Convertoare statice

CURS 7

http://electro.curs.pub.ro/2013/

4.1.5. Tranzistoare cu efect de camp

K1
K2

RG

VC

S
D

RC

VP

Metal
n+

Oxid de Si

D
n+

G
S

canal n indus

canal n initial

Canal n

Substrat p

B
a)

b)

Tranzistor cu efect de cmp : a) simbol ; b) structur i circuit de polarizare

Tranzistoarele cu efect de cmp utilizate n electronica de putere sunt cele cu poart
izolat, numite MOS-FET. Rolul lor n circuit este acelai cu al tranzistoarelor bipolare.
Accesibili n exterior, aceste tranzistoare au tot trei electrozi, numii surs (S) , dren (D) i
poart (G).
Tranzistoarele cu canal p au sgeata de la surs cu sens invers.

G
Oxid de Si D

Metal
n+

n+

Substrat p

Canal n

Tranzistor MOS-FET cu canal n indus

Un asemenea tranzistor este format dintr-un substrat semiconductor de tip p slab
dopat, n care se difuzeaz dou zone puternic dopate n. Pe suprafa se dezvolt apoi un strat de
bioxid de siliciu, care este material izolant. n dreptul zonelor n se ndeprteaz stratul de oxid i
se depune metalizarea pentru electrozi : sursa i drena. Tot strat de metal (aluminiu) se depune i
peste stratul de oxid, ntre surs i dren, unde se leag al treilea electrod, poarta (grila). De la
aceast suprapunere de materiale : Metal - Oxid Semiconductor, provine i denumirea
tranzistorului : MOS. n contact cu substratul p este un electrod numit baz (B), care nu este
accesibil din exterior i este legat cu sursa. Aceast legtur se regsete i n simbolul
tranzistorului MOS-FET.

La tranzistoarele cu canal indus, acesta ia natere n urma aplicrii unei tensiuni de

comand ntre poart i surs. Canalul iniial rezult n urma doprii superficiale a zonei
substratului ce se afl sub stratul de oxid, cu acelai fel de impuriti ca i straturile sursei i
drenei. Felul impuritilor poate fi inversat fa de exemplul dat, dar ntotdeauna, sursa, canalul
i drena au acelai fel de impuriti.
n structura tranzistorului cu efect de cmp exist tot dou jonciuni n opoziie ca i la
tranzistorul bipolar : jonciunea sursei i jonciunea drenei. Tranzistorul cu efect de cmp poate fi
ns privit i ca un condensator, ale crui armturi sunt grila i baza, iar stratul de oxid este
dielectricul. Cmpul electric al acestui condensator controleaz conducia prin canal i, din acest
motiv, tranzistorul se numete cu efect de cmp .

K1
K2

RG

VC

S
D

RC

VP

Metal
n+

Oxid de Si D
n+

G
S

canal n indus

canal n initial

Canal n

Substrat p

B
a)

b)

Dac ntreruptorul K2 este deschis, prin circuitul surs-dren se nchide un curent foarte
mic, corespunztor conductibilitii intrinseci a canalului, srac n purttori de sarcin.
La nchiderea ambelor ntreruptoare K1 i K2 , grila este pozitivat n raport cu sursa i
condensatorul MOS se ncarc. n canal se acumuleaz electroni, provenii din zonele puternic
dopate n ale sursei i drenei, atrai ctre gril, armtura pozitiv a condensatorului. Cmpul
electric din condensator este orientat perpendicular pe canal i, cu ajutorul lui, deci a tensiunii de
comand vGS , se controleaz dimensiunile canalului i concentraia de purttori de sarcin din
canal. Creterea tensiunii vGS determin creterea numrului de purttori de sarcin din canal.
Exist o valoare limit, la depirea creia concentraia de electroni din canal este suficient de
mare, astfel nct ei s poat trece peste barierele de potenial ale celor dou jonciuni (surs
substrat i dren substrat). Deci, la depirea tensiunii de prag VGS(th) , ntre surs i dren, prin
canal trece curentul de dren iD . Deoarece curentul apare ca urmare a mbogirii canalului cu
purttori de sarcin, MOS-FET-ul cu canal indus se mai numete i cu regim de mbogire .

La polarizarea invers a tranzistorului MOS (de exemplu, pentru cel cu canal n : VP

montat cu borna pozitiv la surs i cu cea negativ la dren) tranzistorul se comport ca o
jonciune polarizat direct (dioda !!!). Totui aceast diod invers intern nu are caracteristicile
necesare unei diode de recuperare pentru a funciona ca diod n antiparalel, aa cum este nevoie
n circuitele invertoarelor de tensiune.
Conducia la tranzistoarele cu efect de cmp se datoreaz n principal purttorilor de
sarcin majoritari din straturile sursei i drenei, motiv pentru care se numesc unipolare . Ca
urmare aceste tranzistoare nu au sarcin stocat n jonciune i blocarea se face mult mai repede,
ele putnd comuta cu frecvene de ordinul megaherzilor.

