Sunteți pe pagina 1din 49

Ministerul Educaiei al Republicii Moldova

Colegiul de Microelectronic i Tehnic de Calcul

Catedra Electronica

ndrumar metodic la lucrrile de


laborator la disciplina:
Dispozitive i circuite electronice

Elaborat de profesorul
Capbtut Sergiu

Chiinu 2013

Cuprins:
L.L. 1 Studierea diodei redresoare.
L.L. 2 Studierea diodei Zener.
L.L. 3 Studierea diodei luminiscente.
L.L. 4 Studierea diodei tunel.
L.L. 5 Studierea dinistorului.
L.L. 6 Studierea tranzistorului bipolar n conexiune baz comun.
L.L. 7 Studierea tranzistorului bipolar n conexiune emitor comun.
L.L. 8 Studierea tranzistorului cu efect de cmp cu jonciune TEC J.
L.L. 9 Studierea etajului de amplificare pe tranzistor bipolar n conexiune
emitor comun.
L.L. 10 Studierea etajului de amplificare pe tranzistor bipolar n conexiune
baz comun.
L.L. 11 Studierea amplificatorului pe tranzistor cu efect de cmp.
L.L. 12 Studierea etajului diferenial.
L.L. 13 Studierea oscilatorului RC.
L.L. 14 Studierea oscilatorului cu semnal triunghiular.

Lucrarea de laborator Nr. 1


Tema: Studierea diodei redresoare
Scopul lucrrii: Ridicarea caracteristicii volt- amper a diodei redresoare,
determinarea parametrilor de baz, calculul rezistenei difereniale a diodei
redresoare.
Noiuni teoretice:
Dioda redresoare funcioneaz datorit proprietii de a se comporta diferit la
tensiuni de polarizare directe i tensiuni de polarizare inverse. Astfel la polarizare
direct, rezistena diodei este mic, iar la polarizare invers este foarte mare.
Datorit acestei proprieti, la aplicarea unei tensiuni alternative ele funcioneaz
pe alternana pozitiv conducnd un curent mare (de ordinul mA sau A). Pe
alternana negativ se vor bloca lsnd s treac cureni foarte mici de ordinul mA
sau A care pot fi neglijai. Acest proces de transformare a unui semnal alternativ
ntr-un semnal continuu poarta numele de redresoare. Aceste diode sunt folosite la
construcia redresoarelor care lucreaz cu tensiuni mari i frecvene mici (50Hz).
Se pot realiza att din germaniu ct i din siliciu.
Structura, simbolul grafic i caracteristica volt-amper (CVA) a diodei
redresoare sunt prezentate n figura 1.

Figura 1 - Structura, simbolul grafic i caracteristica volt-amper a diodei


redresoare.
Parametrii de baz a didei redresoare sunt:
1) Curentul direct maximal admisibil Idir.max, mA;
2) Tensiunea direct Udir, V;
3) Tensiunea invers maximal admisibil Uinv.max, V;
4) Puterea maximal disipat Pmax, W;
5) Diapazonul temperaturilor de lucru T, K;
6) Diapazonul frecvenelor de lucru f, Hz;
7) Rezistena diferenial rdif, .

Mersul lucrrii:
1) Montai circuitul de ridicare a caracteristicii volt- amper (CVA) conform
schemei:
Echipamentul
necesar:
R1=4,7k (variabil);
R2=200; VD1K226; PA1, PV1-aparate de msur
universale de tipul
GDM-8245.

Figura 2 Circuitul de ridicare a caracteristicii volt-amper a diodei redresoare


2) Ridicai datele pentru CVA la polarizare direct a diodei redresoare i le
nscriei n tabelul 1.
Tabelul 1 Datele msurrilor la polarizarea direct a diodei redresoare
Polarizarea direct
U, V
I, mA
3) Ridicai datele pentru CVA la polarizare invers a diodei redresoare i le
nscriei n tabelul 2.
Tabelul 2 Datele msurrilor la polarizarea invers a diodei redresoare
Polarizarea invers
U, V
I, mA
4) Construii graficul caracteristicii volt-amper comform datelor din tabele i
determinai din caracteristic urmtorii parametri:
- Tensiunea direct Udir,
5) Calculai rezistena diferenial a diodei redresoare conform expresiei:
rdif=U/I.

6) Coninutul drii de seam:


- foia de titlu,
- scopul lucrrii,
- circuitul de montare a diodei redresoare,
- tabele cu datele msurrilor,
- graficul caracteristicii volt-amper,
- calculul rezistenei difereniale,
- concluzii.

Lucrare de laborator Nr. 2


Tema: Studierea diodei Zener
Scopul lucrrii: Ridicarea caracteristicii volt-amper a diodei Zener,
determinarea parametrilor de baz, calculul rezistenei difereniale a diodei Zener.
Noiuni teoretice:
Dioda Zener sau stabilizatoare este un dispozitiv semiconductor, la care
tensiunea invers n regiunea de strpungere electric puin depinde de curentul ce
o parcurge. Dioda Zener este o diod stabilizatoare de tensiune. Funcionarea ei se
bazeaz pe proprietatea jonciunii p-n de a avea o tensiune constat la borne in
regiunea de strpungere ntr-o gam larg de variaie a curentului invers. Dioda
funcioneaz intr-un regim de strpungere electric controlat n care att curentul
ct i puterea disipat sunt meninute la valori pe care dioda le poate suporta n
regim permanent fr s se distrug. Dioda Zener este construit din siliciu. Cnd
este polarizat direct (+ pe anod i pe catod) funcioneaz ca o diod cu jonciune
p-n. Cnd este polarizat invers (- pe anod i + pe catod) funcioneaz n regim de
strpungere electric.
Simbolul grafic i caracteristica volt-amper a diodei Zener este prezentat n
figura 1.

Figura 1 Simbolul grafic i caracteristica volt-amper a diodei Zener.


Parametrii de baz a diodei Zener:
1) Tensiunea de stabilizare UZnom., V (este tensiunea la care apare regimul de
strpungere; poate avea valori ntre 4-200 V);
2) Curentul minim de stabilizare IZmin, mA;
3) Curentul maximal de stabilizare IZmax, mA;
4) Putere maxim disipat Pmax, W(este produsul dintre tensiunea de
strpungere i curentul invers maxim; are valori cuprinse ntre 0,2-50 W);
5) Rezistena dinamic rd, .

