158

CAPITOLUL 11



TRADUCTOARE MAGNETICE



11.1 Senzori de cmp magnetic

Msurarea cmpului magnetic este necesar pentru a detecta prezena
obiectelor mari feromagnetice care schimb distribuia cmpului magnetic.
Curenii din circuitele electrice genereaz cmpuri magnetice proporionale. Astfel,
se pot msura indirect curenii electrici prin msurarea cmpurilor magnetice.
Detecia variaiilor de cmp magnetic are utilizri n industria minier,
pilotarea automat a aparatelor de zbor, detectarea i localizarea aparatelor de zbor,
vehiculelor, submarinelor, navelor, etc. n multe cazuri, navele de detectat au o
semntur magnetic diferit de a altora, putndu-se astfel distinge cu uurin.
Amplitudinea cmpului magnetic depinde de distan, fcnd posibil localizarea i
urmrirea. Fenomenul are aplicaii n controlul traficului autostrzilor, porturilor i
aeroporturilor evoluate, prin dispunerea unor suprafee de traductoare de cmp
magnetic n zonele de interes.
Senzorii de cmp magnetic funcioneaz pe baza forei Lorentz exercitat
asupra electronilor care se mic n metale, semiconductoare sau izolatoare:

B qv F =

unde q este sarcina electronului, v este viteza electronului, iar B este inducia
magnetic ce acioneaz asupra purttorilor de sarcin i determin rspunsul
senzorului. Deoarece H B
0
= , rspunsul senzorului este amplificat de
permeabilitatea relativ mare.
n funcie de valoarea permeabilitii magnetice, senzorii sunt de dou tipuri:
- senzori feromagnetici sau ferimagnetici, cu >> 1 i sensibilitate mare;
exemple: senzorii bazai pe magnetorezisten din straturi subiri de NiFe,
magnetostriciunea nveliului de Ni a unei fibre optice sau efectele magneto-optice
n granate, senzori combinai cu dispozitive concentratoare de flux;
- senzori diamagnetici sau paramagnetici, cu 1 i sensibilitate mic;
exemple: dispozitive Hall, senzori Hall cu tranzistoare TECMOS sensibile la cmp
magnetic, structuri Hall heterojonciune, magnetotranzistoare, magnetodiode,
magnetorezistoare, magnetometre cu fibr optic.

159


11.2 Senzori de cmp magnetic cu strat subire metalic

Sunt realizai din materiale feromagnetice, cei mai utilizai fiind din aliaj cu
magnetostuciune mic Ni
81
Fe
19
(permalloy). Cel mai reprezentativ este senzorul
magnetorezistiv din straturi anizotropice NiFe sau NiCo.
Straturi cu magnetorezisten gigant
Sunt straturi care, sub aciunea unui cmp magnetic i modific rezistena cu
10...20%. Mai multe straturi magnetice sunt separate de un strat nemagnetic.
Datorit mprtierii electronilor de conducie, rezistena este maxim (< 10 M)
atunci cnd momentele magnetice ale straturilor sunt antiparalele i minim (> 5
) cnd straturile sunt paralele.
Structurile folosite n straturile cu magnetorezisten gigant sunt de trei tipuri:
- n sandwich;
- supape de spin antiferomagnetice;
- multistraturi antiferomagnetice.
n structurile cu tunelare cu magnetorezisten gigant, cele dou straturi
magnetice sunt separte de un strat izolator. Conducia se datoreaz tunelrii
cuantice prin izolator. Mrimea curentului de tunelare dintre cele dou straturi
magnetice este modulat de direcia vectorilor de magnetizaie n cele dou straturi.
Calea de conducie trebuie s fie perpendicular pe planul materialului cu
magnetorezisten gigant, deoarece exist o diferen mare ntre conductivitatea
cii de tunelare i aceea a oricrei ci din plan.
Dispozitivele cu tunelare au dimensiuni de civa m, sunt realizate prin
fotolitografie i dau o variaie a rezistenei de 10...30 %. Cmpurile magnetice de
saturaie depind de compoziia straturilor magnetice i de metoda de obinere a
alinierii paralele sau antiparalele. Valorile cmpului magnetic de saturaie sunt n
gama 0,1 kA/m... 10 kA/m. Din acest motiv, aceti senzori sunt foarte sensibili.
Stratul de tunelare permite realizarea senzorilor cu rezisten electric mare i
alimentare de la baterii (folosii n aplicaii portabile).
Structurile tip sandwich conin dou straturi magnetice moi, din aliaje de Fe,
Ni i Co, separate de un strat conductor nemagnetic (Cu). Cuplajul magnetic este
slab. Straturile sunt realizate sub form de benzi; cmpul magnetic ce trece de-a
lungul benzii, rotete straturile magnetice antiparalele.
Un cmp magnetic extern, paralel cu banda, produce aceeai variaie a
rezistenei. Cmpul magnetic perpendicular pe band are efect mic datorit
cmpurilor de demagnetizare asociate cu dimensiuni mici ale obiectelor magnetice.
Multistraturile antiferomagnetice au mai multe interfee dect tipurile
sandwich i deci variaia rezistenei este mai mare. Structurile tip supape
antiferomagnetice seamn cu cele tip sandwich.

