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UNIVERSIDADE DE SO PAULO

INSTITUTO DE GEOCINCIAS

UM ESTUDO DO IMAGEAMENTO GEOELTRICO


NA INVESTIGAO RASA

Otvio Coaracy Brasil Gandolfo

Orientador: Prof. Dr. Jos Domingos Faraco Gallas

TESE DE DOUTORAMENTO
Programa de Ps-Graduao em Recursos Minerais e Hidrogeologia

SO PAULO
2007

ii

A minha famlia, Tnia, Henrique e Renata.


Aos meus pais, Leninha e Tituca.

iii

AGRADECIMENTOS

Ao prof. Dr. Jos Domingos Faraco Gallas pela orientao dedicada durante toda a elaborao
deste trabalho.
A Fundao de Amparo Pesquisa do Estado de So Paulo (FAPESP) pelo apoio financeiro
concedido na modalidade de Auxlio Pesquisa (Processo n 04/01239-8) e pela bolsa de estudos
fornecida no perodo de 09/2004 a 01/2005 (Processo n 04/03190-6).
A Coordenao de Aperfeioamento de Pessoal de Nvel Superior - CAPES pela bolsa de estudo
concedida no perodo de 03/2004 a 08/2004.
Ao relator annimo da FAPESP, pelos pareceres emitidos nos Relatrios Cientficos (Auxlio
Pesquisa) e que muito contriburam para o enriquecimento do trabalho.
Ao prof. Dr. Fabio Taioli pelas crticas e sugestes dadas na qualificao.
Ao prof. Dr. Carlos Alberto Mendona pelo auxlio e dicas quanto ao emprego de alguns termos
geofsicos utilizados neste trabalho e pelas contribuies na etapa da qualificao.
Aos revisores annimos da Revista Brasileira de Geofsica (RBGf) pela contribuio nos dois
artigos cientficos enviados no decorrer deste trabalho, cujos assuntos fazem parte desta tese.
Ao Curso de Ps-Graduao do Instituto de Geocincias da Universidade de So Paulo pelo
suporte acadmico e toda a infra-estrutura colocada disposio.
Ao tcnico Paulo Rodrigues de Lima, o Paulinho, pela inestimvel ajuda na etapa de aquisio dos
dados de campo.
Ao gelogo Fernando Saraiva (CEPAS) por todo o apoio dado no decorrer deste trabalho.
Aos colegas do grupo da geofsica do IPT, Rgis, Birelli, Laps e Vicente, pela luta, convivncia e
amizade.
A minha famlia, Tnia, Henrique e Renata pelo carinho e pela pacincia durante os anos de
desenvolvimento desta tese.
A Leninha, pela cuidadosa reviso do texto.
A todas as pessoas que, direta ou indiretamente contriburam de alguma maneira para que este
trabalho pudesse ser realizado.

iv

SUMRIO
LISTA DE FIGURAS

vii

LISTA DE TABELAS

xiii

LISTA DE ABREVIATURAS E SMBOLOS

xiv

RESUMO

xvi

ABSTRACT

xviii

PARTE I - INTRODUO, OBJETIVOS, REVISO BIBLIOGRFICA E ASPECTOS


TERICOS RELACIONADOS AO TEMA
1 INTRODUO

2 OBJETIVOS

3 PARTE TERICA
3.1 Geofsica aplicada
3.2 O Mtodo da eletrorresistividade
3.2.1 Generalidades
3.2.2 Propriedades eltricas dos materiais geolgicos
3.2.3 Princpios bsicos
3.2.4 O conceito de resistividade aparente
3.3 Levantamentos 2D de eletrorresistividade: reviso da bibliografia
3.3.1 Terminologias
3.3.2 O estado da arte

6
6
7
7
8
9
15
16
17
19

4 ARRANJOS DE ELETRODOS
4.1 Generalidades
4.2 Principais arranjos utilizados no trabalho
4.2.1 Arranjo Wenner
4.2.2 Arranjo Dipolo-Dipolo (D-D)
4.2.3 Arranjo Plo-Dipolo (P-D)
4.2.4 Arranjo Plo-Plo (P-P)
4.2.5 Arranjo Schlumberger
4.2.6 Arranjos 3D
4.2.7 Sensitividade dos diversos arranjos

24
24
25
26
29
32
34
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37
38

5 PSEUDO-SEES DE RESISTIVIDADE ELTRICA APARENTE


5.1 Plotagem dos dados em uma pseudo-seo
5.2 Simetria e assimetria nos arranjos D-D e P-D
5.3 Edio e processamento de dados de uma pseudo-seo

41
44
46
47

6 PROFUNDIDADE DE INVESTIGAO

49

7 IMAGEAMENTO
7.1 Sistemas automatizados de aquisio

55
60

8 INVERSO GEOFSICA
8.1 Generalidades
8.2 Inverso 1D de dados de eletrorresistividade
8.3 Inverso 2D de dados de eletrorresistividade
8.4 Inverso 3D de dados de eletrorresistividade
8.5 O mtodo de inverso por mnimos quadrados com vnculo de suavidade
(smoothness constrained least-square method)
8.6 Tpicos referentes ao processo de inverso
8.6.1 Modelo inicial
8.6.2 Restries aplicadas ao mtodo de inverso
8.6.3 Discretizao do modelo
8.6.4 Clculo da matriz Jacobiana
8.6.5 Erro de RMS (root mean square)
8.6.6 Fator de amortecimento (damping factor)
8.6.7 Filtro de aplainamento (flattness filter)
8.6.8 Mtodos de otimizao
8.6.9 Sensitividade
8.6.10 Sistemtica adotada para o processamento dos dados

64
64
66
67
69

9 MODELAMENTO DIRETO 2D

90

10 MTODOS GEOFSICOS COMPLEMENTARES


10.1 O mtodo eletromagntico (EM)
10.1.1 Generalidades
10.1.2 Instrumentao: o sistema EM-31
10.1.3 Resposta instrumental em funo da profundidade
10.1.4 Modelamento direto de dados EM
10.2 O mtodo GPR

92
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89

PARTE II - MATERIAIS E MTODOS


11 O PROGRAMA RES2DINV

100

12 O PROGRAMA RES2DMOD

101

13 EQUIPAMENTO UTILIZADO

102

vi

PARTE III - APLICAO


14 REA DE ESTUDO 1 - RAIA OLMPICA (USP)
14.1 Contexto geral e localizao
14.2 Geologia e hidrogeologia
14.3 Levantamentos geofsicos realizados
14.4 Resultados obtidos
14.4.1 Informaes diretas (poos de monitoramento)
14.4.2 SEV
14.4.3 Sees geoeltricas 2D
14.4.4 Informaes diretas (trincheira)
14.4.5 Levantamento 3D de eletrorresistividade
14.4.6 Resultados dos levantamentos geofsicos de apoio: GPR e EM
14.4.7 Modelo geoeltrico final

104
104
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110
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115
129
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146
149

15 REA DE ESTUDO 2 - AFLORAMENTO DE DIABSIO (RODOVIA DOS


BANDEIRANTES)
15.1 Contexto geral e localizao
15.2 Levantamentos geofsicos realizados
15.3 Resultados obtidos
15.3.1 Modelamento direto

152
152
157
157
169

16 REA DE ESTUDO 3 - E.T.E. (SALESPOLIS)


16.1 Contexto geral e localizao da rea
16.2 Geologia e hidrogeologia
16.3 Levantamentos geofsicos realizados
16.4 Resultados obtidos
16.5 Interpretao final

179
179
179
180
183
196

PARTE IV - DISCUSSO INTEGRADA, CONSIDERAES FINAIS


E CONCLUSES
17 CONSIDERAES FINAIS E CONCLUSES
17.1 Arranjos de eletrodos em geral
17.2 Utilizao de outras tcnicas/mtodos de apoio
17.3 Aplicao no mapeamento de nvel dgua raso
17.4 Aplicao no mapeamento do topo rochoso
17.5 Aplicao no mapeamento de contaminao

199
199
201
201
203
204

18 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

206

vii

LISTA DE FIGURAS
Figura 3.2.1-1 - O mtodo da eletrorresistividade no contexto dos mtodos geofsicos de prospeco

Figura 3.2.3-1 - Fonte pontual de corrente enterrada em um meio isotrpico e homogneo


(modificado de TELFORD et al., 1990)

10

Figura 3.2.3-2 - Fonte pontual de corrente situada na superfcie de um semi-espao isotrpico e


homogneo (modificado de TELFORD et al., 1990)

12

Figura 3.2.3-3 - Esquema bsico de aquisio do mtodo da eletrorresistividade: um par de eletrodos


de emisso de corrente (A e B) e outro de medida do potencial (M e N)

13

Figura 3.2.4-1 - Ilustrao esquemtica de um substrato heterogneo (modificada de GALLAS, 2000)

16

Figura 4.2-1 - Esquema dos arranjos utilizados no trabalho

25

Figura 4.2.1-1 - Arranjo Wenner com espaamento entre eletrodos sempre mantido constante

26

Figura 4.2.1-2 - Arranjos Wenner alfa, beta e gama

26

Figura 4.2.1-3 - Esquema de plotagem do arranjo Wenner em uma pseudo-seo, mostrando a


rpida perda de cobertura com a profundidade

28

Figura 4.2.1-4 - Arranjo Lee, onde os potenciais so medidos entre os eletrodos M e O e O e N

28

Figura 4.2.2-1 - Esquema de aquisio utilizando o arranjo D-D com cinco nveis de investigao
em profundidade

30

Figura 4.2.3-1 - Esquema de aquisio dos dados utilizando o arranjo P-D com cinco nveis
de investigao em profundidade

32

Figura 4.2.4-1 - Esquema de aquisio dos dados utilizando o arranjo P-P com cinco nveis
de investigao em profundidade

34

Figura 4.2.5-1 - Disposio dos eletrodos do arranjo Schlumberger

36

Figura 4.2.7-1 - Padro de sensitividade dos arranjos utilizados neste trabalho


(modificado de DAHLIN & ZHOU, 2004)

39

Figura 5-1 -

Figura 5-2 -

Modelo (abaixo) e pseudo-seo correspondente (acima) mostrando como em


algumas situaes podem ser realizadas interpretaes qualitativas com base
apenas na pseudo-seo de resistividade aparente

41

Pseudo-sees sintticas geradas pelo modelo composto por um simples


retngulo, utilizando quatro tipos de arranjos diferentes: D-D, P-D, P-P e Wenner

43

Figura 5.1-1 - Plotagem convencional, arranjo D-D, proposta por HALLOF (1957)
Figura 5.1-2 -

Profundidades de HALLOF, 1957 (em vermelho) e de EDWARDS, 1977


(em verde) para arranjo D-D, seis nveis de investigao e AB=MN=10m

44
45

Figura 5.2-1 - Exemplo real de campo ilustrando a simetria do arranjo D-D

46

Figura 5.2-2 - Diferena em porcentagem das leituras obtidas no sentido direto e reverso
dos dados do caminhamento da Figura 5.2-1

47

Figura 5.2-3 - Pseudo-sees efetuadas em um mesmo perfil com arranjo P-D no sentido direto
(acima) e reverso (abaixo)

47

Figura 7-1 -

Figura 7-2 -

Aumento de resoluo lateral (horizontal), representado pelos pontos vermelhos


e em profundidade (vertical), representado pelos pontos em azul. Nos dois casos
o deslocamento do arranjo (D-D) igual a meio dipolo ( a)

56

Pseudo-seo modificada (AB=MN=4m, 2m e 1m)

59

viii

Figura 7.1-1 - a) Modelo proposto. Respostas do modelo utilizando 30 eletrodos espaados


de 5m em: b) Compreensive data set (51.373 pontos); c) Wenner (135 pontos);
d) D-D (147 pontos); e) Wenner e D-D combinados (282 pontos)

62

Figura 8.6.1-1 - Dado de campo (acima), modelo inicial (meio) e modelo final (abaixo) de um
conjunto de dados com pequena variao de resistividade aparente

76

Figura 8.6.1-2 - Dado de campo (acima), modelo inicial (meio) e modelo final (abaixo) de um
conjunto de dados com grande variao de resistividade aparente

76

Figura 8.6.3-1 - Arranjo dos blocos utilizado no modelo, juntamente com a posio dos pontos de
medida da correspondente pseudo-seo. O arranjo de eletrodos utilizado foi o D-D
(a=2m, 10 nveis de investigao). O nmero de blocos 106, com 135 pontos
de medidas em um perfil de 40m de extenso

79

Figura 8.6.3-2 - Modelo de blocos utilizado no RES2DINV, arranjo D-D (a=2m) e respectivos dados
plotados de acordo com as profundidades estabelecidas por EDWARDS (1977)

81

Figura 8.6.3-3 - Modelo de blocos para o arranjo Wenner, com espessuras dos blocos aumentando
de um fator 10% em relao espessura da primeira fila

82

Figura 8.6.3-4 - Modelo de blocos para o arranjo Wenner, com espessuras dos blocos aumentando
de um fator 25% em relao espessura da primeira fila

82

Figura 8.6.3-5 - Sees invertidas correspondentes a dois meios homogneos com resistividade
baixa (10 ohm.m, acima) e alta (1000 ohm.m, abaixo). As profundidades do modelo
permanecem inalteradas

83

Figura 8.6.3-6 - Modelo de discretizao utilizado no processamento dos dados 3D


(modificado de LOKE & BARKER, 1996b)

84

Figura 8.6.4-1 - Comparao dos mtodos Gauss-Newton e quasi-Newton, utilizando um dado


real de campo e processado em um computador Pentium III, 800 MHz, 512MB
de memria RAM

86

Figura 8.6.5-1 - Erro de RMS versus nmero de iterao

87

Figura 10.1.1-1 - Ilustrao generalizada de um sistema eletromagntico de prospeco

92

Figura 10.1.2-1 - Equipamento EM-31

93

Figura 10.1.2-2 - Disposio das bobinas e dos respectivos eixos-dipolos em medidas efetuadas
com o sistema EM-31

94

Figura 10.1.3-1 - Resposta relativa versus profundidade para as duas possveis disposies de dipolo

95

Figura 10.1.4-1 - Resposta cumulativa versus profundidades para as duas disposies de dipolo

97

Figura 13-1 -

SAS 300B e Booster SAS 2000 compondo o sistema Terrameter

102

Figura 13-2 -

Forma de onda da corrente transmitida. O sinal de resposta (voltagem) medido


pelo receptor em intervalos de tempo discretos (hachurado)

103

Figura 14.1-1 - rea de estudo localizada na Raia Olmpica da USP


(Imagem do satlite IKONOS, 2002)

104

Figura 14.3-1 - Aquisio de dados em campo com medida simultnea da profundidade


do nvel dgua

106

Figura 14.3-2 - Croqui com a localizao do perfil e demais ensaios realizados na Raia Olmpica.
So apresentadas tambm as localizaes dos poos de monitoramento

107

Figura 14.3-3 - SEV realizada nas proximidades do poo PM-1R (estaca 12)

108

Figura 14.3-4 - Equipamento EM-31 para medida de condutividade eltrica do terreno

108

ix

Figura 14.3-5 - Levantamento GPR com o equipamento Interragator II

109

Figura 14.4.1-1 - Perfil descritivo dos poos de monitoramento PM-1R (esquerda) e PM-2R (direita)

110

Figura 14.4.1-2 - Seo geolgica obtida com informaes dos poos PM-1R e PM-2R

111

Figura 14.4.2-1 - Curva de resistividade aparente da SEV-E12

112

Figura 14.4.2-2 - Curva de resistividade aparente da SEV-E25

112

Figura 14.4.2-3 - Correlao da SEV E12 com o poo PM-1R

113

Figura 14.4.2-4 - Correlao da SEV E25 com o poo PM-2R

114

Figura 14.4.3-1 - Pseudo-sees, arranjo D-D, com diferentes aberturas entre eletrodos: (a) a=0,5m;
(b) a=1m; (c) a= 2m; (d) a=4m, todas plotadas de acordo com HALLOF (1957).
Em (e), a pseudo-seo modificada com todos os espaamentos e plotadas conforme
EDWARDS (1977)

116

Figura 14.4.3-2 - Pseudo-seo D-D (a=1m) plotadas com os critrios de HALLOF (1957), acima e
EDWARD (1977), abaixo. As SEVs encontram-se rebatidas sobre as pseudo-sees
para fins comparativos

117

Figura 14.4.3-3 - Seo modelada, arranjo D-D e espaamento a=0,5m (esquerda)

119

Figura 14.4.3-4 - Seo modelada, arranjo D-D e espaamento a=1m (centro)

119

Figura 14.4.3-5 - Seo modelada, arranjo D-D e espaamento a=2m (direita)

119

Figura 14.4.3-6 - Seo modelada, arranjo D-D espaamentos a=4m, 2m, 1m e 0,5m (esquerda)

120

Figura 14.4.3-7 - Seo modelada (D-D, a=4m, 2m, 1m e 0,5m) com n=1,2..,6 (direita)

120

Figura 14.4.3-8 - Pseudo-sees, arranjo P-D, com diferentes aberturas entre eletrodos, (a) a=1m,
(b) a=2m, (c) a= 4m, plotadas de acordo com HALLOF (1957). Abaixo, a pseudoseo modificada contendo todos os espaamentos e plotadas conforme
EDWARDS (1977)

122

Figura 14.4.3-9 - Seo modelada, arranjo P-D, a=1m (esquerda)

124

Figura 14.4.3-10 - Seo modelada, arranjo P-D, a=2m (centro)

124

Figura 14.4.3-11 - Seo P-D modificada, a=4m, 2m e 1m (direita)

124

Figura 14.4.3-12 - Seo modelada P-P (espaamento n.a=1m)

125

Figura 14.4.3-13 - Seo modelada P-P (espaamento n.a=2m)

125

Figura 14.4.3-14 - Pseudo-seo, arranjo Wenner, espaamento entre eletrodos a=0,5m, 1m,..,10m

126

Figura 14.4.3-15 - Histograma com a precipitao mensal no ano de 2004 (PAIXO, 2005).
Em destaque o ms de janeiro, com alto ndice de pluviometria, poca que foi
realizado o levantamento com o arranjo Wenner

126

Figura 14.4.3-16 - Seo modelada, arranjo Wenner (esquerda)

128

Figura 14.4.3-17 - Seo modelada, mixando dados dos arranjos D-D e Wenner (direita)

128

Figura 14.4.4-1 - Perfil litolgico da trincheira (a) e da sondagem a trado (b) realizada nas
proximidades do perfil dos caminhamentos eltricos. Fonte: PAIXO (2005)