Tranzistorul MOS-FET prezentat se numete planar i are dezavantajul unui canal de

conducie lung, ceea ce determin o rezisten i putere dezvoltat mare, pe durata conduciei,
motiv pentru care utilizarea lui este limitat la puteri mici, de ordinul wailor.
Soluiile constructive moderne : DMOS (MOS-FET cu dubl difuzie) i VMOS (MOSFET vertical), prezentate, asigur o micare pe vertical a purttorilor de sarcin. Astfel se
diminueaz rezistena canalului i se reduc pierderile, dar se pstreaz viteza mare de comutaie
i impedana mare de intrare, ca i la MOS-FET-ul planar.

Sursa
n

Oxid
n

n-

n-

n+
a)

Sursa

Grila

Drena

Oxid

Grila
p

n
n-

nn+
b)

Drena

Variante de MOS-FET cu canal n : a) DMOS ; b) VMOS

Un MOS-FET de putere are o construcie celular, n care celula de baz prezentat
este repetat de 1000 de ori pe un singur chip de siliciu.

Caracteristicile statice ale tranzistorul cu efect de cmp:

caracteristica de intrare, pentru mrimile circuitului de intrare ;

caracteristica de transfer, care prezint dependena ntre mrimi ale circuitului de intrare i
mrimi ale circuitului de ieire iD=f(vGS);

caracteristica de ieire, pentru mrimile circuitului de ieire iD=f(vDS pentru vGS=const
vGS5 > vGS4
vGS4 > vGS3

iD

iD

vGS3 > vGS2

2

VGS(th)
a)

vGS

vGS2 > vGS1

vGS
b)

vGS1 =VGS(th)
<VGS(th)
vDS

Caracteristicile statice ale MOS-FET-ului cu canal n:

a) caracteristica de transfer iD=f(vGS) ; b) caracteristica de ieire iD=f(vDS) pentru vGS=const.

MOS-FET-ul este n zona de blocare 1 a caracteristici de ieire, atunci cnd tensiunea

de comand vGS < VGS(th).
Pe caracteristica de transfer se observ de asemenea c:
iD=0 pentru vGS < VGS(th) .
Zona 2 este zona activ (de saturaie) n care curentul iD nu mai poate crete, deoarece
canalul este saturat cu purttori de sarcin i
vDS > vGS - VGS(th).
n zona 3 tranzistorul are comportare rezistiv, curentul crete cvasiliniar
cu tensiunea i
vDS < vGS - VGS(th) .
Trecerea dintre zonele 2 i 3 este delimitat de curba , care este o parabol cu ecuaia:
2
iD = K v DS
, relaie valabil atunci cnd : vDS = vGS - VGS(th) .

Tranzistorul BIP-MOS
R DC I DS
MOS
+

VDS

VC

I B2
D

C
I C1
TB
VCE

VBE
R BE

Montajul BIP-MOS
Reunete avantajele principale ale ambelor tranzistoare :


de la MOS-FET : comanda n tensiune, viteza de comutaie ridicat i deci pierderi mici
n comutaie,parametrii caracteristici puin variabili cu temperatura, rezisten mare de intrare i
deci semnal de comand de putere mic, lipsa celei de-a doua strpungeri;


de la tranzistorul bipolar : cderea mic de tensiune n conducie i deci pierderi mici n
conducie, pre mic pe unitatea de putere comutat.

4.1.6. Tranzistorul IGBT

ncercrile de a uni avantajele tranzistoarelor bipolare
- cdere de tensiune mic n conducie;
- tensiune blocat mare
- raport cost/putere comutat convenabil
i avantajele tranzistoarelor cu efect de cmp
- comand n tensiune;
- vitez de comutaie mare
au condus la dezvoltarea n 1985 a unui nou tip de dispozitiv, numit tranzistor bipolar cu poart
izolat (IGBT).
Tendina actual este ca acest tip de tranzistor s inlocuiasc tiristoarele GTO, pe
msur ce tehnologiile noi permit creterea performanelor privind tensiunea blocat i
puterea comutat. Convertoarele construite cu IGBT pot funciona la frecven mai ridicat, au
gabarit mai mic i permit comanda mai comod, n tensiune. Rezult o schem electric mai
simpl i mai fiabil, iar costul total al convertorului este mai redus.

Tranzistorul IGBT este un dispozitiv semiconductor multicelular, n cadrul cruia, fiecare

celul este compus dintr-un tranzistor bipolar de putere comandat de un tranzistor MOS.

Emitorul

Oxid

Grila

C
n

p
n

E
a)

n
-

Rb

Colectorul

T2
T3

I CTB
T1

p+
b)

I DMOS
I

c)

Tranzistorul IGBT cu canal n : a) simbol; b) structur; c) schema echivalenta.

