Lucrarea 2 Pagina |1

DIODASEMICONDUCTOARE

1. Scopullucrrii:
Determinarea principalilor parametri ai diodelor semiconductoare i studiul comportrii lor n circuitele
elementare.
2. Noiuniteoretice
Circuitele electrice sunt, ntro anumit msur, similare celor pneumatice sau hidraulice. Astfel, o funcie
esenial n aceste circuite este permiterea curgerii fluidului (curentului electric) numai ntrun anumit sens. Ea
este realizat cu dispozitive numite supape (diode). De unde tiu supapele sensul n care fluidul are tendina s
circule pentru a decide dac sl lase, sau nu, s treac? Simplu: fluidul curge de la presiune (potenial) mare la
presiune mic, iar supapele sesizeaz tocmai aceast diferen de presiune (diferen de potenial), deoarece ea este
proporional cu fora net exercitat de fluid asupra supapei. Dac fora are sensul corect i dac mrimea ei
depseteoanumitvaloaredeprag,supapasedeschideifluidulpoatestreac.
n circuitele electronice, aceeai funcie este ndeplinit de ctre diode (Figura 1). Dioda conduce numai
ntrunsens:delaanodlacatod.

polarizaredirect polarizareinvers

Fig.1.Diodasemiconductoare:polarizaredirect,respectivpolarizareainvers

i
D
= I
0
e
(
kT
qu
d
1
)
= I
0
e
(
u
d
u
T
1
)
(2.1)

Caracteristica static reprezint dependena teoretic curenttensiune a unei diode semiconductoare,

dedusprinanalizafenomenelorfizicenjonciuneaPNidealceauloclaaplicareauneitensiunidinexterior.
Semnificaiamrimilordinformuleste:
I
0
curentulinversdesaturaiealdiodei
u
D
tensiuneadepolarizare
kconstantaluiBoltzman
qsarcinaelectronului
TtemperaturangradeKelvin
factordeidealitate/coeficientdeemisie
u
T
tensiuneatermic,u
T
=q/kT.

Lucrarea 2 Pagina |2

Fig.2.Caracteristicastaticadiodeisemiconductoare

Tensiunea termic u
T
, la temperatura camerei, este egal cu 25 mV. Curentul de saturaie I
o
este dependent
de parametrii fizici, tehnologici i geometrici ai jonciunii PN. Valorile uzuale ale curentului de saturaie sunt: 10100
nApentrudiodadinsiliciudemicputere.
Observaie: I
o
este direct proporional cu aria junciunii, drept urmare, pentru o diod de putere mai mare
(ce va avea aria jonciunii mai mare), I
o
va avea o valoare mai mare, nemaiputnd fi neglijat n cazul anumitor
aplicaii.

La cureni direci de ordinul 110 mA (valori des ntlnite n practic) tensiunea direct pe diod (u
D
) este de
0,2 0,3 V pentru diodele din germaniu respectiv 0,6 0,8V pentru diodele din siliciu. n conducie direct, curentul
crete exponenial, valoarea sa multiplicnduse cu 10 la fiecare cretere a tensiunii de 120mV (la diodele
dinsiliciu).

Coeficientul de emisie depinde de locul din structura diodei unde are loc o anumit faz a mecanismului
intern de transport al curentului i are valoarea cuprins ntre 1 i 2 (pentru siliciu este mai aproape de 2). Acesat
valoaredifernfunciedemrimeacurentuluiprindiod.
La tensiuni directe mai mari, caracteristica static tinde s se liniarizeze datorit cderilor de tensiune pe
zoneleneutrealejonciuniiPN,carenumaipotfineglijate.

DeterminareamrimilorI
0
i
Sereprezintecuaiadiodeisemiconductoarelascarsemilogaritmic(canFigura3).
Pe abscis se reprezint tensiunea aplicat pentru conducie direct la scar liniar i pe ordonat curentul
prindiodlascarlogaritmic.
Panta dreptei astfel obinute permite deducerea coeficientului . n relaia (2.1) se neglijeaz I
0
i se

logaritmeaz,dupcaresefaceseparareadevariabilepentruobinerearelaieilui(2.2)
Prinprelungireaaceleiaidrepte,lainterseciacuaxaordonatei,seobinecurentuldesaturaieI
0
.

