare se produce absorbtia radiatiei, iar la
trecerea inversa are loc emisia. Deoarece ansamblul de sisteme considerat
se gaseste n echilibru termic, acesta, din punctul de vedere al radiatiei
absorbite si emise, este echivalent cu un corp negru: fiecare parte a
ansamblului de sisteme atomice va absorbi aceeasi cantitate de radiatie pe
care o va putea emite.
Radiatia corpului negru se caracterizeaza prin faptul ca densitatea de
energie a acestuia depinde numai de temperatura sa absoluta, iar energia
totala a radiatiei e distribuita ntr-o banda de frecvente. Distributia spectrala
a energiei este stabilita de formula lui Planck. Astfel daca reprezinta
1 1. .1 1. . E EM MI IS SI IA A S SP PO ON NT TA AN NA A, , E EM MI IS SI IA A I IN ND DU US SA A S SI I A AB BS SO OR RB BT TI IA A
R RA AD DI IA AT TI IE EI I
T

6
0
1
8
3
2
densitatea de energie a radiatiei n unitatea de interval de frecventa, pentru
frecventa si satisface egalitatea:
, (1.2)
atunci, pentru orice frecventa si temperatura , marimea este
determinata de formula de radiatie a lui Planck:
, (1.3)
unde este constanta lui Planck, este constanta lui Boltzmann si este
viteza luminii.
Deoarece sistemele de atomi considerate se gasesc n echilibru
termic cu mediul nconjurator peretii incintei Einstein a postulat ca
radiatia, absorbita si emisa de catre sisteme prin tranzitii ntre nivelele lor
energetice, trebuie sa se supuna legii de radiatie a lui Planck data de relatia
(1.3).
Fie un sistem atomic: un atom, ion sau molecula care poate executa
tranzitii ntre nivelul superior si un nivel inferior (Figura 1.1), carora le
corespund energiile si . Tranzitiile posibile ntre aceste nivele sunt
cele corespunzatoare absorbtiei sau emisiei de radiatie cu o frecventa bine
determinata , data de conditia lui Bohr:
. (1.4)

=
d
T
kT
h
e
h
c
h k
m n
n
W
m
W
n m
W W h
c
7
Figura 1.1

Pentru simplificare vom admite ca dispunem de un corp format din
atomi pe unitatea de volum, fiecare atom avnd doua nivele energetice
si nedegenerate reprezentate n figura 1.1. La echilibru termodinamic,
atomii se distribuie dupa cele doua nivele n acord cu legea lui Boltzmann:
(1.5)
n care este numarul de atomi din starea sau populatia nivelului de
energie , este populatia nivelului inferior de energie , este
constanta lui Boltzmann si este temperatura absoluta a corpului.
Probabilitatea, n unitatea de timp, ca un atom aflat n starea
superioara sa emita spontan un foton si sa treaca n starea inferioara este
independenta de intensitatea cmpului de radiatie si depinde numai de
caracteristicile starilor atomice implicate n tranzitie. Aceasta probabilitate a
tranzitiei spontane pe unitatea de timp si pe atom o notam cu si o
numim . Deoarece n acest
caz sistemele atomice emit n mod ntmplator, la diferite momente, radiatia
emisa spontan este incoerenta si distribuita ntr-o banda de frecvente
suficient de larga nemonocromatica. Ea nu participa la procesul de
amplificare, ci constituie ceea ce numim . Numarul
N
m
W
n
W
kT
W W
n
m
n m
e
N
N
m
N (m)
m
W
n
N
n
W k
T
mn
A
W
W
m
W
n
A
mn
B
mn
B
nm

=
coeficientul lui Einstein pentru emisia spontana
zgomotul semnalului
8
tan
0
tranzitiilor spontane n unitatea de timp va depinde numai de
probabilitatea de tranzitie pe unitatea de timp si de numarul sistemelor
atomice aflate n starea excitata. Deci putem scrie:
(1.6)
unde reprezinta numarul de sisteme atomice cu care este
micsorat numarul prin fenomenul de emisie spontana.
Marimea mai poarta denumirea de
sau . Ca urmare, puterea radiatiei
emise spontan este:
(1.7)
Intensitatea radiatiei emise spontan ntr-o anumita directie este
proportionala cu si deci:
n care este un factor care depinde de geometria sursei.
Caracteristicile radiatiei emise spontan sunt determinate de faptul ca
actele elementare de emisie spontana sunt produse de atomi care practic
nu interactioneaza ntre ei. Lipsa de interactiune presupune ca momentele
dipolare electrice ale atomilor sunt orientate izotrop n spatiu si ca atomii de
pe nivelul superior participa la tranzitia spontana la diverse momente de
timp n conformitate cu legea exponentiala:
. (1.8)
(n) (m)
mn
A
m
N
mn m
tan spon
m
A N
dt
dN
dN -
spontan m
m
N
dt
dN
m
N A h )
dt
dN
( h P
m mn mn
m
mn spontan
spon
P
m mn mn spontan spontan
N A h K KP I
K
(m)
m
t
m m
e N t N

( )

= =
= =
( ) ( )

=
rata a emisiei spontane
viteza de variatie a populatiei acestui nivel
9
1
unde este timpul de viata al starii . Marimea reprezinta intervalul
de timp n decursul caruia numarul de atomi din starea a scazut de
ori, ca urmare a actelor de emisie spontana.
Pentru un atom care poseda mai multe nivele energetice actul de
emisie spontana se poate face de la un nivel dat la toate nivelele
inferioare si timpul de viata al nivelului de energie este:
. (1.9)
Numarul valorilor pe care le ia indicele din relatia (1.9) este egal cu
numarul nivelelor care au energie mai mica dect energia , iar este
coeficientul lui Einstein pentru emisia spontana n tranzitia de la starea la
o stare .
n prezenta unui cmp de radiatie, un atom aflat pe nivelul superior
poate sa emita un foton cu frecventa data de relatia (1.4) si prin
procesul de emisie indusa. Unda emisa este n faza cu unda prezenta si
deci prin acest fenomen se obtine o unda amplificata, monocromatica si
coerenta.
n procesul de emisie indusa, probabilitatea ca sa aiba loc tranzitia
unui atom pe unitatea de timp, este proportionala cu densitatea spectrala a
cmpului de radiatie (energia radiatiei din unitatea de volum pe unitatea
de interval de frecventa, din jurul frecventei ) care are frecventa egala
sau foarte apropiata, de frecventa de rezonanta exprimata prin relatia
(1.4). Cmpul de radiatie poate avea diferite frecvente nsa, n procesul de
emisie indusa, conteaza numai densitatea radiatiei la rezonanta cu tranzitia
considerata, pe care o notam cu . Indicele indica temperatura de
echilibru a corpului care emite si interactioneaza cu radiatia sa cu densitatea
.
m
(m)
m
(m) e
m
W
m
W
i
mi
m
A
i
m
W
mi
A
m
i
(m)
mn T
T
T

=
( )
( )

mn
10
Variatia n timp a populatiei nivelului superior datorata emisiei induse
este data de relatia:
(1.10)
n care este numarul de sisteme atomice cu care este micsorat
numarul prin procesul de emisie indusa, iar este coeficientul lui
Einstein pentru emisia indusa si reprezinta probabilitatea ca un atom sa
emita indus n unitatea de timp un foton cu frecventa , cnd densitatea
de energie a radiatiei este egala cu unitatea.
Puterea radiatiei emise prin tranzitii induse va fi data de produsul
dintre energia unui foton rata emisiei induse:
(1.11)
Intensitatea radiatiei emise induse este o marime proportionala cu
si deci:
(1.12)
n procesul de emisie indusa, fotonul care cade asupra unui atom
este nsotit de fotonul indus care are aceleasi caracteristici ca si fotonul
incident. Aceasta nseamna ca radiatia indusa este directionala, polarizata
si coerenta.
Daca un atom se afla pe un nivel energetic inferior , n prezenta
radiatiei cu densitatea de energie n unitatea de interval de frecventa la
frecventa de tranzitie egala cu poate absorbi energia radiatiei
incidente cu frecventa de rezonanta si sa treaca la nivelul superior. Acest
proces este invers procesului de emisie indusa si deci putem scrie rata
procesului de absorbtie sub forma:
( ) =

( )

( )
=

=
( ) =
( ) = =
( )
m mn T mn
indus
m
N B
dt
dN
indus m
dN
m
N
mn
B
mn
mn T
indus
m
mn indus
dT
dN
h P
m mn T mn mn
N B h
m mn T mn mn indus indus
N B h K P K I
(n)
mn T

P
indus
11
( ) =

=
( ) =
( ) =
( ) ( ) = +
( )
( )+

=

=

n mn T nm
absorbit
n
N B
dt
dN
B
nm
absorbit
n
mn absorbit
dt
dN
h P
n mn T nm mn
N B h
n nm T nm mn absorbit
N B Kh I
n mn T nm m mn T mn mn m
N B N B A N
mn mn T mn
mn T nm
n
m
A B
B
N
N
kT h
n
m mn
e
N
N
N
m n
N
T
. (1.13)
unde este . Puterea radiatiei
absorbite poate fi:
, (1.14)
iar intensitatea radiatiei absorbite este:
. (1.15)
Deoarece am presupus ca ansamblul de sisteme atomice se afla n
echilibru termodinamic, rezulta ca avem de-a face cu o stare stationara care
se realizeaza cnd ratele procesului care au tendinta sa populeze diverse
stari energetice ale atomilor sunt egalate de ratele proceselor de depopulare
a acestor stari. Deci din notatiile (1.7), (1.11) si (1.14) obtinem:
(1.16)
Aceasta relatie mai poate fi scrisa si sub forma:
. (1.17)
Dar la echilibru termodinamic este valabila distributia lui Boltzman conform
careia:
. (1.18)
Din aceasta relatie rezulta ca la echilibru termodinamic populatia nivelului
superior este mai mica dect cea a nivelului inferior . Se spune, n
acest caz, ca avem o distributie normala a populatiilor atomice pe nivelele
de energie. Aceasta distributie are loc la orice stare de echilibru
termodinamic, deci si n cazul particular al unei stari de echilibru la o
temperatura . Un corp care are o temperatura suficient de mare emite
coeficientul lui Einstein pentru absorbtie
12
1
1
1
3
3
8
si o radiatie cu o densitate mare, adica . Avnd n vedere aceste
conditii: , din relatiile (1.17) si (1.18) obtinem:
si , (1.19)
din care deducem:
, (1.20)
care arata ca, daca nivelele nu sunt degenerate, coeficientul lui Einstein
pentru emisia indusa este egal cu coeficientul pentru absorbtie.
Daca nivelele si sunt degenerate atunci:
(1.21)
unde si sunt gradele de degenerescenta.
n acest caz, relatiile (1.17) si (1.21) conduc la:
. (1.22)
Daca ne limitam la cazul nivelelor nedegenerate si notam:
; si (1.23)
atunci putem renunta la indicii coeficientilor respectivi.
Densitatea de energie a radiatiei n conditii de echilibru
termodinamic este data de formula lui Planck (1.3) si utiliznd notatiile
(1.23), putem scrie egalitatea (1.17) sub forma:
sau . (1.24)
Comparnd relatiile (1.3 legea de distributie Plank) si (1.24)
obtinem:
. (1.25)
( )
( )
= =
=

=
=
= = = =
( )
( )
( )+

=

( )

=
mn T
mn T
T
mn
nm
n
m
B
B
N
N
n
m
N
N
nm mn
B B
(m) (n)
kt h
n
m
n
m mn
e
g
g
N
N
g
m
g
n
n
m
nm
mn
g
g
B
B
B B B
nm mn
A A
mn mn
T
A B
B
e
T
T kT
h
kT
h
T
e
B
A
c
h
B
A
13
3
2
3 4
3
64
n acest mod relatiile (1.20 si (1.25) ne dau legatura ntre cei trei
coeficienti Einstein.
De asemenea, se constata ca presupunerile lui Einstein cu privire la
existenta fenomenului de emisie indusa si emisie spontana si expresiile
pentru probabilitatile acestor emisii sunt concordante cu formula lui Planck.
Apoi, probabilitatile de absorbtie si de emisie indusa trebuie sa fie egale
ntre ele, iar ntre coeficientii de emisie spontana si emisie indusa
exista o relatie bine determinata (1.25). Aceasta relatie permite sa se
exprime coeficientul de emisie spontana prin coeficientul de absorbtie ,
care poate fi determinat experimental.
Nivelele de energie si considerate pna acum, au fost alese
asa fel nct frecventa rezultata prin tranzitiile dintre ele, data de relatia (1.4)
sa fie egala cu frecventa cmpului electromagnetic cu care sistemele
atomice se gasesc n echilibru. Pentru ca procesele de emisie si absorbtie
sa aiba loc, n afara de aceasta conditie, mai trebuie ndeplinite diferite alte
regularitati. De exemplu, nu toate tranzitiile dintre oricare nivele sunt nsotite
de radiatie, ci sunt posibile si tranzitii ne-radiative. Prin acest proces, numit
, energia eliberata este preluata de catre reteaua cristalina,
conducnd la ncalzirea acesteia. n afara de aceasta, unele tranzitii sunt
sau .
Probabilitatile de emisie indusa si spontana pot fi evaluate pornind de
la legile mecanicii cuantice. P. Dirac a fost primul care a efectuat aceste
evaluari, ntr-o forma care explica n mod satisfacator att emisia indusa, ct
si pe cea spontana.
Astfel probabilitatea de emisie spontana poate fi exprimata sub
forma:
(1.26)
A B
A B
(m) (n)
A
hc
A
relaxare
nepermise interzise

=
14
2
2
0
2
2
1
0
2
2
3
3
8
unde este elementul de matrice al tranzitiei corespunzatoare. n cazul
unei tranzitii de dipol magnetic, marimea este egala cu jumatatea
patratului magnetonului lui Bohr: .
Pentru alte tranzitii de dipol magnetic trebuie sa examinam un
oarecare element de matrice mediu al tranzitiei. n general, nsa, elementele
de matrice ale tranzitiilor de dipol magnetic, ca ordin de marime, sunt egale
cu un magneton Bohr - . Elementele de matrice ale tranzitiilor de dipol
electric sunt de sute de ori mai mari.
Pentru valoarea coeficientului lui Einstein a fost gasita relatia:
. (1.27)
Comparnd expresiile (1.26) si (1.27) se vede ca n cazul unui moment
dipolar constant probabilitatea de emisie indusa este independenta de
frecventa, n timp ce probabilitatea de emisie spontana este proportionala
cu cubul frecventei. Acest rezultat este foarte important pentru realizarea
practica a generatoarelor si a amplificatoarelor cuantice deoarece impune o
limita pentru frecventa de functionare a acestor dispozitive.
Remarcam, de asemenea, ca relatia (1.25) ne arata ca la frecvente
mari (vizibile sau ultraviolete) domina emisia spontana fata de cea stimulata
pe cnd la frecvente mici (infrarosu ndepartat si microunde) emisia
stimulata devine semnificativa . Astfel se explica caracterul directional
al microundelor si caracterul izotropic al radiatiei luminoase emisa de
sursele clasice de lumina.
| |
B
h
B
B) (A
B) (A

=
>>

15
0
0
1 1. .2 2. . A AM MP PL LI IF FI IC CA AR RE EA A R RA AD DI IA AT TI IE EI I. . I IN NV VE ER RS SI IA A D DE E P PO OP PU UL LA AT TI IE E. .
T TE EM MP PE ER RA AT TU UR RA A N NE EG GA AT TI IV VA A
Pentru procesul de amplificare a radiatiei, rolul esential l joaca numai
fenomenele de absorbtie si de emisie indusa deoarece emisia spontana
genereaza zgomote si deci nu va fi luat n consideratie.
Sa consideram un ansamblu de sisteme atomice n echilibru
termodinamic cu radiatia electromagnetica de densitate . Fie
numarul de sisteme atomice din unitatea de volum aflate n starea
inferioara si numarul de sisteme aflate n starea superioara . Ca
urmare, numarul de fotoni absorbiti n unitatea de volum si n intervalul de
timp va fi:
, (1.28)
iar energia absorbita va fi egala cu:
. (1.29)
Deoarece nu se ia n consideratie fenomenul de emisie spontana,
numarul de fotoni emisi n acelasi volum si interval de timp va fi:
. (1.30)
iar energia emisa va fi data de relatia:
(1.31)
Pentru a obtine o amplificare este necesar ca energia emisa sa
depaseasca pe cea absorbita, adica:
, (1.32)
sau:
. (1.33)
( )
( ) ( ) =
( ) =
( ) ( ) =
( ) =
> =
( ) ( ) > =
T
N
n
(n) N
m
(m)
dt
dt B N dN
T n absorbit n
dt h B N W
T n a
dt B N dN
T m indus m
dt h B N W
T m indus
absorbit indus
W W dW
dt h B N N dW
T n m
16
Figura 1.2
Deci satisfacerea relatiei (1.32) impune conditia , adica n
intervalul de timp trebuie sa existe un surplus de sistem atomice n
starea energetica superioara .
Odata ndeplinita aceasta conditie amplificarea radiatiei se poate
explica intuitiv cu ajutorul diagramei din Figura 1.2. Daca un foton de
frecventa ntlneste un sistem atomic aflat n starea superioara ,
acesta prin fenomenul de emisie indusa va emite un nou foton de aceeasi
frecventa si de aceeasi faza cu fotonul incident. Vor exista acum doi fotoni
identici care, repetnd procesul, vor da nastere altor fotoni si asa mai
departe. Pe masura propagarii n mediu, unda este astfel amplificata.
Dimpotriva, daca fotonul incident ntlneste un sistem atomic n starea
inferioara, el va fi absorbit, conducnd la excitarea sistemului respectiv.
Daca numarul sistemelor atomice n starea superioara nu este suficient de
mare, deci nu este satisfacuta conditia , atunci amplificarea radiatiei
nu poate avea loc.
Aceasta conditie: necesara amplificarii radiatiei nu este
satisfacuta n mod natural. Pentru a arata aceasta sa consideram distributia
sistemelor atomice dupa nivelele energetice, de exemplu dupa nivelele
reprezentate n Figura 1.3.
n starea de echilibru termodinamic aceasta distributie va fi
caracterizata de legea lui Boltzmann:
n m
N N
dt
(m)
(m)
n m
N N
n m
N N
>

>
>
17
Figura 1.3
kT
W
i
i
e A N
A
i
N
i
W i
T
n m
N N

=
>
(1.34)
unde este o constanta de normare, iar numarul de sisteme atomice
aflate n starea energetica a nivelului . Din relatia (1.34) si din Figura
1.3 rezulta ca la orice valoare a temperaturii numarul de sisteme atomice
aflate pe un anumit nivel scade cu cresterea energiei nivelului, adica pe
nivelele mai nalte se gasesc mai putine sisteme atomice dect pe nivelele
mai joase. De aici rezulta o concluzie foarte importanta pentru procesul de
amplificare a radiatiei.
Probabilitatile de absorbtie si emisie indusa, fiind egale, ar fi de
asteptat ca numarul fotonilor absorbiti sa fie egali cu cel al fotonilor emisi.
Cum nsa majoritatea sistemelor atomice se gasesc pe nivelele mai joase,
absorbtia n general ntrece emisia si de aceea, n mod obisnuit substanta
absoarbe energie electromagnetica. Conditia de amplificare ,
dedusa mai sus, nu va fi deci satisfacuta n mod natural. Pentru a o realiza
sunt necesare conditii experimentale speciale prin care sa se produca ceea
ce se numeste adica, sa se realizeze un numar
W
W
W
W
4
3
2
1
W
N(W)
inversiunea de populatie
18
mai mare de sisteme atomice pe nivelul superior dect pe cel inferior. n
aceste conditii ansamblul de sisteme atomice nu va mai fi n echilibru
termodinamic. Se spune ca, n raport cu nivelele de energie considerate:
si , ansamblul de sisteme atomice are temperatura negativa. n adevar,
conform legii de distributie a lui Boltzmann, raportul dintre numarul de
sisteme atomice de pe cele doua nivele considerate este dat de relatia:
(1.35)
de unde putem deduce pentru temperatura absoluta , relatia:
. (1.36)
n cazul echilibrului termodinamic obisnuit exista inegalitatea
si cum din relatia (1.36) rezulta . Deci n cazul echilibrului
termodinamic, ansamblul de sisteme atomice are temperatura pozitiva n
raport cu nivelele si .
Sa admitem acum ca printr-un mijloc special am realizat inversiunea
de populatie: . n aceasta situatie, desi ansamblul sistemelor
atomice nu se mai afla n starea de echilibru termodinamic se va stabili,
totusi, pentru un interval de timp, un oarecare echilibru fortat.
Presupunnd si n acest caz valabila legea de distributie a lui Boltzmann,
din relatia (1.36) rezulta . Deci n cazul realizarii inversiunii de populatie
n raport cu nivelele considerate si , ansamblul de sisteme atomice
poseda temperatura negativa n raport cu aceste nivele. ntruct n acest
caz conditia de amplificare este satisfacuta, rezulta ca ansamblul
de sisteme atomice caruia i se poate atribui temperatura negativa n raport
cu anumite nivele de energie, este capabil sa amplifice radiatia de frecventa
, corespunzatoare frecventei de tranzitie a sistemelor atomice ntre
(n)
(m)
kT
W W
n
m
n m
e
N
N
T
n
m
n m
N
N
ln k
W W
T
n m
N N
n m
W W 0 T
(m) (n)
n m
N N
0 T
(m) (n)
n m
N N

