UNIVERSITATEA POLITEHNIC BUCURETI

Bazele electrotehnicii - laborator pentru studenii facultii de Automatic i

Calculatoare (seriile AC i CA), 2013/2014
L2 - Circuite cu elemente comandate.

Autorii
2/18/2014



Acest document este o parte din ndrumarul "Modelarea i simularea circuitelor electrice", n
curs de elaborare, autori GC, AG, MR, MP, DN, SL, RB, DI.
L2 - 2013/2014 2


Cuprins
1 Obiectivele lucrrii ........................................................................................................... 3
2 Probleme pentru referat .................................................................................................... 5
2.1 Tranzistorul bipolar ..................................................................................................... 5
2.1.1 Problema L2/ 1 Caracteristicile de intrare i ieire ale tranzistorului bipolar ..... 5
2.1.2 Problema L2/ 2 Scheme echivalente, cu surse comandate, ale BJT .................... 7
2.1.3 Problema L2/ 3 Punctul Static de Funcionare .................................................... 8
2.1.4 Problema L2/ 4 Conexiunea emitor comun. Simulare cu modelul de semnal
mic. 9
2.1.5 Problema L2/ 5 Circuitul Darlington. Simulare cu modelul de semnal mic. .... 10
2.2 Tranzistorul cu efect de cmp (MOSFET) ................................................................ 11
2.2.1 Problema L2/ 6 Caracteristicile de intrare i ieire ale tranzistorului MOSFET 11
3 Amplificatorul operational ............................................................................................. 13
3.1.1 Problema L2/ 7. AO n montaj inversor. ........................................................... 14
3.1.2 Problema L2/ 8. AO n montaj neinversor. ....................................................... 15
3.1.3 Problema L2/ 9 Amplificator cu mai multe etaje realizat cu AO. Definirea unui
subcircuit in SPICE ................................................................................................................. 15
3.1.4 Problema L2/ 10 Convertor digital/analog pe 3 biti .......................................... 16



L2 - 2013/2014 3

1 Obiectivele lucrrii

Lucrarea trateaz modele ale unor elemente de circuit neliniare realizate cu ajutorul surselor
comandate liniar i anume tranzistorul bipolar, tranzistorului cu efect de cmp (MOS-FET),
respectiv amplificatorul operaional (AO). Cele trei elemente de circuit reprezint componentele
cele mai des folosite in electronic, pentru crearea unor circuite de mare complexitate, utilizate
att n circuitele digitale, respectiv analogice, dar i n circuitele integrate hibride analog
digitale. Acestea din urm au cunoscut o puternic dezvoltare n ultima decad de timp, att din
punctul de vedere al complexitii, dar i a multitudinii de funcii pe care le pot executa, ele
devenind adevrate centre de control, cu aplicaii diverse n procese industriale, sisteme
profesionale de achiziii de date, comunicaii, tehnic militar.
In lucrare se prezint felul in care se analizeaz n regim staionar circuitele neliniare cu astfel
de componente, n vederea determinrii punctului static de funcionare (PSF), cum se determina
modelele liniarizate ale acestor componente in jurul punctului static de funcionare, i felul n care
se pot folosi schemele echivalente liniarizate (cu surse comandate liniar). Se discuta deosebirea
dintre circuitele de semnal mic (de variaii) i cele de semnal mare. Se exemplific aceast
tehnic, prin analiza unor circuite fundamentale pentru aplicaiile electronice, amplificatoarele cu
tranzistore i AO. In final, se va constata c cele mai simple modele ale celor trei componente
studiate sunt de fapt trei surse comandate diferite: sursa de curent comandat n curent, pentru
tranzistorul bipolar, sursa de curent comandat n tensiune, pentru tranzistorul MOS-FET i surs
de tensiune, comandat n tensiune, pentru amplificatorul operaional. Acesta este motivul pentru
care electronitii spun despre aceste elemente ca sunt componente active, chiar dac n mod
riguros, n teoria circuitelor electrice ele sunt componente neliniare pasive (nu produc energie).
Pentru a nelege cu uurin aceast lucrare i a v putea concentra pe realizarea unui referat
bun, ar fi recomandabil s v documentai n prealabil asupra urmtoarelor teme:
elemente rezistive liniare ideale de circuit (rezistoare, surse ideale de tensiune, surse
ideale de curent, surse comandate liniar); [D.Ioan - notite de curs, cap 4, slide-urile
32, si 33]
teoreme de echivalen pentru circuite rezistive liniare;
modele ale tranzistorului bipolar (Bipolar Junction Tranzistor) (BJT); [Cap4, slide-uri
57, 58, 59, 60, 61];
modele ale tranzistorului cu efect de cmp (MOS-FET); [Cap4, slide-uri 62, 63]
modele liniare pentru amplificatorului operaional de uz general (AO); [Cap4, pag, 35,
36,37,38,39,40];
Instruciunile Spice noi pe care le vei exersa n aceast lucrare sunt:
.MODEL permite definirea de ctre utilizator a unor elemente de circuit noi, bazate pe tipuri de
modele existente (diode, tranzistoare de diferite feluri), crora li se pot modifica parametrii.
. MODEL <nume model><tip> [(<param1> = <valoare> ...]
.MODEL Q1 NPN (Hfe=150)* decl. Q1 ca tranzistor npn pentru care setaz Hfe=150

