1

1.3.

Fenomene secundare n funcionarea tranzistorului bipolar cu jonciuni

1.3.1. Efectul Early (modularea grosimii bazei)

n analiza funcionrii tranzistorului bipolar prezentat anterior, a fost presupus invers polarizat jonciunea B-C, fr nici un efect al tensiunii uBC
asupra curentului de colector iC. n practic se constat o uoar cretere a curentului de colector cu ceterea tensiunii colector-emitor, uCE. Deoarece
tensiunea uBE este practic constant, variaia tensiunii uCE este practic egal cu variaia tensiunii uCB (uCE = uCB + uBE).
Creterea tensiunii uCB duce la extinderea regiunii de tranziie a jonciunii colectoare i deci la micorarea grosimii bazei. n figura 3-29 se prezint
distribuia concentraiei de purttori minoritari n baz. Aceasta este liniar, avnd valoarea
VBE
Regiunea de
np
tranziie
n p (0) = n p0 e VT la marginea jonciunii emitoare i n p ( w B ) 0 la marginea jonciunii colectoare.
pentru UCE1 C
E
B
Micorarea grosimii bazei duce la creterea pantei concentraiei de minoritari i deci la creterea

np(0)
np(x)

wB

Regiunea de
tranziie
pentru
UCE2 > UCE1

np0
0

curentului n colector (care este practic curent de difuzie a minoritarilor n baz).

Forma tipic a caracteristicilor de ieire ale tranzistorului se prezint n figura 3-30. Din cauza
efectului Early, caracteristicile sunt uor nclinate. Prin extrapolarea caracteristicilor napoi ctre axa
uCE, intersecia cu aceast ax se produce la o tensiune -VA, numit tensiune Early.
Influena efectului Early asupra caracteristicilor de semnal mare ale tranzistorului n regiunea activ
normal (RAN) se poate reprezenta analitic prin modificarea relaiei (3.56) astfel:
v BE

wB

v
i C = I S 1 + CE e VT
VA

Fig. 3-29 Explicarea efectului Early

(3.91)

Pentru realizri obinuite, VA =8 0V 120V

iC

vBE4

vBE3
vBE2
vBE1
-VA

vCE

Fig. 3-30 Evidenierea tensiunii Early

1.3.2. Dependena factorului de amplificare de curentul de colector

n teoria elementar a tranzistorului bipolar s-au neglijat o serie de fenomene care n practic, n anumite
condiii, i fac simite efectele.
Astfel, factorul de amplificare n curent, , nu este constant, ci depinde de curentul IC ca n figura 3-31.

IC

Fig. 3-31 Dependena = f(IC)

1.4.

Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar cu jonciuni

Se va considara tranzistorul ca un cuadripol. Evident, un terminal va fi comun intrrii i ieirii. De exemplu, n figura 3-32 se specific mrimile de
intrare i de ieire pentru conexiunile emitor comun (EC) i baz comun (BC).
iC Aspectul caracteristicilor va fi evident diferit n funcie de conexiunea tranzistorului. Exist trei tipuri de
iE
iC
caracteristici:
- de intrare (iIN = f(vIN))
iB
- de transfer (iIES = f(vIN) sau iIES= f(iIN))
uCE
uEB
uCB
- de ieire (iIES = f(vIES))
uBE
n multe cazuri, mai ales pentru caracteristicile de ieire, se reprezint o familie de caracteristici, alegnd
ca parametru o mrime de intrare. Caracteristicile statice pentru conexiunea emitor comun sunt cele mai
BC
IN
EC
IES IN
IES folosite.
n figura 3-30 s-a reprezentat o familie de altfel de caracteristici de ieire, la care parametrul s-a
Fig. 3-32 Mrimile de intrare i de ieire considerate n
caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare
ales tensiunea vBE. n figura 3-33 se prezint aspectul caracteristicilor de intrare i de transfer, de
asemenea pentru conexiunea emitor comun.
iB
iC
iC