Mersul lucrrii:
1) Montai circuitul de ridicare a caracteristicii volt- amper (CVA) conform
schemei:
Echipamentul
necesar:
R1=4,7k (variabil);
R2=200;
VD1-K156;
PA1, PV1
-aparate de msur
universale de tipul
GDM-8245.
Figura 2 Circuitul de ridicare a caracteristicii volt-amper a diodei Zener
2) Ridicai datele pentru CVA la polarizare direct a diodei Zener i le nscriei
n tabelul 1.
Tabelul 1 Datele msurrilor la polarizarea direct a diodei Zener
Polarizarea direct
U, V
I, mA
3) Ridicai datele pentru CVA la polarizare invers a diodei Zener i le nscriei
n tabelul 2.
Tabelul 2 Datele msurrilor la polarizarea invers a diodei Zener
Polarizarea invers
U, V
I, mA
4) Construii graficul caracteristicii volt-amper comform datelor din tabele i
determinai din caracteristic urmtorii parametri:
Tensiunea de stabilizare UZnom.,
Curentul minimal de stabilizare IZmin.
Curentul maximal de stabilizare IZmax.
5) Calculai rezistena dinamic a diodei Zener conform expresiei:
rd=U/I.

6) Coninutul drii de seam:


foia de titlu,
scopul lucrrii,
circuitul de montare a diodei Zener,
tabele cu datele msurrilor,
graficul caracteristicii volt-amper,
calculul rezistenei difereniale,
concluzii.

Lucrare de laborator Nr. 3


Tema: Studierea diodei tunel
Scopul lucrrii: Ridicarea caracteristicii volt-amper a diodei tunel,
determinarea parametrilor de baz, calculul rezistenei difereniale a diodei tunel.
Noiuni teoretice:
Dioda tunel se numete dispozitivul semiconductor, funcionarea creia se
bazeaz pe efectul tunel la care pe ramura polarizrii directe a CVA apare un
domeniu cu rezisten diferenial negativ. Diodele tunel au o concentraie mult
mai mare de impuriti (10-8), ceea ce duce la micorarea limii regiunii de trecere
pn la 10-2 m. La o lime att de mic a barierei de potenial apar schimbri n
structura energetic a elementelor semiconductoare, manifestndu-se fenomenul
strpungerii prin efect tunel. Datorit acestui efect, electronii pot nvige bariera de
potenial chiar n absena unei energii corespunztoare; este ca i cum, n loc s o
depeasc, o strbat printr-un tunel (de aici numele efectului i denumirea diodei).
Datoritg efectului tunel prin diod apare uin curent, numit curent tunel, care
prezint importan n dou zone: la polarizarea invers i la valori mici a
polaritii directe.
Simbolul grafic i caracteristica volt-amper a diodei tunel este prezentat n
figura 1.

Figura 1 Simbolul grafic i caracteristica volt-amper a diodei tunel

1)
2)
3)
4)
5)
6)

Parametrii de baz a diodei tunel:


Curentul maximal Imax, mA;
Tensiunea corespunztoare curentului maxim UI.max, V;
Curentul minim Imin, mA;
Tensiunea corespunztoare curentului minim UI.min, V;
Rezistena diferenial rdif, .
Excursia de tensiune Uex, V

Mersul lucrrii:
1) Montai circuitul de ridicare a caracteristicii volt- amper (CVA) conform
schemei:
Echipamentul
necesar:
R1=4,7k (variabil);
R2=200;
VD1-101;
PA1, PV1
-aparate de msur
universale de tipul
GDM-8245.
Figura 2 Circuitul de ridicare a caracteristicii volt-amper a diodei tunel
2) Ridicai datele pentru CVA la polarizare direct a diodei tunel i le nscriei
n tabelul 1.
Tabelul 1 Datele msurrilor la polarizarea direct a diodei tunel
Polarizarea direct
U, V
I, mA
3) Ridicai datele pentru CVA la polarizare invers a diodei tunel i le nscriei
n tabelul 2.
Tabelul 2 Datele msurrilor la polarizarea invers a diodei tunel
Polarizarea invers
U, V
I, mA
4) Construii graficul caracteristicii volt-amper comform datelor din tabele i
determinai din caracteristic urmtorii parametri:
- Curentul maximal Imax,
- Tensiunea corespunztoare curentului maxim UI.max,
- Curentul minimal Imin,
- Tensiunea corespunztoare curentului minim UI.min,
5) Calculai rezistena diferenial a diodei tunel conform expresiei:
rdif=U/I.

6) Coninutul drii de seam:


foia de titlu,
scopul lucrrii,
circuitul de montare a diodei tunel,
tabele cu datele msurrilor,
graficul caracteristicii volt-amper,
calculul rezistenei difereniale,
concluzii.

Lucrare de laborator Nr. 4


Tema: Studierea diodei luminiscente
Scopul lucrrii: Ridicarea caracteristicii volt-amper a diodei luminiscente,
determinarea parametrilor de baz, calculul rezistenei difereniale a diodei
luminiscente.
Noiuni teoretice:
Dioda luminiscent este un dispozitiv semiconductor cu o jonciune p-n
capabil sa iradieze (emit) lumin la trecerea prin ea a curentului direct. Dioda
luminescent este cea mai utilizat surs de radiaie n optoelectronica modern.
Dioda luminescent este o jonciune pn polarizat direct, n care
electronii i golurile recombineaz iradiant (cu emiterea fotonilor) n regiunea de
sarcin spaial.

Figura 1 Structura diodei luminiscente


Polarizarea direct micoreaz bariera de potenial i nlesnete
injecia purttorilor de sarcin dintr-o regiune n alta.
Simbolul grafic i caracteristica volt-amper a diodei luminiscente este
prezentat n figura 2.

Figura 2 - Simbolul grafic i caracteristica volt-amper a diodei luminiscente.

Parametrii de baz a diodei luminiscente:


1) Lungimea de und a luminii emise, , m;
2) Curentul direct maximal admisibil Idir.max., mA;
3) Tensiunea de funcionare U, V;
4) Luminozitatea B, cd/m2;
5) Randamentul , %.

Mersul lucrrii:
1) Montai circuitul de ridicare a caracteristicii volt- amper (CVA) conform
schemei:
Echipamentul
necesar: R1=4,7k
(variabil);
R2=200;
HL1-307;
PA1, PV1
-aparate de msur
universale de tipul
GDM-8245.
Figura 3 Circuitul de ridicare a caracteristicii volt-amper a diodei luminiscente
2) Ridicai datele pentru CVA la polarizare direct a diodei luminiscente i le
nscriei n tabelul 1.
Tabelul 1 Datele msurrilor la polarizarea direct a diodei luminiscente
Polarizarea direct
U, V
I, mA
3) Ridicai datele pentru CVA la polarizare invers a diodei luminiscente i le
nscriei n tabelul 2.
Tabelul 2 Datele msurrilor la polarizarea invers a diodei luminiscente
Polarizarea invers
U, V
I, mA

4) Construii graficul caracteristicii volt-amper comform datelor din tabele i


determinai din caracteristic urmtorii parametri:
Tensiunea de funcionare U,
Curentul direct la tensiunea de funcionare Idir.
5) Calculai rezistena diferenial a diodei luminscente conform expresiei:
rdif=U/I.