129

Figura 14.4.4-2 - Detalhe das litologias superficiais identificadas na trincheira

130

Figura 14.4.4-3 - Eletrodos cravados na camada de argila siltosa, situada abaixo da argila plstica.
O piso da trincheira estava a 3m de profundidade em relao superfcie

131

Figura 14.4.4-4 - Variaes laterais de resistividade verificadas em um caminhamento


(8m de extenso), utilizando o arranjo Wenner alfa, beta e gama com a=1m

132

Figura 14.4.4-5 - Curvas de resistividade aparente obtidas por modelagem direta, utilizando as
espessuras das camadas e os respectivos valores de resistividade medidos in situ
com as configuraes alfa (esquerda), beta (meio) e gama (direita)

133

Figura 14.4.4-6 - SEV realizada nas proximidades da trincheira

134

Figura 14.4.4-7 - Comparao das medidas de resistividade obtidas de forma direta (in situ,
na parede da trincheira, curva contnua) com as trs configuraes Wenner (alfa,
beta e gama) e indiretas (pela SEV, realizada nas proximidades, pontos discretos)

135

Figura 14.4.4-8 - Grfico com teores de umidade natural do solo (PAIXO, 2005)

136

Figura 14.4.4-9 - Medidas diretas de resistividade (utilizando os arranjos Wenner alfa, beta e gama)
ajustadas aps 3 iteraes em programa de inverso de dados de SEV

137

Figura 14.4.5-1 - Aquisio de dados 3D com medida simultnea da profundidade do nvel dgua

138

Figura 14.4.5-2 - Geometria dos eletrodos utilizados na aquisio 3D e esquema de


aquisio completa (modificada de LOKE & BARKER, 1996b)

139

Figura 14.4.5-3 - Tcnica de aquisio cross-diagonal do levantamento 3D (modificada de


LOKE & BARKER, 1996b)

140

Figura 14.4.5-4 - Malha de elementos finitos utilizada para a inverso dos dados obtidos no
levantamento 3D realizado na Raia Olmpica

141

Figura 14.4.5-5 - Modelo geoeltrico obtido no modo de aquisio completa

142

Figura 14.4.5-6 - Modelo geoeltrico obtido no modo de aquisio cross-diagonal

143

Figura 14.4.5-7 - Diagrama ilustrando-se o resultado do levantamento 3D, onde foi verificada a
variao da resistividade com a profundidade seguindo o padro padro 1 > 2 < 3.
Ao lado, um corte da seo geolgica nas proximidades do levantamento (poo
PM-1R) para fins de correlao

145

Figura 14.4.5-8 - Seo vertical (X,Z em Y=0) do modelo 3D (esquerda) e segmento do modelo
geoeltrico obtido em levantamento 2D com arranjo P-P e a=1m (direita)

145

Figura 14.4.6-1 - Seo GPR (antena de 300 MHz) obtida sobre o perfil de 40m,
janela=100ns (esquerda)

147

Figura 14.4.6-2 - Seo GPR (antena de 300 MHz) obtida sobre o perfil de 40m,
janela=60ns (direita)

147

Figura 14.4.6-3 - Perfis eletromagnticos em dois distintos nveis de investigao em profundidade

148

Figura 14.4.7-1 - Detalhe da seo modelada P-D (a=4m, 2m e 1m) e a correlao com as litologias
da rea da Raia Olmpica, definindo o modelo geoeltrico para rea: 1 > 2 < 3 > 4

150

Figura 15.1-1 - Afloramento de diabsio situado no km 162 da Rodovia dos Bandeirantes

152

Figura 15.1-2 - Levantamento na berma do talude sobre o afloramento

153

Figura 15.1-3 - Foto do afloramento, espelhada em relao Foto 15.1-1, graduada e em escala

154

Figura 15.1-4 - Determinao direta da profundidade do topo rochoso em pontos do perfil

154

Figura 15.1-5 - Determinao por trigonometria da profundidade do topo rochoso no afloramento

155

Figura 15.1-6 - Afloramento com as respectivas profundidades do topo rochoso com escala

155

Figura 15.1-7 - Viso mais ampla do afloramento, mostrando uma pequena camada de solo no final
do perfil, sobre o topo rochoso (destacada em vermelho)

157

xi

Figura 15.3-1 - Pseudo-sees D-D modificadas (a=1m, a=2m, a=4m e todos os dipolos juntos)

158

Figura 15.3-2 - Seo modelada do afloramento, arranjo D-D, a=4m (esquerda)

160

Figura 15.3-3 - Seo modelada do afloramento, arranjo D-D, a=2m (centro)

160

Figura 15.3-4 - Seo modelada do afloramento, arranjo D-D, a=1m (direita)

160

Figura 15.3-5 - Seo D-D modelada (a=4m, 2m, 1m) do afloramento (esquerda)

161

Figura 15.3-6 - Seo D-D modelada (a=4m, 2m, 1m) do afloramento e com profundidades
ajustadas (direita)

161

Figura 15.3-7 - Perfis de resistividade aparente para os cinco primeiros nveis (arranjo D-D=2m)

162

Figura 15.3-8 - Pseudo-sees modificadas do arranjo P-D com a=2m (acima), a=1m (meio) e
a=2m e 1m (abaixo)

163

Figura 15.3-9 - Seo P-D modelada (a=2m e a=1m)

164

Figura 15.3-10 - Modelo P-D com a profundidade ajustada do topo rochoso

164

Figura 15.3-11 - Pseudo-seo P-P (n.a=2m)

165

Figura 15.3-12 - Pseudo-seo P-P (n.a=1m)

165

Figura 15.3-13 - Seo modelada, arranjo P-P, n.a=2m

166

Figura 15.3-14 - Seo modelada, arranjo P-P, n.a=1m

166

Figura 15.3-15 - Seo modelada, arranjo P-P, n.a=2m com profundidades ajustadas

168

Figura 15.3-16 - Seo modelada, arranjo P-P, n.a=1m com profundidades ajustadas

168

Figura 15.3.1-1 - Modelo discretizado com o contorno do topo rochoso

169

Figura 15.3.1-2 - Modelo de polgonos utilizado para representar o afloramento de diabsio e as


camadas de solo sobrejacentes

170

Figura 15.3.1-3 - Resposta do modelo proposto, utilizando o arranjo D-D com a=4m

171

Figura 15.3.1-4 - Resposta do modelo proposto, utilizando o arranjo D-D com a=2m

172

Figura 15.3.1-5 - Resposta do modelo proposto, utilizando o arranjo D-D com a=1m

173

Figura 15.3.1-6 - Resposta do modelo proposto, utilizando o arranjo P-D com a=2m

174

Figura 15.3.1-7 - Resposta do modelo proposto, utilizando o arranjo P-D com a=1m

175

Figura 15.3.1-8 - Resposta do modelo proposto, utilizando o arranjo P-P com n.a=1m

176

Figura 15.3.1-9 - Resultado da inverso do dado sinttico obtido a partir do modelo, com arranjo
D-D, a=2m. Seo modelada (abaixo); resposta do modelo (meio); pseudo-seo
de resistividade com 5% de rudo adicionado aos dados sintticos (acima)

177

Figura 15.3.1-10 - Modelo obtido com a inverso de dados P-D convertidos em D-D atravs da
equao 5.3-1 (abaixo). Acima, para fins comparativos, a seo modelada dos
dados de campo obtidos com o arranjo D-D (a=2m)

178

Figura 16.3-1 - Croqui com o posicionamento do perfil geofsico, da SEV e de alguns poos de
monitoramento em relao vala de infiltrao

180

Figura 16.3-2 - Vala de infiltrao de esgoto domstico

181

Figura 16.3-3 - Trabalho de campo sendo realizado na E.T.E de Salespolis, perfil geofsico
interceptando diversos poos de monitoramento. Ao fundo, a lagoa de decantao

182

Figura 16.3-4 - Levantamento eletromagntico realizado sobre o perfil de caminhamento

183

xii

Figura 16.4-1 - Pseudo-sees D-D, a=1m (a) e a=2m (b) plotadas segundo HALLOF (1957).
Pseudo-seo modificada (a=2m e a=1m), plotada de acordo com
EDWARDS, 1977 (c)

184

Figura 16.4-2 - Pseudo-seo do arranjo P-D, a=1m e treze nveis de investigao, plotada de
acordo com EDWARDS (1977)

184

Figura 16.4-3 - SEV realizada na estaca 20m do perfil e caminhamento

185

Figura 16.4-4 - Seo modelada utilizando o arranjo D-D e a=1m (esquerda)

187

Figura 16.4-5 - Seo modelada utilizando o arranjo D-D e a=2m (direita)

187

Figura 16.4-6 - Seo modelada, arranjo D-D, aberturas entre eletrodos iguais a 2m e 1m (esquerda)

189

Figura 16.4-7 - Seo modelada, arranjo P-D, abertura entre eletrodos igual a 1m (direita)

189

Figura 16.4-8 - Seo modelada, mesclando-se os dados obtidos com os arranjos D-D (a=2m e
a=1m) e P-D (a=1m)

191

Figura 16.4-9 - Resultados do levantamento EM coincidente com os perfis de caminhamento que


se estenderam da estaca 16 at a 56 (40m)

192

Figura 16.4-10 - Pseudo-sees D-D (a=2m e a=1m) convertidas para condutividade eltrica aparente

193

Figura 16.4-11 - Resposta cumulativa versus profundidades para o dipolo horizontal e instrumento
posicionado a um metro acima da superfcie (GEONICS, 1992)

194

Figura 16.4-12 - Correlao dos modelos EM e de eletrorresistividade 2D. a) Resposta do modelo


(linha contnua em verde) e os dados medidos em campo (pontos em alaranjado).
b) Modelo proposto com base nos dados EM. c) Modelo proposto (os valores do
parmetro das camadas j devidamente convertidos para resistividade) sobrepondo
o modelo 2D da eletrorresistividade (arranjo D-D, a=1m)

195

Figura 16.5-1 - Seo D-D (espaamentos 2m e 1m) com a profundidade do nvel dgua nos poos
prximos ao perfil do levantamento

196

Figura 16.5-2 - Seo D-D (espaamento 4m e cinco nveis de investigao) obtida por SILVA
(2003) e re-processada. Observar a mesma feio superficial condutiva alm da
posio 34m do perfil

198

xiii

LISTA DE TABELAS
Tabela 4.2.4-1 - Constante G e fator geomtrico K (espaamento igual 5m) para os arranjos
D-D, P-D e P-P

35

Tabela 5.1-1 - Comparao das profundidades em uma pseudo-seo, segundo HALLOF (1957) e
EDWARDS (1977)

45

Tabela 5.1-2 - Exemplo das profundidades segundo HALLOF (1957) e EDWARDS (1977) para o
arranjo D-D, AB=MN=5m, 8 nveis de investigao

45

Tabela 6-1 -

Profundidades de investigao segundo ROY & APPARAO (1971)

50

Tabela 6-2 -

Profundidades efetivas de investigao (ze) para diferentes arranjos


(EDWARDS, 1977)

52

Profundidades efetivas de EDWARDS (1977), ze, dos arranjos D-D e P-D para
valores de n maiores que oito

53

Tabela 6-4 -

Profundidades de investigao, segundo BARKER (1989)

54

Tabela 7-1 -

Avaliao de arranjos de eletrorresistividade quanto resoluo (WARD, 1990)

55

Tabela 7-2 -

Sinal obtido (V) devido passagem de uma corrente de 150mA em um meio com
resistividade igual a 200 ohm.m, arranjo D-D e duas diferentes aberturas de dipolos:
2m e 20m

57

Comparao do nvel do sinal (V) dos arranjos D-D, P-D e P-P (espaamento
entre eletrodos igual a 5m)

58

Tabela 6-3 -

Tabela 7-3 -

Tabela 14.3-1 - Parmetros e informaes adicionais dos levantamentos D-D realizados na Raia
Olmpica da USP

106

Tabela 14.4.2-1 - Modelo geoeltrico obtido pela SEV da estaca 12m

115

Tabela 14.4.2-2 - Modelo geoeltrico obtido pela SEV da estaca 25m

115

Tabela 14.4.3-1 - Sntese dos dados obtidos no perfil de 40m utilizando o arranjo D-D

117

Tabela 14.4.4-1 - Perfil litolgico da trincheira escavada

130

Tabela 14.4.4-2 - Medidas de resistividade eltrica aparente realizadas na parede da trincheira


utilizando os arranjos Wenner alfa ( ), beta () e gama ()

131

Tabela 14.4.4-3 - Modelo geoeltrico obtido pela SEV realizada prxima trincheira

134

Tabela 14.4.7-1 - Modelo geoeltrico final proposto para a rea da Raia Olmpica

149

Tabela 15.1-1 - Profundidade do topo rochoso, determinada por medidas realizadas no campo e pela
fotografia do afloramento

156

Tabela 15.2-1 - Arranjos e parmetros utilizados no perfil realizado sobre o afloramento

157

Tabela 15.3.1-1 - Profundidades da base de cada fileira dos blocos da malha retangular definida
para a elaborao do modelo do afloramento

169

Tabela 16.3.1 - Parmetros de aquisio utilizados no levantamento sobre o perfil de 40 metros,


com os arranjos D-D e P-D

182

Tabela 16.4-1 - Modelo geoeltrico obtido pela SEV (estaca 20m)

185

Tabela 16.4.2 - Parmetros utilizados para a discretizao dos blocos dos modelos 2D da rea da
E.T.E. de Salespolis

186

Tabela 16.4.3 - Valores de profundidade determinados para um modelo de duas camadas


(1=11,1 mS/m e 2=4,3 mS/m) ajustando-se ap medido e calculado

194

Tabela 16.5-1 - Profundidade do nvel dgua medidos nos poos PM-3 a PM-7

196

xiv

LISTA DE ABREVIATURAS E SMBOLOS


= resistncia eltrica
= resistividade eltrica
= condutividade eltrica
A,B = eletrodos de correntes
M,N = eletrodos de potencial

J = vetor densidade de corrente

E = vetor campo eltrico


I = intensidade de corrente eltrica
= operador nabla
V = potencial eltrico
V / d.d.p. = diferena de potencial

K = fator geomtrico
G = constante geomtrica
a = resistividade eltrica aparente
a = condutividade eltrica aparente
a = espaamento ou abertura entre eletrodos (corrente ou potencial)
n = separao ou fator de separao entre eletrodos (n=1,2,...)
D-D = arranjo dipolo-dipolo
P-D = arranjo plo-dipolo
P-P = arranjo plo-plo
G= constante geomtrica
SEV = sondagem eltrica vertical
p = vetor de parmetros do modelo (valores do logaritmo da resistividade do modelo)
J = matriz Jacobiana de derivadas parciais
T
= transposta de uma matriz
= vetor da perturbao dos parmetros do modelo
g = vetor de discrepncia (contm a diferena entre o logaritmo dos valores de resistividade
aparente medido e calculado)
= fator de amortecimento (damping factor)
C = matriz filtro de rugosidade
F = filtro de aplainamento (flattness filter)
fx = filtro de aplainamento horizontal
fz = filtro de aplainamento vertical
f = freqncia
= 2f = freqncia angular

xv

i = 1 = unidade imaginria

0 = permeabilidade magntica do espao livre = 4 .10-7H/m.


= permissividade dieltrica
0 = permissividade dieltrica do vcuo

K = constante dieltrica
v = velocidade de propagao da onda eletromagntica
c = velocidade de propagao da onda eletromagntica no ar (=0,3 m/ns)
= atenuao

xvi

RESUMO

Este trabalho trata do estudo detalhado e com profundidade das metodologias de aquisio,
processamento e interpretao de dados de caminhamentos eltricos, sob o enfoque de
investigaes voltadas a objetivos rasos.
Nas tcnicas de aquisio 2D (caminhamentos) foram utilizados os arranjos dipolo-dipolo,
plo-dipolo, plo-plo e Wenner, permitindo comparaes quanto eficcia dos mesmos. Foi
testada uma genuna aquisio 3D utilizando o arranjo plo-plo, avaliando-se suas potencialidades
e limitaes. O Schlumberger foi o arranjo empregado para a execuo de SEVs que auxiliaram na
interpretao e quantificao das sees geoeltricas 2D, principalmente no que se refere
distribuio vertical das resistividades.
Os modelos geoeltricos 2D foram obtidos com um programa de inverso de dados
(RES2DINV) que, em tese, capaz de corrigir as distores observadas nas pseudo-sees de
resistividade eltrica aparente correspondentes aos diversos arranjos utilizados no trabalho.
Estes modelos constituem imagens que apresentam uma melhor correspondncia com a
realidade geolgica em subsuperfcie, o que facilita a interpretao dos resultados. Procurou-se
explorar o mximo as potencialidades do programa de inverso, visando a obteno de imagens de
boa qualidade. A interpretao geofsica foi sempre efetuada com base em informaes diretas
disponveis (furos de sondagem, trincheiras, poos e afloramento).
Em uma escala de investigao rasa, a resoluo passa a ter uma importncia fundamental.
Procurou-se demonstrar que, quando so utilizados pequenos espaamentos entre eletrodos
(menores que quatro metros), particularmente no caso do dipolo-dipolo, possvel a execuo de
mais nveis de investigao em profundidade (superiores a oito) ainda com uma boa qualidade do
sinal. Por outro lado, os arranjos dipolo-dipolo e plo-plo permitem um nmero muito maior de
nveis de investigao sem a limitao das pequenas aberturas, mas com alguma perda em
definio. Como conseqncia, tem-se um significativo aumento na quantidade de dados gerados
na seo, o que contribui para o incremento da resoluo bi-dimensional.
Outro aspecto testado e avaliado foi o da utilizao de mltiplos espaamentos entre
eletrodos sobre o mesmo perfil de levantamento. Este interessante procedimento garante, alm de
resoluo nas pores rasas (graas aos espaamentos pequenos), o alcance de maiores
profundidades de investigao (devido aos espaamentos maiores) em uma mesma seo. A
eficcia desta prtica foi verificada tanto na construo das pseudo-sees, como nos modelos
geoeltricos gerados pela inverso dos dados (modelagem).