Se observ structura foarte asemntoare cu a tranzistorului DMOS, numai c stratul n+ s-a
nlocuit cu unul p+. Acest lucru reduce drastic rezistena n conducie, comparativ cu cea a
MOS-FET-ului i permite IGBT-ului s suporte densiti de curent mult sporite.

Emitorul

Oxid

Grila

C
n

p
n

E
a)

n
-

Rb

Colectorul

T2
T3

I CTB
T1

p+
b)

I DMOS
I

c)

Structura conine dou tranzistoare T1 (pnp) i T3 (npn) ce formeaz un tiristor parazit,

care nu trebuie lsat s funcioneze. Pentru aceasta baza i emitorul lui T3 (npn) se unteaz, de
exemplu printr-un fir de aluminiu. n plus, pentru a reduce valoarea rezistenei Rb i ctigul n
curent an al tranzistorului T3, se modific forma geometric, dimensiunile i numrul zonelor
emitorului. n aceste zone se introduc prin difuzie regiuni foarte puternic dopate p, cu scopul de a
reduce rezistivitatea bazei lui T3. Practic, n aceste condiii se obine schema simplificat,
desenat cu linie continu i care reprezint un montaj BIP-MOS, care are la intrare tranzistorul
MOS (notat T2) cu canal n i regim de mbogire, ce comand tranzistorul de ieire, bipolar de
putere (notat T1), avnd o baz groas i slab dopat.
n prim aproximaie, IGBT-ul funcioneaz ca un montaj Darlington BIP-MOS,
comandat de tensiunea VGE. n realitate, funcionarea este mai complex dect se poate prevedea
folosind schema simplificat, din cauza interaciunii dintre cele dou tranzistoare.

Al

G
n+
p

n+

p+
n-

Rb

T3 T 2 p
RN

n+

p+

Structura unui IGBT asimetric

Structura prezentata poate bloca tensiuni emitor-colector n ambele sensuri practic egale. Se
poate crete viteza de comutaie dac se introduce un strat suplimentar, puternic dopat n, subire
(de circa 10mm), ntre stratul drenei i stratul colectorului . Astfel, tranzistorul poate bloca
tensiuni directe mai mari, dar tensiunile inverse blocate vor scdea mult, motiv pentru care
acest tip de IGBT se numete asimetric i este practic considerat unidirecional n tensiune.
Tot ca urmare a existenei acestui strat, se diminueaz coeficientul de amplificare n curent
colector-emitor al tranzistorului T1, deci crete cderea de tensiune n conducie
VCEon.(dezavantaj!)

Principalele marimi caracteristice ale IGBT-ului

IC :

curent de colector (curent total al IGBT-ului, notat n

Fig.2.36.c)

I CM :

valoare maxim a curentului de colector (curent sub

form de puls)
curent continuu de colector la TC = 25C sau

I C25 , I C90 :

TC = 90C

curent rezidual colector-emitor cu grila n gol

( VGE = 0V )
curent rezidual gril-emitor cu colectorul n gol
( VCE = 0V )
tensiune colector-emitor
tensiune gril-emitor
tensiune colector-emitor de saturaie

I CES :
I GES :
VCE :
VGE :

VCE sat :

Wt on :

tensiune colector-emitor maxim admis cu grila n

gol (VGE = 0 )
tensiune continu gril-emitor maxim admis cu
VCE=0
energie consumat la blocare

Wtoff :

energie consumat la amorsare

VGE (th ) :

tensiune de prag gril-emitor

VCEON :

cdere de tensiune pe IGBT-ul n conducie

V( BR )CES :

tensiune de strpungere colector-emitor

VCES :
VGES :

g FE =
td :
tr :
ton :

I C
:
VGE transconductan direct

timp de ntarziere
timp de cretere
timp total de amorsare

V GE creste

IC

V GE4
V GE3
V GE2

V RM

V CE

VGE1 >0

V (BR)CES

Caracteristica statica de iesire a IGBT-ului cu canal n.

100

IC
[A]

75

VCE =20V

50

25

VGE [V]
0

VGE (th)

10

15

Caracteristica de transfer a IGBT-ului

20

Fenomenul de "zavorare al IGBT-ului

Pentru un tranzistor dat, exist o valoare maxim a curentului de colector ICM , numit
curent de "zvorre", care, o dat depit, determin trecerea prin Rb a unui curent suficient de
mare pentru a amorsa tranzistorul npn T3 i a permite astfel amorsarea tiristorului parazit (format
din T1 i T3). n acest caz IGBT-ul rmne n conducie, nemaiputnd fi blocat prin semnal de
comand. El va fi blocat ca un tiristor conventional, prin deschiderea circuitului. Dac IGBT-ul
rmne timp ndelungat n stare de "zvorre" , din cauza puterii disipate mari, se poate distruge.
In realitate, valoarea dat in catalog pentru ICM este mai mica, deoarece ea corespunde
zavorarii dinamice, care poate sa apara la blocarea unui curent de colector mai mic decat
curentul ICM static
Metode de a creste valoarea dinamica a curentului de colector ICM , pentru care ar putea
aparea fenomenul de zavorare:

zona p de sub zona n+ sa fie foarte scurta si larga;

supradopare a zonei p+;

distanta foarte mica intre celule;


structura interdigitata (preferabila in locul celei celulare) pentru a minimiza si
uniformiza lungimea stratului (pentru a evita zavorari locale).