6) Coninutul drii de seam:


foia de titlu,
scopul lucrrii,
circuitul de montare a diodei luminiscente,
tabele cu datele msurrilor,
graficul caracteristicii volt-amper,
calculul rezistenei difereniale,
concluzii.

Lucrare de laborator nr. 5


Tema: Studierea dinistorului
Scopul lucrrii: Ridicarea caracteristicii volt- amper a dinistorului,
determinarea parametrilor de baz, calculul rezistenei n regim de blocare i de
conducie.
Noiuni teoretice:
Dispozitivul semiconductor cu patru straturi semiconductoare i dou
terminale poart denumire de dinistor (diod Shockley). Dinistorul se comport ca
un ntreruptor ce rmne nchis pn cnd tensiunea direct atinge o anumit
valoare, numit tensiune de amorsare, dup care are loc comutarea i dioda intr n
conducie, rmnnd n aceast stare pn la scderea curentului sub o anumit
valoare.
Simbolul grafic i structura dinistorului este prezentat n figura 1:

Figura 1 - Simbolul grafic i structura dinistorului


Caracteristica volt - amper a dinistorului este reprezintat n figura 2.

Figura 2 Caracteristica volt - amper a dinistorului.

Parametrii de baz ai dinistorului snt:


1. Tensiunea de amorsare Ua, V - tensiunea la care dinistorul trece din stare de
blocare n stare de conducie.
2. Curentul de amorsare Ia, mA - valoarea curentului anodic pentru care
dispozitivul comut din regiunea de bloca/e direct n regiunea de conducie
direct.
3. Curentul de meninere Im, mA - cea mai mic valoare a curentului prin
dinistor la care el se mai afl nc n conductie.
Rezistena dinistoruli n stare de blocare alctuiete 106 108, iar n
conducie scade i alctuiete 0,1 1,0 .
Durata de comutare constituie 10 -4 10-6 s.
Mersul lucrrii:
1. Montai circuitul de ridicare a caracteristicii volt - amper (CVA) conform
schemei:
Echipamentul
necesar:
R1 - 4,7 k variabil,
R2 - 200 ,
VS1 - KH102A,
PA1, PV1
-aparate de msur
universale de tipul
GDM8245
Figura 2 Circuitul de ridicare a caracteristicii volt - amper a dinistorului
2. Ridicai datele pentru CVA la polarizare direct a dinistorului i le nscriei

n tabelul 1
Tabelul 1 - Datele msurrilor la polarizarea direct a dinistorului
Polarizarea direct
U, V
I, mA
3. Ridicai datele pentru CVA la polarizare invers a dinistorului i le nscriei

n tabelul 2.

Tabelul 2 - Datele msurrilor la polarizarea invers a dinistorului


Polarizarea invers
U, V
I, mA

4. Construii graficul caracteristicii volt-amper i determinai din caracteristic

urmtorii parametri:
tensiunea de amorsare (Ua)
curentul de amorsare (Ia)
curentul de meninere (Im)
5. Calculai rezistenele difereniale ale dinistorului n regim de blocare (Rb)
i de conducie (Rc) din expresia:
R = U/I.

6. Coninutul drii de seam:


foia de titlu
scopul lucrrii
circuitul de montare a dinistorului
tabelele cu datele msurrilor
graficul caracteristicii volt-amper
calculul rezistenei difereniale n regim de blocare i n regim de
-

conducie
concluzii

Lucrarea de laborator nr. 6


Tema: Studierea tranzistorului bipolar n conexiune BC
Scopul lucrrii : Ridicarea familiilor caracteristicilor statice de intrare i de
ieire ale tranzistorului bipolar n conexiune baz-comun (BC); determinarea
parametrilor h n curent continuu.
Noiuni teoretice:
n figura 1 este reprezentat simbolul grafic i structura unui tranzistor PNP
cu precizarea sensului curenilor i tensiunilor aa cum vor fi folosite n aceast
lucrare.

Figura 1 - Simbolul grafic i structura unui tranzistor PNP.


ntre aceste mrimi se pot scrie relaiile:
(1)
U CE U CB U BE
(2).
Comportarea tranzistorului bipolar n regim continuu este definit de relaiile
ce descriu dependena curenilor I C i I E de tensiunile aplicate la bornele celor
I E IC I B

dou jonciuni U BE i U CB . n regim activ normal, jonciunea emitor-baz este


polarizat direct, iar jonciunea colector-baz polarizat invers.
Din punct de vedere practic, pentru determinarea regimului de funcionare in
curent continuu, este necesar cunoaterea familiilor carcateristicilor statice de
intrare i de ieire cu particulariti specifice fiecrui mod de conexiune. n
conexiunea baz comun, electrodul de referin este baza.
Caracteristica de intrare a tranzistorului n conexiunea BC, reprezint
dependena:
I E f (U EB ) UCB=const.
Reprezentarea grafic este dat n figura 2, unde s-a considerat ca parametru
constant tensiunea U CB .

Figura 2 Familia caracteristicilor statice de intrare a TB n conexiune BC.


Caracteristicile de ieire a tranzistorului n conexiune BC reprezint
dependena:
I C f (U CB ) I E const .

Ele sunt reprezentate grafic n figura 3. Se constat dependena foarte mic


a curentului de colector de tensiunea U CB n regiunea activ normal,
caracteristicile fiind practic orizontale i echidistante, pentru trepte constante ale
curentului de emitor (ceea ce confer tranzistorului n conexiunea BC caracterul de
generator de curent).

Figura 3 Familia caracteristicilor statice de ieire a TB n conexiune BC.


Mersul lucrrii:
1. Montai circuitul de ridicare a caracteristicilor statice de intrare ale TB din
figura 4.

Figura 4 - Circuitul de ridicare a caracteristicilor statice de intrare ale TB.

Componentele i aparatele necesare:


Tranzistoare
Rezistoare fixe
Rezistoare variabile
Aparate de msur

VT1 : KT 315D;
R1 = 1 k;
R2, R3 = 10 k;
PA1, PA2 GDM-8245;
PV1, PV2 - GDM-8245.

2. Ridicai caracteristicile statice de intrare pentru 2 valori a tensiunii UCB

indicate n tabelul 1.

