Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Materiale semiconductoare
Materialele semiconductoare se caracterizeaz prin conductibiliti
electrice cuprinse ntre limitele: 10 8 10 5 [S/m] la temperatura mediului
ambiant.
Materialele semiconductoare elementare sunt: carbon, siliciu, germaniu,
staniu, bor, fosfor, arsen, stibiu, sulf, seleniu, telur i iod, iar cele compuse sunt
de ordinul sutelor, cele mai frecvent utilizate fiind: galiu-arsen, solide de indiu
arsen. Din punct de vedere al legturilor interatomice (vezi anexa 3.3),
semiconductorii se pot clasifica n:
- semiconductori cu legtura covalent, direcional, realizat prin asocierea a
doi electroni cu spini antiparaleli provenii de la 2 atomi nvecinai, cum sunt:
Si, Ge, Sn, S, Se i Te;
- semiconductori cu legtura hibrid, cum sunt: soluiile solide ale indiului cu
arsen i GaAs. Cu ct gradul de ionicitate subunitar este mai ridicat, cu
att legtura are un caracter ionic mai pronunat, iar materialul are o
comportare dielectric, mai pronunat.
4.1. Procedee de obinere i purificare a materialelor semiconductoare [Ct]
Pentru obinerea materialelor semiconductoare monocristaline, se utilizeaz
procedee de cretere din topitur n incinte nchise. Incintele nchise sunt
utilizate pentru creterea monocristalelor de dimensiuni mari, evitndu-se astfel
impurificarea accidental. Incintele deschise sunt utilizate pentru obinerea
monocristalelor de dimensiuni relativ reduse, transportul de substan
efectundu-se prin intermediul unui gaz.
n fig.4.1 este reprezentat o instalaie de cretere a monocristalelor din
topitur n atmosfer reductoare de hidrogen, dup metoda Csochralsky. Procesul
este iniiat cu ajutorul unui germene monocristalin, care se coboar n topitur, se
topete parial i se extrage apoi treptat din topitur cu viteze cuprinse ntre 12mm/min. Procedeul se bazeaz pe existena unui gradient de temperatur i pe
migrarea moleculelor din starea lichid ctre cristal, datorit rcirii, entropia
fiind mai ridicat n cristal. Semiconductorul topit cristalizeaz pe germene i
repet structura acestuia, obinndu-se n final o bar monocristalin ce are
structura cristalin identic cu structura germenului.
Metoda de cretere epitaxial a materialelor semiconductoare presupune
existena unui substrat suport monocristalin, tiat dup un plan cristalografic
prestabilit. Transportul de substan are loc din faza gazoas, lichid, sau solid
prin evaporare. Gradul de puritate i de uniformitate a stratului depus epitaxial,
este mai ridicat dect al suportului. Prin aceast metoda pot fi crescute i straturi
cu compoziie chimic diferit de cea a substratului, cu condiia ca structuira
stratului depus s aib o constant a reelei care s difere cu cel mult 1% fa de
constanta reelei substratului suport pentru ca s nu induc anizotropie prin
tensiune, perpendicular pe suprafaa de cretere a monocristalului.
Pentru obinerea unui grad ridicat de puritate a materialelor
semiconductoare, sau concentraii de impuriti cuprinse sub limitele 10 1 0 10 1 2
cm - 3 , se utilizeaz metode fizice care se bazeaz pe redistribuia impuritilor la
suprafaa de separaie ntre faza lichid i solid.
n fig.4.1.a este reprezentat o instalaie de purificare prin topire zonar
simpl. Bara din material semiconductor fixat la capete, este plasat ntr-un tub
108
4
1
4
H
2
( a)
(b)
f ig.4.1. Inci nt e pent ru ob i nerea monocri st al el or sem i conduct oare pri n cret ere di n
t opi t ur (a) i de puri fi care pri n topi re zonar (b ). [ 1- m andri n; 2- germ en
m onocri st al i n; 3-rez i st en a de ncl zi re; 4-t ub di n cuar ; - t erm ocupl u] .