=
<
> >
>
<
>

19
] / ) ( exp[ /
1 2 1 2
1 2 2 1
nivelele de energie respective n raport cu care exista inversiunea de
populatie. Un astfel de sistem poarta denumirea de .
Inversia de populatie este legata de actiunea exterioara exercitata
asupra materialului activ, fiind nevoie de o alta sursa de energie. Definim
notiunea al materialului activ ca fiind procesul prin care se
realizeaza inversia de populatie (numarul starilor excitate este mai mare
dect numarul de stari fundamentale la acelasi moment de timp >
1
)
Vom analiza posibilitatea obtinerii inversiunii de populatie pentru diferite
sisteme atomice.
n cazul cnd materialul optic activ contine doar sisteme atomice cu 2
nivele energetice ( ales nivel fundamental si nivelul excitat), daca cele
doua nivele energetice au aceleasi grade de degenerare, , atunci
conform distributiei de echilibru termodinamic (distributia Boltzmann):
(1.37)
Astfel, pentru avem , dar ntotdeauna . n concluzie,
pentru sisteme atomice cu doua nivele energetice, n conditii normale, nu
este posibil sa se realizeze inversia de populatie.
mediu activ
de pompaj
N
2
N
Sisteme cu 2 nivele energetice
E
1
E
2
g
1
= g
2
1 1. .3 3. . O OB BT TI IN NE ER RE EA A I IN NV VE ER RS SI IE EI I D DE E P PO OP PU UL LA AT TI IE E
T k E E N N
B
T N N N N
=
<
20
2 3
Figura 1.4
Sisteme atomice cu 3 nivele energetice
E
1
E
2
, E
3
>
E
1
E
3
t
32
E
2
E
2
E
1
E
2
E
3
E
1
E
3
E
2
E
1
E
3
E
3
E
2
E
2
E
2
E
1
E
1
E
3
Vom considera un material activ care contine sisteme atomice cu 3
nivele energetice:
nivelul
fundamental,
nivele
superioare excitate.
ntr-un astfel de
sistem se poate
realiza inversia de
populatie n anumite
conditii (Figura 1.4):
a) Poate exista o tranzitie laser daca este un nivel metastabil
(timp de viata mare), iar are durata de viata cea mai scurta (fiind
posibila tranzitia neradiativa (relaxare) rapida a sistemelor de pe nivelul
pe nivelul fundamental . n acest fel se asigura o inversiune de populatie
ntre si daca se realizeaza un pompaj ntre si (Figura 1.4.a). Un
astfel de sistem poate functiona n mod continuu.
b) Se poate obtine o inversie de populatie si ntre nivelele energetice si
daca nivelul corespunde unei benzi largi de absorbtie cu un timp de
viata foarte scurt (are loc relaxarea ? ) n timp ce nivelul energetic
este metastabil. Tranzitia laser are loc ntre nivelele energetice si n
timp ce pompajul se realizeaza, ca si n cazul precedent, tot ntre si
(Figura 1.4b). Obtinerea inversiei de populatie n acest mod este utilizata n
cazul clasic al laserului cu rubin.
E E
21
Figura 1.5
Sisteme atomice cu 4 nivele energetice
E
1
E
4
E
4
E
4
E
3
E
3
E
2
E
2
E
1
E
1
E
4
E
2
Realizarea pompajului laser
Utilizarea sistemelor atomice cu 4 nivele energetice prezinta avantajul
ca se poate obtine inversia de populatie raportata la un nivel inferior foarte
putin populat. Cu alte cuvinte, se
realizeaza inversia de populatie nu prin
popularea nivelului superior, ci prin faptul
ca n mod natural nivelul energetic inferior
este foarte putin populat. Astfel se obtine o
eficienta mai mare a emisiei laser.
Pompajul se face ntre si ; nivelul
este un nivel cu banda larga si cu timp de
viata foarte scurt. Daca de pe nivelul
energetic pe nivelul (nivel metastabil)
are loc o tranzitie neradiativa (de relaxare), atunci se realizeaza o inversia
de populatie ntre nivelul si . ntre aceste nivele energetice are loc si
tranzitia laser. Nivelul energetic se depopuleaza ntr-un timp foarte scurt
printr-o relaxare pna pe nivelul fundamental . Pompajul se realizeaza
ntre nivelele energetice si . Daca nivelul energetic este suficient de
ridicat atunci acesta este n conditii normale putin populat, fapt care
favorizeaza inversiei de populatie. Un astfel de sistem cu 4 nivele
energetice se foloseste, de exemplu, n cazul unui laser cu Neodim.
n concluzie, pentru a se obtine o inversie de populatie si prin aceasta
un efect laser sunt necesare sisteme optice care sa formeze un mediu activ
cu cel putin 3 nivele energetice.
Pompajul laser este principalul proces prin care se realizeaza
inversiunea de populatie. Laserii utilizeaza diferite tipuri de pompaj:
22
/ ) (
1 3 23
3 1
a) : se realizeaza prin iradierea sistemelor atomice cu o
radiatie de frecventa ntr-un timp . Se folosesc lampi
de descarcare cu gaze monoatomice ce au benzi largi de absorbtie si
ferestre de transmisie pentru frecventa laser dorita.
b) : folosit la laserii cu gaz indiferent de presiunea
de lucru. Tranzitia de pompaj (de exemplu ) se realizeaza prin
excitarea sistemelor atomice cu ajutorul unui fascicul de electroni. n plus,
fasciculul de electroni produce si ionizari suplimentare ale gazului de lucru,
iar astfel densitatea de electroni creste si eficienta pompajului va fi mai
mare. Totusi, apare problema aparitiei starii de plasma care trebuie sa fie
mentinuta omogena.
c) : energia de excitare este data de
ciocniri ntre sistemele atomice care produc efectul laser cu alti atomi
energetici, fie prin cuplaj intern de la moleculele energetice ale aceluiasi gaz
(exemple: laser cu He-Ne sau cu CO
2
si N
2
), fie prin ciocniri cu alte
molecule.
d) de multe ori moleculele pot avea un numar mare
de nivele energetice de rotatie si vibratie. n reactiile chimice moleculele trec
ntr-o stare care nmagazineaza energie nct se poate produce o
inversiune de populatie ntre diverse nivele de vibratie (ex: laseri chimici cu
HF).
Puterea prag de pompaj este puterea minima (energia minima n
unitatea de timp) care trebuie furnizata unui sistem atomic pentru a se
realiza inversia de populatie Vom calcula puterea prag pompaj pentru un
sistem cu 3 nivele energetice (Figura 1.4). Variatia numarului de sisteme
atomice de pe nivelele energetice si este data de:
pompajul optic
pompajul electronic
pompajul prin transfer de excitare
pompajul chimic:
Puterea de prag de pompaj
E
3
E
2
h E E t
E E
= <

23
21 2 32 3
3
2 2
32 31 3 13 3 1
1
3
13
3
0
3 2
1
32 32 31
1
32
1
32 32 31
1
32
1
21
1
1 2
2
1
13 13
13
0
1 2
2
1
0
1 2
2
1
21
21 32
21 32
13 13
13 1
A N A N
g
g
dt
dN
) A A ( N B N N
g
g
) (
dt
dN
dt
dN
dt
dN
A ) A A ( F A
A ) A A ( F ) A A (
N
N N
g
g
) ( B F
) (
N N
g
g
N N
g
g
A
A A
A A
) ( B F
prag prag
h N F P
prag prag
=
+

=
= =


+ +
+
=

=

>
=

= =
=
(1.38)
unde s-a considerat ca la tranzitia ? nu se manifesta emisia
stimulata. n regim stationar:
(1.39)
rezulta
(1.40)
unde s-a facut notatia:
(1.41)
iar este densitatea spectrala de pompaj. Conditia pentru a realiza
inversia de populatie dorita este , adica trebuie ca rata de
inversie ntre nivelele si sa fie pozitiva. Daca > , probabilitatea
de emisie spontana pentru ? E
2
este mai ridicata dect pentru tranzitia
? astfel nct nivelul energetic este considerat un nivel metastabil.
Fluxul necesar pentru realizarea conditiei limita poate fi cu
att mai mic cu ct >> nct coeficientul poate fi scris:
(1.42)
iar puterea prag de absorbtie este:
(1.43)
Valoarea puterii prag de pompaj se poate rescrie pentru cazul cnd:
E
2
E
1
E
1
E
2
A
32
A
21
E
3
E
2
E
1
E
2
A
32
A
31
F
prag
24
2
1 2
2
1
21
13
2
/ N N N
g
g
tot
A
h
N P
tot prag
As - Ga
=

(1.44)
se rescrie:
(1.45)
n relatia anterioara este puterea minima necesara pentru a putea
realiza inversia de populatie ntre nivelele energetice si , atunci cnd
se tine cont si de tranzitiile care au loc pe si de pe nivelul
Orice dispozitiv laser sau maser cuprinde urmatoarele componente
principale: mediul activ, cavitatea rezonanta si un sistem de furnizare a
energiei mediului activ sau un sistem de excitare.
este format dintr-un ansamblu de microparticule (atomi,
ioni, molecule, electroni) care poseda o inversiune de populatie ntre doua
sau mai multe stari energetice. Mediul activ poate fi n stare gazoasa,
lichida, solida cristalina, solida amorfa, semiconductoare, o plasma sau un
fascicul de electroni liberi. n functie de starea mediului activ, constructia
dispozitivului laser sau maser este diferita. Astazi exista o diversitate foarte
mare de medii active: amoniacul, hidrogenul, vaporii de apa, oxigenul,
azotul, dioxidul de carbon, solutii de coloranti, cristalul de rubin, sticla de
bariu, jonctiunea , plasma formata la trecerea curentului prin gaze
nobile, fasciculele de electroni accelerate n cmpuri electrice si magnetice
neomogene etc.
a dispozitivului laser difera esential de cea a
maserului. Un maser are o cavitate rezonanta nchisa, cu dimensiunile de
P
prag
E
3
E
1
E
2
Mediul activ
Cavitatea rezonanta
1 1. .4 4. . C CO OM MP PO ON NE EN NT TE EL LE E U UN NU UI I G GE EN NE ER RA AT TO OR R S SI I A AM MP PL LI IF FI IC CA AT TO OR R
C CU UA AN NT TI IC C D DE E R RA AD DI IA AT TI II I ( (L LA AS SE ER R S SI I M MA AS SE ER R) )
25
ordinul lungimii de unda a radiatiei care se amplifica, iar un laser are o
cavitate rezonanta deschisa, de tipul interferometrului Fabry Perot, cu
dimensiuni mult mai mari dect lungimea de unda a luminii amplificate.
Ambele tipuri de cavitati sunt caracterizate prin mai multe moduri
proprii. Un mod al cavitatii reprezinta o configuratie stationara a cmpului
electromagnetic din cavitate. Fiecare mod este caracterizat printr-o anumita
frecventa de rezonanta care poate fi calculata prin rezolvarea ecuatiilor lui
Maxwell pentru cmpurile electrice si magnetice din cavitate cu conditiile la
limita alese n conformitate cu geometria cavitatii.
Pentru realizarea inversiunii de populatie sau a pompajului sunt
utilizate diferite procedee experimentale, depinznd, printre altele si de
natura substantei utilizate ca mediu activ. Astfel, pentru substantele n stare
solida, mijlocul cel mai eficace n scopul propus este iradierea cu lumina
intensa, de frecventa adecvata. n cazul utilizarii unui gaz sau a unui
amestec de gaze, crearea unui exces de populatie necesar nivelului
superior al tranzitiei laser este posibila, cu cel mai mare randament, cu
ajutorul unei descarcari electrice n gazul respectiv sau prin ciocniri
neelastice ntre atomii gazului si electronii proveniti de la un tun electronic
special.
Explozia puternica a numarului de aplicatii ale laserului n tehnica
impune discutarea ntr-un paragraf separat principalele caracteristici ale
celor mai folositi laseri. Vom face o clasificare a laserilor dupa mai multe
criterii astfel:
1 1. .5 5. . T TI IP PU UR RI I D DE E L LA AS SE ER RI I U UT TI IL LI IZ ZA AT TI I N N T TE EH HN NI IC CA A
26
1) Primul criteriu de
clasificare a laserilor se refera la mediul activ n care au loc procesele de
pompaj si emisie stimulata. Astfel, laserii pot fi clasificati n:
a) laseri cu corp solid: laserul cu rubin, laserul Nd : YAG, laserul cu
semiconductori, etc.
b) laseri cu lichid: laseri cu colorant;
c) laseri cu gaz: laserul cu CO
2
, laserul cu Ar, laserul cu N
2
etc.
Pe lnga acesti laseri, mai putem considera si o categorie speciala de
laseri: laserii cu electroni liberi n care mediul activ este format dintr-un
fascicul de electroni care trece printr-o regiune cu cmp magnetic variabil
realiznd emisia coerenta de radiatii.
Cunoscnd natura mediului activ al laserului se poate proiecta modul
de realizare a pompajului laser. n plus, se cunoaste foarte bine ntre ce
nivele energetice ale sistemelor atomice se realizeaza emisia stimulata si de
aici lungimea de unda a emisiei laser. Ajungem astfel un alt criteriu de
clasificare a laserilor:
2) :
a) laseri cu emisie n domeniu infrarosu: laseri cu CO
2
, ...
b) laseri cu emisie n spectru vizibil: laseri cu Ar, ...
c) laseri cu emisie n ultraviolet: laserii cu excimeri, ...
d) laseri cu emisie n domeniul radiatiilor X
3) De multe ori laserii pot fi clasificati si dupa timpul de emisie a
radiatiei utile:
a) laseri cu emisie continua;
b) laseri pulsati: radiatia utilaeste emisa n pulsuri cu perioade care pot sa
ajunga pna la valori foarte mici de ordinul femptosecundelor (10
-15
s).
Nu trebuie confundat modul de emisie al radiatiei utile cu modul de
utilizare a radiatiei n aplicatii, adicanu trebuie sa se identifice perioada de
Dupa starea de agregare a mediului activ.
Dupa lungimea de unda a radiatiei utile
27
Figura 1.6 Schema nivelelelor energetice n laserul cu rubin
emisie a radiatiei utile cu timpul de utilizare ntr-o anumita aplicatie. De
exemplu: se poate utiliza un laser cu emisie continua, cum este laserul cu
CO
2
pentru operatii bazate pe fenomenul de ablatie cnd timpul de
interactiune ntre tinta si laser este foarte scurt (maxim 10
-3
s). Uneori se
considera ca pulsurile laser care au perioada de ordinul secundelor sau
zecilor de secunde, identica cu timpul de interactiune ntre radiatie si tinta
sunt date de laseri cu emisie continua.
n sectiunile urmatoare vor fi descrisi ctiva laseri utilizati n tehnica.
Laserul cu rubin este primul laser care emite n domeniul vizibil si a
fost construit de catre Theodore MAIMAN Rubinul este un oxid de aluminiu
(Al
2
O
3
cunoscut si sub numele de safir) n care o mica parte din ionii de
aluminiu este nlocuita cu ioni de crom (Cr
3+
: Al
2
O
3
). Nivelele energetice
implicate n tranzitia laser a rubinului sunt reprezentate n Figura 1.6.
Laserul cu rubin lucreaza cu trei nivele energetice: nivelul 3 este format din
doua benzi energetice situate la 550 nm (verde) si 400 nm (violet). Aceste
1 1. .5 5. .1 1. . L La as se er ru ul l c cu u r ru ub bi in n
28
benzi de absorbtie sunt responsabile si de culoarea roz a rubinului. Radiatia
laser are lungimea de unda = 694, 3 nm (radiatie de culoare rosie).
Pompajul se realizeaza optic de pe nivelul 1 pe nivelul 3, utiliznd o lampa
cu descarcare care nconjoara rubinul. Lampa de descarcare are un spectru
mare de emisie, dar o fractiune din fotonii emisi sunt absorbiti si se produce
tranzitia ionilor Cr
3+
pe nivelul 3. Faptul canivelul 3 este un nivel larg duce la
marirea eficientei procesului de absorbtie. Au loc tranzitii foarte rapide a
ionilor de crom de pe nivelul 3 pna pe nivelul 2 (ntr-un timp de ordinul
picosecundelor) n timp ce timpul de viata a tranzitiilor spontane de pe
nivelul 2 pe nivelul 1 este relativ lung (3 ms). Astfel, se realizeaza o inversie
de populatie ntre nivelul 2 si 1. Amplificatorii comerciali sunt livrati sub
forma de bare de rubin cu lungimi cuprinse ntre 5 si 20 cm avnd o valoare
a cstigului de aproximativ 20 n mod puls. Eficienta unui astfel de laser
(raportul dintre energia utila a radiatiei laser si energia electricaconsumata)
este de aproximativ 0.1% iar energia utila a radiatiei laser este de
aproximativ 5 J. n tehnica laserul cu rubin este utilizat n mod comutare Q
ca un laser cu pulsuri scurte .
Laserul cu semiconductor este astazi cel mai cunoscut si utilizat tip de
laser n diferite tipuri de aplicatii (acesti laseri sunt utilizati inclusiv la citirea
CD-urilor, la imprimante etc.). n ultimii ani se ncearca nlocuirea laserilor
asa-zisi clasici cu laseri cu semiconductori, datorita faptului ca acesti laseri
sunt mai compacti, sunt laseri portabili si mai ieftini.
Mediul activ al laserului cu semiconductori este similar unei diode cu
semiconductor si, din acest motiv, laserul cu semiconductor este denumit si
dioda laser. n cele ce urmeaza sunt explicate principiile de functionare a
unei diode laser, fara a intra n amanunte legate de structura si fizica

1 1. .5 5. .2 2. . L La as se er ru ul l c cu u s se em mi ic co on nd du uc ct to or ri i
29
Figura 1.7: Structura diodei laser
semiconductorilor. Diodele laser sunt formate dintr-o jonctiune p-n cu o
dopare puternica (concentratia impuritatilor de dopare este 10
23
-10
24
m
-3
).
Principalele procese care intervin la emisia laser n astfel de sisteme sunt: i)
emisia laser are loc la recombinarea electron-gol de pe nivelele energetice
din banda de valenta si banda de conductie; ii) o cuanta absorbita n
jonctiune duce la generarea unei perechi electron-gol, crescnd astfel
probabilitatea de recombinare. Ca urmare a acestor procese poate avea loc
o emisie stimulata de fotoni. Inversia de populatie necesara pentru
realizarea efectului laser se obtine prin aplicarea unei tensiuni electrice
directe pe jonctiune, astfel nct prin scaderea barierei de potential creste
rata de obtinere a perechilor electron-gol prin tranzitii ntre cele doua benzi
energetice. Prezenta impuritatilor contribuie si mai mult la realizarea
inversiei de populatie. Deoarece n emisia laser emisia stimulata trebuie sa
fie principalul proces de emisie si absorbtia trebuie sa fie neglijabila,
tensiunea aplicata pe jonctiune trebuie sa depaseasca o valoare prag data
de relatia: , unde este energia corespunzatoare benzii interzise si
este sarcina electrica elementara.
Din punct de vedere tehnologic dioda laser este realizata, de
exemplu, din cristale semiconductoare de GaAs si GaAlAs dopate cu
impuritati acceptoare de Zn si impuritati donoare de Te (Figura 1.7).
U > W/e W
e
30
Faptul ca laserii cu semiconductori sunt foarte compacti reprezinta un
alt avantaj fata de celelalte tipuri laseri. Acest lucru se datoreaza si unei
cavitati de rezonanta de dimensiuni micronice formata de cristalul
semiconductor a caror suprafete sunt taiate si polizate corespunzator
radiatiilor laser emise precum si a modului de functionare a laserului.
n general, radiatia generata este ghidata de-a lungul regiunii active si
iese in exterior printr-o regiune cu largimea data de grosimea regiunii active
si cu lungimea data de latimea regiunii active. Deoarece lungimea de unda
a radiatiei emise este comparabila cu dimensiunea ghidului, fenomenul de
difractie nu poate fi neglijat. Datorita difractiei, unghiul de divergenta este
diferit pe cele doua directii si (vezi figura de mai sus), spotul luminos
fiind eliptic. Elipticitatea se poate corecta cu o lentila astigmatica (care are
focale diferite pe si ) pentru a obtine un spot circular.
Laserii cu semiconductor emit n domeniu infrarosu sau n vizibil. Este
de remarcat faptul ca lungimea de unda a radiatiei laser emise de astfel de
sisteme poate fi modificata prin ajustarea temperaturii la nivelul jonctiunii,
sau prin introducerea diodei ntr-un cmp magnetic a carei intensitate poate
fi modificata.
Laserii cu semiconductori pot lucra n regim continuu cnd se obtin
puteri de ordinul 1 W pna la ctiva W, sau n regim declansat la puteri
mult mai mari de ordinul 1MW = 10
6
W. Pentru cresterea puterii utile n
regim continuu de functionare se utilizeaza mai multe diode dispuse ntr-o
matrice astfel nct de ajunge pnala puteri utile de pna la 100 W.
Randamentul acestor laseri se apropie de 100% , datorita faptului ca
aproape toata energia electrica consumata este utilizata la producerea
efectului laser.
x y
x y

31
Figura 1.8: Nivelele energetice n laserul Nd:YAG
1 1. .5 5. .3 3. . L La as se er ru ul l N Nd d: :Y YA AG G
Laserul Nd : YAG este unul din laserii cei mai utilizati n diferite
aplicatii. Laserul Nd:YAG este un laser care emite n infrarosu care
foloseste ionii de Nd
3+
sub forma de impuritati introduse ntr-un cristal de
YAG (formula acestui cristal de granat de Y si Al impurificat este: Nd
x
Y
3-
x
Al
5
O
12
dar pe scurt se noteaza Nd
3+
:YAG, sau Nd:YAG. Tipic concentratia
de Nd n granat este de 1, 310
26
m
-3
. Acest tip de cristal este de culoare
roz pal. Laserul Nd:YAG este considerat un laser cu 4 nivele energetice
corespunzatoare ionului Nd
3+
. Cstigul acestui laser este substantial mai
bun dect cel al laserului cu rubin datorita faptului ca este un laser cu 4
nivele (Figura 1.8).
Nivelul 1 are energia de 0, 2eV fata de nivelul fundamental, o energie
suficient de mare fata 4 de = 0.026 eV la temperatura camerei, nct se
poate considera ca n conditii normale de temperatura acest nivel practic nu
este populat. Pompajul se realizeaza pe nivelul 3, format din 3 benzi de
absorbtie largi, de aproximativ 30 nm, centrate pe 810, 750, 585 si
k
B
T
32
respectiv 525 nm. Timpul de viata a nivelului 3 fata de nivelul 2 este foarte
mic ( 100 ns), n comparatie cu timpul de viata pentru tranzitia spontana
1,2 ms. Timpul de viata a nivelului 1 este de aproximativ 30 ns, astfel
nct se poate realiza inversia de populatie ntre nivelul 1 si 2, ntre care are
loc tranzitia laser corespunzatoare ( = 1,064mm).
Pompajul laserului Nd:YAG se poate realiza fie optic direct pe nivelele
de absorbtie ca si n cazul laserului cu rubin fie, mai eficient, prin utilizarea
unor laseri cu semiconductori. Randamentul laserului Nd:YAG este de
aproximativ 2-3%, fiind randamentul cel mai mare pentru laserii cu solid, cu
exceptia laserilor cu semiconductori. Cavitatea rezonanta este
asemanatoare celei utilizate n cazul laserului cu rubin.
Laserul Nd:YAG este un laser care functioneaza n regim continuu si
se obtin puteri de pna la 50-100 W. De asemenea, laserul cu Nd: YAG
poate functiona si n mod blocat, ceea ce permite atingerea unui puls scurt
> 20 ps cu un intervalul de timp ntre pulsuri de 1-3 ns. Laserul Nd : YAG
este un instrument folosit intens n ablatie, datorita faptului ca prin efectele
termice pe care le produce poate provoca vaporizarea si/sau taierea
diferitelor tipuri de tinte. Singura problema care se ridica n calea utilizarii pe
scara larga a acestui tip de laser n chirurgie este costul ridicat al fibrelor
optice si a sondelor utilizate pentru transmiterea radiatiei.
n ultimii ani s-au realizat o serie ntreaga de laseri care utilizeaza
cristalul YAG, dar impurificarea se face cu ioni diferiti. Astfel: laserul
Holmiu:YAG este un laser n infrarosu =2,1 m, laserul Erbiu:YAG emite tot
n infrarosu = 2,94 m
t
32
t
sp

33
Figura 1.9: Tranzitia laser la un laser cu excimer (ex. KrF)
Distanta interatomica
E
n
e
r
g
i
a
Tranzitia laser
Curba energiei pentru
atomii separati nelegati
Curba energiei pentru
starea legata (excitata)
1 1. .5 5. .4 4. . L La as se er ru ul l c cu u e ex xc ci im me er r
Laserul cu excimer ocupa un loc deosebit n panoplia laserilor din
lume. Acesta este dat de faptul ca sunt laseri care emit n ultraviolet
(lungimea de unda pentru ArF este = 193 nm, iar pentru KrF are valoarea
= 248nm) si pentru ca folosesc drept mediu activ molecule excimere.
Aceste molecule sunt fluoruri de gaze nobile (exemplu KrF) care nu pot
exista dect n stari electronice excitate, deoarece starea fundamentala este
o stare repulsiva (de aici si denumirea de excimer). Tranzitia laser are loc
ntre nivelul excitat si nivelul fundamental, ntre care exista o inversie de
populatie naturala (nu exista molecule n starea fundamentala).
Halogenurile gazelor rare se formeaza rapid n stare excitata, deoarece
gazul nobil n stare excitata are aceeasi afinitate pentru halogeni ca si
metalele alcaline. Laserul cu excimer lucreaza n regim pulsat cu o energie
maxima pe puls de aproximativ 500 mJ.

