Sunteți pe pagina 1din 16

S.D.

Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale

DIODA SEMICONDUCTOARE

Materialele semiconductoare stau la baza tuturor componentelor i


circuitelor electronice discrete sau integrate. Pentru o nelegere mai uoar
a principiilor de funcionare a elementelor fundamentale din circuitele
electronice, dioda i tranzistorul, enumerm n continuare cteva noiuni
elementare care fac parte din abecedarul semiconductorilor:

materialele semiconductoare au conductibilitatea electric mai


mare dect cea a izolatorilor dar mai mic dect cea a metalelor.

conductibilitatea electric a semiconductorilor este foarte sensibill


la variaiile de temperatur: ea crete odat cu creterea
temperaturii.

spre deosebire de metale, a cror conductibilitate este asigurat


exclusiv
de
electroni,
conductibilitatea
electric
a
semiconductorilor este asigurat att de electroni (-), ct i de
goluri (+).

dac densitatile de electroni i de goluri care particip la


conducie sunt egale, se spune despre semiconductor c este
intrinsec.

dac densitile de electroni i de goluri care particip la conducie


nu sunt egale, se spune despre semiconductor c este extrinsec. n
funcie de care tip de purttori de sarcin este majoritar, se disting
dou tipuri de semiconductori extrinseci:
semiconductori de tip n, n care densitatea electronilor
este mai mare dect densitatea golurilor. n acest tip de
semiconductori electronii sunt purttori majoritari de
sarcin, iar golurile sunt purttorii minoritari.
semiconductori de tip p, n care densitatea golurilor este
mai mare dect densitatea electronilor. n acest caz,
golurile sunt purttori majoritari de sarcin, iar electronii
sunt purttorii minoritari.
Observaie: dei, n cazul semiconductorilor
extrinseci densitile purttorilor de sarcin electric
pozitiv, respectiv negativ care particp la
conducie nu sunt egale, toui, la nivel macroscopic,
ei nu au sarcin electric n exces (sunt neutri).
29

Dioda semiconductoare

2.1 Jonciunea semiconductoare. Dioda


Semiconductorii extrinseci (fig.2.1) pot avea purttori majoritari de tip p
(goluri) sau de tip n (electroni).
p

+
+ + + ++ + + + ++
+ + + + ++ + + +
++ +++ + + +
+++ ++++
+ + + ++ + + +
+
+ + +

Eint

sunt simbolizati numai


purtatorii majoritari
de sarcina electrica

+
++ +
+ + + ++ + + +
++ + + + +
+ + ++++
+
+ + + ++ + + ++ +
+ + ++ + + + ++

ng

ng,ne

ne
x

Vcontact
x
E
x

Fig.2.1
Dac dou astfel de zone sunt realizate n aceeai pastil de material
semiconductor se genereaz o jonciune semiconductoare. Datorit
30

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale


diferenei de concentraie de purttori majoritari de acelai fel din cele dou
zone, golurile din regiunea p vor difuza n regiunea n i electronii din
regiunea n vor difuza n regiunea p. Ca urmare a acestui proces de difuzie va
apare o sarcin spaial negativ n regiunea iniial de tip p i o sarcin
spaial pozitiv n regiunea iniial de tip n. Astfel, n vecintatea jonciunii
se va genera o zon srcit de purttori majoritari, zon care se numete
regiune de trecere. Datorit acestei separri de sarcin, n regiunea de
trecere va apare un cmp electric intern, Eint, cmp a crui intensitate crete
odat cu creterea cantitii de sarcin difuzate i care se opune procesului
de difuzie. Cnd el a devenit suficient de intens se ajunge la o situaie de
echilibru n care cantitatea de sarcin difuzat rmne constant.
n reprezentrile grafice calitative de sub jonciunea
semiconductoare din fig.2.1 se pot observa distribuiile unor mrimi
caracteristice n lungul structurii semiconductoare considerate:
densitatea de sarcin n exces (x). Aici trebuie menionat faptul
c datorit mobilitii mai mari a electronilor fa de goluri ei
difuzeaz pe o lungime mai mare, dar ariile suprafeelor din
grafic care corespund celor dou tipuri de sarcini sunt egale.
densitile de goluri, ng i electroni ne.
potenialul electric, V(x). Se poate observa existena unei bariere
de potenial care se opune difuziei purttorilor majoritari prin
jonciune.
intensitatea cmpului electric, E(x) = -dV(x)/dx
O astfel de structur semiconductoare este denumit diod. Ea este
cea mai simpl component electronic i are simbolul prezentat n fig.2.2.
(p)
anod

