zona de valenta

zona de conductie
w
zona
interzisa
F
ig. 1
- Efectul Hall la semiconductori -
Efectul Hall la semiconductori Efectul Hall la semiconductori
1. Definirea fenomenului fizic i a mrimilor studiate
n urma interaciunilor purttorilor de sarcin n micare cu un cmp magnetic extern iau natere n
conductori sau semiconductori aa numitele efecte galvanometrice. Acestea se manifest prin
apariia unor tensiuni electromotoare sau al unui gradient de temperatur paralele efecte
longitudinale! sau perpendiculare efecte transversale! cu procesul electric iniial.
1. "xist dou efecte galvanometrice transversale#
a.) efectul $all
b.) efectul "ttings%ausen& care apare simultan cu efectul $all i const n apariia unei
diferene de temperatur n urma aciunii cmpului magnetic asupra purttorilor de sarcin care
ntrein curentul ntr'o lamel de material conductor sau semiconductor i normal pe direcia de
micare a acestora.
2. (ele dou efecte galvanometrice longitudinale sunt#
a.) efectul de variaie al rezistenei n cmp magnetic
b.) efectul "ttings%ausen')erst& care const n apariia unei tensiuni electromotoare ntre
dou fee ale unei lamele rectangulare traversate de un flux termic atunci cnd asupra acesteia
acioneaz un cmp magnetic normal la direcia fluxului termic. Acest efect poate fi i transversal.
Efectul Hall const n apariia unei tensiuni numit tensiune $all atunci cnd un conductor sau
semiconductor traversat de un curent electric este plasat ntr'un cmp magnetic perpendicular pe
direcia curentului.
*emiconductorii sunt materiale la temperatura o+inuit se gsesc n stare solid germaniu&
siliciu& telur& seleniu sau compui ca# oxizi& sulfuri& seleniuri ale diferitelor metale! Acetia posed
aproximativ 1,
1-
purttori de sarcin pe m
.
i

au conductivitatea electric cuprins ntre 1,
'1,
i
1,
.
m!
'1
.
(onductivitate electric a semiconductorilor este aadar mic& dar crete cu temperatura i este
puternic influenat de defectele existente n structura reelei cristaline.
*emiconductorii fr impuriti se numesc i semiconductori intrinseci& iar cei cu impuriti se
numesc i semiconductori extrinseci.
(aracteristica de +az a semiconductorilor intrinseci
const n aceea c conductivitatea lor electric se
datoreaz procesului de trecere prin salt cuantic al
electronilor din zona de valen n zona de conducie.
/entru a realiza saltul& electronul tre+uie s'i mreasc
energia cu cantitatea 0& care reprezint energia de
activare& adic lrgirea zonei interzise fig. 1.!. n urma
acestui salt rmn goluri pozitive care tind s fie ocupate
de ctre electronii de pe nivelele inferioare. Aceasta duce
la o deplasare a golurilor spre nivelele inferioare. *u+
aciunea cmpului electric& n micarea diri1at pe care o
efectueaz& cele dou tipuri de purttori de sarcin&
datorit valorii diferite a maselor lor efective& vor avea mo+iliti diferite.
1
- Efectul Hall la semiconductori -
2ac se noteaz cu# n 3 concentraia electronilor li+eri& n 3 mo+ilitatea electronilor li+eri& p 3
concentraia golurilor& p 3 mo+ilitatea golurilor& e 3 sarcina electric& care este aceeai n cazul
am+ilor purttori de sarcin& atunci conductivitatea electric total a semiconductorilor este#
p n
pe ne + =
1!
n cazul semiconductorilor intrinseci& ntre electrnii atomului de impuritate i electronii atomului
cristalului de +az au loc legturi covalente. 2ac atomii de impuritate au un numr de electroni de
valen mai mare ca atomul de +az& atomul de
impuritate cedeaz electronul i poart denumirea
de atom donor& rmnnd su+ form de ion pozitiv
legat n reeaua cristalului. "lectronul necuplat al
atomului de impuritate se mic n semiconductorul
n care este introdus pe o or+it foarte mare care
depete c%iar valoarea constantei reelei. "nergia
sa de ionizare este foarte mic& ceea ce permite
acestui electron s poat prsi cu uurin or+ita
sa. 2in punct de vedere energetic& totul apare ca i
cum ntre zona de valen i zona de conducie& deci
n zona interzis a cristalului exist un nou nivel
energetic permis& denumit nivel adiional fig. 4.!
ce este plasat mult mai aproape de zona de
conducie& deoarece energia de activare a atomului
de impuritate este mult mai mic dect cea
corespunztoare cristalului de +az.
2atorit acestui fapt& electronii de valen ai atomului de impuritate trec cu uurin n zona de
conducie a cristalului de +az& devenind electroni li+eri de conducie. (onducia electric este de
natur electronic& de tip n.
2ac semiconductorul de +az este dopat cu
impuriti trivalente de ex. indiu!& atunci atomul
trivalent de impuritate captureaz un electron de la
un atom nvecinat& devenind un ion negativ legat n
reeaua cristalului& genernd un gol atomului reelei
de la care a capturat electronul.
5eprezentnd energetic acest proces acceptor se
o+serv apariia unui nivel permis adiional ntre
zona de valen i zona de conducie a
semiconductorului de +az& plasat ns n imediata
vecintate a zonei de valen fig. ..!. /rin trecerea
unui electron din zona de valen pe nivelul adiional
acceptor& n zona de valen apare un gol. Acesta
migreaz n cadrul reelei& constituind un purttor de sarcin li+er pozitiv. *emiconductorii cu
impuriti acceptoare prezentnd o conducti+ilitate electric prin goluri poart denumirea de
semiconductori de tip p.
6aloarea conducti+ilitii electrice a unui semiconductor depinde de am+ele tipuri de purttori de
sarcin.
4
zona de valenta
zona de conductie
nivel aditional
Fig
. 4
zona de valenta
zona de conductie
nivel aditional
7
Fig. .
- Efectul Hall la semiconductori -
2ensitatea de curent ce apare n urma aciunii unui cmp electric are valoarea#
( ) E p n q E j
p n

