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I. INTRODUCCIN
Una etapa de salida es un circuito electrnico analgico que
usa transistores. Este circuito tiene como funcin reducir la
resistencia de salida de un circuito ms complejo para que
pueda entregar una seal de salida a la carga sin prdida de
ganancia. En este tipo de circuitos la linealidad es un
parmetro muy importante. Una medida necesaria en este tipo
de circuitos es la distorsin armnica total (THD) que
introduce. El requisito ms complejo en el diseo de la etapa
de salida es que entrega la cantidad pedida de potencia a la
carga de una manera eficiente, lo cual implica que la potencia
disipada en los transistores de la etapa de salida debe ser tan
baja como sea posible.
Las etapas de salida se clasifican de acuerdo con la forma de
onda de corriente de colector que resulta cuando se aplica una
seal de entrada. En la figura uno se puede observar la
clasificacin para el caso de una seal de entrada senoidal.
La etapa clase A, tiene la forma de onda que se muestra en la
figura 1(a), est polarizada a una corriente Ic mayor que la
amplitud de la corriente de seal, entonces, el transistor
conduce durante todo el ciclo de la seal de entrada. Por otra
parte, la etapa clase B, cuya forma de onda se muestra en la
figura 1(b), esta polarizado a cero corriente de cd. As, un
transistor conduce durante slo la mitad del ciclo de la onda
senoidal de entrada. Las mitades negativas de la onda senoidal
sern producidas por otro transistor que tambin opera en el
modo de clase B y conduce durante semiciclos alternados. La
etapa clase AB, implica la polarizacin del transistor a una
corriente de cd diferente de cero mucho ms pequea que la
corriente de pico de la seal de entrada. Como resultado de
esto el transistor conduce durante un intervalo ligeramente
mayor a medio ciclo como se ilustra en la figura 1(c), se
deduce que, durante los intervalos cerca de los cruces de cero
de la entrada senoidal, ambos transistores conducen. La etapa
clase C tiene un ngulo de conduccin menor a 180 grados el
resultado es la onda que se muestra en la figura 1(d).
a.
1.0m
0
0.44KHz
2.00KHz
4.00KHz
-I(R9)
V(R9:B)
Frequency
6.00KHz
0V
-5.0V
0s
0.5ms
1.0ms
V(V9:+)
V(R9:B)
Time
1.5ms
2.0ms
P0 =
P1 =
P2 =
P3 =
P4 =
P5 =
THD = 4,89*10-5 %
200mA
b.
0A
-200mA
0s
0.5ms
-I(R9)
1.0ms
1.5ms
2.0ms
5.0V
Time
0V
-5.0V
0s
0.5ms
1.0ms
V(R3:1)
V(R1:B)
Time
1.5ms
2.0ms
0A
fc(KHz)
Vin(Vp)
THD(%)
4,89*10-5
0.7
0.5ms
-I(R1)
1.0ms
1.5ms
2.0ms
fc(Khz)
Vin
Vout
12.9
12
VI. CONCLUSIONES
1.
2.
3.
VII. REFERENCIAS
Electrnica: Teora de Circuitos. Boylestad Robert L, Nashelsky Louis. 6th
Edition. PH s.a.
Circuitos Microelectrnicos. Sedra Addel S, Smith Kenneth C. 4 th Edition.
Oxford University Press.