(fig.4.3.a), escaladnd banda interzis E g (relativ redus: 0,67 eV pentru Si; 1,1
eV pentru Ge; 1,4 eV pentru Ga-As i, relativ ridicat 3,49 eV, pentru GaN).
Plecarea unui electron din banda de valen presupune descompletarea unei
legturi covalente, care fixeaz atomii n reeaua cristalin. Atomul cu legtura
descompletat reprezint o vacan, sau un gol i se poate asimila cu o particul
cu masa efectiv i sarcina pozitiv egal cu sarcina electronului e, dar de semn
opus (fig.4.3.b). Golurile, dei dunt dispuse din punct de vedere energetic n
banda de valen, pot contribui - ca i electronii, la transportul sarcinii electrice.
S
i
S
i
4+
4+
4+
4+
4+
4+
4+
4+
4+
4+
4+
4+
S
i
S
i
S
i
(a)
(b)
fi g.4.2. nt rep t runder ea orbi t el or cel or 4 el ect roni de val en ai S i (a) i m odul
de gener ar e t erm i c a unei pere chi de el ect ron- gol (b ) .
Sub influena unui cmp electric exterior sau interior, golul i poate
schimba poziia prin ocuparea lui de ctre un electron, care las n urma lui un
gol n locul de unde a plecat. Astfel, golul s-a deplasat de la un atom la altul fr
ca ceilali electroni ai celoi doi atomi s prseasc banda de valen. Rezult
dou tipuri de purttori de sarcin: electroni de conducie i goluri.
Semiconductorul cu grad ridicat de puritate, se numete intrinsec, ntruct
mecanismul de generare a perechilor electron-gol, este intrinsec, bazndu-se pe
ruperea legturilor covalente.
Perechile electron-gol generate termic, dispar prin refacerea legturii
covalente, procesul de generare i anihilare a perechilor fiind un proces care se
desfoar permanent i nceteaz doar la temperatura absolut. Nivelul Fermi E F
este plasat, n semiconductorul intrinsec la mijlocul benzii interzise.
Semiconductorii care conin impuriti se numesc extrinseci, ntruct
mecanismul de conducie electric se efectueaz n principal prin purttori de
sarcin majoritari, generai n mod extrinsec prin impurificarea materialului
semiconductor cu elemente cu valene superioare sau inferioare valenei
elementului semiconductor.
Conducia electric reprezint micarea dirijat a purttorilor de sarcin
mobili sub influena cmpului electric exterior (efectul de drift), sau prin crearea
unei distribuii neuniforme a purttorilor de sarcin mobili (efectul de difuzie).
Dac impuritile din monocristalul de Si sunt atomi pentavaleni (P, As,
Sb), introduiE prin substituie, patru electroni de valen stabilesc legturi
covalente cu atomii de siliciu nvecinai, iar un electron rmne liber, deci se
creeaz un purttor
de sarcin majoritar, cu sarcina electric negativ, iar
EC
T0K
s emi conductoru l s e nume te de tip n.ECImpuri ti le (S , Li) sEec pot introduce i
Ed
+
E
T=0K
Fd
Ed
Eg KT
EF
Ed
Ea
110
E
d
EFa
Ev
EV
Ev
nivele
nivele
PFD 1 0,5 0
ocupate
ocupate
Ed
(a)
(b)
(c)
ne 2 ~
( E ) en n ,
mn
(4.1)
ne 2 ~
( E ) en p ,
mn
(4.2.)
1
ef
(4.3)
Jn nE ,
J p pE ,
(4.4)
(4.5)
n
p ~
E e( n n p p ) ,
mn m p
o n p e2
(4.6)
(4.7)
rp
Cu=r0
Lu=/0
' '
01
'
01
0,1
10
0,1
114
10
(a)
(b )
(c)
(d )
fi g.4.4. S chem el e echi val ent e al e unui condensat or cu sem i conduct or (a) i
corespunz t oar e uni t ii de vol um a m at eri al ul ui sem i conduct or (b ) .