Tabelul 1 - Dependena curentului emitorului (IE) de tensiunea emitor


baz (UEB)
UCB = 0V
UEB, V
IE, mA
UCB = 5V
UEB, V
IE, mA

3. Montai circuitul de ridicare a caracteristicilor statice de ieire ale TB din


figura 5.

Figura 5 - Circuitul de ridicare a caracteristicilor statice de ieire a TB.


4.
Ridicai caracteristicile statice de ieire pentru 3 valori ale
curentului emitorului indicate n tabelul 2.

Tabelul 2 - Dependena curentului de colector IC de tensiunea colector


baz UCB.
IE = 2,0mA
UCB, V
IC, mA
IE = 4,0mA
UCB, V
IC, mA
IE = 6,0mA
UCB, V
IC, mA
5. n baza datelor din tabelul 1 i tabelul 2, pe hrtie milimetric, construii
caracteristicile statice de intrare i de ieire ale TB n conexiune BC.
6. Din caracteristicile statice de intrare determinai urmtorii parametri h,
utiliznd expresiile:
h11B=UEB/IE UCB=ct;

h12B=UEB/UCB IE=ct.

7. Din caracteristicile statice de ieire determinm ceilali h - parametri


utiliznd expresiile:
h21B=IC/IE UCB=ct;

h22B=IC/UCB IE=ct.

8. Coninutul drii de seam:


a) scopul lucrrii;
b) schemele circuitelor utilizate;
c) tabelele cu datele obinute;
d) graficele caracteristicilor statice de intrare i de ieire ale TB n
conexiune BC;
e) calculul parametrilor h;
f) concluzii.
9. ntrebri orientative pentru susinerea drii de seam:
a) Schemele de conexiune ale TB;
b) Explicai polarizarea TB n conexiune BC;
c) Explicai caracteristicile statice de intrare i de ieire ale TB;
d) Explicai metodice determinrii parametrilor h din caracteristicile
statice;
e) Facei o comparaie a caracteristicilor statice obinute experimental cu
cele din ndrumar.

Lucrarea de laborator nr. 7


Tema: Studierea tranzistorului bipolar n conexiune EC
Scopul lucrrii : Ridicarea familiilor caracteristicilor statice de intrare i de
ieire ale tranzistorului bipolar n conexiune emitor comun (EC); determinarea
parametrilor h n curent continuu.
Noiuni teoretice:
Cele trei conexiuni ale TB (baz comun, emitor comun i colector comun)
au parametrii de intrare, de ieire i de transfer diferii. Dintre ele, cea mai utilizat
este conexiunea emitor comun. Mrimile de intrare i cele de ieire pentru
conexiunea emitor comun sunt prezentate n figura 1.

Figura 1 - Mrimile de intrare i cele de ieire pentru conexiunea emitor


comun.
Modificarea valorii oricreia dintre mrimile de intrare i cele de ieire
conduce la modificarea celorlalte trei. Datorit acestui lucru putem vorbi despre
familiile de caracteristici statice de intrare i de ieire. Pentru conexiunea emitor
comun mrimile de control, cu ajutorul crora le modificm pe celelalte, sunt
curentul bazei IB i tensiunea dintre colector i emitor UCE. De aceea ele vor fi
considerate variabile independente, iar tensiunea dintre baz i emitor UBE i
curentul colectorului IC vor fi variabile dependente.
Caracteristica de intrare a tranzistorului bipolar n conexiunea EC reprezint
dependena:
I B f (U BE ) UCE=const
Reprezentarea grafic este dat n figura 2, unde s-a considerat ca parametru
constant tensiunea colector-emitor U CE .

Figura 2 Familia caracteristicilor statice de intrare a TB n conexiune EC.


Caracteristicile de ieire reprezint dependena:
I C f (U CE ) I B const .
Ele sunt reprezentate grafic n figura 3.

Figura 3 Familia caracteristicilor statice de ieire a TB n conexiune EC.


Mersul lucrrii:
1. Montai circuitul de ridicare a caracteristicilor statice de intrare ale TB din
figura 4.

Figura 4 - Circuitul de ridicare a caracteristicilor statice de intrare ale TB.

Componentele i aparatele necesare:


Tranzistoare
Rezistoare variabile
Rezistoare fixe
Aparate de msur

VT1 : KT 315D;
R1= R4 = 10 k;
R2 = 10 k; R3=1 k
PA1, PA2 GDM-8245;
PV1, PV2 - GDM-8245.

2. Ridicai caracteristicile statice de intrare pentru 2 valori a tensiunii UCE


indicate n tabelul 1.
Tabelul 1 - Dependena curentului bazei (IB) de tensiunea baz emitor
(UBE).
UCE = 0V
UBE, V
IB, mA
UCE = 10V
UBE, V
IB, mA

3. Montai circuitul de ridicare a caracteristicilor statice de ieire ale TB din


figura 5.

Figura 5 - Circuitul de ridicare a caracteristicilor statice de ieire.


4. Ridicai caracteristicile statice de ieire pentru 3 valori ale curentului bazei
indicate n tabelul 2.

Tabelul 2 - Dependena curentului de colector IC de tensiunea colector


baz UCB.
IB = 0,04mA
UCE, V
IC, mA
IB = 0,08mA
UCE, V
IC, mA
IB = 0,12mA
UCE, V
IC, mA
5. n baza datelor din tabelul 1 i tabelul 2, construii caracteristicile statice
de intrare i de ieire ale TB n conexiune EC.
6. Din caracteristicile statice de intrare determinai urmtorii parametri h,
utiliznd expresiile:
h11E=UBE/IB UCE=ct;

h12E=UBE/UCE IB=ct.

7. Din caracteristicile statice de ieire determinm ceilali h - parametri


utiliznd expresiile:
h21E=IC/IB UCE=ct;

h22E=IC/UCE IB=ct.

8. Coninutul drii de seam:


a) scopul lucrrii;
b) schemele circuitelor utilizate;
c) tabelele cu datele obinute;
d) graficele caracteristicilor statice de intrare i de ieire ale TB n conexiune
EC;
e) calculul parametrilor h;
f) concluzii.
9. ntrebri orientative pentru susinerea drii de seam:
a) Schemele de conexiune ale TB;
b) Explicai polarizarea TB n conexiune EC;
c) Explicai caracteristicile statice de intrare i de ieire ale TB;
d) Explicai metodele determinrii parametrilor h din caracteristicile statice;
e) Facei o comparaie a caracteristicilor statice obinute experimental cu
cele din ndrumar.

