Sunteți pe pagina 1din 10

TEMA 2 DIODA SEMICONDUCTOARE

Jonciunea semiconductoare. Dioda


p n
p n
E
int
x
x
x
x

n
g
,n
e
V
contact
E
n
g
n
e
sunt si mbol izati numai
purtatorii majoritari
de sarcina electrica
Jonciunea semiconductoare. Dioda
caracteristica volt-amperic
simbol
|
|
.
|

\
|
= 1
kT
eu
d
e I i
s d
e sarcina elementar, 1,6
.
10
-19
C
k constanta Boltzmann, 1,38
.
10
-23
J
.
K
-1

T- temperatura jonciunii, K
- n polarizare invers:
1 0 (( (
kT
eu
u
d
d
i i
d
~
- n polarizare direct:
1 0 )) )
kT
eu
u
d
d
i
kT
eu
d
e I i
s d
~
-Is
anod catod
( ) p ( ) n
u
d
i
d
i
d
u
d
D
I
s
0,6V Si
0,3V Ge
polarizare
inversa
polarizare
directa
tensiuni de deschidere
~ i
d

kT
eu
d
e I i
s d
~
-I s
TEMA 2 DIODA SEMICONDUCTOARE
dreapta de sarcin,
punctul static de funcionare (M)
Jonciunea semiconductoare. Dioda
R
E
R
u
i
d
d
+ =
panta de semnal mic
d s
d
d
m
i
kT
e
e
kT
e
I
du
di
g
kT
eu
d
= = =
g
m
= 40
.
i
d
[mA/V]
E
R
D
u
d
i
d
i
d
u
d
E
R
E
dreapta de
sarcina
Au
d
Ai
d
o
Ai
d
Au
d
tgo = = g
m
M(u ,i )
do do
i
do
u
do
TEMA 2 DIODA SEMICONDUCTOARE
Jonciunea semiconductoare. Dioda
modele de liniarizare
i
d
u
d
i
d
u
d
0,65 V
i
d
u
d
0,65 V
polarizare
inversa
polarizare
directa
polarizare
inversa
polarizare
directa
polarizare
inversa
polarizare
directa
0 0 0
i = 0
d
0 V
i = 0
d
0,65 V
i = 0
d
0,65 V
r
d
r
d
1
tgo
=
o
DIODA
IDEALA
DIODE
IDEALIZATE
a b c
TEMA 2 DIODA SEMICONDUCTOARE
Jonciunea semiconductoare. Dioda
modelul de semnal mic
u =Usinet
i =g
m
Usinet
t U U u
do d
e sin + =
t U g I i
m do d
e sin + =
i
d
u
d
t
t
0
I
d0
U
do
P
u = Usin t e
i=g Usin t
m
e
Q
M
i +g U
do m
i -g U
do m
0
0
TEMA 2 DIODA SEMICONDUCTOARE
Redresarea curentului alternativ
redresarea bialternan
continuu curentului tensiunea
variabil curentului tensiunea
ondulatie de factorul =



D
4
D
3
D
2
D
1
C
R
punte
redresoare
u =Usin t e
u
R
1
8
2
= =
=
~
t

u
u
t
0
u =Usin t e
U
-U
t
0
u
R
U-1,3V
T 2T
3T
semnal netezit
cu condensatorul C
a
b
semnal redresat
brut
TEMA 2 DIODA SEMICONDUCTOARE
Alte tipuri de diode
Dioda stabilizatoare (Zener)
mecanisme de cretere a curentului:
multiplicarea n avalan a
purttorilor de sarcin
efectul Zener n care purttorii de
sarcin sunt generai chiar de ctre
cmpul electric care se creeaz n
jonciune.
parametrii caracteristici:
tensiunea de stabilizare U
Z
curentul invers maxim I
Zmax
rezistena intern r
Z

Z
Z
Z
i
u
r
A
A
=
i
d
u
d
I
Zmin
u
d
i
d
DZ
anod
catod
I
Zmax
U
Z
Au
z
Ai
z
TEMA 2 DIODA SEMICONDUCTOARE
Alte tipuri de diode
Dioda stabilizatoare (Zener)
factorul de stabilizare S
ies
in
u
u
S
A
A
=
Z
l
r
R
S + = 1
Dioda varicap
Cele dou straturi de sarcin separate
pot fi asimilate cu un condensator plan
ale crui armturi se ndeprteaz odat
cu creterea tensiunii inverse a diodei.




u
ies
i
DZ
i
s
i
Z
R
s
u
in
R
l
D
d
Bo
B
U
u
C
C

=
1
C
B
u
d
C
Bo
+
TEMA 2 DIODA SEMICONDUCTOARE
Alte tipuri de diode
Dioda tunel (Esaki)
Leo Esaki fizician japonez, laureat
al premiului Nobel n 1973 mpreun
cu B. Josephson i I. Giaver. A obinut
pentru prima dat efectul tunel n
1957.
efectul Zener poate fi obinut i la tensiuni pozitive mici

rezistena diferenial negativ
O
C
B
A
0
Ai
d
Au
d
i
d
u
d
curent tunel
curent de
injectie
dioda normala
TEMA 2 DIODA SEMICONDUCTOARE
Alte tipuri de diode
Dioda Schottky
jonciune de tip metal semiconductor (Si-n)
Dioda electroluminiscent (LED, Light Emitting Diode)
recombinare a unei perechi electron-gol
Material
[nm]
Culoare
GaAs 920 infrarou
GaAs
0,5
P
0,5
610 portocaliu
GaAs
0,15
P
0,85
590 galben
GaP 540 verde

R
E
i
d
u
d
u = 1,6V
d
i = 20 mA
d
lentila
plastic
transparent
0,35V
u
d
i
d
hv
TEMA 2 DIODA SEMICONDUCTOARE