xvii

A metodologia foi testada em trs distintas reas tendo por objetivo o mapeamento de um
nvel dgua raso, a determinao da profundidade e conformao de topo rochoso e o mapeamento
de uma provvel pluma de contaminao.
Alm de uma ampla reviso bibliogrfica sobre o assunto, foi tambm abordado neste
trabalho o controverso tema da profundidade de investigao que de fato se verifica com os
arranjos de eletrodos comumente empregados em eletrorresistividade.
Procurou-se, com esta tese, contribuir para um melhor entendimento acerca do tema
imageamento geoeltrico e alguns tpicos a ele relacionados, quais sejam: arranjo de eletrodos,
procedimentos para se conseguir um bom volume de dados na seo, utilizao eficiente do
programa de inverso que gera os modelos e, finalmente, a interpretao dos resultados sempre
balizada por informaes diretas disponveis e por outros mtodos ou tcnicas geofsicas de apoio.

xviii

ABSTRACT

This paper addresses a detailed, in-depth study on data aquisition, processing and
interpretation methodologies for 2D electrical profilings, focusing on investigations oriented to
shallow targets.
Two-dimensional (electrical profilings) acquisition techniques were used on a wide range of
arrays - dipole-dipole, pole-dipole, pole-pole and Wenner arrays - for efficiency comparison
purposes. A real 3D acquistion was tested with the pole-pole array in order to check its potential
use and limitations. Schlumberger was the array used for SEVs, which helped to interpret and
quantify 2D geoelectrical sections, especially as to the vertical distribution of resistivity.
The 2D geoelectrical models were generated with an inversion computer program
(RES2DINV), which basically corrects any distortions found in the apparent resistivity
pseudosections corresponding to the arrays included in this study.
These models create images that better match the subsurface geological reality, therefore
simplifying the interpretation of results. We tried to explore the full potential use of the inversion
computer program for good quality images. The geophysical interpretation was always based on
the subsurface information available (boreholes, trenches, wells and outcrop).
Resolution is critical in a shallow investigation scale. This study tried to show that the use
of small spacings between electrodes (less than four meters), particularly in dipole-dipole arrays,
allows for more in-depth investigation levels (greater than eight) without compromising signal
quality. On the other hand, dipole-dipole and pole-pole arrays allow for a larger number of
investigation levels without small spacings limitations, but with a slight loss of definition.
Consequently, there is a significant increase in the amount of data generated at the section,
enhancing 2D resolution.
Another aspect tested and assessed was the use of multiple spacings between electrodes on
the same survey profile. In addition to resolution in shallow sections (thanks to small spacings),
this interesting procedure allows deeper investigation levels (due to larger spacings) in the same
section. The efficacy of this practice was verified both in the development of pseudo-sections and
in the geoelectrical models generated by inversion modelling.
The methodology was tested in three different areas in order to map a shallow water table,
determine the depth and shape of the bedrock, and map a potential contaminant plume.

xix

In addition to the broad literature review available, this paper also covered the controversial
topic of depth investigation actually present in electrode arrays typically used in electrical
resistivity methods.
This thesis tried to provide a better understanding of geoelectrical resistivity imaging and
related topics such as: electrode array, procedures required to generate good volumes of data in the
section, efficient use of the inversion computer program behind the models and, lastly,
interpretation of results, always based on the subsurface information available and on other
supporting geophysical methods or techniques.

PARTE I - INTRODUO, OBJETIVOS, REVISO BIBLIOGRFICA


E ASPECTOS TERICOS RELACIONADOS AO TEMA
1

INTRODUO

O mtodo da eletrorresistividade, atravs de suas duas principais tcnicas de investigao


em superfcie - sondagem eltrica e caminhamento - , seguramente, o que encontra maior
abrangncia nas aplicaes voltadas geologia (hidrogeologia, mapeamento, minerao),
engenharia civil e estudos ambientais em geral.
A primeira tcnica, sondagem eltrica vertical ou simplesmente SEV, vem sendo muito
utilizada em estudos de variaes verticais do parmetro medido (resistividade eltrica) e graas
aos programas de inverso j existentes e amplamente difundidos no meio tcnico-acadmico, os
dados podem ser quantificados gerando informaes relativamente precisas quanto s espessuras
das camadas, profundidades etc. A segunda tcnica, conhecida como caminhamento eltrico,
uma tpica investigao lateral onde se estuda horizontalmente a variao do parmetro
resistividade e, quando em mais de um nvel, tambm verticalmente.
O processamento e a interpretao de um dado de caminhamento eram realizados, at
pouco tempo atrs, de uma forma meramente qualitativa, fundamentalmente apoiada nas
pseudo-sees de resistividade eltrica aparente.
O posicionamento de uma dada anomalia, utilizando o recurso de projet-la em superfcie
para a checagem da mesma, geralmente conduzia a resultados satisfatrios. Entretanto,
quantificaes quanto sua profundidade no podiam ser obtidas de forma precisa pelas
pseudo-sees, apenas estimadas. Por estas razes, o caminhamento eltrico foi por muito
tempo considerado apenas uma tpica tcnica de investigao lateral.
Programas de modelagem geoeltrica e de inverso 2D de dados de eletrorresistividade,
j se encontram atualmente disponveis e relativamente acessveis (alguns deles disponibilizados
gratuitamente na Internet, mesmo que em verso limitada). Deve ser mencionado um projeto
louvvel que o desenvolvimento do eGs 3.0 (electrical GEOPHYSICS sute), conjunto de
programas bastante rico em interfaces grficas e destinados modelagem e interpretao de
dados geoeltricos para fins acadmicos (RIJO et al., 2005).
Na interpretao de uma nica SEV, tem-se geralmente uma quantidade expressiva de
dados na curva de resistividade aparente, permitindo a elaborao de um bom modelo

geoeltrico 1D que representa a variao da resistividade com a profundidade, composto por


estratos geoeltricos com espessuras definidas. Modelos 2D (e eventualmente 3D) podem ainda
ser gerados com a correlao de diversas SEVs executadas na rea do levantamento.
Na tcnica do caminhamento eltrico, onde geralmente a investigao limita-se a cinco
ou no mximo seis nveis de investigao (utilizando, por exemplo, o arranjo dipolo-dipolo), a
densidade de informaes na direo vertical geralmente escassa se comparada com a
horizontal, o que acarreta menos preciso quanto profundidade dos alvos/feies em
subsuperfcie.
Para se tirar o mximo proveito dos softwares disponveis para a inverso 2D desejvel
o incremento de dados que alimentam estes programas. Ou seja, almeja-se o aumento da
quantidade de medidas de campo que so comumente apresentadas na forma de pseudo-sees
de resistividade aparente. A densidade dos dados pode ser de crucial importncia para a
capacidade de resoluo, principalmente, de estruturas estreitas (DAHLIN & LOKE, 1998).
O procedimento de aquisio de um grande volume de dados (seja de forma automatizada
ou no), aliado utilizao de softwares de inverso capazes de gerar imagens fidedignas da
subsuperfcie, comumente referido na bibliografia como imageamento eltrico.
Dentro desta necessidade de refinamento, almejando resoluo, est o emprego de
arranjos no to largamente utilizados como o dipolo-dipolo, tais como o plo-dipolo, plo-plo
e at mesmo o Wenner, com os quais podem ser alcanados mais nveis de investigao em
profundidade.
Em minerao, a escala dos levantamentos sempre foi compatvel com a profundidade e
dimenses dos alvos, geralmente grandes. Nestas aplicaes, foi muito utilizado o arranjo
dipolo-dipolo, raramente com mais de seis nveis de investigao em profundidade. Isto porque,
devido ao grande espaamento entre dipolos utilizado (geralmente maior que 20m), a razo
sinal/rudo torna-se muito pequena medida que se aumenta a distncia entre o par dos dipolos
emissor e receptor. Em ambientes eletricamente condutivos, este fato se torna ainda mais crtico.
Em escala de investigao rasa (onde se enquadra grande parte dos problemas
hidrogeolgicos e ambientais) h necessidade de utilizao de pequenos espaamentos entre
eletrodos. Desta forma, torna-se possvel alcanar mais nveis de investigao em profundidade
(mesmo com o arranjo dipolo-dipolo) e obter-se um maior detalhamento em subsuperfcie, como
ser mostrado neste trabalho.

Outro aspecto a ser abordado neste trabalho, ainda com referncia ao aumento de
resoluo nos dados, est fundamentado em uma idia relativamente antiga, porm, bastante
interessante e com grande aplicao atual. Trata-se da metodologia proposta por EDWARDS
(1977), que analisou uma expressiva base de dados, utilizando dipolos com distintos
espaamentos sobre um mesmo perfil de levantamento e mesclando-os sobre uma mesma
pseudo-seo, tendo como conseqncia a melhoria da qualidade da mesma.
Atualmente j esto disponveis no mercado resistivmetros e interfaces que possibilitam
aquisies automatizadas (dispositivos denominados de multi-eletrodos), permitindo a rpida
aquisio de expressivo volume de dados. Isto atende necessidade da gerao de uma
quantidade de dados significativa para alimentar os softwares de inverso, embora o custo deste
tipo de equipamento ainda seja um tanto elevado. A utilizao dos sistemas multi-eletrodos vem
se tornando cada vez mais freqente por parte das empresas prestadoras de servios em geofsica
bem como no meio cientfico, tcnico e acadmico.
Entretanto, graas simplicidade do mtodo da eletrorresistividade, com equipamentos
baratos e de boa qualidade possvel, mesmo de uma forma no automatizada e nem to
expedita, executar levantamentos com qualidade, produzindo resultados igualmente satisfatrios
como ser mostrado neste trabalho. Os inmeros dados coletados para a realizao desta tese
foram adquiridos de forma manual em um equipamento com apenas um canal.
No decorrer do texto, sero revisados alguns conceitos relativos profundidade de
investigao no mtodo da eletrorresistividade, particularmente para a tcnica do caminhamento
eltrico (um captulo inteiro ser dedicado ao tema). A tese procurar fornecer contribuio para
um melhor entendimento quanto s efetivas profundidades alcanadas pelos diversos arranjos,
tomando por base os levantamentos realizados no escopo deste trabalho e casos reportados na
bibliografia consultada.
Em algumas reas, levantamentos eletromagnticos (EM e GPR) foram realizados no
mesmo local que os perfis de eletrorresistividade, auxiliando na anlise quanto distribuio das
resistividades em subsuperfcie e profundidades de investigao alcanadas pela tcnica do
caminhamento eltrico.
Os dados obtidos nos levantamentos de campo contemplam trs reas com distintos
objetivos: mapeamento do nvel dgua e caracterizao hidrogeolgica; identificao da
profundidade do topo rochoso; mapeamento de possvel pluma de contaminao. A escolha

destas reas, com os respectivos objetivos, procura a caracterizao de situaes tpicas em


estudos ambientais, hidrogeolgicos e de geologia de engenharia, geralmente com objetivos
rasos e necessidade de elevada resoluo para um eficiente imageamento da subsuperfcie.
A rea escolhida para o estudo da profundidade do nvel dgua encontra-se no campus
da USP, nas proximidades da Raia Olmpica. Informaes diretas provenientes de estudos
hidrogeolgicos (profundidade da interface zona no saturada/zona saturada, comportamento da
umidade do solo, perfil litolgico dos poos de monitoramento instalados etc.), permitiram aferir
a metodologia com o objetivo de se mapear um nvel dgua raso.
Com relao aplicao da tcnica para a caracterizao da profundidade do topo
rochoso, a rea escolhida foi um afloramento situado nas margens da Rodovia dos Bandeirantes,
prximo ao municpio de Limeira-SP. Dentre as tcnicas geofsicas que vm sendo largamente
aplicadas na determinao da profundidade do topo do embasamento rochoso, pode-se
seguramente citar a ssmica de refrao e a sondagem eltrica vertical (SEV), como tcnica
complementar. A tcnica do caminhamento eltrico, embora encontre aplicao para tal
propsito, apresenta algumas limitaes e no pode, portanto, ser classificada como de larga
aplicao neste quesito (SOUZA et al., 1998).
A terceira rea de estudo, envolvendo um caso de provvel contaminao do solo/gua
subterrnea, est localizada em uma Estao de Tratamento de Esgoto (E.T.E.) da SABESP
situada no municpio de Salespolis-SP. Informaes diretas obtidas em poos de
monitoramento existentes e levantamentos eletromagnticos realizados na rea puderam auxiliar
na interpretao/avaliao da tcnica em estudos de caracterizao hidrogeolgica rasa e
contaminao.

OBJETIVOS

Esta tese procura realizar uma reviso e tambm aperfeioar as metodologias de


aquisio e de processamento de dados de caminhamentos eltricos, podendo ser citados os
seguintes objetivos:
a) realizar uma reviso das tcnicas utilizadas em levantamentos 2D (e, ocasionalmente,
3D) de eletrorresistividade, com base na literatura existente;
b) revisar os principais arranjos de eletrodos empregados em levantamentos 2D (dipolodipolo, plo-dipolo, plo-plo e Wenner) avaliando-os de forma comparativa quanto ao
desempenho e limitao de cada um deles. Demonstrar que alguns destes (como o plo-dipolo,
por exemplo) podem constituir uma alternativa ao dipolo-dipolo, que o arranjo usualmente
empregado pela comunidade tcnica em levantamentos rotineiros;
c) testar uma aquisio genuinamente 3D e a inverso dos respectivos dados coletados,
comparando com os resultados obtidos atravs de uma aquisio 2D convencional;
d) mostrar que, com a utilizao de pequenos espaamentos entre eletrodos (menores que
4 metros, necessrio para o imageamento de feies rasas) possvel alcanar mais nveis de
investigao em profundidade e, conseqentemente, obter mais dados no perfil do levantamento,
aumentando a resoluo e tirando o mximo proveito do software de inverso utilizado;
e) aprimorar o processamento, explorando como deve ser manipulado o grande volume
de dados gerados no levantamento, tendo como objetivo a obteno de uma imagem (resultante
da inverso dos dados) que esteja em consonncia com a realidade em subsuperfcie, balizada
por informaes de sondagens, dados diretos e outros mtodos ou tcnicas geofsicas;
f) mostrar que o caminhamento eltrico, alm da boa resoluo lateral (caracterstica bem
conhecida da tcnica), igualmente capaz de fornecer uma boa resoluo vertical, tal como uma
sondagem eltrica vertical (SEV);
g) aprofundar o conhecimento sobre o funcionamento do software de inverso utilizado
para o desenvolvimento deste trabalho, embasado em conceitos e experincias relatadas por
diversos autores da literatura especializada;
h) contribuir para um melhor entendimento quanto profundidade de investigao dos
diversos arranjos estudados, assunto amplamente discutido na literatura e ainda bastante
controverso.

PARTE TERICA

3.1

Geofsica aplicada

A geofsica aplicada tem por objetivo a investigao da subsuperfcie utilizando medidas


indiretas, geralmente realizadas na superfcie do terreno. Estas medidas respondem a uma
determinada propriedade fsica do meio investigado, sendo que a eficcia de um levantamento
est condicionada existncia de contrastes dos valores da grandeza fsica mensurada. So
especificamente as anomalias relativas, melhor do que os valores absolutos medidos, que
interessam em uma investigao geofsica. Os diferentes mtodos geofsicos so classificados de
acordo com a propriedade fsica que os mesmos investigam.
A soluo de um determinado problema, em muitas situaes, no nica. Ou seja, no
nico o modelo geolgico de subsuperfcie que explica o conjunto dos dados obtidos. Esta no
unicidade da soluo, que constitui uma grande dificuldade para a interpretao geofsica,
pode ser contornada se existirem conhecimentos geolgicos a priori disponibilizados por
informaes diretas (furos de sondagens, por exemplo). A utilizao conjunta de duas ou mais
tcnicas/mtodos geofsicos no estudo de uma rea pode tambm contribuir para a reduo desta
ambigidade.
Um dado geofsico, mesmo proveniente de uma aquisio efetuada com instrumentao
precisa e seguindo rigorosos procedimentos fsicos e matemticos, relativo. Este paradoxo
provm da grande variedade e complexidade das propriedades fsicas dos alvos (VOGELSANG,
1995). As medidas geofsicas propriamente ditas so bastante precisas. A ambigidade surge no
momento da interpretao dos dados (SOUZA et al., 1998).
A geofsica aplicada teve um grande desenvolvimento com o objetivo voltado para a
prospeco de matrias primas necessrias evoluo tecnolgica e social da civilizao
moderna, destacando-se o petrleo e os recursos minerais existentes a grandes profundidades em
subsuperfcie (da ordem de centenas a milhares de metros). Neste contexto, verificou-se o
aprimoramento de tcnicas de aquisio e dos instrumentos de medidas assim como melhorias no
processamento dos dados e na interpretao dos resultados obtidos.

A partir das dcadas de 70 e 80, a geofsica aplicada tem atuado na engenharia,


hidrogeologia e meio ambiente, voltada para a investigao de alvos relativamente mais rasos.
Foi ento necessria uma readaptao dos mtodos e tcnicas existentes, visando atender estas
novas necessidades. Resoluo, acurcia, preciso e diminuio de custos so metas almejadas
no constante aprimoramento das tcnicas investigativas (DOBECKI & ROMIG, 1985;
GREENHOUSE, 1991; STEEPLES, 1991).
3.2

O Mtodo da eletrorresistividade

3.2.1 Generalidades

Na classificao dos mtodos geofsicos de prospeco, os mtodos geoeltricos


constituem um grande grupo no qual se inserem os mtodos eltricos e os eletromagnticos
(WARD, 1990; ZHDANOV & KELLER, 1994). Caracterizam-se por medir em superfcie (ou no
interior de furos de sondagens) a resposta do substrato geolgico excitao por campos
eltricos ou magnticos de origem natural ou artificial.
A principal propriedade fsica investigada por estes mtodos a resistividade eltrica ou
o seu inverso, a condutividade eltrica. As investigaes geoeltricas tm por objetivo a
determinao da distribuio das resistividades (ou condutividades) em subsuperfcie.
O mtodo da eletrorresistividade, o da polarizao induzida (IP) e do potencial
espontneo (SP) constituem o grupo denominado mtodos eltricos de prospeco (Figura
3.2.1-1).

MTODOS
SSMICOS
ELETRORRESISTIVIDADE

MTODOS
GEOFSICOS
APLICADOS

ELTRICOS
MTODOS
GEOELTRICOS

POLARIZAO INDUZIDA

POTENCIAL ESPONTNEO

ELETROMAGNTICOS

MTODOS
POTENCIAIS

Figura 3.2.1-1 - O mtodo da eletrorresistividade no contexto


dos mtodos geofsicos de prospeco.

