DCE - Examen admitere MASTER la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte

Nume student:

Punctaj:
1


1. Curentul de drena (I
D
) la tranzistorul MOS depinde :
(a) de toate tensiunile tranzistorului V
GS,
, V
DS
, V
BS
; (b) numai de tensiunea V
GS
; (c)
numai de tensiunea V
DS
; (d) numai de tensiunea V
BS
; (e) de niciuna din tensiunile
tranzistorului; (f) de curentul de substrat

2. Tensiunea de prag a tranzistorului MOS :
(a) este limita intre blocare si conductie; (b) marcheaza intrarea in saturatie; (c)
marcheaza iesirea din saturatie; (d) este tensiunea de strapungere a jonctiunii drena -
substrat; (e) este tensiunea de strapungere a jonctiunii sursa-substrat; (f) este tensiunea
de strapungere a oxidului de poarta.

3. Antrenarea( inducerea ) canalului la tranzitorul MOS se realizeaza:
(a) prin polarizarea drenei cu V
DS
= V
T
; (b) prin polarizarea portii cu V
GS
= V
T
; (c) prin
modificarea temperaturii; (d) prin reducerea curentului de drena ; (e) prin strapungerea
oxidului; (f) prin .cresterea curentului de drena.

4. Tranzitorul MOS functioneaza si cu doua porti de comanda care sunt :
(a) G si S ; (b) G si D; (c) G si B; (d) B si S ; (e) D si S; (f) B si D.

5. Curentul de poarta ( i
G
) la tranzistorul MOS: (a) este neglijabil datorita oxidului dielectric;
(b) depinde de toate tensiunile tranzitorului ; (c) depinde semnificativ de V
DS
; (d) depinde
semnificativ de V
BS
; (e) depinde de I
D
;(f) depinde de curentul de substrat.

6. La tranzistorul MOS:
(a) poarta (grila) este electrodul de comanda; (b) drena este electrodul de comanda; (c)
sursa este electrodul de comanda; (d) substratul (B) este dispus pe oxid; (e) substratul
este intotdeauna conectat la sursa; (f) substratul este intotdeauna conectat la drena.

7. In zona activa ( de saturatie ) curentul de drena (I
D
) la tranzistorul MOS variaza : (a)
liniar cu V
GS
si parabolic cu V
DS
; (b) exponential atat cu V
GS
cat si cu V
DS
; (c) liniar cu
V
GS
si cu V
DS
; (d) exponential cu V
GS
si parabolic cu V
DS
; (e) liniar cu V
GS
si exponential
cu V
DS
; (f) liniar cu V
DS
si parabolic cu V
GS
.

8. Dintre parametri dinamici ai tranzistorului MOS fac parte marimile notate cu : (a) g
m
si
r
ds
; (b) i
d
; (c) v
gs
; (d) v
ds
; (e) I
D
; (f) V
T
.

9. Dintre parametri statici ai tranzistorului MOS fac parte marimile notate cu : (a) g
m
si r
ds
;
(b) I
D
; (c) V
GS
; (d) V
DS
; (e) V
BS
; (f) V
T
si k
n
.

10. Amplificatorul CASCOD cu tranzistoare MOS este compus din: (a) doua etaje in
succesiunea GC , SC ; (b) doua etaje in succesiunea SC , GC; (c) doua etaje in
succesiunea SC , DC ; (d) doua etaje in succesiunea GC , DC; (e) un etaj SC; (f) un
etaj GC;

11. Care din urmatoarele afirmatii legate de factorul geometric al tranzistorului MOS este
falsa : (a) se noteaza cu W/L; (b) se numeste si factor de aspect;(c) factorul de curent
DCE - Examen admitere MASTER la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
Nume student:

Punctaj:
2
(k
n(p)
) este direct proportional cu factorul geometric; (d) diferentiaza tranzistoarele nMOS
( sau p MOS) fabricate in aceiasi tehnologie; (e) se noteaza cu L/W ; (f) afecteaza
curentul de iesire al oglinzii de curent cu tranzistoare MOS.

