Sunteți pe pagina 1din 25

Capitolul 4.

Materiale semiconductoare
Materialele semiconductoare se caracterizeaz prin conductibiliti
electrice cuprinse ntre limitele: 10 8 10 5 [S/m] la temperatura mediului
ambiant.
Materialele semiconductoare elementare sunt: carbon, siliciu, germaniu,
staniu, bor, fosfor, arsen, stibiu, sulf, seleniu, telur i iod, iar cele compuse sunt
de ordinul sutelor, cele mai frecvent utilizate fiind: galiu-arsen, solide de indiu
arsen. Din punct de vedere al legturilor interatomice (vezi anexa 3.3),
semiconductorii se pot clasifica n:
- semiconductori cu legtura covalent, direcional, realizat prin asocierea a
doi electroni cu spini antiparaleli provenii de la 2 atomi nvecinai, cum sunt:
Si, Ge, Sn, S, Se i Te;
- semiconductori cu legtura hibrid, cum sunt: soluiile solide ale indiului cu
arsen i GaAs. Cu ct gradul de ionicitate subunitar este mai ridicat, cu
att legtura are un caracter ionic mai pronunat, iar materialul are o
comportare dielectric, mai pronunat.
4.1. Procedee de obinere i purificare a materialelor semiconductoare [Ct]
Pentru obinerea materialelor semiconductoare monocristaline, se utilizeaz
procedee de cretere din topitur n incinte nchise. Incintele nchise sunt
utilizate pentru creterea monocristalelor de dimensiuni mari, evitndu-se astfel
impurificarea accidental. Incintele deschise sunt utilizate pentru obinerea
monocristalelor de dimensiuni relativ reduse, transportul de substan
efectundu-se prin intermediul unui gaz.
n fig.4.1 este reprezentat o instalaie de cretere a monocristalelor din
topitur n atmosfer reductoare de hidrogen, dup metoda Csochralsky. Procesul
este iniiat cu ajutorul unui germene monocristalin, care se coboar n topitur, se
topete parial i se extrage apoi treptat din topitur cu viteze cuprinse ntre 12mm/min. Procedeul se bazeaz pe existena unui gradient de temperatur i pe
migrarea moleculelor din starea lichid ctre cristal, datorit rcirii, entropia
fiind mai ridicat n cristal. Semiconductorul topit cristalizeaz pe germene i
repet structura acestuia, obinndu-se n final o bar monocristalin ce are
structura cristalin identic cu structura germenului.
Metoda de cretere epitaxial a materialelor semiconductoare presupune
existena unui substrat suport monocristalin, tiat dup un plan cristalografic
prestabilit. Transportul de substan are loc din faza gazoas, lichid, sau solid
prin evaporare. Gradul de puritate i de uniformitate a stratului depus epitaxial,
este mai ridicat dect al suportului. Prin aceast metoda pot fi crescute i straturi
cu compoziie chimic diferit de cea a substratului, cu condiia ca structuira
stratului depus s aib o constant a reelei care s difere cu cel mult 1% fa de
constanta reelei substratului suport pentru ca s nu induc anizotropie prin
tensiune, perpendicular pe suprafaa de cretere a monocristalului.
Pentru obinerea unui grad ridicat de puritate a materialelor
semiconductoare, sau concentraii de impuriti cuprinse sub limitele 10 1 0 10 1 2
cm - 3 , se utilizeaz metode fizice care se bazeaz pe redistribuia impuritilor la
suprafaa de separaie ntre faza lichid i solid.
n fig.4.1.a este reprezentat o instalaie de purificare prin topire zonar
simpl. Bara din material semiconductor fixat la capete, este plasat ntr-un tub
108

de cuar vidat. Prin intermediul unei rezistene de nclzire materialul se topete


local, realizndu-se dou interfee lichid solid.
Concentraia de impuriti N S , din faza solid difer de concentraia de
impuriti N l , din faza lichid. Pentru coeficieni de segregaie N S /N l >1,
impuritile migreaz din faza solid n cea lichid, sau invers dac N S /N l <1.
Pentru coeficieni de segregaie unitari, metoda de purificare este ineficient.
Rezistena de nclzire se deplaseaz de-a lungul incintei cu o vitez de 0,5 pn
la 5mm/min.
H
2

4
1

4
H
2

( a)

(b)

f ig.4.1. Inci nt e pent ru ob i nerea monocri st al el or sem i conduct oare pri n cret ere di n
t opi t ur (a) i de puri fi care pri n topi re zonar (b ). [ 1- m andri n; 2- germ en
m onocri st al i n; 3-rez i st en a de ncl zi re; 4-t ub di n cuar ; - t erm ocupl u] .

Dup mai multe deplasri complete, impuritile se acumuleaz la capetele


barei, care sunt ndeprtate ulterior, obinndu-se un grad ridicat de puritate n
poriunea central. Pentru a spori eficiena metodei, numrul rezistenelor de
nclzire se poate mri, zonele de topire fiind multiple, iar numrul de deplasri
complete de-a lungul incintei se micoreaz. Zona topit este meninut ntre cele
dou pri solide ale barei, datorit tensiunilor superficiale Elementele arsen i
fosfor au coeficieni de segregaie apropiai de unitate i se elimin din zona
topit prin evaporare.
4.2. Modelul teoretic al conduciei electrice
Siliciul este elementul cel mai frecvent utilizat pentru realizarea
dispozitivelor semiconductoare i posed patru eletroni pe ultimul nivel energetic
de valen. Structura reelei cristaline este tip cubic, fiecare atom stabilind
legturi covalente cu atomii vecini. n fig.4.2. a este reprezentat modul n care un
electron devine electron comun al atomilor nvecinai, iar n fig.4.2.b se
reprezint procesul de generare a unei perechi electron-gol.
La temperatura absolut, banda de valen a unui material semiconductor
este complet ocupat de electroni. Prin nclzire, n urma furnizrii de energie din
exterior, electronii din banda de valen vor trece n banda de conducie
109

(fig.4.3.a), escaladnd banda interzis E g (relativ redus: 0,67 eV pentru Si; 1,1
eV pentru Ge; 1,4 eV pentru Ga-As i, relativ ridicat 3,49 eV, pentru GaN).
Plecarea unui electron din banda de valen presupune descompletarea unei
legturi covalente, care fixeaz atomii n reeaua cristalin. Atomul cu legtura
descompletat reprezint o vacan, sau un gol i se poate asimila cu o particul
cu masa efectiv i sarcina pozitiv egal cu sarcina electronului e, dar de semn
opus (fig.4.3.b). Golurile, dei dunt dispuse din punct de vedere energetic n
banda de valen, pot contribui - ca i electronii, la transportul sarcinii electrice.

S
i

S
i

4+

4+

4+

4+

4+

4+

4+

4+

4+

4+

4+

4+

S
i
S
i

S
i

(a)

(b)

fi g.4.2. nt rep t runder ea orbi t el or cel or 4 el ect roni de val en ai S i (a) i m odul
de gener ar e t erm i c a unei pere chi de el ect ron- gol (b ) .

Sub influena unui cmp electric exterior sau interior, golul i poate
schimba poziia prin ocuparea lui de ctre un electron, care las n urma lui un
gol n locul de unde a plecat. Astfel, golul s-a deplasat de la un atom la altul fr
ca ceilali electroni ai celoi doi atomi s prseasc banda de valen. Rezult
dou tipuri de purttori de sarcin: electroni de conducie i goluri.
Semiconductorul cu grad ridicat de puritate, se numete intrinsec, ntruct
mecanismul de generare a perechilor electron-gol, este intrinsec, bazndu-se pe
ruperea legturilor covalente.
Perechile electron-gol generate termic, dispar prin refacerea legturii
covalente, procesul de generare i anihilare a perechilor fiind un proces care se
desfoar permanent i nceteaz doar la temperatura absolut. Nivelul Fermi E F
este plasat, n semiconductorul intrinsec la mijlocul benzii interzise.
Semiconductorii care conin impuriti se numesc extrinseci, ntruct
mecanismul de conducie electric se efectueaz n principal prin purttori de
sarcin majoritari, generai n mod extrinsec prin impurificarea materialului
semiconductor cu elemente cu valene superioare sau inferioare valenei
elementului semiconductor.
Conducia electric reprezint micarea dirijat a purttorilor de sarcin
mobili sub influena cmpului electric exterior (efectul de drift), sau prin crearea
unei distribuii neuniforme a purttorilor de sarcin mobili (efectul de difuzie).
Dac impuritile din monocristalul de Si sunt atomi pentavaleni (P, As,
Sb), introduiE prin substituie, patru electroni de valen stabilesc legturi
covalente cu atomii de siliciu nvecinai, iar un electron rmne liber, deci se
creeaz un purttor
de sarcin majoritar, cu sarcina electric negativ, iar
EC
T0K
s emi conductoru l s e nume te de tip n.ECImpuri ti le (S , Li) sEec pot introduce i
Ed