2mA

20A

0,6V

uBE

0,6V

uBE

Fig. 3-33 Caracteristici de intrare i de transfer

iB

n figura 3.34 se prezint caracteristicile de ieire ale unui tranzistor npn, n funcie
de parametrul iB, evideniindu-se regiunile activ normal, activ invers i de
saturaie. S-au utilizat scri diferite pentru valori pozitive sau negative.
iC [mA]
iB =0,04mA

Regiunea de
saturaie

Regiune
a activ
normal
-8

-6

-4

iB =0,01mA
iB = 0

0,03mA

4
3

0,02mA

2
-2

0,01mA

0,02mA

10
-0,02

0,03mA

-0,04

0,04mA

-0,06

Regiune
a activ
inversat

-0,08
-0,10

iB = 0

20
30
40 uCE
Regiunea de
BVCE0
saturaie
VALORI TIPICE
RAN: F = 100
F = 0,99
RAI: R = 1 5
R = 0,5 0,8

Fig. 3-34 Caracteristicile de ieire iC = f(uCE) cu parametrul iB

S-a evideniat i fenomenul de strpungere, caracterizat de tensiunea de stpungere

BVCE0 (breakdown voltage) ntre colector i emitor ca baza n gol.

1.1.

Funcionarea tranzistorului
regim variabil la semnal mic

bipolar n

Se consider un circuit teoretic reprezentat n figura 3-38.

Se admite c tensiunea de polarizare, VCC, este suficient de mare nct jonciunea
baz colector s rmn polarizat invers, pentru toate valorile posibile ale
componentei variabile vbe, deci tranzistorulu s se menin permanent n regiunea
activ normal. Tensiunea vBE avnd i component continu i variabil, curenii
iB i iC vor avea, la rndul lor, att componente continue, ct i variabile.
v BE + v be
v BE v be
v be
v BE

VT
VT VT
VT
VT
i
I
e
I
e
e
I
e

iC = IS e

C
S
S
C
(3.99)
v BE = VBE + v be
Relaia
(3.99)
ofer
posibilitatea
iC=IC+ic
determinrii mrimii totale a curentului de
colector. Ea permite i stabilirea unui
iB=IB+ib
criteriu dup care componenta variabil s
fie considerat sau nu de semnal mic.
VCC
vbe
vBE
VBE
Fig. 3-38 Circuit pentru studiul funcionrii
tranzistorului la semnal mic

1.1.1. Criteriu de estimare a mrimii semnalului

Dezvoltnd relaia (3.99) n serie Taylor se obine:
2
3
v

1 v
1 v
(3.100)
i C = I C 1 + be + be + be +........
6 VT
VT 2 VT

Se poate considera semnalul mic atunci cnd circuitul este liniar, adic atunci cnd
se pot neglija termenii de grad superior din relaia (3.100). Aceasta nseman c:
vbe << VT
(3.101)
I
(3.102)
n acest caz:
i C = I C + C v be
VT
I
(3.103)
Componenta variabil este:
i c = C v be = g m v be
VT
unde s-a notat cu gm tranconductana de semnal mic a tranzistorului:
I
gm = C
(3.104)
VT
Practic, se poate considera c, dac vbe < 10mV, erorile care apar datorit
aproximaiei de semnal mic sunt sub 10%.

1.6.2. Modelul -hibrid simplificat

Conform cu definirea regimului variabil la semnal mic, poriunea din
caracteristica dispozitivului parcurs de punctul de funcionare poate fi aproximat
cu tangenta dus n punctul static de funcionare. Considernd caracteristica de
transfer iC = f(vBE), adic:
v BE
VT

(3.105)

i C = I S e
relaia ntre componentele de semnal mic va fi:
ic = gm vbe
unde:

gm =

di C
I
= S e
dv BE PSF VT

(3.106)
VBE
VT

v be
VT

I e
= S
VT

I
= C
VT

(3.107)

PSF

Se observ c s-a regsit relaia (3.104).