+ = =
4!
/e +aza efectului $all se pot determina pentru semiconductori# semnul purttorilor de curent&
mo+ilitatea purttorilor de curent i concentraia purttorilor de curent
2. Descrierea fenomenului fizic
* presupunem o plac dreptung%iular semiconductoare n care lungimea este mult mai mare dect
grosimea. *e va presupune iniial c conducti+ilitatea se datoreaz micrii sarcinilor pozitive fig.
8+.!.
Aceste sarcini se mic n sensul convenional al curentului i cmpul magnetic perpendicular pe
planul fig. 8+.! exercit asupra lor o for ( ) B v q F

= . *u+ aciunea acestei fore sarcinile

electrice se plaseaz ca n fig. 8+. i deci apare cmpul E

. Fora exercitat de cmpul E

ec%ili+reaz fora 9orentz. (orespunztor acestui cmp apare o diferen de potenial a crei mrime
i sens poate fi determinat prin msurare.
2ac conducti+ilitatea se realizeaz prin sarcini negative& se o+ine situaia din fig. 8c. /rin urmare&
dup semnul diferenei de potenial care apare ca urmare a efectului $all se poate determina dac
conducti+ilitatea se realizeaz prin goluri sau electroni. Alegnd un sistem de coordonate ca n fig.
8c.& avem#
z x
B qv qEy =
.!
unde vx este viteza de drift& cu expresia#
.
:
x
;
z
A
<
a!
7 '
: A
<
(
F
v
<
"
=
7
'
7
' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' '
x
+!
"
: A
<
(
<
=
=
<
x
7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 77 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7
' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' '
F
v
c!
Fig. 8
- Efectul Hall la semiconductori -
> m
qE
v
x
= 8!
nlocuind 8! n .!& o+inem#
z x H z x y
B E R B E
m
q
E =

=
>
?!
unde s'a fcut notaia# =

H
R
m
q
>
2eoarece n cadrul teoriei 2rude'9orentz se o+ine din 4!#
>
4
,
m
q n
=
@!
se o+ine pentru RH constanta $all! expresia#
q n m
q
R
H
,
1 1
>
=

=
A!
2ac conducia se realizeaz prin electroni& atunci n A! se va lua
e q =
i dac se realizeaz prin
goluri se va lua
e q + =
.
(unoscnd conductivitatea B a pro+ei folosite&