34
Atunci cnd speciile atomice componente nu sunt legate, energia
sistemului depinde de distanta de separare ntre atomii individuali: la
apropierea acestora energia creste. Nivelul energetic inferior ntr-un laser cu
excimeri este definit pentru separare ntre halogen si atomii de gaz inert.
Aceasta este starea normala pentru o specie inerta ca argon, krypton,
xenon, care n mod normal nu formeaza compusi cu alti atomi. Starea
energetica superioara se formeaza atunci cnd atomii inerti si halogenul
formeaza molecula de excimer. Energia acesteia este mult superioara dect
a sistemului de atomi nelegata si de asemenea depinde de distanta
interatomica, n mod similar ca pentru orice alta molecula, fiind posibile
numeroase nivele de vibratie. Totalitatea acestora formeaza o banda
superioara de pe care are loc tranzitia laser.
Moleculele colorantilor organici sunt molecule mari si foarte
complexe. Ca orice molecula complexa, si molecula de colorant are stari
energetice de vibratie si rotatie att n starea de singlet (S) ct si n starea
de triplet (T) (v. Figura 1.10). Starile de singlet au un electron cu spinul
antiparalel cu ceilalti electroni n timp ce n starea de triplet electronii au
spinii orientati paralel. Tranzitiile laser au loc ntre diferite nivele energetice,
astfel nct laserul cu colorant este un laser acordabil (lungimea de unda a
radiatiei fotonilor laser variaza functie de nivelele energetice ntre care are
loc tranzitia). De exemplu: laserul cu rodamina-6G este acordabil n mod
continuu ntr-un domeniu de lungimi de unda cuprins ntre 560 nm si 640
nm. Pompajul la acest laser se realizeaza de obicei prin utilizarea radiatiei
provenite de la un alt laser (de obicei cu Ar+). Laserul cu rodamina
1 1. .5 5. .5 5. . L La as se er ru ul l c cu u c co ol lo or ra an nt t
35
Figura 1.10: Nivelele energetice n laserul cu colorant
functioneaza n regim continuu si are o putere maxima n fascicul de
100mW.
Laserul cu CO
2
este unul din cei mai eficienti laseri care emit n
infrarosu. Acest tip de laser lucreaza n mod continuu si poate ajunge la o
putere maxima n fascicul de 100W. n laserul cu CO
2
(si n general n cazul
laserilor a caror mediu activ este un gaz poliatomic: N
2
, CO, HCl etc.)
tranzitiile laser au loc ntre diverse nivele energetice de vibratie (v. Figura
1.11) caracterizate de numerele cuantice de vibratie corespunzatoare notate
aici ( ) corespunzatoare modului simetric si antisimetric de vibratie
dar si unei miscari de vibratie tip ndoire7. Inversia de populatie este
realizata prin ciocniri ale moleculei de CO
2
cu moleculele excitate de N
2
(obtinute ntr-o descarcare n atmosfera de azot).
1 1. .5 5. .6 6. . L La as se er ru ul l c cu u C CO O2 2
q
1
, q
2
, q
3
36
Figura 1.11: Nivelele energetice de vibratie a moleculei de CO
2
utilizate la tranzitiile laser.
1 1. .5 5. .7 7. . L La as se er ru ul l c cu u A Ar r+ +
Laserul cu Ar+ este un laser care lucreaza n mod continuu, iar
principalele tranzitii laser corespund unor lungimi de unda de 514,5 nm
(verde) si respectiv 488 nm (albastru). Fiind un laser cu emisie n domeniul
vizibil al spectrului electromagnetic, se pot utiliza cu succes fibrele optice
pentru dirijarea fasciculului catre zona de interes n diverse aplicatii. Puterea
maxima emisiei laser pe 514 nm este de aproximativ 10 W. Ionizarea si
pompajul se realizeaza ntr-o descarcare continua n gaz la o presiune mica
(110 torr). Un asemenea sistem are un randament scazut, de aproximativ
0, 05%. Pentru a creste eficienta emisiei laser se aplica un cmp magnetic
axial de 500-1000 Gs, ceea ce duce implicit la cresterea densitatii de curent
pe descarcare.
37
Figura 1.12: Schema nivelelor energetice n
laserul He-Ne
Starea fundamentala
E
n
e
r
g
i
a

[
c
m
-
1
]
E
x
c
i
t
a
r
e

d
i
n

s
t
a
r
e
a

f
u
n
d
a
m
e
n
t
a
l
a
ciocniri
1 1. .5 5. .8 8. . L La as se er ru ul l c cu u H He e N Ne e
Laserul cu He - Ne este unul din cele mai utilizate dispozitive n
diverse aplicatii, deoarece poate fi realizat n variante compacte si relativ
ieftine. Schema nivelelor energetice pentru laserul He-Ne este prezentata n
Figura 1.12.
Laserul He-Ne poate emite n vizibil = 632,8 nm si n infrarosu = 3.39 m
n mod continuu cu o putere de aproximativ 1mW. Pompajul n cazul
laserilor cu He-Ne se realizeaza prin obtinerea unei descarcari n He n care
predomina procesele de ionizare:
si de excitare:
Atomul de Ne este adus n stare excitata prin ciocniri cu atomii de He
*
:

He + e
-
He
+
+ 2e
-
He + e
-
He
*
+ e
-
Ne + He
*
Ne
*
+ He

Tranzitia laser
HELIU NEON
38
0
1 1. .5 5. .9 9. . L La as se er ru ul l c cu u e el le ec ct tr ro on ni i l li ib be er ri i
Laserul cu electroni liberi, prescurtat FEL (free electron laser)
utilizeaza un cmp magnetic variabil produs de un ansamblu de magneti
asezati periodic cu polaritati alternante. Mediul activ este format dintr-un
fascicul de electroni relativisti care se misca n acest cmp magnetic
variabil. Acesti electroni nu sunt legati n atomi (de aici si denumirea de
laser cu electroni liberi), dar nici nu sunt electroni cu adevarat liberi,
deoarece miscarea acestora este guvernata de cmpul magnetic variabil.
Prin dirijarea miscarii n cmpul magnetic variabil electronii pot fi accelerati
(n cazul acesta are loc echivalentul inversiunii de populatie) si apoi toti
acesti electroni sunt frnati puternic cnd are loc emisia stimulata. Prin
modul n care are loc emisia laser n cazul laserului cu electroni liberi (n
functie de energia fasciculului de electroni si de perioada cmpului
magnetic) fotonii emisi pot avea lungimi de unda de la ultraviolet pna la
infrarosu ndepartat. De exemplu: laserul cu electroni liberi de la
Universitatea Paris emite n ultraviolet 200 nm, la Universitatea Stanford,
California emite n vizibil si infrarosu = 500 nm -10 m. De regula, acest
tip de laser lucreaza n mod pulsat cu o energie de emisie laser pe puls de
aproximativ 1 mJ.
Prin excelenta, laserul cu electroni liberi este utilizat n cercetare
deoarece pentru realizarea acestuia este nevoie de obtinerea unor fascicule
de electroni relativiste cu o energie foarte bine controlata. Marele avantaj al
laserului cu electroni liberi consta n faptul ca se poate controla foarte bine
energia fasciculului laser, modul de aplicare a pulsurilor laser si nu n ultimul
rnd lungimea de unda a radiatiei laser.

39
1 1. .6 6. . A AP PL LI IC CA AT TI II I A AL LE E L LA AS SE ER RI IL LO OR R
1 1. .6 6. .1 1. . A Ap pl li ic ca at ti ii i n n s st ti ii in nt ta a. .
a) . Monocromaticitatea pronuntata si intensitatea
mare a semnalelor emise de laseri fac ca aceste dispozitive sa aiba largi
aplicatii n spectroscopie. n baza monocromaticitatii pronuntate, laserii duc
la o crestere cu trei ordine de marime a preciziei spectroscoapelor optice si
la cresterea puterii de rezolutie.
b) . n masuratori interferometrice, se calculeaza
numarul de treceri prin maxim ale intensitatii luminii n centrul imaginii de
interferenta, produsa de interferometrul Michelson la deplasarea uneia
dintre oglinzile interferometrului de la o pozitie la alta.
Utiliznd sursa de lumina obisnuita, este dificil sa se observe franjele
de interferenta cnd diferenta de drum depaseste . Aceasta dificultate
este legata n special, de coerenta slaba a luminii emise de aceste surse.
Datorita coerentei, monocromaticitatii si intensitatii remarcabile ale radiatiei
emise de laser, observarea franjelor este posibila cel putin n principiu
pentru diferente de drum de ordinul ctorva kilometri.
c) . Directionalitatea mare a semnalului
laser este echivalenta cu propagarea ntregului semnal ntr-un singur mod
de unda. O astfel de unda poate fi localizata ntr-un spot foarte mic.
ntr-un cmp, de exemplu electric, foarte intens, atomii sau moleculele
pot interactiona ntr-un mod straniu si neprevazut. De aici rezulta utilizarea
undelor laser pentru studierea cmpului cristalin si al legaturilor inter- sau
chiar intraatomice.
n spectroscopie
n interferometrie
Modificari produse n materie
cm 50
40
d) . Calitatile deosebite ale semnalelor de
tip laser au facut posibila efectuarea cu foarte mare precizie a experientelor
de tip Michelson Morley pentru a proba existenta posibila a eterului n
univers.
e) .
f)
g) .
a) . Fasciculele de radiatii emise de laseri fiind puternic
coerente, monocromatice, foarte intense si directionale si avnd o frecventa
mult mai mare (de ori) dect frecventa undelor radio utilizate n prezent
n probleme de comunicatii, sunt ideale pentru acest scop. De exemplu, n
televiziune, unda purtatoare transmite un semnal cu o lungime de banda
efectiva de , pe cnd un singur fascicul laser poate purta un semnal
cu o largime de banda de , semnal care poate transporta o
cantitate de informatii echivalenta cu cea transmisa de toate canalele de
comunicatii radio existente. Problema care se ridica acum este, nsa,
gasirea modului de a putea folosi n mod curent laserul n acest scop.
b) . Intensitatea mare si directionalitatea pronuntata a
fasciculelor de lumina emise de laseri fac ca aceste dispozitive sa poata fi
utilizate cu succes la construirea radarului optic, numit si .
c) . Pentru aplicatiile industriale ale laserilor se utilizeaza
intensitatea si directionalitatea radiatiilor laser, proprietati care dau
posibilitatea sa se concentreze energii cu densitati foarte mari pe suprafete
foarte mici. Astfel, concentrnd fasciculul unui laser cu rubin cu ajutorul unei
lentile cu distanta focala de 4 cm, energia fasciculului n focar poate atinge
Verificarea ipotezei eterului
Masurarea vitezei luminii
Etaloane de frecventa si lungime.
Masuratori geodezice si atmosferice
Comunicatii
14
10
Radarul
colidar
Industrie
1 1. .6 6. .2 2. . A Ap pl li ic ca at ti ii i a al le e l la as se er ri il lo or r n n t te eh hn ni ic ca a
MHz 4
MHz 100000
41
2 6
10 75 2 cm calorii , , valoare care ntrece energia emisa de orice alta sursa
de energie radianta.
O asemenea concentrare de energie poate avea multe aplicatii
industriale dintre care amintim:
- utiliznd un numar mare de fascicule laser focalizate ntr-un punct comun
se poate realiza o temperatura extrem de nalta, necesara declansarii
reactiilor termonucleare;
- un fascicul laser puternic, focalizat ntr-un punct n aer poate produce
ionizarea aerului n punctul respectiv, crend o scnteie. n baza acestui
fenomen se fac cercetari n privinta nlocuirii combustibilului utilizat n
functionarea automobilelor;
- posibilitatea utilizarii fasciculelor laser pentru efectuarea unor perforatii
foarte fine, pentru taierea unor materiale dure si pentru sudare;
- n chirurgie, n special n oftalmologie la sudarea retinei, distrugerea
tumorilor observate pe retina, practicarea unei pupile artificiale ntr-un iris n
care aceasta nu exista etc.
Holografia este o metoda de nregistrare a imaginilor, care nu
utilizeaza numai intensitatea si lungimea de unda a luminii reflectate de pe
obiecte, ci si faza acesteia. Prin aceasta metoda se pot nregistra si cele
mai mici deformatii, din care cauza ea este folosita cu deosebit succes si n
defectoscopia nedistructiva.
Pentru a se putea utiliza faza luminii reflectate n obiecte, sursele de
lumina folosite n holografie trebuie sa emita radiatii cu o anumita valoare
bine determinata a fazei. Laserul este o sursa de lumina care ndeplineste
aceasta conditie, ntruct, dupa cum se stie, acesta emite lumina coerenta.
1 1. .6 6. .3 3. . H Ho ol lo og gr ra af fi ia a
42
Figura 1.13: Interferen?a constructiva
Lungimea de unda este o marime caracteristica fiecarui tip de laser. De
exemplu :
- laserul emite ;
- laserul cu rubin emite ;
- laserul cu neobiu emite ;
n functie de mediul care produce efectul laser putem aminti laserul cu
gaz ( ), laserul cu cristal (laserul cu rubin) sau laserul cu mediu solid
( ).
Se stie ca atunci cnd ntr-un punct se ntlnesc doua unde coerente,
ele interfera. Atunci cnd cele doua unde trec simultan prin amplitudinea
maxima, simultan prin zero s.a.m.d. interferenta va fi constructiva si
intensitatea rezultanta va creste (fig. 1.13).
Cnd oscilatiile celor doua unde ating simultan amplitudinea maxima,
dar n sensuri contrarii si trec simultan prin starea de amplitudine zero (fig.
1.14) interferenta va fi distructiva. Cele doua unde se anuleaza reciproc si
va rezulta extinctia:
A
A
0
0
t
t
0
t
Ne - He
o
A 6328
o
A 6943
o
A 10600
Ne - He
As - Ga
43
Figura 1.15: Expunerea holografica
Figura 1.14 Interferen?a distructiva
Evident ca daca doua unde luminoase monocromatice sunt
compuse se pot produce toate starile intermediare de la starea de
intensitate maxima pna la zero, functie de valorile diferentei de drum a
celor doua unde.
n Figura 1.15 este aratat principiul metodei de expunere holografica.
Laserul (1) emite un fascicul luminos coerent (2) care este, n parte,
transmis si n parte, reflectat de o oglinda semitransparenta (3). Fasciculul
transmis (7), denumit si fascicul obiect, este trecut printr-o lentila (8) care
determina iluminarea completa a obiectului de examinat (9). Din fiecare
10
9
8
7
5
4
3
2
1
6
A
A
0
0
t
t
0
t
44
punct de pe obiect, lumina este reflectata n toate directiile si de aceea, raze
reflectate de pe obiect (10) ajung si pe materialul fotografic.
Fiecarei raze reflectata de pe obiect si care ajunge pe emulsia
fotografica i se asociaza o raza din fasciculul de referinta. Cele doua raze
fiind coerente interfera genernd puncte de minim sau maxim de intensitate,
n functie de valoarea diferentei de drum. n acest fel, dupa prelucrarea
materialului fotografic rezulta o imagine cu zone de intensitate mai mare sau
mai mica, imagine care este numita .
Imaginea de pe holograma poate fi folosita pentru reconstructia
imaginii obiectului studiat. Pentru aceasta se foloseste (Figura 1.16) tot un
laser (1) sau o alta sursa punctiforma de lumina monocromatica. Fasciculul
laser (2) este trimis pe holograma (4) prin intermediul unei lentile (3) sub un
unghi aproximativ egal cu cel facut de fasciculul de referinta n timpul
nregistrarii.
holograma
45
Figura 1.16: Reconstruc?ia imaginii
Ochiul observatorului (5) percepe imaginea dar nu poate discerne
daca imaginea si are originea direct pe obiect sau este generata de razele
difractate de holograma. Ochiul vede aceasta imagine n pozitia n care s-a
aflat obiectul n timpul nregistrarii.
n afara imaginii virtuale (7), care se formeaza n partea dinspre
sursa, se mai formeaza si o imagine reala (8) n spatele hologramei, deci de
partea observatorului.
Daca se nlatura argintul de pe holograma, prin decolorare, se obtine
o asa-numita . n acest caz, la reconstructia imaginii, se
foloseste numai faza luminii.
n aplicatiile holografiei nu intereseaza att de mult faptul ca imaginea
care se obtine este tridimensionala, ct faptul ca holografia ne ofera
posibilitatea de a detecta si masura deformatii foarte mici prin intermediul
interferometriei holografice. Aceasta metoda consta n a holografia obiectul ,
holograma de faza
Aplicatii.
46
un timp egal cu jumatatea din timpul normal de expunere. Apoi se supune
obiectul unei compresiuni sau diferente de temperatura si, n final, se
realizeaza o noua expunere holografica un timp egal cu cealalta jumatate
din timpul normal de expunere. La reconstituire, fronturile de unda
genereaza o interferenta macroscopica care poate furniza informatii cu
privire la structura interna a probei. Aceasta tehnica este folosita, n special,
n industria de cauciucuri si n constructia avioanelor.
Materialele fotosensibile utilizate n holografie trebuie sa
ndeplineasca unele conditii specifice legate de sensibilitatea la culoare
(corelata cu radiatia laser) si puterea de rezolutie (trebuie sa fie foarte
nalta).
47
K
2. N NO OT TI IU UN NI I D DE E F FI IZ ZI IC CA A P PL LA AS SM ME EI I S SI I
A AP PL LI IC CA AT TI II I
n perioada anilor 1921 1923 denumirea de plasme era atribuita
gazelor ionizate obtinute n laborator. n astfel de gaze exista un numar
suficient de mare de purtatori de sarcina electrica: ioni si electroni. ntr-o
plasma numarul ionilor pozitivi este, n medie, egal cu numarul electronilor si
al ionilor negativi, din unitatea de volum. n afara acestor purtatori de
sarcina n plasma se mai gasesc si atomi si molecule neionizate.
Plasma reprezinta cea de-a patra stare de agregare a materiei n care
se afla cca. 95 % din materia universului. Un interes deosebit l reprezinta
plasmele reci: care au importante aplicatii practice si plasmele
fierbinti: care permit realizarea fuziunii nucleare si explicarea unor
fenomene astronomice.
Forta electromagnetica este n general responsabila de crearea
: ex. atomi stabili si molecule, solide cristaline. De fapt, cele mai
larg studiate consecinte ale fortei electromagnetice sunt obiectul Fizicii starii
solide, disciplina dezvoltata pentru ntelegerea n esenta a structurilor
statice.
Plasate ntr-un mediu suficient de fierbinte, structurile se descompun:
de exemplu cristalele se topesc, moleculele disociaza. La temperaturi ce
depasesc energia de disociere atomica, n mod similar, atomii se
descompun n sarcini electrice negative, electronii, si ioni pozitivi. Aceste
particule nu vor fi n continuare libere, ci interactioneaza prin cmpurile
electromagnetice. Totusi, pentru ca sarcinile nu mai sunt legate, ansamblul
lor devine capabil de miscari colective de mare complexitate. Un astfel de
ansamblu este denumit .
5
10 T
K 10 T
5
<
>
structurilor
plasma
48
Desigur, sistemele marginite pot avea o structura extrem de
complexa, de exemplu proteinele. Complexitatea n plasma este diferita,
fiind att , ct si . Aceasta este caracterizata predominant
excitarea unei varietati imense de comportamente dinamice .
Deoarece descompunerea termica rupe legaturile interatomice,
majoritatea plasmelor sunt gazoase. De fapt, plasma este uneori definita ca
un gaz suficient ionizat pentru a prezenta un comportament de tip plasma.
De notat ca un comportament tip plasma este asigurat chiar si de ionizarea
unei fractii remarcabile de mici de atomi. Astfel, gazele partial ionizate
prezinta si cele mai exotice fenomene caracteristice gazelor total ionizate.
Plasma rezultata de ionizarea gazelor neutre contine n general un
numar egal de purtatori de sarcina pozitiva si negativa. n aceasta situatie,
fluidele ncarcate opus sunt puternic cuplate si tind sa se neutralizeze la
scara microscopica. Aceste plasme sunt denumite (cvasi
pentru ca deviatii mici de la neutralitate au consecinte dinamice importante
pentru anumite tipuri de comportamente ale plasmei).
Plasmele puternic non-neutre, care pot contine sarcini chiar de un
singur semn, sunt ntlnite n primul rnd n experimentele de laborator.
Echilibrul lor depinde de existenta unui cmp magnetic puternic n care
fluidul ncarcat se roteste.
Deseori se remarca continutul Universului de aproximativ 95% din
plasma, desi acest fapt este imposibil de verificat. n stadiile initiale ale
Universului totul a fost plasma. n prezent, stelele si spatiul interstelar contin
plasma. Sistemul solar de asemenea contine plasma sub forma vntului
solar, iar Pamntul este complet nconjurat de plasma trapata de cmpul
magnetic (ionosfera). Plasmele terestre nu sunt greu de identificat. Ele apar
n lampile incandescente, o varietate de experimente de laborator, o serie n
crestere de procese industriale. Lichidele si chiar solidele prezinta ocazional
temporala spatiala
colective
cvasi-neutre
49
efectele colective electromagnetice caracteristice starii de plasma: de
exemplu mercurul lichid prezinta unde Alfven ce apar conventional n
plasme.
n continuare se prezinta unele aspecte legate de trecerea curentului
electric prin gaze care stau la baza producerii plasmei n laborator si n
tehnica.
Trecerea curentului electric prin gaze este cunoscuta sub denumirea
de . Gazele n conditii normale contin, spre
deosebire de metale si electroliti, un numar redus de purtatori de sarcini. n
anumite conditii n gaze pot sa apara purtatorii liberi de sarcina electrica,
deci poate avea loc o descarcare electrica n gaz. Daca purtatorii de
sarcina, liberi, apar sub actiunea unor factori externi: iradierea cu radiatii ,
sau ultraviolete, etc., independent de prezenta unui cmp electric extern,
descarcarea electrica n gaz se numeste sau Cnd
purtatorii apar n urma unor procese care au loc n gaz datorita cmpului
electric extern, n care se afla gazul, descarcarea electrica este
sau . Deosebirea dintre cele doua tipuri de descarcari consta
n aceea ca la ncetarea factorului extern care le provoaca descarcarile
dependente nceteaza, n timp ce descarcarile independente continua.
Notnd cu numarul de molecule (atomi) din volumul de gaz
( concentratia lor) si admitnd ca se ionizeaza molecule (deci se
formeaza perechi de ioni pozitivi si negativi: ) atunci
concentratia ionilor de un anumit semn este si putem defini gradul de
ionizare:
2 2. .1 1. . C CU UR RE EN NT TU UL L E EL LE EC CT TR RI IC C P PR RI IN N G GA AZ ZE E
descarcare electrica n gaze
ntretinuta dependenta.
nentretinuta
independenta
N
X
0
N V
V
N
n
0
0
N
N N N
N/V n