Actualmente, pentru IGBT-urile moderne problema zvorrii este complet rezolvat

prin mijloace tehnologice. Fenomenul apare numai dup depirea valorii limit indicate pentru
curent, cu condiia ca tensiunea maxim admis vGE s nu fie depit n timpul funcionrii
tranzistorului.

CONVERTOARE STATICE DE
PUTERE
- REDRESOARE -

GENERALITI DESPRE CONVERTOARELE STATICE DE PUTERE

Convertoarele statice de putere sunt echipamente statice complexe, plasate
ntre sursa de energie i receptor, avnd rolul de a modifica parametrii energiei furnizate
de surs (valoare, form, frecven a tensiunii), innd cont de cerinele impuse de
receptor. Convertoarele pot fi, de asemenea, montate ntre dou surse de energie
pentru a face posibil funcionarea simultan a acestora. Convertorul static are rol de
receptor din punct de vedere al sursei de energie i rol de surs de energie din punct de
vedere al sarcinii.
Partea de putere a convertorului este realizat cu dispozitive semiconductoare de putere
comandabile (tiristoare, tranzistoare) i/sau necomandabile (diode). Aceste dispozitive
funcioneaz n regim de comutaie i au rolul unor ntreruptoare. Ca urmare, regimul permanent
al convertorului este format dintr-o succesiune periodic de regimuri tranzitorii ale
ntreruptoarelor. nchiderea i deschiderea succesiv a acestor ntreruptoare se fac dup o logic
impus de principiul de funcionare a convertorului. Aceast logic este asigurat de schema
electronic de comand. Toate convertoarele conin deci o parte de putere (for) i o parte de
comand.

Clasificarea convertoarelor statice de putere

Dupa tipul mrimii electrice la intrarea i la ieirea convertorului:
redresoarele sunt convertoare alternativ-continuu ;
variatoarele de tensiune alternativ sunt convertoare alternativ-alternativ.
Frecvena tensiunii de ieire este aceeai cu cea a tensiunii de intrare, dar valoarea sa efectiv
poate fi modificat ;
cicloconvertoarele - sunt convertoare alternativ-alternativ. Frecvena
tensiunii de ieire poate fi modificat n raport cu cea a tensiunii de intrare, ca i valoarea sa
efectiv ;
chopperele - sunt convertoare continuu-continuu. Tensiunea de ieire este
reglabil ;
invertoarele autonome - sunt convertoare continuu-alternativ. La ieire,
gsim una sau mai multe tensiuni alternative reglabile ca valoare efectiv i ca frecven.
Dupa tipul de comutaie:
convertoare cu comutaie natural;
convertoare cu comutaie comandat.

Chopper
(variator de tensiune continu)

Invertor
autonom

Redresor
~

Variator de tensiune alternativ

Cicloconvertor
~

Prin comutaie, se nelege trecerea succesiv a curentului de la o cale de curent la alt

cale de curent a prii de putere.
Prin definiie, o cale de curent conine un singur ntreruptor (un singur dispozitiv
semiconductor de putere). Pentru comutarea ntre strile nchis i deschis, un ntreruptor trebuie
s aib aplicat la bornele sale o tensiune convenabil. Aceast tensiune este numit "tensiune de
comutaie". Dac aceast tensiune este disponibil n cadrul prii de putere, se spune c avem un
convertor cu comutaie "natural"; dac nu, ea treabuie creat i aplicat la momente determinate
de timp. n acest caz, avem o comutaie "comandat".
Pentru tiristoarele normale, comutaia comandat se numete "forat", deoarece
blocarea unui asemenea dispozitiv se face prin intermediul unui circuit auxiliar de blocaj; el este
pus n funciune de circuitul de comand, la momentul potrivit.
Redresoarele, variatoarele de tensiune alternativ i cicloconvertoarele sunt convertoare
cu comutaie "natural", deoarece tensiunea de comutaie se gsete n partea de for, furnizat
de reeaua alternativ. Blocajul tiristoarelor sau al diodelor n convertoarele cu comutaie natural
se face la trecerea natural prin zero a curentului care le strbate.
Chopperele i invertoarele autonome sunt convertoare cu comutaie "comandat".
n stadiul actual, mai mult de 70% din energia produs se vehiculeaz prin
convertoarele statice i procentul crete cu fiecare an.