Lucrarea de laborator nr. 8


Tema: Studierea tranzistorului cu efect de cmp cu
jonciune p-n (TEC J)
Scopul lucrrii : Studierea principiului de funcionare a TEC J, ridicarea
caracteristicilor de ieire i de transfer, determinarea parametrilor de baz.
Noiuni teoretice:
Tranzistoarele cu efect de cmp (TEC) se bazeaz pe controlul efectuat de
un cmp electric asupra curentului care trece prin dispozitiv. Curentul electric trece
printr-un canal conductor, a crui conductan depinde de valoarea cmpului
electric de comand.
Curentul este format dintr-un singur tip de purttori de sarcin, care se
deplaseaz de la un capt al canalului, numit surs (S), la cellalt capt numit dren
(D). Deplasarea purttorilor are loc datorit diferenei de potenial aplicat ntre
dren i surs.
Cmpul electric care moduleaz conductana acestui canal este aplicat la un
al treilea electrod, electrodul de control, numit gril (G) sau poart (P).
Dup tipul de purttori care particip la conducia curentului electric exist
dou categorii de tranzistoare cu efect de cmp: TEC cu canal n, cnd purttorii de
sarcin sunt electronii, i TEC cu canal p la care curentul electric este cauzat de
goluri.
La baza funcionrii TEC-J stau urmtoarele proprieti ale jonciunii p-n:
- regiunea de sarcin spaial se comport ca un mediu dielectric;
- adncimea de ptrundere n zona n depinde de polarizarea jonciunii p-n
i de gradul de dopare cu impuriti a zonei n;
- lrgimea canalului depinde de tensiunea de poart UP.
La TEC-J electrodul de control (grila) l constituie o jonciune p-n, polarizat
invers. Pe un substrat puternic dopat de tip p se formeaz o zon de tip n care va
constitui canalul, aa cum se poate vedea n figura 1, n care este reprezentat i
simbolul grafic a TEC J.

Figura 1 Notarea grafic i structura TEC J.

Caracteristicile statice ale tranzistorului TEC-J se mpart n dou categorii:


- caracteristici statice de ieire, care dau dependena curentului de dren ID
de tensiunea dren-surs UDS la valoare constant a tensiunii gril surs UGS:
ID=f(UDS) UGS=const;
- caracteristici statice de transfer, adic dependena curentului de dren ID n
funcie de tensiunea gril-surs UGS la valoare constant a tensiunii dren surs
UDS:
ID=f(UGS) UDS=const.

a)
b)
Figura 2 Caracteristicile statice ale tranzistorului TEC-J:
a) Caracteristica de transfer; b) Caracteristicile de ieire (de dren).
Principalii parametri ai TEC J sunt urmtorii:
1. Panta caracteristicii de transfer S, care se determin din expresia:
S=ID/UGS UDS = const; [mA/V],
2. Rezistena interioar Ri, care se determin din expresia:
Ri=UDS/ID UGS= const; [k],
3. Coeficientul de amplificare n tensiune , care se determin din expresia:
=UDS/UGS ID= const sau =S Ri.

Mersul lucrrii:
1. Montai circuitul de ridicare a caracteristicilor statice de transfer i de ieire
a TEC J din figura 3.

Figura 3 - Circuitul de ridicare a caracteristicilor statice de transfer i de


ieire a TEC J.
Componentele i aparatele necesare:
Tranzistoare
VT1 : K203;
Rezistoare variabile
R1= 10 k;R4= 4,7 k;
Rezistoare fixe
R2= 2 k;R3=1 k;
Aparate de msur
PA1 GDM-8245;
PV1, PV2 - GDM-8245.
2. Ridicai caracteristicile statice de transfer pentru 2 valori a tensiunii UDS
indicate n tabelul 1.
Tabelul 1 - Dependena curentului drenei (ID) de tensiunea gril surs
(UGS).
UDS = 1V
UGS, V
ID, mA
UDS = 3V
UGS, V
ID, mA

3. Ridicai caracteristicile statice de ieire pentru 3 valori a tensiunii gril surs indicate n tabelul 2.
Tabelul 2 - Dependena curentului drenei ID de tensiunea dren
surs UDS.
UGS = 0,5 V
UDS, V
ID, mA
UGS = 1 V
UDS, V
ID, mA
UGS = 1,5 V
UDS, V
ID, mA
4. n baza datelor din tabelul 1 i tabelul 2, pe hrtie milimetric, construii
caracteristicile statice de transfer i de ieire ale TEC J.
5. Din caracteristica de transfer determinai panta static S, utiliznd expresia:
S=ID/UGS UDS = const;
Din caracteristicile statice de ieire determinai rezistena interioar Ri
utiliznd expresia:
Ri=UDS/ID UGS= const;
Determinai coeficientul de amplificare n tensiune , utiliznd expresia:
=S Ri.
6. Coninutul drii de seam:
a) scopul lucrrii;
b) schema circuitului utilizat;
c) tabelele cu datele obinute;
d) graficele caracteristicilor statice de transfer i de ieire ale TEC J;
e) calculul parametrilor;
f) concluzii.

7. ntrebri orientative pentru susinerea drii de seam:


a) Schema de conexiune a TEC J;
b) Explicai polarizarea TEC J;
c) Explicai caracteristicile statice de transfer i de ieire ale TEC J;
d) Explicai metodele determinrii parametrilor din caracteristicile statice;
e) Facei o comparaie a caracteristicilor statice obinute experimental cu
cele din ndrumar.

Lucrarea de laborator nr. 9


Tema: Studierea etajului de amplificare cu emitor
comun
Scopul lucrrii : Studierea principiului de funcionare a etajului de
amplificare cu TB n conexiunea EC; ridicarea caracteristicilor de amplitudine i
amplitudine - frecven.
Noiuni teoretice:
Una dintre funciile cele mai importante ale tranzistorului este cea de
amplificare. Dispozitivul capabil s amplifice tensiunea, curentul sau puterea este
un amplificator. El conine cel puin un element activ de circuit care realizeaz
funcia de amplificare. Tranzistorul poate fi folosit att pentru amplificarea
curentului continuu ct i pentru amplificarea semnalelor variabile n timp.
Cei mai importani parametrii caracteristici ai amplificatoarelor sunt:
a) factorul de amplificare K;
b) banda de trecere (sau de frecvene) f;
c) diapazonul dinamic D.
Orice amplificator are o caracteristic amplitudine-frecven care poate fi
reprezentat grafic ca dependen a factorului de amplificare de frecvena
semnalului amplificat i se descrie cu expresia:
Ku = f(f)
Uint = const.
Pentru majoritatea amplificatoarelor, caracteristica amplitudine-frecven
are aspectul grafic prezentat n figura 1. Se poate observa existena unui domeniu
de frecvene, n care amplificarea este maxim i aproape constant, n timp ce la
frecvene mici i mari amplificarea semnalelor scade.