= u
T
1
2.3
u
D
lgi
D
(2.2)

Lucrarea 2 Pagina |3

Fig.3.Caracteristicastaticadiodeilapolarizaredirect,lascarsemilogaritmic

Punctul static de funcionare

n circuitele electronice, diodele semiconductoare pot ndeplini mai multe funcii (redresare, detecie, limitare,
etc.),nmultesituaiifiindnecesarstabilireaunuiregimstaticdefuncionare.

Fig.4. Circuit pentru determinarea punctului static de funcionare al diodei

Fig. 5. Determinarea teoretic a punctului static de funcionare al diodei

Lucrarea 2 Pagina |4

Pentru circuitul elementar din Figura 5 punctul static de funcionare se determin prin rezolvarea
grafoanalitic a sistemului de ecuaii format din ecuaia caracteristicii statice a diodei (2.1) i ecuaia dreptei
statice de funcionare :
u
D
= E R i
D
(2.3)
Punctul static de funcionare M are coordonatele U
D
i I
D
, iar n acest punct de funcionare dioda este
caracterizat,dinpunctdevederealsemnalelorlentvariabile,printrorezistendinamic.
Rezistenadinamic

Fig.6.Definirearezisteneidinamice

Atunci cnd curentul sufer variaii relative mici ( ), putem considera c poriunea de i /i
D D
1
caracteristic pe care se deplaseaz punctul static de funcionare este, practic, o linie dreapt (Figura 6) i putem
introducerezistenadinamicfolosindlegealuiOhm:
r =
di
D
du
D
=
i
D
u
T
(2.4)

Observm c este invers proporional cu valoarea curentului de repaus (este curentul prin diod la un
momentntimp),rezultcladiodeledinsiliciu:

r
i
D
50mV
(2.5)

La valori mici ale curenilor (i

D
= 1 mA), rezistena dinamic are valori mici: pentru = 2, r = 50 . La

curenimari(i
D
=100mA)rezistenadinamicscadeimaimult,devenindr=0.5.

ATENIE: Rezistena dinamic a diodei se calculeaz cu ajutorul legii lui Ohm dac i numai dac dioda se
aflntrunpunctstaticdefuncionare!Eavariazinfunciedepunctulstaticdefuncionare(U
D
iI
D
)!

Lucrurile se complic atunci cnd n jurul punctului static de funcionare intervin i semnale sinusoidale.
AceastsituaieestereprezentatnschemadinFigura7.
Sursa de tensiune DC i rezistena R1 sunt folosite pentru stabilirea PSFului. La acestea se adaug sursa
de tensiune AC (pentru a varia U
D
i I
D
n jurul PSF) i condensatorul C1 pentru a realiza cuplarea acesteia.
Rezistena R2 este introdus pentru a forma un divizor de tensiune rezistiv ce va facilita calculul rezistenei
dinamice. Condensatorul C2 este utilizat pentru decupla ieirea divizorului (n acest fel obinem un semnal sinudoidal
froffset).



Lucrarea 2 Pagina |5

Formuladecalcularezisteneidinamiceseextragedinrelaia:

U
o
=
R2+R1||r
AC (R1||r)
RMS
(2.6)

Observaie:Pentrudeducereaformulei(2.6)sefoloseteprincipiulsuperpoziiei.

Fig.7.Circuitpentrudeterminarearezisteneidinamice

RegimstaticRegimdinamic
Fig.8.Circuiteobtinuteprinaplicareaprincipiuluisuperpozitiei

Polarizareinvers
La polarizare invers, curentul prin dioda ideal este nul. n realitate, la polarizare invers, regiunea de
sarcin spaial se mrete i apare un curent de generare, dependent de tensiunea aplicat, astfel c, n conducie
invers, curentul unei diode variaz cu tensiunea aplicat (putnd crete de cteva ori). Curenii inveri sunt de
ordinulzecilordenApentrudiodeledinsiliciu.
Dac modulul tensiunii inverse depete o valoare numit tensiune de strpungere, curentul invers I
0

crete brusc cu tensiunea (Figura 2), valoare lui fiind limitat numai de circuitul exterior. Exist dou mecanisme
care contribuie la fenomenul de strpungere: efectul Zener (dominant pentru tensiuni de strpungere mai mici de 5



