Sunteți pe pagina 1din 32

Tranzistorul bipolar

3.1. Generalitati. Structura tranzistorului bipolar


3.2. Principiul de functionare a tranzistorului bipolar. Formarea curentilor prin tranzistor
3.3. Conexiuni fundamentale ale tranzistorului bipolar
3.4. Tranzistorul bipolar in regim static
3.4.1. Factorul de amplificare in curent in conexiunea EC
3.4.2. Regimuri de lucru. Ecuatiile si modelele Ebers-Moll
3.4.3. Caracteristicile statice al tranzistorului bipolar
3.4.4. Multiplicarea in avalansa la jonctiunea colectorului
3.4.5. Polarizarea tranzistorului intr-un punct dat de functionare, in regiunea activa
normala
3.4.6. Tranzistorul in scheme de comutatie
3.4.7. Ambalarea termica
3.5. Tranzistorul bipolar in regim dinamic de semnal mic
3.5.1. Modelul natural fundamental de semnal mic
3.5.2. Modelul natural de semnal mic Giacoletto (in )
3.5.3. Modele cuadripolare
3.6. Tranzistorul bipolar la inalta frecventa
3.6.1. Caracteristica de frecventa a TB
3.6.2. Frecvente limita
3.7. Parametrii dinamici ai tranzistorului bipolar in conexiune emitor comun in domeniul
de audiofrecventa

TRANZISTORUL BIPOLAR
3.1. GENERALITATI. STRUCTURA TRANZISTORULUI BIPOLAR
Tranzistoarele bipolare (TB) sunt dispozitive semiconductoare alcatuite dintr-o succesiune de
trei regiuni realizate prin impurificarea aceluiasi cristal semiconductor, regiunea centrala fiind
mult mai ingusta si de tip diferit fata de regiunile laterale (fig. 3.1.). Regiunea centrala este mult
mai slab dotata cu impuritati dect celelalte regiuni si se numeste baza (B). Una dintre regiunile
laterale, puternic dotata cu impuritati, se numeste emitor (E), iar cealalta, mai saraca in impuritati
dect emitorul, se numeste colector (C). Regiunile TB formeaza cele doua jonctiuni ale acestuia.
In figura 3.1. sunt reprezentate cele doua structuri ale TB si simbolurile acestora.

-1-

Fig. 3.1. Structura si simbolul TB de tip: a) pnp; b) npn


Structurile din fig. 3.1. ale celor doua tipuri de TB reprezinta modelele structurale
unidimensionale ale acestora. denumirile regiunilor extreme sunt corelate cu functiile lor. E este
sursa de purtatori, care determina in general curentul prin tranzistor, iar C colecteaza purtatorii
ajunsi aici. B are rolul de a controla (modifica) intensitatea curentului prin tranzistor in functie
de tensiunea dintre B si E.
Tranzistorul transfera curentul din circuitul de intrare de rezistenta mica in circuitul de iesire
de rezistenta mare, de unde si denumirea de tranzistor (TRANSISTOR = TRANSFER
RESISTOR).
Ce doua jonctiuni ale tranzistorului sunt:
jonctiunea de emitor sau: emitor-baza (EB) pentru TB pnp;
baza-emitor (BE) pentru TB npn;
jonctiunea de colector sau: colector-baza (CB) pentru TB pnp;
baza-colector (BC) pentru TB npn.
TB este un dispozitiv activ care are ca functie de baza pe cea de amplificare. Proprietatea de
amplificare a TB se datoreste asa-numitului efect de tranzistor.
Pentru TB se pot defini trei curenti si trei tensiuni asa cum sunt prezentate in figura 3.2.

-2-

ab
Fig. 3.2. Marimile la borne ale TB: a) pnp; b) npn
Tensiunile sunt legate prin relatia:
vCB = vCE + vEB, (3.1)
iar curentii prin relatia:
iE = iC + iB. (3.2)
Pentru a obtine relatia (3.2), TB este asimilat cu un nod in care suma algebrica a curentilor
este zero. Ca urmare a relatiilor (3.1) si (3.2) numai doua tensiuni si doi curenti sunt marimi
independente.
Alegerea marimilor electrice care descriu comportarea tranzistorului se poate face in moduri
diferite. Criteriul este urmatorul: se considera tranzistorul ca un diport (un bloc cu doua borne ce
formeaza poarta de intrare si alte doua borne ce formeaza poarta de iesire). Deoarece tranzistorul
are doar trei borne (terminale), una dintre ele trebuie sa fie comuna intrarii si iesirii. Borna
comuna defineste conexiunea tranzistorului.
3.2. PRINCIPIUL DE FUNCTIONARE AL TRANZISTORULUI BIPOLAR.
FORMAREA CURENTILOR PRIN TRANZISTOR
La functionarea normala a TB jonctiunea de emitor se polarizeaza direct, iar cea de colector
invers (fig. 3.3).

Fig. 3.3. Formarea curentilor in TB pnp


Presupunem pentru inceput ca este polarizata doar jonctiunea colectorului. Prin aceasta
jonctiune va circula numai curentul invers de purtatori minoritari notat cu ICB0. Regiunea de
trecere a jonctiunii are o largime mare datorita polarizarii inverse, extinzndu-se mult in zona
bazei intruct aceasta este slab dotata cu impuritati.
Daca se polarizeaza direct si jonctiunea de emitor, regiunea de trecere a acesteia se ingusteaza
si un numar apreciabil de goluri difuzeaza din E in B formnd curentul ipE. In acelasi timp
electronii din baza difuzeaza in emitor, obtinndu-se curentul inBE, care, datorita slabei
impurificari a bazei, este mult mai mic ca valoare dect ipE. Golurile injectate din emitor in baza
devin purtatori minoritari in baza, unde o mica parte dintre ele se recombina cu electronii de aici,
genernd curentul ipEB de valoare mica. Cea mai mare parte a lor , datorita grosimii mici a bazei ,
va fi transportata de cmpul intern din zona de trecere B-C, cmp de intensitate mare, in colector,
formnd curentul ipEC, care este un curent de valoare mare. Trecerea unui curent de valoare mare
printr-o jonctiune (jonctiune de colector) polarizata invers datorita cuplarii electrice cu o
jonctiune polarizata direct (jonctiunea de emitor) poarta denumirea de efect de tranzistor.
Avnd in vedere cele aratate, rezulta urmatoarele relatii intre curentii prin TB pnp:

-3-

iE = ipE + inBE, (3.3)


iC = ipEC + ICB0, (3.4)
iB = ipEB + inBE ICB0. (3.5)
Insumnd pe iC cu iB si tinnd cont ca:
ipE = ipEC + ipEB, (3.6)
se obtine:
iC + iB = ipEC + ICB0 + ipEB + inBE ICB0 = ipE + inBE = iE, (3.7)
relatie identica cu (3.2).
Curentul ICB0 este curentul rezidual (de saturatie) caracteristic jonctiunii colectorului. La
aceasta contribuie att electronii minoritari injectati din colector in baza, ct si golurile
minoritare injectate din baza in colector.
Factorul de amplificare in curent
O functionare eficace a tranzistorului are loc atunci cnd curentul de colector este practic egal
cu curentul de emitor. O prima conditie necesara este ca iE sa fie aproximativ un curent de goluri,
ceea ce este aratat de eficienta emitorului definita prin:

, (3.7)
a carei valoare ideala este E = 1.
O a doua conditie este aceea ca majoritatea golurilor injectate de emitor sa ajunga la
jonctiunea colectorului. In acest sens se defineste un factor de transport al golurilor prin baza

, (3.8)
Valoarea ideala a acestuia este t = 1.
Din (3.8)
ipEC = t ipE (3.9)
Din (3.7) si (3.9)
ipEC = E t iE. (3.10)
Din (3.4) si (3.10) rezulta:
iC = F iE + ICB0, (3.11)
unde F = E t , (3.12)
se numeste factorul de amplificare in curent in sens direct in conexiune baza comuna (BC).
Valoarea lui F este de regula foarte apropiata de unitate (0,98 0,99).
O a treia conditie care trebuie indeplinita este ca ICB0 sa fie neglijabil.
Nota: Uneori factorul F mai este numit si factor de amplificare in curent (cstig in curent) de
semnal mare.
Pentru TB npn modul cum se polarizeaza jonctiunile si iau nastere curentii este explicat in
figura 3.4.

-4-

Fig. 3.4. Formarea curentilor in TB npn


3.3. CONEXIUNI FUNDAMENTALE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR
Asa cum am mai spus TB trebuie tratat ca un diport (cuadripol), dar avnd doar trei borne, una
dintre ele va fi comuna circuitelor de intrare si iesire. TB are trei noduri de conectare
fundamentale:
conexiunea BC (cu baza comuna) (fig. 3.5, a);
conexiunea EC (cu emitorul comun) (fig. 3.5, b);
conexiunea CC (cu colectorul comun) (fig. 3.5, c).

-5-

Fig. 3.5. Conexiunile fundamentale ale TB:


a) conexiunea BC; b) conexiunea EC; c) conexiunea CC

3.4. TRANZISTORUL BIPOLAR IN REGIM STATIC


3.4.1. FACTORUL DE AMPLIFICARE IN CURENT IN CONEXIUNEA EC
Daca se doreste controlul curentului de colector prin curentul de baza trebuie considerata
conexiunea EC.
In regim stationar relatia (3.2) se scrie
IE = IC + IB. (3.13)
Conform (3.11)
IC = F IE + ICB0;

IE =
. (3.14)
Introducnd (3.14) in (3.13), rezulta:

= IC + IB ;

-6-

IC ICB0 = F IC + F IB;
IC(1 F) = F IB + ICB0;

IC =

. (3.15)

Notnd cu

, (3.16)
numit factorul de amplificare in curent in conexiunea emitor comun (EC), si cu

ICE0 =

ICB0 = (F + 1) ICB0 = IC

(3.17)

numit curentul rezidual de colector in conexiunea emitor comun (EC) (masurat cu baza in
gol), relatia (3.15) devine:
IC = F IB + ICE0. (3.18)
Noul factor de amplificare in curent poate fi mult mai mare dect 1 (zeci, sute). De asemenea
ICE0 >> ICB0.
F este cel mai important parametru al TB. Ca si F si F poate fi considerat un factor de
amplificare in curent de semnal mare.
3.4.2. REGIMURI DE LUCRU. ECUATIILE SI MODELELE EBERS-MOLL
In cazul TB se pot realiza urmatoarele regimuri (regiuni) de lucru:
1) regimul normal de lucru (regiunea activa directa) cnd jonctiunea emitorului este polarizata
direct si cea a colectorului invers;
2) regimul inversat de lucru (regiunea activa inversa) cnd jonctiunea emitorului este
polarizata invers si cea a colectorului direct, iar E si C isi inverseaza rolurile; acest regim nu este
folosit in mod practic deoarece parametrii atinsi de TB sunt inferiori celor corespunzatori
regimului normal (C este mai slab dopat dect E);
3) regimul de blocare (de taiere) (regiunea de blocare sau taiere) cnd ambele jonctiuni sunt
polarizat invers; curentul prin TB este practic nul;
4) regimul (regiunea) de saturatie cnd ambele jonctiuni sunt polarizate direct; poate exista
att regim de saturatie normal ct si invers; tensiunile pe cele doua jonctiuni sunt mici si nu pot
varia dect foarte putin.
Primele doua regiuni de lucru sunt regiuni active, deoarece TB permite obtinerea unei
amplificari. Ultimele doua regiuni de lucru nu sunt regiuni active deoarece TB nu poate
amplifica. Totusi aceste regiuni permit utilizarea TB ca element de comutatie, deoarece in aceste
cazuri puterea disipata de tranzistor este mica din cauza valorii reduse a curentului (TB blocat),
respectiv a tensiunii (TB saturat). Plecnd de la ecuatia jonctiunii pn ideale se pot stabili
expresiile curentilor prin TB in functie de tensiunile pe jonctiuni, avnd valabilitate generala in
oricare regiune de lucru. Aceste expresii sunt cunoscute ca ecuatiile Ebers-Moll:
pentru un tranzistor pnp:
IE = IES