(n)
catod

Fig.2.2
Dioda are dou terminale, fiind deci un dipol. Anodul este conectat
la zona de tip p n timp ce catodul este conectat la zona de tip n. Dac dioda
este conectat ntr-un circuit electronic ea se comport n mod diferit n
funcie de sensul diferenei de potenial la care este supus. Din structura sa
intern se poate observa c dac anodul este la un potenial mai mic dect
catodul, atunci cmpul extern se va aduga cmpului intern i amndou se
vor opune mai drastic curgerii purttorilor majoritari de sarcin prin
jonciune. n aceast situaie bariera de potenial va crete iar despre
jonciune se spune c este polarizat invers. Dac potenialul anodului este
31

Dioda semiconductoare
mai mare dect cel al catodului, cmpul extern i cel intern vor fi orientate
n sens contrar. Bariera de potenial se va micora. Atta timp ct suma celor
dou cmpuri are sensul nspre regiunea p, purttorii de sarcin majoritari
nu se vor putea deplasa prin jonciune. n momentul n care cmpul total i
schimb sensul (bariera de potenial dispare), purttorii majoritari de sarcin
din cele dou zone vor putea traversa jonciunea i dioda va fi parcurs de
un curent electric. n acest caz se spune despre diod c este polarizat
direct.
Dependena intensitii curentului electric prin diod de tensiunea
exterioar aplicat ei (caracteristica volt-amperic) este prezentat n
fig.2.3.

polarizare
inversa

polarizare
directa

tensiuni de deschidere

Fig.2.3
Practic, n polarizare invers dioda este blocat. Se poate observa
ns existena unui curent invers care este datorat purttorilor minoritari
(golurile din zona n i electronii din zona p) care pot traversa jonciunea.
Dar, densitatea lor fiind foarte mic, intensitatea acestui curent, numit
curent invers de saturaie (Is) este practic neglijabil. Ea este de ordinul
zecilor de A. Menionm aici c reprezentarea grafic nu este la scar
tocmai pentru a putea pune n eviden curentul invers de saturaie.
n polarizare direct, atta timp ct bariera de potenial exist,
curentul este practic nul. Cnd aceasta dispare, dioda va permite trecerea
unui curent a crui intensitate crete foarte rapid pentru variaii mici ale
tensiunii aplicate diodei. Valoarea intensitii maxime a curentului direct
poate fi de la civa mA pn la sute de A, n funcie de tipul de diod.
Tensiunea la care dioda ncepe s conduc se numete tensiune de
deschidere i, pentru diodele de siliciu, ea este n jurul valorii de 0,6V.
Dup ce dioda intr n stare de conducie cderea de tensiune pe ea crete
foarte puin (0,1 0,15V).
32

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale


Pentru caracteristica volt-amperic a jonciunii semiconductoare s-a
stabilit urmtoarea dependen matematic:

eud

id = I s e kT 1

(2.1)

n care: e sarcina elementar, 1,6.10-19C


k constanta Boltzmann, 1,38.10-23 J.K-1
T- temperatura jonciunii, K
kT
Raportul
are dimensiunile unei tensiuni care, la temperatura
e
ambiant de 20oC, are valoarea de aproximativ 26mV.
Relaia (2.1) poate fi particularizat n funcie de regimul de
funcionare al diodei. Astfel, innd seama de faptul ca valoarea
exponenialei variaz foarte rapid n funcie de tensiunea aplicat diodei, n
practic pot fi folosite urmtoarele expresii aproximative

n polarizare invers: ud < 0

eud
<< 1
kT

id -Is

(2.2)
Deoarece curentul invers de saturaie este de cele mai multe ori
neglijabil n raport cu ceilali cureni din circuit, n polarizare invers dioda
poate fi considerat blocat (ramur de circuit ntrerupt, id = 0).