+
E
T=0K
Fd
Ed
Eg KT
EF
Ed
Ea
110
E
d
EFa
Ev
EV
Ev
nivele
nivele
PFD 1 0,5 0
ocupate
ocupate

Ed

(a)

(b)

(c)

fi g.4.3. P robabi li t at ea Ferm i Di rac P F D , de ocupare a ni vel el or energet i ce i spect rul


energet i c al sem i conduct ori l or om ogeni i i zot ropi i nt ri nseci (a) i ex t ri nseci
de ti p n (b ) i de ti p p (c).

interstiial avnd acelai efect - de creare n semiconductor a purttorilor de


sarcin majoritari. Posednd un numr de electroni de valen n exces fa de
atomii vecini ai Si, sunt elibarai electroni de conducie printr-un proces de
ionizare. Atomul de impuritate se transform ntr-un ion donor care reprezint o
sarcin pozitiv imobil. Prin introducerea n materialul semiconductor a
impuritilor donoare, se creeaz un nivel energetic donor E d . Electronii pot trece
cu uurin de pe nivelul donor n banda de conducie, escaladnd banda E d
situat n banda interzis (fig.4.3.b).
Dac impuritile sunt atomi trivaleni (B, Al, In) introdui prin substituie,
trei electroni de valen stabilesc legturi covalente cu atomii de siliciu
nvecinai, iar legtura covalent cu al patrulea atom rmne descompletat.
Exist posibilitatea ca un electron de valen s fie captat pe nivelul acceptor E a
creat prin introducerea impuritilor acceptoare i situat n banda interzis E g , n
apropierea benzii de valen (fig.4.3.c). Se cedeaz astfel n banda de valen un
purttor de sarcin majoritar pozitiv sau un gol, iar semiconductorul se numete
de tip p.
Semiconductorii extrinseci posed i perechi electron-gol generai termic,
iar numrul purttorilor de sarcin majoritari este egal cu numrul impuritilor
introduse prin substituie. Atomii de impuritate determin apariia unor nivele i
benzi energetice situate n banda interzis, sau suprapuse peste benzile permise, a
cror lime E este mult mai redus fa de limea benzii interzise E g . n
semiconductorul de tip n, energia necesar electronului de valen excedentar
al atomului donor, pentru a deveni electron de conducie, este : E g = E c E d i
este de ordinul sutimilor de eV. n semiconductorul de tip p energia necesar
unui electron de valen pentru a se ataa unui atom acceptor ionizndu-l i
lasnd n urma sa un gol este: E a = E a E v .
Nivelul Fermi este plasat la mijlocul benzii interzise E g pentru
semiconductorul intrinsec i la mijlocul benzilor donoare E d , sau acceptoare
E a , pentru semiconductorii extrinseci.
Cu creterea temperaturii, nivelele Fermi donoare E F d , sau acceptoare E F a ,
se apropie de mijlocul benzii interzise E g , iar limea benzii interzise E g 4kT
se mrete, semiconductorul extrinsec comportndu-se ca un semiconductor
intrinsec. Cu creterea temperaturii, electronii extrai din banda de valen, pot
depi cu mult pe cei care trec n banda de conducie de pe un nivel donor sau o
capcan de electroni. Capcanele de electroni sunt stri localizate n banda
111

interzis, n apropierea nivelului energetic E c , electronul captat avnd o


probabilitate dominant de a fi excitat n banda de conducie. De asemenea
centrele de recombinare ale electronilor, sunt stri localizate n banda interzis,
n apropierea nivelului energetic E v , de pe care un electron are o probabilitate
dominant de a fi captat din banda de valen, lsnd n urma sa un gol.
Pentru un semiconductor impurificat cu atomi donori i acceptori n numr
egal, n banda interzis vor coexista nivele donoare i acceptoare i, de asemenea,
nivele Fermi acceptoare i donoare, iar spectrele energetice din fig. 4.3.b i c, se
vor suprapune. Semiconductorul degenerat se va comporta ca un semiconductor
intrinsec (compensat), cu un numr egal de purttori de sarcin: electroni sau
goluri, avnd ns conductibilitate crescut pentru c purttorii de sarcin au fost
generai i prin mecanism de generare extrinsec. De asemenea, pe nivelele
donoare sau acceptoare vor exista atomi ionizai, cu sarcini electrice imobile,
care nu particip la conducia electric. Dac gradul de impurificare cu impuriti
donoare este ridicat, nivelul Fermi donor va fi plasat n interiorul benzii de
conducie, ca i la materialele conductoare, pentru c exist o probabilitate
dominant ca electronii s ocupe un nivel energetic din banda de conducie. ntrun mod similar, dac impuritile n numr mare, sunt acceptoare, nivelul Fermi
acceptor va fi plasat n interiorul benzii de valen. n ambele cazuri,
semiconductorul este degenerat.
Impulsul unui foton este neglijabil n comparaie cu impulsul unui electron.
Tranziiile electronului ntre dou nivele energetice sunt mprite n dou clase
n funcie de modificarea sau nemodificarea impulsului (h/2 )k al electronului n
timpul tranziiei. Tranziiile directe au loc fr modificarea impulsului
electronului, n timp ce n tranziiile indirecte, impulsul electronului se modific
prin absorbia sau eliberarea unui fonon, dar impulsul total se conserv prin
interaciunea cu reeaua cristalin sau cu fononii: fononii pot fi creai sau
anihilai.
Conductibilitatea electric datorit electronilor i golurilor este
proporional cu constanta mediat de timp de relaxare (E), caracteristica
revenirii la echilibru a sistemului datorit interaciunilor sale, dup ntreruperea
cauzei perturbatoare, cum ar fi cmpul electric aplicat semiconductorului. Astfel,
expresiile conductivitii datorit electronilor respectiv golurilor, sunt:
n

ne 2 ~
( E ) en n ,
mn

(4.1)

ne 2 ~
( E ) en p ,
mn

(4.2.)

unde: n, p, sunt concentraiile volumetrice ale electronilor, respectiv golurilor,


m n , m p , sunt masa electronului respectiv a golului, iar n , p , sunt mobilitile
electronului i golului. Mobilitatea electronilor este net superioar mobilitii
golurilor (la temperatura ambiant pentru n =1350[cm 2 /Vs] ; p =480[cm 2 /Vs] ). n
prezena mai multor tipuri de interaciuni, fiecare interaciune fiind caracterizat
prin constanta de relaxare i , n relaiile (4.1) i (4.2) se va introduce o constant
de relaxare:

1
ef

(4.3)

n regim staionar, densitile de curent corespunztoare celor dou tipuri


de purttori de sarcin, sunt:
112

Jn nE ,
J p pE ,

(4.4)
(4.5)

iar densitatea total de curent i conductivitatea, au expresiile:


J J n J p E n p ,

n
p ~

E e( n n p p ) ,
mn m p

o n p e2

(4.6)
(4.7)

unde: m n i m p , sunt masele electronului respectiv golului.


