MICROSCOPIO

ELECTRNICO
ALUMNA DE PRERREQUISITOS:
GUADALUPE RIVERA RAMIREZ
MICROSCOPIA ELECTRONICA
En 1931 surge este tipo de microscopia con una
resolucin de 1000 veces mas que la de un
microscopio ptico. Teniendo como principio la
longitud de onda y la trayectoria del electrn en
un campo magntico.
TRANSMISIN:
0.1 nm de resolucin
BARRIDO:
1.5 nm de resolucin

Los detectores del microscopio electronico son:
a) Detector de electrones secundarios :se utiliza para
obtener imgenes de alta resolucin.
b) Detector de electrones retrodispersados: permite
obtener imgenes de composicin y topografa de la
superficie.
c) Detector de energa dispersiva: captura los rayos X
generados por la muestra, lo que permite obtener
mediante un software la composicin elemental de la
muestra.
LA MUESTRA ES RECUBIERTA CON UNA
CAPA DE CARBN O UNA CAPA DELGADA
DE ORO, PARA DARLE PROPIEDADES
CONDUCTORAS A LA MUESTRA
UN DETECTOR MIDE LA CANTIDAD DE
ELECTRONES ENVIADOS QUE ARROJA LA
INTENSIDAD DE LA ZONA DE MUESTRA
MUESTRA FIGURAS EN 3 DIMENSIONES
PROYECTA UNA IMAGEN DIGITAL
COMPARACIN DE MICROSCOPIOS ELECTRONICOS
MICROSCOPIA DE SONDA DE BARRIDO

Microscopio de efecto tnel
Por sus siglas en ingles Scanning tunneling
microscope se le conoce como STM; es un instrumento
para tomar imgenes de superficies a nivel atmico.
Desarrollado en 1981, con una resolucin de 0.1 nm de
resolucin lateral y 0.01 nm de resolucin de
profundidad.
Con esta resolucin, los tomos individuales dentro de
los materiales son rutinariamente visualizados y
manipulados. El STM puede ser usado no solo en ultra
alto vaco, sino que tambin en aire, agua, y varios otros
lquidos o gases del ambiente, y a diversas temperaturas.
El STM est basado en el concepto de efecto
tnel. Cuando una punta conductora es
colocada muy cerca de la superficie a ser
examinada, una corriente de
polarizacin (diferencia de voltaje) aplicada
entre las dos puede permitir a los electrones
pasar al otro lado mediante efecto tnel a travs
del vaco entre ellas. La resultante corriente de
tunelizacin es una funcin de la posicin de la
punta, el voltaje aplicado y la densidad local de
estados de la muestra. La informacin es
adquirida monitoreando la corriente conforme la
posicin de la punta escanea a travs de la
superficie, y es usualmente desplegada en
forma de imagen. La microscopa de efecto tnel
puede ser una tcnica desafiante, ya que
requiere superficies extremadamente limpias y
estables, puntas afiladas, excelente control de
vibraciones, y electrnica sofisticada.
-La principal ventaja de esta tcnica es la resolucin a escala atmica que
ofrece. Para conseguir este tipo de resolucin se ha de trabajar sobre
muy buenos conductores (Pt, Au, Cu, Ag).
Se ha de trabajar in-situ (evitar oxidacin-contaminacin de la
superficie), al vaco o a baja temperatura, donde el ambiente permite
una adecuada preparacin de las muestras.
La principal limitacin de la tcnica est en la imposibilidad de trabajar
con muestras aislantes.
Las puntas que se utilizan son de W (pulidas electroqumicamente), Pd,
Pt-Ir.
MICROSCOPIO DE FUERZA ATOMICA
AUMENTA 500 000
VECES
-La microscopia AFM sondea la superficie de una muestra con una punta muy
aguda, de un par de micras de largo y menos de 100 de dimetro. La punta se
localiza al final del brazo del cantilever de 100 a 200 micras de largo.
La fuerza entre la punta y la superficie de la muestra hace que el cantilever se
doble o flexione.
Un detector mide esta flexin que ocurre conforme la punta barre la superficie
y con ello se obtiene un mapa topogrfico.
Este tipo de medida puede ser aplicada tanto a materiales aislantes,
semiconductores o conductores.
Varias son las fuerzas que contribuyen a la flexin del cantilever siendo la ms
comn la fuerza de van der Waals.