Figura 1 Caracteristica amplitudine frecven.

Se definete banda de trecere sau banda de frecvene f a unui amplificator,


ca fiind diferena dintre frecvenele la care factorul de amplificare scade la 1/2
(-3dB) din valoarea sa maxim. Conform figurii 1:
f = fsus fjos.
Valoarea factorului de amplificare depinde i de mrimea (amplitudinea)
semnalului de intrare ce se reprezint prin caracteristica de amplitudine descris cu
expresia:
Uie=f(Uint)
f=const.

Figura 2 Caracteristica de amplitudine.


Pentru nivele foarte mici ale semnalului de intrare, factorul de amplificare
scade datorit influenei zgomotelor din circuit care devin comparabile ca nivel cu
nivelul semnalului de intrare. Pentru nivele mari ale semnalului de intrare, factorul
de amplificare scade datorit neliniaritii caracteristicii de transfer a elementului
activ. Este imposibil ca amplitudinea semnalului de ieire s fie mai mare dect
tensiunea de alimentare a amplificatorului, indiferent ct de mare este amplitudinea
semnalului de intrare. Pe baza reprezentrii grafice din figura 2 se definete
diapazonul dinamic a unui amplificator:
D=Uint.max / Uint.min;
Unde valorile minime i maxime ale tensiunilor de intrare delimiteaz
poriunea liniar a reprezentrii grafice. n interiorul diapazonului dinamic, ntre
tensiunea de ieire i cea de intrare este o relaie de direct proporionalitate i
forma de und a semnalului de ieire este similar formei de und a semnalului de
intrare. Altfel spus, n interiorul diapazonului dinamic, dac semnalul de intrare
este pur sinusoidal i semnalul de ieire va fi pur sinusoidal.

Mersul lucrrii:
1. Montai circuitul de ridicare a caracteristicilor de amplitudine i
amplitudine-frecven a etajului de amplificare cu EC din figura 3.

Figura 3 - Circuitul de ridicare a caracteristicilor de amplitudine i


amplitudine-frecven a etajului de amplificare cu EC.
Componentele i aparatele necesare:
Tranzistoare
VT1 : KT315;
Rezistoare fixe
R1= 20 k;R2= 3,3 k;
RC= 1 k;RE=100 ;
Condensatoare
CS1=CS2= 0,068 F;
CE=100 F;
Aparate de msur
Voltmetre de tipul:
PV1, PV2 - GDM-8245.
Generator de tipul: 3-112
2. Ridicai caracteristicile de amplitudine pentru 3 valori a frecvenei f indicate
n tabelul 1.
Tabelul 1 Dependena tensiunii de ieire Uie de tensiunea de intrare Uint
f = 10 kHz
Uint, V
Uie, V
KU

Tabelul 1 (Continuare)
f = 100 kHz
Uint, V
Uie, V
KU
f = 200 kHz
Uint, V
Uie, V
KU
3. Ridicai caracteristicile amplitudine-frecven pentru 2 valori a tensiunii de
intrare Uint indicate n tabelul 2.
Tabelul 2 Dependena factorului de amplificare KU de frecvena f.
Uint = 50 mV
f, kHz
Uie, V
KU
Uint = 100 mV
f, kHz
Uie, V
KU
4. Formula de calcul a factorului de amplificare KU este urmtoarea:
KU=Uie / Uint.
5. n baza datelor din tabelul 1 i tabelul 2, pe hrtie milimetric, construii
caracteristicile de amplitudine i amplitudine-frecven a etajului de
amplificare cu EC.
6. Din caracteristicile de amplitudine determinai domeniul dinamic D a
etajului de amplificare cu EC.
Din caracteristica amplitudine-frecven determinai banda de trecere f a
amplificatorului .
7. Coninutul drii de seam:
a) scopul lucrrii;
b) schema circuitului utilizat;
c) tabelele cu datele obinute;

d) graficele caracteristicilor de amplitudine i amplitudine-frecven a

etajului de amplificare cu EC;


e) calculul parametrilor;
f) concluzii.
8. ntrebri orientative pentru susinerea drii de seam:
a) Schema de conexiune a a etajului de amplificare cu EC.;
b) Explicai caracteristicile de amplitudine i amplitudine-frecven a etajului
de amplificare cu EC;
c) Explicai metodele determinrii parametrilor din caracteristici;
d) Facei o comparaie a caracteristicilor obinute experimental cu cele din
ndrumar.

Lucrarea de laborator nr. 10


Tema: Studierea etajului de amplificare cu baz
comun
Scopul lucrrii : Studierea principiului de funcionare a etajului de
amplificare cu TB n conexiunea BC; ridicarea caracteristicilor de amplitudine i
amplitudine - frecven.
Noiuni teoretice:
Marimile caracteristice ale amplificatorului cu baz comun sunt:
- semnalul de intrare se aplic la emitor prin intermediul unui condensator de
cuplaj, iar semnalul de ieire se culege de la colector prin intermediul unui
condensator de cuplaj.
- impedana de intrare este mic (30 -160 );
- impedana de ieire este mare (250 k 550 k);
- amplificarea n curent unitar (1);
- amplificarea n tensiune mare (pn la 1000);
- amplificarea n putere mare (pn la 1000);
- semnalul de ieire este n faz cu semnalul de intrare.
Etajul de amplificare cu baz comun se utilizeaz n amplificatoarele de
radiofrecven din receptoarele n diapazonul undelor ultrascurte. Avantajul
amplificatorului cu BC const n aceia c poate funciona la frecvene foarte nalte.
Ca dezavantaj se poate meniona rezisten de intrare mic a etajului de amplificare
cu BC.
Cei mai importani parametrii caracteristici sunt:
d) factorul de amplificare K;
e) banda de trecere (sau de frecvene) f;
f) diapazonul dinamic D.
Orice amplificator are o caracteristic amplitudine-frecven care poate fi
reprezentat grafic ca dependen a factorului de amplificare de frecvena
semnalului amplificat i se descrie cu expresia:
Ku = f(f)
Uint = const.
Pentru majoritatea amplificatoarelor, caracteristica amplitudine-frecven
are aspectul grafic prezentat n figura 1
Se definete banda de trecere sau banda de frecvene f a unui amplificator,
ca fiind diferena dintre frecvenele la care factorul de amplificare scade la 1/2
(-3dB) din valoarea sa maxim. Conform figurii 1:
f = fsus fjos.

Figura 1 Caracteristica amplitudine frecven.

Valoarea factorului de amplificare depinde i de mrimea (amplitudinea)


semnalului de intrare ce se reprezint prin caracteristica de amplitudine descris cu
expresia:
Uie=f(Uint)
f=const.