Relaiile (4.4), (4.7), sunt valabile doar n ipoteza c vectorii J i E sunt
coliniari, ipotez confirmat n regim staionar i pentru frecvenele relativ
reduse a unui cmp electric alternativ aplicat unui material izotrop.
Majoritatea materialelor semiconductoare prezint anizotropie structural.
Distanele interatomice sunt diferite pentru direcii cristalografice diferite, iar
gradul de compactitate al structurii este diferit pentru planuri atomice diferite.
Pentru siliciu, cu structura cubic de tipul diamantului, gradul maxim de
compactitate corespunde direciei [111], distanele dintre planurile (111) fiind
minime (vezi anexa 1.2). Energia electronului n monocristal depinde de direcia
sa de deplasare, exprimat prin vectorul de und k (vezi anexa 3.2) iar masa
electronului este un parametru cu valori diferite - n funcie de direcia de
deplasare. Masa efectiv (sau echivalent) m*, depinde sensibil de direcia de
micare n cristal a purttorilor de sarcin. Pentru Si, masa efectiv a electonului
raportat la masa de repaus m o , este m n * / m o = 0,19 0,98, n timp ce masa
efectiv a golului raportat la masa de repaus, este: m n * / m o = 0,16 0,52.
Masa efectiv a electronului (sau golului), este un tensor, iar vectorii J i
E nu sunt n general coliniari, astfel nct micarea electronului nu se va
desfura dup o traiectorie care coincide cu o linie de cmp electric, care n
general, nu este o linie dreapt.
Anizotropia cristalin determin orientarea diferit a vectorilor J i E ,
liniile de curent electric fiind orientate n general pe o alt direcie dect cea a
liniilor de cmp electric.
Straturile semiconductoare subiri au o comportare electric diferit fa de
semiconductorii masivi. Aceast comportare se explic prin existena unor stri
energetice locale create la suprafaa de separaie a stratului. n mod inevitabil,
perfeciunea reelei cristaline este alterat ntruct, dac suprafaa este liber,
ultimul strat de atomi nu poate avea toate legturile satisfcute, fiind posibil
absorbia pe suprafa a unor atomi sau molecule (oxigen, azot, amoniac, ap
etc.). Dac suprafeele stratului sunt n contact intim cu atomii altui material
depus epitaxial sau prin alt procedeu, perturbaia introdus de interfee este cu
att mai pronunat cu ct grosimea stratului semiconductor este mai redus.
Aceste perturbaii sau defecte ale reelei cristaline determin apariia unor stri
energetice locale ce modific spectrul energetic al materialului semiconductor,
prin introducerea unor nivele localizate n banda interzis, sau suprapuse peste
benzile permise. n pelicula conductoare se poate modifica concentraia i
mobilitatea purttorilor de sarcin, sau chiar tipul de conductivitate (de exemplu:
pelicula de tip n poate deveni de tip p). Este posibil ca straturile de suprafa
s fie ocupate de electroni de conducie care induc n stratul superficial o sarcin
pozitiv, avnd ca efect o scdere a concentraiei de electroni, sau apariia unui
strat de srcire. Strile de suprafa pot fi ocupate i cu electroni de valen i
stratul superficial devine semiconductor de tip p, numit strat de
113

inversiune. n cazul n care strile de suprafa au un caracter donor, concentraia


de electroni de conducie se mrete, iar stratul devine strat de acumulare. Prin
oxidarea termic, suprafaa siliciului de tip p devine strat de inversie de tip
n, sau dac siliciul este de tip n, devine strat de acumulare.
Gazul electronic bidimensional (2DEG), poate fi obinut ntr-un strat canal subire (20nm) din GaInAs, mrginit superior i inferior de alte dou
straturi subiri din AlInAs. Datorit discontinuitilor mari ntre benzile de
conducie ale celor trei straturi, se obin mobiliti ridicate ale gazului electronic
bidimensional, care pot depi valoarea de 10.000cm 2 /Vs i de asemenea,
densiti ridicate ale curentului prin canal [Mat]. Structurile formate din straturi
subiri din AlInAs GaInAs AlInAs sau AlGaAs GaAs AlGaAs se numesc
heterojonciuni i sunt utilizate pentru fabricarea tranzistoarelor cu efect de cmp
de frecvene ridicate, de tip HEMT (high electron mobility transistor) sau a
diodelor LASER. n ultimul timp s-au obinut heterojonciuni cu structuri formate
din nitrit de galiu (GaN) nitrit de aluminiu galiu (AlGaN) [Eas]. n
tranzistoarele cu efect de cmp cu GaN, exist n mod natural regiuni puternic
polarizate n stratul din nitrit de aluminiu galiu, unde sunt concentrai electroni
n numr foarte mare n apropierea regiunii de polarizare, fr a intra in nitritul
de aluminiu galiu, datorit limii de band interzis mai mare a acestuia, care
acioneaz ca o barier. Tranzistoarele cu efect de cmp cu GaN nu necesit
dopare cu impuriti. Gazul electronic bidimensional poate fi creat n alte
heterojonciuni semiconductoare, numai prin dopare cu impuriti pentru a
putea suporta un exces fie de electroni, fie de goluri. Tranzistoarele realizate cu
nitrit de galiu, pot dubla sau tripla eficiena tranzistoarelor realizate cu siliciu
sau arseniur de galiu sub aspectul puterii consumate n raport cu puterea
transferat a semnalului util. Conductivitatea termic a nitritului de galiu este de
7 ori mai mare dect a arseniurii de galiu, iar rigiditatea dielectric (300MV/m),
este de asemenea mult mai mare dect a arseniurii de galiu (40MV/m), ceea ce
permite miniaturizarea mrit a dispozitivelor realizate cu nitrit de galiu. Banda
interzis a nitritului de galiu (3,49eV) este incompatibil mai mare dect a
arseniurii de galiu (1,4eV), sau a siliciului (0,67eV) i este la originea
performanelor dispozitivelor realizate cu nitrit de galiu.
4.3. Dependena de frecven a conductivitii electrice [Ct]
Un material semiconductor se comport n cmp electric ca un material
dielectric cu pierderi prin conducie relativ ridicate, ntruct limita inferioar a
conductivitii materialului semiconductor, este egal cu limita superioar a
conductivitii
unui
material
dielectric:
=10 - 8 [S/m] .
n
materialul
semiconductor, deoarece pierderile prin conducie sunt preponderente, cele prin
polarizare se pot neglija.
Schema echivalent a unui condensator cu material semiconductor ntre
armturi este identic cu cea a condenstorului cu J
polarizare de deplasare i
S
pierderi prin conducie, prezentat n paragraful 1.4.4 i reprodus n fig.4.4.a.
ru=1/0
C=rC0

rp

Cu=r0
Lu=/0

' '
01

'
01
0,1

10

0,1

114

10

(a)

(b )

(c)

(d )

fi g.4.4. S chem el e echi val ent e al e unui condensat or cu sem i conduct or (a) i
corespunz t oar e uni t ii de vol um a m at eri al ul ui sem i conduct or (b ) .
Dependen el e de frecven a com ponent el or conduct i vi t ii com pl ex e (c, d ).

Admitana condensatorului cu material semiconductor, avnd suprafaa S, a


armturilor i distana d, ntre ele, conform schemei echivalente, are expresia:
Y

1
j 'r C0 ,
rp

(4.8)

0 S
, este
d
capacitatea condensatorului cu aceleai dimensiuni, dar avnd aer ntre armturi.
Considernd mrimile cu variaie sinusoidal n timp, reprezentate n
complex simplificat, pentru o tensiune U , aplicat armturilor, se stabilete un
curent: I Y U i un cmp E U / d , ntre armturi.
Relaia (4.8) obine forma:
unde: rp

d
, este rezistena de pierderi prin conducie, iar
S

C0

S
S
j 'r 0 ,
d
d

(4.9)

0
p
2 n

n
p
mn m p ,
1 j~

(4.12)

Y I / U J S / Ed

unde: J , este densitatea de curent, iar conductivitatea , s-a considerat mrime


complex, ntruct n regim nestaionar, datorit anizotropiei materialului sau a
frecvenelor ridicate,liniile densitii de curent J E i ale curentului I J S ,
sunt diferite de liniile cmpului electric E .
Relaia (4.9), corespunztoare unitii de volum a materialului
semiconductor, are expresia:
J j 0 r E .
(4.10)
J

I
/
S
Densitatea de curent
, este curentul electric care strbate unitatea de
suprafa a semiconductorului, iar intensitatea cmpului electric: E U / d , este
tensiunea electric distribuit pe unitatea distanei dintre armturi, sau a grosimii
semiconductorului. Termenul al doilea al relaiei (4.10), s-a introdus pentru a
caracteriza comportarea dielectric a materialului semiconductor, iar primul
termen este asociat proprietii de conducie a materialului semiconductor.
Comportarea semiconductorului n regim nestaionar poate fi descris, prin
aceleai expresii ca i n regim staionar, constanta de timp de relaxare fiind ns
o mrime complex:
0

,
(4.11)
1 j 0
unde: 0 reprezint constanta de timp de relaxare pentru regimul staionar.
Expresia conductivitii complexe este similar expresiei (4.11):

115

unde: 0 , este conductivitatea n regim staionar.