; (3.19)
-7-

IC = F IES
pentru un tranzistor npn:

; (3.20)

IE = IES

; (3.21)

IC = F IES
, (3.22)
unde R este factorul invers de amplificare in curent, iar
IES =

; ICS =

, (3.23)

unde IES este curentul de saturatie al jonctiunii emitorului masurat cu colectorul in gol, iar ICS
este curentul de saturatie al jonctiunii colectorului masurat cu emitorul in gol.
Plecnd de la ecuatiile Ebers-Moll se pot construi modelele Ebers-Moll, modele de semnal
mare ale tranzistoarelor pnp si npn (fig. 3.6).

ab
Fig. 3.6. Modelul Ebers-Moll pentru tranzistor: a) pnp; b) npn
Modelul Ebers-Moll prezentat se refera la tranzistorul intern, nelundu-se in considerare
rezistenta distribuita a bazei, o rezistenta echivalenta care se introduce in model pentru a se putea
obtine caderea de tensiune care are loc datorita curgerii transversale a curentului de baza.
Modelul Ebers-Moll este valabil pentru orice polaritate a tensiunilor aplicate din exterior,
adica pentru orice situatie de polarizare a jonctiunilor. Consideram modelul tranzistorului pnp si
sa vedem cum se modifica (simplifica) acesta pentru cele patru regimuri de lucru.
Regimul de blocare este caracterizat de VEB < 0, VCB < 0, ambele mari in modul in raport cu
VT. In acest caz, ecuatiile (3.19) si (3.20) devin (diodele din modelul Ebers-Moll blocate, deci IF
= IES, IR = ICS).
IE = IES + R ICS, (3.24)
IC = F IES + ICS. (3.24)
Se demonstreaza ca F IES = R ICS. (3.26)
Relatiile (3.24) si (3.25), prin folosirea relatiei (3.26), devin:
IE = IES + F IES = (F 1) IES, (3.27)
IC = R ICS + ICS = (1 R) ICS. (3.28)
Modelul Ebers-Moll din figura 3.6, a poate fi restrns in modelul din figura 3.7, a.

-8-

Fig. 3.7. Modele de semnal mare pentru tranzistorul pnp in regimul:


a) de blocare; b) normal de lucru; c) inversat de lucru
Regimul normal de lucru este caracterizat de VEB > 0 si VCB > 0, iar
mare in raport cu
VT, rezulta ca dioda din stnga conduce, iar cea din dreapta este blocata, astfel inct IR = ICS, iar
IF=IES
Ecuatiile Ebers-Moll devin:
IE = IES

(3.29)

IC = F IES

. (3.30)
Din (3.23) rezulta ICB0 = ICS(1 F R), deci (3.30) devine
IC = F IE + ICB0, (3.31)
relatie cunoscuta deja.
Regimul inversat de lucru este caracterizat de VEB < 0 si VCB > 0. Rationamentul este similar
cu cel anterior, rezultnd circuitul echivalent din figura 3.7, c.
-9-

Regimul de saturatie apare la VEB > 0 si VCB > 0. Nu sunt posibile simplificari, deci trebuie
lucrat cu modelul complet.
3.4.3. CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR
In cazul neglijarii rezistentelor domeniilor semiconductoare, tensiunile de polarizare se aplica
direct pe jonctiunile unui tranzistor numai la conexiunea BC. Ca urmare relatiile care dau
dependenta dintre curentii din tranzistor si tensiunile aplicate pe jonctiuni se pot aplica direct sub
forma obtinuta doar la aceasta conexiune. Ecuatiile Ebers-Moll reprezinta expresii analitice
caracteristice tranzistorului intern. Ele intereseaza in masura in care tranzistorul real se apropie
de tranzistorul intern.
In general, curentii dintr-un tranzistor real difera de curentii din tranzistorul intern, in primul
rnd datorita faptului ca tensiunile care ajung pe jonctiuni difera de tensiunile aplicate intre
electrozi, iar asupra componentelor curentilor s-au facut ipoteze simplificatoare cnd s-au dedus
ecuatiile Ebers-Moll.
Aceste ecuatii sunt utile pentru a intelege forma reala a dependentei curentilor din tranzistor de
tensiunile aplicate intre electrozi si pentru ca pun in evidenta parametrii fizici si constructivi si
posibilitatea modificarii acestora in scopul realizarii unor anumite caracteristici pentru tranzistor.
Pentru calcule practice ale circuitelor cu tranzistoare se utilizeaza caracteristicile statice
ridicate experimental. Exista trei tipuri de caracteristici in TB:
a.
caracteristicile de intrare care coreleaza doua marimi de intrare, parametru fiind o
marime de iesire;
b.
caracteristicile de transfer care coreleaza o marime de iesire cu una de intrare, ca
parametru putnd fi, in principiu, oricare alta marime;
c.
caracteristicile de iesire care coreleaza doua marimi de iesire, parametru fiind o marime
de intrare.
Intruct caracteristicile statice depind de tipul schemei de conectare, in cele ce urmeaza le
prezentam pe cele corespunzatoare conexiunii EC.
1) Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare in conexiunea EC
Vom considera cazul unui TB npn de mica putere.
In schema EC, tensiunile au ca nivel de referinta potentialul emitorului. Ca marimi de intrare
avem: VBE = VEB si IB, iar ca marimi de iesire pe VCE si IC.
a) Caracteristici de intrare
Consideram caracteristica IB = IB(VBE) cu VCE = ct. In figura 3.8 sunt reprezentate
caracteristicile de intrare tipice pentru un TB cu Si.