160
Straturile subiri cu magnetorezisten gigant depuse pe substraturi de Si pot fi
configurate ca rezistoare, perechi de rezistoare sau punte Wheatstone.
Dimensiunile i cerinele de putere de alimentare reduse le fac utile n aplicaii de
detecie a cmpurilor magnetice mici, sub form de suprafee de senzori.
Straturi anizotropice convenionale cu magnetorezisten
Senzorii folosesc efectul magnetorezistiv, definit prin proprietatea unui
material magnetic prin care trece un curent electric de a-i schimba rezistivitatea n
prezena unui cmp magnetic extern. Schimbarea are loc prin rotirea magnetizrii
fa de direcia curentului.
La permalloy, o rotaie cu 90 a magnetizrii datorit aplicrii unui cmp
magnetic perpendicular pe direcia curentului, produce o variaie a rezistivitii de
2... 3 %.
Rezistivitatea depinde neliniar de cmpul magnetic.
Magnetometru cu flux poart
Magnetometrele sunt dispozitive care determin prezena unui cmp magnetic,
mrimea i direcia acelui cmp. Sunt utilizate la realizarea busolelor numerice.
Un senzor de cmp magnetic este cuplat la un circuit integrat specific aplicaiei
(ASIC), combinaia constnd din dou bobine neliniare cu circuite de comand
echilibrate, controlul n curent a variaiilor vitezei de cretere i o metod de
msurare a ieirii senzorilor. Se folosete un singur circuit pentru comanda i
monitorizarea ambilor senzori. Un circuit numeric urmrete n orice moment care
senzor este accesat i memoreaz datele n registrul corespunztor. Cu un circuit de
test, convertorul analog-numeric monitorizeaz continuitatea bobinei senzor.
Semnalul de ieire este sub forma unor coduri de eroare, pe care un procesor
central le transmite pentru afiare.
Combinaia senzor - ASIC elimin parial procesrile analogice complexe.
Circuitul ASIC are cerine sczute de putere electric, putnd fi alimentat de la
baterie. Nu este necesar procesarea tensiunilor sau curenilor de nivel mic prin
amplificatoare de ctig mare, integratoare sau filtre analogice. Toate decalajele i
zgomotele sunt corectate numeric. Sensibilitatea se ajusteaz cu registre numerice
i nu cu rezistoare sau condensatoare de fixare analogic a ctigului.
Circuitul ASIC se interfaeaz cu o clas special de bobine neliniare, care au
proprietatea de a-i schimba inductana n prezena variaiilor mici ale cmpului
magnetic. El nu necesit bobine separate senzor i de comand, ambele funcii
fiind implementate ntr-o singur bobin.
Circuitul ASIC poate comanda dou bobine, orientate perpendicular una pe
cealalt, permind detecia unei unde sinus i a unei unde cosinus.





161
11.3 Senzori de cmp magnetic cu semiconductoare

Senzorii de cmp magnetic cu semiconductoare sunt flexibili n proiectare i
aplicaii, au dimensiuni mici, sunt robuti i au ieire n semnal electric.
Sunt fabricai din Si sau materiale semiconductoare n amestec, din grupele III-
V. Sunt ieftini deoarece sunt realizai n tehnologia circuitelor integrate.
Dispozitivele includ elemente Hall de volum i cu strat de inversiune,
magnetotranzistoare, magnetodiode i magnetometre. Anumii senzori cu
semiconductoare III-V au rezoluie magnetic superioar dispozitivelor
comparabile din siliciu datorit mobilitii mai mari a purttorilor. Materialele
semiconductoare din grupele III-V sunt folosite sub forma dispozitivelor Hall i a
celor magnetorezistive.


11.3 1 Senzori Hall

Placa Hall ideal
Placa Hall este o plac subire, dreptunghiular, din material cu rezistivitate
mare, prevzut cu patru contacte ohmice, fig. 11.1.