Cu relaia (4.12), relaia (4.10) obine forma:

0
'
J
~ j 0 r
1 j

'

0 r E,
1
~
j

(4.13)

Schema echivalent corespunztoare unitii de volum a materialului


semiconductor, este reprezentat - conform relaiei (4.13) n fig.4.4.b i este
'
compus din rezistena unitar r = , capacitatea unitar C 0 r i
inductivitatea unitar: L ~ / 0 . Schema echivalent pune n eviden apariia
rezonaei la frecven:
0
1
1
fr

2 0 'r~ ,
~
(4.14)
2 0 'r
0
care are valori n domeniul microundelor.
Relaia (4.12) poate fi scris sub forma:
0 1 j~
0
0
0~

j
.
(4.15)
~
2
2
1 j 1 ( ~ )
1 ( ~ )
1 ( ~ )2
Utiliznd relaiile (4.10) i (4.15), din relaia:
' j ' ' ,
(4.16)
rezult prin identificare expresiile componentelor conductivitii complexe a
materialului semiconductor n funcie de frecvena cmpului electric aplicat.
0
'
,
(4.17)
1 ~ 2

0~
' ' 0 'r
,
(4.18)
1 ~ 2

Dependena de frecven, la temperatura mediului ambiant, ale


componentelor conductivitii sunt reprezentate n fig.4.4.c,d. Interaciunile
purttorilor de sarcin cu impuritile ionizate i cu fononii sunt predominante.

4.4. Funciile materialelor semiconductoare


4.4.1. Funcia de conducie comandat n tensiune
Funcia
de
conducie
comandat
n
tensiune
a
materialelor
semiconductoare, se bazeaz pe fenomenul de perturbare a distribuiei
purttorilor de sarcin sub influena unui cmp electric intern sau aplicat din
exterior. Aplicarea unei tensiuni electrice U, respectiv a unui cmp electric
E gradU , unui semiconductor omogen, determin nclinarea nivelelor i
benzilor energetice. ntr-un semiconductor de tip n, sub influena cmpului E ,
electronii de conducie sunt accelerai, deplasndu-se de-a lungul liniilor de
cmp. n urma interaciunilor cu reeaua cristalin, electronii pierd parial sau
total energia lor cinetic, pe care o cedeaz fononilor reelei. Datorit prezenei
cmpului electric, electronii dobndesc din nou energie, iar n final rezult o
116

micare dirijat a electronilor, care reprezint contribuia lor la curentul electric


prin semiconductor. Printr-un proces similar, se desfoar conducia realizat de
goluri, care sunt purttori minoritari, sensul deplasrii fiind sensul cmpului
electric aplicat i opus sensului de deplasare a electronilor.
Viteza medie ordonat a electronilor, este viteza de drift i are expresia - ca
i n cazul materialelor conductoare:
vn d n E

e ~
E ,
mn

(4.19)

unde: n , este mobilitatea electronilor, care pentru Si - la temperatura mediului


ambiant, are valoarea de: n = 1350 [cm 2 /Vs] .
n mod analog, viteza de drift a golurilor este:
v pd p E

e ~
E
mp

(4.20)

unde: p , este mobilitatea golurilor, care pentru Si - la temperatura ambianta are


valoarea de:
p = 480 [cm 2 /Vs] .
n cazul n care materialul semiconductor conine o concentraie
neuniform de purttori de sarcin pe o direcie oarecare r , rezult prin injecie
spaial de purttori proces numit dopare, apare un cmp electric intern sau
imprimat, care determin un proces de difuzie a purttorilor de sarcin,
densitile corespunztoare ale curenilor de electroni sau goluri avnd expresiile:
J ndif eDn grad n r ,
(4.21)
J pdif eD p grad p r ,

(4.22)
unde: Dn , p kT n , p / e , sunt coeficienii de difuzie ai purttorilor de sarcin.
Pentru ndeplinirea funciei de conducie electric comandat n tensiune,
se impune ca valorile conductivitii electrice, s fie controlabile i
reproductibile din punct de vedere tehnologic, iar permitivitatea real s fie
redus pentru micorarea capacitilor parazite. Astfel de materiale sunt: Si,
GaAs, Ge, GaN.
4.4.2. Funcia de conversie opto - electronic
Radiaiile electromagnetice incidente pe suprafaa unui material
semiconductor, genereaz purttori de sarcin, care se vor deplasa dirijat sub
aciunea unui cmp electric exterior. n aplicaiile uzuale, prezint interes
radiaiile din spectrul infrarou, vizibil i ultraviolet.
Radiaia electromagnetic este parial reflectat i parial absorbit de
materialul semiconductor, partea absorbit determinnd ionizarea atomilor reelei
i crearea de purttori de sarcin liberi (efect fotoelectric intern). Pentru energii
mari ale radiaiilor, electronii sunt extrai din material i emii n exterior (efect
fotoelectric extern).
Absorbia proprie reprezint interaciunea dintre un foton cu energie E f =
h , i un electron de valen, care trece n banda de conducie, escaladnd banda
interzis de lime E g , atunci cnd: E f E g (fig.4.5.a), crendu-se astfel un gol.
Absorbia proprie apare la semiconductorii intrinseci, iar lungimea de und
limit, care reprezint lungimea maxim i corespunde frecvenei minime, are
expresia:
i

2c
2h

E g ,

i care pentru siliciu, are valoarea i = 1,1m, n domeniului infrarou.


117

(4.23)

Pentru lungimi de und superioare: i , semiconductorul este


transparent, iar pentru i , semiconductorul este opac, absorbind radiaiile n
domeniul vizibil sau ultraviolet.
Absorbia datorat impuritilor (fig.4.5.b), are loc n semiconductori
extrinseci i rezult din interaciunea dintre un foton i un atom de impuritate,
care este ionizat pe baza energiei fotonului. Astfel sunt generai purttori de
sarcin de un singur tip, atomii ionizai reprezentnd sarcini electrice imobile.
Pragul de absorbie limit E a , d este mult mai redus dect la semiconductorii
intrinseci, iar lungimea de und limit, sau lungimea de und maxim, este mult
mai mare dect la semiconductorii intrinseci, deci n domeniul infrarou
ndeprtat, avnd expresia:

2hc
i ,
Ea ,d

(4.24)

Semiconductorii extrinseci au sensibilitate crescut la radiaii, pentru c


pragul lor de absorbie este mult mai redus n comparaie cu cel al
semiconductorilor intrinseci, dar prezint dezavantajul funcionrii la temperaturi
joase, apropiate de temperatura absolut, deoarece la temperatura ambiant
impuritile sunt ionizate prin absorbie de energie termic i nu mai reacioneaz
la iluminri (n spectrul vizibil), sau iradieri (n spectrul infrarou).

Ec

Ec

Ed

Ed
Eg
Ev

Ea
nivele
ocupate

(a)

Ea

Ev

(b)

f ig.4.5. Absorb i a propri e (a) i dat orat i m purit i l or (b ) a unui fot on.