- 10 -

Fig. 3.8 Caracteristica statica de intrare


IB = IB(VBE) cu VCE = ct. (conexiune EC)
Examinnd caracteristicile, observam ca daca plecam de la VBE = 0 si marind valoarea acestei
tensiuni, curentul IB este practic nul pna la o anumita valoare VBED = (VBE,on = V ) numita
tensiune de deschidere sau de prag. In jurul acestei valori curentul creste exponential cu VBE,
dupa care variatia acestuia poate fi considerata practic liniara.
Se defineste rezistenta diferentiala de intrare a tranzistorului in montaj EC cu relatia:

(3.32)
Trebuie remarcat ca TB in montaj EC, datorita variatiilor mici al lui IB, poseda o rezistenta
diferentiala de intrare de valoare mare (mii de ) spre deosebire de cazul montajului BC pentru
care Rin,BC are o valoare foarte mica (zeci de ).
b) Caracteristici de transfer
Consideram caracteristica IC = IC(IB) pentru VCE = ct. (fig. 3.9).

Fig. 3.9 Caracteristica de transfer (conexiune EC)


IC = IC(IB) pentru VCE = ct.
- 11 -

In regiunea valorilor medii ale curentilor dependenta experimentala IC = IC(IB) este


cvasiliniara, astfel inct in zona acestor curenti

(3.33)
poate fi considerat constant.
c) Caracteristici de iesire
In figura 3.10 este reprezentata familia caracteristicilor experimentale de iesire IC = IC(VCE) cu
IB = ct., caracteristice pentru un tranzistor npn.

Fig. 3.10. Caracteristicile de iesire IC = IC(VCE) cu IB = ct.


Caracteristica IB = 0 nu este, de fapt, limita regiunii de taiere. Pentru a bloca tranzistorul este
necesara blocarea jonctiunii emitorului. In acest caz pentru TB IC este egal cu ICE0. Functionarea
TB in regim de saturatie este intlnita frecvent in circuitele digitale, deoarece in aceasta regiune
se asigura o tensiune de iesire bine specificata care reprezinta o stare logica. In circuitele
analogice se evita in mod uzual regiunea de saturatie, deoarece factorul de amplificare al TB este
foarte mic.
2) Tensiuni tipice pe jonctiunile tranzistorului
Consideram caracteristica de transfer IC = IC(VBE) pentru tranzistorul npn cu Ge, respectiv cu
Si (fig. 3.11).

- 12 -

ab
Fig. 3.11. Valori tipice ale tensiunilor pe jonctiunile tranzistorului npn
Tabelul 3.1. Valori tipice ale tensiunilor pe jonctiunile tranzistorului npn

Tensiune [V]
VCE,sat

VBE,sat = V

VBE,reg.activ

VBED (V )

VBE,taiere

Si

0,2

0,8

0,7

0,5

0,0

Ge

0,1

0,3

0,2

0,1

0,1

Tip tranzistor

3.4.4. MULTIPLICAREA IN AVALANSA LA JONCTIUNEA COLECTORULUI


Caracteristicile electrice ale tranzistoarelor sunt afectate de fenomenul de multiplicare in
avalansa a purtatorilor de sarcina. Acest fenomen este provocat de cmpul electric intens din
regiunea de sarcina spatiala. Tensiunile mai apar, de regula, pe jonctiunea colectorului si aici
apare multiplicarea curentului initial cu un factor:

M=

(3.34)

unde Va este tensiunea de strapungere a jonctiunii colectorului.


Se demonstreaza ca in conexiunea EC, TB se strapung pentru tensiuni VCE mai mici dect in
conexiunea BC.
- 13 -

3.4.5. POLARIZAREA TRANZISTORULUI INTR-UN PUNCT DAT DE


FUNCTIONARE, IN REGIUNEA ACTIVA NORMALA
Ca si in cazul tuburilor electronice, circuitele de polarizare au rolul de a plasa functionarea
tranzistorului in PSF ales in cadrul regiunii permise de pe caracteristicile statice ale TB.
Consideram cazul TB in conexiune EC.
Punctul static de functionare (PSF) se gaseste la intersectia unei caracteristici IC = IC(VCE)
pentru o anumita valoare IB cu dreapta de sarcina statica.
PSF al TB trebuie sa fie situat in regiunea permisa (fig. 3.12), delimitata de urmatoarele curbe:

Fig. 3.12. Delimitarea zonei permise


a.
dreapta IC = ICmax pentru a feri TB de distrugerea jonctiunilor;
b.
hiperbola de disparitie maxima corespunzatoare puterii maxime admisibile;
c.
dreapta VCE = VCEmax pentru a nu apare fenomenul de strapungere a TB;
d.
dreapta IC = ICmin pentru mentinerea jonctiunii emitorului polarizata direct si in prezenta
semnalului; ICmin este situata in regiunea activa a caracteristicilor;
e.
dreapta VCE = VCEmin = VC,sat; pentru ca tranzistorul sa nu intre in regim de saturatie este
necesar ca VCE sa fie mai mare dect tensiunea corespunzatoare acestui regim.
Mentinerea unei functionari liniare a TB este legata de fixarea PSF in regiunea liniara a
caracteristicilor statice. PSF se fixeaza pe dreapta de sarcina astfel inct in regim dinamic, in
functie de amplitudinea semnalului care se aplica la intrare, tranzistorul sa nu intre nici in
blocare nici in saturatie (fig. 3.13).
Ecuatia dreptei de sarcina statica (pentru schemele din fig. 3.14) este:
VCC = IC(RC + RE) + VCE, (3.35)
obtinuta daca se considera IC IE.