Transconductana gm modeleaz efectul de tranzistor pentru componentele de
semnal mic ale mrimilor electrice.
Deoarece jonciunea baz-emitor este direct polarizat, prin echivalen cu
comportarea jonciunii p-n la semnal mic, ntre baz i emitor, pentru semnal mic,
comportarea tranzistorului va fi descris de o rezisten. Relaia ntre curentul de
baz i tensiunea baz-emitor de semnal mic este deci:
(3.108)
vbe = ib r
unde cu r s-a notat rezistena echivalent la semnal mic ntre baz i emitor.
ic
v
g

(3.109)
r = be = m =
ib
ib
gm
Cele dou elemente, gm i r pot descrie, ntr-o prim aproximaie,
funcionarea tranzistorului bipolar n regim variabil, la
b
c
semnal mic, dac frecvena de lucru nu este prea mare.
Modelul
bazat pe cei doi parametri este prezentat n
+
r
gmvbe
figura 3-39 i se numete modelul -hibrid simplificat.
-

e
Fig. 3-39 Modelul de semnal
mic -hibrid simplificat

1.6.3. Modelul -hibrid complet

Lund n considerare i alte fenomene se vor gsi elemente care s completeze modelul din figura 3-39.
a)
Rezistena de ieire
S-a artat c efectul Early produce variaia curentului de colector, iC, cu tensiunea colector, vCE.

unde VA este tensiunea Early.

Pentru componentele de semnal mic, relaia devine liniar:

v
i C = I S 1 + CE
VA

VBET
e

(3.110)

i c = g m v be + g o v ce

(3.111)

unde:
b ib

go =

ic c

r + gmvbe
ie

ro

i
1
= C
rO v CE

PSF

IC
VA

(3.112)

Deci rezistena de ieire are expresia:

VA
IC
Modelul completat cu acest element este prezentat n figura 3-40.
ro =

(3.113)

Fig. 3-40 Modelul de semnal mic

incluznd i ro

b)
Variaia sarcinii n regiunea bazei
S-a artat c la variaia tensiunii colector emitor, vCE, se modific panta distribuiei de purttori minoritari din baz. Aceasta nseamn, de fapt, modificarea
sarcinii de purttori minoritari din baz. La creterea tensiunii uCE, corespunde creterea pantei, deci, conform figurii 3-29, micorarea ariei triunghiului
o;wB;np(0), adic micorarea sarcinii de baz. Aceasta duce la micorarea curentului de baz. Acest efect se modeleaz cu un
r
b
c rezistor plasat ntre colector i baz, notat cu r., ca n figura 3-41.
Se poate arta c:
ro
r > r
(3.114)
r + gmvbe
Valoarea sa fiind foarte mare, r se va lua n considerare numai cnd restul circuitului conine rezistene fizice sau echivalente
foarte mari.
e
Fig. 3-41 Modelul -hibrid care
include i r

d)
Rezistenele parazite
Dup cum se poate observa n figura 3-15-a, ntre contactele terminalelor tranzistorului, din partea de sus i partea activ a structurii, plasat sub
emitor, se nseriaz poriuni de material semiconductor, care prezint o anumit rezistivitate. Efectul acestora se
rb
r
rc
b
c
manifest mai ales la cureni mari de polarizare. Valori tipice pentru aceste rezistene parazite, corespunznd unor b
tranzistoare din circuitele integrate, sunt urmtoarele:
ro
r + gmvbe
re = 1 3

(3.115)
rb = notat uneori si rx = 50 500
e
r = 20 200
c
re
Se poate observa, n figura 3-42 c generatorul care modeleaz efectul de tranzistor nu mai este comandat de ntreaga
e
tensiune aplicat la terminale, vbe, ci numai de partea disponibil la nodurile interne b' i e'.
Fig. 3-42 Includerea rezistenelor parazite
n modelul de semnal mic

d)
Capaciti
n figura 3-43, n care se prezint modelul -hibrid complet al tranzistorului, apar i trei capaciti. Capacitatea C include o component datorat sarcinii de
baz (variaia curentului ic ca rspuns la variaia tensiunii vBE implic modificarea distribuiei de purttori
C
minoritari
i deci a sarcinii de minoritari din baz), care este, de fapt, o capacitate de difuzie. O a doua
r
rc
b x b
c component a capacitii C o reprezint capacitatea de barier a jonciunii emitoare, datorate sarcinii din
r
regiunea de tranziie a acestei jonciuni. Capacitatea C este capacitatea de barier a jonciunii colectoare.
ro Ccs
r + C gmvbe
Tranzistoarele npn din circuitele integrate mai sunt afectate de o capacitate parazit a jonciunii care apare
e
ntre colectorul de tip n i substratul de tip p pe care se realizeaz circuitul integrat, capacitate notat cu CCS.
re
e