=
= =
+
=
50
0 0
n
n
N
N
) - (1 N N - N N
0 0
) - (1 n n - n n
0 0
N t
V
t V n t N t N N
0 0
2
-
N N N
V
r
N t
t V n
V
t
N N
2 2
r
t
N
t
N
r
0
n
n
-3 6
cm 10 n
= =
= =
= =

= = =

=
+

=
=
. (2.1)
Numarul si concentratia moleculelor neutre ramase n gaz vor fi:
, (2.2)
.
Deci numarul de perechi de ioni ce apar n timpul n volumul
va fi:
(2.3)
unde este coeficientul de ionizare care depinde de natura gazului si
proprietatile particulelor ionizate.
Procesul de ionizare este nsotit si de procesul invers: recombinarea
ionilor. Probabilitatea recombinarii este proportionala cu produsul
, cu intervalul de timp si invers proportionala cu volumul
ocupat de gaz, deoarece recombinarea va fi cu att mai rapida cu ct ionii
sunt mai apropiati. Deci numarul de recombinari din timpul va fi:
(2.4)
unde este coeficientul de recombinare.
Cnd numarul ionizarilor din unitatea de timp este egal cu
numarul recombinarilor din unitatea de timp , n gaz se realizeaza
un echilibru dinamic ce corespunde unei concentratii de ioni:
(2.5)
Sub actiunea radiatiilor solare paturile superioare ale atmosferei se
ionizeaza, astfel ca ntre atitudinile de 70 km si 300 km. Pamntul este
nconjurat de o centura naturala de plasma numita ionosfera. n ionosfera
concentratia perechilor de ioni este de , iar concentratia
t
51
Figura 2.1
particulelor neutre si deci . Ionosfera este utilizata n
scopul reflectarii radioundelor napoi pe Pamnt. Fluctuatiile concentratiei
din ionosfera influenteaza foarte mult calitatea receptiilor radio si de
televiziune.
Pentru a studia variatia densitatii de curent dintr-un gaz functie de
tensiunea aplicata, la o concentratie de echilibru a perechilor de ioni ,
folosim montajul din Figura 2.1, n care B este un tub prevazut cu doi
electrozi: anodul A si catodul C.
ntre electrozi va apare un
cmp electric iar
densitatea curentului din circuit va
fi:
(2.6)
unde si sunt mobilitatile
ionilor pozitivi si a purtatorilor
negativi.
n cazul metalelor sau electrolitilor formula (2.6) reprezinta legea lui
Ohm deoarece concentratia a purtatorilor de sarcina nu depinde de
densitatea de curent. La gaze, la trecerea curentului electric numarul de ioni
din unitatea de volum a gazului se micsoreaza cu:
(2.7)
unde este aria electrozilor, iar intensitatea curentului din circuit.
Conditia de echilibru dinamic se scrie:
sau:
-3 8
0
cm 10 n 0,01
n
j
U n
U/d E
E ) ( n e ) v (v n e j
- -
-
n
e
t S j
e
t I
e
q
N
c
S I
c r
N N N
= =
=
+ = + =
+ +
+


=

=

=
+ =
52
2
0
1
4
1
2
2 2
2
0
2 2
1
2
0
2 2
2
0 2
2
1
2
1
2
Figura 2.2
j

e
S j
V n V n
2
0
d S V
ed
j
n n
n
)
E ) (
d n
(
d
E ) ( e
j
E
d n 4
2
0
s
j d n e )
E ) (
d n
( E
d
) ( e
j
3
U U

+ =
=
+ =

+

+

+
=
+
+
( )
>>
+

+
= =
+

+

+

+
+
>
si tinnd seama ca: obtinem:
(2.8)
Introducnd concentratia din (2.8) n (2.6) rezulta:
(2.9)
Pentru cmpuri electronice de intensitati mici factorul
si din relatia (2.9) obtinem legea lui Ohm.
n cazul cmpurilor intense, factorul amintit este mult mai mic dect
unitatea, deci
(2.10)
care reprezinta densitatea curentului de
saturatie egala cu densitatea maxima de
curent care se poate obtine n absenta
ionizarilor secundare produse de purtatorii de
sarcini electrice accelerati n cmpul electric
dintre electrozi.
n Figura 2.2 este reprezentata
dependenta descrisa de relatia (2.10).
Experimental se constata ca pentru
tensiuni densitatea de curent ncepe sa creasca brusc (CD). Aceasta
crestere se datoreaza fenomenului de ionizare n avalansa n urma caruia
numarul de ionizari creste n progresie geometrica. Dar prezenta
avalanselor electronice nu este suficienta pentru ca o descarcare sa devina
U U U
A
B C
D
U 0
j
j
53
a) b)
Figura 2.3
Spatiul
independenta: mai este necesar ca si ionii pozitivi sa posede energia
necesara producerii ionizarii prin ciocniri. n acest fel descarcarea
independenta reprezinta avalanse de ioni negativi si pozitivi care se
propaga n sensuri opuse. Tensiunea de la care are loc trecerea
descarcarii dependente n independenta se numeste tensiunea de
aprinderea descarcarii. Aceasta tensiune este dependenta de produsul
dintre presiunea gazului si distanta dintre electrozi (legea lui Paschen).
n functie de presiunea gazului, de configuratia electrozilor si de
parametrii circuitului electronic exterior descarcarile independente sunt de
mai multe tipuri din care se prezinta urmatoarele patru.
a) se observa ntr-un tub prevazut cu doi
electrozi (A si C) aflati la o diferenta de potential de1000 V. Abia la o
presiune de n tub apare o descarcare electrica de forma unei
benzi luminoase care uneste catodul cu anodul. La presiunea de
descarcarea independenta cuprinde gazul din tub n ntreg volumul sau
aparnd regiuni cu luminozitati diferite (Figura 2.3a), iar tensiunea este
distribuita neuniform ntre anod si catod (Figura 2.3b).
Cea mai mare cadere de tensiune are loc ntre catod si limita de
separare a spatiului ntunecat Crookes de lumina negativa. Conductibilitatea
U
A C
- +
Spatiul
intunecat
Aston
Lumina
negativa
Coloana
pozitiva
Lumina
anodica
intunecat
anodic
Lumina
catodica
Spatiul
intunecat
Crookes
Spatiul
intunecat
Faraday
a
U
p d
mmHg 50 - 40
mmHg 0,5
U
Descarcarea luminiscenta
54
electrica a gazului n descarcarea luminiscenta este asigurata de miscarea
electronilor si a ionilor pozitivi care scot electroni din catod.
n lungul coloanei pozitive tensiunea variaza liniar, deci intensitatea
cmpului electric este practic constanta, de valoare foarte mica, aproape
nula.
Asadar densitatea globala de sarcina electrica este practic nula, ceea
ce corespunde egalitatii aproximative a densitatilor volumice ale sarcinilor
electrice pozitive si negative, n conditiile n care fiecare din aceste densitati
are o valoare relativ mare. Aceasta stare a gazului a fost numita pentru
prima data . Electronii emisi de catod, accelerati puternic ntre catod
si lumina negativa, capata o energie suficient de mare pentru a putea
produce ionizari prin ciocniri. Efectul luminos se datoreaza recombinarilor
ionilor precum si dezexcitarii atomilor si moleculelor excitate prin ciocniri cu
purtatori de sarcini accelerati. Culoarea luminii obtinute depinde de natura
gazului din tub.
b) se observa ntre doi electrozi de carbune aflati
initial n contact la o diferenta de potential si apoi departati. Cnd electrozii
sunt orizontali lumina dintre ei are forma unui arc. Caracteristica
fundamentala a descarcarii consta n intensitatea foarte mare a curentului
electric (mii de amperi) la tensiuni de cteva zeci de volti, chiar atunci cnd
are loc n aer la presiunea atmosferica. Descarcarea n arc poate avea loc
att la presiuni joase (ctiva mm Hg), ct si la presiuni foarte nalte (1000
atm.). Procesele care ntretin descarcarea sunt emisia termoelectronica de
pe suprafata catodului incandescent si ionizarea termica a moleculelor
datorita temperaturii foarte ridicate la care se afla gazul ntre electrozi.
Spatiul dintre electrozi este practic complet ocupat de plasma aflata la
temperaturi ridicate, care serveste drept conductor prin care electronii ajung
de la catod la anod.
plasma
Descarcarea n arc
55
4
10
Temperatura plasmei n arc este de 6000 K (ca si pe suprafata
Soarelui), iar n cazul presiunilor ridicate (1000 atm) temperatura plasmei
poate depasi . Catodul bombardat de ionii pozitivi atinge temperaturi
de , iar anodul bombardat de electronii cu energii foarte mari se
ncalzeste si mai mult.
c) se produce atunci cnd gazul se gaseste
ntr-un cmp electric de intensitate egala sau mai mare dect intensitatea
cmpului electric de strapungere al gazului respectiv. La presiune normala
intensitatea cmpului electric de strapungere este de si creste
proportional cu presiunea a gazului. Descarcarea n scnteie are un
caracter oscilant si complicat, chiar la o tensiune constanta, prezentndu-se
sub forma unui fascicul de fire subtiri, stralucitoare care se ramifica n zig-
zag si care, foarte des, se ntrerup nainte de a ajunge la electrodul opus.
Temperatura gazului n canalul scnteii poate ajunge la , iar ncalzirea
sa rapida duce la o crestere puternica a presiunii, nsotindu-se de unde
sonore si de soc. Descarcarea electrica n scnteie se explica prin teoria
strimerilor conform careia multiplicarea ionilor se datoreaza ionizarii n
volum a gazului prin ciocniri electronice si fotoionizari.
Cnd forma electrozilor este astfel aleasa nct ntre electrozi sa se
genereze un cmp electric omogen (de exemplu sfere cu diametru mare),
atunci descarcarea n scnteie apare la o tensiune bine determinata. Pe
aceasta se bazeaza constructia voltmetrelor cu scnteie utilizate la
masurarea tensiunilor nalte.
d) la care ionizarea moleculelor nu are loc pe
ntreg spatiul dintre electrozi, ci numai n apropierea electrodului cu raza de
curbura mai mica, unde intensitatea cmpului electric atinge valoarea de
scnteie. Aceasta descarcare poate fi observata si n jurul conductorilor
K 10
4
K 3500
cm
V
3
p
K 10
4
Descarcarea n scnteie
Descarcarea n coroana

56
Figura 2.4
liniilor de nalta tensiune pentru transportul energiei electrice si are loc cu
pierdere de energie. Aceasta descarcare se poate produce n jurul ambilor
electrozi conectati la sursa de tensiune. n cazul coroanei negative
fenomenele care au loc n jurul catodului sunt asemanatoare celor care au
loc n descarcarea luminiscenta. Ionii pozitivi accelerati n cmpul intens din
jurul catodului scot electroni din acesta. Acesti electroni vor capata o
energie suficienta pentru ionizarea gazului din stratul coroana.
Descarcarea n coroana apare si sub actiunea electricitatii
atmosferice, pe vrful catargelor vapoarelor care plutesc la latitudini mici
sub forma unor fenomene luminoase
numite .
Fenomenul coroana este utilizat n
tehnica pentru purificarea gazelor, ca
electrofiltru (Figura 2.4): Gazul se
deplaseaza de-a lungul unui tub. Pe axa
acestuia se afla electrodul n jurul caruia se
formeaza coroana negativa. Ionii negativi
se depun pe impuritatile din gaz, dirijndu-
le spre electrodul pozitiv.
Fie un domeniu care contine o plasma cu numarul mediu de ioni
pozitivi si negativi pe unitatea de volum respectiv ale caror sarcini
sunt: si . Se considera ca plasma formeaza un gaz ideal n care
energia potentiala de interactiune ntre particulele ncarcate este mult mai
mica dect energia de agitatie termica.
focurile sfntului Elm
2 2. .2 2. . C CV VA AS SI IN NE EU UT TR RA AL LI IT TA AT TE EA A P PL LA AS SM ME EI I
+
+
n
-
n
q
-
q
57
0
4
1
3
0
4
0 0
0 0
0 0
Figura 2.5
kT
l
q q
l l
-
n n n
-1/3
n l
v
q q
kT
n
dV n
-
n
dV e n dV n
kT
U q
dV e n dV n
kT
U q
U
dV
dV e q n e q n dq
kT
U q
kT
U q
kT
U q
kT
U q
e q n e q n
dV
dq
) r (
<<

+
+ =
+

<<
+
+
=

+ +
+
=

+ =

+ +
+

+ +
+
+ = =
r
r r
, (2.11)
unde este distanta medie dintre ioni. ntre si exista evident
relatia:
. (2.12)
Din aceste relatii rezulta ca plasma poate fi considerata gaz ideal
daca:
. (2.13)
n acest caz particulele de plasma au o distributie Maxwell n raport
cu vitezele si o repartitie uniforma n volum.
ntr-un volum din jurul unui ion oarecare se vor afla , respectiv
ioni pozitivi si negativi, n unitatea de volum. Reaparitia acestor ioni n
elementul de volum considerat (Figura 2.5) este data de legea lui
Boltzmann.
, (2.14)
unde este potentialul care caracterizeaza interactiunea coulombiana
dintre particule.
Deci ntre volumul va exista o sarcina:
, (2.15)
a carei densitate volumica medie este: .
. (2.16)
Tinnd seama de inegalitatea (2.13) dupa dezvoltarea n serie a
exponentialelor obtinem:
58
2
0
2
0
0 0
2
2
0
2
0
2
2
2
1
2 1
4
2
1
2
0
2
0
1
) r ( U
kT
q n q n
q n q n ) r (
0 q n q n
- - 0 0
(r) U
) r ( U x
T k
q n q n ) r (
) r ( U
U x ) U r (
dr
d
r
r
e
A
r
e
A ) r ( U
r x r x
0 A
2
U(r)
r
1
A
0) (r O
xr
e
r
q
) r ( U
1/x r
1/x x
q n q n
kT
x
l
D

+
+ =
+ +
+ +
= +
+ +
=

+
=

=
+ +
=

+ =
=

=
>>

=
+ +
(2.17)
Pentru o plasma cvasineutra din punct de vedere electric vom avea:
, (2.18)
conditie ce rezulta din rezolvarea problemei.
Pe baza relatiilor (2.17) si (2.18) se poate afla potentialul mediu
rezolvnd ecuatia lui Poisson:
. (2.19)
n coordonate sferice avem:
.. (2.20)
Solutia acestei ecuatii are forma:
,
care are sens fizic numai daca , deoarece nu poate fi pentru
.
Constanta se determina din conditia ca n apropierea ionului
sa avem un potential coulombian:
, (2.21)
si astfel se obtine ca la o distanta potentialul fiecarui ion poate fi
neglijat. Marimea , unde caracterizeaza viteza de scadere a
potentialului n jurul unui ion, este cunoscuta sub denumirea de
. (2.22)
lungime
Debye
59
2
Daca se considera cazul n care , , iar atunci
formula (2.22) capata forma:
. (2.23)
Cvasineutralitatea plasmei are sensul unei neutralitati medii ntr-un
domeniu de plasma mult mai mare dect o sfera de raza . Cum lungimea
Debye depinde de temperatura plasmei si concentratia electronilor pentru o
descarcare electrica n arc ( si ) se obtine ,
iar pentru plasmele interstelare rarefiate ( ) se obtine
. Deci din formula (2.23) rezulta clar ca lungimea Debye are si
sensul unei raze de ecranare a cmpului coulombian din jurul unui purtator
de sarcina electrica din plasma.
Pe lnga raspunsul spatial, o plasma colectiva poate avea si un
raspuns temporal la perturbatiile care se produc n ea, raspuns datorat n
primul rnd particulelor cu mobilitate mai mare, adica electronilor. Ca
raspuns, acestia pot oscila n jurul pozitiei lor de echilibru dnd nastere la
asa-numitele oscilatii colective (oscilatii de plasma), oscilatii care se pot
propaga n volumul plasmei sub forma de unde. Frecventa oscilatiilor de
plasma se numeste , si este unul din parametrii importanti
ai acestei stari.
Pentru a exprima cantitativ acest parametru se poate considera un
model simplificat unidimensional al unui electron din plasma asupra caruia,
la distanta fata de pozitia de echilibru, actioneaza forta de revenire
datorata cmpului electric restaurator al neutralitatii electrice, dat de relatia
e q e - q
- e - 0 0
n n n
e
D
n e
kT
l
D
l
-3 14
e
cm 10 n K 10 T
4
cm 10 l
-4
D
K 10 T , cm 1 n
4 -3
e
cm 10 l
3
D
x
+ =
+
= = =
+

= =

=
Frecventa de plasmei
frecventa plasmei
60
0
2
0
2
/ /
p
0
2
) exp(
0
2 2
/
2
2
2
2
x
e n
F
e
e n k
e e e e
m k
e
m
e
e
p
m
e n
t i E E
x x
x
eE dt x d
ex p
x
e
E
m
e
p
x
e
e
E
m
e n
P

=
= =
=
=
=
=
=
=
(2.24)
Aceasta este o forta de tip elastic, avnd constanta de elasticitate
, si frecventa unghiulara de oscilatie , unde este
masa electronului. Aceasta frecventa poate fi asociata si unui grup de
electroni care sunt ndepartati simultan de la pozitia de echilibru si ea este
cunoscuta sub denumirea de frecventa plasmei,
(2.25)
Frecventa plasmei este un parametru important nu numai din punct de
vedere al oscilatiilor libere ale acesteia, ci si din punct de vedere al
raspunsului ei la perturbatii exterioare, cum ar fi de exemplu comportarea
plasmei fata de o unda electromagnetica incidenta pe suprafata ei. n
aceasta situatie comportamentul este determinat de permitivitatea electrica
a ei. Pentru a o exprima sub forma analitica, se poate considera o oscilatie
electrica armonica de forma incidenta pe suprafata plasmei
n directia . Integrnd de doua ori ecuatia diferentiala a miscarii n acest
cmp, se obtine expresia deplasarii a electronului,
deplasare careia i se poate asocia un moment dipolar , dat de
expresia:
(2.26)
Suma tuturor momentelor dipolare din unitatea de volum se defineste ca
fiind polarizarea plasmei, :
(2.27)
Ox
x
P
61
0
0
2
1
Daca plasma este presupusa izotropa, atunci permitivitatea electrica relativa
a ei este:
(2.28)
nlocuind n relatia precedenta expresia polarizarii data de relatia (1.27) si
tinnd seama de expresia frecventei de plasma (1.24), se obtine pentru
permitivitatea relativa a plasmei o functie de frecventa oscilatiei incidente:
Se poate observa ca, n functie de raportul dintre frecventa radiatiei
incidente si frecventa plasmei, permitivitatea electrica relativa poate lua att
valori negative ct si valori pozitive. Astfel, daca frecventa radiatiei incidente
este mai mica dect frecventa de plasma permitivitatea relativa a plasmei
este negativa, ceea ce n termeni fizici se traduce prin aceea ca plasma nu
permite trecerea radiatiei prin ea. Radiatia este total reflectata de catre
plasma. Perturbatia exterioara este dominata de oscilatiile proprii ale
plasmei n scopul mentinerii cvasineutralitatii deoarece cmpul exterior are
tendinta de a separa sarcinile electrice. Pentru frecvente ale radiatiei
incidente mai mari dect frecventa plasmei, aceasta din urma devine
transparenta pentru perturbatie care, desi atenuata, va putea traversa
plasma. Astfel, se poate afirma ca frecventa de plasma reprezinta frecventa
de prag sub care nici o perturbatie electrica exterioara nu se va putea
propaga prin plasma.
Plasma obtinuta prin descarcarea n gaze este neizoterma. Drumul
liber mijlociu al electronilor n plasma este de ori mai mare dect
x
x
r
E
P E
p
r
10 - 5