- 14 -

Fig. 3.13. Stabilirea PSF pentru TB


In practica exista trei tipuri fundamentale de retele care asigura polarizarea TB (fig. 3.14).

Aplicnd teorema lui Thvenin la stnga punctelor AB (fig. 3.14, a) obtinem un circuit de
forma celui din fig. 3.14, b, unde:
, (3.36)
. (3.37)
Rezistentele R1 si R2 pot fi alese de valoare suficient de mica pentru ca RB sa satisfaca conditia
(F + 1) RE >> RB. (3.38)
Satisfacerea conditiei (3.38) determina ca reactia negativa introdusa de RE, sa duca la
micsorarea dependentei lui IC de F, care depinde puternic de temperatura.
Consideram schema din figura 3.14, b. Conform teoremei a II-a a lui Kirchhoff vom avea:
VBB = RBIB + VBE + REIE (3.38, a)
tim ca IC = FIB + ICE0. In regim uzual FIE >> ICE0, deci frecvent se foloseste relatia
IC = IB. (3.38, b)
Din (3.38, a) si (3.38, b) rezulta IE = FIB + IB = (F + 1)IB,
VBB = RBIB + VBE + RE(F + 1)IB =
= VBE + [RB + (F + 1)RE]IB,
. (3.38, c)
Din (3.38, b) si (3.38, c) rezulta
- 15 -

IC = F IB =

. (3.38, d)

Conform lui (3.38, d) se observa ca cresterea lui F determina att o crestere a numaratorului
ct si a numitorului. IC devine independent de F doar cnd acesta tinde la .
Daca VBB este egal cu VCC se obtine schema din figura 3.14, c.
Metode de insensibilizare a PSF
Ca metode utilizate se pot mentiona:
o
o

metode bazate pe introducerea de elemente liniare;


metode bazate pe introducerea de elemente neliniare.

Cel mai raspndit procedeu liniar consta in introducerea rezistentei RE. In cazul in care
tranzistorul este folosit pentru variatii mari ale tensiunii si curentului de la iesire, nu se
recomanda sa se utilizeze rezistenta RE, in acest caz stabilizarea facndu-se prin polarizarea bazei
cu ajutorul unei rezistente conectate intre colector si baza (fig. 3.15).

Fig. 3.15. Stabilizarea PSF prin intermediul rezistentei RB


Metodele neliniare de insensibilizare a PSF prin utilizarea de elemente neliniare sunt
prezentate in figura 3.16. Circuitele sunt prevazute cu elemente liniare de insensibilizare, iar
elemente neliniare imbunatatesc performantele acestor circuite la modificarea conditiilor de
functionare.

- 16 -

Fig. 3.16. Stabilizarea PSF cu elemente neliniare: a) cu dioda polarizata direct; b) cu dioda
polarizata invers; c) cu termistor
In figura 3.16, a rezistenta R2 a divizorului este inseriata cu dioda D polarizata direct. La
modificarea temperaturii ambiante se stie ca tensiunea pe dioda scade cu 2 mV/oC. Tendinta de
crestere a curentului de baza (vezi fig. 3.8) si implicit a celui de colector, datorita scaderii
tensiunii VBE, este compensata de scaderea tensiunii de pe dioda (VBE scade cu temperatura cu
aproximativ 2 mV/oC).
In figura 3.16, b este prezentata o schema de compensare cu dioda polarizata invers. Dioda
este parcursa de un curent Iinv care are valoarea aproximativ constanta intr-o gama mare de
variatie a tensiunii inverse. Daca se alege dioda astfel inct sa se asigure Iinv = = ICB0, curentul
rezidual ICB0 se inchide prin dioda si nu va mai influenta polarizarea bazei tranzistorului, deci
punctul static de functionare.
O compensare mai generala se poate realiza introducnd in divizorul de polarizare un
termistor (fig. 3.16, c) cu coeficient de temperatura negativ. Acesta determina scaderea tensiunii
de polarizare aplicate in circuitul de intrare, deci compenseaza cresterea curentului de colector
datorita variatiei tensiunii VBE in principal.
Aceasta solutie se utilizeaza, in special, in etajele amplificatoare de putere.
3.4.6. TRANZISTORUL IN SCHEME DE COMUTATIE
O alta utilizare a tranzistorului este aceea de comutator. Circuitul folosit este cel prezentat in
figura 3.17.

Fig. 3.17. Comutator cu tranzistor npn


- 17 -

Tranzistorul comuta curentul prin rezistenta RC. Daca tranzistorul este blocat, nu curge un
curent important, iar daca tranzistorul este deschis atunci prin RC trece curentul de colector.
Tranzistorul ca si comutator, va lucra, de regula, in urmatoarele doua stari:
o
o

starea de blocare, cnd comutatorul este deschis si nu curge curent;


starea de saturatie cnd comutatorul este inchis si curge curent.

3.4.7. AMBALAREA TERMICA


Cresterea temperaturii semiconductorului (Tj) determina cresterea curentului de colector prin
intermediul marimilor: F, ICB0, VBE. Daca cresterea curentului de colector cu temperatura duce la
cresterea puterii disipate, atunci Tj va continua sa creasca. Aceasta inlantuire poate duce la
cresterea temperaturii dincolo de limita admisa. Daca temperatura creste mult, tranzistorul se
poate distruge rapid. Acest fenomen poarta numele de ambalare termica.
3.5. TRANZISTORUL BIPOLAR IN REGIM DINAMIC DE SEMNAL MIC
Aplicatia fundamentala a tranzistorului, aceea de amplificator de semnale, ofera exemplul tipic
de functionare a dispozitivului in regim dinamic. In figura 3.18 s-a reprezentat numai tranzistorul
(npn) in conexiune EC care face parte dintr-un astfel de amplificator.
Dupa cum se arata si in figura 3.18, in regim dinamic, peste componentele continue VBE, IB,
VCE si IC se suprapun componente variabile in timp: vbe, ib, vce, ic.
La terminalele B-E se aplica, pe lnga tensiunea de polarizare VBE si o tensiune variabila de la
un generator de semnal. La terminalele C-E, in serie cu sursa care furnizeaza tensiunea de
polarizare, se conecteaza o impedanta de sarcina, de exemplu o rezistenta RL.