Fig. 3-43 Modelul de semnal mic -hibrid complet

Tranzistorul cu efect de camp

Clasificare, simboluri
Functionarea se bazeaza pe controlul conductivitatii unui canal
semiconductor cu ajutorul unui camp electric orientat transversal
fata de acest canal.

cu canal n
TEC - J (TEC cu poarta jonctiune)

cu canal p

TEC - MOS (TEC cu poarta izolata Metal - Oxid - Semiconductor)

cu canal n

cu canal indus (cu imbogatire - enhancement)

cu canal p

cu canal initial (cu saracire - depletion) cu canal n

cu canal p

10

drena
iD

Canal
n

poarta = gate
(grila)

substrat
(body)

sursa

TEC-J (J-FET)

TEC- MOS cu canal indus

(enhancement MOS-FET)

TEC- MOS cu canal initial

(depletion MOS-FET)
D

iD

Canal
p G

G
S

11

TEC MOS cu canal n indus structura;

procese fizice

12

 vGS = 0
doua diode in opozitie inseriate
intre drena si sursa
nu circula nici un curent intre D si
S daca se aplica o tensiune vDS > 0
exista o regiune golita de purtatori
liberi de sarcina electrica intr
substratul de tip p si regiunile de tip
n+ ale drenei si sursei

vGS > 0
potentialul pozitiv de pe poarta respinge golurile libere rezultand o regiune
golita incarcata cu sarcina negativa a atomilor acceptori ionizati
pe masura ce vGS creste, sunt atrasi electroni liberi care, treptat, formeaza
un strat de inversiune (mai multi electroni decat goluri) la suprafata de sub
electrodul poarta (se INDUCE un canal conductor de tip n intre D si S). Acest
fenomen apare daca vGS > VTh (tensiune de prag threshold)
daca se aplica o tensiune vDS > 0, va cirula un curent intre D si S prin canal

13

TEC MOS cu canal n indus functionarea

in regiunea de blocare

v GS < VTh
iD = 0
v DS 0
14

TEC MOS cu canal n indus functionarea

in regiunea trioda
v GS > VTh EXISTA canal
v GS canalul se adanceste (R Ch )

Pt. valori mici ale tensiunii v DS

i D ~ v DS
v DS
1
iD =
; R Ch ~
v GS VTH
R Ch
Pentru tensiuni vDS mici,
tranzistorul se comporta intre
drena si sursa ca un rezistor cu
rezistenta controlata de
tensiunea vGS

15

vDS

vGS

vGD

vGCh(x0)
hCh(x0)
vCh(x0)
0

in x)
v GCh ( x ) < VTh h Ch ( x ) = 0 (NU exista

vDS-vCh(x0)
x0

v GCh (0) = v GS
v GCh ( x );
v GCh (L) = v GD
v GCh ( x ) > VTh h Ch ( x ) 0 (exista canal

canal in x)
vDS = vGS - VTh

v DS > 0
v Ch ( x 2 ) > v Ch ( x1 )
x 2 > x1
v GCh ( x ) = v GS v Ch ( x ) v GCh ( x 2 ) < v GCh ( x1 )
h Ch ( x 2 ) < h Ch ( x1 )

v DS = v GS VTh

In particular :
v GD = v GS v DS v GD < v GS h Ch (L) < h Ch (0)