L2 - 2013/2014 4

.SUBCKT definete un subcircuit grupare de elemente de circuit ce se va conecta ntr-un
circuit mai mare
. SUBCKT <nume> [lista etichete noduri] / descriere subcircuit / .ENDS

.STEP permite simulari succesive cu varierea unui anumit parametru (de ex. Rezisten,
capacitate, ...)
. STEP <element de circuit><parametru de variat><val.init.><val.finala><pas>

Comand de simulare LIST se utilizeaz cu .DC sau .STEP pentru stabilirea modalitii de
variaie a unui parametru , print-o list de valori. De ex.:
.DC V1 LIST 10 15 35 40
.STEP I2 LIST 3 7 8
Tipurile de elemente noi utilizate vor fi:
Q tranzistor bipolar
M tranzistor MOSFET
E surs de tensiune controlat n tensiune
F surs de curent controlat n curent
S switch (funcionare nchis/deschis) controlat de o tensiune
X subcircuit

Pentru a folosi timpul cu eficien, v recomandm s v documentai nainte de laborator
asupra sintaxei acestor instruciuni.
Linkuri utile pentru documentaia PSPICE:
1. OrCAD PSpice A/D, Reference Manual,
http://www.electronics-lab.com/downloads/schematic/013/tutorial/PSPCREF.pdf
2. http://www.engr.colostate.edu/academic/ece/PSpice/psp_sug.pdf
3. Cadence, PSpice User Guide
http://www.seas.upenn.edu/~jan/spice/PSpice_UserguideOrCAD.pdf
4. PSpice Tutorials, http://igdrassil.narod.ru/audio/spice/pspice_tutorial.pdf
5. PSpice Tutorial http://www.engr.colostate.edu/ECE562/Pspicetutorial.pdf
6. PSpice 9.2 Tutorial http://ece.utah.edu/~ece2280/PSpice92Tutorial2.pdf

In timpul laboratorului, trebuie s parcurgei secvenial problemele propuse, i s v
completai referatul dup fiecare problem. La sfritul orei de lucru, vei prezenta referatul n
starea lui curent i l vei ncrca pe platforma Moodle. Pentru punctajul complet, referatul
trebuie sa conin urmtoarele probleme: L2/1, L2/2, L2/3, L2/8 si L2/9. Rezolvarea oricrei
probleme suplimentare se face pentru bonus.


L2 - 2013/2014 5

2 Probleme pentru referat

2.1 Tranzistorul bipolar
SPICE conine n biblioteca sa standard un set de modele predefinite pentru tranzistorul
bipolar (Bipolar Junction Tranzistor - http://en.wikipedia.org/wiki/Bipolar_junction_transistor).
Prin liniarizarea pe poriuni a caracteristicilor neliniare ale acestui element de circuit, se obin
scheme echivalente simplificate, care conin surse comandate liniar. BJT n conexiunea cu emitor
comun poate fi privit (Fig. 1) ca un cuadripol, excitat hibrid (n curentul de baz I
B
la intrare, i n
tensiunea U
CE
, la ieire, se va explica ulterior de ce sunt notate cu majuscule), descris de
caracteristicile neliniare:
U
BE
= f
1
(I
B
, U
CE
) (2.1)
I
C
= f
2
(I
B
, U
CE
)

Fig. 1 Simbolul i mrimile de intrare/ieire pentru tranzistorul bipolar in montaj emitor comun