Fig. 3.18. Tranzistor npn in conexiune EC cu prezentarea


marimilor de intrare si iesire
Datorita semnalului (tensiunii variabile) vbe, apare in circuitul bazei, peste componenta
continua IB, o componenta de semnal ib, care produce in circuitul de colector o componenta
variabila de curent ic, suprapusa peste componenta continua IC. Datorita caderii de tensiune
variabile RLic pe rezistenta de sarcina, tensiunea intre terminalele C-E va avea pe lnga
componenta continua VCE si una variabila vce.
Un caz particular important este cel denumit regim dinamic de semnal mic. Daca semnalul vbe
- 18 -

are permanent valori suficient de reduse astfel inct punctul dinamic de functionare M(vbe, ib, vCE,
ic) sa evolueze intr-un domeniu restrns al variabilelor electrice, in care portiunile de
caracteristici statice sa poata fi asimilate cu segmente de dreapta, atunci componentele variabile
(de semnal) ib, ic si vce sunt proportionale cu vbe. Deci regimul de semnal mic este un regim liniar
pentru componentele de semnal. Ca urmare, toate componentele variabile reproduc forma
semnalului. Spunem ca semnalele amplificate nu sunt distorsionate (deformate).
Conditia cantitativa pe care trebuie s-o indeplineasca vbe pentru a asigura conditia de semnal
mic este aceeasi pe care am stabilit-o la jonctiunea pn:
.
Din punct de vedere practic, la T = 300 K semnalul vbe se considera mic
daca
. Daca semnalul vbe este sinusoidal, iar Vbe indeplineste conditia de mai
sus, TB functioneaza in regim armonic de semnal mic.
Pentru exprimarea relatiilor analitice dintre componentele de semnal asociate tranzistorului
functionnd in regim dinamic de semnal mic se introduc parametrii de semnal mic. Acestia sunt
marimi caracteristice dispozitivului, dar depind de punctul mediu de functionare, frecventa si
temperatura.
Parametrii de semnal mic, impreuna cu ecuatiile liniare dintre componentele de semnal in care
intervin, precum si cu circuitul echivalent elaborat pe baza acestor ecuatii constituie ceea ce se
numeste modelul de semnal mic al tranzistorului.
Parametrii de semnal mic pot fi naturali, daca se introduc pe baza examinarii proceselor fizice
din dispozitiv, sau de cuadripol, daca se definesc lund in considerare comportarea tranzistorului
la terminale, intocmai ca un cuadripol electric liniar.
3.5.1. MODELUL NATURAL FUNDAMENTAL DE SEMNAL MIC
Parametrii naturali de semnal mic
Se considera ca TB functioneaza la joasa frecventa (tipic, f < 15 kHz) pentru care efectele
elementelor reactive ale TB pot fi neglijate.
Se definesc parametrii:
rezistenta dinamica de intrare:

; (3.39)
factorul dinamic de amplificare in curent:

; (3.40)
conductanta mutuala sau panta:

. (3.41)
- 19 -

Faptul ca derivatele partiale se iau in punctul M, sau variatiile finite sunt in jurul lui M,
inseamna ca r , , gm specificate sunt valabile numai cnd TB functioneaza in acel punct mediu
M.
Cei trei parametri nu sunt independenti, ei fiind legati prin relatia:
= gm r . (3.42)
Observatie: La fiecare denumire ar trebui adaugat faptul ca fiecare parametru de semnal mic
este asociat conexiunii EC, dar aceasta se subintelege. Valori tipice: pentru gm zeci de
(=
mS), pentru r unitati zeci de k . Parametrii r ,, , gm sunt fundamentali (de baza), in sensul
ca ei formeaza un set minimal suficient numai pentru analize cnd TB functioneaza la frecvente
joase. In conditiile unor ipoteze simplificatoare se deduc urmatoarele relatii pentru parametrii
fundamentali:

r =

; (3.43)

gm =
; (3.44)
= F; (3.45)
gm r = F. (3.46)
gm se mai numeste si transconductanta.
Circuitul echivalent fundamental de semnal mic
Din (3.39) (3.41) se obtin relatiile:

(3.47)
Pe baza acestui model analitic se elaboreaza modelul natural fundamental de semnal mic
valabil la frecvente joase si prezentat in fig. 3.19.

Fig. 3.19. Modelul natural fundamental de semnal mic


3.5.2. MODELUL NATURAL DE SEMNAL MIC GIACOLETTO (IN )
Acest model se caracterizeaza prin prezenta elementelor reactive in circuit, ceea ce-l face
utilizabil si pentru frecvente mai inalte (fig. 3.20).

- 20 -

Fig. 3.20 Modelul natural Giacoletto


Pe lnga elementele cunoscute s-au mai adaugat rb, C , C si ro.
rb se numeste rezistenta de baza, cu valori tipice cuprinse intre 50 si 500 . Ea reprezinta
rezistenta care corespunde caderii de tensiune transversale pe regiunea bazei.
C se numeste capacitate de intrare, avnd valori tipice de ordinul zecilor de pF formata din
capacitatea de difuzie si cea de bariera a jonctiunii emitorului.
C se numeste capacitatea de reactie si este reprezentata de capacitatea de bariera a jonctiunii de
colector. C0 este capacitatea de reactie la polarizare nula si are valori de ordinul pF.
ro se numeste rezistenta de iesire. Ea reflecta efectul variatiei tensiunii vCE asupra caracteristicilor
statice de iesire ale TB si se defineste prin:

. (3.48)
Valorile tipice pentru ro sunt cuprinse intre 50 si 100 de k .
Circuitul echivalent complet Giacoletto mai contine cteva elemente componente. Acest
model nu-l vom prezenta in aceasta lucrare.
3.5.3. MODELE CUADRIPOLARE
Tranzistorul bipolar poate fi reprezentat ca un cuadripol (fig. 3.21).