Generarea purttorilor de sarcin prin efect fotoelectric intern, este


contracarat de un proces de recombinare, care are ca efect micorarea numrului
purttorilor de sarcin, cu o vitez de recombinare V r , proporional cu
concentraia de purttori n exces n, pentru electroni i p pentru goluri, n
prezena iluminrii.
Expresiile vitezelor de recombinare ale electronilor i golurilor sunt:
n
Vrn
,
(4.25)
'
p
Vr p
,
(4.26)
'
unde: 'n , p , reprezint timpii de via ai purttorilor de sarcin n exces i care
pot fi considerai constani pentru iluminri reduse: n n; p p, unde n i p
reprezint concentraiile purttorilor de sarcin n absena iluminrii. Pentru
iluminri puternice : n n; p p, timpii de via variaz invers proporional
cu iluminarea.
118

Conductivitatea total a materialului t , are o component


corespunztoare absenei iluminrii i o component de fotoconductivitate :
t ,
(4.27)
unde:
e n n p p ,
(4.28)
Pentru ndeplinirea funciei de conversie optoelectric, este necesar ca
materialul semiconductor s prezinte:
- sensibilitate ridicat fa de radiaia electromagnetic, constant ntr-un
domeniu larg de lungimi de und, sau dimpotriv s prezinte un maxim pentu o
anumit lungime de und;
- valori mari ale timpilor de via ai purttorilor n exces, pentru evitarea
procesului de recombinare;
- mobiliti ridicate n , p , pentru asigurarea unor viteze mari de rspuns;
- conductiviti reduse n absena iluminrii, pentru asigurarea unui raport
semanl/zgomot ridicat.
4.4.3. Funcia de detecie a radiaiilor nucleare [Ct]
Radiaia nuclear este format fie din electroni (radiaia ), fie din
particule nucleare grele, cu mas mult mai mare dect masa electronului, cu sau
fr sarcin electric, aa cum sunt protonii, neutronii, deutronii, tritonii etc., sau
radiaia electromagnetic cu energie ridicat, cum este radiaia X sau .
Particulele nucleare ncrcate electric, genereaz perechi electron gol,
spre deosebire de neutroni, sau radiaia , care produc ntr-o prim etap,
particule ncrcate electric i care ulterior genereaz perechi electron gol.
Procesul de stopare electronic, este un proces de interaciune neeleastic,
care apare la viteze mari ale particulelor incidente i n care energia particulei
determin excitarea, sau emisia electronilor. Stoparea nuclear reprezint o
interaciune n care particula incident imprim atomilor reelei cristaline o
micare de translaie.
Puterea de stopare P S , reprezint pierderea de energie a particulei pe
unitatea de lungime a traiectoriei parcurse n materialul semiconductor, iar
parcursul mediu l o , reprezint lungimea medie a traiectoriei parcurse de particul
pn la oprire.
n fig.4.6 sunt reprezentate dependenele puterilor de stopare i parcursul
de energie al particulelor incidente.
Pentru ndeplinirea funciei de detecie a radiaiilor nucleare, este necesar ca
materialele semiconductoare s prezinte sensibilitate ridicat la radiaiile
nucleare, mobiliti ridicate ale purttorilor de sarcin, pentru asigurarea unor
viteze de rspuns ridicate, rigiditatea dielectric ridicat i conductivitatea
electric sczut, ntruct dispozitivele de detecie a radiaiilor nucleare
fucnioneaz la tensiuni ridicate.

10

PS[MeV/mm
]

lo [mm]
10

10

PS[MeV/mm
]
Ge

Ee

Ee

119
0,01
[MeV]

0,1

0,01 0,1
[MeV]

10

Si

0,01
[MeV]

Ep
100

(a)

(b)

(c)

fi g.4.6. Dependen el e put eri i de st opare de energi a el ect roni l or E e (a)


sau prot oni l or E p (c) i al e parcursul ui m edi u al el ect roni l or (b ).

4.4.4. Funcia de conversie electro - optic

Emisie

Absorbie

Materialele semiconductoare electroluminescente funcioneaz pe baza


proprietii de emisie a radiaiei luminoase atunci cnd materialului i se aplic un
cmp electric, sau este parcurs de curent electric.
Procesul care determin emisia optic, este replica procesului prin care se
absoarbe radiaia electromagnetic. Sub influena cmpului sau curentului
electric, electronii ocup nivele energetice i revin pe nivele inferioare printr-un
proces de recombinare. Mecanismele de recombinare radiativ a purttorilor de
sarcin n exces, sunt realizate prin excitaie intrinsec, care const n ionizarea
prin ciocnire a impuritilor n prezena unui cmp electric intens (E 10MV/m),
prin excitaie datorat injeciei de curent electric, sau prin multiplicare n
avalan, prin excitaie optic, sau prin efect tunel.
Dup durata proceselor de recombinare, emisia optic se numete
fluorescen, (pentru durate cuprinse ntre: 10 - 5 10 - 8 s) sau fosforescen (pentru
durate cuprinse ntre: 1 10 4 s).
Mecanismele de recombinare sunt de mai multe tipuri (fig.4.7.a).
Recombinarea direct are loc atunci cnd electronul trece din banda de
conducie n banda de valen, cu eliberare de energie radiativ (cu emisia unui
foton), sau neradiativ, cnd energia electronului este cedat reelei cristaline,
(care absoarbe un fonon).
Recombinarea indirect are loc prin intermediul unor nivele energetice
plasate n banda interzis, n procesul de recombinare fiind implicai i fononii
care caracterizeaz strile vibraionale ale reelei cristaline. Recombinarea
E
indirect, prin care electronul Ede conducie
ocup
ntr-o
T = 0k
T 0k prim etap un nivel
local, iar ulterior trece n banda de valen, are un caracter predominant
EFn
Ecneradiativ.
Recombinarea prin alipire este caracteristica semiconductorilor extrinseci
Ec
Edde tip p (pentru care, impuritile
sunt ionizate la temperatura ambiant), i
E
Eg acceptor.
F
Eaconst n captarea unui electron de conducie de ctre un ion
Ev

Ev

EFp
Direct

Indirect

Prin alipire

n(E)

n(E)
2

E2

E2

2
h = E2 E1

E1

(a)

(b)

goluri n
regiunea n
EF

electroni n
regiunea p
p

E1

EFn

120

n
EFp
electroni

goluri

(c)

(e)

(d)

(f)

fig. 4.7. Mecanisme de recombinare direct, indirect i prin alipire, pentru un material izotrop (a)
i confi gu ra i a suprafe el or echi ene rget i ce n func i e de num rul de st ri n (E),
(sau numrul de und k), pentru un semiconductor care prezint inversie de populaie (b).
Tranz i i e spont an (c) i st i m ul at pri n i nt erm edi ul unui fot on a el ect ronul ui , cu em i si e
st i m ul at a fot onil or, care sunt n faz i au acee ai frecven (d ) . Jonc i une pn
nepol ari z at l a echi l i bru (e) i pol ariz at di rect l a neechi l i bru (f ) .

Procesele de recombinare radiativ pot avea un caracter spontan,


corespunztor unei stri de echilibru termic sau stimulat, corespunztor unei stri
de dezechilibru provocat. Recombinarea spontan genereaz fotoni cu direcii,
frecvene i faze aleatoare, emisia fiind incoerent, iar recombinarea stimulat
genereaz fotoni cu aceeai frecven i aceeai direcie, emisia fiind coerent.
La emisia stimulat, se genereaz un foton care are aceeai frecven,
direcie de propagare i faz ca i fotonul stimulator (fig. 4.7.d). Atunci cnd mai
muli electroni se afl n starea de excitaie E 2 , dect n starea fundamental E 1 ,
iar tranziia este determinat prin intermediul unui foton, sistemul prezint
inversie de populaie. n prezena unui cmp de radiaie cu: h = E 2 E 1 emisia
stimulat va depi absorbia fotonilor i mai muli fotoni cu energie h vor
depi sistemul, n comparaie cu numrul de fotoni care intr n sistem. Acest
proces se numete amplificare cuantic.
Pentru ca materialul semiconductor s constituie o surs optic, este
necesar ca emisia radiativ prin recombinare stimulat s fie mai pronunat dect
absorbia luminoas, ceea ce se poate realiza printr-o inversiune de populaie
(fig.4.7.b).
Inversiunea de populaie const n ocuparea cu electroni a nivelelor
inferioare ale benzii de conducie pn la pseudonivelul Fermi E F n i eliberarea
nivelelor superioare ale benzii de valen pn la pseudonivelul Fermi E F p . Astfel
toate nivelele sau strile energetice implicate n tranziiile emisive nu mai sunt
disponibile pentru tranziiile de absorbie, energia implicat n procesul de
absorbie fiind superioar energiei furnizate n procesul de emisie.
Pseudonivelele Fermi E F n i E F p nlocuiesc nivelele Fermi E F , n condiiile de
dezechilibru al cristalului.
Sursele semiconductoare de fotoni coereni, pot fi obinui prin mai multe
procedee: prin pompaj optic cu o surs optic, prin radiaie de electroni sau
prin intermediul unei jonciuni pn puternic dopate, parcurs de un curent. n
general, prin dopri puternice se creaz semiconductori de tip p i n
degenerai, cvasi-nivelele Fermi fiind plasate n exteriorul limitelor E c , E v ale
121