O mtodo da eletrorresistividade emprega uma fonte artificial de corrente eltrica


contnua ou de freqncia muito baixa (alguns poucos ou fraes de Hz), a qual introduzida no
solo por intermdio de um par de eletrodos. A diferena de potencial que se estabelece em
resposta a esta injeo pode ser medida por outros dois eletrodos situados nas proximidades.
Conhecendo-se a corrente e as diferenas de potenciais, possvel a determinao das
resistividades eltricas, parmetro fsico que expressa a dificuldade encontrada pela corrente
eltrica para se propagar em um determinado meio. Dentre todas as propriedades fsicas das
rochas e dos minerais, a resistividade eltrica a que apresenta o maior intervalo de variaes,
superando sete ordens de magnitude (DOBECKI & ROMIG, 1985).
A eletrorresistividade de simples execuo, podendo ser utilizada instrumentao
igualmente simples e, desta forma, de baixo custo. Por este motivo, alm dos resultados
satisfatrios que geralmente apresenta, encontra uma vasta aplicao em geocincias (geologia
bsica, hidrogeologia, minerao, meio ambiente e geologia de engenharia).
ELIS (1999) constatou que a eletrorresistividade apresentou um melhor desempenho se
comparada aos mtodos do potencial espontneo (SP) e polarizao induzida (IP) em relao aos
resultados de monitoramento e caracterizao das reas por ele estudadas.
3.2.2 Propriedades eltricas dos materiais geolgicos

Uma das principais propriedades eltricas dos materiais geolgicos a resistividade


eltrica () que uma medida da dificuldade que a corrente eltrica encontra para sua passagem
em um dado material. A resistividade pode ser definida como a resistncia eltrica de um
cilindro de seo transversal e comprimento igual unidade (DOBRIN & SAVIT, 1988).
Considerando-se ento um corpo cilndrico de um material homogneo de comprimento L e
seo transversal S, a resistividade eltrica deste corpo ser dada por:

=R

S
L

(eq.3.2.2-1)

onde R a resistncia eltrica do corpo. A resistividade dada, portanto, em unidades de


ohm.m no Sistema Internacional de unidades (SI).
Nos solos e rochas a resistividade depende, dentre outros, dos seguintes fatores
predominantes: porosidade, composio mineralgica, grau de saturao, resistividade do fluido
que preenche os vazios (que funo da concentrao de sais dissolvidos no fluido), tamanho e
forma das partculas slidas.

A propagao da corrente nestes materiais pode ocorrer atravs de dois mecanismos de


conduo: eletrnica (atravs da matriz da rocha) e inica ou eletroltica (atravs de ons
existentes na gua contida nos poros interconectados, fissuras e fraturas do macio rochoso). O
segundo mecanismo , certamente, o mais importante nos levantamentos de eletrorresistividade.
Os minerais, em sua maioria, no so bons condutores de corrente eltrica, exceo de
alguns metais nativos e de compostos semi-metlicos como a pirita (FeS2) e outros sulfetos
metlicos. Portanto, a condutividade eltrica de solos e rochas predominantemente eletroltica,
pois se faz atravs de um eletrlito, a gua contendo ons em soluo.
Solos com texturas mais finas tendem a conduzir melhor a corrente eltrica. Uma argila,
por exemplo, conduz melhor a corrente do que a areia, devido s caractersticas do sistema de
suas partculas que mantm a gua por adeso (em situaes onde o eletrlito apresenta baixa
concentrao de sais).
Em solos superficiais, os valores de resistividade variam de acordo com as variaes de
compactao e as alteraes no teor de umidade do mesmo. Grandes variaes de resistividade
geralmente so verificadas nos horizontes mais superficiais.
3.2.3 Princpios bsicos

A descrio pormenorizada acerca da teoria do mtodo da eletrorresistividade pode ser


encontrada em excelentes bibliografias, dentre as quais so citadas: MAILLET (1947); KELLER
& FRISCHKNECHT (1966); KUNETZ (1966); ORELLANA (1972); SHARMA (1986 e 1997);
DOBRIN & SAVIT (1988); TELFORD et al. (1990); ZHDANOV & KELLER (1994);
PARASNIS (1997); REYNOLDS (1997).
O desenvolvimento da teoria do mtodo da eletrorresistividade deve ser iniciado pelo
caso mais simples, que de um meio homogneo e isotrpico com resistividade eltrica ()
uniforme. Para iniciar a deduo matemtica, ser considerado o caso de uma fonte pontual (A)
injetando corrente (I) no interior de um furo de sondagem, conforme a Figura 3.2.3-1.
O circuito de corrente, neste caso, completado por um segundo eletrodo na superfcie
(B), situado a grande distncia do furo de tal forma que sua influncia seja negligenciada.
A equao que fornece o potencial devido a uma nica fonte pontual de corrente pode ser
deduzida a partir de duas consideraes bsicas: a lei de Ohm e a condio de divergncia
(KELLER & FRISCHKNECHT, 1966).

10

- +
SUPERFCIE

MEIO HOMOGNEO
E ISOTRPICO
( RESISTIVIDADE = r )

EQUIPOTENCIAIS

CORRENTE
ELTRICA

Figura 3.2.3-1 - Fonte pontual de corrente enterrada em um meio isotrpico e homogneo


(modificado de TELFORD et al., 1990).

Em um meio condutor onde existe um campo eltrico ( E ), estabelece-se uma densidade

de corrente ( J ). A lei de Ohm expressa a proporcionalidade entre o campo eltrico e a densidade

de corrente, sendo a constante de proporcionalidade a condutividade eltrica do meio () ou seu


inverso, a resistividade eltrica ():

E=J

(eq.3.2.3-1).

O princpio de conservao da carga eltrica estabelece que o vetor densidade de corrente


deve ser nulo em todo lugar do espao, menos no ponto de injeo de corrente. O saldo lquido
entre o fluxo de corrente que entra e sai em um determinado volume nulo, indicando que no
h acmulo de carga eltrica em seu interior (condio de divergncia):

J =0

(eq.3.2.3-2).

Desta forma, o divergente do vetor densidade de corrente nulo em toda a parte, exceto
no ponto onde se encontra a fonte de corrente. O campo eltrico, do tipo conservativo, pode ser
expresso pelo gradiente de uma funo escalar:

E = V

(eq.3.2.3-3).

A funo V denominada potencial eltrico e definida de tal modo que E o seu


gradiente.

11

Se a eq.(3.2.3-1) e eq.(3.2.3-2) forem combinadas, utilizando a eq.(3.2.3-3), obtm-se a


equao de Laplace:

J =

1
1
E = 2V = 0

(eq.3.2.3-4).

Em coordenadas esfricas (r,,), o Laplaciano pode ser assim expresso:



V
2V
1
1
1 2 V
V= 2
r
+
sen
+
r 2 sen 2 2
r r r r 2 sen
2

(eq.3.2.3-5).

No caso de uma simples fonte de corrente pontual, o potencial eltrico que se estabelece
no meio, em qualquer posio, obedece equao de Laplace, exceto no ponto de injeo de
corrente. Considerando a simetria esfrica do potencial, os termos onde aparecem as derivadas
em relao a e podem ser eliminados, restando apenas o termo com dependncia radial (r),
fazendo com que:
1 2 V
r
=0
r 2 r r

(eq.3.2.3-6).

O termo entre parnteses que est sendo derivado s ser nulo se for igual a uma
constante, por exemplo, A:

r2

V
=A
r

(eq.3.2.3-7).

A integrao de ambos os membros da eq.(3.2.3-7) resulta:


V=

A
+B
r

(eq.3.2.3-8).

As constantes A e B podem ser determinadas pelas condies de contorno. Definindo que


o potencial tende a zero a uma grande distncia da fonte de corrente (quando r tende ao
infinito), resulta que a constante de integrao B deve ser nula. A outra constante de integrao
deve ser determinada em termos da intensidade de corrente total (I) a partir da fonte pontual. A
mesma quantidade de carga eltrica da fonte flui pelo meio sob a forma de uma densidade de
corrente, que deve ser uniforme atravs de uma superfcie esfrica envolvendo a fonte pontual. A
corrente total pode ser expressa pela integral da densidade de corrente sobre esta superfcie:

E
A
A
I = J d s = d s = 2 d s = 2

r
S
S
S r

n d s =
S

4A

(eq.3.2.3-9).

12

Resolvendo esta equao para a constante de integrao A e substituindo na eq.(3.2.3-8)


obtm-se a expresso da funo potencial devido a uma fonte pontual de corrente em um meio
isotrpico e homogneo:
V=

I
4r

(eq.3.2.3-10).

No caso da fonte posicionada na superfcie do terreno tem-se a corrente fluindo apenas no

+ -

semi-espao inferior (Figura 3.2.3-2).


B

SUPERFCIE

MEIO HOMOGNEO
E ISOTRPICO
( RESISTIVIDADE = r )

EQUIPOTENCIAIS

CORRENTE
ELTRICA

Figura 3.2.3-2 - Fonte pontual de corrente situada na superfcie de um semi-espao


isotrpico e homogneo (modificado de TELFORD et al., 1990).

O ar situado no semi-espao superior isolante tendo, portanto uma resistividade que


pode ser considerada infinita, o que resulta em um potencial eltrico duas vezes maior que o
potencial observado na eq.(3.2.3-10), sendo dado por:
V=

I
2r

(eq.3.2.3-11).

A eq.(3.2.3-11) fornece uma relao fundamental para o mtodo da eletrorresistividade


com medidas realizadas na superfcie do terreno. Ela utilizada na determinao da resistividade
eltrica aparente, como ser visto a seguir.
O potencial eltrico uma grandeza escalar e, desta forma, pode ser somado
algebricamente. Existindo vrias fontes de corrente, ao invs de apenas uma como foi suposto
at agora para a deduo da eq.(3.2.3-11), o potencial total observado em um ponto pode ser
calculado somando-se a todas as contribuies de potencial a partir de cada fonte considerada
independentemente. Ou seja, para n fontes de correntes distribudas em um meio uniforme, o
potencial observado em um ponto M ser dado por:

13

VM =

I
I1 I 2
+ ... + n
+
2 r1 r2
rn

(eq.3.2.3-12).

O termo In a corrente proveniente da n-sima fonte de corrente, sendo rn a distncia


desta n-sima fonte at o ponto onde o potencial est sendo observado. Na realidade, um nico
eletrodo somente incapaz de conduzir corrente eltrica. necessria a existncia de um outro
eletrodo para que o circuito se feche e ocorra o fluxo da corrente eltrica atravs do subsolo
(Figura 3.2.3-3).

superfcie

B
r4

r1
r3
r2

Figura 3.2.3-3 - Esquema bsico de aquisio do mtodo da eletrorresistividade: um par de eletrodos de


emisso de corrente (A e B) e outro de medida do potencial (M e N).

O potencial eltrico resultante no ponto M devido a uma corrente I circulando entre os


eletrodos A e B, sendo r1 a distncia entre M e A, e r2 a distncia entre M e B, ser dado por:
VM =

I 1 1

2 r1 r2

(eq.3.2.3-13).

Analogamente, o potencial em N ser:


VN =

I 1 1

2 r3 r4

(eq.3.2.3-14).

Na prtica mede-se em campo, no um potencial, mas sim uma diferena de potencial


entre dois eletrodos. Ento, a diferena de potencial entre M e N ser:
VM VN =

De maneira anloga:

I 1 1 1 1
+
2 r1 r2 r3 r4

(eq.3.2.3-15).

14

VM VN =

I 1
1
1
1

2 AM BM AN BN

(eq.3.2.3-16).

A diferena de potencial entre os eletrodos M e N ser ento assim expressa:

V =

I 1
1
1
1

2 AM BM AN BN

(eq.3.2.3-17).

E a resistividade pode ser dada por:


=

1
1
1
V 1
2

I
AM BM AN BN

(eq.3.2.3-18).

Da eq.(3.2.3-18) define-se o fator geomtrico K, dado por:

1
1
1
1

+
K = 2

AM BM AN BN

(eq.3.2.3-19).

E finalmente,
=K

V
I

(eq.3.2.3-20).

A constante K tem dimenses de comprimento e depende unicamente da geometria


relacionada disposio dos quatro eletrodos (A, B, M e N) em superfcie, tratando-se de um
fator que leva em conta a diminuio do potencial com a distncia.
A eq.(3.2.3-20) sintetiza o mtodo da eletrorresistividade, que consiste basicamente na
injeo de uma corrente (I) no solo por intermdio de um par de eletrodos (denominados de A e
B) e a medida da diferena de potencial (V) resultante da passagem desta corrente atravs de
outro par de eletrodos situados nas proximidades (denominados M e N). A,B e M,N constituem
circuito independentes. A razo entre a voltagem medida e a corrente introduzida no solo
denominada resistncia eltrica ou impedncia, expressa em ohms ().
A geometria dos dipolos AB e MN no momento da medida definem o fator geomtrico
K, utilizado para o clculo da resistividade eltrica (). Os quatro eletrodos podem assumir
qualquer disposio geomtrica sobre a superfcie do terreno. As diferentes disposies recebem
o nome de arranjos. Muitos destes, comumente utilizados nos levantamentos de campo,
recebem nomes especiais (Schlumberger, Wenner, dipolo-dipolo, plo-dipolo, plo-plo,
gradiente etc.), apresentando caractersticas peculiares, vantagens e desvantagens uns em relao
aos outros.

15

O intercmbio entre eletrodos de corrente e potencial no altera o valor medido da


resistividade aparente, sendo este o princpio da reciprocidade (CARPENTER, 1955;
TELFORD et al., 1990). Este princpio de grande utilidade para consideraes tericas.
Entretanto, sob um ponto de vista prtico, as medidas recprocas podem no apresentar valores
similares se considerados alguns tipos de arranjos como o plo-dipolo, Schlumberger e Wenner
alfa. Nestes arranjos, as medidas recprocas podem estar contaminadas com um nvel de rudo
significativamente maior do que nas medidas diretas, devido ao maior distanciamento entre os
eletrodos de potencial, que estaro mais propensos aos rudos existentes na rea do
levantamento. Os arranjos de eletrodos sero discutidos com mais detalhes no Captulo 4.
3.2.4 O conceito de resistividade aparente

A resistividade verdadeira de um substrato homogneo e isotrpico pode ser calculada


pela eq.(3.2.3-20), fornecendo o mesmo valor qualquer que seja o arranjo utilizado na execuo
das medidas.
Entretanto, como a Terra no homognea e nem isotrpica, o valor da resistividade
eltrica

varia

de

ponto

para

ponto,

tanto

lateralmente

como

em

profundidade.

Conseqentemente, o valor medido em superfcie ir igualmente variar para cada posio, assim
como para a disposio e/ou tamanho do arranjo de eletrodos utilizado.
Esta resistividade fictcia, que se obtm aplicando-se a expresso vlida para meios
homogneos (sendo que os dados foram obtidos sobre um meio heterogneo) denominada
resistividade aparente (a). A eq.(3.2.3-20), desta forma, pode ser expressa de forma melhor
por:
a = K

V
(eq.3.2.4-1)
I

A resistividade aparente expressa em ohm.m da mesma forma que a resistividade


verdadeira, constituindo a base para a interpretao dos dados de eletrorresistividade. Em um
modelo de terra homognea, a resistividade aparente exatamente igual resistividade
verdadeira.

16

No propriamente um parmetro fsico do meio e sim um valor que representa o efeito


integrado do semi-espao sobre o qual a medida efetuada. A resistividade aparente uma
resultante que sofre a influncia das diversas resistividades existentes no volume investigado.
Trata-se de um conceito formal, no podendo ser considerada uma mdia das resistividades em
subsuperfcie (ORELLANA, 1972). Realizando-se medidas com os eletrodos muito prximos
uns dos outros, o valor da resistividade eltrica aparente ser muito prximo da resistividade
verdadeira do volume investigado (que, neste caso, possui pequena dimenso).
Conforme a Figura 3.2.4-1, onde os quatro eletrodos A, B, M e N esto posicionados em
locais de resistividades 1, 2, 3 e 4, a resistividade medida (aparente) possivelmente no ser
igual a nenhuma das quatro, mas ter influncia de todas elas, de suas respectivas distribuies e
geometrias dos corpos.

Figura 3.2.4-1 - Ilustrao esquemtica de um substrato heterogneo (modificada de GALLAS, 2000).

O conceito de resistividade aparente de grande utilidade em aplicaes prticas do


mtodo, pois um parmetro que pode apresentar variaes ao longo de uma seo, sendo
diagnstico da presena de heterogeneidades eltricas resistivas ou condutivas. O padro das
resistividades aparentes associadas a uma determinada estrutura/feio em subsuperfcie
geralmente complexo e, comumente, no corresponde distribuio dos valores de resistividade
eltrica verdadeira.
3.3

Levantamentos 2D de eletrorresistividade: reviso da bibliografia

A seguir ser apresentada uma breve reviso bibliogrfica acerca do tema levantamentos
2D de eletrorresistividade, abordando alguns tpicos julgados importantes e trabalhos de
relevncia j publicados.