+
=

=
2 2. .3 3. . U UN NE EL LE E A AP PL LI IC CA AT TI II I A AL LE E P PL LA AS SM ME EI I N N T TE EH HN NI IC CA A
62
2
3
2
3
drumul liber mijlociu al ionilor pozitivi. Energia acumulata de o particula cu
sarcina electrica prin miscarea sa n cmp electric fiind proportionala cu
drumul liber mijlociu, rezulta ca electronii vor avea o energie de ori
mai mare dect ionii pozitivi. Tinnd seama de relatia:
si
se obtine si .
Cnd plasma se obtine prin ionizarea termica a gazului la temperaturi
mai mari de , se obtine plasma izoterma: .
Aplicatiile plasmei sunt diverse si se ntlnesc n aproape toate
domeniile tehnicii. Pe scurt se prezinta, n continuare, numai unele dintre
acestea.
Ca sursa de lumina de intensitate foarte mare se utilizeaza arcul
electric. n lampile cu arc descarcarea are loc ntre doi electrozi de wolfram,
n atmosfera de vapori de mercur sau gaz inert, la presiune ridicata. Arcul
electric realizat n vapori de mercur este o sursa puternica de radiatii
ultraviolete utilizate n medicina si n cercetare.
Descarcarea luminiscenta este folosita la realizarea tuburilor pentru
reclame luminoase. Culoarea luminii emise fiind functie de gazul utilizat se
pot obtine culori diferite: n cazul neonului rosu, al argonului albastru-
verzui, etc.
Pentru obtinerea luminii din domeniul vizibil peretii tuburilor de
descarcare se acopera cu o substanta speciala numita luminofor care emite
lumina sub actiunea fluxului de particule. Alegnd o compozitie adecvata a
luminoforului se poate obtine lumina de nuanta dorita. Randamentul acestor
tuburi este mult mai mare ( ) dect cel al becurilor cu incandescenta
10 - 5
e e
T k W
i i
T k W
K 5000 T
e
K 300 T
i
K 10
4
c e
T T
20%
= =
= =
=

2 2. .3 3. .1 1. . P Pl la as sm ma a c ca a s su ur rs sa a d de e l lu um mi in na a
63
( ), iar durata lor de functionare este de ori mai mare. n aceste
tuburi declansarea descarcarii electrice se asigura ntr-o schema electrica
ce furnizeaza initial un impuls de tensiune nalta egal cu tensiunea de
aprindere, iar apoi tubul va functiona la tensiunea obisnuita a retelei.
Aceasta este una din metodele fizice cele mai eficiente de
determinare a compozitiei chimice a substantelor pe baza studierii spectrului
de emisie al substantei cercetate. Prin analiza spectrala se stabileste, mai
nti, prezenta n spectrul substantei a liniilor spectrale ale anumitor
elemente chimice (analiza calitativa) si apoi pe baza masurarii intensitatii
acestor linii se determina continutul cantitativ al elementelor n proba data
(analiza cantitativa). Metoda este foarte sensibila putndu-se determina
cantitati de pna la dintr-un element chimic.
Sursele cele mai des utilizate n analiza spectrala sunt cele sub forma
de arc si scnteie. Substanta care se studiaza se aplica la electrozi sau
formeaza unul din electrozi unde datorita temperaturii ridicate este
descompusa n vapori. Acesti vapori sunt descompusi la rndul lor n atomi,
care excitati emit linii caracteristice.
Liniile spectrale ale multor metode apar la descarcarea n arc chiar si
pentru un continut n proba de numai . Alegerea descarcarii, n
arc sau scnteie, se face n functie de domeniul spectral n care se
lucreaza.
2% 15 - 10
g 10
-9
% 10 - 10
-6 -4

2 2. .3 3. .2 2. . U Ut ti il li iz za ar re ea a p pl la as sm me ei i n n a an na al li iz za a s sp pe ec ct tr ra al la a
64
7
10
Figura 2.6.
2 2. .3 3. .3 3. . I In ns st ta al la at ti ii i d de e p pl la as sm ma a f fo oc ca al li iz za at ta a
O asemenea instalatie consta dintr-un tun coaxial format din doi
electrozi cilindrici ntre care se descarca o baterie de condensatoare de
capacitate mare si inductanta mica (Figura 2.6).
Gazul ajuns ntre electrozi este supus descarcarii electrice si se
transforma n plasma. Ca urmare ntre electrozi apare un curent electric de
densitate si un cmp magnetic de inductie produs de curentul electric
ce trece prin electrodul central. Datorita actiunii fortei Lorentz: plasma
este accelerata spre capatul liber al cilindrilor unde se formeaza o plasma
fierbinte foarte densa (plasma focalizata) localizata n zona electrodului
central. Densitatea plasmei obtinute cu aceasta instalatie este de
si cu o temperatura de . Formarea plasmei
focalizate este nsotita de o puternica emisie de radiatii , iar daca se
foloseste deuteriu sau un amestec de deuteriu-tritiu se emite un flux
puternic de neutroni.
Daca tubul este uniform umplut cu gaz instalatia functioneaza n
regim de plasma. Cnd tubul este vidat la si n el se introduce
numai de gaz, cu ajutorul unui ventil rapid sincronizat cu descarcarea
condensatoarelor, se formeaza un nor dens de plasma care este expulzat n
exterior sub forma unui plasmoid care contine , si care se
deplaseaza cu o viteza de . Se preconizeaza ca astfel de instalatii
gaz V
B I
J
B x J
3 20 19
cm particule/ 10 - 10 K 5
X
mmHg 10
-6
3
cm 1
cm particule/ 10
19
m/s 10
5
r r
r r
B