12. Circuitul amplificator din fig.1a este echipat cu tranzistoare MOS cu aceiasi parametri:
2
( )
50 /
n p
k A V = si
1
( )
0.01
n p
V

= . Daca 100
D
I A = , castigul in tensiune este: (a) A
v
=
100; (b) A
v
= -100; (c) A
v
= 200; (d) A
v
= - 200 ; (e) A
v
= 50; (f) A
v
= - 50

13. Circuitul amplificator din fig.1b este echipat cu tranzistoare MOS cu aceiasi parametri:
2
( )
50 /
n p
k A V = si
1
( )
0.01
n p
V

= . Daca 100
D
I A = , castigul in tensiune este: (a) A
v
=
200; (b) A
v
= -100; (c) A
v
= 400; (d) A
v
= -400 ; (e) A
v
= 150; (f) A
v
= -50.

14. Etajul amplificator din fig.1c este echipat cu tranzistoare MOS cu aceiasi parametri:
2
) p ( n
V / A 100 k = si
1
( )
0.01
n p
V

= . Daca A I
D
200 = , castigul in tensiune este: (a) A
v
=
200; (b) A
v
= -100; (c) A
v
= 400; (d) A
v
= -400 ; (e) A
v
= 150; (f) A
v
= -50.

15. Etajul amplificator din fig.1b este echipat cu tranzistoare MOS avand :
1
( )
0.01
n p
V

= .
Daca A 200 I
D
= , rezistenta de iesire este: (a) 1
o
R M = ; (b) 2
o
R M = ; (c) 0, 5
o
R M = ;
(d) 0, 25
o
R M = ; (e) 4
o
R M = ; (f) 100
o
R k = .

16. Circuitul amplificator din fig.1c este echipat cu tranzistoare MOS avand:
1
( )
0.01
n p
V

= .
Daca A 25 I
D
= , rezistenta de iesire este: (a) 1
o
R M = ; (b) 2
o
R M = ; (c) 0, 5
o
R M = ;
(d) 0, 25
o
R M = ; (e) 4
o
R M = ; (f) 100
o
R k = .

17. Circuitul amplificator din fig.1d este echipat cu tranzistoare MOS avand:
2
) p ( n
V / A 100 k = si
1
( )
0.01
n p
V

= Daca A I
D
200 = , rezistenta de iesire este: (a) 1
o
R M = ; (b) 2
o
R M = ;
(c) 0, 5
o
R M = ; (d) 0, 25
o
R M = ; (e) 4
o
R M = ; (f) k R
O
10 .

18. Etajul amplificator din fig.1d este echipat cu tranzistoare MOS cu aceiasi parametrii:
2
( )
50 /
n p
k A V = si
1
( )
0.01
n p
V

= . Daca 100
D
I A = , castigul in tensiune este: (a) A
v
=
200; (b) A
v
= -100; (c) A
v
= 400; (d) A
v
= -400 ; (e) A
v
= 1; (f) A
v
-1.

19. Circuitul din fig. 1c este:
(a) un etaj de amplificare SC; (b) un etaj de amplificare GC; (c) o oglinda de curent; (d)
un etaj diferential; (e) un etaj de amplificare DC;(f) un amplificator cascod

20. Circuitul amplificator din fig.1a este echipat cu tranzistoare MOS avand:
1
( )
0.01
n p
V

= .
Daca 100
D
I A = , rezistenta de iesire este: (a) 1
o
R M = ; (b) 2
o
R M = ; (c)
0, 5
o
R M = ; (d) 0, 25
o
R M = ; (e) 4
o
R M = ; (f) 100
o
R k = ;
21. Circuitul din fig. 1a este echipat cu tranzistoare MOS cu :
2
( )
50 /
n p
k A V = . Daca
A 400 I
D
= , rezistenta de intrare este: (a) k 50 R
i
= ; (b) k 01 , 0 R
i
= ; (c) k 1 , 0 R
i
= ; (d) =
i
R ;
(e) k 10 R
i
= ; (f) k 100 R
i
= .
DCE - Examen admitere MASTER la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
Nume student:

Punctaj:
3
22. Circuitul din fig. 1b este echipat cu tranzistoare MOS cu :
2
( )
50 /
n p
k A V = . Daca
A 400 I
D
= , rezistenta de intrare este: (a) k 50 R
i
= ; (b) k 01 , 0 R
i
= ; (c) k 1 , 0 R
i
= ; (d) =
i
R ;
(e) k 10 R
i
= ; (f) k 100 R
i
= .

23. Circuitul din fig. 1d este echipat cu tranzistoare MOS cu :
2
( )
50 /
n p
k A V = . Daca
A 400 I
D
= , rezistenta de intrare este: (a) k 50 R
i
= ; (b) k 01 , 0 R
i
= ; (c) k 1 , 0 R
i
= ; (d) =
i
R ;
(e) k 10 R
i
= ; (f) k 100 R
i
= .

















Fig. 1

24. In schema din fig.2 V
DD
= 2V
GS2
= 3V si 10 R k = ; Curentul de referinta are valoarea:
(a) 100
R
I A = ; (b) 200
R
I A = (c) 300
R
I A = ; (d) 400
R
I A = ; (e) 150
R
I A = ; (f)
50
R
I A = ;

25. Sursa de curent din fig. 2 are 400
R
I A = . Daca Q
1
are factorul geometric de doua ori
mai mic in comparatie cu Q
2
curentul de iesire are valoarea (se neglijeaza efectul
scurtarii canalului pentru ambele tranzistoare): (a)
0
100 I A = ; (b)
0
200 I A = (c)
0
300 I A = ; (d)
0
400 I A = ; (e)
0
150 I A = ; (f)
0
50 I A = ;

26. Tranzistorul Q
1
din circuitul fig.2 are
1
0.01
n
V

= . Daca
0
200 I A = , rezistenta de iesire
este: (a) 1
o
R M = ; (b) 2
o
R M = ; (c) 0, 5
o
R M = ; (d) 0, 25
o
R M = ; (e) 4
o
R M = ; (f)
100
o
R k = ;

27. Tranzistoarele MOS din circuitul din fig.2 sunt identice si au :
1
0.01
n
V

= . Daca
200
R
I A = si V= 10 V (tensiunea de iesire) , curentul de iesire este : (a)
0
205 I A = ; (b)
0
200 I A = (c)
0
210 I A = ; (d)
0
220 I A = ; (e)
0
225 I A = ; (f)
0
215 I A = ;

DCE - Examen admitere MASTER la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
Nume student:

Punctaj:
4
28. Tensiunea de iesire minima pana la care oglinda de curent din fig.2 functioneaza corect
este : (a) V=V
GS1
; (b) V=V
GS1
V
T
; (c) V=V
GS2
; (d) V=V
DD
; (e) V=V
DS2
; (f) V=0 .











Fig.2

29. In circuitul din fig. 2 currentul de iesire este:
0
200 I A = pentru V V
DD
3 = si = k R 10 . Se
inlocuieste tranzistorul Q
2
cu o dioda Zener. Tensiunea diodei Zener pentru care
curentul de iesire ramane neschimbat este: (a) V
Z
= 1V; (b) V
Z
= 1,5V; (c) V
Z
= 2,5V; (d)
V
Z
= 2V; (e) V
Z
= 1,2V; (f) V
Z
= 3V.

30. In circuitul din fig. 2 curentul de iesire este
0
200 I A = iar Q
2
are un factor geometric de 4
ori mai mic decat Q
1
. Se inlocuieste grupul
DD
V , R cu o sursa de current ideala. Curentul
acestei surse pentru care curentul de iesire ramane neschimbat are valoarea (se
neglijeaza efectul scurtarii canalului pentru ambele tranzistoare): (a) A I
D
100 = ; (b)
A I
D
50 = ; (c) A I
D
200 = ; (d) A I
D
400 = ; (e) A I
D
800 = ; (f) A I
D
20 = .