v GD = VTh
h Ch (L) = 0

16

v GS > VTh

v DS v GS VTh
1424
3

v DSsat

i D = K 2 (v GS VTh ) v DS v 2DS
W KP
K=

;
L 2

KP = n C ox
17

TEC MOS cu canal n indus functionarea

in regiunea de saturatie (activa)
v GS > VTh

Reg. trioda v DS v GS VTh

1424
3

v DSsat
i D = K 2 (v GS VTh ) v DS v 2DS

La limita, v DS = v DSsat

v GS > VTh

Reg. saturata (activa)v DS > v GS VTh

1424
3

v DSsat

i D = K (v GS VTh )2

= v GS VTh sau
i = K v 2
DS
D

Pt. vDS > vDSsat

curentul iD ramane
constant, egal cu
valoarea de la limita
regiunii trioda.
Electronii sunt
transportati de la varful
canalului la drena sub
actiunea campului
electric din aceasta
regiune.
18

v GS > VTh

Reg. saturata (activa)v DS > v GS VTh

1424
3

v DSsat

Regiune in care
panta scade
datorita cresterii
rezistentei
canalului cu vDS

i D = K (v GS VTh )

Curentul se satureaza
deoarece canalul este
strangulat in dreptul drenei si
vDS nu mai afecteaza canalul

Regiune aproape
liniara cu panta
proportionala cu
(vGS VTh)
19

v GS > VTh

v DS > v GS VTh
1424
3

v DSsat

i D = K (v GS VTh )

2
i D = K v DS

(v DS = vGS VTh )

vGS VTh = 2V
20

21 21

22 22

2323

Efectul modularii
lungimii canalului

v GS > VTh

v DS > v GS VTh
1424
3

v DSsat

i D = K (v GS VTh ) (1 + v DS )
2

ro

1
V
= A
ID ID

24

TEC MOS cu canal n initial structura;

regiuni de functionare

Exista canal (ID > 0) chiar si la vGS = 0; pentru a anula

canalul tebuie aplicata o tensiune vGS negativa.
Deci tensiunea de prag este negativa (VTh < 0)

25

Conditiile care definesc regiunile de

functionare si expresiile marimilor electrice
asociate acestora raman IDENTICE cu
cele de la TEC MOS cu canal n indus;
Tensiunea de prag este insa negativa
(VTh < 0).

v GS VTH
iD = 0
Reg. blocare

v GS > VTH
i D = K 2 (v GS VTh ) v DS v 2DS
Reg. trioda
v DS v GS VTh
v GS > VTH
2
Reg. saturata (activa)
i D = K (v GS VTh )
v DS > v GS VTh
2
I DSS = I D (0) = K VTh

]
26

TEC-J cu canal n structura; regiuni de

functionare
Conditiile care definesc regiunile de
functionare si expresiile marimilor
electrice asociate acestora raman
IDENTICE cu cele de la TEC MOS
cu canal n indus si TEC MOS cu
canal n initial;
Tensiunea de prag este negativa
(VTh < 0), ca si la TEC MOS cu
canal n initial.

Canalul este delimitat de 2 jonctiuni pn

polarizate invers (vGS < 0); modificarea
tensiunii vGS determina variatia extinderii
regiunilor de tranzitie ale jonctiunilor si
deci controleaza adancimea canalului.

TEC-J cu canal n functioneaza

NUMAI la vGS < 0 (altfel s-ar
polariza direct jonctiunile si iG ar
deveni foarte mare
27

Comparatie intre cele 3 tipuri de TEC cu

canal n caracteristica de transfer in
regiunea saturata

28

TEC cu canal p

Toate inegalitatile care definesc regiunile de functionare si toate

expresiile marimilor electrice asociate raman IDENTICE cu cele
de la TEC cu canal n DACA SE OPEREAZA TRANSFORMARILE :
v GS vSG
v v
DS
SD