5. REDRESOARE

5.1. DEFINIII. CLASIFICARE. POTEZE DE STUDIU

Definitie:
Redresorul este un convertor static de putere care realizeaz conversia unei tensiuni
alternative (mono sau polifazat) ntr-o tensiune continu, sensul transferului de energie fiind
dinspre partea de curent alternativ spre partea de curent continuu.
Redresorul este, n general, compus dintr-un transformator sau din bobine de limitare a
curentului montate pe partea de alimentare alternativ, din elemente de netezire a curentului
i/sau tensiunii pe partea de curent continuu, din elemente de protecie la suprasarcini i
supratensiuni i din dispozitive semiconductoare de putere cu conducie unidirecional (diode i
tiristoare) pe fiecare cale de curent, acestea fiind legate astfel nct dispozitivele s aib aceeai
durat de conducie sau de blocaj. Dispozitivele devin succesiv "conductoare" sub aciunea
"tensiunii de comutaie" furnizate de reeaua de alimentare, legile fiind impuse de modul de
conexiune (schem).

Clasificarea redresoarelor
1) dup tensiunea alternativ de alimentare:
- redresoare monofazate alimentate de la reeaua monofazat;
- redresoare trifazate alimentate de la reeaua trifazat ;
2) dup tensiunea continu de ieire:
- redresoare necomandate (care nu conin dect diode). Ele furnizeaz la
ieire o tensiune continu de valoare constant;
- redresoare comandate (care nu conin dect tiristoare) i semicomandate (cu
tiristoare i diode). Ele furnizeaz la ieire o tensiune continu de valoare reglabil ;
3) dup polaritatea tensiunii continue de ieire:
- redresoare care dau o tensiune continu de polaritate unic +U d .
Caracteristica extern a acestora va fi n primul cadran al planului (U d , I.d ) Ele sunt numite simplu
redresoare sau convertoare cu comutaie natural pentru un cadran ;
- redresoare care furnizeaz la ieire o tensiune continu de polaritate U d
Caracteristica lor extern se situeaz n cadranele I i IV ale planului U d , I d
i sunt redresoare comandate. Sunt numite convertoare cu comutaie natural pentru
dou cadrane. Funcionarea n cadranul IV este un regim de invertor cu comutaie natural,
pilotat de reeaua alternativ i care nu este posibil dect cu o sarcin activ (RLE), capabil s
menin sensul pozitiv al curentului. Numai redresoarele comandate pot funciona n aceste dou
cadrane ;

_
+ Id
~

~
=

+ (-)_
- Ud
- (+)

_
Ud
I

Sarcin
activ
(RLE)

IV
_
- Ud

Redresor

Invertor
pilotat de
reea

_
Id

Convertorul cu comutaie natural pentru dou cadrane

4) dup gruparea nfurrilor transformatorului, nfurrile fiind sursa tensiunilor
alternative:
- redresoare de tip paralel (P), numite i cu punct median n literatura tehnic
german, sunt redresoarele pentru care cele n nfurri (fiecare n serie cu ntreruptorul
unidirecional) sunt grupate n stea i sunt n paralel n raport cu bornele de ieire ale
redresorului ;
- redresoare de tip paralel-dublu (PD), numite i n punte (B), au cele n
nfurri alternative grupate tot n stea, dar se utilizeaz 2 ntreruptoare unidirecionale pe
fiecare nfurare, adic n total 2n ntreruptoare ;
- redresoare de tip serie (S) au nfurrile conectate n poligon. Sunt 2n
ntreruptoare unidirecionale : n cu catozi reunii la prima born, notat "+" i n cu anozii legai la
a doua born, notat cu "".

Ipoteze:
- rezistenele, inductivitile i capacitile sunt liniare, concentrate i egale
pe fazele redresorului;
- toate fazele au aceeai funcionare;
- curentul de magnetizare al transformatorului i pierderile la mers n gol
sunt neglijabile;
- dispozitivele semiconductoare de putere au o caracteristic static ideal: n
stare de conducie, rezistena este nul, iar n stare blocat rezistena este infinit;
- reeaua are o putere de scurtcircuit infinit ( Ssc = ), deci o impedan
nul (Z=0), tensiuni sinusoidale nedeformate, simetrice n cazul reelei trifazate;
- intervalele de funcionare sunt identice pentru diversele ci ale celulei de
comutaie (Celula de comutaie este format de ci de curent care comut unele dup altele n
mod ciclic. Numrul de ci de curent pe fiecare celul de comutaie este notat cu q, iar numrul
de celule de comutaie cu Sc);
- n fiecare moment, suma curenilor de linie n primarul transformatorului
este nul.

5.2. TRANSFORMATORUL
Redresoarele sunt alimentate printr-un transformator, care realizeaz separarea
galvanic ntre circuitul primar i circuitul secundar i determin, prin valoarea tensiunii sale
secundare, valoarea medie a tensiunii redresate.
Funcionarea schemei de redresare impune ca nfurrile primare i secundare s fie
parcurse de cureni nesinusoidali. Aceti cureni nesinusoidali impun ca puterea aparent de
dimensionare a unui transformator utilizat la construcia unui redresor s fie superioar celei a
unui transformator care funcioneaz n regim sinusoidal.