eud
n polarizare direct: ud > 0
>> 1 i
kT
(2.3)

eud
id I s e kT

Dac dioda este polarizat direct i se afl n stare de conducie, atunci


ea va fi parcurs de un curent a crui valoare poate fi calculat cu relaia
(2.3).
Considernd circuitul de polarizare n curent continuu din fig.2.4,
expresia curentului prin diod este:
id =

ud E
+
R R

(2.4)

Funcia id = id(ud) din relaia precedent reprezint o dreapt, numit


dreapta de sarcin (fig.2.5). Punctul de intersecie al dreptei de sarcin cu
caracteristica volt-amperic a diodei este punctul static de funcionare al
diodei (M). Se numete static pentru c atta timp ct tensiunea de
33

Dioda semiconductoare
alimentare a circuitului E i valoarea rezistenei R rmn constante,
coordonatele punctului static de funcionare, udo i ido, nu se modific.

Fig.2.4

Fig.2.5

Panta caracteristicii volt-amperice ntr-un punct de pe poriunea


corespunztoare strii de conducie (n particular n punctul static de
funcionare) se noteaz cu gm i este:
eu

did
e kTd
e
gm =
= Is
e
=
id
du d
kT
kT

(2.5)

sau,
gm = 40.id

[mA/V]

(2.6)

Astfel, dac se cunoate valoarea intensitii curentului prin dioda


aflat n stare de conducie, se poate calcula foarte simplu panta
caracteristicii volt-amperice n punctul static de funcionare. Inversul pantei
reprezint rezistena diodei n curent continuu n punctul static de
funcionare, rd. Valoarea ei depinde de poziia punctului static de
funcionare pe caracteristica volt-amperic.
n practic, n funcie de valorile concrete ale tensiunilor pe celelalte
elemente de circuit din ramura de reea n care este conectat dioda,
caracteristica ei volt-amperic poate fi liniarizat n diferite moduri. Pentru
calculul reelei n care se afl conectat, dioda poate fi nlocuit cu un
ntreruptor deschis (diod blocat) sau nchis (diod n conducie). Cele
mai folosite caracteristici liniarizate i modalitile de reprezentare ale
diodei sunt prezentate n fig.2.6.
Astfel, n fig.2.6a este prezentat caracteristic volt-amperic a
diodei ideale pentru care se poate neglija att cderea de tensiune jonciune
ct i rezistena opus de aceasta trecerii curentului electric. De aceea, n
34

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale


polarizare direct dioda poate fi nlocuit n circuit cu un ntreruptor ideal
nchis.
DIODA
IDEALA
polarizare
directa

polarizare
inversa

DIODE
IDEALIZATE
polarizare
inversa

polarizare
directa

polarizare
inversa

polarizare
directa

Fig.2.6
Exist situaii n care cderea de tensiune pe jonciunea polarizat
direct nu poate fi neglijat n raport cu celelalte tensiuni din ramura de reea,
dar poate fi neglijat rezistena diodei n curent continuu. Caracteristica
volt-amperic idealizat, corespunztoare acestei situaii este prezentat n
fig.2.6b. n polarizare direct dioda poate fi nlocuit n circuit cu un
ntreruptor nchis pe care apare o cdere de tensiune de aproximativ 0,65V
(tensiunea pe jonciunea aflat n stare de conducie deplin).
O situaie mai apropiat de comportarea real a diodei este cea din
fig.2.6c. Aici se ine seama att de cderea de tensiune pe jonciunea
polarizat direct ct i de rezistena diodei n curent continuu. n polarizare
direct dioda poate fi nlocuit n circuit cu un ntreruptor nchis pe care
apare o cdere de tensiune de aproximativ 0.65V conectat n serie cu o
rezisten cu valoarea rd.