Lucrarea 2 Pagina |6

V) i efectul de multiplicare n avalan (dominant dac tensiunea de strpungere este mai mare de 8 V). Cnd
tensiuneadestrpungereestentre5i8V,fenomenularelocprinambelemecanisme.
Observaie: Fenomenul Zener reprezint smulgerea de purttori din reea prin cmpul electric impus.
Fenomenul de multiplicare n avalan se suprapune peste fenomenul Zener i presupune creterea semnificativ a
numrului de purttori de sarcin. Acest lucru se ntmpl prin generarea de purttori n semiconductor (diod),
accelerarealorncmpulelectricimpusiciocnireacualielectroni.

DiodaZener(stabilizatoaredetensiune)
Diodele stabilizatoare de tensiune (impropriu, dar frecvent denumite diode Zener) sunt caracterizate printro
tensiune de strpungere bine definit, ca urmare a efectului de multiplicare n avalan ce determin o cretere
foarte puternic a curentului invers n zona de strpungere. Tensiunea de strpungere este controlat prin
concentraia de impuriti. Funcionarea normal a diodei se face n zona reprezentat n Figura 9 (caracteristica
static, att cea direct ct i cea invers). Aceasta permite nelegerea noiunii de tensiune stabilizat, precum i
determinarearezisteneidinamiceadiodei,r
Z
,conformrelaiei:

r
Z
=
I
Z
U
Z
(2.7)

Fig.9.CaracteristicastaticadiodeiZener

DiodaSchottky
Diodele Schottky se realizeaz prin jonciune metalsemiconductor. La contactul metalsemiconductor se
formeaz o barier de potenial i o regiune de sarcin spaial extins numai n semiconductor. Astfel, dioda
Schottkyfuncioneaznumaicupurttorimajoritari,electronincazulsemiconductoruluidetipNigoluripentruP.
Laechilibrutermodinamic,curentulprindiodestenul.
La polarizare direct (u
D
> 0) bariera de potenial se micoreaz i apare un curent prin jonciune, prin
deplasareaelectronilordinsemiconductornmetal.

,cu1. i
D
= I
0
e
(
kT
qu
d
1
)
(2.8)
Lapolarizareinvers(u
D
<0) bariera de potenial crete, iar fluxul de electroni de la semiconductor spre
metalscadefoartemult.Nuexistcurentrezidual.



Lucrarea 2 Pagina |7

Proprieti:
cdere de tensiune direct mai mic (0,4V Schottky) n comparaie cu o diod semiconductoare de
tipPN(0,6VdioddeSiliciu)
funcionarefoartebunlafrecvenemariitimpidecomutaiefoartemici(maimicide100ps).
Explicaia: spre deosebire de diodele din siliciu care nu prezint purttori de sarcin n regiunea golit,
diodele Schottky nu au o astfel de regiune, rezult c nu exist recombinri intre purttorii de tip N i P, deci nu
existzonegolitedepurttoridesarcin.

Diodaelectroluminiscent(LEDLightEmittingDiode)
LEDurile sunt realizate din jonciuni GaAs, semiconductor ce are banda interzis de circa 1,6 1,7 eV. Ca
urmare a recombinrilor directe, se emit cuante de lumin n spectrul vizibil, cu diferite culori, n funcie de lungimea
de und a luminii emise. Diferite lungimi de und se obin prin adugarea de impuriti n procesul de dopare. Diodele
electroluminiscentefuncioneazdoarlapolarizaredirect,lacurenideordinuli
D
=20mA.

Culori i materiale RGB

Culoare
Lungime de und
(nm)
Tensiune (V) Material
Rou (R) 610 < < 760 1,63 < V < 2,03
AlGaAs
GaAsP
AlGaInP
GaP
Verde (G) 500 < <570 1,9 < V < 4
InGaN / GaN
GaP
AlGaInP
AlGaP
Albastru (B) 450 < < 500 2,48 < V < 3,7
ZnSe
InGaN
SiC ca substrat

Seobservctensiuneadirectcorespunztoareestemaimaredectceaadiodelordesiliciu.