2.1.1 Problema L2/ 1Caracteristicile de intrare i ieire ale tranzistorului bipolar

Valorile pe care le iau curenii i tensiunile n regim staionar definesc Punctul Static de
Funcionare (PSF). Dezvoltnd funciile (2.1) n serie Taylor, n jurul acestui punct, se obin
urmtoarele relaii valabile pentru semnale care nu se abat prea mult fa de punctul static de
funcionare:
de intrare:

(2.2)
de ieire:

unde:
- r
b
reprezint rezistena de intrare a tranzistorului;
- reprezint factorul invers de transfer al tensiunii;
- reprezint factorul de amplificare n curent;
- g
c
reprezint conductana de ieire a tranzistorului;
- u
be0
reprezint tensiunea de deschidere a jonciunii baz emitor;
- i
ce0
reprezint curentul rezidual de colector (i
c
pentru u
be
= 0).
b
c
e
u
u
i
c
i
b
Q - tranzistor biploar npn
be
ce
L2 - 2013/2014 6

Din punct de vedere matematic acesta este modelul afin (conine o component liniar plus
una component constant) al tranzistorului. Prin reinerea doar a primilor doi termeni din seria
Taylor, i neglijarea celorlali, spunem ca am liniarizat caracteristicile neliniare ale BJT.
a. Caracteristicile neliniare (2.2) se pot extrage, excitnd tranzistorul din Fig.1, cu dou surse:
o sursa ideala de curent la intrare si o sursa ideala de tensiune la ieire. Desenai schema,
care corespunde urmtorului netlist:
* Caracteristica de intrare BJT
Vc c 0 12V
Ib 0 b 100uA
Q1 c b 0 tranzistor
.model tranzistor NPN
.dc Ib 0 100uA 1uA Vc 0 10 2
.probe
.end


b. Simulai acest circuit i determinai i reprezentai grafic caracteristica de intrare

. Verificai rezultatul, comparndu-l cu cel din Fig. 2 - stnga.

c. Modificai netlist-ul astfel nct sa reprezentai grafic caracteristica de ieire

,
reprezentat n Fig 2. - dreapta.











Fig.2 - Caracteristicile intrare (stnga) i ieire (dreapta) pentru tranzistorul bipolar.
Mai multe detalii privind BJT i despre circuitele amplificatore gsii in:
http://www.stanford.edu/class/ee122/Handouts/EE113_Course_Notes_Rev0.pdf
L2 - 2013/2014 7

2.1.2 Problema L2/ 2 Scheme echivalente, cu surse comandate, ale BJT
n caracteristicile neliniare din Fig.2 se pot observa urmtoarele zone de funcionare ale BJT:
- blocat:
- blocat cu jonciunea b-e deschis:
- saturat:
- regiune activ normal (RAN):
u
be
= 0;
u
ce
< 0 i i
b
> 0;
u
cesat
u
ce
> 0 i i
b
> i
c
> 0;
u
ce
>u
cesat
>0 i 0 <i
b
< i
csat
;
(2.3)
Unde u
cesat
, respectiv i
csat
sunt tensiunea colector emitor, respectiv curentul de colector de
saturaie (cele dou valori reprezint date de catalog). In circuitele electronice liniare, cum sunt
amplificatoarele, sau circuitele similare, tranzistoarele funcioneaz in Regiunea Activa Normal
RAN. In celelalte regiuni ele ajung doar accidental, sau n cazul circuitelor logice (digitale), in
care tranzistoarele funcioneaz n regim de comutaie.

Fig. 3 Modele echivalente liniarizate pentru BJTaflat n RAN:
modelul afin simplificat (a): r
b
=0, =0, i
ce0
=0;
modelul liniar, de variaii(b): u
be0
=0, i
ce0
=0.
De obicei intereseaz abaterile semnalelor de la valorile lor din PSF, notate si definite astfel:
u
be
= u
BE
= u
BE
- U
BE
; u
ce
= u
CE
= u
CE
- U
CE
; (2.4)
i
b
= i
B
= i
B
- I
B
; i
c
= i
B
= i
C
- I
C

In aceasta convenie (2.4), se folosesc majuscule pentru a denumi semnalele (staionare) ale
PSF, i litere mici pentru a denumi semnale variabile n timp. Terminalele se simbolizeaz cu
majuscule pentru PSF, i cu litere mici pentru variaii. n acest fel se simplifica scrierea ecuaiilor,
pentru c nu mai este necesara folosirea simbolului de variaie .
Constatam ca relaia dintre variaiile semnalelor din modelul afin este una liniara
la intrare:

(2.5)
la ieire:

obinut formal din (2.2), prin anularea termenului constant. Acesta este modelul liniar de variaii
(numit i de semnal mic) al tranzistorului. Este evident c el conine doua rezistoare liniare si
doua surse comandate liniar, una de tensiune comandata n tensiune i alta de curent, comandata
in curent (Fig. 3.b). Dac la acest model se adaug termenii constani, reprezentai de o sursa
ideal de tensiune u
be0
, nseriat la intrare i o surs ideal de curent i
ce0
, n paralel la ieire, se
obine modelul afin, cunoscut n mod abuziv, i sub numele de modelul liniarizat de semnal
i
c
= i
b
i
c
= i
b
u
ce
L2 - 2013/2014 8

mare. Se constata c la tranzistoarele uzuale, parametrii r
b
, , i
ce0
i g
c
au valori neglijabile, astfel
nct n practic se folosete frecvent pentru tranzistoare schema simplificat de semnal mare din
Fig. 3.a. n Regiunea Activa Normala (RAN), tranzistorul se comporta la intrare ca o sursa ideala
de tensiune cu tensiunea de cca u
be0
= 0.7V, iar la ieire ca o sursa de curent comandata liniar in
curentul de baz (

). n concluzie, cel mai important parametru de performan al unui

tranzistor bipolar este factorul su de amplificare n curent . Modelul de semnal mic, simplificat
al unui tranzistor se reduce deci, n final la o singura sursa de curent (ntre colector i emitor),
comandat liniar de curentul de baz, iar baza este conectat (scurtcircuitat) la emitor.

a. Folosind caracteristicile obinute la problema L2/1, determinai parametrii schemei
echivalente liniarizat, de semnal modelul simplificat (3a): din caracteristica de intrare
pentru u
ce
> 0 determinai u
be0
, iar din caracteristica de ieire determinai factorul ;

2.1.3 Problema L2/ 3 Punctul Static de Funcionare

a.) S se determine punctul static de funcionare (PSF) al tranzistorului din circuitul
reprezentat n Fig. 4a, prin simulare Spice, utiliznd modelul NPN: impunei = 80;
determinai U
BE
, U
CE
, I
C
, respectiv I
B
i consemnai rezultatele n referat;
b.) nlocuii n schema din 4b tranzistorul cu schema echivalent din 3a, impunnd pentru
sursa comandat I
c
: = 80 (4b). Determinai U
BE
, U
CE
, I
C
, respectiv I
B
i determinai
erorile relative fa de rezultatele obinute la punctul anterior;
c.) (Opional) Simulai circuitul din 4a, utiliznd modelul NPN, dar folosind urmtoarele
valori: R
1
= R
2
= 4k, respectiv = 80. Determinai U
BE
, U
CE
, I
C
, respectiv I
B
i
calculai

. Observai c 80 i c u
ce
0. Interpretai rezultatul: n ce
zona funcioneaz tranzistorul n acest caz (v. relaiile (2.3)(2.3))?

(a) (b)
Fig. 4 Pentru determinarea PSF (a) model SPICE, (b) model liniarizat simplificat


=80
L2 - 2013/2014 9

2.1.4 Problema L2/ 4 Conexiunea emitor comun. Simulare cu modelul de semnal mic.
a. Analizai comportarea etajului de amplificare, n conexiune emitor comun, din Fig. 5, la
semnal mic (http://en.wikipedia.org/wiki/Common_emitter). Analiza se va efectua cu
ajutorul schemei echivalente din Fig. 5b. Obiectivul este de a determina influena
diferiilor parametri ai circuitului, asupra performaelor acestui etaj amplificator, dar i
influena pe care o are acurateea modelului de tranzistor folosit in simulare. In practic,
etajul se excit, la intrare, cu un semnal de c.a. sinusoidal staionar (amplitudine, frecven,
faz iniial constante). Condensatoarele au capacitai suficient de mari, pentru ca
semnalul de c.a. sa nu ntmpine vreo rezisten la trecerea prin ele (vom modela deci,
condensatoarele ca nite conductore perfecte - scurtcircuite). Deoarece se analizeaz doar
variaiiile, sursa de alimentare se comporta ca una pasivizata (conductor perfect -
scurtcircuit). In consecin, din punctul de vedere al semnalului de intrare, rezistoarele R
1

i R
2
se vd ca fiind conectate n paralel; la fel i rezistoarele R
3
i R
L
. Prin urmare
circuitul din Fig.5. a se poate transforma, prin echivalri succesive, n circuitul din Fig.5. b
pentru a face posibil simularea de mai sus. Atenie nu confundai simularea propus,
care este una de variaii (liniara, de semnal mic), cu cea de c.c. utilizat la Problema L2/ 3
pentru determinarea PSF, care a fost una neliniar, de semnal mare!