2.2 Modelul de semnal mic


n foarte multe circuite diodele sunt supuse simultan att unei tensiuni
continue ct i uneia variabile. Tensiunea continu stabilete punctul static
de funcionare iar tensiunea alternativ determin plimbarea acestuia pe
caracteristica volt-amperic (dreapta de sarcin rmnnd paralel cu ea
nsi). Dac poriunea de caracteristic pe care se deplaseaz punctul
static de funcionare poate fi considerat liniar atunci semnalul este
considerat mic. Cnd vorbim de un semnal mic ne referim la amplitudinea
sa. Panta unei caracteristici volt-amperice pe poriunea liniar considerat se
numete panta de semnal mic.
n fig.2.7 este prezentat un regim de funcionare ca cel descris mai
sus. Peste tensiunea continu Udo, care determin curentul Ido, este aplicat o
35

Dioda semiconductoare
tensiune sinusoidal u = Usint. Aceasta determin apariia prin diod a
unui curent variabil de forma i = gmUsint (vezi relaia (2.5)), curent care se
suprapune peste curentul de polarizare n curent continuu ido. Astfel,
tensiunea total la bornele diodei i curentul total prin ea sunt descrise de
ecuaiile:
Q

M
P

Fig.2.7
ud = U do + U sin t

(2.7)

id = I do + g mU sin t

(2.8)

Observaii:
modelul de semnal mic nu se poate aplica mrimilor statice. ntre
tensiunea continu de polarizare i curentul continuu nu este
valabil o relaie de tipul Ido = gmUdo.
modelul de semnal mic se poate aplica atunci cnd amplitudinea
tensiunii variabile este mult mai mic dect tensiunea continu de
polarizare n curent continuu.

2.3 Redresarea curentului alternativ


Una dintre aplicaiile cele mai importante ale diodelor este redresarea
semnalelor alternative. O configuraie de patru diode ca cea prezentat n
fig.2.8 este o punte redresoare i se gsete sub form integrat.

36

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale


punte
redresoare

D1

D2

C
D4

uR

D3

Fig.2.8

Fig.2.9
Dac la bornele de intrare ale punii se aplic o tensiune sinusoidal
ca cea reprezentat grafic n fig.2.9a atunci, dac amplitudinea acesteia este
mai mare dect dublul tensiunii de deschidere a unei diode (tensiunea de
trecere n stare de conducie), n alternana pozitiv vor conduce diodele D1
i D3 iar n alternana negativ, diodele D2 i D4. Astfel, prin rezistena R
curentul va circula n acelai sens n ambele semiperioade, obinndu-se la
bornele ei o tensiune redresat. n fiecare jumtate de perioad tensiunea la
bornele rezistenei, deci i curentul prin ea, vor avea aspectul unor jumti
pozitive de sinusoid (fig.2.9b, curba subire). Aceasta este redresarea
bialternan. Amplitudinea tensiunii redresate este mai mic datorit
37

Dioda semiconductoare
cderilor de tensiune pe jonciunile celor dou diode aflate simultan n stare
de conducie. Cnd tensiunile redresate sunt mari, aceast pierdere este
neglijabil. Semnalul redresat este unul periodic, avnd frecvena egal cu
dublul frecvenei semnalului aplicat la intrarea punii.
n multe aplicaii avem nevoie de o tensiune constant n timp.
Reducerea fluctuaiilor n timp ale tensiunii se poate face prin adugarea n
paralel cu consumatorul (n cazul de fa, R) a unui condensator cu o
capacitate ct mai mare. Acesta se ncarc n alternana pozitiv i se
descarc prin R n alternana negativ. Cu ct constanta de timp, = RC, a
circuitului de descrcare a condensatorului este mai mare, cu att tensiunea
la bornele sale, deci i tensiunea pe sarcin, scade mai lent comparativ cu
scderea pur sinusoidal. n acest fel, la bornele sarcinii se obine o tensiune
redresat cu fluctuaii temporale mult mai mici dect cele obinute n cazul
redresrii bialternan simple (fig.2.9b, curba mai groas). Pentru c
atenueaz din fluctuaii, condensatorul C se numete condensator de
netezire.
Am vzut c tensiunea redresat este una fluctuant n timp, dei i
pstreaz polaritatea. Dac o descompunem n elementele ei, ea are o
component continu i una variabil n timp. Se definete factorul de
ondulaie al tensiunii, , astfel:
tensiunea curentului variabil
factorul de ondulatie =
tensiunea curentului continuu
Expresia lui poate fi dedus folosindu-ne de expresiile puterilor.
Dac notm amplitudinea tensiunii redresate cu UR = U 1,3V, atunci
puterea de curent continuu consumat de sarcin este:
2