Dependen el e de frecven a com ponent el or conduct i vi t ii com pl ex e (c, d ).
1
j 'r C0 ,
rp
(4.8)
0 S
, este
d
capacitatea condensatorului cu aceleai dimensiuni, dar avnd aer ntre armturi.
Considernd mrimile cu variaie sinusoidal n timp, reprezentate n
complex simplificat, pentru o tensiune U , aplicat armturilor, se stabilete un
curent: I Y U i un cmp E U / d , ntre armturi.
Relaia (4.8) obine forma:
unde: rp
d
, este rezistena de pierderi prin conducie, iar
S
C0
S
S
j 'r 0 ,
d
d
(4.9)
0
p
2 n
n
p
mn m p ,
1 j~
(4.12)
Y I / U J S / Ed
I
/
S
Densitatea de curent
, este curentul electric care strbate unitatea de
suprafa a semiconductorului, iar intensitatea cmpului electric: E U / d , este
tensiunea electric distribuit pe unitatea distanei dintre armturi, sau a grosimii
semiconductorului. Termenul al doilea al relaiei (4.10), s-a introdus pentru a
caracteriza comportarea dielectric a materialului semiconductor, iar primul
termen este asociat proprietii de conducie a materialului semiconductor.
Comportarea semiconductorului n regim nestaionar poate fi descris, prin
aceleai expresii ca i n regim staionar, constanta de timp de relaxare fiind ns
o mrime complex:
0
,
(4.11)
1 j 0
unde: 0 reprezint constanta de timp de relaxare pentru regimul staionar.
Expresia conductivitii complexe este similar expresiei (4.11):
115
0
'
J
~ j 0 r
1 j
'
0 r E,
1
~
j
(4.13)
2 0 'r~ ,
~
(4.14)
2 0 'r
0
care are valori n domeniul microundelor.
Relaia (4.12) poate fi scris sub forma:
0 1 j~
0
0
0~
j
.
(4.15)
~
2
2
1 j 1 ( ~ )
1 ( ~ )
1 ( ~ )2
Utiliznd relaiile (4.10) i (4.15), din relaia:
' j ' ' ,
(4.16)
rezult prin identificare expresiile componentelor conductivitii complexe a
materialului semiconductor n funcie de frecvena cmpului electric aplicat.
0
'
,
(4.17)
1 ~ 2
0~
' ' 0 'r
,
(4.18)
1 ~ 2
e ~
E ,
mn
(4.19)
e ~
E
mp
(4.20)
(4.22)
unde: Dn , p kT n , p / e , sunt coeficienii de difuzie ai purttorilor de sarcin.
Pentru ndeplinirea funciei de conducie electric comandat n tensiune,
se impune ca valorile conductivitii electrice, s fie controlabile i
reproductibile din punct de vedere tehnologic, iar permitivitatea real s fie
redus pentru micorarea capacitilor parazite. Astfel de materiale sunt: Si,
GaAs, Ge, GaN.
4.4.2. Funcia de conversie opto - electronic
Radiaiile electromagnetice incidente pe suprafaa unui material
semiconductor, genereaz purttori de sarcin, care se vor deplasa dirijat sub
aciunea unui cmp electric exterior. n aplicaiile uzuale, prezint interes
radiaiile din spectrul infrarou, vizibil i ultraviolet.
Radiaia electromagnetic este parial reflectat i parial absorbit de
materialul semiconductor, partea absorbit determinnd ionizarea atomilor reelei
i crearea de purttori de sarcin liberi (efect fotoelectric intern). Pentru energii
mari ale radiaiilor, electronii sunt extrai din material i emii n exterior (efect
fotoelectric extern).