17

3.3.1 Terminologias

No mtodo da eletrorresistividade, as tcnicas de investigao em superfcie podem ser


divididas em duas grandes categorias: 1) aquelas que predominantemente investigam a variao
vertical do parmetro resistividade em profundidade; 2) as que so capazes de mapear as
variaes laterais (ou horizontais) da resistividade ao longo de uma profundidade
aproximadamente constante. As primeiras, denominadas sondagens (sounding, probing ou
mesmo drilling), so abordadas de maneira satisfatria nas inmeras bibliografias geofsicas
bsicas existentes. As segundas tcnicas, geralmente denominadas na literatura de profiling
e/ou trenching, so abordadas de forma menos aprofundada nos referidos textos introdutrios.
A combinao de investigaes verticais e laterais em um mesmo levantamento, denominada por
WARD (1990) como combined sounding and profiling, nada mais do que a tcnica de
aquisio de dados em campo, atualmente conhecida como caminhamento eltrico.
Neste captulo, ser feita uma breve reviso das terminologias utilizadas. A traduo
literal de alguns termos pode gerar alguma confuso, como ser visto adiante.
Nas ltimas dcadas, o caminhamento eltrico vem sendo empregado de maneira
sistemtica, fato que pode ser verificado pelas inmeras publicaes recentes em peridicos
nacionais e estrangeiros, utilizando e/ou abordando aspectos desta tcnica. Vrias terminologias
foram encontradas na literatura na denominao da tcnica: lateral profiling, electrical
profiling, continuous profiling, electrical mapping, electrical imaging, resistivity
imaging, 2D (two-dimensional) resistivity imaging, constant-separation traversing,

electrical resistivity tomography, electric trenching etc. ORELLANA (1972) utiliza a


expresso calicatas para as tcnicas de investigao lateral, cuja traduo explorao ou
sondagem em um terreno.
A expresso electrical resistivity tomography encontrada em algumas bibliografias,
pode conduzir a uma traduo para tomografia eltrica em levantamentos 2D de resistividade.
A utilizao deste termo no correta, como ser visto a seguir.
A tomografia (tcnica amplamente utilizada na medicina) pode ser assim definida:
obteno, com mincia, de imagens ntidas de rgos internos do corpo humano existentes num
plano predeterminado. O termo origina-se do grego tome (corte) e graphein (desenho), ou
segundo SHERIFF (2002), section drawing. Este mesmo autor define tomografia
(exemplificada em uma aplicao geoeltrica) da seguinte forma: um mtodo de determinao

18

da distribuio de resistividades a partir de medidas utilizando transmissor em um furo de


sondagem e receptor em um outro.
SHERIFF (2002) tambm define a tomografia de transmisso, relacionada s observaes
efetuadas em ensaios entre furo-furo, superfcie-furo ou superfcie-superfcie. De acordo com
DUARTE (1997), o termo tomografia voltado a aplicaes geofsicas, pode ser assim definido:
designao que engloba todos os mtodos de imageamento do interior da Terra, feitos com base
no processamento de registros de um campo de energia. Dependendo da modalidade, o resultado
final pode representar os efeitos de transmisso, absoro, reflexo ou refrao. A idia bsica
a obteno de uma imagem bidimensional correspondente a um plano ou fatia do corpo
analisado. Esta definio apresenta estreita relao com o vocabulrio da medicina.
No meio tcnico-cientfico existe ainda uma outra tcnica denominada Electrical
Resistance Tomography (ERT) que tem por objetivo produzir imagens bi ou tri-dimensionais da

resistividade eltrica em subsuperfcie. bastante utilizada em monitoramento, com medidas da


variao do parmetro causadas por meios naturais ou induzidos pela atividade humana. Para
obteno de tais imagens so necessrios pelo menos dois furos de sondagem, adjacentes ao alvo
a ser mapeado, com emissor posicionado em um furo e receptor no outro. Vrias medidas so
efetuadas variando-se a posio fonte-receptor nos furos e garantindo inmeras trajetrias de
corrente eltrica atravessando o corpo a ser analisado. possvel ainda o posicionamento em
superfcie dos eletrodos (funcionando como fonte ou receptor) entre os furos de sondagens.
Entretanto, pode ser encontrada na bibliografia a utilizao do termo ERT (Electrical Resistivity
Tomography) referindo-se a uma srie de perfis paralelos 2D com o objetivo de mapear um alvo

nas trs dimenses (OGILVY et al., 2002).


Do exposto at aqui, pode-se observar que o termo tomografia em geofsica est
relacionado aos ensaios envolvendo, ao menos, um furo de sondagem (cross-borehole e
borehole-to-surface) e no deve ser utilizado como sinnimo do caminhamento eltrico, uma
vez que este tipo de ensaio exclusivamente realizado na superfcie. Portanto, tomografia deve
ser uma expresso reservada aos ensaios executados em furos de sondagens.
A traduo ao p da letra de profiling pode gerar alguma confuso, embora a definio
proposta por SHERIFF (2002) caracterize precisamente a tcnica: levantamento geofsico, no
qual o sistema de medidas deslocado (geralmente ao longo de uma extenso linear), com o
objetivo de caracterizar variaes laterais em subsuperfcie. Profile significa perfil, corte ou
seo, termos usuais em geofsica. J o verbo to profile traduz-se como perfilar. Nesta linha

19

de raciocnio, a traduo do termo profiling, seria perfilagem o que pode causar confuso
com a consagrada tcnica geofsica de perfilagem de poo (well logging). Portanto, a traduo
literal deste termo no deve ser utilizada na designao da tcnica do caminhamento eltrico.
Observa-se ainda nas diversas terminologias relacionadas tcnica, a freqente utilizao
do termo imagem, o que justifica a adoo, por parte de alguns, do termo imageamento para
levantamentos 2D de resistividade.
O imageamento eltrico deve ser entendido como o produto final da interpretao
quantitativa dos dados obtidos em um caminhamento. Ou seja, a interpretao no deve estar
baseada apenas nas pseudo-sees e sim em imagens geradas do processamento dos dados pelas
chamadas tcnicas de inverso.
Talvez, a terminologia que expresse de forma mais clara a tcnica do caminhamento
eltrico (embora raramente utilizada) seja constant-separation traversing (REYNOLDS,
1997). O verbo to traverse o que melhor traduz o procedimento de aquisio dos dados em
campo (no utilizando os modernos e atuais sistemas multi-eletrodos automatizados),
significando passar sobre ou atravs e andar para c e para l em. Quem j executou e/ou
acompanhou levantamentos de caminhamento eltrico, no utilizando sistemas multi-eletrodos
de aquisio automtica, sabe exatamente o que isto significa.
3.3.2 O estado da arte

Neste item ser realizada uma reviso de alguns trabalhos, julgados importantes,
relacionados ao tema levantamentos 2D de resistividade: processamento dos dados; estudos com
modelos sintticos envolvendo diferentes tipos de arranjos e aplicao da tcnica em diversos
estudos de casos. A partir de agora, sero adotadas as seguintes designaes para os arranjos
estudados, a fim de no tornar o texto enfadonho: dipolo-dipolo (D-D), plo-dipolo (P-D) e ploplo (P-P).
EVJEN (1938), em um artigo considerado por ROY & APPARAO (1971) como frente
de seu tempo, faz um alerta sobre a dificuldade de se obter informaes em superfcie
comparveis quelas obtidas diretamente por perfilagens geofsicas em furos, onde as variaes
das propriedades eltricas com a profundidade podem ser medidas de forma mais precisa. O
autor enfatiza que o problema se torna mais simples se a investigao for limitada apenas ao
mapeamento das variaes laterais. As medidas eltricas realizadas na superfcie do terreno so
inerentemente mais sensveis s variaes horizontais do que as verticais, conferindo ao mtodo

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uma grande potencialidade no mapeamento onde ocorram variaes laterais de resistividade. O


autor aponta ainda que as variaes laterais representam a mais sria fonte de erro na
interpretao dos dados em termos de profundidades.
COGGON (1973) analisa a resposta de trs distintos arranjos (D-D, P-D e gradiente)
sobre um conjunto de dez estruturas bi-dimensionais, geometricamente simples e bem definidas,
comparando os resultados sintticos obtidos. O autor constata que a existncia de uma cobertura
condutiva pode mascarar de forma significativa a anomalia originalmente observada sem a
presena da mesma, qualquer que seja o arranjo utilizado. Conclui que as anomalias observadas
com o arranjo D-D, tanto em situaes reais como em modelos tericos, fornecem melhor
resoluo do que as observadas com o arranjo P-D, especialmente para estruturas complexas.
O efeito da topografia em levantamentos 2D de eletrorresistividade foi minuciosamente
discutido por FOX et al. (1980). Os autores ilustram, de forma bastante didtica, como um
modelo de terra homognea, constituindo um vale topogrfico, produz na pseudo-seo uma
anomalia de baixa resistividade justamente posicionada sob o vale. O contrrio ocorre quando se
observa um alto topogrfico. O efeito da topografia importante para ngulos com inclinao de
10 ou superiores.
PARK & VAN (1991) desenvolveram um algoritmo de inverso de dados de
resistividade para estruturas 3D aplicando-o em modelo sinttico e em experimento de campo,
cujos resultados foram apresentados em VAN et al. (1991). O arranjo utilizado pelos autores foi
o P-P, e puderam verificar que, no modelo final obtido, os contrastes laterais so mais bem
definidos do que os verticais.
SASAKI (1992) aplicou a tcnica de tomografia eltrica entre furos (crosshole
resistivity tomography) em modelos sintticos, testando trs arranjos distintos (P-P, P-D e D-D)

e comparando-os em termo de resoluo. O autor constata que o arranjo D-D, quando utilizados
instrumentos de alta preciso (possivelmente para compensar a baixa razo sinal/rudo
caracterstica do mesmo), mais apropriado para resolver estruturas complexas do que o P-P.
Alm disto, o P-D apresenta um bom compromisso entre resoluo e intensidade do sinal.
GRIFFITHS & BARKER (1993) apresentaram um sistema automatizado de aquisio de
dados de eletrorresistividade composto por um equipamento de medio controlado por
computador. Utilizaram o arranjo Wenner e introduziram o termo imageamento, referindo-se

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ao processo de interpretao de dados invertidos de forma automtica e que geram uma imagem
em subsuperfcie da distribuio das resistividades verdadeiras.
DAHLIN & LOKE (1998) compararam os resultados de inverses de dados gerados de
modelos sintticos, simulando estruturas geolgicas relevantes em circunstncias controladas. O
trabalho mostra que uma inverso 1D (onde os dados so considerados como uma srie de SEVs
pouco espaadas umas das outras e os modelos geoeltricos resultantes so agrupados de forma a
compor uma seo 2D) pode fornecer resultados errneos em ambientes com considerveis
variaes laterais de resistividade. O arranjo utilizado foi o Wenner.
STIERMAN & BRADY (1999) utilizaram os arranjos D-D e Lee em levantamento para
estudo arqueolgico. Para representao das sees geoeltricas obtidas com o arranjo D-D, os
autores utilizaram as profundidades efetivas de EDWARDS (1977), elaborando pseudo-sees
modificadas. Segundo os autores, as pseudo-sees D-D tradicionais exageram nas
profundidades dos contatos entre diferentes materiais.
OLAYINKA & YARAMANCI (2000b) utilizaram modelos sintticos representando
estruturas geolgicas 2D (falha vertical, horst e graben) para determinao, por modelamento
direto, da resposta dos modelos, simulando um arranjo Wenner. Estas respostas, por sua vez,
foram modeladas utilizando a inverso por polgonos (block inversion scheme) e por
suavizao (cell-based scheme), comparando-se os resultados obtidos. No caso da inverso por
polgonos, que exige um modelo inicial por parte do usurio, os autores demonstram que este
modelo pode ser constitudo por camadas plano-paralelas.
OGILVY et al. (2002) executaram levantamentos 2D, realizando uma srie de perfis
paralelos, para mapear a distribuio espacial em trs dimenses do lixo e percolado (pluma de
contaminao) em um aterro sanitrio com atividade encerrada. Os autores utilizam o termo ERT
(Electrical Resistivity Tomography) para designao da tcnica aplicada. Foi utilizado o arranjo
P-D (abertura entre eletrodos igual a 10m, e oito nveis de investigao). Para aumentar a
densidade dos dados, melhorando a resoluo lateral, o intervalo entre estaes de medidas foi
de 5m (metade do espaamento entre dipolos). Foram ainda tomadas medidas nos dois sentidos
do caminhamento: direto e reverso, com perfis paralelos espaados de 10m. Os dados foram
adquiridos de forma automatizada.

22

LOKE & DAHLIN (2002) apresentam um estudo de caso onde o imageamento eltrico
(arranjo Wenner) foi utilizado em apoio obra de um tnel escavado em rocha. A metodologia
conseguiu, de certa forma, definir a ocorrncia de rochas sedimentares e rochas
gneas/metamrficas intensamente fraturadas e alteradas, sempre associadas a valores baixos de
resistividade.
SEATON & BURBEY (2002) compararam os arranjos D-D, Wenner, WennerSchlumberger e P-P utilizando um sistema composto por 25 eletrodos com trs distintos
espaamentos (2m, 6m e 10m) em local com topo rochoso raso (menos de 20m). Utilizando a
resposta numrica, com modelos sintticos que simularam as estruturas encontradas na rea de
estudo e a inverso dos dados coletados em campo, os autores constataram as virtudes do arranjo
D-D em fornecer mais detalhes e maior profundidade de penetrao do que os arranjos Wenner e
Wenner-Schlumberger.
ZHOU & DAHLIN (2003) estudaram as fontes de erro comuns observadas em
levantamentos 2D de eletrorresistividade: as devido ao erro no posicionamento dos eletrodos e
aquelas relacionadas s leituras nas medidas de potencial (devido ao mau contato de eletrodos,
isolao precria de cabos, presena de rudos intrnsecos rea, problemas instrumentais e de
operao incorreta de equipamentos). Com relao ao primeiro fator, podem ocorrer erros da
ordem de 10% quando utilizados pequenos espaamentos entre eletrodos (1 ou 2 metros). A
presena destes dados ruidosos (facilmente verificados na pseudo-seo) acarreta no
aparecimento de artefatos no modelo obtido por inverso, podendo levar a interpretaes
errneas dos resultados.
VEGA et al. (2003) combinaram os arranjos D-D e Wenner em um estudo relacionado
contaminao por gasolina. Invertendo de forma conjunta os dados obtidos com estes arranjos,
foram alcanados resultados satisfatrios tanto no alcance em profundidade (graas ao Wenner)
como em resoluo lateral nas pores rasas (graas ao D-D).
DAHLIN & ZHOU (2004) testaram o desempenho de dez diferentes arranjos (D-D, P-D,
P-P, Wenner alfa, Wenner beta, gradiente, Schlumberger, dentre outros) em cinco modelos
sintticos, procurando representar situaes reais de campo, quais sejam: canal enterrado, dique
estreito condutivo e resistivo, blocos mergulhando e valas de resduos com uma cobertura
superficial. Foram comparados os aspectos relativos resoluo, qualidade da imagem obtida
com diferentes volumes de dados e a sensitividade a nveis de rudos. Os experimentos
demonstraram a baixa capacidade do P-P no imageamento de alvos localizados. Com relao

23

aos rudos, os arranjos D-D e P-D mostraram-se muito susceptveis se comparados aos arranjos
Wenner e P-P. Os autores constataram tambm que o arranjo D-D, apesar de ser particularmente
bom para o imageamento de estruturas verticais ou mergulhando, gera muitos artefatos,
principalmente prximos superfcie.
Nos estudos envolvendo investigao de cavidades (tneis, cavernas etc) e processos de
dissoluo em rea de ocorrncia de rochas carbonticas (carstificao), a aplicao de
eletrorresistividade integrada a outros mtodos (GPR, EM, gravimetria de detalhe) encontra
enormes aplicaes (OWEN, 1983; GALLI et al., 2003; SCHOOR, 2002; TEJERO et al., 2002;
BARADELLO et al., 2001). Segundo MILITZER et al. (1979) trata-se de uma tarefa geofsica
complicada, sempre no limite da deteco dos mtodos.
GALLAS (2003) apresenta um exemplo de aplicao da tcnica do caminhamento
eltrico na prospeco de gua subterrnea em terrenos cristalinos. O autor aconselha que, para
este tipo de levantamento, em que se procura mapear/identificar anomalias correlacionveis a
zonas de fraturamento no macio rochoso, a abertura entre eletrodos deve ser tal que no primeiro
ou segundo nvel de investigao seja ultrapassada a camada correspondente a solo e rocha
alterada. No estudo de caso apresentado, foi utilizado o arranjo D-D, com espaamento entre
eletrodos igual a 40m.
GODIO & NALDI (2003) utilizaram o imageamento 2D de eletrorresistividade no estudo
de uma rea contaminada por hidrocarbonetos. No levantamento, foi adotado um espaamento
entre eletrodos igual a 1m e utilizado o arranjo Wenner. Tal arranjo foi escolhido por se tratar de
um local com intensa presena de rudo.
GODIO & FERRARIS (2005) utilizaram o arranjo Wenner-Schlumberger, com 48
eletrodos espaados de 0,6 metros (garantindo uma investigao de at 4 a 5 metros, segundo os
autores), em um experimento controlado com o objetivo de monitorar a infiltrao de gua
atravs da zona vadosa de um solo predominantemente arenoso.

24

ARRANJOS DE ELETRODOS

4.1

Generalidades

O mtodo da eletrorresistividade permite a utilizao de inmeras possibilidades de


arranjos de eletrodos, vrios deles relatados na bibliografia (ORELLANA, 1972; OWEN, 1983).
Porm, apenas alguns arranjos vm sendo efetivamente empregados na prtica pelo meio tcnico
e acadmico em trabalhos rotineiros.
As principais caractersticas dos dispositivos eletrdicos convencionais j so bem
conhecidas, graas a grande quantidade de estudos relacionados a modelos sintticos e
comparaes de dados adquiridos em campo utilizando-se diversos destes arranjos.
A escolha de qual arranjo utilizar depender de uma srie de fatores: o tipo de alvo que
ser mapeado (este fator est relacionado com o padro de sensitividade de cada arranjo para as
variaes horizontais e verticais da resistividade em subsuperfcie), a razo sinal/rudo, a
profundidade de investigao almejada etc. O dispositivo bsico de qualquer tipo de
levantamento est sintetizado na Fig.3.2.3-3 (Captulo 3) com dois eletrodos de emisso de
corrente (A e B) e dois eletrodos de potencial (M e N).
Ser utilizada a seguinte nomenclatura para descrio dos arranjos: o espaamento ou
abertura entre eletrodos de corrente e/ou potencial, geralmente fixo, ser denominado de a; a
separao ou fator de separao entre eletrodos (geralmente varivel) designada por n.
As medidas normalmente so tomadas ao longo de uma linha, definindo-se uma abertura
ou espaamento entre eletrodos e caminhando sobre o perfil do levantamento. Quanto maior for
esta abertura, maiores sero as profundidades alcanadas. A profundidade de investigao
tambm est relacionada ao fator de separao entre eletrodos de corrente e potencial. Para a
definio de qual o espaamento utilizar ou do mximo fator de separao (maior nvel de
investigao), deve ser estimada a profundidade na qual o alvo se encontra, assim como as
provveis dimenses do mesmo, qualquer que seja o arranjo utilizado.
O sinal no mtodo da eletrorresistividade refere-se magnitude da diferena de
potencial (V) lida entre os eletrodos de potencial para um dado valor de corrente injetado no
solo. Valores muito pequenos de V podem estar na ordem de grandeza do rudo local,
resultando em um dado de confiabilidade duvidosa ou mesmo impossibilitando a execuo de
uma boa leitura em campo.

25

A qualidade dos dados adquiridos de extrema importncia para as etapas subseqentes


do trabalho (inverso, obteno do modelo e interpretao dos resultados). O controle desta
qualidade pode ser realizado de duas maneiras distintas: repetio da medida em um mesmo
ponto (se possvel com o controle estatstico das leituras pelo instrumento de medio) ou
execuo das medidas de forma direta e reversa (PARK & VAN, 1991; VAN et al., 1991)
valendo-se do princpio da reciprocidade (item 3.2.3).
4.2

Principais arranjos utilizados no trabalho

Neste trabalho foram utilizados os seguintes arranjos de eletrodos nos caminhamentos


eltricos: dipolo-dipolo (D-D), plo-dipolo (P-D), plo-plo (P-P) e com menor freqncia, o
Wenner (Figura 4.2-1).
WENNER

DIPOLO-DIPOLO

a
A

a
N

na
A

PLO-PLO

> na

na

> na
A

> na
M

Figura 4.2-1 - Esquema dos arranjos utilizados no trabalho.