65
sa fie utilizate ca motoare cu plasma pentru propulsie n cazul zborurilor
spatiale.
Panourile de afisare cu plasma reprezinta, la ora actuala, cel mai
serios concurent pe piata sistemelor de afisare a imaginilor. Fiabilitatea si
calitatea lor au fost demonstrate de diverse companii si, ca urmare,
productia n serie a nceput n anul 1996. Cu toate acestea, studiul si
cercetarea n acest domeniu continua, pentru ca unele caracteristici, cum ar
fi de exemplu eficienta luminoasa care este slaba dar acceptabila, pot fi
mbunatatite.
Panoul de afisare cu plasma a fost inventat de catre Bitzer si Slottow
n 1966 la Universitatea din Illinois. Ei au demonstrat posibilitatea afisarii
informatiei sub forma unor pixeli luminosi cu plasma realiznd un panou de
afisare compus din doua seturi de straturi subtiri conductoare paralele,
reciproc perpendiculare, depuse pe doua substraturi din sticla (Figura 2.7).
Cele doua substraturi sunt separate de o lamela de sticla cu grosimea de
100 m. Lamela este perforata, avnd aspectul unei site. Distanta dintre
sirurile de gauri din lamela este egala cu distanta dintre straturile
conductoare depuse pe substraturi. Cavitatile astfel obtinute sunt umplute
cu un gaz inert la o presiune de aproximativ 300 torr. Se formeaza astfel o
matrice de celule de descarcare (pixeli), fiecare avnd la capete cte doi
electrozi reciproc perpendiculari. Pixelii devin luminosi prin aplicarea ntre
cei doi electrozi a unei tensiuni alternative, suficiente pentru a produce
strapungerea spatiului dintre ei. Desi de-a lungul anilor pixelul de baza a
2 2. .3 3. .4 4. . P Pa an no ou ur ri i d de e a af fi is sa ar re e c cu u p pl la as sm ma a
66
Substraturi
sticla Celule
descarcare
distantator
electrozi
Figura 2.7
suferit numeroase mbunatatiri, principiul fundamental de functionare a
ramas acelasi.
Pna n anii 80 panourile de afisare cu plasma au fost monocrome,
descarcarea producndu-se n amestecuri de gaze pe baza de neon, lumina
emisa (rosu-portocalie) fiind caracteristica structurii nivelelor energetice ale
neonului (585 640 nm). Panourile aveau diagonala de 1 m si contineau
aproximativ 2 milioane de pixeli. Astazi fabricantii ofera panouri de afisare
cu dimensiuni geometrice comparabile dar ele sunt color. Astfel, s-au
realizat panouri de afisare cu diagonala de 102 cm, 1,075 milioane de pixeli,
256 de nivele de gri, 8 cm grosime si 8 Kg masa.
Panourile de afisare cu plasma pot sa fie operate att n curent
continuu ct si n curent alternativ. n Figura 2.8 sunt prezentate sub o forma
simplificata structurile celor doua tipuri de panouri. Ele au aceeasi structura
ca si cea prezentata anterior cu deosebirea ca n cazul panourilor de afisare
care sunt operate n curent alternativ, electrozii ntre care se aplica
tensiunea necesara amorsarii si ntretinerii descarcarii nu sunt n contact
direct cu plasma.
67
Figura 2.8
Conductor
vertical
Conductor
orizontal
Conductor
vertical
Conductor
orizontal
Dielectric PbO
Filme de
MgO
n cazul , dupa amorsarea descarcarii,
electronii produsi n urma proceselor de ionozare se deplaseaza foarte
repede catre anod n timp ce ionii pozitivi, avnd masa mult mai mare dect
cea a electronilor si mobilitatea mult mai mica, se deplaseaza mult mai ncet
catre catod. Astfel, la o presiune de 400 torr si o distanta ntre electrozi de
100 m, timpul de tranzit al electronilor este de aproximativ 0,2 ns iar cel al
ionilor de 20 ns. Imediat dupa strapungerea spatiului dintre electrozi (la o
tensiune de aprox. 200 V) acesta devine un bun conductor, rezistenta lui
scade brusc devenind neglijabila si intensitatea curentului tinde sa creasca
necontrolat. De aceea, n curent continuu, n serie cu fiecare pixel trebuie
conectata o rezistenta de limitare a curentului. Deoarece plasma este n
contact direct cu electrozii descarcarii, datorita procesului de pulverizare
catodica, catodul se va distruge mai repede dect anodul. De aceea, pentru
a asigura o uzura uniforma a ambilor electrozi si deci un timp de viata mai
lung, rolul lor este schimbat periodic prin modificarea polaritatii tensiunii
continue. Electrozii joaca pe rnd rolul de catod si anod. n plus, pentru a
putea controla stralucirea pixelilor, operarea lor se face n pulsuri cu
operarii n curent continuu
a)
b)
68
frecventa modulata. Frecventa standard de aprindere a descarcarii este de
50 kHz.
n straturile conductoare sunt
acoperite cu un strat de dielectric, de regula oxid de plumb, cu o grosime de
25 m. Peste acesta se depune un alt strat dielectric, de oxid de magneziu,
cu grosimea de 50 200 nm. Aceste doua straturi dielectrice asigura pe de
o parte stocarea de sarcina electrica superficiala si, pe de alta, emisia
electronica secundara. Oxidul de magneziu a fost ales dintre materialele
care sa fie rezistente la procesul de pulverizare catodica si sa aiba un
coeficient de emisie secundara la bombardament ionic ct mai bun.
Straturile uniforme de MgO pot fi depuse pe suprafete mari prin evaporare
cu fascicul de electroni. Un avantaj important al MgO este acela ca
proprietatea de emisie secundara nu se modifica chiar si dupa nderpartarea
prin pulverizare catodica a unui strat superficial de sutimi de nanometru.
Astfel, timpul de viata a unui panou, desi este limitat de pulverizarea
catodica a stratului de MgO, poate fi mai mare de 10.000 de ore. Se poate
usor constata ca n cazul pixelilor operati n curent alternativ plasma nu mai
poate ajunge n contact cu electrozii. Valoarea exacta a tensiunii de
strapungere depinde de natura si presiunea gazului din celulele de
descarcare, de naltimea acestora si este conditionata de stratul de MgO.
Ea variaza de obicei ntre 120 V si 180 V. Dupa amorsarea descarcarii,
electronii si ionii se deplaseaza catre anod si respectiv catod, dar ei nu mai
pot fi colectati de catre electrozi si se vor acumula pe suprafata dielectricului
ca sarcini spatiale. Astfel, cmpul electric total n interiorul unei celule va fi
n orice moment de timp suma algebrica dintre cmpul datorat tensiunii
externe aplicate si cmpul intern datorat acumularii de sarcina spatiala pe
suprafetele dielectrice. n regim stationar este evident ca sensul cmpului
datorat acumularii de sarcina este opus sensului cmpului exterior, sarcina
cazul operarii n curent alternativ
69
superficiala actionnd n sensul ecranarii cmpului electric exterior. De
aceea, daca dupa amorsarea descarcarii cmpul electric extern este
mentinut constant numai cteva microsecunde, cmpul electric total va
descreste foarte rapid (100 200 ns). Aceasta descrestere poate fi att de
mare nct tensiunea pe descarcare sa fie mai mica dect tensiunea minima
de mentinere a ei si descarcarea se stinge. De aceea, n curent alternativ
descarcarea actioneaza n sensul autolimitarii curentului electric prin ea,
nemaifiind nevoie de o rezistenta exterioara de limitare.
Panourile de afisare cu plasma prezinta cteva avantaje n competitia
care are loc n domeniul tehnologiei dispozitivelor de afisare. Astfel,
comportarea puternic neliniara a fiecarui pixel, cu inerentele proprietati de
memorie, poate constitui un avantaj n proiectarea electronicii de comanda
necesare pentru stergerea si nscrierea informatiei. Simplitatea constructiei
pixelilor este un ajutor n procesul de fabricatie, reducnd problemele legate
de alinierea lor sau de uniformitatea straturilor depuse. Comparativ cu
matricele de afisare color cu cristale lichide, dispozitivele de afisare cu
plasma necesita un proces de fabricatie mult mai simplu si o electronica de
comanda mai putin complicata. Pe de alta parte nsa, date fiind tensiunile
mari la care se lucreaza (100275 V), electronica de comanda este mult mai
robusta, voluminoasa si cu un consum energetic mare. De aceea, panourile
de afisare cu plasma nu sunt recomandate pentru aparatura portabila, dar
sunt extrem de utile pentru utilizari interioare sau exterioare fixe. Daca sunt
operate la puteri mari, stralucirea lor este suficient de mare pentru a avea o
imagine vizibila chiar si la lumina Soarelui. Datorita constructiei lor,
panourile de afisare cu plasma, monocrome sau color, au un unghi de
vedere foarte mare.
Pentru pixelii color compozitia gazului este modificata astfel nct sa
predomine emisia radiatiilor ultraviolete. Din celelalte puncte de vedere
70
MgO
Fosfor
luminiscent
Electrod BUS
Figura 2.9: Afisajul color cu plasma
Electrozi
adresare
Strat dielectric
Strat dielectric
Panou
inferior
bariera
Electrod ITO
principiile de operare sunt identice cu cele ale pixelilor monocromi. Ideal
este ca radiatia luminoasa emisa de plasma sa fie exclusiv n domeniul
ultraviolet, radiatie capabila sa produca emisia culorilor fundamentale (rosu
R, verde G, albastru B) de catre straturile fotoluminiscente de fosfati
(lantan, ytriu, gadoliniu) depuse pe electrozii de adresare si pe peretii
celulelor de descarcare (Figura 2.9).
Un pixel se formeaza la intersectia unui electrod transparent orizontal
cu trei straturi fotoluminiscente succesive, corespunzatoare celor trei culori
fundamentale. Pentru generarea radiatiei ultraviolete necesare producerii
fotoluminescentei fosforului sunt folosite amestecuri de gaze continnd ca
specie minoritara xenonul. Desi xenonul este un emitator eficient de radiatii
ultraviolete, tensiunea sa de strapungere este prea mare si atunci s-a recurs
la folosirea amestecurilor de xenon cu neon sau heliu. Adaugnd unul din
aceste gaze, tensiunea de strapungere se micsoreaza din doua motive: (a)
ionii de neon si heliu sunt mult mai eficienti n producerea emisiei secundare
de electroni din stratul de MgO si (b) coeficientul de ionizare ntr-un amestec
de xenon-neon, poate fi mult mai mare dect n xenon pur sau neon pur.
71
Aceasta, datorita faptului ca sectiunea de ciocnire electron-neutru este mult
mai mare n xenon dect n neon, astfel nct ntr-un amestec continnd o
mare concentratie de neon, electronii pot cstiga energie mult mai usor,
producnd excitarea si ionizarea xenonului pentru valori mai mici ale
cmpului electric. Pe de alta parte, energia de ionizare a xenonului este mai
mica dect energia de excitare a neonului (sau a heliului) si electronii
accelerati n cmpul electric din celula de descarcare si vor transfera
energia lor cu prioritate spre atomii de xenon iar atomii de neon (sau heliu)
vor ceda energia de excitare atomilor de xenon producnd ionizarea lor prin
efect Penning. Astfel, emisia radiatiei de dezexcitare rosu-portocalie a
neonului va fi suprimata odata cu cresterea concentratiei de xenon din
amestec. Din cercetarile experimentale s-a stabilit ca o concentratie a
xenonului de aproximativ 10% este cea mai potrivita pentru scopul propus.
n afara de aceste procese, mai exista unul care favorizeaza emisia
radiatiei ultraviolete. Este vorba despre tendinta xenonului ionizat de a-si
completa ultima patura electronica, tendinta care duce la formarea
moleculelor dimerice excitate de xenon (Xe
2*
). La dezexcitare, aceste
molecule dimerice vor emit radiatii ultraviolete cu lungimi de unda de
aproximativ 173 nm si 150 nm.
Ca metode clasice pentru prelucrarea metalelor se folosesc arcul
electric si sudura autogena, pentru taiere si sudare si cuptoarele cu
combustibil si electrice, pentru topire si rafinare. ncepnd cu anii 1950 au
fost construite si au capatat o utilizare din ce n ce mai larga dispozitivele
denumite Aceste sunt o combinatie ntre o descarcare n arc
si un jet de gaz care strabate arcul cu viteza foarte mare. Se obtine astfel un
2 2. .3 3. .5 5. . A Ap pl li ic ca at ti ii i a al le e p pl la as sm me ei i n n t te eh hn no ol lo og gi ii i d de e s su ud da ar re e s si i
a ac co op pe er ri ir re e. . P Pl la as sm ma at tr ro on nu ul l
plasmatroane.
72
Figura 2.10: Reprezentarea schematica a tehnologiei de taiere cu plasma; a)
generarea jetului de plasma; b) transferul arcului catre piesa de lucru
jet de plasma termica, n care temperatura gazului este aproape identica cu
temperatura electronica. ntr-un astfel de jet de plasma se obtin temperaturi
de 10.000 - 50.000 K. Deosebirile principale ntre arcul electric clasic si jetul
de plasma sunt: i) arcul electric are coloana pozitiva dezvoltata
corespunzator conditiilor energetice de schimb termic, nesuferind nici o
constrngere, pe cnd jetul de plasma este puternic strangulat mecanic si
electromagnetic; ii) temperatura arcului este mai mica dect cea a plasmei
din jet; iii) gazul ionizat din arcul electric are o presiune practic egala cu cea
atmosferica, pe cnd n jetul de plasma gazele sunt introduse sub presiune,
ceea ce determina curgerea cu viteze foarte mari a gazului ionizat.
Schema de principiu a unui plasmatron n curent continuu este
prezentata n Figura 2.10.
Arcul se amorseaza ntre un electrod , cu rol de catod si piesa de
prelucrat care are si rol de anod. O parte din coloana arcului este
E
E
E
73
constrnsa sa treaca printr-un ajutaj (sau duza) racit la interior. Prin canalul
ajutajului trece concomitent si un curent de gaz (argon, heliu, hidrogen,
azot) care, datorita temperaturii ridicate a arcului, este puternic ionizat. Se
formeaza astfel un jet de plasma de sectiune ngusta.
Sectiunea ngusta se datoreaza att strangularii mecanice, ct si unei
strangulari electromagnetice. Strangularea mecanica este cauzata de
contactul dintre jetul fierbinte de gaz ionizat si peretii duzei puternic raciti.
Straturile de gaz din vecinatatea duzei sunt racite intens, n acea regiune
avnd loc recombinarea ionilor si electronilor difuzati din volumul jetului. Ca
urmare, raza coloanei de plasma scade. Strangularea electromagnetica se
produce datorita atractiei curentilor paraleli. Datorita acestor doua efecte
sectiunea jetului poate fi cu 20 - 50 % mai mica dect sectiunea duzei.
Scaderea sectiunii coloanei de plasma provoaca o crestere a densitatii de
curent, ceea ce duce la intensificarea efectului Joule. Datorita volumului
relativ redus al jetului se nregistreaza o puternica crestere a temperaturii,
care are valoarea maxima pe axa jetului si n apropierea duzei.
Emisia de electroni de la catod are loc prin efect termoelectronic.
Pentru intensificarea emisiei si mbunatatirea stabilitatii jetului de plasma se
folosesc catozi din wolfram toriat. Materialele din care se executa ajutajele
trebuie sa asigure valori ridicate pentru conductivitatea termica, caldura
specifica si caldura latenta de topire. Se folosesc ajutaje din cupru, otel,
wolfram, grafit, carbura de siliciu, zirconiu.
n general, durata de functionare a ajutajelor este scurta. Din acest
motiv este necesar ca ele sa aiba o constructie simpla, iar nlocuirea sa se
poata face usor si rapid. Pe lnga uzura normala a ajutajelor, pot sa apara
uzuri suplimentare datorita functionarii n conditii care se abat de la cele
normale, cum ar fi: formarea arcului secundar, centrarea
necorespunzatoare a electrozilor, devierea coloanei de plasma de la axa
74
geometrica a generatorului, datorita vitezelor prea mari de deplasare a
jetului, scurtcircuitarea spatiului ajutaj-piesa. Dintre acestea, formarea arcului
secundar constituie una din cauzele cele mai frecvente. Aparitia arcului
secundar se explica astfel: coloana de plasma este izolata electric fata de
peretii ajutajului printr-un strat de gaz neionizat. Pentru a mari concentrarea
coloanei de plasma se reduc dimensiunile ajutajului. Odata cu scaderea
diametrului ajutajului creste intensitatea cmpului electric n canalul acestuia.
Cresterea peste anumite limite are drept consecinta strapungerea
nvelisului de gaz izolator si aparitia unor legaturi galvanice ntre coloana de
plasma si ajutaj. n aceste conditii ajutajul se poate ncalzi, ncepe sa emita
electroni, devenind un catod secundar.
Calitatea prelucrarilor care se executa cu ajutorul jetului de plasma
depinde, n mare masura, de natura gazului plasmogen. Proprietatile fizico-
chimice ale gazului plasmogen trebuie sa asigure o distributie ct mai
adecvata a energiei n spatiul de descarcare. n acelasi timp, mediul gazos
trebuie sa asigure protectia electrodului incandescent din wolfram mpotriva
oxidarii si sa fie neutru fata de materialul de prelucrat. Aceste conditii sunt
ndeplinite de argon si heliu. Utilizarea acestor gaze prezinta si dezavantaje:
au un cost ridicat si nu au capacitate mare de cedare a caldurii n timpul
descarcarii. n cazul folosirii gazelor moleculare (hidrogen, azot), n
momentul trecerii prin descarcare, moleculele acestora disociaza absorbind
o cantitate importanta de caldura. Caldura de disociere este cedata
materialului prelucrat, la suprafata caruia are loc un proces de recombinare.
Din punct de vedere practic, cel mai cunoscut mijloc de taiere este
prin ardere, cu flacara oxiacetilenica. Aceasta metoda nu se poate aplica
metalelor si aliajelor avnd temperatura de aprindere n oxigen mai mare
dect cea de topire (oteluri nalt aliate, refractare si inoxidabile, aliajele din
aluminiu, cupru, titan. Taierea cu jet de plasma a metalelor face parte din
75
procedeele de taiere prin topire aplicabile pentru orice metal sau aliaj.
Aceasta tehnica da rezultate mai bune fata de alte metode de taiere,
datorita concentrarii mari a energiei si temperaturii nalte a plasmei.
Calitatea buna a suprafetelor taiate face inutila prelucrarea lor ulterioara,
scaznd costul de prelucrare.
Pentru stabilirea regimului de taiere, este necesar sa se determine
urmatorii parametri: viteza de taiere, curentul si tensiunea arcului cu plasma,
natura si debitul gazului plasmogen. nainte de nceperea procesului de
taiere se amorseaza un arc electric pilot, ntre catod si ajutaj (Figura 2.10a).
La trecerea prin ajutaj a unui gaz plasmogen cu debitul , se amorseaza un
jet de plasma cu un anumit grad de ionizare, n general mediu, care depinde
de intensitatea curentului, de natura gazului si de geometria ajutajului. Apoi
jetul de plasma este adus deasupra piesei ce urmeaza sa fie taiata si care
este legata la polul pozitiv al generatorului (Figura 2.10b). Daca mediul
este suficient de ionizat si cmpul electric intens, prin spatiul jetului de
plasma se formeaza un arc anodic, pata anodica mutndu-se de pe ajutaj
pe piesa. n aceste conditii, debitul de gaz se mareste la , surplusul de
gaz care formeaza nvelisul izolator ce protejeaza ajutajul de actiunea
termica a plasmei mpiedecnd formarea arcului secundar. Daca
generatorul de plasma este deplasat de-a lungul liniei de taiere cu o viteza
care depaseste o anumita valoare limita, atunci jetul de plasma nu mai
poate sa strapunga ntreaga grosime a placii. n aceste conditii, daca metalul
topit este nlaturat (prin nclinarea piesei), se obtin santuri si caneluri, de
diferite forme si dimensiuni. Repetnd operatia cu o deplasare a
generatorului pe suprafata piesei, la fiecare trecere, se nlatura un strat
superficial (operatie asemanatoare rabotarii). S-a dezvoltat astfel procedeul
de "strunjire" cu plasma.
D
P
S
D
2
76
Pentru , ca procedeu clasic, se
foloseste n general sudarea n arc, n mediu de argon, cu electrod
nefuzibil. Folosirea arcului cu plasma pentru sudare prezinta o serie de
avantaje fata de metoda clasica: o concentrare energetica mai buna si o
stabilitate mai mare a arcului, ceea ce permite sudarea la intensitati de
curent mai mare dect limita inferioara de ardere stabila a arcului obisnuit.
Dispozitivele cu plasma pentru sudura au aceeasi constructie ca cele
utilizate pentru taiere. Principala deosebire dintre ele consta n viteza mai
mica de deplasare a jetului de plasma, prin aceasta asigurndu-se ca
metalul topit sa nu fie suflat de la locul de sudura. Drept gaz plasmogen se
foloseste argonul, cu debitul de 30-40 1/h. Principalul dezavantaj al acestei
tehnici este costul ridicat al echipamentului de sudura, care nu se justifica
dect n cazul unor industrii de vrf, cum ar fi industria aero-spatiala,
nucleara, mecanica fina etc.
este un procedeu de depunere a unor
straturi superficiale cu proprietati speciale. Prin aceasta se pot obtine
structuri rezistente la uzura, la socuri termice, la coroziune, straturi izolante
din punct de vedere termic sau electric, straturi antifrictiune etc. Fata de alte
procedee, aplicate n scopuri similare (cufundare n metal topit, difuzie,
placare, acoperiri galvanice), metalizarea cu jet de plasma are urmatoarele
avantaje: i) ncalzirea materialului suportului este moderata, nct
probabilitatea aparitiei tensiunilor sau fisurilor este scazuta; ii) depunerea se
poate realiza pe suprafete mari; iii) se pot executa acoperiri metalice pe
suporturi combustibile, cum ar fi lemnul, hrtia, material textil, tot datorita
ncalzirii moderate a suportului. Principalul dezavantaj al acoperirilor obtinute
prin metalizarea cu jet de plasma este neomogenitatea straturilor depuse,
motiv pentru care unele proprietati mecanice ale acestora sunt neadecvate.
sudarea metalelor sau aliajelor
Metalizarea cu jet de plasma
77
Figura 2.11: Schema de principiu a unei instalati de
acoperire cu jet de plasma
Piesa de acoperit
Gaz plasmogen
Introducerea materialului de
pulverizat
Introducere
gaz de protectie
Perdea de protectie
n Figura 2.11 este
prezentata schema de
principiu a unei instalatii
de acoperire a unei
suprafete cu un strat de
metal sau aliaj utiliznd
jetul de plasma. n
principiu, tehnica consta
n trecerea unui material
sub forma de pulbere
prin jetul de plasma al unui plasmatron. Materialul de depus poate fi si sub
forma de srma care constituie anodul unui arc de plasma. Datorita
temperaturii ridicate a jetului de plasma materialul de depus se topeste si
este antrenat spre piesa ce urmeaza sa fie acoperita. n generatoarele cu
plasma, destinate acoperirilor metalice, trebuie sa se asigure o accelerare
suficienta a particulelor pentru ca acestea sa adere la suport.
Principalul mod de transmitere a caldurii de la jetul de plasma la
pulbere se realizeaza prin recombinarea ionilor gazului plasmogen pe
suprafata granulelor de pulbere. n cazul gazelor biatomice se elibereaza si
energia de disociere, de aceea se prefera aceste gaze pentru ca transmit o
cantitate mai mare de caldura materialului de depus. Transferul de caldura
pe seama conductiei termice este mic ntruct timpul de expunere n jet al
particulei este foarte mic (ms).
Materialele care sublimeaza nainte de topire nu pot fi depuse prin
pulverizare. Unii oxizi disociaza si produc componente volatile, fapt ce face
imposibila metalizarea cu gaze plasmogene obisnuite: argonul, azotul,
hidrogenul. n acest caz se adauga o anumita cantitate de oxigen care
favorizeaza reactia inversa. n cazul altor materiale "avide" de oxigen,
78
dimpotriva, se iau masuri pentru a mpiedica procesul de oxidare. n acest
caz folosirea argonului drept gaz plasmogen nu este suficienta si se
utilizeaza protejarea conului de pulverizare cu un gaz inert, realizndu-se
asa numitele "perdele" de gaz de protectie.
Datorita tensiunii superficiale, particulele topite n jetul de plasma sunt
sferice. La impactul cu materialul ce urmeaza sa fie acoperit, energia lor
cinetica se transforma n energie de deformare si energie termica. Ca
urmare, aceste particule devin filiforme sau primesc o forma lamelara.
Straturile depuse prin aceasta tehnica sunt alcatuite din fsii alaturate sau
suprapuse. Aceasta structura neomogena a stratului obtinut este
caracteristica pentru aceasta tehnica de depunere. Un rol important n
structura stratului au temperatura particulei (care trebuie sa fie superioara
temperaturii de plastifiere) si viteza lor.
n cazul depunerilor de straturi utiliznd plasmatronul la presiune
atmosferica, proprietatile straturilor depuse sunt adesea nesatisfacatoare,
datorita structurilor poroase si modificarilor chimice ale materialelor depuse
(de exemplu oxidarea metalului n timpul depunerii). Pentru a depasi aceste
neajunsuri s-a dezvoltat o tehnica noua, depunerea de straturi utiliznd
plasma la presiuni joase. n aceasta metoda plasmatronul functioneaza ntr-o
incinta nchisa la o presiune de 20 100 torr. Avantajele acestei tehnici, fata
de cea la presiune atmosferica, sunt: i) acoperiri dense, fara pori; ii) acoperiri
fara oxidari, de nalta puritate; iii) aderenta mai buna ntre stratul depus si
suport; iv) straturi groase care se pot realiza datorita valorilor mici ale
tensiunilor din strat.
2 2. .3 3. .6 6. . U Ut ti il li iz za ar re ea a p pl la as sm me ei i t te er rm mi ic ce e n n m me et ta al lu ur rg gi ie e
79
Figura 2.12: Principiul furnalului cu arc
electric.
O prima etapa n utilizarea plasmei n metalurgie a fost aceea a
arcului electric pentru topirea
metalelor (cuptoare cu arc).
Cuptorul cu arc este constituit
dintr-un creuzet captusit cu
caramizi refractare. n cuptor
este introdus metalul care
trebuie topit. Prin capacul
cuptorului patrund trei electrozi
din grafit, cu diametrul de pna la 0,5 m (Figura 2.12). Electrozii sunt
alimentati de la o sursa trifazata, de putere. Metalul este topit datorita
caldurii degajate n arcul care se formeaza ntre electrozi si metal.
Necesitatea controlarii stabilitatii arcului si a concentrarii energiei a
dus la ideea folosirii generatorului de plasma pentru topire, rafinare,
obtinerea otelurilor aliate de nalta puritate etc., unde pentru nchiderea
circuitului electric, n vatra cuptorului se introduce un anod racit cu apa.
Arderea elementelor de aliere, cum sunt Si, Ni, Cr, Mo, Ta, W, este, n
general, mai putin intensa dect n cazul cuptoarelor cu arc, ceea ce face
ca procentele din aceste elemente ramase n otel sa fie mai mari pentru
cuptoarele cu plasma.
Pentru obtinerea aliajelor de nalta puritate si a otelurilor nalt aliate,
precum si a titanului, a aliajelor cu titan, osmiu, iridiu, ruteniu, se utilizeaza
. Bara ce urmeaza sa fie retopita, generatorul de
plasma, cristalizorul si lingoul obtinut n urma retopirii se gasesc ntr-o
camera ermetica. Bara se roteste, fiind n acelasi timp coborta pe masura
topirii. Amplasarea generatoarelor de plasma este aleasa n asa fel nct
sa topeasca bara si n acelasi timp sa produca o ncalzire uniforma a barei
metalice din cristalizor. Exista, de asemenea si alte variante: retopirea n
retopirea cu plasma
80
atmosfera inerta (argon), retopirea combinata cu dezoxidarea cu plasma
de hidrogen, retopirea cu arc de plasma sub zgura. Otelurile obtinute n
urma retopirii se caracterizeaza printr-o mare omogenitate chimica si
structurala si printr-un procent scazut de incluziuni si gaze reziduale.
n ultimii ani au fost elaborate si introduse la scara industriala metode
foarte eficiente de tratare a suprafetelor pieselor si sculelor din oteluri si
fonte folosind plasma unei descarcari luminescente. ntre aceste metode
mentionam: nitrurarea, borurarea, carburarea, carbonitrurarea si
nitrotitanarea ionica. n cele ce urmeaza ne vom referi n mod deosebit la
nitrurarea ionica, ntruct aceasta metoda de tratament este n prezent mai
bine cunoscuta si mai raspndita.
Nitrurarea ionica a unei suprafete metalice este un proces care se
desfasoara la presiune joasa, n plasma unei descarcari electrice si care are
ca rezultat formarea unor nitruri cu proprietati fizice deosebite, n principal o
duritate mult mai mare dect a materialului suport. Functia principala care o
are mediul de plasma este de a crea, plecnd de la azotul molecular sau de
la un amestec gazos care contine azot, specii chimic active care sa permita
sa se controleze reactiile ce pot avea loc la suprafata metalului sau a unui
aliaj care trebuie nitrurat.
2 2. .3 3. .7 7. . A Ap pl li ic ca at ti ii i a al le e p pl la as sm me ei i n n t tr ra at ta ar re ea a s su up pe er rf fi ic ci ia al la a a a m me et ta al le el lo or r. .
N Ni it tr ru ur ra ar re ea a i io on ni ic ca a
81
Figura 2.13: Schema de principiu a unei instalatii de
nitrurare ionica
n Figura 2.13 este aratat un sistem tipic utilizat pentru o astfel de
tehnica de tratare. n principal el este constituit din urmatoarele elemente: o
incinta vidata (din otel inox, de obicei), un generator electric de nalta
tensiune (SP), un sistem
de distributie a gazului si
de control al presiunii, un
sistem de masura si de
reglare a temperaturii,
Tensiunea electrica
se aplica ntre piesa de
nitrurat (P) care este
plasata pe catod (C) si
peretii metalici ai incintei (I)
care joaca rol de anod si
care este ntotdeauna legat
la potentialul masei pentru
a se asigura protectia operatorilor.
Se lucreaza n regim de descarcare "anormal": densitatea de curent
este uniforma pe suprafata catodului si intensitatea curentului creste cu
tensiunea aplicata pe descarcarea electrica. n aceste conditii se poate
realiza un tratament uniform al suprafetei piesei.
Temperatura piesei de nitrurat se masoara, de regula, cu un
termocuplu (TC). Ea trebuie sa fie n domeniul 500-550 C. Trebuie
precizat ca deoarece procesul de nitrurare ionica este n buna parte un
proces termochimic, viteza de nitrurare este cu att mai mare cu ct
temperatura piesei este mai mare. Ca o regula generala, temperatura piesei
trebuie sa fie mai mica dect temperatura de revenire a materialului din care
este realizata piesa, dar apropiata acesteia. La temperaturi, de exemplu, sub
82
400 C, procesul de nitrurare este foarte lent si nu se foloseste dect n
cazuri speciale.
Compozitia gazului are un efect important n nitrurarea ionica. n mod
empiric s-a gasit ca un amestec de azot si hidrogen conduce la cele mai
bune rezultate pentru nitrurare. Daca hidrogenul este nlocuit cu argon sau
alt gaz nobil adncimea de patrundere a azotului n piesa si duritatea
stratului nitrural scad. Acest lucru s-ar putea explica prin rolul de curatire a
suprafetei pe care l are hidrogenul si anume, el are rolul de a decarbura
superficial otelul tratat, facilitnd n acest fel att difuzia azotului ct si
fixarea acestuia n locurile ramase libere.
O alta problema este cea a nitrurarii profilelor nguste. Se cunoaste
faptul ca grosimea spatiului ntunecat catodic depinde de presiune, de
natura gazului si de tensiunea pe descarcare. Deci, daca pe o piesa exista
doua planuri paralele foarte apropiale unul de celalalt, cele doua lumini
negative se apropie foarte mult, crendu-se astfel conditii pentru aparitia
efectului catodului dublu sau catodului cavitar. Local, densitatea de curent
va creste foarte mult, la aceeasi valoare a tensiunii aplicate pe descarcare.
Acest lucru determina o heterogenitate n temperatura piesei care se poate
concretiza prin atingerea unui regim de arc, daca temperatura locala este
suficienta pentru ca electronii sa fie emisi prin efect termoelectronic (nu
numai ca electroni secundari). Situatia poate fi remediata fie modificnd
presiunea totala n incinta, fie schimbnd compozitia amestecului gazos.
Introducerea azotului atomic n piesa metalica se presupune ca poate
avea loc prin doua procese importante: a) adsorbtia speciilor neutre si b)
bombardamentul ionic.
Mecanisme de nitrurare
83
a) Azotul atomic neutru poate rezulta direct din adsorbtia atomilor
produsi n faza gazoasa prin disocierea azotului molecular. Exista de
asemenea si o cale indirecta de producere a azotului atomic. De exemplu,
la nitrurarea fierului, atomii de fier pulverizati din catod reactioneaza n
regiunea caderii catodice cu azotul formnd nitrura FeN. O parte din acesti
compusi redifuzeaza spre catod unde pot fi adsorbiti. Azotul atomic se
produce n acest caz din FeN prin reactia:
unde reprezinta acei atomi de azot care difuzeaza n faza a fierului.
b) Bombardamentul ionic este de asemenea capabil sa produca azot
atomic prin procese directe si indirecte. n procesele directe ionii de azot
produsi n plasma sunt directionati spre catod de cmpul electric din
caderea catodica. Ionii se recombina pe suprafata producnd atomi de azot.
n procesele indirecte ionii moleculari, NH
+
, NH
2
+
, N
2
H
2
+
etc., sunt
accelerati spre catod, unde disociaza si se recombina producnd atomi de
azot.
Problema rolului bombardamentului ionic n raport cu adsorbtia nu
este pe deplin elucidata, dar este clar ca parametrii descarcarii (presiunea
partiala a gazului, temperatura plasmei, densitatea de curent anodic la
catod, etc.) au un efect important asupra proprietatilor stratului nitrurat.
Avantajele nitrurarii ionice, n comparatie cu metodele clasice de
nitrurare n bai de saruri sau n faza gazoasa, sunt urmatoarele: i) -
economia de energie rezultata din modul n care se realizeaza ncalzirea
piesei; ii) - suprafata piesei este foarte curata dupa tratare si nu necesita
rectificari; iii) scurtarea timpului de tratare; iv) toti parametrii fizici pot fi
controlati riguros, ceea ce are drept consecinta o buna reproductibilitate a
tratamentului si permite automatizarea lui, v) nu este o tehnica poluanta
deoarece nu necesita si nu produce substante toxice.
FeN + FeN ? Fe
2
N + N(a)
N(a) a
84
3. P PL LA AS SM MA A P PR RO OD DU US SA A C CU U A AJ JU UT TO OR RU UL L L LA AS SE ER RU UL LU UI I
F FO OT TO OI IO ON NI IZ ZA AR RE EA A
Plasma generata cu ajutorul laserului se obtine prin focalizarea unui
puls de putere ridicata, avnd intensitatea suficient de mare (10
10
W/cm
2
),
pe tinte din materiale solide, lichide sau gazoase. Cmpul electromagnetic
puternic din punctul de focalizare ionizeaza si ncalzeste materialul tintei in
starea de plasma confinata inertial, care va emite o larga varietate de
lungimi de unda (procesele fizice fundamentale vor fi discutate n cele ce
urmeaza). Din aceasta radiatie se poate selecta un domeniu de lungimi de
unda util n diverse aplicatii.
Ionizarea initiala a materialului tintei din plasma obtinuta cu ajutorul
laserului are loc prin procese de ce implica ionizarea directa a
materiei. Daca intensitatea radiatiei laser este suficient de mare, un atom
poate fi ionizat prin absorbtia mai multor fotoni, acest proces numindu-
. Pentru intensitati mai mari, devine dominanta
ionizarea de tip . n acest ultim proces, cmpul electric puternic al
laserului este n masura sa modifice energia potentiala atomica a
electronului, care i permite acestuia sa scape din atom prin tunelare.
Fenomenele de ionizare multifotonica si tunelare discutate n detaliu n
continuare.
Energia unui foton este data de urmatoarea relatie:
(3.1)
3 3. .1 1. .
foto-ionizare,
se
ionizare multifotonica
tunel
Ionizarea multifotonica
85
1
unde este constanta lui Plank; frecventa radiatiei, lungimea de unda a
radiatiei si viteza luminii. Pentru radiatia laser cu lungimea de unda
cuprinsa ntre 200 nm si 1000 nm, energia fotonilor este cuprinsa,
aproximativ, ntre 5 eV la 1 eV. Potentialul de ionizare, de exemplu, pentru
un atom de xenon este de 12,13 eV si prin urmare ionizarea nu se poate
produce doar cu un singur foton. Aceasta are loc prin absorbtia simultana a
mai multor fotoni atunci cnd se utilizeaza radiatii cu intensitate mare [Wm
-2
]
sau a fluxurilor de fotoni [fotoni s
-1
m
-2
]. Acest fenomen este cunoscut sub
numele de ionizare multifotonica (MFI).
n procesul de MFI, un atom poate absorbi un foton pentru a trece
ntr-o stare excitata virtuala. Timpul de viata al acestei stari este limitat de
principiul de incertitudine al lui Heisenberg,
(3.2)
Pentru radiatii a caror energie a fotonilor este de ctiva eV, este de
obicei, de ordinul 10
-15
s. n cazul n care atom excitat este capabil de a
absorbi un al doilea foton n acest interval de timp, acesta poate trece ntr-o
urmatoare stare virtuala de energie mai mare si cu un timp de viata .
Fenomenul poate continua si pentru un al treilea foton si asa mai departe.
Prin absorbtie succesiva de fotoni, energia starii metastabile creste, iar
timpii de viata scad, ajungndu-se n cele din urma la starea de ionizare.
Procesul de MFI este reprezentat schematic n figura 3.1 a.
h ? ?
c
t
t