Pentru a caracteriza performanele schemei de redresare n legtur cu transformatorul,

se utilizeaz ca mrime de referin puterea ideal pe partea de curent continuu, Pd0 , dat de
relaia:
Pd 0 = U d 0 I d

U d0 - valoarea medie a tensiunii de ieire n gol a redresorului

I d - curentul de sarcin

Pentru transformator, se definesc urmtoarele mrimi

puterea aparent a secundarului SS :
S S = nU S I S = cS Pd 0

unde: n este numrul de faze (nfurri) secundare;

U s , I S sunt valorile efective ale tensiunii i curentului de faz n secundar ;
puterea aparent a primarului S P :
S P = mU P I P = c P Pd 0

unde: m este numrul de faze (nfurri) primare;

U P , I P sunt valorile efective ale tensiunii i curentului de faz n primar ;
puterea aparent de tip St :
St =

SS + SP
= c t Pd 0 .
2

i ct sunt coeficienii care exprim gradul de utilizare a nfurrilor

transformatorului.
cS ,cP

Eficiena redresorului se caracterizeaz prin:

factorul de putere secundar :
f PS =

Pd 0
1
=
;
SS cS

factorul de putere primar:

fPP =

Pd 0
1
=
.
SP cP

5.3. Redresoare monofazate necomandate

Redresoarele monofazate pot face redresarea unei singure semialternane sau a ambelor
semialternane ale tensiunii alternative de alimentare. Funcionarea montajului redresor este
legat de natura sarcinii conectate la ieire. Aceast dependen va fi studiat pe cea mai simpl
schem: redresor monofazat monoalternan necomandat.
Se presupune c dioda este ideal i c procesul de comutaie este de asemenea ideal,
adic instantaneu.

5.3.1. Redresor monofazat monoalternan necomandat cu sarcin rezistiv R

iP

a(+)

iS

+ id

b(-)

Redresor monoalternan cu sarcin rezistiv R

S
2

t
u

Ud

t
d

Id

S
u

t
- S
i

Id

Evoluia curenilor i a tensiunilor pentru redresorul monofazat monoalternan, la funcionarea

cu sarcin R.

Relatii de calcul
Ud =

U S

U S
Ud =
2

unghiul de conducie al diodei este =

Id =

IS

IS
Id =
2

tensiunea invers maxim pe diod este U DR = U S

5.3.2. Redresor monofazat monoalternan necomandat cu sarcin rezistivinductiv RL serie

iP

~ u
P

a(+)

iS

+ id

uR

uD
uS
b(-)

ud

L
uL

Redresorul monoalternan cu sarcin rezistiv-inductiv RL serie

uS
S

4
t

id
t

ud

t
uD
t
-S

Evoluia tensiunilor i a curentului la redresorul monofazat monoalternan, pentru

funcionarea cu sarcin RL serie.

Relatii de calcul

n intervalul de conducie al diodei D (uD=0), se scrie teorema lui Kirchhoff:

uS = ud = uR + uL

sau:
di
U S sin t = Rid + L d
dt
Soluia ecuaiei este:
id ( t ) = i f ( t ) + il ( t )

Componenta forat are forma tensiunii de alimentare:

i f ( t ) = I f 2 sin( t ) =
2
cu: Z = R 2 + ( L )

il ( t ) = Ae

R 2 + ( L )
L
; = arctan
.

Componenta liber este:

U S

U s
sin( t ) =
sin( t )
Z

R
t
L

Valoarea constantei A se determin din condiia iniial nul

( u S (0) = 0 ; id (0) = 0 ), astfel :
id (0) = i f (0) + il (0) il (0 ) = i f (0)

U S
A=
sin .
Z

Rezulta
R

t
U S
L
il ( t ) =
sin e
.
Z

Aadar ecuatia curentului va fi:

R

t
U S
L
sin( t ) + sin e

id ( t ) =
Z

Unghiul de conducie al diodei D rezult din condiia de anulare a curentului prin

diod :
id ( = t ) = 0 sin ( ) + sin e

=0.

Ecuaia (2.33) este transcendent i se rezolv numeric. Rezult astfel dependena

L

, reprezentat n figura.
R

360

L
R

180
0 ,2

0 ,5

10

L
Curba unghiului de conducie
.
R

 pentru o sarcin rezistiv

(L = 0) L = 0 = 180o
R

pentru o sarcin inductiv (R = 0)

L
R

= 360o , deci dioda D este

permanent n conducie. n aceast situaie:

= arctg

L
R

= arctg =

id ( t ) =

U S
(1 cos t )
Z

pentru o sarcin rezistiv-inductiv RL unghiul de conducie variaz n

domeniul [180, 360] i, ca urmare, trecerea curentului este prelungit dup
schimbarea de semn (uS < 0 ) a tensiunii de alimentare.

