Scopul lucrrii: Studierea metodelor de ridicare a caracteristicilor de intrare i ieire ale

tranzistorului bipolar conectat dup schema baz comun.

Aparate i materiale: Generator funcional, multimetru, osciloscop surs de tensiune curent
continuu, rezistoare, tranzistor bipolar.
Mersul lucrrii:
Lansai programul emulator ELECTRONICS WORKBENCH.

Experiena 1. Msurarea datelor experimentale pentru construcia caracteristicii voltamper de intrare.

Construii circuitul de mai jos

Figura 1. Conexiunea baz comun a tranzistorului bipolar.

Tastai

pentru ca prin circuit s curg curentul.

Schimbnd cu rezistorul variabil (tasta <R> rezistena scade, tastele <shift>-<R> rezistena se
mrete) tensiunea de intrare (Ueb) de la 0 pn la 0,9 V, ridicai caracteristica de intrare a tranzistorului
Ie=f(Ueb) la tensiunea colectorului (Ucb) 0; 5; 10 V (Ucb=0 n cazul cnd comutatorul este deconectat).
Datele experimentale le introducei n tabelul 1.1 .

Tabelul 1.1 Datele experimentale pentru construcia CVA de intrare.

Tensiunea de intrare
Ie ,mA
Ie ,mA
Ueb , V
Ucb = 0 V
Ucb = 5 V
0
0
0
0,1
0
0
0,2
0
0
0,3
0.001*10
0.001*10
0,4
0.034*10
1.116*10
0,5
1.240*10
4.893*10
0,6
58.89*10
2.092*10
0,7
1.20
7.210
0,8
15.95
77.5
0,9
49.53
225.2

Ie ,mA
Ucb = 10 V
0
0
0
0.002*10
1.510*10
5.469*10
2.10*10
7.402
79.45
227.3

Experiena 2. Msurarea datelor experimentale pentru construcia caracteristicii voltamper de ieire.

Construii circuitul de mai jos:

Figura 2. Conexiunea baz comun a tranzistorului bipolar.

Tastai

pentru ca prin circuit s curg curentul.

Schimbnd tensiunea (Ucb) de la 0 pn la 10V, ridicai ramura direct a caracteristicii de ieire a

tranzistorului Ic=f(Ucb) pentru curentul emitorului (Ie) 10, 20 i 30 m. Datele experimentale le introducei
n tabelul 1.2 .
Tabelul 1.2 Datele experimentale pentru construcia CVA de ieire.
Tensiunea de intrare
Ic ,mA
Ic ,mA
Ic ,mA
Ucb , V
Ie = 10 mA
Ie = 20 mA
Ie = 30 mA
0
9.755
19.72
29.78
1
9.761
19.73
29.79
2
9.768
19. 73
29.80
3
9.774
19.74
29.81
4
9.781
19.75
29.82
5
9.785
19.75
29.83
6
9.792
19.76
29.83
7
9.799
19.77
29.84
8
9.805
19.77
29.85
9
9.810
19.78
29.86
10
9.815
19.78
29.87
Dup datele obinute n rezultatul msurrilor am trasat caracteristicile de intrare i ieire

Experiena 3. Determinai urmtorii parametri:

Rezistena de intrare a tranzistorului
Rint=Ueb/Ie;
Rint=Ueb/Ie=(0.9-0.8)V/(227.3-79.45)mA=0.1V/0.1479A=0.676
Rezistena de ieire a tranzistorului
Ries=Ucb/Ic;
Ries=Ucb/Ic=(10-9)V/(29.87-29.86)mA=100000
Coeficientul de amplificare al tranzistorului
=Ic/Ie
=Ic/Ie =9.815mA/10mA=0.009815A/0.010A=0.9815

Concluzii: La aceast lucrare de laborator am studiat i am aplicat m practic metodele de

ridicare a caracteristicilor de intrare i ieire ale tranzistorului bipolar conectat dup schema baz
comun.Deasemenea am determinat rezistenele de intrare i de ieire ale tranzistorului bipolar i
coeficientul de amplificare al lui cu ajutorul datelor obinute in tabele.Am construit caracteristicile voltamperice de intrare i ieire.