VTh VTh
sensul de referinta al i D se inverseaza

29

Caracteristicile de transfer in regiunea

saturata pentru TEC cu canal p si canal n

30

Structura CMOS

31

32
32

33

33

34
34

3535

36
36

Capitolul al n-lea
Circuite de polarizare
n.1 Definitii; probleme specifice
Pentru prelucrarea de semnale
variabile, aceste semnale
trebuie spuprapuse peste
componente continue care s
stabileasc punctul static de
funcionare ntr-o regiune
convenabil a caracteristicii
dispozitivului utilizat.
POLARIZARE = totalitatea
tehnicilor de circuit prin care se
stabilete un anumit punct static
de funcionare pentru un dispozitiv
37

UBC
IB
UBE

ID

IC

VGD

UCE
IE

I E = I C + I B

U CE = U BC + U BE
U BE

I C = I S e T

I C = I B

PSF = (I C , U CE )

VDS

IG
VGS
IS

I S = I D + I G

VDS = VGD + VGS

I D = K (VGS VTh )2

I G = 0

PSF = (I D , VDS )

38

n.2 Circuite de polarizare realizate cu

componente discrete pentru tranzistorul
bipolar cu jonctiuni
Circuitul simplu de polarizare
RB
IB

RC
IC
Q

UBE

VCC

DI
UD

(a)

IC

IB
UCE

VCC U D = R B I B

RC

RB

IB =

IB
UBE

UCE
(b)

VCC = R C I C + U CE U CE = VCC R C

VCC

VCC U D
; dac VCC > U D
RB

VCC U D
IC = IB =
RB
VCC U D
RB

39

Circuitul de
polarizare cu
rezistor in
emitor
40

Proiectarea pentru stabilitate specificat a

punctului static de funcionare

VCC U D ( TMIN )

I
(
T
)
=

(
T
)

MIN
C MIN
R B + (TMIN ) + 1 R E

VCC U D ( TMAX )
I ( T
)
=

(
T
)

MAX
C MAX
R B + (TMAX ) + 1 R E

(TMAX ) + 1
U CE (TMAX ) = VCC R C +
R E I C (TMAX )
(TMAX )

Circuitul de
polarizare cu
rezistor in
emitor

41

Circuitul de polarizare cu divizor de

tensiune n baz i rezistor n emitor
RB1

IC
IB

RB2

UBE

RC
UCE
IE
RE

RB=RB1 RB2
VB=VCCRB2/(RB1+RB2)

RB1

RB

VCC
RB2

VCC

VB VD

I
=

C
R B + ( + 1) R E

+1
U
= VCC R C +
R E IC
CE

VB

IC
RB

IB

VB

UBE

RC
UCE

VCC

IE
RE

42

n.3 Circuite de polarizare realizate cu componente

discrete pentru tranzistorul cu efect de camp

43

n.4 Circuite de polarizare specifice

circuitelor integrate analogice

44

Surse de curent cu TBJ

Oglinda de curent simpl

VBE1 = VBE 2 I C1 = I C 2

IO=IC2

IREF
IC2
Q1

IB1

IB2

Q2

I REF = I C1 + 2I B = I B + 2I B = ( + 2) I B

A Q1 = 2 A Q2 I S1 = 2 I S2

v BE

VT
i C = IS e
I C1 = 2 I C2

VBE1 = VBE 2

I O = I C2 = I B

=
=
1
2
I REF + 2
1+

IO

IB 0

I O = I REF
45

Oglinda de curent simpl

Rezistenta de iesire
iC

vBE4

vBE3
vBE2
vBE1
0

-VA

b ib

ic c

r + gmvbe
ie

ro

vCE

VA
ro =
IC
46

Oglinda de curent simpl

Rezistenta de iesire

47

Structur de polarizare care realizeaz rapoarte ntre cureni

Q5

Q6

IREF

Q1

I2=IREF /2

I3=3 IREF /2

+
VCC

I4

Q2

Q3

Q4

I6=I4= IREF

+
VEE

48

Surse de curent cu TEC

Oglinda de curent simpl

49

Etaje elementare de amplificare

1 Etaje elementare de amplificare cu
tranzistoare bipolare cu jonctiuni
Deoarece tranzistorul bipolar cu jonciuni are trei terminale, unul dintre
acestea va fi comun intrrii i ieirii. Se vor deosebi trei conexiuni
elementare:
- emitor comun (EC);
- baz comun (BC);
- colector comun (CC).
Identificarea conexiunii se refer la regimul variabil i, n
consecin, se va realiza utiliznd o schem echivalent n regim variabil.
n curent continuu nu este obligatoriu s existe un terminal la mas.
Analiza etajelor elementare se va efectua n band, utiliznd
modelul -hibrid simplificat. Se vor urmri civa dintre parametrii
caracteristici amplificatoarelor, cum ar fi: amplificarea de tensiune,
rezistena de intrare i rezistena de ieire.
50