a1. innd cont de ipotezele de simulare de mai sus, demonstrai echivalena dintre
circuitele din Fig. 5.a i Fig. 5.d, folosind echivalri i transfigurri sucesive;
a2. Pentru schema echivalent din Fig. 5c considerai urmtoarele valori: r
b
=1,1k,
r
c
= 40k, = 2,510
-4
, =50.
a3. Determinai factorii de amplificare (transfer) ai ntregului etaj, n tensiune
(A
v
=V(4)/Vs), respectiv n curent (A
I
= I
L
/I
S
);
a4. Determinai factorul de amplificare (transfer) n tensiune, la nivel de tranzistor
(A
v
=V(4)/V(2)); ce semnificaie are valoarea negativ a acestui factor?
a5. Determinai rezistenele de intrare R
i
i de ieire R
o
ale etajului;
a6. Determinairezistenele de intrare R
i
(fr R
s
) i de ieire R
o
ale tranzistorului (fr
R
L
); inei cont c R
i
= R
i
+R
s
i c R
o
=R
o
||R
L
;(R
i
= 9,1k; R
o
= 275k);
a7. Evideniai influena rezistenei din emitor R
e
, prin simulri repetate:
i. artai c rezistena de intrare R
i
este direct proporional cu (1+)R
e

ii. artai c factorul de transfer n tensiune al amplificatorului se poate evalua
cu relaia R
L
/R
e
.
L2 - 2013/2014 10







Fig. 5. Etaj de amplificare n conexiune emitor comun (a) schema complet, (b)(c) scheme echivalente
pentru semnal mic sinusoidal staionar, (d) circuitul echivalent cu surse comandate pentru schema (c)

2.1.5 Problema L2/ 5 Circuitul Darlington. Simulare cu modelul de semnal mic.

Pentru a mbunti performanele amplificatoarelor se folosesc circuite cu doua tranzistoare
pe etaj (http://en.wikipedia.org/wiki/Darlington_transistor). Circuitul Darlington (Fig.6.) este un
astfel de amplificator, care are rezistena de intrare i factorul de amplificare n curent mult mai
mari dect etajul de amplificare simplu de tipul celui studiat n Problema L2/ 4. El are rezistena
de sarcin n emitor, i n consecin, este de ateptat sa nu amplifice in tensiune, ci doar in curent.
a. Analizai circuitul Darlington (simplificat) din Fig.6. cu o simulare Spice de tip funcie de
transfer.
b. Determinai factorii de amplificare (transfer) n tensiune (A
v
=V(6)/Vs), respectiv n curent
(A
I
= I
L
/I
S
);
c. Determinai rezistenele de intrare i de ieire ale etajului;

a b
c
d
L2 - 2013/2014 11





Fig. 6 Circuit Darlington cu tranzistoare PNP, in montaj colector comun: (a)
schema de principiu, (b) schema echivalent liniarizat pentru conexiunea colector
comun
2.2 Tranzistorul cu efect de cmp (MOSFET)
Tranzistorul cu efect de cmp (MOSFET - http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET) este un
element de circuit cu trei terminale: una de intrare (Surs), una de ieire (Dren) i una de control
(Gate - Poart). MOSFET poate fi privit, conform schemei din Fig.7. la fel ca i tranzistorul
bipolar, ca un cuadripol. Deosebirea fundamental este c, de aceast data, dispozitivul este
controlat de tensiunea de intrare U
GS
, i nu de curentul de intrare I
G
, care este practic nul.