benzii interzise (fig.4.7.b). La echilibru, cvasi-nivelele Fermi sunt aliniate


(fig.4.7.e). La polarizare direct a jonciunii pn, cvasi-nivelele Fermi se
distaneaz n raport direct, cu valoarea tensiunii directe aplicate (fig.4.7.f).
Sub influena tensiunii de polarizare direct, golurile se vor deplasa n
regiunea n iar electronii n regiunea p. Astfel, electronii i golurile vor fi
spaial coincidente i are loc recombinarea radiativ a lor pe distana d.
ntruct electronii sunt mult mai mobili dect golurile, adncimea d a regiunii
active, este n principal determinat de mobilitatea electronilor i este de acelai
ordin de mrime cu lungimea de und a modulului electromagnetic care este
amplificat (vezi dioda LASER). Densitatea curentului prin jonciune, pentru care
apare inversia de populaie i emisia stimulat a radiaiei, este de ordinul zecilor
de mii de amperi pe cm 2 pentru jonciuni simple i de ordinul sutelor de amperi
pe cm 2 pentru heterojonciuni duble [Das].
4.4.5. Funcia de conversie termo electric [Ct]
Din expresiile (4.1), (4.2), (4.7) ale conductivitii materialului
semiconductor, rezult posibilitatea interaciunii dintre cmpul termic i cmpul
electric din interiorul materialului, ntruct att numrul de purttori de sarcin
ct i timpul lor de relaxare, depind de temperatur. Prin urmare, temperatura
poate influena sau chiar genera curentul electric prin semiconductor.
Temperatura influeneaz structura de benzi energetice, modificnd valorile
benzilor E C , E V , E F , i limea benzii interzise: E g . Cu creterea temperaturii,
limea benzii interzise: E g 4kT, se mrete, dar mobilitatea i numrul
purttorilor de sarcin crete n msur mult mai mare, iar conductivitatea
materialului semiconductor se mrete.
n fig.4.8.a, sunt prezentate dependinele de temperatur ale concentraiilor
de purttori n semiconductori intrinseci. Numrul purttorilor de sarcin
intrinseci crete exponenial cu temperatura, deci influena temperaturii asupra
curentului prin materialul semiconductor este considerabil.
Pentru temperaturi relativ sczute (T T 1 ), procesul de generare a
purttorilor de sarcin este extrinsec, iar conductivitatea materialului
semiconductor: n , se modific exponenial cu temperatura (fig.4.8.b). Pentru
temperaturi medii (T 1 T T 2 ), procesul de generare extrinsec nceteaz datorit
epuizrii atomilor donori, deci concentraia de electroni de conducie n, rmne
constant, crescnd doar mobilitatea n a electronilor, dar se mrete agitaia
termic, care are efect preponderent i conduce la scderea conductivitii n .
Pentru temperaturi ridicate (T T 2 ), mecanismul intrinsec de generare a
purttorilor de sarcin devine predominant, iar conductivitatea
= i crete
exponenial cu temperatura.
nj [cm-3]
1018
1017

ni

Ge

Si
1011

GaAs
1/T
1/300

122

T1

T2

( a)

(b)

f ig.4.8. Dependen el e de t em perat ur al e concent ra i i l or de purt t ori


de sarci n n sem i conduct ori int ri nseci (a) i al e conduct i vit i i
sem i conduct ori l or ex t ri nseci de ti p n (b ).

Un gradient de temperatur poate genera un curent electric ntr-un material


semiconductor prin difuzia purttorilor de sarcin situai n regiunea cu
temperatur ridicat i concentraie mare de purttori, spre regiunea cu
temperatur sczut i concentraia redus de purttori.
Dac circuitul rmne deschis, ia natere un cmp electric E s , care se va
opune tendinei de deplasare a purttorilor spre regiunea mai rece, a crui
expresie este:
E s s gradT ,
(4.29)
unde: s = n 10 mV/K , este o constant de material, numit tensiune diferenial.
Pentru ndeplinirea funciei de conversie termo - electric, se impune ca
materialele semiconductoare s prezinte: coeficient de variaie cu temperatura:

1 d
;
dt

timp

de

relaxare

redus,

pentru

viteze

de

rspuns

ridicate;

conductivitate redus, pentru asigurarea sensibilitilor ridicate; stabilitate


termic i tensiune diferenial ridicat. Astfel de materiale sunt oxizii de Cu,
Co, Cr, Ni, Mn precum i SnSb, PbSb, InSb, GaAs [Ct].
4.4.6. Funcia de conversie magneto electric [Ct]
Presupunem un material semiconductor parcurs de un curent electric, plasat
ntr-un cmp magnetic transversal, prezentat n fig.4.9.
Sub influena cmpului magnetic E , aplicat semiconductorului, o particul
ncrcat cu sarcin pozitiv, se va deplasa de-a lungul liniilor cmpului electric
n absena unui cmp magnetic exterior (fig.4.9.b).
n prezena cmpului magnetic exterior H , cu orientare transversal fa
de cmpul E , fora Lorentz care acioneaz asupra particulei, are i o component
transversal pe direcia de micare, iar traiectoria particulei se curbeaz n sensul
forei Lorentz, a crei expresie este:
F q E q( vx B ),
(4.30)
unde q este sarcina pozitiv a particulei.
Fora Lorentz care acioneaz asupra purttorilor de sarcin negativ, are
aceeai direcie dar sens opus, sensul de micare i de curbare a traiectoriilor
electronilor fiind de asemenea opus. Astfel, pe suprafaa S 1 , se vor acumula
sarcini electrice pozitive, iar pe suprafaa S 2 , sarcini electrice negative, rezultnd
un cmp Hall E H a crui expresie este:
E H RH J x H ,
(4.31)
unde: R H este constanta Hall i depinde - pentru materiale semiconductoare cu
anizotropie, de intensitatea cmpului magnetic aplicat, iar J este densitatea de
curent prin semiconductor.
Efectul Hall const n deformarea liniilor de cmp electric i de curent n
prezena cmpului magnetic transversal i apariia cmpului Hall E H orientat
perpendicular pe planul determinat de vectorii E i H .
123

Efectul magnetorezistiv const n modificarea rezistivitii materialului


semiconductor n prezena unui cmp magnetic aplicat normal pe direcia de
micare a purttorilor de sarcin.
S2
H

EH

_
E

F
+

S1
(a)

(b)

(c)

fi g.4.9. Efect ul Hal l n m at eri al e sem i conduct oar e (a) i for a care ac i oneaz
asupra purt t ori l or m obi li de sarci n el ect ri c poz i ti v n prez en a
cm pul ui el ect ri c (b ) i m agn et i c (c) .

Datorit forei Lorentz, proiecia parcursului liber mijlociu al purttorilor


pe direcia cmpului electric aplicat se micoreaz prin curbarea traiectoriilor
purttorilor de sarcin (fig.4.9.c), rezultatul global fiind mrirea rezistivitii
materialului. n cmpuri magnetice intense apare un proces de saturaie i
rezistivitatea materialului nu se va mri pentru o mrire suplimentar a
intensitii cmpului magnetic.
Pentru ndeplinirea funciei de conversie magneto-electric, este necesar ca
materialele semiconductoare s posede valori ridicate ale constantei Hall i ale
densitii de curent, iar cmpul Hall s nu fie influenat de factori externi, cum ar
fi temperatura. Astfel de materiale sunt: InSb, InAs.
4.4.7. Funcia de conversie mecano - electric
Interaciunea mecano electric se manifest fie sub forma unei
dependene a energiei electronilor din banda de conducie, de gradul de
distorsionare a reelei cristaline, fie sub forma unui efect piezoelectric
asemntor celui ntlnit la materialele dielectrice.
Primul tip de interaciune care apare la deformri ale reelei cristaline de
tip armonic i la frecvene ridicate ( f 100 GHz), genereaz un potenial de
deformaie U d de forma:
Ud = d S
(4.32)
unde: d este constantade material, iar S reprezint deformarea elastic.
Interaciunea prin efect piezoelectric exist att n regim staionar ct i
variabil, iar cmpul electric produs de o deformaie S depinde de frecven.
Pentru ndeplinirea funciei de conversie mecano electric este necesar ca
materialele semiconductoare s prezinte rezistiviti, mobiliti ale purttorilor i
coeficieni piezoelectzrici ridicai, iar constantele de atenuare ale undelor elastice
de volum i de suprafa s fie reduse. Astfel de materiale sunt: CdS, CdSe, ZnO,
GaAs.
4.5. ntrebri