Etaj elementar de amplificare cu tranzistor

bipolar n conexiunea emitor comun
RC
Ri
Rg
vg

CB
vi

RB1

CL

+
VCC
-

Punctul static de functionare

vo RL

RB2
RE

Ro

RB1

CE

VB U B

I
=
C R + ( + 1 RE
)
B

U = V R + + 1 R I
CC
C
E
C
CE

R B2

V
=
V

B
CC
R B1 + R B2

R = R / / R
B1
B2
B

RB2

IC
IB
UBE

RC
Q
IE

UCE

VCC

RE

51

RC
Ri
Rg

RB1

CB

Q
RE

vg

vg

Ri
vi

RiT
RB

+
VCC
-

vo RL

RB2

vi

Rg

CL

Ro

Rg
vg

CE

Ro

Ri
Q
vi

b
c
+
r
gmvbe
- e

Ro
RC

I
gm = C
VT

RL
vo

RL

r =
gm

RL
vo

RB

RB=RB1 RB2

RoT

RC

v
av = o
vi

RL=RC RL

Amplificarea de tensiune

v o = g m v be ( R C / / R L )
vo
'
g
R

a
=
=

v
m
vi

v be = v i

52

Rg

Ri

RiT
RB

vi

vg

RoT

b
c
+
r
gmvbe
- e

R i = R B / / R iT

vt

+
r
-

RC

I
gm = C
VT

RL
vo

RL

r =

gm

Rezistenta de intrare

vt
R iT =
it

it

Ro

vT
R iT =
= r
it
gmvbe

R i = R B / / r
53

Rg

Ri

RiT

vi

vg

RB

RoT

b
c
+
r
gmvbe
- e

RB

+
r
-

RC
gmvbe

I
gm = C
VT

RL

RC

vo
RL

v
Ro = t
it

RoT
Rg

Ro

it

vt

r =

gm

Rezistenta de iesire

v
Ro = t = RC
it

54

Etaj elementar de amplificare cu tranzistor

bipolar n conexiunea colector comun
(repetor pe emitor)
+
Ri
Rg
vg

CB
vi

VCC
-

RB1
Q
RB2
RE

CL

Punctul static de functionare

Ro
vo RL

VB U D
IC =
R B + ( + 1) R E
R B2

VB = VCC
R B1 + R B2

R = R / / R
B1
B2
B

RB1

RB2

IC
IB
UBE

Q
IE

UCE

VCC

RE

U CE = VCC R E I E = VCC

+1
IC R E

55

Amplificarea in tensiune

Rg
vg

Ri

Rg

RiT
RoT

Q
vi

Ro

RB
RE

RB=RB1 RB2

vg

RL

vo

Ri
vi

RiT
RB

b
c
+
gmvbe
r
- e
Ro
RoT
RE

RL
(a)

RL
RL

vo

(b)

v be
v o = i e ( R E / / R L ) = (i b + i c ) ( R E / / R L ) =
+ g m v be ( R E / / R L ) =
r

1 + g m r
1+
=
v be ( R E / / R L ) =
v be ( R E / / R l )
r
r

56

Amplificarea in tensiune

Rg
vg

Ri

Rg

RiT
RoT

Q
vi

Ro

RB
RE

RB=RB1 RB2

vg

RL

vo

Ri
vi

RiT
RB

b
c
+
gmvbe
r
- e
Ro
RoT
RE

RL
(a)

RL
RL

vo

(b)

v i = v be + v o
r + ( + 1) ( R E / / R L )
1+
v i = v be +
v be ( R E / / R L ) =
v be
r
r
57

