Diode semiconductoare

Lucrare experimental`
Ve\i studia caracteristicile statice la trei diode semiconductoare: una cu germaniu, una cu siliciu ]i o
diod` luminescent` (LED).

Experimentul 1. Conduc\ia direct`

Desena\i-v` schema circuitului din Fig. 3.20
miliampermetru
R
]i apoi stabili\i sensurile curen\ilor ]i polarit`\ile
I mamp
1k
necesare pentru aparatele de m`sur`, complet[nd
mA
IV
ID
schema desenat`. Realiza\i apoi circuitul, aleg[nd
dioda cu germaniu. Selecta\i scala de 10 mA pentru
E
+
V
_
miliampermetru ]i cea de 1 V pentru voltmetru. 0 - 15 V
Cre]te\i progresiv tensiunea sursei de alimentare
urm`rind evolu\ia curentului. Observa\i deschiderea
diodei ]i nota\i-v` valoarea aproximativ` a tensiunii
voltmetru
de deschidere.
Fig. 3.20. Montajul experimental.
Relua\i apoi experimentul, m`sur[nd, dup`
deschiderea diodei, 10-12 puncte experimentale curent-tensiune. Nu uita\i c` miliampermetrul nu m`soar`
curentul prin diod` ci suma sa cu cel prin voltmetru. Determina\i rezisten\a RV a voltmetrului ]i face\i
corec\ia necesar` pentru a ob\ine curentul prin diod` cu o precizie de 1-5 %

ID = Imamp U RV
V (volti)

I mamp (mA )

IV (mA )

I D (mA )
0

Repeta\i experimentul ]i pentru celelalte diode ]i desena\i caracteristicile statice (curent [n func\ie de
tensiune) pe acela]i grafic, [n scar` liniar`, cu ambele scale [ncep[nd de la valoarea 0.

Experimentul 2. Este dependen\a curentului exponen\ial` ?

Relua\i investigarea conduc\iei directe la diodele cu germaniu ]i siliciu, urm`rind acum evolu\ia
curentului pe o gam` mai larg` de valori. Pentru c` ve\i reprezenta curentul pe o scar` logaritmic` ]i este de
dorit ca punctele experimentale s` fie aproximativ echidistante, ve\i efectua m`sur`tori la urm`toarele valori
ale curentului ([n mA) : 10; 5; 2; 1; 0.5; 0.2; 0.1; 0.05; 0.02; 0.01; 0.005; 0.002; 0.001. De data aceasta, la
valori at[t de mici ale curen\ilor, corec\ia de voltmetru nu mai poate fi aplicat` (justifica\i de ce !). Din acest
motiv, va trebui s` utiliza\i un voltmetru electronic, care are o rezisten\` intern` de c[\iva M.
Reprezenta\i apoi, pe acela]i grafic, dependen\ele I = f(U ), cu o scar` logaritmic` pentru curent ]i
una liniar` pentru tensiuni. Determina\i varia\ia de tensiune necesar`, [n cazul fiec`rei diode, pentru ca
intensitatea curentului s` creasc` de 10 ori. Cunosc[nd poten\ialul termic VT 26 mV , determina\i pentru

60

Electronic` - Manualul studentului

diodele cu germaniu ]i, respectiv, siliciu, parametrul de recombinare m . Determina\i, de asemenea, valoarea
curentului Is de satura\ie.

Experimentul 3. Curentul invers

Dac` am da crezare expresiei teoretice (3.1), la polarizare invers`, dup` ce trece prin origine, curentul
devine practic constant la tensiuni mai negative dec[t c[teva zecimi de volt. deoarece la U >> mV T
exponen\iala devine neglijabil` fa\` de unitate ]i

I REV I S .
La diodele reale apar curen\i de scurgere care fac ca valoarea curentului invers s` depind` de valoarea
tensiunii pe diod`. Din acest motiv ve\i determina numai ordinul de m`rime al acestui curent. Pentru aceasta,
aplica\i pe r[nd, pe diodele cu germaniu ]i siliciu, o tensiune invers` de aproximativ 5 V. Nu uita\i s`
inversa\i, [n prealabil, polarit`\ile aparatelor de m`sur`. Pentru a fi siguri c` ceea ce m`sura\i este curentul
prin diod`, deconecta\i voltmetrul dup` stabilirea tensiunii.
Determina\i ordinul de m`rime al curen\ilor inver]i. Dac` microampermetrul care m`soar` curentul nu
este suficient de sensibil, trage\i concluzia c` intensitatea curentului este mai mic` dec[t valoarea minim` care
ar putea fi pus` [n eviden\` cu aparatul.
Cum s[nt valorile curen\ilor inver]i pentru cele dou` tipuri de diode ? De c[te ori sunt mai mici dec[t
valorile curen\ilor [n conduc\ie direct` ?

Experimentul 4. Str`pungerea invers`

Dioda cu siliciu pe care o ave\i pe plan]et` este una stabilizatoare. Polariza\i-o invers ]i cre]te\i acum
tensiunea peste 5 V. Aten\ie, miliampermetrul trebuie s` fie pe scala de 10 mA ! Observa\i intrarea [n
str`pungere invers` ]i nota\i-v` valoarea tensiunii de str`pungere. Determina\i, apoi, 10-12 puncte
experimentale de pe caracteristic`, dup` intrarea [n str`pungere invers`. Desena\i graficul caracteristicii
inverse, [n scara liniar`, cu tensiunea [ncep[nd de la 0 vol\i. Reprezenta\i, apoi, [n detaliu, [n alt desen,
regiunea de str`pungere invers`. Determina\i din grafic rezisten\a dinamic` U I din regiunea de
str`pungere.