T /2

4U 2
u 2 1 2
p= =
= u R (t )dt = 2 R
R
R T 0
R

(2.9)

de unde rezult componenta continu a tensiunii redresate:


u= =

2U R

(2.10)

Puterea total consumat de sarcin fr condensatorul de netezire


este:
2 1
p=
T R
38

T /2

U R2
0 u (t )dt = 2R
2
R

(2.11)

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale


Puterea disipat pe sarcin de componenta variabil va fi diferena
dintre puterea total i puterea de curent continuu:
p = p p= =

U R2
R

1 4
2
2

(2.12)

iar tensiunea acestei componente va avea expresia:


u = U R

1 4

2 2

(2.13)

Atunci, innd seama de relaiile (2.10) i (2.13), factorul de


ondulaie al tensiunii redresate bialternan fr condensator de netezire,
conform definiiei sale, va fi:

u
2
=
1
8
u=

(2.14)

Pentru alimentarea cu tensiune continu a unor circuite electronice


este necesar o tensiune cu un factor de ondulaie ct mai mic. Pe lng
utilizarea unui condensator de netezire, factorul de ondulaie poate fi
micorat i prin folosirea unor filtre pasive mai complexe, precum i cu
ajutorul stabilizatoarelor electronice.

2.4 Alte tipuri de diode


2.4.1 Dioda stabilizatoare (Zener)
Dac o diod este polarizat invers, pn la o anumit valoare a tensiunii pe
jonciune curentul prin ea este foarte mic (Is). Dac tensiunea invers crete
mai mult, la o valoare a ei care depinde de tipul de diod, curentul poate
crete foarte rapid i jonciunea se poate distruge. Exist ns diode la care
acest curent invers poate fi controlat n anumite limite i dioda polarizat
invers este folosit ca stabilizatoare de tensiune sau ca referin de tensiune.
Acest lucru este posibil deoarece n timp ce curentul invers poate varia n
limite largi, tensiunea pe jonciunea polarizat invers rmne aproape
constant (fig.2.10). Aceast tensiune este numit tensiune de stabilizare
sau tensiune Zener (UZ).
Exist dou mecanisme de cretere a curentului la o valoare dat a
tensiunii inverse. Unul dintre ele este multiplicarea n avalan a
purttorilor de sarcin, mecanism prin care purttorii primari, accelerai
ntre dou ciocniri de ctre cmpul electric intens, determin apariia
purttorilor secundari, teriari i aa mai departe. Al doilea este efectul
39

Dioda semiconductoare
Zener n care purttorii de sarcin sunt generai chiar de ctre cmpul
electric care se creeaz n jonciune. Efectul Zener se poate produce dac
exist o dopare foarte mare a semiconductorului corelat cu un cmp
electric foarte intens.
Dac intensitatea curentului invers crete necontrolat atunci structura
semiconductoare se nclzete i are loc distrugerea jonciunii prin ambalare
termic. Pentru evitarea acestui proces, n circuitul de polarizare a diodei se
va conecta ntotdeauna o rezisten de limitare a curentului.