Amplificarea in tensiune

+ 1) ( R E / / R L )
+ 1) R ' L
(
(
vo
=
av =
=
v i r + ( + 1) ( R E / / R L ) r + ( + 1) R ' L
Rezistenta de intrare

it
vt

v be = i t r

g m v be = g m r i t = i t

RiT
+
r
-

gmvbe

v t = v be + R 'L i e = r i t + R 'L ( + 1) i t

vt
R iT = = r + ( + 1) R 'L
it
RL=RE RL

R i = R B / / R iT

58

Rezistenta de iesire

R o = R E / / R oT
Rg RB

+
r
-

v
R oT = t =
it

gmvbe
it
RoT

vt

v be

i t + r + g m v be = 0

v = v v be (R // R )
be
g
B
t
r

1+

Rg / /R B
r

1
+ gm
r

r + R g / / R B
r + R g / / R B
=
=
1 + g m r
1+

r + R g / / R B
Ro = RE / /
+1

)
59

Etaj elementar de amplificare cu tranzistor

bipolar n conexiunea baza comuna
Rg

Ri

vi

vg

CE
RE

RB

Ro
RC C L

RB

vo

CB

Rg
vg

Ri

vi

RiT

RL

RB2

VCC

RoT

IC
IB

Q
UCE

IE

UBE

VCC

RE

Ro
RC

RE

RB1

RC

vo

RL

RL

Rg
vg

Ri

vi

RiT gmvbe
RE

e r
+
b

RoT
c

Ro
RC

vo

RL

60

Rg
vg

Ri

vi

RiT gmvbe
RE

e r
+
b

RoT
c

Ro
RC

vo

RL
Amplificarea in tensiune

v = ( R / / R ) g v = g v R ' L
o
C
L
m be
m be

v be = v i
vo
av=
= g m R 'L
vi

61

Rezistenta de intrare

RiT gmvbe
r
+

it

R i = R iT / / R E
RL

vt

v be

+ g m v be = 0
i t +
r

v = v
t
be

1 + g m r
vt
1+
it =
+ gm vt =
vt =
vt
r
r
r

r
vt
R iT =
=
it + 1

Rezistenta de iesire

vt
Ro =
it

R oT
Rg

RE

r gmvbe
+

RC

it
vt

Ro = RC
62

Etaj elementar de amplificare cu tranzistor

bipolar n conexiunea emitor comun cu
rezistenta de emitor nedecuplata
RC
Ri
Rg
vg

CB
vi

RB1
Q

Ro

CL

RoT Ro

+
VCC
-

Rg

vo RL

RB2

vg

Ri

RiT
Q
RB

vi

RL
vo

RE

RE

Rg
vg

RC

Ri
vi

RiT
RB

RoT
+
r
-

Ro
RC

gmvbe
RE

RL
vo

RL
63

Rg
vg

Ri
vi

RiT
RB

RoT
+
r
-

Ro
RC

gmvbe
RE

RL
vo

RL
Amplificarea in tensiune

vo
g m R 'L
=
=
v be

av =
1 + g m r
vi
v i = v be +
+ g m v be R E
1+
RE
r

r
v o = g m v be R ' L

R 'L
=
r + ( + 1) R E

R 'L
av
RE

64

Rezistenta de intrare
it

vt

RiT
R L

+
r
-

gmvbe
RE

R i = R B / / R iT

v be = i t r

g m v be = g m r i t = i t

v t = i t r + ( + 1) R E
v
R iT = t = r + ( + 1) R E
it

Rezistenta de iesire

R oT
Ro = RC
65

2 Etaje elementare de amplificare cu

tranzistoare cu efect de camp
Etaj elementar de amplificare cu TEC MOS cu
canal p initial n conexiunea sursa comuna

66

67

Etaj elementar de amplificare cu TEC MOS cu

canal n indus n conexiunea poarta comuna

68

Etaj elementar de amplificare cu TEC-J cu canal n

n conexiunea drena comuna (repetor pe sursa)

69