Tranzistori bipolari

Scopul lucrrii: Studierea metodelor de ridicare a caracteristicilor de intrare i ieire ale

tranzistorului bipolar conectat dup schema baz comun.
Aparate i materiale: Generator funcional, multimetru, osciloscop surs de tensiune curent
continuu, rezistoare, tranzistor bipolar.
Mersul lucrrii:
Lansm programul emulator ELECTRONICS WORKBENCH.

Experiena 1. Msurarea datelor experimentale pentru construcia caracteristicii voltamper de intrare.

Construim circuitul de mai jos

Figura 1. Conexiunea baz comun a tranzistorului bipolar.

Tastm

pentru ca prin circuit s curg curentul.

Schimbnd cu rezistorul variabil (tasta <R> rezistena scade, tastele <shift>-<R> rezistena se
mrete) tensiunea de intrare (Ueb) de la 0 pn la 0,9 V, ridicm caracteristica de intrare a tranzistorului
Ie=f(Ueb) la tensiunea colectorului (Ucb) 0; 5; 10 V (Ucb=0 n cazul cnd comutatorul este deconectat).
Datele experimentale le introducem n tabelul 1.1 .

Tabelul 1.1 Datele experimentale pentru construcia CVA de intrare.

Tensiunea de intrare
Ucb = 0 V
Ucb = 5 V
Ueb , V
Ie , mA
Ie , mA
0
0
0
0,1
0
0
0,2
0
0
0,3
0.000001
0.000002
0,4
0.00002
0.000104
0,5
0.001
0.005621
0,6
0.03964
0.2031
0,7
1.18
5
0,8
16.23
77.27
0,9
49.66
243

Ucb = 10 V
Ie , mA
0
0
0
0.000003
0.000106
0.006177
0.2332
6.768
77.79
247

Experiena 2. Msurarea datelor experimentale pentru construcia caracteristicii voltamper de ieire.

Construim circuitul de mai jos:

Figura 2. Conexiunea baz comun a tranzistorului bipolar.

Tastm

pentru ca prin circuit s curg curentul.

Schimbnd tensiunea (Ucb) de la 0 pn la 10V, ridicm ramura direct a caracteristicii de ieire a

tranzistorului Ic=f(Ucb) pentru curentul emitorului (Ie) 10, 20 i 30 m. Datele experimentale le introducem
n tabelul 1.2 .
Tabelul 1.2 Datele experimentale pentru construcia CVA de ieire.
Tensiunea de intrare
Ie = 10 mA
Ie = 20 mA
Ucb , V
Ic , mA
Ic , mA
0
9.829
19.87
1
9.834
19.88
2
9.839
19.88
3
9.844
19.89
4
9.849
19.89
5
9.854
19.9
6
9.859
19.9
7
9.864
19.91
8
9.869
19.91
9
9.874
19.92
10
9.879
19.92

Ie = 30 mA
Ic , mA
30.02
30.03
30.04
30.04
30.05
30.05
30.06
30.06
30.07
30.07
30.08

Dup datele obinute n rezultatul msurrilor trasm caracteristicile de intrare i ieire.

Experiena 3. Determinm urmtorii parametri:
Rezistena de intrare a tranzistorului
Rint=Ueb/Ie;
Rezistena de ieire a tranzistorului
Ries=Ucb/Ic;
Coeficientul de amplificare al tranzistorului
=Ic/Ie

Rint

U eb
Ie

U eb 0.8V
U cb 5V
I e 77.27mA
Rint

U eb
0.8V

1.035
Ie
77.27 10 3

Ries

U cb
Ic

U cb 9V
I e 30mA
I c 30.07 mA
Ries

9V
299.3
30.07 10 3 A

Ic
Ie

I c 9.879mA
I e 10mA
U cb 10V
I e 49.66mA
U eb 0.9V
U cb 0

9.879 10 3 A
0.198 1.
49.66 10 3 A

Concluzie:
n aceast lucrare de laborator,am studiat metodele de ridicare i ieire ale tranzistorului bipolar
conectat dup schema baza comun.
n cadrul acestei conectri,curentul de intrare este I e ,adic curentul emitorului
I e f U eb U cb const ,

iar curentul de ieire este I c ,adic curentul colectorului I c f U cb I e const .

n experiena I,am msurat datele experimentale pentru construcia caracteristicii volt-amperice de
intrare.Am construit circuitul conexiunea baza comun a tranzistorului bipolar i schimbnd cu rezistorul
variabil tensiunea de intrare U eb am ridicat caracteristica de intrare a tranzistorului I e f (U eb ) la
tensiunea colectorului U cb .Am obinut datele experimentale,pe care le-am indicat n tabel.
n a doua experien,am msurat datele experimentale pentru construcia CVA de ieire.Am schimbat
tensiunea U cb n circuit,astfel ridicnd ramura direct a caracteristicii de ieire a tranzistorului pentru
curentul emitorului I e .Am introdus datele n tabel.
Conform datelor obinute,am trasat graficele caracteristicilor de intrare i ieire.n planul CVA de ieire
ic ic (U cb ), i E const i aceste valori constante ale curentului de emitor snt arbitrare,avnd doar rolul de
a arta sensul n care ele cresc.Coeficientul de transfer al curentului emitorului:0.198<1.