O fator geomtrico K (eq.3.2.3-19) pode tambm ser expresso pela seguinte forma
genrica:
K=2Ga

(eq.4.2-1).

A constante G, que independe do espaamento entre eletrodos sendo funo apenas do


fator de separao dos mesmos (n), assume distintos valores de acordo com o arranjo utilizado.
Como regra geral, o potencial eltrico medido ser inversamente proporcional ao fator
geomtrico K ou a constante G.

na
B

PLO-DIPOLO
B

26

4.2.1 Arranjo Wenner

O arranjo Wenner utiliza quatro eletrodos dispostos em linha e igualmente espaados. A


menor distncia entre dois eletrodos adjacentes denominada a. A profundidade de
investigao aumenta com o incremento da abertura entre eletrodos, sempre mltipla de a.
Desta forma, a distncia na entre eletrodos AM, MN e BN sempre mantida constante no
decorrer do levantamento (Figura 4.2.1-1).
A

n=1
a

a
A

n=2
2a
A

2a

2a

n=3

3a

3a

3a

Figura 4.2.1-1 - Arranjo Wenner com espaamento entre eletrodos sempre mantido constante.

Dependendo da disposio entre eletrodos de corrente (A e B) e de potencial (M e N) este


arranjo recebe trs distintas denominaes (CARPENTER & HABBERJAM, 1956): alfa, beta e
gama (Figura 4.2.1-2).
A

alfa
a

a
A

a
N

beta
a

a
A

a
B

gama
a

Figura 4.2.1-2 - Arranjos Wenner alfa, beta e gama.

27

As constantes K para estes arranjos so assim definidas: K=2a (alfa); K=6a (beta) e
K=3a (gama). Portanto, K beta > K gama > K alfa.
O arranjo Wenner beta exatamente a disposio D-D para o primeiro nvel de
investigao. Das trs configuraes Wenner, a alfa a que apresenta a melhor razo sinal/rudo
(K menor) sendo, provavelmente por esta razo, a mais comumente utilizada no meio tcnico.
Quando no houver nenhuma referncia quanto configurao dos eletrodos para este tipo de
arranjo, estar subentendido que se trata do dispositivo alfa. Neste caso, portanto, o arranjo ser
simplesmente denominado Wenner.
O ponto atribudo medida para a plotagem na pseudo-seo pode ser representado como
o ponto mdio entre os eletrodos M e N, na interseco das retas que partem 45 do centro dos
eletrodos AM e BN.
O Wenner oferece bons resultados no mapeamento de estruturas horizontais, pois
relativamente sensvel a variaes verticais de resistividade em subsuperfcie fornecendo, desta
forma, uma boa resoluo vertical. No entanto, apresenta baixa sensitividade para variaes
horizontais de resistividade no tendo, portanto, bom desempenho na definio de estruturas
estreitas e verticais (resoluo lateral).
Dados obtidos com o Wenner so menos afetados por variaes superficiais de
resistividade se comparados com aqueles obtidos com o arranjo D-D.
A principal vantagem do arranjo Wenner est na elevada razo sinal/rudo que fornece. A
abertura entre eletrodos de recepo grande em relao aos eletrodos transmissores, se
comparados ao arranjo D-D.
Porm, uma desvantagem do arranjo a rpida perda de cobertura com a profundidade.
Observa-se pela Figura 4.2.1-3 que, medida que se aumenta o espaamento entre eletrodos
(buscando-se maiores profundidades de investigao), a cobertura horizontal em subsuperfcie
diminui significativamente.

28

n=1
n=2

1,5a

1,5a

n=3
n=4
n=5
n=6
n=7

Figura 4.2.1-3 - Esquema de plotagem do arranjo Wenner em uma pseudo-seo,


mostrando a rpida perda de cobertura com a profundidade.

Ilustrando melhor, se o espaamento entre eletrodos for aumentado de a para 2a, o


comprimento do arranjo (distncia entre eletrodos mais externos) passar de 3a para 6a,
assim como a largura da pseudo-seo diminuir de um comprimento 3a. Ou seja, a cada nvel
de investigao subseqente e mais profundo, o comprimento do arranjo total aumenta 3a e a
cobertura em subsuperfcie diminui exatamente esta mesma extenso. Esta caracterstica pode
ser crtica em levantamentos realizados em locais com pouca disponibilidade de espao.
O arranjo conhecido por Lee, denominado tambm de partio Lee (GRIFFITHS &
KING, 1983), uma modificao da configurao Wenner alfa e que utiliza um terceiro eletrodo
adicional (O) posicionado no meio do arranjo (Figura 4.2.1-4).

a/2
a

a/2
a

Figura 4.2.1-4 - Arranjo Lee, onde os potenciais so medidos entre os eletrodos M e O e O e N.

So medidas duas diferenas de potencial, uma entre M e O e outra entre O e N, sendo as


resistividades calculadas para cada uma das metades do arranjo. Se os dois valores medidos so
iguais, o terreno pode ser considerado lateralmente homogneo na poro investigada. A
constante geomtrica K, neste dispositivo dada por 4a.
O arranjo Lee, que tambm pode ser visto como uma variante do arranjo gradiente,
possui a capacidade de identificar de forma precisa variaes laterais de resistividades, sendo

29

utilizado no mapeamento de contatos verticais/subverticais, fornecendo ainda informaes sobre


o sentido do mergulho das estruturas.
Lee foi um pioneiro na descoberta do problema de efeitos laterais, desenvolvendo uma
tcnica simples de partio para o reconhecimento e avaliao de tal efeito (LEE & SWARTZ
apud BARKER, 1981).
4.2.2 Arranjo Dipolo-Dipolo (D-D)

O arranjo D-D certamente o de uso mais difundido dentre os diversos arranjos


existentes, sendo largamente utilizado para diversos fins (minerao, prospeco de gua
subterrnea, estudos ambientais e geologia de engenharia).
Pode ser denominado como dispositivo dipolar axil (ORELLANA, 1972) ou axial
(DOBRIN & SAVIT, 1988). Tambm algumas vezes referido como dipolo duplo e dipolodipolo colinear. Neste arranjo os eletrodos so dispostos em linha e o espaamento ou abertura
entre os dois eletrodos de corrente e potencial permanece fixo durante todo o levantamento.
A aquisio dos dados de campo consiste em executar uma srie de medidas mantendo-se
fixo o espaamento dos dipolos de emisso (AB) e recepo (MN), aumentando-se a separao
entre eles de acordo com um fator nxa. Cada um destes afastamentos corresponde a um nvel
de investigao em profundidade.
Quanto maior for esta distncia, maiores profundidades podero ser alcanadas, tendo
como limite de valor aceitvel, as leituras de potencial superiores ao nvel de rudo presente no
local. A Figura 4.2.2-1 apresenta o esquema de uma aquisio com o arranjo D-D.
Para a execuo do caminhamento, todo o arranjo deslocado de uma distncia
geralmente igual a um espaamento entre dipolos. Repetindo-se o procedimento anteriormente
descrito, torna-se possvel a construo de uma pseudo-seo de resistividade eltrica aparente
ao longo da linha do levantamento.

30

sentido do
caminhamento

na

M1

45 o

V
N1 M2

V
N2 M3

N3 M4

N4 M5

N5

superfcie

45 o

n=1
n=2
n=3
n=4
n=5

Figura 4.2.2-1 - Esquema de aquisio utilizando o arranjo D-D


com cinco nveis de investigao em profundidade.

O valor medido de resistividade eltrica aparente representado em um ponto da


subsuperfcie localizado na interseco das retas que partem a 45 do centro dos dipolos,
posicionado, portanto, no ponto mdio entre estes (Figura 4.2.2-1). De acordo com este esquema
de representao, a profundidade terica de investigao ser dada por:
R a (n + 1)
=
2
2

(eq. 4.2.2-1).

Para o arranjo D-D, o valor de G ser dado por:


G=

1
2
1
1
+

n n +1 n + 2

n (n + 1) (n + 2)
2

(eq.4.2.2-2).

A constante K, por sua vez ser expressa por:


K D D = a n (n + 1)(n + 2)

(eq.4.2.2-3).

ZHOU & DAHLIN (2003) concluram que o D-D o arranjo mais sensvel a erros
quanto separao entre eletrodos, pois o fator geomtrico devido a este tipo de erro
proporcional a n3.
O deslocamento do arranjo pode em algumas situaes ser uma frao do espaamento
entre dipolos, onde n assume valores no inteiros. Com isto consegue-se um incremento da
resoluo horizontal. COGGON (1973) adota esta estratgia no seu trabalho, quando utiliza um

31

deslocamento de meio espaamento entre dipolos com o objetivo de melhorar a definio


horizontal na resposta dos trs tipos de arranjos por ele analisado (D-D, P-D e gradiente).
WARD (1990) tambm atenta para a questo da utilizao de valores no inteiros de n
para os arranjos D-D e P-D no incremento da resoluo, caso o custo/benefcio justifique a
adoo de tal procedimento.
medida que o dipolo de potencial se afasta do de corrente, menores sero as leituras
obtidas, chegando a um limite em que o rudo estar na mesma ordem de grandeza do sinal.
Usualmente, devido baixa relao sinal/rudo, a investigao limita-se em 5 ou 6 nveis em
profundidade quando so utilizadas grandes aberturas de dipolos (maiores que 20m).
Entretanto, mais nveis podero ser alcanados se forem utilizados equipamentos de
grande potncia e/ou sensibilidade ou ainda em ambientes muito resistivos onde as leituras de
V so mais elevadas, se comparadas a um local condutivo sob a mesma geometria de arranjo. A
utilizao de dipolos com extenso reduzida (menores que 10m), situao tpica em estudos
hidrogeolgicos rasos e ambientais, pode proporcionar investigaes superiores a cinco ou seis
nveis.
O arranjo D-D apresenta muitas vantagens, justificando a sua larga utilizao. A principal
delas o fato de ser um arranjo simtrico, sendo mais fcil o correto posicionamento de uma
anomalia na interpretao qualitativa de uma pseudo-seo, comparativamente aos arranjos P-D
e P-P. Outra vantagem em termos prticos a facilidade operacional em campo.
O arranjo apresenta uma boa resoluo lateral (horizontal), s perdendo em desempenho
neste quesito para o arranjo gradiente (WARD, 1990). De acordo com COGGON (1973), o
arranjo D-D o que oferece a melhor resoluo como um todo, se comparado aos arranjos
gradiente e P-D. Porm, as anomalias so fortemente influenciadas por irregularidades da
cobertura superficial.
Todavia, uma grande desvantagem do D-D a baixa razo sinal/rudo que ele apresenta,
principalmente quando se torna grande a separao entre os pares de dipolos.
Oferece um bom desempenho no mapeamento de estruturas verticais, no sendo porm
muito adequado para a identificao de estruturas horizontais.

32

4.2.3 Arranjo Plo-Dipolo (P-D)

O arranjo P-D, tambm denominado tripolo, consiste de trs eletrodos mveis ao longo
do perfil de caminhamento, sendo um de corrente (A) e dois de potencial (MN) cujo
espaamento (a=MN) permanece constante (Figura 4.2.3-1).
sentido do
caminhamento

na
B

V
A

M1

45

45

N1 M2

V
N2 M3

V
N3 M4

N4 M5

N5

superfcie

n=1
n=2
n=3
n=4
n=5

Figura 4.2.3-1 - Esquema de aquisio dos dados utilizando o arranjo P-D


com cinco nveis de investigao em profundidade.

semelhana do D-D, os eletrodos de recepo (M e N) permanecem externos aos


eletrodos de transmisso (A e B), o que confere a ambos os arranjos uma baixa razo sinal/rudo,
em geral.
O outro eletrodo de corrente (B) que fecha o circuito mantido fixo a uma distncia
suficientemente grande, denominada infinito que corresponde a pelo menos dez vezes a maior
abertura entre os eletrodos extremos do arranjo que permanecem na linha do levantamento
(KELLER & FRISCHKNECHT, 1966; TELFORD et al., 1990), de forma a garantir que este
tenha mnima influncia sobre o resto do arranjo.
A seqncia de medidas efetuada mantendo-se fixo o eletrodo de corrente (A) do perfil,
aumentando-se a distncia deste ao dipolo receptor (MN). Da mesma forma que no D-D, a
profundidade de investigao cresce medida que aumenta esta distncia expressa por na.
Aps a seqncia de leituras, o trio de eletrodos deslocado de uma distncia usualmente igual a
a.
O clculo das resistividades d-se da mesma forma que aquela utilizada para o arranjo DD e o fator G expresso por:
G=

1
1
1

n n + 1

= n (n + 1)

(eq.4.2.3-1).

33

A constante K ser expressa por:


K P D = 2 a n (n + 1)

(eq.4.2.3-2).

A pseudo-seo construda de forma anloga ao D-D, onde o ponto de plotagem


corresponde medida est a 45 das linhas que partem do eletrodo A e do centro dos eletrodos
de potenciais M e N. Neste caso, a profundidade aparente do ponto representando a medida ser
dada por:
a (2n + 1)
4

(eq.4.2.3-3).

Em outra forma de plotagem, considera-se o ponto de medida a interseco da linha que


parte 45do eletrodo A com a linha a 45 do eletrodo M. Nesta representao, que ser adotada
neste trabalho, a profundidade do ponto de medida dada por:
na
2

(eq.4.2.3-4).

Uma caracterstica favorvel do P-D que para uma mesma intensidade de corrente, o
sinal recebido pelos eletrodos de potencial neste arranjo maior que no D-D, tendo como
conseqncia uma melhor razo sinal/rudo. O sinal medido decresce menos rapidamente
medida que o fator de separao entre dipolos aumenta. Como a distncia entre eletrodos de
potencial no to grande como no arranjo P-P (item 4.2.4), o P-D menos sensvel a rudos
telricos.
Outra vantagem do arranjo a de que, durante a aquisio, so empregados apenas trs
eletrodos mveis na linha do levantamento. Alm disso, o eletrodo de corrente fixo (infinito)
pode ser instalado em local de forma a proporcionar uma reduo na resistncia de contato total
no circuito resistncia de contato solo/eletrodo (GALLAS, 2000). Isto garante a emisso de
grande intensidade de corrente, contribuindo ainda mais para a elevao da razo sinal/rudo.
COGGON (1973) observou que as anomalias observadas em um arranjo P-D apresentam
similaridade com aquelas observadas no D-D, tanto quanto a intensidade como na conformao
das mesmas, porm com menor resoluo.
A principal desvantagem deste arranjo est relacionada sua assimetria. Caminhamentos
realizados em sentidos opostos fornecem distintas pseudo-sees, o que pode dificultar o correto
posicionamento de uma anomalia com base em uma interpretao meramente qualitativa. Outra
desvantagem est na indisponibilidade, em determinados locais, de espao para a instalao do
eletrodo de corrente a ser posicionado no infinito.

34

4.2.4 Arranjo Plo-Plo (P-P)

semelhana do arranjo P-D, onde um dos eletrodos de corrente (B) mantido a uma
distncia infinitamente grande do outro eletrodo que permanece na linha, no arranjo P-P, um
dos eletrodos de potencial (N) tambm posicionado no infinito (Figura 4.2.4-1). O critrio
referente distncia do infinito o mesmo descrito para o arranjo P-D.
Portanto, na linha do levantamento permanecem apenas dois eletrodos: um de corrente
(A) e um de potencial (M), o que confere ao arranjo vantagens logsticas e operacionais na
aquisio dos dados em campo.
sentido do
caminhamento

na

M1

M2

M3

M4

M5

superfcie

45 o

n=1
n=2

n=3

n=4

n=5
Figura 4.2.4-1 - Esquema de aquisio dos dados utilizando o arranjo P-P
com cinco nveis de investigao em profundidade.

A seqncia de medidas efetuada aumentando-se a distncia entre o eletrodo de


corrente (A) e potencial (M) na linha de levantamento. Realizadas todas as medidas
correspondentes aos nveis estabelecidos para a aquisio, o arranjo deslocado de uma
distncia usualmente igual a a (menor abertura entre A e M). Da mesma forma que para o D-D
e o P-D, a profundidade de investigao cresce medida que aumenta esta distncia expressa por
na (fator de separao entre eletrodos).
O clculo das resistividades d-se tambm de forma anloga vista para os arranjos D-D
e P-D, sendo neste caso o fator G expresso por:
G=n

(eq.4.2.4-1).

A constante K ser expressa por:


K PP = 2 a n

(eq.4.2.4-2).