86
Figura 3.1: Procesele de fotoionizare. Reprezentarea energiei potentiala atomica functie de
distanta, fata de nucleu, pentru un electron aflat n stare legata: a) Ionizarea
multifotonica: ionizarea are loc prin absorbtia mai multor de fotoni. b) Tunelare: cmpul
electric al radiatiei laser este suficient de puternic pentru a reduce energia potentiala:
ionizarea are loc prin tunelarea prin (sau chiar peste), bariera de energie.
,
Stare legata
r,
k k
MPI
I ' A AF
F E I
foton
foton
E Ei
i
E A
A
Probabilitatea de ionizare pentru un atom, raportata la unitatea de
timp (frecventa de ionizare) prin MFI poate fi exprimata prin urmatoarea
relatie:
(3.3)
unde si reprezinta fluxul de fotoni respectiv intensitatea radiatiei, ce sunt
legate prin relatia . este primul numar ntreg mai mare dect
raportul , n care reprezinta energia de ionizare. Coeficientii si
depind de speciile atomice, lungimea de unda de radiatiei si polarizarea
radiatiei laser. n forma sa cea mai simpla si idealizata, acesti coeficienti pot
fi exprimati astfel:
(3.4a)
si
= =
=
F I
k
87
1
(3.4b)
unde: reprezinta sectiunea eficace de absorbtie a fotonilor n starea
virtuala. Dependenta frecventei de ionizare multifotonica de fluxul de
foton , dupa cum indica ecuatia (3.3), poate fi nteleasa intuitiv prin faptul
ca la cresterea lui cu un factor de 2 de exemplu, probabilitatea de
absorbtie a fiecarui foton raportata la unitatea de timp creste de asemenea
cu un factor de 2. Probabilitatea totala de absorbtie a fotoni pe unitatea de
timp, prin urmare frecventa ionizare, creste cu un factor 2
k
. De unde reiese
foarte clar ca rata de ionizare este puternic dependenta de intensitatea
radiatiei. La cresterea lungimii de unda a radiatiei (energia fotonilor mai
mica), valoarea lui va creste si dependenta va fi mai puternica. n plus,
pentru atomii cu energie de ionizare mai mica si/sau radiatiile cu lungime de
unda mai scurta, sunt necesare valori mai mici pentru termenul . Acest
lucru conduce la valori mai mari ale frecventelor de ionizare pentru aceiasi
intensitate a radiatiei. n tabelul 3.1 sunt prezentate valorile orientative ale
timpului de ionizare multifotonica, , pentru argon, la lungimi de unda si
intensitati ale radiatiei laser diferite. Timpul de ionizare este dat de inversul
frecventei de ionizare: . n cele din urma, trebuie precizat ca,
daca un nivel de energie atomica este n rezonanta cu energia fotonilor,
astfel nct un foton este absorbit ntr-o stare excitata permisa n loc de o
stare metastabila, frecventa de ionizare multifotonica este puternic
consolidata.
MPI
MPI
MPI
MPI MPI

F
F
k
k
k

=
88
Tabelul 3.1: Valorile teoretice ale timpul de ionizare multifotonica ale argonului pentru
lungimi de unda si intensitati ale radiatiei diferite. Dependenta de intensitate este n
acord cu ecuatia (3.3).
) sin(
0
2
0

I
t E E E
3 3. .2 2. . T TU UN NE EL LA AR RE EA A
La cresterea intensitatii radiatiilor laser, se va observa o crestere a
ratei de ionizare ce va avea loc dominant prin efect de tunelare. n aceasta
situatie, datorita cmpului electric al radiatiei laser, are loc modificarea
semnificativa a starilor energetice ale atomilor. Aceasta modificare a
energiei, cunoscuta sub denumirea de deplasare Stark, are valoarea cea
mai mare pentru starile legate. Schimbarea starilor Rydberg si a celor
continue ale atomului egaleaza aproximativ energia electromotoare n
cmpul electric al radiatiei, data de
(3.5)
adica energia cinetica medie pe ciclu a unui electron liber oscilant n cmpul
electric al radiatiei laser. si reprezinta masa electronului si respectiv
sarcina electrica, reprezinta amplitudinea oscilatiilor cmpului electric,
cu reprezentnd pulsatia radiatiei laser. Termenul
depinde de intensitatea radiatiei prin teorema lui Poynting:
(3.6)
m
e
e
E
0
I
= =
89
0
unde este permitivitatea electrica a vidului, iar este indicile de refractie.
Prin cresterea intensitatii, energia electromotoare aproximeaza potentialul
de ionizare al atomului astfel nct,
(3.7)
Cmpului electric, devine apoi suficient de puternic pentru a modifica
energia potentiala atomica si se creeaza o bariera de potential prin care
electronul poate tunela (sau chiar trece peste). Procesul de tunelare este
prezentat schematic n Figura 3.1b. Trebuie retinut ca ecuatia (3.7) este
teorema clasica de virial, care prevede ca pentru a elibera electroni trebuie
sa fie adaugata o energie cinetica egala cu jumatate din energie. Utiliznd
ecuatiile scrise mai sus pentru = 10 eV si = 248 nm, trebuie sa fie de
ordinul 10
15
Wcm
-2
pentru ca fenomenul de tunelare sa devina semnificativ.
Se poate observa ca la cresterea energiei electromotoare are loc o scadere
a intensitatii, pentru lungimi de unda mai mari. Estimnd sarcina electrica
care poate fi obtinuta ca urmare a ionizarii prin tunelare, se poate defini o
intensitate de prag necesara pentru a depasi bariera de potential,
presupunnd ca nu are loc nici o ionizare pna cnd bariera de potential nu
este depasita:
(3.8)
reprezinta potentialul de ionizare de la -1 la , exprimat n
electronvolti.

n
E
i
E
i
I
Z
Z Z
90
3 3. .3 3. . C CU UP PL LA AJ JU UL L L LA AS SE ER R- -P PL LA AS SM MA A
Electronii generati prin procesele de fotoionizare descrise mai sus,
cstiga energie cinetica din oscilatiile n cmpului electric al laserului.
Ciocnirile inelastice dintre acesti electroni cu atomii sau ionii duc la o
ionizare n cascada. Coliziunile elastice cu ionii duc la conversia energie
cinetice a electronilor n energie termica a plasmei. Acest proces de
ncalzire a plasmei de catre radiatii (laser) este cunoscut sub numele de
Bremsstrahlung invers. Preluarea energiei de la cmpul electromagnetic al
radiatiei laser de catre plasma va fi discuta n detaliu n cele ce urmeaza.
Deoarece ionii au o masa mult mai mare dect electronii,
interactiunea dintre cmpul electromagnetic cu ionii poate fi neglijata,
considernd doar interactiunea cu electronii. Ecuatia de miscare a
electronilor n cmp electromagnetic este:
(3.9)
unde este viteza electronului, frecventa de ciocnire a electronilor cu
particulele grele prin care are loc transferul de impuls, iar este
intensitatea cmpului electric al laserului. Ecuatia (3.9) este echivalenta cu
variatia n timp a impulsului electronilor (termenul din partea stnga) prin
actiunea fortei electrice si a fortei de rezistenta ce apare ca urmare a
coliziunilor cu particule grele (primul termen, respectiv, al doilea termen din
partea dreapta). Deoarece cmpul electric este exprimat printr-o
exponentiala armonica si, prin urmare, viteza electronilor are aceeasi forma,
ecuatia (3.9) poate fi scrisa:
(3.10)
Densitatea de curent datorata miscarii electronilor este:
e
v
eh
E
r
r

91
0
0
)) exp( Re( ) (
0
)) exp( Re( ) (
0 0 0
(3.11)
Unde reprezinta conductivitatea electrica. Combinnd cele doua ecuatii
(3.10) si (3.11) se obtine:
(3.12)
Componentele reale si imaginare ale acestei conductivitati electrice
complexe sunt:
(3.13a)
Respectiv:
(3.13b)
Ecuatiile lui Maxwell pentru cmpul electric , si cmpul magnetic sunt:
(3.14)
unde: este densitatea de sarcina electrica; - permitivitatea electrica a
vidului; - permeabilitatea magnetica a vidului.
Utiliznd relatiile algebrice complexe pentru si ,
, respectiv , cu si
amplitudinile cmpurilor, si forma armonica a densitatii de sarcina:
ecuatiile lui Maxwell pot fi scrise:
(3.15)
Se poate introduce permitivitatea relativa (a plasmei) :

E H
q
E H
t i E t E t i H t H E H
q q
i dt d
p
r r
r r r r r r
= =
=
92
0 0
1
) 2 1 ) Re( 2 1 ( Re
2
(3.16)
Pe baza relatiei (3.12) permitivitatea relativa poate fi scrisa astfel:
(3.17)
n aceasta relatie termenul reprezinta frecventa electronilor plasmei.
(3.18)
Se poate scrie :
(3.19)
Cunoscnd viteza luminii n vid si viteza de propagare a luminii
ntr-un mediu cu indice de refractie egala cu poate scrie indicele de
refractie real:
(3.20)
n aceasta ultima relatie s-a utilizat egalitatea: si
ecuatia (3.17).
Conform relatiei (3.12), n absenta coliziunii dintre electroni si
particulele grele, termenul =0, conductivitatea este un numar pur
imaginar si conform relatiei (3.16) permitivitatea este un numar real. Plasma
se comporta ca un mediu fara pierderi, miscarea electronilor fiind o oscilatie
ordonata cu o diferenta de faza fata de cmpul electric. n acest caz, nu
exista nici un transfer de energie de la laser la plasma, iar cmpul nu este
amortizat. Cu toate acestea, n prezenta coliziunilor, ? 0, conductivitatea
si permitivitatea relativa nu mai sunt termeni de natura imaginara, respectiv,
pe
c
z z z
eh
eh

=
+ =
n, c/n se
93
) Re(
reala. Oscilatia ordonata a electronilor fata de cmpul este distrusa ca
urmare a coliziunilor cu particule grele. Energia va trece de la cmpul
electromagnetic al laserului la electroni si de la electroni la restul plasmei.
Puterea medie disipata pe unitatea de volum ntr-un interval de timp n
plasma este:
(3.21)
n care este dat de formula matematica (3.13). Termenii ( ) si ( )
sunt reali, iar este complex conform ecuatiei (3.12). Puterea disipata
poate fi folosita pentru ionizare n cazul coliziunilor inelastice ntre electroni
si atomi sau ioni, genernd un efect de cascada sau avalansa de ionizare.
Ciocnirile elastice ce au loc ntre electroni si ioni duc la disiparea unei puteri
ce duce la ncalzirea plasmei, contribuind la miscarea termica a ionilor si
electronilor. Desi ciocnirile elastice si inelastice au loc, n general, n acelasi
timp, efectul dat de ambele tipuri de coliziuni vor fi discutate separat. n
subsectiunea 3.3.1 se prezinta ionizarea n cascada, care este deosebit de
important n faza initiala a plasmei, iar n subsectiunea 3.3.2 se discuta
despre ncalzirea prin Bremsstrahlung invers.
Vom lua n considerare numai ionizarea colizionala a atomilor. Acesta
are loc cnd plasma este nca slab ionizata. Puterea disipate n plasma
este data de ecuatia (3.21), caz n care , unde este frecventa de
coliziune pentru transferul impulsului electron-atom:
(3.22)

E t J t
P
ci
3 3. .3 3. .1 1. . I Io on ni iz za ar re ea a n n c ca as sc ca ad da a
ea eh ea
=
94
0
^ ^
n cazul n care puterea disipata este folosita n ntregime pentru
ionizare, are loc urmatorul echilibru energetic:
(3.23)
Cu reprezentnd densitatea ionica si potentialul de ionizare. Termenul
din stnga ecuatiei reprezinta densitatea de putere implicata n producerea
de ioni. Daca se considera o singura ionizare, atunci: si
. Tinnd cont de aceste relatii si de ecuatiile (3.22) si (3.23) se
obtine dependenta de timp a densitatii de electroni si ioni:
(3.24)
unde reprezinta densitatea de electroni si ioni la momentul initial.
Termenii
0
se masoara n V/m, iar n Joule. Exponentul din ecuatia
(3.24) reflecta caracterul de avalansa sau cascada a procesului de ionizare.
Frecventa de coliziune este data de:
(3.25a)
(3.25b)
unde: si sunt termeni ce depind de speciile atomice, densitatea
speciilor neutre, temperatura electronilor n electronvolti; , si
constanta lui Boltzmann, iar temperatura n Kelvin. De exemplu, pentru
argon = 3,5 m
-3
eVs si = 310
12
m
-3
s, densitatea initiala a gazului,
este de ordinul 10
25
m
-3
, deci pentru argon este 10
11
-10
12
s
-1
. Pentru o
lungime de unda din domeniul 200-1000 nm, este de ordinul 10
15
s
-1
.
Pentru cazul studiat , aceasta implica reducerea termenului
i
n
i
E
e i
n n
dt dn dt dn
i e
n
ea
e T e T k T
e B
e
B
k
e
T
ea
ea
=
=
=

E E
i
C
ea
K
ea
n
a

C
ea
K
ea
n
a

95
) (
2 2 2
) exp( ) (
,
) (

+
=
( ) +
ea ea ea ea
a e
n t t n
z
IB
IA
A dI I Adz P
IB
la . Pentru variatia liniara a termenului cu factorul
exponential este si el liniar cu Densitatea de electroni la un anumit timp
depinde de asemenea exponential de densitatea de atomi neutri, astfel:
Trebuie subliniat ca atunci cnd are loc ionizarea,
scade si creste. Ionizare starilor ncarcate va avea loc cu singura
diferenta ca sunt implicate ciocnirile inelastice electron-ion.
Considernd o plasma complet ionizata, ciocnirile elastice dintre
electroni si ioni duc la o disiparea unei puteri data de formula (3.21), ce
ncalzeste plasma. Acest proces poarta numele de Bremsstrahlung invers
(IB), deoarece este procesul invers emisiei radiatiei Bremsstrahlung.
Intensitatea radiatiei laser absorbita de plasma prin procesul IB scade
dupa urmatoarea lege:
(3.26a)
(3.26b)
unde este directia de propagare a radiatiei, este intensitatea initiala (la
=0) si este coeficientul de absorbtie pentru Bremsstrahlung invers
(ca functie de z). Acest coeficient de absorbtie poate fi dedus din ecuatia
conservarii energiei n procesul de interactiune a radiatiei laser cu un volum
cilindric de plasma, de lungime infinitezimal de mica dz si arie , figura 3.2.
Puterea radiatiei incidente este egala cu puterea radiatiei la iesire
la care se adauga puterea disipata n volum :
(3.27)
n
a
,
n
a.
t=t
. n
a
n
i
I,
z I
0
z
A
3 3. .3 3. .2 2. . P Pr ro oc ce es su ul l B Br re em ms ss st tr ra ah hl lu un ng g i in nv ve er rs s
96
Figura 3.2. Absorbtia radiatiei laser prin Bremstrahlung invers ntr-un volum de
plasma. Puterea radiatiei incidente este egala cu puterea radiatiei la iesire la
care se adauga puterea disipata n volum . Din aceasta formula se poate deduce
coeficientul de absorbtie pentru IB.
1 ) ( 1 n
2
~
r
dz A
IA A dI I
Adz P
IB
IB
P
ei eh ei
pe
pe ei
c e pe
n n
c
n
pe

( ) +
=

= =
=
Puterea disipata pe unitate de volum este descrisa de ecuatia (3.21),
unde n acest caz , reprezentnd frecventa de ciocnire pentru
transferul de impuls dintre electron-ion:
(3.28)
Din ecuatiile (3.26a) si (3.28) se obtine:
(3.29)
n care s-a utilizat ecuatia (3.6) pentru a exprima intensitatea radiatiei
functie de amplitudinea cmpului electric. Frecventa electronilor din plasma
si indicele de refractie real sunt redate n ecuatiile (3.18) si respectiv
(3.19). Respectnd conditiile si relatiile matematice (3.19) si
(3.20) dau , unde este densitatea critica (la
care n ecuatia (3.18)) avnd urmatoarea expresie:
(3.30a)
(3.30b)

97
2
~
r
n
ln
Termenul poate fi neglijat tinnd cont de numitorul celui de-al doilea
termen din partea dreapta a ecuatiei (3.29). Substituind , si n
ecuatia (3.29), coeficientul de absorbtie pentru Bremsstrahlung invers poate
fi scris astfel:
(3.31)
Unde este sarcina medie a ionilor si logaritmul Coulomb.
(3.32)
(3.33)
Pentru radiatia laser cu o lungime de unda cuprinsa n domeniul 200-1000
nm, este ~ 310
28
pna la 10
27
m
-3
. n aceste conditii, va avea valori
apropiate de cele ale densitatii critice . Coeficientul de absorbtie pentru
Bremsstrahlung invers este atunci proportional cu patratul densitatii de
electroni (neglijnd dependenta lui de logaritmul Coulomb). Daca
densitatea de electroni are valori apropiate cu ale densitatii critice, absorbtia
creste puternic. n limita sau are loc transferul rezonant de
energie catre plasma. Acest proces ce se refera la absorbtia la rezonanta
este de asemenea descris de termenul excitare a undelor din plasma.
Pentru valori ale apropiate de cele ale densitatii critice, radiatia laser este
complet reflectata.
ei
ei ei
Z
c
n
e
n
c
n
e
n
c e
n n
pe
e
n

98
^
3 3. .4 4. . E EX XP PA AN NS SI IU UN NE EA A P PL LA AS SM ME EI I
Dupa ce plasma este generata, aceasta se va extinde n tot spatiul
nconjurator presupus n continuare a fi vid. O prima exprimare vitezei de
expansiune a plasmei poate fi descrisa de viteza acustica a ionilor:
(3.34)
unde reprezinta masa ionilor, cu masa atomica si masa
protonului. este viteza maxima pentru care poate sa apara difuzia
ambipolara a plasmei.
n acest proces electronii relativ mobili difuzeaza din plasma mai rapid
dect ionii care sunt considerati relativ imobili. Prin urmare, este creat un
cmp electric care ncetineste electronii si accelereaza ioni spre exterior.
Deci, difuzia are loc cu viteza (prin urmare, temperatura) electronilor si
inertia (deci masa) ionilor, cum se poate observa n ecuatia (3.34). Pentru
densitati =10
26
m
-3
si =10
25
m
-3
si temperaturi de ordinul 10 eV,
presiunea n plasma este de ordinul 10
8
Pa.:
(3.35)
Acest lucru face ca plasma mai degraba sa explodeze n vidul
nconjurator. Energia termica este apoi transformata n energie cinetica. Cu
estimarea vitezei acustice a ionilor, viteza de expansiune a plasmei cu
xenon ce are
i
= 131, = 10 si de ordinul a 10 eV este aproximata ca
fiind 10
4
m/s. n realitate, vitezele de expansiune datorate presiunii sunt mai
mari dect viteza estimata , deoarece expansiunea plasmei generate cu
ajutorul radiatiei laser duce la o scadere rapida a densitatii de electroni (si
ioni), ce determina o absorbtie mai mica prin inversie Bremsstrahlung.
Uneori, dupa generarea plasmei, o parte considerabila a radiatiei laser va fi
p i i
m A M
i
A
p
m
S
c
e
n
i
n
e T
s
c

A Z
99
transmisa, n special n cazul n care se utilizeaza tinte gazoase (densitatea
initiala relativ mica).
n general, radiatia emisa de catre plasma poate fi divizata n cea
continua si cea de linii. Radiatia continua include cea de Bremsstrahlung
(radiatie de frnare) si cea de recombinare, ambele implicnd interactiunea
dintre un electron liber si un ion. Radiatia de linii este generata de tranzitia
unui electron ntre doua nivele energetice ale unui atom sau ion. Populatiile
diferitelor stari energetice se calculeaza n cadrul unui model colizional
radiativ. Elementele mai grele prezinta o radiatie cvasi-continua, data de
multe linii foarte apropiate. Daca plasma este groasa optic apare radiatia de
corp negru. Vom discuta n continuare diferite procese radiative.
Procesul de Bremsstrahlung apare atunci cnd un electron ciocneste
elastic un atom (sau ion), iar din devierea sa rezulta radiatie. De exemplu,
pentru un ion de Xe
Z+
ecuatia procesului se scrie
Radiatia de recombinare apare atunci cnd un ion cu sarcina binare
apare atunci cnd un ion cu sarcina
+
se recombina ntr-o stare excitata
sau una fundamentala, rezultnd un ion cu sarcina (
+
. Aceasta este
asociata cu tranzitia unui electron dintr-o stare libera n una legata. Asadar
aceasta radiatie poate fi denumita liber-legat. Ecuatia generala a procesului
este:
3 3. .5 5. . E EM MI IS SI IA A D DE E R RA AD DI IA AT TI IE E D DE E C CA AT TR RE E P PL LA AS SM ME EL LE E O OB BT TI IN NU UT TE E C CU U
A AJ JU UT TO OR RU UL L L LA AS SE ER RU UL LU UI I
Radiatia continua
Z
Z-1)
100
2
] / [
4
~
) (
0
781 . 1 ) exp( 577 . 0
unde indica o stare excitata. Energia fotonului are o valoare minima egala
cu energia de ionizare a ionului rezultat n stare excitata. Aceasta conduce
la o structura pieptene a spectrului. Densitatea spectrala de radiatie ntr-un
unghi solid de sr este data de expresia
(3.36)
unde sumarea are loc pe starea de ionizare luata n calcul cu densitatea
corespunzatoare de ioni ( ), iar este indicele de refractie relativ.
Marimea este factorul Gaunt pentru Bremsstrahlung, dat de
pentru
(3.37a)
pentru (3.37b)
cu functia Bessel modificata, iar cu
constanta Euler. este factorul Gaunt pentru recombinarea radiativa si
este dat de
(3.38)
unde sumarea a fost facuta pe toate starile excitate cu numarul cuantic
principal ale starii de ionizare . este energia de ionizare din
starea -1 n , degenerarea nivelului excitat , iar energia lui
potentiala n raport cu nivelul fundamental al ionului cu sarcina -1. Trebuie
precizat ca a fost considerata o distributie de tip Maxwell a electronilor dupa
energie, care conduce la factorul exponential din relatia (3.38).
p
Z,
n
i
Z
G
ff
p Z-1 E
i,Z-1
Z Z g
p
p E
p
Z

=
m W
r
n
x K
e g e
fb
G

101
) , (
Dependenta densitatii de radiatie Bremsstrahlung si de recombinare
de produsul poate fi usor nteleasa deoarece ambele procese
radiative implica ciocniri electron-ion.
Radiatia de linii apare datorita tranzitiilor electronice ntre doua nivele
energetice discrete ale ionului sau atomului,
cu si cele doua stari. Densitatea spectrala de radiatie este
(3.39)
unde este densitatea pe nivelul , iar diferenta de energie dintre cele
doua nivele. Marimea este probabilitatea de tranzitie, data de
(3.40)
unde este taria oscilatorului. Liniile spectrale sunt largite prin diferite
mecanisme.
Sa notam n final ca pe lnga emisia de radiatie, n plasma are loc si
absorbtia acesteia. Functie de cantitatea absorbita, plasma poate fi optic
groasa sau optic subtire. Pentru plasmele optic groase,
unde este raza plasmei, iar coeficientul spectral de absorbtie. n
cazul echilibrului termodinamic plasma se comporta ca un emitator tip corp
negru, pentru care este valabila legea de distributie a lui Planck.
n
i
n
e
Z
2
Radiatia de linii
p q
n
p
p
R
pq
E
pq
A
pq
f
r k