124

1. Clasificai materialele semiconductoare dup criteriile compoziiei i


tipului legturilor atomice.
2. Stabilii i analizai modelul teoretic al conduciei electrice n
materialele semiconductoare i scriei expresiile conductibilitii, utiliznd
constanta de timp mediat de timp de relaxare;
3. Analizai din punct de vedere al mecanicii cuantice, mecanismul de
generare
i
recombinare
a
perechilor
electron-gol,
n
materialele
semiconductoare. 4. Analizai i comparai din punct de vedere al mecanicii
cuantice materialele semiconductoare intrinseci i extrinseci, precum i modul de
obinere, prin impurificare, a acestor materiale;
5.
Exprimai
apariia
anizotropiei
structurale
a
materialelor
semiconductoare i modul n care energia i masa efectiv a electronului, depinde
de direcia sa de deplasare.
6. Descriei procedeele de purificare a materialelor semiconductoare.
7. Descriei procedeele de obinere a materialelor semiconductoare
monocristaline.
8. Stabilii dependenele de frecven ale componentelor conductibilitii
electrice complexe, considernd materialul semiconductor ca un material
dielectric cu polarizare de deplasare i cu pierderi prin conducie i deducei
schema echivalent a materialului semiconductor, motivnd relaiile formale
obinute:
9. S se deduc schema echivalent a unui material semiconductor,
utiliznd expresia densitii de curent n funcie de intensitatea cmpului electric
aplicat.
10. Analizai procesele de drift i de difuzie din materialele
semiconductoare i stabilii expresiile mrimilor asociate acestor procese.
11. Precizai n ce const frnarea nuclear i cea electronic a ionilor
implantai ntr-un material amorf;
12. Descriei canalizarea ionilor implantai n materiale monocristaline i
analizai profilul concentraiei de impuriti reale i ideale;
13. Stabilii corelaia dintre unghiul critic de inciden a ionilor implantai i
gradul de compactitate a reelei monocristaline;
14. Enumerai principalele materiale semiconductoare utilizate pentru
fabricarea dispozitivelor semiconductoare i precizai succint dezavantajele pe
care le prezint n comparaie cu nitritul de galiu;
15. Precizai avantajele pe care le prezint nitratul de galiu pentru
fabricarea dispozitivelor semiconductoare n comparaie cu alte materiale
semiconductoare utilizate n acelai scop i enumerai principalele domenii n
care posibilitile nitratului de galiu depesc posibilitile celorlaltor materiale
semiconductoare;
16. Analizai ntr-un mod comparativ i difereniat, pe baza schemelor
structurale, dou tranzistoare cu efect de cmp realizate cu siliciu, respectiv nitrit
de galiu i explicai succint prin ce difer cele dou structuri, avnd n vedere
procesele care au loc;
17. Explicai formarea unei heterojonciuni la suprafaa de separaie dintre
cristalul suport de nitrit de galiu i stratul depus de acesta, din nitrit de
aluminiugaliu i analizai formarea gazului electronic bidimensional;
18. Explicai motivul pentru care gazul electronic bidimensional se poate
forma n materiale semiconductoare numai prin dopare cu impuriti, excepie
fcnd sistemul format din nitrit de galiunitrit de aluminiugaliu;
125

19. Comparai nitritul de galiu cu alte materiale semiconductoare, din


punctul de vedere al mobilitii electronilor, al cmpului de strpungere n
avalan, al benzii interzise, al temperaturii de funcionare i al densitii de
putere pe milimetru de lungime a grilei;
20. Apreciai influena benzii interzise largi a nitritului de galiu asupra
posibilitilor de emisie i absorbie a radiaiei electromagnetice i comparai
posibilitile mai mari ale nitritului de galiu cu cele ale altor materiale
semiconductoare;
4.6. Probleme
1. S se explice motivul pentru care siliciul, germaniul, nitritul de galiu i
diamantul au aspecte diferite dei au structuri cristaline asemntoare. Limea
benzii interzise pentru siliciu, este: Eg = 1,11 eV ; pentru germaniu: Eg = 0,67 eV ;
pentru nitritul de galiu: Eg = 3,49 eV, iar pentru diamant: Eg = 5,4 eV.
Rezolvare:
Aspectul diferit se datoreaza diferenelor ntre lungimile de und maxime
absorbite de Si, Ge i diamant, a cror expresie este:
max

hc
hc
-34

J s, c = 2,998 10 8 m/s.
E min
E g , unde: h = 6,63 10

Pentru germaniu: m a x = 1,86 m, pentru siliciu: m a x = 1,12 m, pentru


nitrit de galiu: m a x = 0,36 nm , iar pentru diamant: m a x = 0,23 m. innd cont
c spectrul vizibil presupune lungimi de und cuprinse ntre limitele: 0,4 m i
0,73 m, rezult absorbia mai puternic a luminii incidente pe suprafaa
cristalelor de germaniu i siliciu, ceea ce le confer aspectul cenuiu. Diamantul
i nitritul de galiu nu absorb lumina vizibil incident, care este transmis sau
reflectat de cristal.
2. S se determine grosimea x a stratului de siliciu consumat prin
oxidare, pentru a realiza un strat din bioxid de siliciu cu grosimea x 0 . Se
cunosc: masa atomic a siliciului: A S i = 28,09 u.a.m., masa molecular a
bioxidului de siliciu: A S i O 2 = 60,08 u.a.m., densitile volumetrice:
S i = 2,33 g / cm 3 , S i O 2 = 2,27 g / cm 3 i numrul lui Avogadro: N = 6,023 10 2 3
molecule/mol.
Rezolvare:
Numrul lui Avogadro reprezint numrul de molecule coninute ntr-un
mol de substan sau numrul de atomi coninui intr-un atom gram de
substan. O molecul gram sau un mol de substan este masa de substan
exprimat n grame, egal numeric cu masa molecular a substanei, exprimat n
uniti atomice de mas.
Notm cu S suprafaa plachetei de siliciu supus procesului de oxidare.
Numrul de atomi de siliciu este egal cu numrul de molecule de bioxid de siliciu
sau:
ASiO2
A
,
S x Si Si S x0 SiO2
N
N
de unde rezult x = 0,455 x 0 .
126

Prin oxidare, volumul stratului din bioxid de siliciu este aproape dublu fa
de volumul de siliciu consumat. Acest rezultat este utilizat n tehnologia de
realizare a circuitelor integrate.
3. Un monocristal de siliciu intrinsec se inclzete de la temperatura T =
300 K pn la temperatura T = 400 K . Legea de variaie a concentraiei de
sarcin intrinseci este de forma:
2

ni A0 T e

E g
2 kT

unde: A 0 este o constant, limea benzii interzise este Eg = 1,11 eV, iar
constanta lui Boltzmann are valoarea : k = 8,62 10 - 5 eV / k.
S se calculeze:
a) Coeficientul de variaie cu temperatura al rezistivitaii, la temperatura T
= 300 K.
b) Rezistivitatea la temperatura T = 400 K, tiind c rezistivitatea la T =
300 K este i (300 K) = 2 10 3 m.
Rezolvare:
a) Rezistivitatea depinde invers proporional de concentraia de purttori de
sarcin n i sau:
i A1 T

E g

e 2kT

Coeficientul de variaie cu temperatura al rezistivitii este:


E g
1 d i
2


0,074 K - 1
2
i dT
T
2kT

b) Raportul rezistivitilor corespunztoare celor dou temperaturi este:


i T ` T

i T T `

E g 1 1

2k T ` T

Se
observ
o
variaie
extrem
de
pronunat
a
rezistivitii
semiconductorului intrinsec cu temperatura, rezistivitatea la temperatura
ambiant fiind relativ ridicat. Semiconductorii extrinseci au rezistivitate mai
sczut la temperatura ambiant, iar variaia cu temperatura este mai puin
pronunat.
4. S se calculeze curentul care trece printr-o plac de siliciu dopat cu 10 1 6
atomi de bor / cm 3 , de lungime: L = 100 m i seciune: S = 10 - 3 cm 2 , tensiunea
aplicat avnd valoarea U = 20 V, la temperatura ambiant, pentru care la
conducia electric particip doar purttorii de sarcin majoritari i la 300 C,
cnd la conducia electric particip i purttorii de sarcin minoritari. Se cunosc
forma dependenei mobilitaii purttorilor de sarcin de temperatura: T - 2 , 5 ,
sarcina electronului: e = 1,6021 10 - 1 9 C, concentraiile purttorilor de sarcin la
temperatura ambiant: p = 1,002 10 1 6 cm - 3 , n = 1,12 10 1 4 cm - 3 i mobilitile
purttorilor la temperatura ambiant: n , 3 0 0 = 1000 cm 2 / Vs, p , 3 0 0 = 350 cm 2 / Vs.
127