Puntearedresoare
Puntea redresoare (redresor bialternan) este format din 4 diode poziionate ca n Figura 10 i unul sau
mai multe condensatoare. Rolurile acestui circuit sunt de a menine polaritatea semnalului de ieire indiferent de
polaritatea semnalului de intrare i de a converti curentul alternativ n curent continuu. Fr acest circuit utilizarea
echipamentelor electronice este imposibil, pentru c reeaua electric ofer curent alternativ, iar acestea
funcioneazdoarncurentcontinuu.

Lucrarea 2 Pagina |8

Fig.10.Redresorulbialternan

n funcie de polaritatea tensiunii de intrare, diodele din circuit se nchid i se deschid conform figurilor de
maijos:

U
in
>0U
in
<0

Fig.11.Funcionarearedresoruluibialternan

Acest circuit poate avea ca echivalent matematic funcia modul. Totui, trebuie s inem cont de cderile de
tensiune de pe diodele din puntea redresoare. Acestea au ca efect reducerea amplitudinii semnalului de la ieirea
redresorului.

Semnaldeintrare(V
in
)SemnaldeieireV
out
(frcondensator)

Fig.12.Efectultensiuniidirectedepediode(V
D
)asupraamplitudinii
semnaluluidelaieirearedresorului

Observaie: Prezena unui condensator la ieirea circuitului este necesar pentru a evita fluctuaiile
tensiunii de ieire. Ca regul general, cu ct valoarea condensatorului este mai mare cu att fluctuaia lui Vout este
maimic.Aceastaesteinfluenatidecurentuldelaieireacircuitului.



Lucrarea 2 Pagina |9

Fig.13.SemnaldeieireV
out
(cucondensator)

Regulidealegereavaloriicondensatorului:
1. ,unde: R
S
C
f
1

R
S
este rezisten echivalent a circuitului conectat ntre bornele ( + ) i ( ) ale circuitului
deredresare(msuratin)
Cestevaloareacapacitiidelaieireacircuitului(msuratnFarazi)
festefrecvenasemnaluluisinusoidaldeintrare(masuratnHz)
2. ,unde: V =
2fC
I
sarcin

Cestevaloareacapacitiidelaieireacircuitului(msuratinFarazi)
festefrecvenasemnaluluisinusoidaldeintrare(msuratinHz)
I
sarcin
este curentul de la ieirea circuitului de redresare i depinde de R
s
(rezistena de
sarcinconectatlaieireaacestuia)
V msoar fluctuaia semnalului de ieire i este egal cu diferena dintre valoarea sa
maximsiceaminim.

Fig.14.Calcululfluctuaieiiesiriiinfunciedetimp

figuri:
Fig.10:
http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/1/1d/Diode_bridge_smoothing.svg/600pxDiode_bridge_smoo
thing.svg.png
Fig.11:http://en.wikipedia.org/wiki/Diode_bridge

Lucrarea 2 Pagina |10

4. DESFURAREALUCRRII

Fig.15.Montajuldelaborator

In cadrul lucrrii curente, se va utiliza un al doilea montaj, ce constituie o surs de curent. Acesta se va
alimentala16VntreborneleINsiGND.

1. Ridicareacaracteristicilordirecte
Ridicarea caracteristicilor directe se realizeaz cu montajul din Figura 16. Curentul prin diod se msoar
cu miliampermetrul analogic, pe o scar corespunztoare de cureni, iar tensiunea la bornele diodei cu voltmetrul
digital.
Pentru realizarea montajului, sursa de curent se conecteaz la (+)ul miliampermetrului, borna () a
miliampermetrului la (+)ul diodei. Sursa de curent se alimentez din sursa de tensiune cu 16 V. Atenie la dioda
stabilizatoaredetensiune:montajulvafidiferitfademontajulfolositlacelelaltediode.
Reglai curentul la valori pentru care se poate face o reprezentare comod la scar logaritmic, adic
multiplii i submultiplii zecimali ai numerelor 1, 2 i 5 (ai cror logaritmi zecimali sunt, aproximativ, 0, 0.3, respectiv
0.7).Maiexact,sevafolosisetuldevalori:0,1mA,0,2mA,0,5mA,1mA,2mA,5mA,10mA.