Fig.7 Simbolul i mrimile de intrare/ieire pentru tranzistorul MOSFET
M este caractererul ce definete MOSFET n netlist-ul SPICE

2.2.1 Problema L2/ 6Caracteristicile de intrare i ieire ale tranzistorului MOSFET

Pentru tranzistorul MOSFET se definesc urmtoarele caracteristici neliniare:

de intrare:

de ieire:

(a)
(b)
L2 - 2013/2014 12


a. Utilizai schema din Fig. 8 pentru trasarea caracteristicilor tranzistorului MOSFET.
Folosii pentru tranzistoare modelul standard MOSFET;
b. Impunei variaii corespunztoare ale sursei V
GS
si ale tensiunii V
DS
astfel nct s obinei
caracteristicile din Fig.9. a);
c. Impunei variaii corespunztoare ale sursei V
DS
si ale tensiunii V
GS
astfel nct s obinei
caracteristicile din Fig.9 b);
d. (Opional) Folosind rezultatele simulrii, extragei schema echivalent de semnal mic a
tranzistorului i parametrii ei, dar i o schem echivalent, liniarizat, de semnal mare i
parametrii ei. Considerai ca tranzistorul funcioneaz n zona de saturaie.

Fig. 8. (a) Schema pentru determinarea caracteristicilor neliniareale tranzistorul MOSFET; (b) poarta
logic inversoare (NOT); (c) model cu Switch controlat n tensiune
(a) (b)
Fig. 9 Caracteristicile intrare (a) i ieire (b) pentru tranzitorul MOSFET

0V 1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9V 10V 11V 12V
0A
60A
120A
180A
240A
300A
360A
420A
480A
540A
600A
660A
Id(M1)
Vgs = 4V
Vgs = 5V
VDS
Vgs = 8V
Vgs = 7V
Vgs = 6V
Zona saturati e
Zona acti va (de semnal mi c)
0.0V 0.8V 1.6V 2.4V 3.2V 4.0V 4.8V 5.6V 6.4V 7.2V 8.0V
0A
60A
120A
180A
240A
300A
360A
420A
480A
540A
600A
660A
Id(M1)
Vdd=10V
Vdd=6V
Vdd=2V
Vgs
(a)
(b)
VGS
8V
VDS
12
R1
10
R2
1000k
S1
(c)
L2 - 2013/2014 13


3 Amplificatorul operaional

Amplificatorul operaional (AO) este un element de circuit multipolar
(http://en.wikipedia.org/wiki/Operational_amplifier), a crui funcionare este similar cu cea a
unei surse de tensiune comandat n tensiune (Fig. 10 (b)). Tensiunea de comand se aplic ntre
intrrile neinversoare (+) i inversoare (-) ale AO (Fig. 10 (a)).


Fig. 10 Amplificatorul operaional. (a) simbol schematic; (b) schema echivalent a AO ideal

AO are urmtorii parametri caracteristici eseniali:
- factor de transfer n tensiune mare (A = 10
5
- 10
8
) ideal: A ;
- rezistenta mare de intrare (R
i
10
9
ohmi) ideal: R
i
;
- rezistenta mic de ieire (R
e
100 ohmi) ideal: R
e
= 0.
Tipic, AO se alimenteaz dintr-un sistem de tensiuni simetrice fa de borna neutr (0): Vcc+,
respective Vcc-. Tensiunea de ieire V
o
este limitat la valorile tensiunilor de alimentare. Intre
aceste limite, V
o
variaz liniar dup ecuaia de funcionare a generatoruluic comandat:

(3.1)

Funcionarea AO pe poriunea liniar se poate controla prin conectarea unor circuite de
reacie ntre ieire i intrarea inversoare (reacie negativ). n aceste cazuri, amplificarea
circuitului obinut nu este influenat de amplificarea n bucl deschis A, ci numai de
componentele circuitului de reacie.
Din relaia (3.1) rezult ca AO este de fapt un element neliniar, la care tensiunea de ieire depinde
neliniar (cu saturaie) de tensiunea de intrare. Dar, pentru valori suficient de mici ale tensiunii de
intrare se poate folosi modelul liniar: V
o
= A V
i
(sursa de tensiune comandata liniar n tensiune),
n care n plus se neglijeaz conductana de intrare i rezistena de ieire. Acest lucru se poate face
in toate circuitele cu reactive negativ, de semnal mic, la care tensiunile nu depesc n modul
valoarea V
cc
, dar nu i n circuitele fr reacie, sau in circuitele cu reacie pozitiv.
La acestea trebuie adoptat un model neliniar pentru amplificatorul operaional
(http://www.stanford.edu/class/ee122/Handouts/2-Op-Amp_Concepts.pdf)
L2 - 2013/2014 14


3.1.1 Problema L2/ 7. AO n montaj inversor.
a. Efectuai o simulare de tip funcie de transfer pentru montajul inversor al AO, din
Fig. 11, utiliznd modelul cu surs de tensiune comandat liniar n tensiune. Scopul
acestei probleme este de a studia influena diferiilor parametri (rezistena de intrare,
ieire, i amplificarea in bucla deschis a AO), asupra performanelor acestui etaj
amplificator, dar i importana modelarii exacte a AO. Artai c pentru A=10
5
se
obine V(3)/Vi= -9,999; ce se ntmpl dac utilizai A = 10
6
? Dar dac utilizai A =
10
4
? Explicai. Ce influen au asupra amplificrii ceilali parametri ai AO?