U S (1 cos )
1
Ud =
U S sin td( t ) =

2
2

Existena inductanei L n serie cu sarcina rezistiv are drept consecin creterea

unghiului de conducie peste valoarea de 180?, deci o alur mai puin ondulat
pentru curentul id i diminuarea valorii medii a tensiunii redresate U d .

5.3.3. Redresor monofazat monoalternan necomandat cu sarcin rezistivinductiv RL serie i diod de regim liber (DRL)
iP

iS

a(+)

id

uD

~ u
P

b(-)

DRL

ud

DRL

Redresorul monofazat monoalternan cu sarcin rezistiv-inductiv serie

i diod de regim liber DRL.

t
u

t
i

I d0

I d2
I d1

I dmin
2

I dmax
t

t
S

Evoluia tensiunilor i curentului

Relatii de calcul

n semialternana pozitiv a tensiunii uS (a="+"; b="-"), dioda DRL este blocat i

iDRL=0. n aceast situaie, curentul id = iS va avea expresia
R

t
U S
L
sin ( t ) + sin e

id ( t ) =
Z

n momentul t = , la schimbarea polaritii tensiunii uS , DRL devine conductoare i

D se blocheaz. ncepnd cu acest moment:

id = iDRL = I d 0 e

t'

unde:

sau :

Id0

R

U S
sin ( ) + sin e L ,
I d 0 = id ( ) =
Z

U S
=
sin 1 + e L ; t ' = t

La momentul t = 2 , uS > 0 va determina blocajul diodei DRL i intrarea n conducie

a diodei D.

Existena diodei de regim liber DRL mpiedic tensiunea ud s ia valori

negative; astfel, valoarea medie a tensiunii redresate U d va fi aceeai cu cea obinut
n cazul sarcinii rezistive.. Dac se consider cazul: L >> R (L ) curentul id va
aprea ca fiind constant: id = I d

5.3.4. Redresor monofazat monoalternan necomandat cu sarcin RC-paralel

iP

a(+)

iS

uD

~ u
P

uS

b(-)

+ id
iR
uR

iC
+
-

Redresorul monoalternan cu sarcin RC-paralel

t'
2

3
t

UC1
UC0

t
C

t
i

Formele de und pentru redresorul monoalternan cu sarcin RC-paralel

Relatii de calcul
n regim permanent, dioda D devine conductoare n semialternana pozitiv a tensiunii uS , n momentul cnd uS
depete valoarea UC0 , tensiune la care a fost anterior ncrcat condensatorul:

id = iC + iR
i condensatorul C ncepe din nou s se ncarce. Dioda D se blocheaz tot n decursul semialternanei pozitive a
lui uS , n momentul n care uS < U C1 , unde U C1 este tensiunea la care s-a ncrcat condensatorul C. Astfel,
grupul RC este decuplat fa de de sursa de alimentare i condensatorul se descarc pe rezistena R (traseul
desenat cu linie ntrerupt).

Pentru intervalul de descrcare:

iR = iC
Pe durata de conducie a diodei D:
U S
i R ( t ) =
sin t
R
du
d
iC ( t ) = C d = C U S sin t = CU S cos t
dt
dt

i rezult:
1
1

2
(
)
id (t ) = U S sin t + C cos t = U S
+

C
sin( t + )
2
R
R

cu = arctg RC .

n raport cu trecerea prin zero a tensiunii uS , se noteaz:

-unghiul unde D devine conductoare;
-unghiul unde D se blocheaz;
-unghiul de conducie.
=

Valoarea unghiului rezult:

id ( ) = 0 sin ( + ) = 0 = = arctg ( RC )
Mrimile R, C, fiind pozitive, rezult de aici pentru valori cuprinse ntre 90o i 180o .

Pe durata de blocare a diodei D, curentul de descrcare este:

1
1
u d ( ) RC t U S sin RC t
i R = i C =
e
=
e
R
R

t fiind noua origine aleas n momentul n care ncepe descrcarea condensatorului:

t = 2 +

Descrcarea dureaz pn la momentul de egalitate:

u S ( t ) = u R ( t ) u S (2 + ) = Ri R (2 + )

de unde rezult:

sin 2+RC
U
U S sin (2 + ) = R S
e
R
Astfel, unghiul se calculeaz cu ajutorul relaiei:

sin (2 + ) = sin e

2 +
RC

arctg (RC)

10
20
30

40
50

60
70
80
90

20

40

60

80 100 120 140 160 180

Evoluia unghiurilor , , cu arctg( RC ) .