Absorbia proprie reprezint interaciunea dintre un foton cu energie E f =
h , i un electron de valen, care trece n banda de conducie, escaladnd banda
interzis de lime E g , atunci cnd: E f E g (fig.4.5.a), crendu-se astfel un gol.
Absorbia proprie apare la semiconductorii intrinseci, iar lungimea de und
limit, care reprezint lungimea maxim i corespunde frecvenei minime, are
expresia:
i
2c
2h
E g ,
(4.23)
2hc
i ,
Ea ,d
(4.24)
Ec
Ec
Ed
Ed
Eg
Ev
Ea
nivele
ocupate
(a)
Ea
Ev
(b)
f ig.4.5. Absorb i a propri e (a) i dat orat i m purit i l or (b ) a unui fot on.
10
PS[MeV/mm
]
lo [mm]
10
10
PS[MeV/mm
]
Ge
Ee
Ee
119
0,01
[MeV]
0,1
0,01 0,1
[MeV]
10
Si
0,01
[MeV]
Ep
100
(a)
(b)
(c)
Emisie
Absorbie
Ev
EFp
Direct
Indirect
Prin alipire
n(E)
n(E)
2
E2
E2
2
h = E2 E1
E1
(a)
(b)
goluri n
regiunea n
EF
electroni n
regiunea p
p
E1
EFn
120
n
EFp
electroni
goluri
(c)
(e)
(d)
(f)
fig. 4.7. Mecanisme de recombinare direct, indirect i prin alipire, pentru un material izotrop (a)
i confi gu ra i a suprafe el or echi ene rget i ce n func i e de num rul de st ri n (E),
(sau numrul de und k), pentru un semiconductor care prezint inversie de populaie (b).
Tranz i i e spont an (c) i st i m ul at pri n i nt erm edi ul unui fot on a el ect ronul ui , cu em i si e
st i m ul at a fot onil or, care sunt n faz i au acee ai frecven (d ) . Jonc i une pn
nepol ari z at l a echi l i bru (e) i pol ariz at di rect l a neechi l i bru (f ) .
ni
Ge
Si
1011
GaAs
1/T
1/300
122
T1
T2
( a)
(b)
1 d
;
dt
timp
de
relaxare
redus,
pentru
viteze
de
rspuns
ridicate;
EH
_
E
F
+
S1
(a)
(b)
(c)
fi g.4.9. Efect ul Hal l n m at eri al e sem i conduct oar e (a) i for a care ac i oneaz
asupra purt t ori l or m obi li de sarci n el ect ri c poz i ti v n prez en a
cm pul ui el ect ri c (b ) i m agn et i c (c) .
124
hc
hc
-34
J s, c = 2,998 10 8 m/s.
E min
E g , unde: h = 6,63 10
Prin oxidare, volumul stratului din bioxid de siliciu este aproape dublu fa
de volumul de siliciu consumat. Acest rezultat este utilizat n tehnologia de
realizare a circuitelor integrate.
3. Un monocristal de siliciu intrinsec se inclzete de la temperatura T =
300 K pn la temperatura T = 400 K . Legea de variaie a concentraiei de
sarcin intrinseci este de forma:
2
ni A0 T e
E g
2 kT
unde: A 0 este o constant, limea benzii interzise este Eg = 1,11 eV, iar
constanta lui Boltzmann are valoarea : k = 8,62 10 - 5 eV / k.
S se calculeze:
a) Coeficientul de variaie cu temperatura al rezistivitaii, la temperatura T
= 300 K.
b) Rezistivitatea la temperatura T = 400 K, tiind c rezistivitatea la T =
300 K este i (300 K) = 2 10 3 m.
Rezolvare:
a) Rezistivitatea depinde invers proporional de concentraia de purttori de
sarcin n i sau:
i A1 T
E g
e 2kT
E g
1 d i
2
0,074 K - 1
2
i dT
T
2kT
i T T `
E g 1 1
2k T ` T
Se
observ
o
variaie
extrem
de
pronunat
a
rezistivitii
semiconductorului intrinsec cu temperatura, rezistivitatea la temperatura
ambiant fiind relativ ridicat. Semiconductorii extrinseci au rezistivitate mai
sczut la temperatura ambiant, iar variaia cu temperatura este mai puin
pronunat.