31. Circuitul amplificator din fig.3 este echipat cu tranzistor MOS avand:
2
p
V / A 50 k = , 0 =
p
.
Daca A 100 I
D
= si = k R 100 castigul in tensiune este: (a) A
v
= 100; (b) A
v
= -100;

(c) A
v
= 10; (d) A
v
= -10 ; (e) A
v
= 150; (f) A
v
= -50.


Fig. 3


32. Circuitul amplificator din fig.3 este echipat cu tranzistor MOS avand: 0 =
p
. Daca
k 100 R = rezistenta de iesire este: (a) 1
o
R M = ; (b) 2
o
R M = ; (c) 0, 5
o
R M = ; (d)
0, 25
o
R M = ; (e) 4
o
R M = ; (f) k 100 R
O
= .

DCE - Examen admitere MASTER la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
Nume student:

Punctaj:
5
33. Circuitul amplificator din fig.3 este echipat cu un tranzistor MOS avand:
2
p
V / A 100 k = ,
0 =
p
. Daca A I
D
50 = rezistenta de intrare este: (a) k 50 R
i
= ; (b) = k R
i
200 ; (c)
= k R
i
25 ; (d) k 1 R
i
= ; (e) = k R
i
10 ; (f) k 100 R
i
= .

34. Circuitul cascod din fig. 4 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii:
2
( )
50 /
n p
k A V = si
1
01 , 0 , 0

= = V
p n
. Daca A 400 I
D
= , castigul in tensiune este: (a) A
v

= 200; (b) A
v
= -100; (c) A
v
= 5; (d) A
v
= -5 ; (e) A
v
= 50; (f) A
v
= -50.


35. Circuitul cascod din fig. 4 este echipat cu tranzistoare MOS cu :
2
( )
50 /
n p
k A V = . Daca
A 400 I
D
= , rezistenta de intrare este: (a) k 50 R
i
= ; (b) k 01 , 0 R
i
= ; (c) k 1 , 0 R
i
= ; (d) =
i
R ;
(e) k 10 R
i
= ; (f) k 100 R
i
= .

36. Circuitul cascod din fig. 4 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii:
1
01 , 0 , 0

= = V
p n
. Daca A 400 I
D
= , rezistenta de iesire este: (a) k 25 R
O
= ; (b)
2
o
R M = ; (c) 0, 5
o
R M = ; (d) 0, 25
o
R M = ; (e) 4
o
R M = ; (f) 1
o
R M = .


Fig. 4


37. Circuitul cascod din fig.4 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii:
2
( )
50 /
n p
k A V = si
1
01 , 0 , 0

= = V
p n
. Daca A 400 I
D
= , castigul in tensiune al primului
etaj este: (a) A
v1
= 1; (b) A
v1
= -1; (c) A
v1
= 100; (d) A
v1
= -100 ; (e) A
v1
= 50; (f) A
v1
= -5.

38. Circuitul cascod din fig.4 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametri:
2
( )
50 /
n p
k A V = si
1
01 , 0 , 0

= = V
p n
. Daca A 100 I
D
= , castigul in tensiune al etajului
grila-comuna este: (a) A
v2
= 1; (b) A
v2
= -1; (c) A
v2
= 100; (d) A
v2
= -100 ; (e) A
v1
= 50; (f)
A
v1
= -5.

39. In circuitul din fig. 4, tranzistoarele care amplifica sunt: (a) numai Q
1
; (b) Q
2
si Q
3
; (c)
numai Q
3
; (d) Q
1
si Q
2
; (e) Q
1
, Q
2
si Q
3
; (f) Q
1
si Q
3
.