Fig. 3.21. Tranzistorul ca si cuadripol


a) Modelul cuadripolar impedanta (z)
- 21 -

In acest caz, ecuatiile cuadripolare sunt:


v1 = z11 i1 + z12 i2, (3.49)
v2 = z21 i1 + z22 i2, (3.50)
unde:

z11 =

impedanta de intrare cu iesirea in gol; (3.51)

z12 =

impedanta de reactie cu intrarea in gol; (3.52)

z21 =

impedanta de transfer cu iesirea in gol; (3.53)

z22 =

impedanta de iesire cu intrarea in gol. (3.54)

In baza relatiilor (3.49) si (3.50), schema echivalenta z are forma din figura 3.22; in aceasta
schema impedantele z11, z22 caracterizeaza proprietatile in regim variabil ale circuitelor de intrare
si iesire considerate separat, iar generatorul de tensiune z12i2, respectiv z21i1 reprezinta dependenta
tensiunii de intrare de curentul de iesire (deci reactia), respectiv a tensiunii de iesire de curentul
de la intrare (deci transferul de semnal).

Fig. 3.22. Schema echivalenta cuadripolara z


Definitiile de baza ale parametrilor z (relatiile (3.51) (3.54)) sunt valabile, in principiu,
pentru orice tip de conexiune. Intruct insa, de la un anumit tip de conexiune la altul, marimile
curentilor si tensiunilor din expresii se modifica (spre exemplu, la schema BC i1 este curentul de
emitor, in timp ce la schema EC este curentul de baza), rezulta ca, spre deosebire de parametrii
naturali, marimile parametrilor cuadripolari sunt diferite de la o conexiune la alta si trebuie
calculate sau masurate pentru fiecare caz in parte.
b) Modelul cuadripolar admitanta (y)
In acest caz ecuatiile cuadripolare sunt:
- 22 -

i1 = y11 v1 + y12 v2, (3.55)


i2 = y21 v1 + y22 v2, (3.56)
unde:

y11 =

admitanta de intrare cu iesirea in scurtcircuit; (3.57)

y12 =

admitanta de reactie cu intrarea in scurtcircuit; (3.58)

y21 =

admitanta de transfer cu iesirea in scurtcircuit; (3.59)

y22 =

admitanta de iesire cu intrarea in scurtcircuit. (3.60)

Schema echivalenta y are forma din figura 3.23.

Fig. 3.23. Schema echivalenta cuadripolara y


c) Modelul cuadripolar hibrid (h)
Ecuatiile cuadripolare sunt:
v1 = h11 i1 + h12 v2, (3.61)
i2 = h21 i1 + h22 v2, (3.62)
unde:

- 23 -

h11 =

h12 =

impedanta de intrare cu iesirea in scurtcircuit; (3.63)

factorul de reactie cu intrarea in gol; (3.64)

h21 =

factorul de amplificare in curent cu iesirea in scurtcircuit; (3.65)

h22 =

admitanta de iesire cu intrarea in gol. (3.66)

Schema echivalenta cu parametri hibrizi este reprezentata in fig. 3.24.

Fig. 3.24. Schema echivalenta cu parametrii hibrizi


Spre deosebire de parametrii z si y parametrii h nu mai sunt de aceeasi natura. Modelarea cu
parametrii hibrizi se aplica tranzistorului in orice conexiune. Totusi, pentru analiza de circuit nu
este necesar sa folosim mai multe seturi de parametri hibrizi, unul singur fiind suficient,
deoarece inlocuirea tranzistorului intre cele trei borne cu oricare circuit echivalent este complet
independenta de modul de conectare a tranzistorului in circuit.
Setul de parametri h ales este cel corespunzator conexiunii EC, care sunt relativ frecvent
indicati in cataloage. Cuadripolul care trebuie avut in vedere este cel din figura 3.25.

Fig. 3.25. Tranzistorul bipolar in conexiune EC ca si cuadripol


Ecuatiile cuadripolare sunt:
vbe = h11e ib + h12e vce, (3.67)
- 24 -

ic = h21e ib + h22e vce. (3.68)


Se observa ca parametrilor h li s-a adaugat la indice litera e, care indica conexiunea EC.
Se mai utilizeaza si notatiile echivalente: hie = h11e, hre = h12e, hfe = h21e si hoe = h22e, indicii i, r, f
si o fiind initialele cuvintelor englezesti: input, reverse, forward si output.
Comparnd relatiile de definitie ale parametrilor h ((3.63) (3.66)) in cazul conexiunii EC cu
definitiile parametrilor naturali, rezulta egalitatile:

. (3.69)
Prin urmare, ordinele de marime tipice sunt pentru: h11e unitati, zeci de k ; h21e zeci, sute,
iar 1/h22e zeci, sute de k .
Factorul de reactie h12e (denumit si factor de transfer invers de tensiune), care este de ordinul
104, este o masura a influentei tensiunii vce asupra curentului ib, dupa cum rezulta din ecuatia
(3.67):

Se observa ca, in vreme ce vbe intervine cu coeficientul 1 la numarator, vce intervine doar cu un
coeficient de 104. Ca urmare, in prima aproximatie, se poate considera ca h12e 0, ceea ce
inseamna neglijarea efectului tensiunii vce asupra lui ib. In acest caz, circuitul echivalent devine
cel din figura 3.26. Acest circuit este identic cu modelul fundamental de semnal mic (fig. 3.19)
cu h11e = r si h21e = F.
3.6. TRANZISTORUL BIPOLAR LA INALTA FRECVENTA
3.6.1. CARACTERISTICA DE FRECVENTA A TB
Structura circuitului echivalent de semnal mic (fig. 3.20) arata ca functionarea TB este, in
general, dependenta de frecventa. Pentru caracterizarea TB in raport cu frecventa se ia in
considerare amplificarea de curent cu iesirea in scurtcircuit, care este, in general, un parametru
complex, dependent de frecventa semnalului f (sau ). El se defineste prin relatia:

- 25 -

, (3.70)
adica, este raportul dintre curentul de iesire din TB, care pentru conexiunea EC este Ic si curentul
de intrare in TB care, pentru aceeasi conexiune este Ib, cnd iesirea este scurtcircuitata (tensiunea
de semnal colector-emitor nula), asa cum se prezinta in figura 3.27.