4. S se calculeze curentul care trece printr-o plac de siliciu dopat cu 10 1 6
atomi de bor / cm 3 , de lungime: L = 100 m i seciune: S = 10 - 3 cm 2 , tensiunea
aplicat avnd valoarea U = 20 V, la temperatura ambiant, pentru care la
conducia electric particip doar purttorii de sarcin majoritari i la 300 C,
cnd la conducia electric particip i purttorii de sarcin minoritari. Se cunosc
forma dependenei mobilitaii purttorilor de sarcin de temperatura: T - 2 , 5 ,
sarcina electronului: e = 1,6021 10 - 1 9 C, concentraiile purttorilor de sarcin la
temperatura ambiant: p = 1,002 10 1 6 cm - 3 , n = 1,12 10 1 4 cm - 3 i mobilitile
purttorilor la temperatura ambiant: n , 3 0 0 = 1000 cm 2 / Vs, p , 3 0 0 = 350 cm 2 / Vs.
127
Rezolvare:
Semiconductorul extrinsec realizat prin dopare cu bor este de tip p,
concentraia golurilor fiind superioara concentraiei de electroni.
La temperatura ambianta: T = 300 K, rezistivitatea are expresia:
1
1,72 cm ,
e pp
U U S
1,16 A
R
L
300
n n ,300
300
p p,300
2 , 5
2,5
198,34
69,42
cm 2
V S
cm 2
V S
1
8,707 cm
e n n p p
U S
0,23 A
L
n
RH n
,
n e n n
rezultnd valoarea:
n
8,57 10 22 cm 3 .
RH e
n n p p 1 b2 n p
,
e b n p 2
n
unde : b .
p
RH
EC EF
k T
NV e
EF EV
k T
n ni e
p ni e
k T
Ei EF
k T
i ntruct n = p = n i , rezult:
N
1
1
Ei EC EV kT ln V
2
2
NC
Este de remarcat c N C si N V depind de temperatur in acelai mod:
N C T 3 / 2 , N V T 3 / 2 , iar raportul lor ramne constant.
129
1
N A N A 2 4 ni 2
ni T11,5
E g
kT
sau:
ni ,T
T
ni ,300
300
1,5
E g 1 1
kT T 300
T 1 = 195 K
T 2 = 300 K
T 3 = 573 K
n i cm - 3
7,28 10 4
1,45 10 1 0
1,06 10 1 5
p cm - 3
10 1 6
10 1 6
1,002 10 1 6
E i - E F eV
0,431
0,348
0,111
Eg
0,555eV
2
Ed-Ef
Ei
Ef-Ei
130
Rezolvare:
Presupunnd completa ionizare a impuritilor, sau n N D , poziia
nivelului Fermi E F fa de nivelul Fermi intrinsec Ei corespunde temperaturii
absolute T0 0 K , pentru fiecare caz, este:
n
E F Ei k T ln 1 0,348eV ;
(a)
ni
E F Ei 0,467 eV ;
(b)
E F E i 0,527eV ;
(c)
Impuritile sunt ionizate atunci cnd nivelul donor nu este ocupat cu
electroni. Probabilitatea de ocupare a nivelului donor, conform statisticii Fermi
Dirac, este:
f ED
1
E D EF
1 e kt
E g / 2 ( EC ED )( E F Ei )
1 e
kt
1
1
1
R
n unde: e i
e n N D g e n ng n g
g
n sunt sarcina i mobilitatea electronului,
N D =n este concentraia atomilor donori sau
electronilor. Rezistena stratului are forma:
131
L
R
I
132