Figura 2 Caracteristica de amplitudine.

Mersul lucrrii:
1. Montai circuitul de ridicare a caracteristicilor de amplitudine i
amplitudine-frecven a etajului de amplificare cu BC din figura 3.

Figura 3 - Circuitul de ridicare a caracteristicilor de amplitudine i


amplitudine-frecven a etajului de amplificare cu BC.
Componentele i aparatele necesare:
Tranzistoare
Rezistoare fixe
Condensatoare
Aparate de msur

VT1 : KT315;
R1= 20 k;R2= 3,3 k;
RC= 1 k;RE=100 ;
CS1=CS2= 0,068 F;
CB=100 F;
Voltmetre de tipul:
PV1, PV2 - GDM-8245.
Generator de tipul: 3-112

2. Ridicai caracteristicile de amplitudine pentru 3 valori a frecvenei f indicate


n tabelul 1.
Tabelul 1 Dependena tensiunii de ieire Uie de tensiunea de intrare Uint
f = 10 kHz
Uint, V
Uie, V
KU

Tabelul 1 (Continuare)
f = 100 kHz
Uint, V
Uie, V
KU
f = 200 kHz
Uint, V
Uie, V
KU
3. Ridicai caracteristicile amplitudine-frecven pentru 2 valori a tensiunii de
intrare Uint indicate n tabelul 2.
Tabelul 2 Dependena factorului de amplificare KU de frecvena f.
Uint = 50 mV
f, kHz
Uie, V
KU
Uint = 100 mV
f, kHz
Uie, V
KU
4. Formula de calcul a factorului de amplificare KU este urmtoarea:
KU=Uie / Uint.
5. n baza datelor din tabelul 1 i tabelul 2, pe hrtie milimetric, construii
caracteristicile de amplitudine i amplitudine-frecven a etajului de
amplificare cu BC.
6. Din caracteristicile de amplitudine determinai domeniul dinamic D a
etajului de amplificare cu BC.
Din caracteristica amplitudine-frecven determinai banda de trecere f a
amplificatorului .
7. Coninutul drii de seam:
a) scopul lucrrii;
b) schema circuitului utilizat;
c) tabelele cu datele obinute;

d) graficele caracteristicilor de amplitudine i amplitudine-frecven a

etajului de amplificare cu BC;


e) calculul parametrilor;
f) concluzii.
8. ntrebri orientative pentru susinerea drii de seam:
a) Schema de conexiune a a etajului de amplificare cu BC.;
b) Explicai caracteristicile de amplitudine i amplitudine-frecven a etajului
de amplificare cu BC;
c) Explicai metodele determinrii parametrilor din caracteristici;
d) Facei o comparaie a caracteristicilor obinute experimental cu cele din
ndrumar.

Lucrarea de laborator nr. 11


Tema: Studierea amplificatorului cu TEC
Scopul lucrrii : Studierea principiului de funcionare a etajului de
amplificare cu TEC J n conexiunea surs comun (SC); ridicarea caracteristicilor
de amplitudine i amplitudine - frecven.
Noiuni teoretice:
Pentru a fi utilizat ca amplificator tranzistorul TEC J se utilizeaz polarizat
n regim de saturaie. n acest regim exist, la semnal mic, o dependen liniar
ntre tensiunea de comand UGS i curentul drenei ID.
Funcionarea unui etaj de amplificare, realizat cu tranzistor TEC J (canal n),
este posibil dac tranzistorul este polarizat corect, adic atunci cnd grila (G) este
negativ n raport cu sursa (S), iar pe dren (D) se aplic o tensiune pozitiv.
Rezistena RG se adopt de valoare mare i are rolul de a transmite pe gril
potenialul negativ al sursei de semnal (generatorul G). n acelai timp, valoarea
mare a rezistenei RG asigur o rezisten (impedan) de intrare ridicat pentru
etajul de amplificare cu TEC J.
Condensatoarele CC1 i CC2 sunt condensatoare de cuplaj la intrare i
respectiv la ieirea etajului, acestea avnd rolul de blocare a componentei continue
din semnalul de intrare i/sau ieire.
Condensatorul CS decupleaz (scurtcircuiteaz) rezistena RS la funcionarea
etajului n curent alternativ, ntruct reactana XCs a acestuia este neglijabil la
frecvena de lucru a etajului.
Cei mai importani parametrii caracteristici sunt:
g) factorul de amplificare K;
h) banda de trecere (sau de frecvene) f;
i) diapazonul dinamic D.
Orice amplificator are o caracteristic amplitudine-frecven care poate fi
reprezentat grafic ca dependen a factorului de amplificare de frecvena
semnalului amplificat i se descrie cu expresia:
Ku = f(f)
Uint = const.
Pentru majoritatea amplificatoarelor, caracteristica amplitudine-frecven
are aspectul grafic prezentat n figura 1
Se definete banda de trecere sau banda de frecvene f a unui amplificator,
ca fiind diferena dintre frecvenele la care factorul de amplificare scade la 1/2
(-3dB) din valoarea sa maxim. Conform figurii 1:
f = fsus fjos.

Figura 1 Caracteristica amplitudine frecven.

Valoarea factorului de amplificare depinde i de mrimea (amplitudinea)


semnalului de intrare ce se reprezint prin caracteristica de amplitudine descris cu
expresia:
Uie=f(Uint)
f=const.

Figura 2 Caracteristica de amplitudine.

Mersul lucrrii:
1. Montai circuitul de ridicare a caracteristicilor de amplitudine i
amplitudine-frecven a etajului de amplificare cu TEC J din figura 3.

Figura 3 - Circuitul de ridicare a caracteristicilor de amplitudine i


amplitudine-frecven a etajului de amplificare cu TEC J.
Componentele i aparatele necesare:
Tranzistoare
Rezistoare fixe
Condensatoare
Aparate de msur

VT1 : K303;
RG= 150 k;RS= 200 ;
RD= 1 k;
CC1=CC2= 0,068 F;
CS=100 F;
Voltmetre de tipul:
PV1, PV2 - GDM-8245.
Generator de tipul: 3-112

2. Ridicai caracteristicile de amplitudine pentru 3 valori a frecvenei f indicate


n tabelul 1.
Tabelul 1 Dependena tensiunii de ieire Uie de tensiunea de intrare Uint
f = 10 kHz
Uint, V
Uie, V
KU