2. Trasareacaracteristiciistaticelascarsemilogaritmic
Trasai caracteristicile statice ale diodelor la scar semilogaritmic (ca n Figura 3) i determinai parametrii
I
0
i.



Lucrarea 2 Pagina |11

Fig.16.Montajpentruridicarea Fig.17.Montajpentru Fig.18.Montajpentru

caracteristicilordirecte determinareaPSF msurareacurentului
inversI
0

3. DeterminareaPSF
3.1. Metodagrafoanalitic
Trasai caracteristicile la scar liniar pentru fiecare diod. Pe acelai grafic trasai i dreapta static de
funcionare (ecuaia (2.3), cu E = 5V i R = 1k) i determinai punctul static de funcionare M (prin precizarea
coordonatelorsale,U
D
iI
D
)canFigura5.

3.2. MsurareI
D
,U
D

Se realizeaz circuitul din Figura 17 pentru fiecare diod cu E = 5V i R = 1k i se msoar mrimile

caracteristice punctului static de funcionare, U
D
i I
D
, i se compar rezultatele cu cele obinute prin metoda

grafoanaliticlapunctulprecedent.AtenielaconectareadiodeiZener!.

4. MsurareacurentuluiinversI
0

Cu montajul din Figura 18 se msoar curentul invers prin diodele de Si la tensiunile E = {0, 5V, 10V,
20V}.Comparailcucelobinutprinmetodagrafoanalitclapunctul2.

5. Msurarearezisteeidinamice
Se dorete msurarea rezistenei dinamice a diodelor de Si pentru un curent de aproximativ 4mA, pentru un
semnalde1V
RMS
,laofrecvende3kHz.
SerealizeazmontajuldinFigura7.
ATENIE: Sursa de tensiune continu va fi setat la 5V, i conectat ntre A1 i GND, respectiv A2 i
GND.SursadesemnalsevaconectantreU
i
iGND.
NUconectaisursadesemnalnparalel(mpreun)cusursadetensiune!
Montajul echivalent n regim dinamic este prezentat n Figura 8. Astfel, se poate calcula valoarea
rezisteneidinamicecuformula:

,pentruR
1
=R
2
=R r =
U R R
o 1 2
U R U (R +R )
i 1 o 1 2
r =
U R
o
U 2U
i o
(2.55)

Lucrarea 2 Pagina |12

6. CaracteristicainversadiodeiZener
Se msoar caracteristica invers a diodei Zener cu montajul din Figura 18, pentru tensiuni (E) ntre 5 V i
20 V. Se traseaz caracteristicile invers i direct a diodei Zener (vezi Figura 9), la scar liniar. Pentru trasarea
caracteristiciidirectefolosiivdemsurtoriledelaexerciiul1.
n punctul static de funcionare caracterizat prin I
Z
= 10 mA, se determin rezistena dinamic cu relaia
(2.4),msurndtensiuneapediodlacurenii:I
Z
=5mAiI
Z
=15mA.

Fig.18.MontajpentrudeterminareacaracteristiciidiodeiZener

7. Redresorulbialternan
Seregleazgeneratoruldesemnallafrecvenade60Hziamplitudineantre5si11Vpp.
Sedeconecteazcondensatoareledelaieirearedresorului.
Se conecteaz ieirea generatorului de semnal la bornele AC1 i AC2, iar osciloscopul la bornele VR+ i
VR.
Msurai amplitudinea Vpp a semnalului de ieire i justificati de ce este mai mic dect jumatate din
amplitudineaVppasemnaluluideintrare.
Observatie! Nu msurai semnalul de intrare i semnalul de ieire n acelai timp! Sondele
osciloscopuluiauGNDcomunsiveipunepunteadediodeinscurtcircuit.
Conectai condensatoarele de 10uF, respectiv 100uF, la ieirea circuitului i menionai care dintre acestea
asigurofluctuaiemaimicasemnaluluideieire.