Fig. 11 AO inversor (a) schema de principiu; (b) schema echivalent cu generator comandat;

b) Care este rezistena de intrare a etajului inversor? Comentai (observai c intensitatea
curentului de intrare n AO este practic nul, ceea ce implic V(R
i
) = 0);
c) Efectuai o simulare variind parametric rezistena R
2
ntre 1k i 100k i punei n eviden
grafic dependena:

(3.1)
AO inversor
Vi 1 0 1V
R1 1 2 1k
Ri 2 0 1G
R2 3 2 10k
E1 3 0 0 2 1e6
.op
.tf V(3) Vi
.end
AO inversor parametrizat
.param valR2 3
Vi 1 0 1V
R1 1 2 1k
Ri 2 0 1G
R2 3 2 {valR2}
E1 3 0 0 2 1e5
.dc param valR2 1k 100k 1k
.probe
.end
Fig. 12 Netlist-uri pentru simulare AO inversor (a) schema de principiu; (b) pentru trasarea caracteristicii de
amplificare


Vi
R1
1k
R2
10k
Ri
1G
E1
3
1 2
V(3)
+
-
L2 - 2013/2014 15

3.1.2 Problema L2/ 8. AO n montaj neinversor.

Efectuai o simulare de tip funcie de transfer pentru AO neinversor din Fig.13. utiliznd
modelul cu surs de tensiune comandat n tensiune; artai c pentru A=10
5
se obine V(3)/V
i
=
11;


Fig. 13 AO neinversor (a) schema de principiu; (b) schema echivalent cu generator comandat;
a. Care este rezistena de intrare a etajului neinversor? Comentai i comparai cu etajul
inversor;
b. Efectuai o simulare variind parametric rezistena R
2
ntre 1k i 100k i punei n
eviden grafic dependena:

) (3.2)
3.1.3 Problema L2/ 9 Amplificator cu mai multe etaje realizat cu AO. Definirea unui
subcircuit in SPICE
De multe ori este necesar nlnuirea mai multor etaje de amplificare realizate cu AO.
Cuplarea acestor etaje se face fr probleme majore, innd cont c impedana de intrare a unui
etaj este mare, iar cea de ieire este apropiat de zero. Amplificatorul realizat astfel are o
amplificare, egala cu produsul amplificrilor tuturor etajelor nlnuite. In plus, pe parcursul
lanului, se pot mixa n proporie controlat, cu semnalul principal i alte semnale n scopul
extragerii din, sau adugirii la semnalul principal a unei anumite informaii.
Pentru simularea unui circuit care presupune interconectarea mai multor grupri identice de
sub-circuite, Spice permite descrierea acestor grupri separat i utilizarea lor sub un nume unic.
Aceste grupri poart denumirea de subcircuite, i sunt identificate prin caracterul cheie X.
Fiecare subcircuit poate fi conectat la circuitul extern printr-un set de terminale. Totodat se pot
transfera ctre subcircuit diveri parametri, fapt ce permite utilizarea aceleai configuraii
topologice cu diverse valori ale componentelor.
a) In schema din Fig. 14 este reprezentat un circuit obinut prin cascadarea amplificatoarelor
descrise la

L2 - 2013/2014 16

Problema L2/ 8 i Problema L2/ 7. In netlist-ul asociat, declarai schema echvalent a AO
ideal folosit mai sus, ca un subcircuit (.SUBCKT).
b) Simulai i determinai amplificarea total a circuitului (A = 110). Artai c A = A
1
*A
2
unde A
1
i A
2
reprezint respectiv amplificrile celor dou etaje. Artai c impedana de intrare a
amplificatorului este de ordinul 10
13
;
c) Ce efect ar avea dac s-ar inversa ordinea de conectare: la intrare s-ar conecta etajul
inversor, iar ieirea s-ar face prin etajul neinversor?