anod

catod

Fig.2.10
Principalii parametri caracteristici ai diodei stabilizatoare sunt:
tensiunea de stabilizare UZ, cuprins n intervalul 2 180V.
curentul invers maxim IZmax, determinat de puterea maxim pe care o
poate disipa jonciunea. Ea depinde de tipul de diod i este n jurul
valorii de 10W.
rezistena intern rZ, cu valori de la civa , la cteva zeci de . Ea
este definit pe poriunea liniar din jurul tensiunii de stabilizare ca:
u Z
rZ =
(2.15)
i Z
Cea mai simpl modalitate de folosire a diodei ca element de
stabilizare a tensiunii este prezentat n fig.2.11. n schem, rezistena de
sarcin Rs pe care dorim o tensiune constant este conectat n paralel cu
dioda stabilizatoare. Totodat, n circuitul de polarizare a diodei este
prezent i rezistena de limitare a curentului, Rl. n practic se lucreaz cu
Rs >> rZ, deci is << iZ i i Z i .
40

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale

Fig.2.11
O msur a nivelului de stabilizare a tensiunii de ieire este factorul
de stabilizare S, definit ca:
S=

u in
u ies

(2.16)

Expresia lui poate fi dedus scriind prima lege a lui Kirchhoff pe


circuitul din fig.2.11:
u in = iRl + u ies

(2.17)

Difereniind ecuaia (2.17) i innd seama de faptul c i i Z ,


obinem:
u in = Rl i Z + u ies

(2.18)

mprind ecuaia (2.18) cu uies i innd seama de faptul c uies =


uZ i de relaia (2.15), se obine expresia final a factorului de stabilizare:
S = 1+

Rl
rZ

(2.19)

Se poate observa c factorul de stabilizare este cu att mai mare cu


ct rZ < Rl.
2.4.2 Dioda varicap
Am vzut c datorit difuziei purttorilor majoritari de sarcin, n
vecintatea jonciunii semiconductoare apare o separare de sarcin electric
(sarcin spaial). Cele dou straturi de sarcin separate pot fi asimilate cu
un condensator plan ale crui armturi se ndeprteaz odat cu creterea
tensiunii inverse a diodei. Tensiunea invers nu trebuie s depeasc
tensiunea corespunztoare multiplicrii n avalan a purttorilor de sarcin.
Capacitatea astfel generat se numete capacitate de barier. Dependena ei
de tensiunea invers este prezentat n fig.2.12, unde CBo este capacitatea de
barier n absena unei tensiuni exterioare.
41

Dioda semiconductoare
+

Fig.2.12
Expresia analitic a acestei dependene este:
CB =

C Bo

(2.20)

u
1 d
UD

n care UD este tensiunea de difuzie specific tipului de semiconductor (de


regul, UD < 1V). Uzual, capacitatea de barier este de ordinul pF zeci de
pF. Se poate observa c ea poate fi controlat cu ajutorul tensiunii de
polarizare invers a diodei.
2.4.3 Dioda tunel (Esaki)
Leo Esaki fizician japonez, laureat al premiului Nobel n 1973 mpreun cu B.
Josephson i I. Giaver. A obinut pentru prima dat efectul tunel n 1957.

ntr-o jonciune de arseniur de germaniu sau galiu foarte puternic dopat,


efectul Zener poate fi obinut i la tensiuni pozitive mai mici dect tensiunea
de deschidere a jonciunii. Datorit doprii puternice, regiunea srcit este
foarte ngust i purttorii de sarcin pot strpunge bariera de potenial prin
efect tunel la tensiuni directe foarte mici, rezultnd o cretere brusc a
curentului (poriunea OA a caracteristicii volt-amperice din fig.2.13).