Tensiunea Hall, notat prin V
H
este proporional cu inducia magnetic B
perpendicular i curentul de polarizare I:

qng
GIBr
g
G
BI R V
n
H H
= =


B
V
H

I
L
h
g
Fig. 11.1

162
Factorul geometric de corecie G depinde de lungimea L, limea h, mrimea i
poziia contactelor electrice i unghiul Hall, notat
H
. Pentru o plac de lungime
infinit, G 1. Placa Hall se poate realiza din Si n uniform, cu rezistivitatea de 1
cm, la temperatura camerei.
Pentru senzorul Hall se definesc trei sensibiliti:
- Sensibilitatea absolut, care este factorul de conversie pentru semnale
mari:
B
V
S
H
A
= ; raportul ntre sensibilitatea absolut a unui senzor Hall modulat
i mrimea de polarizare (curent sau tensiune) d sensibilitatea relativ.
- Sensibilitatea relativ de curent este:
BI
V
I
S
S
H A
I
= = iar
- Sensibilitatea relativ de tensiune este:
BV
V
V
S
S
H A
V
= = .

Senzori Hall integrai de volum
a) Senzori Hall integrai orizontal
Au fost realizai prima dat de Bosch, n anii 70. O plac Hall integrat
orizontal este realizat prin cretere epitaxial n, pe un substrat p, ntr-un proces
tehnologic pentru circuite integrate bipolare din Si. Izolarea plcii Hall de restul
cipului se face cu jonciuni p-n polarizate invers. Se prefer semiconductor tip n ca
material activ, datorit sensibilitii relative de tensiune mai mari. Pe lng
senzorul Hall, n acelai circuit se realizeaz circuitele de stabilizare i amplificare.
Aceti senzori sunt sensibili la vectori de inducie magnetic B perpendiculari pe
suprafaa senzorului.
Se realizeaz i comutatoare Hall, pentru aplicaii unde este necesar numai
ieire logic; acestea au un trigger Schmitt pentru controlul etajului de ieire.
De asemenea, pentru realizarea senzorilor Hall integrai se folosete i GaAs
datorit mobilitii mai mari de peste cinci ori a electronilor dect la Si i datorit
temperaturilor de funcionare mai mari.
b) Senzori Hall integrai vertical
Sunt sensibili la vectori inducie magnetic B paraleli cu planul senzorului.
Structura este realizat n tehnologie CMOS, astfel nct toate contactele electrice
necesare sunt la partea superioar. Regiunea activ a dispozitivului este un substrat
n iar regiunea izolatoare inelar este de tip p, realizat prin difuzie (jonciune p-n
polarizat invers).
c) Senzori Hall integrai cu amplificator diferenial
Sunt compui dintr-o plac Hall orizontal tip n i dou tranzistoare bipolare p-
n-p ce formeaz o parte din amplificatorul diferenial. Stratul de Si tip n de la

163
partea superioar este i placa Hall i regiunea de baz comun pentru cele dou
tranzistoare. Funcionarea se bazeaz modularea purttorilor minoritari injectai de
cmpul Hall produs de curentul purttorilor majoritari din baz.
d) Senzori Hall integrai cu tranzistoare cu efect de cmp
Suprafaa stratului de inversiune sau canalul unui tranzistor TECMOS poate fi
folosit ca regiune activ a unui senzor Hall. Aceste dispozitive sunt prescurtate
MAGFET, existnd dou variante: Hall MAGFET i MAGFET cu dren dual.
La senzorii Hall MAGFET, canalul se folosete ca plac Hall subire.
MAGFET folosit n regiunea liniar este similar cu o placa Hall de volum.
Sensibilitatea relativ de curent este de sute V/AT. Se realizeaz n tehnologie
NMOS, cu poart din polisiliciu. Se folosesc drept comutatoare fr contact, pentru
tastaturi.
MAGFET cu dren dual are regiunea de dren mprit n dou. Inducia
magnetic perpendicular pe stratul de inversiune produce un curent de
dezechilibru I
D
= I
D1
I
D2
ntre cele dou drene. Un MAGFET cu drena dual
integrat cu un oscilator controlat n curent formeaz un oscilator controlat de
cmpul magnetic. Frecvena sa variaz liniar cu inducia magnetic n jurul unei
frecvene centrale. O alt variant de senzor MAGFET cu drena dual este
MAGFET dublu cu drena dual, cu o pereche de MAGFET cu drena dual dispuse
n configuraie de amplificator diferenial CMOS.
e) Senzori Hall integrai cu heterojonciuni
Regiunea activ este un strat dreptunghiular foarte subire, localizat ntr-o
heterojonciune (AlGa)As/GaAs. Poate detecta cmpuri magnetice foarte sczute,
de exemplu 2 nT, la frecvena de 1 kHz.
Varianta cu contact dual la regiunea activ are o sensibilitate de 48 %/T, la
temperatura camerei.