Rezolvare:
Semiconductorul extrinsec realizat prin dopare cu bor este de tip p,
concentraia golurilor fiind superioara concentraiei de electroni.
La temperatura ambianta: T = 300 K, rezistivitatea are expresia:

1
1,72 cm ,
e pp

iar curentul prin plac este:


I

U U S

1,16 A
R
L

La temperatura : T = 573 K, mobilitaile purtatorilor sunt:

300

n n ,300

300

p p,300

2 , 5

2,5

198,34
69,42

cm 2
V S

cm 2
V S

iar rezistivitatea placii semiconductoare este:

1
8,707 cm
e n n p p

Curentul care va trece prin placa are valoarea:


I

U S
0,23 A
L

Prin urmare, la o cretere pronunata a temperaturii, curentul prin placa de


semiconductor extrinsec scade de cinci ori, deci mult mai puin comparativ cu o
plac din semiconductor intrinsec unde curentul ca i rezistivitatea, se modific
cu mai multe ordine de marime.
5. Efectul Hall apare in materialele conductoare si semiconductoare.
Coeficientul Hall pentru cupru are valoarea: R H = 7,3 10 - 11 m 3 /C, iar
conductivitatea este: n = 6,7 10 9 S/m. S se determine densitatea electronilor n
si mobilitatea lor . S se determine expresia coeficientului Hall pentru un
semiconductor extrinsec, lund n considerare ambele tipuri de purttori de
sarcin.
Rezolvare:
Cmpul Hall are expresia:
E H RH J B ,
iar coeficientul Hall se poate exprima sub forma: R H = n / , unde: n este
mobilitatea electronilor, conducia electric n cupru fiind asigurat prin
electroni. Rezult valoarea mobilitii electronilor:
n = R H = 4900 cm 2 /Vs.
128

Concentraia electronilor se determin din relaia:

n
RH n
,
n e n n
rezultnd valoarea:
n

8,57 10 22 cm 3 .

RH e

Pentru un semiconductor extrinsec, conducia electric este asigurat de


ambele tipuri de purttori de sarcin, a cror participare la conducia electric se

exprim prin raportul: n, p . Coeficientul Hall are expresia:

n n p p 1 b2 n p


,


e b n p 2
n
unde : b .
p
RH

6. S se reprezinte diagrama benzilor energetice pentru siliciu dopat cu: N A


= 10 1 6 atomi de bor/cm 3 . S se poziioneze nivelul Fermi intrinsec si nivelul
Fermi. Folosind nivelul Fermi ca nivel de referin, s se indice energiile
electronului si densitatea golurilor pentru temperaturile: -78 C; 27 C; 300 C.
Pentru temperatura ambiant (27 C), se cunosc: E g = 1,11 eV; k = 8,62 10 - 5
eV/K; n i = 1,45 10 1 0 cm - 3 .
Rezolvare:
Notam cu N C , N V concentraia purtatorilor de sarcini in banda de conducie,
respectiv de valen. Expresile concentrailor purtatorilor de sarcin sunt:
n Nc e

EC EF
k T

NV e

EF EV
k T

unde funcia exponenial reprezint probabilitatea ocuparii de catre un electron a


unei stri energetice localizate la marginea benzii de conducie, respectiv de
valen, pentru care corespund energiile E C , respectiv E V .
Pentru un semiconductor intrinsec, relaiile devin:
EF Ei

n ni e
p ni e

k T

Ei EF
k T

i ntruct n = p = n i , rezult:
N
1
1
Ei EC EV kT ln V
2
2
NC
Este de remarcat c N C si N V depind de temperatur in acelai mod:
N C T 3 / 2 , N V T 3 / 2 , iar raportul lor ramne constant.
129

Pentru semiconductorul intrinsec, nivelul Fermi este plasat la mijlocul


benzii interzise la T = 0 K.
Admind ipoteza ionizarii complete a impuritilor, concentraia de goluri
la echilibru, are expresia:
p

1
N A N A 2 4 ni 2

Densitatea purtatorilor de sarcini din semiconductorul intrinsec, depinde de


temperatur i de laimea benzii interzise, presupus independent de
temperatur, conform relaiei:

ni T11,5

E g
kT

sau:

ni ,T

T
ni ,300

300

1,5

E g 1 1

kT T 300

Poziiile nivelului Fermi si valorile concentraiilor purttorilor de sarcin


sunt reprezentate n diagrame i nscrise n tabel:

T 1 = 195 K
T 2 = 300 K
T 3 = 573 K

n i cm - 3
7,28 10 4
1,45 10 1 0
1,06 10 1 5

p cm - 3
10 1 6
10 1 6
1,002 10 1 6

E i - E F eV
0,431
0,348
0,111

Cu creterea temperaturii semiconductorul extrinsec se comport ca un


semiconductor intrinsec, nivelul Fermi apropiindu-se de nivelul Fermi intrinsec.
Temperatura are un efect puternic asupra purttorilor de sarcin intrinseci
generai termic i nu afecteaz prea mult concentraia purttorilor de sarcin
majoritari.
7. S se calculeze Nivelul Fermi pentru siliciu dopat cu 10 6 ,1018 ,1019
atomi donori/cm 2 la temperatura camerei, presupunnd ionizarea complet. Cu
valorile obinute, s se verifice dac ipoteza ionizrii complete este justificat.
Se considera nivelul donor plasat fa de marginea benzii de conducie, la 0,05
eV.
Se
cunoate
concentraia
de
impuriti
a
siliciului
intrinsec:
19
3
0,05
eV
ni 1,45 10 cm , precum i limea benzii interzise: Eg 1,11eV .
Ec
Ed
Ef

Eg
0,555eV
2

Ed-Ef

Ei
Ef-Ei

130

Rezolvare:
Presupunnd completa ionizare a impuritilor, sau n N D , poziia
nivelului Fermi E F fa de nivelul Fermi intrinsec Ei corespunde temperaturii
absolute T0 0 K , pentru fiecare caz, este:
n
E F Ei k T ln 1 0,348eV ;
(a)
ni
E F Ei 0,467 eV ;
(b)
E F E i 0,527eV ;
(c)
Impuritile sunt ionizate atunci cnd nivelul donor nu este ocupat cu
electroni. Probabilitatea de ocupare a nivelului donor, conform statisticii Fermi
Dirac, este:
f ED

1
E D EF
1 e kt

E g / 2 ( EC ED )( E F Ei )

1 e

kt

iar probabilitatea ca nivelul donor s nu fie ocupat de un electron, este: 1 f ( E D )


i se calculeaz pentru fiecare caz in parte:
1 f ( E D ) =99,7%
(a)
1 f ( E D ) =81,26%
(b)
1 f ( E D ) =30,00%
(c)
Prin urmare, ipoteza ionizrii complete a impuritilor donoare este
valabil n primele dou cazuri. Pentru nivelele ridicate de dopare, aceast
ipotez nu mai este conform cu realitatea fizic. De altfel, la concentraii mari
2
semiconductorul este degenerat i nu mai este valabil relaia n p ni .
4.7. Anexe
Rezistena de ptrat
Rezistena de ptrat R reprezint
rezistena unui strat cu grosimea g de form
ptrat i se msoar in ohm/p.(fig.A.9.).
Rezistena pe ptrat se poate exprima n
funcie de rezistivitatea materialului. Pentru
un semiconductor de tip n, rezistena pe ptrat
are expresia:

1
1
1
R

n unde: e i
e n N D g e n ng n g
g
n sunt sarcina i mobilitatea electronului,
N D =n este concentraia atomilor donori sau
electronilor. Rezistena stratului are forma:
131

L
R
I

132