DCE - Examen admitere MASTER la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
Nume student:

Punctaj:
6
40. Un tranzistor MOS are drena conectata la poarta. Daca A 25 I
D
= ,
2
/ 50 V A k
n
= si
1
02 , 0

= V
n
rezistenta dinamica echivalenta intre drena si sursa (r) este: (a) k 10 r = ; (b)
k 100 r = ; (c) = k r 20 ; (d) = M r 10 ; (e) M 4 r = ; (f) M 1 r = .

41. Un tranzistor MOS are sursa legata la poarta. A 25 I
D
= ,
2
/ 50 V A k
n
= si
1
02 , 0

= V
n

rezistenta dinamica echivalenta intre drena si sursa (r) este: (a) k 10 r = ; (b) k 100 r = ; (c)
= M r 2 ; (d) M 10 r = ; (e) M 4 r = ; (f) M 1 r = .

42. Rezistenta dinamica a diodei realizate cu un tranzistor MOS ce are G legat la D este:
(a)
m
g
1
; (b)
ds m
g g +
1
; (c)
ds
g
1
; (d)
2
) (
ds m
m
g g
g
+
; (e)
2
) (
ds m
ds
g g
g
+
; (f)
2
) (
m
ds
g
g
.

43. Rezistenta dinamica a diodei realizate cu un tranzistor MOS ce are G legat la S este:
(a)
m
g
1
; (b)
ds m
g g +
1
; (c)
ds
g
1
; (d)
2
) (
ds m
m
g g
g
+
; (e)
2
) (
ds m
ds
g g
g
+
; (f)
2
) (
m
ds
g
g
.

44. Conditia de semnal mic pentru tranzistorul MOS este: (a)
T GS gs
V V v << ; (b)
GS gs
V v << ;
(c)
T gs
V v << ; (d)
T GS gs
V V v < ; (e)
T GS gs
V V v >> ; (f)
T GS gs
V V v > .

45. Circuitul amplificator din fig.5 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii
2
/ 50 V A k
n
= ,
1
01 . 0

= V
n
. Daca A I
D
100 = castigul in tensiune este: (a) A
v
1;
(b) A
v
- 1; (c) A
v
= 10; (d) A
v
= -10 ; (e) A
v
= 0,1; (f) A
v
= -0,1.


Fig. 5


46. Etajul amplificator din fig.5 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii
2
/ 50 V A k
n
= ,
1
01 . 0

= V
n
. Daca A I
D
100 = rezistenta de iesire este: (a) 1
o
R M = ;
(b) 2
o
R M = ; (c) 0, 5
o
R M = ; (d) 0, 25
o
R M = ; (e) 4
o
R M = ; (f) k R
O
10 .

47. Circuitul amplificator din fig.5 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii
2
/ 50 V A k
n
= ,
1
01 . 0

= V
n
. Daca A 500 I
D
= rezistenta de intrare este: (a) = k R
i
50 ;
(b) =
i
R ; (c) = k R
i
1 , 0 ; (d) = k R
i
1 ; (e) = k R
i
10 ; (f) = k R
i
100 .
DCE - Examen admitere MASTER la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
Nume student:

Punctaj:
7

48. Care din amplificatoarele echipate cu transistor MOS au rezistenta de intrare la semnal
mic si frecvente joase, finita: (a) etajul SC; (b) etajul GC; (c) etajul DC; (d) amplificatorul
cascod; (e) etajul SC si amplificatorul cascod; (f) etajul DC si amplificatorul cascod.

49. Un transistor nMOS este blocat daca: (a) V
T
< V
GS
; (b) V
T
>V
GS
; (c) V
T
< V
DS
;
(d) V
T
> V
DS
; (e) pentru orice V
GS
; (f) V
DS
> 0.

50. Un transistor nMOS este conductie daca: (a) V
T
< V
GS
; (b) V
T
>V
GS
; (c) V
GS
< 0;
(d) pentru orice V
GS
; (e) V
GS
=0; (f) V
DS
= 0.