AO inversor in cascada
Vi 1 0 10mV
R1 2 0 1k
R2 3 2 10k
R3 3 4 1K
R4 6 4 10k
Xamp1 1 2 3 AO
Xamp2 0 4 6 AO
.op
.tf V(6) Vi

.SUBCKT AO INP INM Out PARAMS: Ri=1G
Rin INP INM {Ri}
Eo Out 0 INP INM 1E6
.ENDS AO
.end
Fig. 14 Etaje de amplificare cu AO, cascadate;
3.1.4 Problema L2/ 10 Convertor digital/analog pe 3biti
Convertorul digital-analogic este un circuit care genereaz la ieirea sa o tensiune
proportional cu un numr codificat binar, prezent n acel moment la intrrile convertorului.
Fineea (precizia) de conversie este dependent de numrul de bii (intrri digitale) utilizai pentru
generarea semnalului de ieire.
In Fig.15 este reprezentat schema unui convertor digital analogic pe 3 bii realizat pe baza
unui sumator inversor cu AO. Numrul de intrare este preluat de o reea rezistiv ponderat,
calculat astfel nct cele 8 numere ce pot fi reprezentate pe 3 bii s mpart ntr-o reea uniform
intervalul [0, 1].Tensiunile de intrare pot avea dou nivele: V
L
, respectivV
H
, corespunztoare
strilor logice 0 (LOW), respectiv 1 (HIGH). innd cont c AO este presupus ideal (I
i
=0),
din scrierea teoremei I a lui Kirchhoff n nodul (2) rezult:

(3.3)

Intrarea cu bitul cel mai puin semnificativ este 0. Considerm c V
L
= 0. Jumtatea
intervalului de 8 numere, corespunztoare tensiunii V
e
/2 se obine pentruV
0
=0, V
1
=0, V
2
=V
H
, de
unde rezult cR/R
2
=1/2. Tensiunea V
e
/4 se obine pentruV
0
=0, V
1
=V
H
, V
2
=0, deci R/R
1
=1/4.
Similar, R/R
0
=1/8.
L2 - 2013/2014 17


AO convertor D/A pe 3 biti
V0 4 0 5V
V1 5 0 0V
V2 6 0 0V
R0 4 2 8k
R1 5 2 4k
R2 6 2 2k
R 3 2 1k
Xamp 0 2 3 AO
.dc V0 LIST 0 12 V1 LIST 0 12
.step v2 list 0 12
.print dc v(v1) v(3)

.SUBCKT AO INP INM Out PARAMS:Ri=1G
Rin INP INM {Ri}
Eo Out 0 INP INM 1E6
.ENDS AO
.end
Fig.15 Convertor digital analogic pe 3 bii;
a. Determinai cele 8 nivele de tensiune pe care la poate avea Ve pentru convertorul din Fig.15,
pentru V
H
=12V .(Indicaie: pasul de reprezentare a V(3)este dat de bit-ul cel mai puin
semnificativV0 ->

;
b. Efectuai o baleiere de tip .dc folosind pentru sursele V0 i V1 (primii doi bii) cte o directiv
LIST :
.dc V0 LIST 0 12V V1 LIST 0 12V
c. ntruct .dc nu permite dect varierea a maxim 2 surse, pentru bit-ul al treilea (V2), - cel mai
semnificativutilizai instruciunea .STEP:
.STEP V3 LIST 0 12V
d. Utilizai .PRINTDC pentru afiarea evoluiei surseiV1 (V(5)), respectiv a tensiunii de ieire
V(3);
**** CURRENT STEP V2 = 0

V0 V(5) V(3)

0.000E+00 0.000E+000.000E+00
1.200E+01 0.000E+00 -1.500E+00
0.000E+00 1.200E+01 -3.000E+00
1.200E+01 1.200E+01 -4.500E+00

**** CURRENT STEP V2 = 12

V0 V(5) V(3)

0.000E+00 0.000E+00 -6.000E+00
1.200E+01 0.000E+00 -7.500E+00
0.000E+00 1.200E+01 -9.000E+00
1.200E+01 1.200E+01 -1.050E+01
e. Ce element de circuit ar putea nlocui setul de surse V0 V2, astfel nct s putem trasa
automat (cu .probe) variaia tensiunii de ieire V
e
?
f. Proiectai un convertor asemntor, dar pe 4 bii.