Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
vD
Figura 1.1.
D.1
Modelul complet. Este utilizat in analiza circuitelor electronice cu ajutorul
calculatorului (completat cu ecuatiile corespunzatoare unor fenomene fizice care nu sunt
cuprinse in ecuatia de mai jos: strapungere, efecte la curent mare, zgomot, efecte capacitive, etc).
Sensul conventional pentru tensiune si curent este prezentat in figura #.1. Ecuatia de model este:
q vD
1
i D I O exp
nkT
(1.1)
i D I O
-
v D 3
q vD
i D I O exp
n
k
T
nkT
q
vD 3
nkT
q
q vD
1
i D I O exp
n
k
T
1-1
nkT
nkT
vD 3
q
q
-4
1.8x10
Polarizare Polarizare
directa
inversa
-4
1.6x10
1.4x10
Regiunea de
blocare
1.2x10 -4
1.0x10 -4
ID
Regiunea de
conductie
8.0x10 -5
6.0x10 -5
[A] 4.0x10 -5
2.0x10 -5
0.0
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
0.1
VD
[V]
0.2
0.3
Figura 1.2.
D.3
Modelul liniarizat pe regiuni. Este utilizat in analiza circuitelor electronice prin
calcule analitice (de mana) mai rapide decat in cazul precedent. Pretul platit consta in
obtinerea de rezultate cu o precizie mai redusa. Este practic singura metoda de analiza posibila in
analiza circuitelor cu diode la semnal mare, in domeniul timp. Caracteristica statica a diodei este
aproximata cu doua semidrepte care au ecuatiile:
- regiunea de blocare:
iD 0
v D VD
v D VD rD i D
iD 0
Parametrii de model, ale caror valori numerice depind de gama de lucru a tensiunilor si
curentilor, sunt:
VD tensiune de deschidere (0.2 0.4 V pentru diodele din germaniu si 0.6 0.8 V
pentru diodele din siliciu)
rD panta caracteristicii in regiunea de conductie (in multe aplicatii se poate considera
neglijabila, deci rD = 0).
1.1.2. Modele de curent alternativ de semnal mic. Sunt utilizate la analiza in curent
alternativ, la semnal mic, a circuitelor cu diode. Astfel de modele se obtin prin liniarizarea
caracteristicilor statice in jurul punctului static de functionare. La joasa frecventa, dioda se
inlocuieste cu rezistenta ei interna de semnal mic Ri, definita de:
iD
1
Ri vD
(1.2)
PSF
Ri
nkT
Ri
q ID
nkT
Ri
q I D I O
- regiunea de blocare:
- regiunea de conductie:
- din jurul originii:
pentru modelul D.3:
- regiunea de blocare:
Ri
R i rD
- regiunea de conductie:
La inalta frecventa circuitul echivalent este completat ca in figura 1.3. Elementele care
apar in acest circuit in plus fata de rezistenta interna sunt:
- capacitatea de bariera (importanta pentru polarizare inversa): Cb
- capacitatea de difuzie (importanta pentru polarizarea in direct): Cd
- rezistenta serie (importanta in aplicatii de semnal foarte mic si la zgomotul
dispozitivului): Rs
Ri
Cb
Rs
Cd
Figura 1.3
IO M IO
IO
v
1 R
VB
unde: vR = - vD
parametrii de model:
VB tensiune de strapungere
m coeficient cu valori 2 6.
Aceasta relatie este dificil de utilizat in calculele de mana datorita caracterului ei neliniar.
Pentru diodele stabilizatoare de tensiune (la care fenomenul este dorit) se prefera liniarizarea
caracteristicii in regiunea de strapungere (stabilizare). Deoarece aceasta regiune este utilizata in
functionare se prefera notatiile (figura 1.4):
v Z v D
i Z i D
1-3
DZ
iZ
vZ
Figura 1.4
Z.2
- regiunea de stabilizare:
v Z VZ rZ i Z
i Z I Z,min
- regiunea de stabilizare:
- regiunea de nestabilizare
v Z VZ
iZ 0
iZ 0
v Z VZ
1.2. Probleme
P.1.1. Sa se calculeze punctul static de functionare al circuitului din figura 1.5. Circuitul se afla
la temperatura camerei. Dioda are parametrii:
a) IO = 1 nA n = 1
b) IO = 1 nA n = 1.5
c) IO = 1 A n = 1
1k
1k
ID
+ E
+ E
VD
10V
ID
D
VR
10V
Figura 1.5
Figura 1.6
P.1.2. Sa se calculeze punctul static de functionare al circuitului din figura 1.6. Circuitul se afla
la temperatura camerei. Dioda are parametrii:
a) IO = 1 nA n = 1
b) IO = 1 A n = 1
1-4
P.1.3. Sa se calculeze punctul static de functionare al circuitului din figura 4.. Circuitul se afla la
temperatura camerei. Diodele au parametrii:
n = 1.5
D1 : IO,1 = 1 nA;
n = 1.5
D2 : IO,2 = 4 nA;
D1
R1
D2
1k
+ E
10V
R2
R3
1M
1M
D1
D2
R1
1k
+ E
10V
R3
1k
R1
+ E
10V
0.5k
R2
0.5k
D1
D2
1-5
R3
1k
+ E
10V
D2
R2
2k
D1
R1
1k
R3
1k
R1
+ E
10V
1k
R2
1M
D1
D2
R3
1k
D2
+ E
10V
D1
R1
0.4k
1-6