35

Na construo da pseudo-seo, o ponto de plotagem corresponde medida est na


interseco da linha que parte 45do eletrodo A com a linha a 45 do eletrodo M. Nesta
representao, a profundidade do ponto de medida ser dada pela (eq.4.2.3-4) de forma idntica
do arranjo P-D.
A principal vantagem do arranjo P-P est na possibilidade de serem alcanados muitos
nveis de investigao devido elevada razo sinal/rudo que apresenta, sob um ponto de vista
puramente geomtrico. Em contrapartida, esta mesma geometria extremamente susceptvel a
rudos de natureza telrica, devido grande distncia existente entre os eletrodos de potencial, o
que constitui numa sria desvantagem, aliada necessidade de muito espao fsico para
instalao dos dois eletrodos a serem posicionados no infinito.
A Tabela 4.2.4-1 apresenta os valores da constante G e do fator geomtrico K para os
arranjos D-D, P-D e P-P. Vale novamente salientar que a intensidade do sinal medido ser
sempre inversamente proporcional a G e a K. Isto , supondo uma mesma corrente e um meio
homogneo e sendo o fator geomtrico K uma correo da atenuao do campo eltrico (que
decresce exponencialmente com a distncia da fonte), quanto menor for este fator geomtrico,
maior ser o valor da d.d.p. medida nos eletrodos de potencial e empregada no clculo das
resistividades.
Tabela 4.2.4-1 - Constante G e fator geomtrico K (espaamento igual 5m)
para os arranjos D-D, P-D e P-P.
Constante G
PLOARRANJO DIPOLONVEL
DIPOLO DIPOLO
3
2
1
12
6
2
30
12
3
60
20
4
105
30
5
168
42
6
252
56
7
360
72
8
495
90
9
660
110
10
858
132
11
1092
156
12
1365
182
13
1680
210
14
2040
240
15

PLOPLO
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15

Fator geomtrico K (espaamento=5m)


DIPOLOPLOPLODIPOLO
DIPOLO
PLO
94,2
62,8
31,4
377,0
188,5
62,8
942,5
377,0
94,2
1.885,0
628,3
125,7
3.298,7
942,5
157,1
5.277,9
1.319,5
188,5
7.916,8
1.759,3
219,9
11.309,7
2.261,9
251,3
15.550,9
2.827,4
282,7
20.734,5
3.455,8
314,2
26.954,9
4.146,9
345,6
34.306,2
4.900,9
377,0
42.882,7
5.717,7
408,4
52.778,8
6.597,3
439,8
64.088,5
7.539,8
471,2

36

O P-P o arranjo que apresenta a maior cobertura horizontal sendo, por este motivo, o
dispositivo naturalmente escolhido para levantamentos genuinamente 3D, apesar da alta
susceptibilidade a rudos.
Em termos de profundidades de investigao, o P-P o que oferece o melhor
desempenho, se comparado aos arranjos D-D e Wenner (ROY & APPARAO, 1971) e a mais
baixa resoluo, sendo esta a sua principal desvantagem.
ROBAIN et al. (1999) apresentam um estudo das conseqncias decorrentes do erro
quanto colocao dos eletrodos no infinito, pois esta distncia (na realidade, finita), foge da
condio idealizada para o arranjo P-P, causando distores na pseudo-seo de resistividade
aparente.
4.2.5 Arranjo Schlumberger

O Schlumberger um arranjo simtrico em relao a um ponto central, com os eletrodos


de corrente A e B, posicionados externamente aos eletrodos de potencial M e N (Figura 4.2.5-1).
A abertura MN deve ser menor ou igual a um quinto da abertura AB, ou seja, AB/MN 5. Como
conseqncia, mede-se com uma boa aproximao o gradiente do potencial, ou seja, o campo
eltrico.

a
L
Figura 4.2.5-1 - Disposio dos eletrodos do arranjo Schlumberger.

um arranjo com grande potencialidade para resoluo de camadas horizontais


(apresenta boa resoluo vertical) sendo, desta forma, rotineiramente utilizado para execuo de
sondagens eltricas verticais (SEVs). A SEV uma tcnica que tem por objetivo a determinao
das variaes da resistividade com a profundidade, num certo ponto do terreno. As medidas de
resistividade aparente obtidas de uma SEV so apresentadas em grficos com escala
bilogartmica em funo da metade da distncia entre os eletrodos de corrente (AB/2).
Para o arranjo Schlumberger, o valor da constante geomtrica K ser dado por:

37

K SCH

2
2
L
a
=
a 2
2

(eq.4.2.5-1).

Segundo BARKER (1981), um argumento relevante em favor do arranjo Schlumberger


sobre o Wenner que a sensitividade a efeitos laterais prximos superfcie (caracterstica
indesejvel de uma SEV) pode ser efetivamente reduzida com a utilizao do primeiro.
4.2.6 Arranjos 3D

Os dados de eletrorresistividade so comumente interpretados supondo-se que as


estruturas geoeltricas sejam uni ou bidimensionais (1D ou 2D), fornecendo, na maioria das
vezes, bons resultados, desde que a geologia possa ser aproximada por modelos destes tipos.
Os dados de uma sondagem eltrica vertical (SEV), por exemplo, so interpretados
assumindo-se um modelo geolgico de estratos plano-paralelos, lateralmente infinitos. Neste
caso, a resistividade eltrica varia somente com a profundidade, constituindo um tpico modelo
1D.
J no caminhamento eltrico, que capaz de mapear as variaes de resistividade eltrica
em duas dimenses, distncia (x) e profundidade (z), assume-se que a resistividade eltrica no
sofra variaes na direo perpendicular linha do perfil de caminhamento (y) e a interpretao
baseada em um modelo 2D de subsuperfcie.
Entretanto, sabe-se que as feies geolgicas em subsuperfcie so tri-dimensionais (3D)
e, certamente, no so corretamente representadas e interpretadas por modelos 1D e 2D. Em
determinadas situaes, portanto, tcnicas de aquisio 3D passam a ter relevncia e deveriam
ser aplicadas.
A baixa utilizao das tcnicas de eletrorresistividade 3D por parte do meio tcnicocientfico deve-se, em parte, ao enorme tempo gasto na aquisio dos dados, devido grande
quantidade de medidas necessrias para a execuo do levantamento de campo e por se tratar de
uma tcnica de aquisio ainda nova e pouco conhecida.
Muitos autores utilizaram as j conhecidas tcnicas 2D para a aquisio dos dados,
tratando-os, em seguida, sob um enfoque 3D, seja apenas na visualizao dos mesmos ou com o
processamento dos dados utilizando algoritmos de inverso (BERNSTONE et al., 1997;
OGILVY et al., 2002).

38

Numa modalidade de aquisio 3D, os eletrodos geralmente so dispostos em uma malha


quadrada (grid), adotando-se o mesmo espaamento entre eletrodos nas direes ortogonais x e
y. Entretanto, grids retangulares podem tambm ser utilizados (LOKE & BARKER, 1996b). O
arranjo comumente utilizado o P-P, pois apresenta algumas facilidades operacionais em campo.
Dois eletrodos (um de corrente, A, e outro de potencial, M) permanecem no grid, enquanto o
outro par (B e N) permanece a uma distncia consideravelmente grande da malha (infinito), de
tal forma que suas influncias possam ser negligenciadas, completando os dipolos AB e MN.
Em um levantamento 3D tambm podem ser utilizados os arranjos P-D e D-D. Segundo
LOKE (1999), o arranjo P-P o que oferece o maior nmero de possveis medidas
independentes, se comparado aos outros arranjos, para malhas de dimenses reduzidas (menores
que 12 x 12 eletrodos). Alm disso, o que fornece a melhor cobertura horizontal, uma vez que a
perda de informao nas bordas mnima.
A principal vantagem do P-P a elevada razo sinal/rudo que o arranjo propicia. A
grande desvantagem fica por conta da baixa resoluo (principalmente em nveis mais profundos
de investigao), a necessidade de espao fsico para colocao dos eletrodos no infinito e a
maior vulnerabilidade a rudos causados por correntes telricas na aquisio dos dados, devido
grande distncia entre os eletrodos de potencial. No entanto, estes rudos (intensamente presentes
em reas urbanas) podem ser compensados pela j citada elevada relao sinal/rudo
proporcionada pelo arranjo.
O emprego de diferentes arranjos 3D como o D-D e P-D, elimina a utilizao do eletrodo
de potencial N no infinito e, conseqentemente, esta fonte de rudos do arranjo P-P. O
exemplo de aplicao de levantamento 3D apresentado nesta tese utilizou o arranjo P-P.
4.2.7 Sensitividade dos diversos arranjos

A sensitividade uma funo que expressa quanto uma variao da resistividade eltrica
do meio influenciar o potencial medido pelo arranjo. Os padres de sensitividade para os
diversos arranjos so calculados para um modelo de terra homognea.
Quanto maior for o valor de sensitividade, maior ser a influncia da regio em
subsuperfcie na medida. Pode ser observado que, para todos os arranjos, as maiores
sensitividades so encontradas nas proximidades dos eletrodos.

39

A escala que aparece nas representaes varia de -n a +n, passando pelo valor zero, sendo
que este ltimo significa sensibilidade nula no local. Maiores valores significam maiores
sensitividades.
A diferena de padro no traado dos contornos da funo sensitividade explica a
resposta dos diferentes arranjos face aos diferentes tipos de feies e estruturas em subsuperfcie.
A Figura 4.2.7-1 apresenta o padro de sensitividade dos diversos arranjos utilizados
neste trabalho.
Os contornos quase horizontais abaixo do centro do Wenner (Figura 4.2.7-1-e) ilustram a
sensitividade deste arranjo a variaes verticais de resistividade, sendo menos sensvel s
variaes laterais, corroborando a caracterstica do Wenner em melhor resolver estruturas
dispostas horizontalmente do que feies subverticais.
De forma semelhante o padro apresentado pelo Schlumberger (Figura 4.2.7-1-d),
porm com os contornos exibindo uma curvatura ligeiramente mais acentuada abaixo do centro
do arranjo.

Figura 4.2.7-1 - Padro de sensitividade dos arranjos utilizados neste trabalho


(modificado de DAHLIN & ZHOU, 2004).

40

Para o D-D (Figura 4.2.7-1-b) nota-se um padro de contorno quase vertical, indicando
que este arranjo muito sensitivo a variaes horizontais, sendo relativamente insensvel s
variaes verticais. Desta forma, esta configurao mais adequada para mapeamento de
estruturas verticais do que de camadas horizontalmente estratificadas. O padro apresentado para
o arranjo Wenner beta (Figura 4.2.7-1-f) equivale ao D-D com n=1.
O P-P (Figura 4.2.7-1-a) o arranjo que apresenta a mais ampla cobertura horizontal e
maior profundidade de investigao. Contudo, o grande espaamento verificado entre os
contornos no traado da funo sensibilidade reflete a sua baixa resoluo se comparada aos
demais arranjos. De forma semelhante, o P-D (Figura 4.2.7-1-c) apresenta boa cobertura
horizontal e o padro de sensitividade ilustra a peculiar assimetria deste arranjo.

41

PSEUDO-SEES DE RESISTIVIDADE ELTRICA APARENTE

Os dados de campo obtidos em caminhamentos eltricos, qualquer que seja o arranjo


utilizado (D-D, P-D, P-P, Wenner etc.) so geralmente apresentados sob a forma de pseudosees de resistividade eltrica aparente, um processo usual e bastante difundido para
visualizao dos mesmos.
A pseudo-seo representa um eficiente modo de visualizao dos dados, possibilitando,
em boa parte das vezes, interpretaes qualitativas que podem ser de grande utilidade. A Figura
5-1 apresenta um exemplo de um dado real de campo adquirido na regio do Vale do Ribeira,
SP, onde ntida a ocorrncia de um contato geolgico bem visualizado tanto na pseudo-seo
como na correspondente seo modelada.
Convencionou-se a seguinte representao para a escala cromtica de resistividade
eltrica nas sees e modelos apresentados nesta tese: tonalidades vermelhas, condutivo;
tonalidades em azul, resistivo.

-10
-15
-20
-25
-30

10

20

196

30

198
357

40

92
190

321

133
91

149
218

447
121

86
169

195

D I S T N C I A (m)
60
70
80

50

225
168

236

1676
555

1371
1178

481
306

214

90

2047
1125

396

953
873

600

478

600

900

1200

1500

110

1257
1210

975
519

RESISTIVIDADE APARENTE (ohms.m)

300

1885
1649

996
535

100

1131
1400

1131
796

475

120

130

1632
2845

3307
2900

2924

140

-10
-15
-20

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

-25
-30

PROJEO EM SUPERFCIE
DO CONTATO

1800

Figura 5-1 - Modelo (abaixo) e pseudo-seo correspondente (acima) mostrando como em


algumas situaes podem ser realizadas interpretaes qualitativas com base apenas
na pseudo-seo de resistividade aparente.

Um outro bom exemplo onde as pseudo-sees se aproximam de forma razovel com a


realidade do substrato (no necessariamente nas profundidades) o caso de geologias planoparalelas.
A grandeza fsica medida (resistividade eltrica aparente) representada em uma
determinada posio lateral (horizontal) e a numa suposta profundidade de investigao. O termo

42

pseudo, de origem grega, significa falso. Ou seja, pseudo-seo pode ser traduzida como
uma falsa seo no tendo, portanto, uma necessria correspondncia com a realidade,
podendo ser algo pouco compreensvel para um no especialista do assunto. Primeiro, porque a
grandeza representada um valor aparente. Segundo, porque as profundidades nas quais as
medidas so plotadas no correspondem a uma efetiva profundidade de investigao e, desta
forma, a escala vertical no tem um significado preciso neste modo grfico de representao.
Dados de profundidade no condizentes com a realidade no deveriam constar nos dados,
pois falsas informaes quanto a este parmetro podem causar transtornos nas atividades
subseqentes de uma campanha, levando algumas vezes ao descrdito da atuao da geofsica
aplicada (VOGELSANG, 1995).
Desta forma, seria prudente que no eixo vertical de uma pseudo-seo esteja representado
apenas o fator de separao entre eletrodos, n, o qual est relacionado a um determinado nvel,
supostamente constante, de investigao em profundidade.
Um outro aspecto relativo s pseudo-sees quanto ao formato das anomalias.
Geralmente a conformao de uma anomalia no guarda correspondncia direta com a
forma/dimenso das feies de interesses e alvos em subsuperfcie, aparecendo de uma forma
distorcida, exceo feita aos j citados casos de feies geolgicas plano-paralelas.
A Figura 5-2 mostra como uma mesma forma geomtrica retangular simples produzir
diferentes pseudo-sees, dependendo do tipo de arranjo utilizado.
Do exposto, conclui-se que um extremo cuidado deve ser tomado na manipulao das
denominadas pseudo-sees, pois estas refletem qualitativamente a distribuio espacial das
resistividades eltricas aparentes em subsuperfcie no tendo correspondncia com a verdadeira
posio e geometria das estruturas subsuperficiais. As pseudo-sees so representaes teis
para um intrprete experiente, mas no podem ser consideradas como uma imagem fidedigna
(literal) da subsuperfcie.
Prudentemente, no eixo das ordenadas das pseudo-sees deveriam constar apenas os
nveis de investigao, deixando a complexa questo da profundidade real para uma etapa
posterior, que seria a modelagem geoeltrica 2D resultante do processo de inverso dos dados e
obteno da imagem final. Mesmo assim, estas profundidades estaro sujeitas a erros e
imprecises, se forem escassas as informaes a priori, como em todo e qualquer mtodo
geofsico de prospeco.

43

Figura 5-2 - Pseudo-sees sintticas geradas pelo modelo composto por um simples retngulo, utilizando
quatro tipos de arranjos diferentes: D-D, P-D, P-P e Wenner.

44

5.1

Plotagem dos dados em uma pseudo-seo

Uma forma de plotagem dos dados largamente utilizada no meio tcnico foi introduzida
por HALLOF (1957). Tomando como exemplo o arranjo D-D, a forma de plotagem dos dados
efetuada da seguinte forma, segundo o autor: o valor da resistividade eltrica aparente atribudo
a um ponto em subsuperfcie, localizado na interseco de duas retas a 45o partindo do centro
dos dipolos AB e MN (Figura 5.1-1). A projeo deste ponto no eixo das abscissas (distncia)
corresponde ao ponto mdio do arranjo, considerando os eletrodos extremos do mesmo (A e N).

na

45 o

N
a

45 o

n=1
n=2
n=3
n=4
n=5
n=6

Figura 5.1-1 - Plotagem convencional, arranjo D-D, proposta por HALLOF (1957).

Cada linha horizontal na pseudo-seo est associada a um valor especfico de n e


tambm a uma profundidade terica de investigao, resultando numa representao apenas
qualitativa das variaes verticais da resistividade aparente. Ou seja, neste tipo de plotagem, que
ser chamada de convencional, as profundidades representadas no esto relacionadas
diretamente a nenhuma profundidade efetiva e a escala vertical, neste caso, no tem um
significado preciso.
Com esta representao dos dados, o formato das anomalias observadas est
condicionado, no apenas pela distribuio das resistividades em subsuperfcie, como tambm
pela geometria do arranjo de eletrodos empregado.
Na Tabela 5.1-1, estabelece-se uma simples comparao das profundidades segundo
plotagem convencional de HALLOF (op. cit.) e aquela proposta por EDWARDS (1977), de
acordo com os coeficientes empricos para o arranjo D-D que sero apresentados na Tabela 6-2
(Captulo 6).
Para o arranjo D-D, qualquer que seja o espaamento entre dipolos (a=AB=MN), a
diferena entre as profundidades, segundo os critrios de HALLOF (1957) e EDWARDS (1977)

45

estar em torno de 50%, sendo que as profundidades propostas por este ltimo so
sistematicamente mais rasas (Tabela 5.1-2).
Tabela 5.1-1 - Comparao das profundidades em uma pseudo-seo,
segundo HALLOF (1957) e EDWARDS (1977).
n
1
2
3
4
5
6
7
8

ze/a

ze/a

EDWARDS

HALLOF

0,416
0,697
0,962
1,220
1,476
1,730
1,983
2,236
ze = profundidade efetiva

1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5

Tabela 5.1-2 - Exemplo das profundidades segundo HALLOF (1957) e EDWARDS (1977)
para o arranjo D-D, AB=MN=5m, 8 nveis de investigao.
nveis
1
2
3
4
5
6
7
8

Profundidade
de EDWARDS
2,08
3,485
4,81
6,1
7,38
8,65
9,915
11,18

Plotagem
convencional
5
7,5
10
12,5
15
17,5
20
22,5

(%)
58,4%
53,5%
51,9%
51,2%
50,8%
50,6%
50,4%
50,3%

Ou seja, os valores das profundidades de EDWARDS (1977) so aproximadamente


metade daqueles propostos pelo critrio de plotagem de HALLOF, 1957 (Figura 5.1-2).
Prof. Hallof (convencional) vs. Prof. Edwards
40

35

Profundidade

35

30

30

25

25

20

20

15

15

17,3

10

14,76

10
5

4,16

12,2

9,62

6,97

0
1

nvel
Edwards

Hallof (convencional)

Figura 5.1-2 - Profundidades de HALLOF, 1957 (em vermelho) e de EDWARDS, 1977 (em verde)
para arranjo D-D, seis nveis de investigao e AB=MN=10m.

