Sunteți pe pagina 1din 2

Calcule

Tensiunea invers,


Ge
1 5 10 20 30 40
Intensitatea curentului
invers,


22 24 40 84 360 400
Tensiunea invers,


Si
1 5 10 20 30 40
Intensitatea curentului
invers,


22 24 25 28 30 34



Ge
Si
0
2
4
6
8
10
12
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4
Idir.
Udir.
Dependena Idir.=f(Udir.)
Intensitatea curentului
direct,


0.05 0.1 0.2 0.5 1 5 10
Tensiunea direct,


Ge 0.08 0.12 0.15 0.2 0.22 0.34 0.37
Si 0.06 0.08 0.11 0.13 0.15 0.19 0.21



Concluzie
n aceast lucrare am avut ca scop analiza caracteristicilor curent-tensiune ale diodelor din
germaniu i siliciu.n urma efecturii experimentelor am concluzionat c n cazul polarizrii directe,la
aceleai valori ale intensitii curentului dioda de Ge are o tensiune mai mare dect cea de Si,deci dioda
de germaniu este mai rezistenta.n schimb la polarizarea invers,la aceleasi valori ale tensiunii,prin dioda
de Si trece mai mult curent dect prin cea de Ge,ceea ce ne dovedeste ca dioada de siliciu are o
rezisten mai mic si respectiv o conductivitate mai mare dect dioda de germaniu.Totodata am
concluzionat c n cazul polarizrii directe,conductivitatea are valori ridicate; iar n cazul invers
conductivitatea este foarte mic.

Ge
Si
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Iinv.
Uinv.
Dependena Iinv.=f(Uinv.)