11.3.2 Magnetotranzistoare ( MT )

Sunt tranzistoare bipolare proiectate astfel nct curentul de colector este
modulat de cmpul magnetic. n funcie de geometria MT, se pot detecta cmpuri
magnetice paralele sau perpendiculare la planul cipului. Multe MT au structur
dual de colector.
La cmp magnetic zero, funcionarea lor este simetric n raport cu cele dou
colectoare, curenii de colector fiind egali. n prezena unui cmp magnetic, fora
Lorentz creeaz o asimetrie a distribuiei de potenial i de curent, rezultnd un
dezechilibru al curenilor de colector. MT sunt realizate n tehnologie CMOS.
Magnetotranzistoarele (MT) se mpart n dou grupe:
- MT pentru o singur dimensiune, notate ID, care msoar amplitudinea
cmpului magnetic perpendicular pe planul cipului (MT laterale) sau

164
paralel la planul cipului (MT verticale, MT laterale i MT cu injecie
suprimat prin pereii laterali);
- MT tip sond vectorial, care msoar amplitudinea i direcia vectorului
inducie magnetic n dou dimensiuni (vectorul B este paralel cu planul
structurii) sau 3D.


11.3.3 Magnetodiode (MD)

Concentraia de purttori printr-o plac semiconductoare intrinsec, parcurs
de curent i expus unui cmp magnetic este modulat de efectul de
magnetoconcentrare. Magnetodiodele (MD) folosesc acest efect n combinaie cu
fenomenele de dubl injecie i de recombinare la suprafa. Electronii i golurile
injectate de contactele de capt ale plcii semiconductoare sunt deviai de fora
Lorentz spre aceeai suprafa, unde se recombin. Datorit variaiei concentraiei
de purttori, magnetodiodele sunt lente, frecvena limit superioar fiind 10 MHz.
Structura unei magnetodiode cuprinde o plac semiconductoare slab dopat n
-

cuprins ntre dou zone subiri p
+
i n
+
.
Exist magnetodiode discrete din Si, Ge sau GaAs. Prima magnetodiod
integrat a fost realizat n tehnologia circuitelor integrate din siliciu pe safir. Ea
funcioneaz pe baza vitezei mari de recombinare a interfeei Si/Al
2
O
3
i a vitezei
mici de recombinare a interfeei Si/SiO
2
.
n aplicaii, sunt preferai senzorii realizai n tehnica CMOS. Se obine astfel o
structur asemntoare unui tranzistor bipolar, dar a crei funcionare este a unei
magnetodiode. O jonciune p-n polarizat invers funcioneaz ca interfa cu
recombinare mare.
Sensibilitatea unei asemenea magnetodiode CMOS este de 5 V/mAT, la
cureni de polarizare de civa mA.


11.4 Senzori optoelectronici de cmp magnetic

Aceti senzori folosesc radiaia optic drept semnal purttor intermediar.
Senzorii magneto-optici se bazeaz pe rotaia Faraday a planului de polarizare a
radiaiei optice polarizate liniar.
Sunt realizai din bobine de fibre optice, cu o cale lung a radiaiei optice i
corespunztor, o rotaie mare pe unitatea de cmp magnetic. Astfel, au fost realizai
senzori de curent magneto-optici pentru liniile de transmisie de nalt tensiune.
Efortul transferat fibrei din materialul magnetostrictiv are ca efect o variaie a
lungimii cii optice, ce determin o deplasare de faz, detectat cu interferometrul
cu fibr optic.

165


11.5 Senzori superconductori de cmp magnetic

Sunt de dou tipuri:
- dispozitivele superconductoare cu interferen cuantic (SQUID);
- supermagnetorezistoarele.
Dispozitivul superconductor cu interferen cuantic este un magnetometru de
mare rezoluie, pentru gama pT. El exploateaz efectele galvanomagnetice
mecanice cuantice care au loc n jonciunile Josephson ntre materiale
superconductoare, de exemplu Nb / AlO
3
/ Nb, la temperaturi suficient de sczute
(sub 20 K). Folosind tehnici cu straturi subiri, SQUID poate fi integrat ntr-un
singur substrat, mpreun cu o bobin de intrare superconductoare din niobiu i
circuitele de conversie de semnale.
Supermagnetorezistoarele funcioneaz la temperatura azotului lichid (77 K) i
rspund la cmpuri magnetice mici, cu inducie magnetic sub 10 mT. Se bazeaz
pe faptul c un cmp magnetic slab rupe superconductivitatea unui eantion de
ceramic granular Y-Ba-Cu-O, prin creterea rezistenei ntre granulele
superconductoare. Se obine astfel o variaie abrupt a rezistenei eantionului cu
cmpul magnetic. Straturile de ceramic se realizeaz n meandre, prin piroliz i
evaporare.