=
1
& componenta
d
U
E
x
=
determinat de
diferena de potenial msurat la capetele pro+ei& inducia Bz a cmpului magnetic aplicat i
determinnd Ey prin msurarea diferenei de potenial care apare datorit efectului $all& din ?! se
poate evalua constanta $all& RH. Cre+uie remarcat c constanta $all va fi negativ dac conducia se
realizeaz prin electroni i pozitiv dac conducia se realizeaz prin goluri. 2in relaia A! se poate
determina apoi no& concentraia purttorilor.
n afar de aceste mrimi& cu a1utorul efectului $all se poate determina i mo+ilitatea purttorilor de
sarcin deoarece din 4! pentru conducia realizat de un singur tip de purttori#
,
n q =
deci
=

=
H
R
qn
,
-!
n semiconductorii cu am+ele tipuri de conducie& constanta lui $all are expresia#
( )
4
4 4
n p
n p
H
n p q
n p
R
+

=
D!
8
- Efectul Hall la semiconductori -
unde n i p sunt densitatea de goluri i de electroni.
2ac semiconductorul este intrinsec& p=n i deci D! devine#
( )
4
n p
n p
H
nq
R
+

=
1,!
3. Descrierea instalaiei experimentale
n aceast lucrare& se determin tensiunea $all pentru dou pro+e#
- o pro+ de siliciu dopat cu purttori de tip p
- o pro+ de germaniu dopat cu purttori de tip n
n acest scop s'au construit celule $all care conin eantionul i cele patru contacte# dou pentru
trecerea curentului de intensitate I prin pro+ i dou pentru determinarea tensiunii $all fig. 8a.!.
Montajul experimental const din dou pri#
1. (ircuitul de alimentare al electromagnetului 0eiss este compus dintr'un autotransformator de tip
"< i un redresor cu patru diode n punte fig. ?!.
(urentul continuu de intensitate Iw produce n electromagnet un cmp magnetic de inducie B.
=nducia se msoar fie cu un teslometru& fie se citete pe cur+a de etalonare B=f(Iw pentru o
poziie fix a pieselor polare ale electromagnetului.
2. (ircuitul de alimentare pentru sta+ilirea curentului care trece prin pro+ este alctuit dintr'o
surs de curent continuu& un instrument de msur a intensitii curentului i un reostat 5 care
regleaz intensitatea curentului prin pro+. (urentul prin pro+ poate fi maximum 4, mA.
4. Modul de lucru
/entru efectul $all la semiconductori se determin#
?
AEC:C5A)*F:5FAC:5
/5:<A
de
*CE2=AC
G
44
A
,'8 A
<:<=)"9" 0"=**
=w
mA
,'4, mA
6
,'8, 6
,',&1 6 ,'1 6
6
Fig. ?
- Efectul Hall la semiconductori -
1.

=
1
din msurarea rezistenei o%mice a semiconductorului.
2. *e determin tensiunea $all i deci natura purttorilor din semnul tensiunii $all& cu un
voltmetru electronic cu afi numeric.
3. *e determin R din relaia ?!.
4. *e determin ! din relaiile -!.
*e cunosc& pentru semiconductorul din germaniu#
dH1&?.1,
'.
m 'grosimea pro+ei
lH11. 1,
'.
m 'lungimea pro+ei
sH@. 1,
'@
m
4
'seciunea pro+ei
iar pentru semiconductorul din siliciu#
dH..1,
'8
m 'grosimea pro+ei
lH18. 1,
'.
m 'lungimea pro+ei
sH1&?. 1,
'@
m
4
'seciunea pro+ei
5. Prezentarea rezultatelor lucrrii
*e variaz B

i curentul prin pro+ minimum . valori!I se o+in rezultatele cerute n paragraful 8.

*e evalueaz eroarea relativ a mrimilor msurate prin metoda diferenialei logaritmului.
Ca+el de date experimentale
)r.(rt. Jm"K !J#K "J$K !HJ#K 5JK J
%&
m
%&
' 5$J#m($"K nJm
%)
K Jm
*
(#+K
1
4
.
8
?
@
A
-
D
1,
@