Fig. 3.27. Circuitul echivalent al TB prin scurtcircuitarea iesirii


Datorita scurtcircuitului dintre c si e, C este conectata intre b si c, deci in paralel cu C ,
ceea ce inseamna ca tensiunea pe C este Vbe si, de asemenea, curentul prin ro este nul. Rezulta,
aplicnd teorema I a lui Kirchhoff, ca:
IC = gmVbe j C Vbe = (gm j C )Vbe. (3.71)
Dar pentru frecventele de lucru ale TB gm >> C , deci
IC gmVbe. (3.72)
De asemenea, pentru c si e scurtcircuitate, avem:

Vbe =

. (3.73)

Din relatiile (3.70), (3.72) si (3.73) rezulta:

. (3.74)
Dar gmr = F = 0 = AI(0) este amplificarea la frecvente joase, deci:

. (3.75)
Modulul amplificarii, ca functie de frecventa,
- 26 -

(3.76)
constituie caracteristica de frecventa a TB si este reprezentat grafic in figura 3.28.

Fig. 3.28. Caracteristica de frecventa a TB


Este de dorit ca aceasta caracteristica a TB sa fie o dreapta paralela cu axa frecventei, adica
nu depinda de frecventa pna la frecvente ct mai inalte, ceea ce ar arata ca TB poate sa

sa

amplifice constant semnale cuprinse intr-un spectru larg de frecvente. Practic,


este
cvasiconstant (apropiat de 0) pna la frecvente de ordinul 104 106 Hz si apoi scade treptat.
3.6.2. FRECVENTE LIMITA
Pentru caracterizarea prin parametri numerici a calitatii TB in ceea ce priveste comportarea sa
cu frecventa se introduc asa-numitele frecvente limita. Ele trebuie sa indeplineasca conditia de a
fi usor de masurat si interpretabile fizic. Cele mai uzuale sunt:
frecventa f ;
frecventa de taiere fT;
frecventa c.

o
o
o

Frecventa feste frecventa la care


scade la
Aplicnd aceasta definitie relatiei (3.76), avem:

,
de unde
. (3.77)

- 27 -

= 0,707 sau cu 3dB din valoarea lui 0.

Relatia (3.76) devine:

. (3.78)
La frecvente mai mari de 3-4 ori dect f relatia (3.78) devine:

= 0

. (3.79)

Frecventa de taiere fT este frecventa la care


este valabila relatia (3.79), obtinnd:

= 0

scade la valoarea 1. Intotdeauna fT >> f , deci

=1

fT = 0 f . (3.80)
Frecventa feste frecventa la care

al amplificarii de curent cu iesirea in scurtcircuit pentru

conexiunea BC scade cu
din valoarea 0 la joasa frecventa. Procednd ca in cazul
determinarii lui f , se obtine:
f 0f . (3.81)
Prin urmare, f este mult mai mare dect f si de acelasi ordin de marime cu frecventa de
taiere fT.
3.7. PARAMETRII DINAMICI AI TRANZISTORULUI BIPOLAR IN CONEXIUNE
EMITOR COMUN IN DOMENIUL DE AUDIOFRECVENTA
Se considera etajul tip EC din figura 3.29.

- 28 -

Fig. 3.29. Etaj de amplificare cu TB in conexiune EC


Se considera ca att condensatorul de decuplare CE, ct si condensatoarele de blocare a
componentei continue, CB si CC, au o capacitate suficient de mare pentru ca sa se comporte
practic ca niste scurtcircuite la frecventa minima din domeniu.
In schema din figura 3.29 se inlocuieste tranzistorul cu circuitul echivalent cu parametrii
hibrizi, rezultnd circuitul din figura 3.30.

Fig. 3.30. Circuitul echivalent al circuitului din fig. 3.29.


In circuitul din figura 3.30 se fac notatiile RB = R1 R2 si Rca = RC RL. Rca reprezinta rezistenta
de sarcina a etajului in curent alternativ.
Amplificarea in tensiune a tranzistorului, AV,T

AV,T =

=
- 29 -

Deci

AV,T =

, (3.82)

unde h = h11eh22e h12eh21e este determinantul parametrilor h.


Deoarece h = 105 106, se poate neglija produsul h Rca de la numitor, rezultnd:

AV,T =

. (3.83)

Amplificarea in curent a tranzistorului, AI,T

AI,T =

, pentru ca h22 105 106.

=
Deci
AI,T h21e. (3.84)

Impedanta de intrare a tranzistorului Zi,T

Zi,T =

=
- 30 -

Dar h = 105 106, h22 = 105 106 si deci


Zi,T h11e. (3.85)
Impedanta de iesire a tranzistorului, Zo,T

Zo,T =
Circuitul echivalent al etajului din figura 3.29 devine cel din figura 3.31.

Fig. 3.31. Circuitul echivalent al etajului din figura 3.29 pentru determinarea impedantei de iesire

Zo,T =

Ib =
Deci

Zo,T=
In acelasi mod se trateaza problema si in cazul conexiunilor BC, respectiv CC.

- 31 -

Un nou portal informaional!


Dac deii informaie interesant si doreti s te impari cu noi atunci
scrie la adresa de e-mail : support@sursa.md

- 32 -