Exist urmtoarele cazuri limit:

- sarcin rezistiv RC = 0 C = 0 = 0, = = rezultat deja gsit

- sarcin capacitiv RC C = , = , = 0 (condensatorul rmne ncrcat la U S i conducia

nceteaz; dioda D se va bloca n momentul de maxim al primei semialternane a lui uS dac se presupune c C
nu a fost iniial ncrcat).
Valoarea medie a curentului prin R este:
2 +

t'

U S
1 U S
IR =
sin t d ( t ) +
sin e RC dt

2 R
R

U S
IR =
2

1
2
+ ( C ) (1 cos )
2
R

n concluzie, se observ c, n raport cu cazul "sarcin rezistiv", efectul condensatorului n

paralel cu R l constituie diminuarea unghiului de conducie i a ondulaiei tensiunii ud ,
creterea lui Ud , dar i scderea lui I d

5.3.5. Redresor monofazat monoalternan necomandat cu sarcin avnd tensiune

electromotoare E
a) Sarcin RE
iP

a(+)

id

uD

~ u
P

uS

b(-)

ud

uR
E

Redresorul monoalternan cu sarcin RE

R
E

u ,E
S
u

S
E
0

5 t

- S
u
d

Ud

0
t
id

Id

0
u

0
D

t
S+E

Variaii n timp pentru funcionarea redresorului monofazat monoalternan, cu sarcin

RE.

Relatii de calcul
Tensiunea uD la bornele diodei va fi:
uD = uS E uR

Dioda D se gsete:
n starea de conducie n intervalul de timp pentru care:
uS > E

n starea blocat n intervalul de timp pentru care:

uS < E

n intervalul de conducie al diodei:

u S = ud = u R + E U S sin t = Rid + E
Rezult:
U sin t E
i d ( t ) = S
R

Regimul curentului este ntrerupt. Valoarea medie a curentului este:

0
0
U S sin t E
1
1
(
)
(
)
Id =
i

t
=
d( t )
d
2
2
R

U S
E
( 2 0 )
Id =
cos 0
R
2 R

cu:
0 = arcsin

E
U

Unghiul de conducie = 2 0 devine mai mic dect . Valoarea medie a tensiunii

redresate rezult din:
0
2
0

1
Ud =
Ed( t ) +
U S sin td ( t ) + Ed ( t )

2
0
0
0

Ud =

U S

cos 0 +

0E E
+

n concluzie, valoarea Ud n cazul sarcinii RE este mai mare dect cea n cazul sarcinii rezistive, n timp ce
valoarea curentului I d este micorat. Tensiunea invers maxim la bornele diodei a crescut la U S + E .

b) Sarcin LE
iP

a(+)

id

uD

~ u
P

uS

ud

uL

E
E
b(-)

Redresorul monoalternan cu sarcin LE

u ,E
S
u

S
E
0

5 t

-S
u
d

S
0

t
i

0 0
Id

0
u

0
t

S+E

Variaii n timp pentru funcionarea redresorului monofazat monoalternan, cu sarcin

LE.

Relatii de calcul
Dac dioda D este n conducie:
di
u S = u d = u L + E U S sin t = L d + E ;
dt

rezult:
did U S sin t E
=
.
dt
L

Dioda intr n conducie la t = 0 cnd:

E
u S = U S sin 0 = E 0 = arcsin
U S
Curentul prin sarcin se calculeaz succesiv:
t
di d
U sin t E
id (t ) =
d ( t ) = S
d ( t )
(
)
d
t
L

id ( t ) =

1
U (cos 0 cos t ) E ( t 0 )
L S

id ( t ) =

U S
E
(
)
(
)
cos

cos

0
0
L
U S

i are valoare maxim pentru t = m cnd:

m = 0 .

di d
= 0 . Rezult :
dt

sin m =

E
U

Unghiul de conducie se obine din condiia id ( 0 + ) = 0

U S
E
cos 0 cos( 0 + ) ( 0 + 0 ) = 0
L
US

Rezult ecuaia transcendent n :

cos 0 cos ( 0 + ) = (sin 0 )

Ariile haurate deasupra valorii E sunt compensate de ctre ariile haurate care sunt sub valoarea E, cci
valoarea medie a tensiunii la bornele inductanei L este nul. Gsim pentru valoarea medie a tensiunii redresate
Ud = E
:
Durata conduciei a diodei depinde de E. Tot E impune i nivelul lui U d .

5.3.6. Concluzii

Efectul inductanei legate n serie cu sarcina rezistiv l constituie creterea

unghiului de conducie al diodei i diminuarea ondulaiei curentului id i a valorii
medii a tensiunii U d .
Prezena diodei de regim liber DRL la ieirea redresorului mpiedic tensiunea
u d s ia valori instantanee negative i elimina conducia discontinu.
Un condensator n paralel cu sarcina R micoreaz unghiul de conducie al
diodei i ondulaia tensiunii redresate ud . Prin urmare, valoarea medie U d este
superioar celei corespunztoare cazului rezistiv.
Prezena unei tensiuni electromotoare E n circuitul de sarcin mrete
tensiunea invers aplicat diodei.