Fig.2.13
Dup atingerea unei valori maxime (de saturaie), curentul se va
micora deoarece creterea tensiunii directe de polarizare determin, pe
lng micorarea nlimii barierei de potenial, i lrgirea ei (poriunea AB
a caracteristicii volt-amperice). Pe aceast poriune, rezistena diferenial
42

S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice i digitale


a diodei tunel (reprezentat de panta caracteristicii), este negativ. Curentul
corespunztor poriunii OAB a caracteristicii se numete curent tunel. n
punctul B cmpul electric datorat tensiunii exterioare de polarizare anuleaz
bariera de potenial i jonciunea ncepe s se comporte ca aceea a unei
diode obinuite. Curentul prin diod ncepe s creasc datorit injeciei de
purttori de sarcin prin jonciune (curent de injecie).
Dac dioda tunel este polarizat pe poriunea de carcteristic cu
rezisten diferenial negativ, ea poate fi folosit pentru compensarea
rezistenei de pierderi din circuitele oscilante i realizarea oscilatoarelor
(circuite care genereaz semnale variabile n timp, de exemplu oscilaii
sinusoidale). De asemenea, dioda tunel este folosit n circuitele de
amplificare a microundelor.
2.4.4 Dioda Schottky
Dioda Schottky, al crei simbol este prezentat n fig.2.14, are o jonciune
de tip metal (aur, argint, platin) semiconductor (Si-n), acesta din urm
fiind slab dopat.

Fig.2.14
Atunci cnd metalul este la un potenial pozitiv fa de
semiconductor dioda intr n stare de conducie la o tensiune de aproximativ
0,35V (mai mic dect n cazul unei diode obinuite). Electronii din
semiconductor, traversnd jonciunea, ajung n metal unde nu se vor
deosebi cu nimic de electronii de conducie ai acestuia. n metal, ei nu mai
sunt purttori minoritari aa cum ar fi ntr-un semiconductor de tip p. Astfel
ei i pierd personalitatea i, la schimbarea polaritii, este indiferent care
electroni se ntorc n semiconductor, cei ai semiconductorului sau cei ai
metalului. De aceea viteza de comutaie din starea de conducie n starea de
blocare este cel puin cu un ordin de mrime mai mare dect cea a unei
diode obinuite. Timpul de comutaie al unei diode Schottky este de
aproximativ 50ps. Deoarece nu exist purttori minoritari, curentul invers
prin diod este nul.
Fiecare dispozitiv semiconductor trebuie s aib conexiuni metalice
cu elementele de circuit exterioare lui. Conexiunea semiconductor metal
trebuie s fie ohmic i nu redresoare. Pentru aceasta, ele se realizeaz prin
interpunerea ntre semiconductor i metal a unui strat semiconductor cu
gradient de densitate de dopaj. Densitatea este foarte mare (ca a metalului)
n zona contactului cu metalul i scade treptat spre semiconductor.
43

Dioda semiconductoare

2.4.5 Dioda electroluminiscent (LED, Light Emitting Diode)


Dioda electroluminiscent, al crei simbol este prezentat n fig.2.15,
funcioneaz n polarizare direct. n urma injeciei de curent prin jonciune,
electronii din banda de conducie ai regiunii n traverseaz jonciunea i se
recombin cu golurile din banda de valen a regiunii p. Ca urmare a
acestui proces de recombinare, energia dobndit de la cmpul exterior este
eliberat sub form de cuante luminoase cu energia h, determinat de
lrgimea energetic a benzii interzise.
n fig.2.16 este prezentat schematic structura unei diode
electroluminiscente, circuitul de polarizare a ei i valorile tipice pentru
curentul prin diod i tensiunea la bornele ei n stare de funcionare.
lentila
plastic
transparent

Fig.2.15

Fig.2.16

n circuitul de polarizare a diodei este obligatorie prezena unei


rezistene de limitare a curentului cu o valoare tipic cuprins ntre 200 i
330. Lungimile de und ale radiaiilor emise de diodele
electroluminiscente depind de materialele semiconductoare din care sunt
fabricate (tabelul 2.1).
Tabelul 2.1
Material
GaAs
GaAs0,7 P0,3
GaAs0,5P0,5
GaAs0,15P0,85
GaP

[nm]
940
660
610
590
540

Culoare
infrarou
rou
portocaliu
galben
verde

Materialele semiconductoare folosite pentru construcia diodelor


electroluminiscente sunt compui pe baz de galiu. Siliciul i germaniul nu
se folosesc pentru acest scop deoarece energia electric este convertit mai
degrab n energie termic dect n energie luminoas.

44