102
Figura 4.1: Schema de principiu a
sincrotronului
4. S SU UR RS SE E D DE E R RA AD DI IA AT TI II I X X B BA AZ ZA AT TE E P PE E P PL LA AS SM MA A
P PR RO OD DU US SA A C CU U A AJ JU UT TO OR RU UL L L LA AS SE ER RU UL LU UI I
n ultimii ani, pe plan mondial, exista un larg interes pentru sursele de
radiatii X-moi. Aceasta parte a spectrului electromagnetic, cu lungimi de
unda de ordinul nanometrilor, are aplicatii n litografie, microscopie,
radiobiologie, etc. Una dintre sursele de radiatii X-moi disponibile n prezent,
avnd puteri ridicate, este sincrotronul, avnd la baza un tub de forma
inelara n care se propaga electroni accelerati Figura 4.1. Schimbarea
magnetica a directiei de miscare determina emisia radiatiei de frnare.
Totusi, datorita dimensiunilor foarte mari ale acestor facilitati (pana la cteva
zeci de metri n diametru) si mai mult, datorita costurilor de ntretinere
ridicate, nu reprezinta surse practice pentru radiatii. Exista nsa surse de
dimensiunea laboratorului care pot concura si chiar ntrece specificatiile
sincrotronului n ceea ce priveste puterea si stralucirea, astfel nct sunt
considerate ca alternative. Majoritatea sunt plasme de descarcare sau
generate cu ajutorul laserului, avnd densitati si temperaturi ridicate.
Asa cum a fost mentionat anterior, una dintre aplicatiile radiatiei X-moi
este n litografia optica. Litografia (Figura 4.2) este un proces crucial n
103
1
Figura 4.2: Procesul de fotolitografiere
producerea circuitelor integrate: un pattern de pe o masca (denumita si
reticul), continnd copia mama a unui circuit, este proiectat folosind o
sursa de radiatie pe o structura de siliciu acoperita cu fotorezist polimeric,
cu o demagnificare de cca. 4 ori. ndepartnd stratul polimeric, circuitul
integrat poate fi apoi construit prin procese chimice, depuneri si difuzie sau
implantare a dopantilor, pentru a genera tranzistori sau interconexiuni. Acest
ntreg proces poate fi repetat de cteva ori pentru a obtine o structura
tridimensionala a circuitului integrat. Una din cele mai importante
caracteristici ale dispozitivelor litografice este rezolutia, reprezentnd cea
mai mica dimensiune caracteristica a unei trasaturi de pe circuitul integrat.
Crescnd rezolutia, viteza procesoarelor si dimensiunile cipurilor de
memorie pot fi mbunatatite, micsornd astfel aceste dimensiuni
caracteristice.
Rezolutia este data de , unde este o constanta de
ordinul unitatii, lungimea de unda a sursei de radiatie, iar apertura
numerica a opticii de proiectie a dispozitivului litografic. Rezulta de aici ca
R k
1
NA
NA k R

=
104
rezolutia poate fi mbunatatita prin scaderea lungimii de unda, sau cresterea
aperturii numerice (cu efect negativ asupra adncimii de focalizare).
Litografia n ultraviolet ndepartat folosita n prezent este capabila de
producerea circuitelor integrate cu dimensiuni caracteristice de ordinul 130
nm folosind radiatia laser cu lungimea de unda de 248 nm sau 193 nm
(laseri cu excimeri KrF, respectiv ArF). Recent, a fost demonstrata
posibilitatea scaderii la o dimensiune caracteristica de 70 nm folosind
radiatia de 157 nm a laserului cu F
2
. Dezavantajul folosirii lungimilor de
unda mai mici consta n cresterea absorbtiei n sistemele optice. n
consecinta, este necesara folosirea oglinzilor multistrat formate din mai
multe straturi succesive de material transparent si reflectant. Alegnd
convenabil grosimea straturilor transparente, este posibila satisfacerea
conditiei Bragg, de interferenta constructiva ntre radiatia reflectata de
diferite straturi. Oglinzile multistrat preferate sunt cele Mo/Si, prezentnd un
maxim de reflectivitate de 70% pentru lungimea de unda de 13.5 nm [5,6], si
o banda spectrala cu largimea de 2%. Mai mult, lungimea de unda la care
apare maximul reflectivitatii poate fi ajustata doar intr-un domeniu limitat. n
consecinta, lungimea de unda a surselor de radiatie este impusa de
sistemul optic si este situata n intervalul 10-15 nm, cunoscut ca domeniul
Ultraviolet Extrem (EUV).
n prezent, sunt luate n considerare cteva tipuri de plasme ca surse
pentru litografia n domeniul ultraviolet extrem. De exemplu, diferite tipuri de
plasma de descarcare si plasmele produse cu ajutorul laserului. Plasmele
laser sunt generate prin focalizarea radiatiei unui fascicul laser de putere
4 4. .1 1. . P PL LA AS SM ME EL LE E P PR RO OD DU US SE E C CU U A AJ JU UT TO OR RU UL L L LA AS SE ER RU UL LU UI I C CA A
S SU UR RS SE E N N E EU UV V
105
Figura 4.3 : Spectrul EUV al plasmei de xenon obtinuta
prin iradiere cu diferite armonici ale laserului Nd:YAG
mare la o intensitate suficient de ridicata (10
10
W/cm
2
). Cmpul
electromagnetic puternic al radiatiei laser ionizeaza si ncalzeste materialul
tintei (solid, lichid sau gazos) care va radia intr-un domeniu larg de lungimi
de unda. Din aceasta radiatie este selectat un anumit domeniu spectral
pentru aplicatii n litografie.
Materialele solide ofera o eficien?a ridicata a conversiei radiatiei laser
n radiatia de interes. Totusi exista doua mari dezavantaje. Mai nti,
materialul evaporat de pe tinta va condensa partial pe optica de colectare a
radiatiei, ionii cu energii ridicate pot evapora materialul oglinzii multistrat,
sau chiar pot fi implantati n acesta pe adncimi de ordinul nanometrilor.
Aceste procese afecteaza timpul de viata si performantele ale opticii de
colectare. n prezent, exista cercetari privind dispozitive de reducere a
contaminarii, insa efectul colateral negativ al acestora este reducerea
unghiului solid de colectare a radiatiei. Un al doilea dezavantaj consta n
necesitatea nlocuirii materialului tintei, deoarece partea din dispozitiv unde
este produsa plasma trebuie sa fie n vid.
Pentru a evita aceste probleme, n cercetarile prezente sunt folosite
tinte gazoase, dar si lichide sub forma de picaturi sau jet. Tintele gazoase
pot fi produse prin
expansiunea sonica sau
supersonica a unui gaz printr-
un injector. Se prefera
folosirea gazelor nobile (heliu,
kripton, argon, xenon)
deoarece se minimalizeaza
contaminarea opticii multistrat
(ramne doar problema ionilor
rapizi). Xenonul este un
106
Figura 4.4: Spectrul plasmei laser cu tinte din Litiu [14]
material des investigat, avnd un spectru largit n regiunea 11-13.5 nm
(Figura 4.3) produs de liniile satelit ale ionilor Xe
+9
, Xe
+10
, Xe
+11
.
Cercetari recente arata ca un alt candidat promitator, din punctul de
vedere al eficientei conversiei radiatiei laser n radiatie EUV, este plasma
produsa cu laser ce foloseste ca tinta fie litiu metalic, fie tinte lichide hibride
pe baza de litiu. Principalele avantaje sunt: a) emisia puternica la 13.5 nm
prin tranzitia 1s-2p n ionul Li III (Figura 4.4); b) prin folosirea intensitatilor
coborte ale fasciculului laser (suficiente pentru obtinerea ionului Li
+2
) sunt
produsi ioni cu energii mici, fapt care extinde timpul de viata al opticii de
colectare; c) structura atomica simpla faciliteaza eforturile de optimizare a
parametrilor plasmei.
Pentru analiza procesului de expansiune al plasmei produse prin
ablatia laser, ne vom plasa n cadrul modelului hidrodinamic. Plasma are
simetrie axiala si este rezolvata intr-un sistem de coordonate cilindrice, n
regiunea de deasupra suprafetei tintei. Axa coincide cu axa fasciculului
laser si este orientata normal pe suprafata tintei.
Vom descrie evolutia plasmei n urmatoarele ipoteze: i) plasma este
n echilibru termodinamic local si este satisfacuta conditia de
cvasineutralitate; ii) expansiunea este descrisa n aproximatia gazului
4 4. .2 2. . S ST TU UD DI II I N NU UM ME ER RI IC CE E A AL LE E P PR RO OC CE ES SU UL LU UI I D DE E E EX XP PA AN NS SI IU UN NE E A A
P PL LA AS SM ME EI I P PR RO OD DU US SE E C CU U A AJ JU UT TO OR RU UL L L LA AS SE ER RU UL LU UI I
Oz
107
1 1
1
1
0
1
2
2
0
0 0
0
0
2
2
2
2
2
2
2
0 0
8 . 11
nevscos si fara conductivitate termica; iii) pierderea de energie prin radiatie
termica este neglijata, iar ecuatia termica de stare este cea
corespunzatoare gazului ideal. n aceste conditii, dinamica plasmei este
descrisa de ecuatiile hidrodinamice, suplimentate cu ecuatia de bilant a
energiei,
(4.1a-d)
unde este concentratia de atomi (neutri si ioni), ( ) componentele
vitezei, presiunea, iar energia interna specifica.
Sa aplicam aceste consideratii pentru simularea procesului de
expansiune a plasmei produse prin ablatia laser. Consideram urmatoarele
conditii initiale si pe frontiere:
i) Domeniul de integrare de tip cutie este initial ocupat de gaz neperturbat,
(4.2a-e)
unde este temperatura, iar dimensiunile domeniului.
ii) Ca o aproximatie, interactiunea fascicului laser cu tinta produce o sursa
de plasma localizata pe suprafata tintei, avnd un profil spatio-temporal
Gaussian
(4.3a-d)
unde , sunt considerate similare largimilor spatio-temporale ale pulsului
laser, iar temperatura initiala a plasmei (obtinuta uzual n

=
= = = =

=
= = = =
=
z
v
r
) ru (
r
p ) nve (
z
) rnue (
r r t
) ne (
z
p
) nv (
z
) rnuv (
r r t
) nv (
r
p
) nuv (
z
) rnu (
r r t
) nu (
) nv (
z
) rnu (
r r t
n
) L L ( ) z r ( T T
, n n , v u : t
z r
,
) / d (
) / L r (
exp
) / (
) t (
exp n n
, T T , v u : z
L
r
L
max
plasma
eV T
plasma
n u,v
p e
T L
r
si L
z
d
L L
108
3
0 0
0 0 0
0 0
0
experiment). Densitatea atomica maxima este considerata n acord cu
densitatea critica de electroni ( = 3.910
21
cm
-3
) pentru o lungime de unda
laser (? = 532 nm) si starea medie de sarcina ;
iii) Conditia de simetrie,
(4.4a-e)
iar gazul este considerat neperturbat pe frontiera superioara
(4.5a-d)
Sistemul de ecuatii (4.1a-d) cu conditiile la limita (4.2)-(4.5) este
rezolvat numeric prin metoda diferentelor finite folosind urmatorii parametri:
= =300 m, =10 ns, =100 m, =1.310
21
cm
-3
, = /1000,
=0.1 eV.
In Figurile 4.5a-d) sunt prezentate curbele de contur ale densitatii
totale atomice, la momentele de timp (a) =10 ns ( maximul energiei
pulsului laser, (b) =13 ns, (c) =16 ns, (d) =19 ns, asa cum sunt obtinute
numeric. Rezulta urmatoarele concluzii : i) plasma este divizata n doua sub-
structuri, n bun acord cu comportamentul observat experimental; ii)
considernd ca radiatia vizibila este proportionala cu densitatea plasmei,
rezulta un bun acord cu imaginile nregistrate experimental la diferite stadii
de evolutie.

n
e c
L
r
L
z L
d
L
n
max
n
0
n
max
T
0
t i.e.
t t t
=
= =
= = =
= = = = =

Z
) L ( T ) ( T ), L ( n ) ( n
), L ( v ) ( v ), L ( u ) ( u : L , r
r r
r r r
T T , n n , v u : L z
z

109
Figura 4.5: Densitatea atomica (neutri+ioni) n diferite stagii de evolutie a plasmei obtinute
prin ablatia laser
) / exp(
0
) ( /
2 2
0
0 0 ,
/ 2
a) = 10
-8
s b) =1.3 10
-8
s c) =1.6 10
-8
s
(m)
10
18
cm
-3
10
21
cm
-3
(m)
d) =1.9 10
-8
s
Distributia energetica a ionilor plasmei n expansiune constituie un
important n configurarea mecanismelor de reducere a efectului negativ al
acestora asupra opticii de colectare. n modelul fundamental, se presupune
ca la momentul initial 0 plasma ocupa jumatate din spatiu, <0. Initial ionii
sunt reci si n repaus, avnd densitatea = pentru <0 si =0 pentru >0.
Pe de alta parte, densitatea electronica are o distributie continua, de tip
Boltzmann,
. (4.6)
unde este potentialul electrostatic ce satisface ecuatia Poisson,
(4.7)
La =0, expresia cmpului electric se obtine prin integrare intre 0 si 8,
t= x
n
i
n
i0
x n
i
x
x
e B e e
T k e n n
i e
n n e x
E e E
front
t t t
z
r
t
=

=
=

110
unde .
Pentru >0 se presupune ca electronii ramn n echilibru cu
potentialul, astfel nct relatiile (4.6) si (4.7) ramn valabile, n timp ce
expansiunea ionilor n spatiu este descrisa de ecuatiile de continuitate si de
miscare,
(4.8a,b)
unde este viteza ionilor. Pentru >0, presupunnd conditia de
cvasineutralitate, se gaseste solutia auto-similara,
1), = + / (4.9a,b)
unde este viteza ionoacustica.
Plecnd de la acest model, n literatura de specialitate sunt dezvoltate
diverse tipuri solutii autosimilare (ex. P. Mora, Phys. Rev. Lett, 90 (2003),
185002 si M. Murakami, Phys. Plasma, 12 (2005), 072607) considernd
expansiunea izoterma, n timpul actiunii pulsului laser, si cea adiabatica
ulterioara. Ca si simularile numerice efectuate n coordonate Lagrange-
Euler, aceste modele presupun existenta unui front ionic abrupt,
corespunznd unei viteze maxime de expansiune.
Activitatea chimica ridicata a litiului impune analiza simultana si a
efectului prezentei ionilor de oxigen. Spectrele nregistrate n domeniul EUV
pun n evidenta liniile oxigenului care modifica starea medie de sarcina si
viteza de expansiune fata de materialul de baza pur (ie. Li). n acest sens,
se analizeaza starea medie de sarcina n cadrul modelului colizional radiativ
de echilibru (pentru detalii asupra modelului, vezi D. Salzman,
t
v
i
x+c
s
t
n
e
=Zn
i
=exp (-x/c
s
t v
i
c
S
x t
c
s
Atomic
4 4. .3 3. . S ST TU UD DI IU UL L N NU UM ME ER RI IC C A AL L S SP PE EC CT TR RU UL LU UI I D DE E R RA AZ ZE E X X- -M MO OI I E EM MI IS SE E
D DE E P PL LA AS SM ME EL LE E L LA AS SE ER R
111
1 1 1
3
3
1
0
1
Figura 4.6: Populatiile fractionare ale plasmei amestec Li+O. Se observa o usoara
deplasare a maximului densitatii fractionare a ionului Li
+2
, responsabil pentru emisia
radiatiei de interes
Physics n Hot Plasma
Z
n
T
(Oxford University Press, New York, Oxford 1998)).
Notnd cu si densitatea ionica n starea de sarcina a speciei
(=Li, O), populatiile fractionare, , sunt date de sistemul de
ecuatii
, (4.10)
unde , , sunt ratele de ionizare colizionala si cele de recombinare
radiativa si three-body. Adaugnd conditia de conservare, si
considernd densitatea electronica ,
solutia sistemului (4.10) este prezentata n Figura 4.6, pentru diverse
temperaturi electronice si fractii de Li. Densitatea atomica totala a fost
considerata =10
21
cm
-3
.
) Z ( n
T
n
T
n / ) Z ( n ) Z ( f
)] Z ( n ) Z ( [ ) Z ( S ) Z ( f ) Z ( f
b e r
S
r b
Z
) Z ( f
Z
y
T
Z
x
T e
) Z ( f Z ) x ( n ) Z ( f Z x n n

=
+ + + = +


=

+ =
112
0
1 1
4
1
4
Figura 4.7: Spectrele teoretice si experimentale ale plasmei laser amestec O+Li. Pentru
usurinta comparatiei este artificial introdusa o deplasare relativa.
In cadrul unui model teoretic simplificat, consideram plasma omogena
si stationara. Intensitatea spectrala a unei linii spectrale integrate pe timpul
de emisie este data de
(fotoni/(puls mm
2
2 sr)) (4.11)
unde si sunt densitatile de populatii si ponderile statistice ale starile
inferioara si superioara. reprezinta grosimea optica n centrul liniei.
Folosind datele atomice si spectrale din literatura de specialitate, n Figura 4
este prezentat spectrul teoretic al amestecului Li+O. n comparatie cu cel
experimental, rezulta o concordanta rezonabila, insa trebuie notate usoare
abateri ale liniilor O
+4
.

= ) e (
n g
n g c
dt ) ( I
) ( f
u l
l u
n
l,u
g
u,l
0
113
4 4. .4 4. . S ST TU UD DI IU UL L E EX XP PE ER RI IM ME EN NT TA AL L A AL L P PL LA AS SM ME EI I P PR RO OD DU US SA A C CU U
A AJ JU UT TO OR RU UL L L LA AS SE ER RU UL LU UI I
Pozitie ajustabila
a lentilei (LP)
intensitatea
dimensiune
spot
GISM :Spectrometru
XRD: Foto
dioda/colector de
sarcina
XRDs
Pozitie ajustabila
a lentilei (LP)
intensitatea
dimensiune
spot
GISM :Spectrometru
XRD: Foto
dioda/colector de
sarcina
XRDs
Dispozitivul experimental utilizat n masuratori este de tipul celui
prezentat n Figura 4.8. Plasma este generata prin ablatia laser a unei folii
de Li folosind pulsuri cu lungimea de unda 1.06 m sau 532 nm, de energii
ajustabile n intervalul 0.5-0.7 J de la un laser Nd:YAG n impulsuri de 10 ns.
Fasciculul laser este focalizat pe tinta cu ajutorul unei lentile cu pozitie
ajustabila. Este posibila astfel reglarea diametrului spotului si deci obtinerea
diferitelor intensitati pe suprafata tintei.
Studii experimentale anterioare arata posibilitatea mbunatatirii
emisiei n EUV prin recombinarea fortata. Aceasta presupune existenta unui
stopper dintr-un element greu n fata plasmei n expansiune. Prin ionizari
secundare pe suprafata acestuia este posibila generarea de electroni reci,
care mbunatatesc rata de recombinare radiativa. Aceste cercetari pot fi
extinse, prin studiul interactiunii a doua plasme obtinute prin ablatie laser cu
directii de expansiune opuse. Aceasta poate avea ca efect extinderea
timpului de viata a plasmei si reconversia energiei de expansiune n radiatie.

?
?
?
?
114
5. B BI IB BL LI IO OG GR RA AF FI IE E
65
1. N. N. Puscas, Lasere, editia a II-a, colectia Academica, Editura TOP
FORM, Bucuresti, 2007.
2. C. R. Pollock, M. Lipson, Integrated Photonics, Springer, 2003.
3. N. Puscas, E. Smeu, Transmisia informatiei prin metode optice, Vol. I, II,
Editura Cartea Universitara, Bucuresti, 2004
4. N. N. Puscas, Lucrari experimentale de optoelectronica, fizica si ingineria
laserilor, Editura Matrix Rom Bucuresti, 2004
5. S. D. Anghel, A. Simon, Plasma de inalta frecventa, Ed. Napoca Star,
Cluj 2002.
6. Gh. Popa si L. Srghi, Bazele fizicii plasmei. Ed. Univ. Al. I. Cuza Iasi,
2000.
7. Paul Gibbon, Short Pulse Laser Interactions with Matter, Imperial College
Press, 2000
8. William Kruer, The Physics of Laser Plasma Interactions, Westview
Press, 2003
9. A. Fridman and L. Kennedy, Plasma Physics and Engineering, Taylor and
Francis, 2004
10. I.C.E. Turcu, J.B. Dance, X-rays from laser plasmas, generation and
applications; Wiley, 1999; ISBN 0 471 98397 7.
11. C. Grey Morgan Laser-induced breakdown phenomena, Sci. Prog. Oxf.
, p31-50, 1978.
12. S.D. Anghel, Fizica plasmei si aplicatii. Universitatea Babes-Bolyai Cluj
uz intern, 2002
13. G. Bratescu, Fizica plasmei. Ed. Did. Pedag., Bucuresti 1970.
14. I.I. Popescu, D. Ciobotaru, Bazele fizicii plasmei. Ed. Tehn., Bucuresti
1987.
115
15. Gh. N. Singurel, Fizica laserilor, Ed. Univ. Al.I.Cuza Iasi, 2001;
16. Dan C. Dumitras, Biofotonica. Bazele fizice ale aplicatiilor laserilor in
medicina si biologie, Ed. All Educational, Bucuresti, 1999;
17. Dan. C. Dumitras, Laseri cu gaz, Ed. Academiei RSR, Bucuresti, 1982 ;
18. Wolfgang Demtroeder, Laser Spectroscopy Basic Concepts and
Instrumentation, Springer Verlag Berlin Heidelberg, 1996 ;
19. L.V.Tarasov, Laserii. Realitate si speranta , Ed. Tehnica, Buc., 1990;
20. Dr. Ing. N.Popescu si Ing. M.Opran, Laseri si aplicatii, Ed. Militara, Buc.,
1979 ;
21. Ion M.Popescu, Fizica si ingineria laserelor, Ed. Tehnica, Buc., 2000 ;
22. Gh. Singurel, Laseri si Optica neliniara, Ed. Univ. Al.I.Cuza Iasi,
1975;
23. Dan C. Dumitras, Tehnici laser si aplicatii, Ed. Univ. Buc., 2006.
http://cord.org/cm/leot1.htm
http://www.star.le.ac.uk/~rw/courses/lect4313.pdf
http://www.intechopen.com/books/show/title/optoelectronic-devices-and-
properties
http://www.plasmas.org/plasma-physics.htm
Web