Tabelul 1 (Continuare)
f = 100 kHz
Uint, V
Uie, V
KU
f = 200 kHz
Uint, V
Uie, V
KU
3. Ridicai caracteristicile amplitudine-frecven pentru 2 valori a tensiunii de
intrare Uint indicate n tabelul 2.
Tabelul 2 Dependena factorului de amplificare KU de frecvena f.
Uint = 50 mV
f, kHz
Uie, V
KU
Uint = 100 mV
f, kHz
Uie, V
KU
4. Formula de calcul a factorului de amplificare KU este urmtoarea:
KU=Uie / Uint.
5. n baza datelor din tabelul 1 i tabelul 2, pe hrtie milimetric, construii
caracteristicile de amplitudine i amplitudine-frecven a etajului de
amplificare cu TEC J.
6. Din caracteristicile de amplitudine determinai domeniul dinamic D a
etajului de amplificare cu TEC J.
Din caracteristica amplitudine-frecven determinai banda de trecere f a
amplificatorului .
7. Coninutul drii de seam:
a) scopul lucrrii;
b) schema circuitului utilizat;
c) tabelele cu datele obinute;

d) graficele caracteristicilor de amplitudine i amplitudine-frecven a

etajului de amplificare cu TEC J;


e) calculul parametrilor;
f) concluzii.
8. ntrebri orientative pentru susinerea drii de seam:
a) Schema de conexiune a a etajului de amplificare cu TEC J;
b) Explicai caracteristicile de amplitudine i amplitudine-frecven a etajului
de amplificare cu TEC J;
c) Explicai metodele determinrii parametrilor din caracteristici;
d) Facei o comparaie a caracteristicilor obinute experimental cu cele din
ndrumar.

Lucrarea de laborator nr. 12


Tema: Studierea etajului diferenial
Scopul lucrrii : Studierea principiului de funcionare a etajului diferenial
asamblat pe TB, ridicarea caracteristicilor de amplitudine i amplitudene frecven.
Noiuni teoretice:
Amplificatorul diferenial (AD) este modulul de intrare n multe circuite
integrate analogice: amplificatoare operaionale, comparatoare, convertoare,
multiplicatoare analogice, etc.
AD are 2 intrri si amplific diferena semnalelor de la intrri. Cu alte
cuvinte, semnalul de ieire al AD este proporional cu diferena dintre cele dou
intrri, constanta de proporionalitate fiind chiar amplificarea difereniala. Astfel se
explic denumirea de amplificator diferenial.
Simbolul utilizat pentru AD este acelai ca i pentru amplificatorul
operaional i este prezentat n figura 1.

Figura - 1 Simbolul grafic al amplificatorului diferenial.


Cele doua intrri ale AD sunt astfel denumite:
- IN1 intrarea neinversoare, simbolizat cu +;
- IN2 intrarea inversoare, simbolizat cu -.
AD poate avea o ieire sau dou ieiri. Poate fi utilizat att ca amplificator
de curent continuu ct si ca amplificator de curent alternativ.
n circuitul de intrare pentru un amplificator diferenial: U+int i U-int sunt
semnalele aplicate pe cele dou intrri, iar I+int i I-int sunt curenii de intrare. Att
tensiunile ct si curenii au cte o parte comun Uint com respectiv Iint com i alta care
i difereniaz Uint dif respectiv Iint dif.
Parametrii amplificatorului diferenial sunt:
- tensiunea diferenial de intrare;
- curentul diferenial de intrare;
- tensiunea diferenial de ieire;
- curentul diferenial de ieire.
Pentru analiza teoretic a AD se utilizeaza schema din figura 2. Cel mai
simplu etaj diferenial este format din dou tranzistoare, emitoarele crora sunt
conectate la rezistorul RE comun. Pentru semnalul de intrare Uint1 tranzistorul VT1
este conectat dup schema emitor comun, iar VT2 dup schema baz comun.
Pentru Uint2: VT2 dup schema emitor comun, iar VT1 dup schema baz
comun.

Figura 2 - Amplificatorul diferenial cu ieire simetric


n figura 3 este reprezentat dependena Uie dif. de Uint dif. descris cu expresia:
Uie dif =f (Uint dif.)

Figura 3 Caracteristica de amplitudine a amplificatorului diferenial.


Mersul lucrrii:
1. Montai circuitul de ridicare a caracteristicilor de amplitudine i
amplitudine-frecven a etajului diferenial de amplificare cu TB din
figura 4.

Figura 4 - Circuitul de ridicare a caracteristicilor de amplitudine i


amplitudine-frecven a etajului diferenial de amplificare cu TB.
Componentele i aparatele necesare:
Tranzistoare
Rezistoare fixe
Aparate de msur

VT1, VT2: K315;


R1= 1 k;R2= 1 k;
RE= 200 ;
Voltmetre de tipul:
PV1, PV2 - GDM-8245.
Generator de tipul: 3-112

2. Ridicai caracteristicile de amplitudine pentru 3 valori a frecvenei f indicate


n tabelul 1.
Tabelul 1 Dependena tensiunii de ieire Uie dif de tensiunea de intrare Uint dif
f = 10 kHz
Uint, V
Uie, V
KU
f = 100 kHz
Uint, V
Uie, V
KU
f = 200 kHz
Uint, V
Uie, V
KU

3. Ridicai caracteristicile amplitudine-frecven pentru 2 valori a tensiunii de


intrare Uint dif indicate n tabelul 2.
Tabelul 2 Dependena factorului de amplificare KU de frecvena f.
Uint dif = 50 mV
f, kHz
Uie dif, V
KU
Uint dif = 100 mV
f, kHz
Uie dif, V
KU
4. Formula de calcul a factorului de amplificare KU este urmtoarea:
KU=Uie dif / Uint dif.
5. n baza datelor din tabelul 1 i tabelul 2, pe hrtie milimetric, construii
caracteristicile de amplitudine i amplitudine-frecven a etajului diferenial
de amplificare cu TB.
6. Din caracteristicile de amplitudine determinai domeniul dinamic D a
etajului diferenial de amplificare cu TB.
Din caracteristica amplitudine-frecven determinai banda de trecere f a
amplificatorului.
7. Coninutul drii de seam:
a) scopul lucrrii;
b) schema circuitului utilizat;
c) tabelele cu datele obinute;
d) graficele caracteristicilor de amplitudine i amplitudine-frecven a
etajului diferenial de amplificare cu TB;
e) calculul parametrilor;
f) concluzii.
8. ntrebri orientative pentru susinerea drii de seam:
a) Schema de conexiune a a etajului diferenial de amplificare cu TB;
b) Explicai caracteristicile de amplitudine i amplitudine-frecven a etajului
diferenial de amplificare cu TB;
c) Explicai metodele determinrii parametrilor din caracteristici;
d) Facei o comparaie a caracteristicilor obinute experimental cu cele din
ndrumar.