46

No decorrer desta tese, ser utilizado o termo profundidade terica na representao


dos dados em forma de pseudo-sees, seguindo a proposio de HALLOF (1957). Quando os
dados forem plotados segundo os coeficientes de EDWARDS (1977) ser empregado o termo
profundidade efetiva, de acordo com a nomenclatura sugerida pelo prprio autor. Nas sees
modeladas, onde as profundidades so, supostamente, as verdadeiras, usar-se- simplesmente o
termo profundidade.
5.2

Simetria e assimetria nos arranjos D-D e P-D

A simetria caracterstica do arranjo D-D pode ser verificada por um dado real de campo,
obtido no municpio de Cotia-SP (Fig.5.2-1). Os parmetros utilizados foram AB=MN=20m e
cinco nveis de investigao e medidas realizadas ao longo de um perfil de 200m, tanto em um
sentido quanto no sentido oposto.
Dipolo-dipolo AB=MN=20m
(sentido do caminhamento: W para E)
20

40

188

-20

60

78
113

-30

80

90
136

188

-40

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

-40
-50
-60

161

151

151

158

96

53

101
158

160

180

20

40

111

60

75
90

80

-20

88

-30

264

-40

143

-50

211

DISTNCIA (m)
100
120

82
132

111

43

37

70

-60

264

33

104

61

181
251

172

104

165

176

160

83

54

97

140

101

75

151

200

91

(sentido do caminhamento: E para W)

-30

108

104

140

30

103

264

36
75

151

-60

-20

47
73

276

-50

DISTNCIA (m)
100
120

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

180

86
138

302
118

214

200

-20
-30
-40

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

-50
-60

ESCALA CROMTICA DE RESISTIVIDADE (ohm.m)

30

60

90

120

150

180

210

240

270

Figura 5.2-1 - Exemplo real de campo ilustrando a simetria do arranjo D-D.

Este exemplo ilustra ainda o princpio da reciprocidade, com medidas tomadas de forma
direta e reversa. Devido geometria simtrica do arranjo D-D, ambas as medidas apresentam-se
similares e a diferena destas pode ser uma estimativa da qualidade dos dados (ZHOU &
DAHLIN, 2003) que, neste caso, est bastante boa, como mostra a Figura 5.2-2.

47

Dipolo-dipolo AB=MN=20m
Erros de medida (direta e recproca)

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

-20
-30
-40
-50
-60

20

40

41

60

4
20

80

9
3

41

4
0

10
41

12

140

0
1

DISTNCIA (m)
100
120

31

14
14

4
11

160

180

200

5
57

14
17

-20
-30
-40

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

-50
-60

ESCALA CROMTICA (erro em %)

20

40

60

80

100

Figura 5.2-2 - Diferena em porcentagem das leituras obtidas no sentido


direto e reverso dos dados do caminhamento da Figura 5.2-1.

Uma das caractersticas do arranjo P-D a sua assimetria, o que acarreta no surgimento
de feies de resistividade aparente igualmente assimtricas na pseudo-seo, mesmo havendo
estruturas simtricas em subsuperfcie. Para minimizar este efeito, o levantamento pode ser
efetuado duas vezes, em sentidos opostos sobre o mesmo perfil (LOKE, 1999).
A Figura 5.2-3 ilustra um exemplo do programa RES2DINV onde foi utilizado o arranjo
P-D em sentido direto e reverso. Observa-se uma diferena nas pseudo-sees obtidas nos dois
modos, ao contrrio daquela correspondente ao arranjo D-D apresentada na Figura 5.2-1.

Figura 5.2-3 - Pseudo-sees efetuadas em um mesmo perfil com arranjo P-D


no sentido direto (acima) e reverso (abaixo).

5.3

Edio e processamento de dados de uma pseudo-seo

Uma grande vantagem da tcnica do caminhamento eltrico a numerosa quantidade de


dados disponveis na seo, o que possibilita, dentre outras coisas, o descarte de um ou de outro

48

dado com rudo (portanto, de confiabilidade duvidosa) sem o prejuzo da qualidade do produto
final. ZHOU & DAHLIN (2003) mostram como artefatos podem aparecer no modelo gerado
por inverso, se nos dados iniciais (entrada) estiverem includos dados muito ruidosos, o que
pode levar o intrprete a concluses errneas dos resultados obtidos.
A plotagem da pseudo-seo constitui uma inestimvel forma de controle dos dados, pois
valores extremamente discrepantes so facilmente destacados e podem ser eliminados nesta
etapa de anlise dos dados que pode ser considerada como uma edio pr-processamento.
Um outro aspecto interessante em uma pseudo-seo a possibilidade de visualizao
dos dados segundo uma orientao vertical. EDWARDS (1977) atentou para este fato,
considerando que cada linha vertical em uma pseudo-seo representa uma expanso do arranjo
a partir de um ponto central, constituindo uma sondagem eltrica vertical da forma a=(ze)
onde ze uma profundidade efetiva na qual cada ponto plotado. Ou seja, uma pseudo-seo
pode ser visualizada como uma srie de numerosas SEVs posicionadas lado a lado no perfil de
levantamento (BLANCO, R. G., comunicao verbal). Quanto mais nveis de investigao,
maior o nmero de pontos existentes nesta hipottica SEV.
Em princpio, uma aquisio P-P constitui o mais elementar conjunto de dados, pois por
uma combinao linear deste, dados correspondentes a outros arranjos podem ser obtidos
matematicamente (DAHLIN & ZHOU, 2004). Entretanto, existem implicaes adversas, pois a
aquisio de um dado P-P limpo (sem presena de rudos) tarefa muito difcil na prtica.
BEARD & TRIPP (1995) atentam tambm para este fato dizendo que uma pequena quantidade
de rudo em dados do tipo P-P comprometem os resultados desta reconstruo. O contrrio,
porm, no verdadeiro: um dado P-P no pode ser obtido de um dado D-D (OLDENBURG &
LI, 1999).
Existe ainda uma relao entre os dados D-D com os P-D. As resistividades aparentes do
D-D (D-D) podem ser diretamente calculadas a partir das resistividades do P-D (P-D) por
intermdio da seguinte expresso (COGGON, 1973):
D D (n + 1) = P D (n ) +

n
[ P D (n ) P D (n + 1)]
2

(eq.5.3-1)

Os valores das resistividades do D-D podem, portanto, resultar de uma operao sobre os
dados P-D definida pela eq.(5.3-1).

49

PROFUNDIDADE DE INVESTIGAO

A profundidade de investigao um conceito de extrema importncia, qualquer que


seja o mtodo ou tcnica geofsica empregada.
Particularmente, no caso da eletrorresistividade, esforos vm sendo empregados para
que seja estabelecida uma relao, que porventura exista, entre o espaamento de eletrodos (e
tipo de arranjo) na superfcie e uma determinada profundidade efetiva de investigao, numa
tentativa de soluo de um problema realmente complexo.
EVJEN (1938) foi um pioneiro na definio de profundidade de investigao, utilizando
o conceito de fator-profundidade (depth factor) em um trabalho baseado em densidades de
imagens. Entende-se por fator-profundidade, um fator que transforma uma distncia medida na
superfcie do terreno (espaamento entre eletrodos, no caso dos mtodos eltricos) em um valor
significativo de profundidade. Este autor conceituou profundidade de investigao como a
profundidade onde exatamente metade da corrente total esteja situada acima e a outra metade,
situada abaixo da mesma, enfatizando ainda que a penetrao depende da distribuio das
propriedades eltricas do meio com a profundidade.
A resistividade aparente medida, segundo EVJEN (op cit.), resultante de uma
integrao de todo o pacote investigado, podendo ser considerada uma mdia ponderada das
resistividades presentes neste volume, sendo atribudos pesos diferenciados em cada uma das
camadas deste pacote. Assim sendo, o fator-profundidade ficaria definido como a profundidade
que contribui com o mximo peso, expressa por uma frao do espaamento entre eletrodos.
MUSKAT & EVINGER (1941) relatam que para um dado sistema, metade da corrente
introduzida em subsuperfcie ir propagar-se acima de um plano, cuja profundidade igual
metade do espaamento entre os eletrodos de corrente, um fato at ento freqentemente
reportado na literatura, segundo os autores.
ROY & APPARAO (1971) prosseguindo os estudos, utilizaram o conceito de
equivalncia eletrosttica em um meio isotrpico e homogneo para diversos arranjos de
eletrodos. Definiram profundidade de investigao como a profundidade na qual uma fina
camada horizontal do terreno contribui o mximo para a totalidade do sinal medido em
superfcie.
Calculando a contribuio individual de uma fina camada plana-horizontal para o sinal
total e plotando o valor obtido em funo das correspondentes profundidades de cada uma das

50

camadas, resulta em uma curva que foi denominada pelos autores de profundidade caracterstica
de investigao ou simplesmente DIC (depth of investigation characteristic). Normalizando
estas curvas, de tal forma que a totalidade do sinal medido seja igual unidade, construram as
curvas conhecidas como NDIC (normalized depth of investigation characteristic) para vrios
arranjos de eletrodos.
As curvas iniciam com valor zero na superfcie, atingem um mximo e tendem
novamente zero para grandes profundidades. Este comportamento da curva permite a definio
da profundidade de investigao para um determinado arranjo, sendo aquela onde a curva DIC
assume um valor mximo.
Na prtica, evidente que estas contribuies individuais de cada camada horizontal no
podem ser medidas. O que se observa, de fato, so medidas de potencial efetuadas na superfcie,
correspondendo contribuio total de todas as camadas dada pela rea sob a curva DIC.
Alguns valores de profundidade de investigao puderam ser calculados e so
apresentados na Tabela 6-1, onde L a distncia entre eletrodos posicionados nos extremos do
arranjo (desconsiderando o caso dos eletrodos no infinito).
Tabela 6-1 - Profundidades de investigao segundo ROY & APPARAO (1971).

Arranjo

Profundidade

Dois eletrodos (plo-plo)

0,35xL

Wenner

0,11xL

Dipolo-dipolo

0,195xL

Schlumberger

0,125xL

Os autores puderam tirar algumas concluses: a) observa-se uma maior profundidade de


investigao do arranjo dois eletrodos (P-P), contrabalanada pela sua baixa resoluo vertical;
b) a profundidade de investigao nos arranjos analisados muito inferior quela geralmente
assumida para estes; c) a profundidade de investigao nos arranjos determinada pelas posies
dos eletrodos de corrente e potencial e no somente pela penetrao ou distribuio da corrente.
Para o arranjo Wenner, a profundidade de investigao apresentada na Tabela 6-1
similar quela estabelecida por EVJEN (1938) que determinou o valor de 1/9 da distncia entre
eletrodos de corrente.

51

Considerando-se um meio com determinada estrutura e composio (uniforme,


homogneo e isotrpico), a penetrao da corrente (ou distribuio) funo somente do
posicionamento dos eletrodos de corrente, enquanto a profundidade de investigao
determinada pela posio tanto dos eletrodos de corrente como os de potencial (ROY &
APPARAO, 1971).
ROY (1972), com a mesma metodologia e definies utilizadas em ROY & APPARAO
(1971), deu continuidade a este trabalho e calculou as profundidades de investigao em um
meio homogneo para os arranjos Wenner alfa, beta e gama, assim como para o arranjo D-D, no
caso em que a abertura (a) dos dipolos no to pequena se comparada com a separao (n)
entre estes. Nesta situao, a distncia entre o centro dos dipolos (R) no pode ser aproximada
pela distncia L entre os dois eletrodos extremos do arranjo, caso vlido apenas quando a
abertura entre dipolos desprezvel se comparado distncia que separa os respectivos pares. O
autor constata que, em todos os arranjos dipolares examinados no artigo (exceto o equatorial), a
profundidade de investigao diminui com o aumento do espaamento dos dipolos (emissor,
receptor ou ambos), mantendo-se constante a distncia L que separa os eletrodos extremos do
arranjo.
EDWARDS (1977) mostrou que as curvas NDIC possuem validade fsica e aplicaes
prticas. Utilizando o conceito de profundidade efetiva, definida como a profundidade na
qual exatamente metade do sinal total se origina acima e metade abaixo desta, raciocinando em
termos de profundidade mediana (julgada mais apropriada pelo autor, uma vez que as curvas
NDIC so assimtricas em relao ao mximo, distorcidas em direo das maiores
profundidades) chegou a uma equao dada por:

n (n + 1) (n + 2) n 2 + u

2 (n + 1) + u
2

+ (n + 2) + u
2

=1

(eq.6-1)

onde
z
u = 4 e
a

(eq. 6-2).

As solues numricas da eq.(6-1) possibilitam a determinao de coeficientes empricos,


resolvendo a varivel u para diferentes valores de n. Conhecendo-se o valor de u,
determina-se a profundidade efetiva (ze/a) pela eq.(6-2).

52

A Tabela 6-2 apresenta os valores de profundidades efetivas (ze) propostas por


EDWARDS (1977), para alguns arranjos comuns:
Tabela 6-2 - Profundidades efetivas de investigao (ze) para diferentes arranjos (EDWARDS, 1977).

Tipo de arranjo
Wenner alfa

Dipolo-dipolo (D-D)

Plo-dipolo (P-D)

Plo-plo (P-P)

1
2
3
4
5
6
7
8
1
2
3
4
5
6
7
8

ze/a
0,519
0,416
0,697
0,962
1,220
1,476
1,730
1,983
2,236
0,519
0,925
1,318
1,706
2,093
2,478
2,863
3,247
0,867

z/L
0,173
0,139
0,174
0,192
0,203
0,211
0,216
0,220
0,224

Observa-se na Tabela 6-2 que para os arranjos D-D e P-D, os coeficientes esto limitados
a n=8. Na ocasio que foi concebido o trabalho, os levantamentos IP/resistividade voltados
rea de minerao estavam em voga, e a utilizao de grandes espaamentos entre dipolos
(a=40m ou maiores) era prtica corriqueira, o que certamente impossibilitava aquisies em mais
de oito nveis em profundidade. Curioso que este nmero permanece enraizado na engenharia
de alguns equipamentos de IP/resistividade, como por exemplo, o IPR-12 (Scintrex), o
SuperSting R8/IP (Advanced Geosciences, Inc.) que operam com oito canais (permitindo a
leitura de oito nveis em profundidade simultaneamente) e o Terrameter SAS-4000 da ABEM
que operando em quatro canais permite a leitura dos oito nveis em apenas duas operaes.
Os demais valores dos coeficientes empricos para n maior que oito puderam ser
determinados com programa RES2DINV, que os adota. No foram, portanto, calculados
numericamente pela eq.6-1. Estes valores, para os arranjos D-D e P-D, so dados na Tabela 6-3.

53

Tabela 6-3 - Profundidades efetivas de EDWARDS (1977), ze, dos arranjos


D-D e P-D para valores de n maiores que oito.
D-D

P-D

ze/a

ze/a

2,50

3,60

10

2,70

10

4,00

11

2,90

11

4,40

12

3,10

12

4,80

13

3,30

13

5,20

14

3,50

14

5,60

15

3,70

15

6,00

16

3,90

16

6,40

O autor observou ainda que dados coletados sob um mesmo perfil, utilizando-se
diferentes espaamentos entre os dipolos (a), podiam ser combinados em uma nica pseudoseo se plotados de acordo com os coeficientes empricos por ele determinados. A seo obtida,
denominada pelo autor de pseudo-seo modificada (modified pseudosection), apresenta
resultados consistentes que puderam ser checados pelos traados das curvas de isovalores,
melhorando significativamente a forma de apresentao da mesma.
A construo da pseudo-seo modificada tem como conseqncia uma sobreposio de
medidas possibilitando o alcance em profundidade sem, entretanto, causar a perda de resoluo
nas pores mais rasas da subsuperfcie. Esta talvez seja uma das maiores contribuies da
proposio de EDWARDS (1977).
BHATTACHARYA & SEN (1981) prosseguiram os estudos sobre profundidade de
investigao de diversos arranjos colineares de eletrodos, mostrando que simples transformaes
podem ser aplicadas na expresso NDIC de determinado arranjo em meio homogneo e
anisotrpico para obt-la em um semi-espao homogneo e anisotrpico. Os resultados obtidos
pelos autores sugerem ainda que o arranjo de dois eletrodos (P-P) o que apresenta o maior
valor de profundidade de investigao.
BARKER (1989), apoiado nos estudos realizados por ROY & APPARAO (1971), ROY
(1972) e EDWARDS (1977), definiu novos valores de profundidades de investigao para
alguns arranjos convencionais, que so mostrados na Tabela 6-4.
APPARAO et. al (1992) avaliaram a deteco de alvos condutivos com diferentes
arranjos, mostrando que as profundidades alcanadas pelo P-P (dois eletrodos) so

54

sistematicamente superiores aos arranjos P-D (trs eletrodos) e D-D (Wenner beta). Estes dois
ltimos apresentaram desempenhos similares, com ligeira vantagem para o primeiro.
Tabela 6-4 - Profundidades de investigao, segundo BARKER (1989).

Arranjo

Wenner
Schlumberger
Dipolo-dipolo

Profundidade

0,17xL
0,19xL
0,25xL

Seguindo a mesma linha de trabalho, agora com alvos resistivos, APPARAO et al. (1997)
concluram que a profundidade de deteco para tais alvos (mesmas formas, tamanhos e os
mesmos arranjos de eletrodos utilizados no trabalho anterior) comparativamente menor do que
para os alvos condutivos. Os autores salientam tambm que a deteco de alvos resistivos mais
difcil do que alvos condutivos, considerando-se um determinado arranjo de eletrodos.
GALLAS (2000), em um estudo de caso real voltado minerao, constatou que a
profundidade de deteco para o D-D (espaamento entre eletrodos igual a 50 metros) deve ficar
entre as profundidades de EDWARDS (1977) e HALLOF (1957). Neste estudo, o autor
exemplifica duas situaes, comprovadas por sondagens, em que isto verificado.
Observando um parmetro relacionado resistividade (voltagem primria, vp) e tambm
polarizao induzida (IP) GALLAS & VERMA (2006) e GALLAS (1990) indicam que, em
certas situaes, a profundidade de deteco dos alvos pode ser at mesmo superior
profundidade de HALLOF (1957). Tal indicao teve como base o estudo de GALLAS (1990)
que realizou uma modelagem analgica IP-resistividade em laboratrio com modelos
geomtricos (cilndricos e tabulares) porosos, utilizando os arranjos D-D, principalmente, e
Wenner.
O tema profundidade de investigao no mtodo da eletrorresistividade , de fato,
complexo, carecendo ser muito estudado e testado nas mais diversas situaes.
Para finalizar o captulo, ilustrando a complexidade do tema, tem-se um exemplo de
WARD (1990) que apresenta uma relao de 14 fatores que devem ser levados em considerao
na escolha de um arranjo (atribuindo o valor 1 no caso de extrema favorabilidade e 5 para
uma situao desfavorvel). No quesito profundidade de penetrao, o autor no estabelece
uma avaliao comparativa devido s incertezas da estimativa deste parmetro para os diversos
tipos de arranjos de eletrodos por ele avaliado.

55

IMAGEAMENTO

A busca de resoluo, resultando em melhores imagens, tem sido o grande objetivo da


geofsica aplicada, qualquer que seja o mtodo ou tcnica utilizada. A resoluo, seja vertical ou
horizontal, est diretamente ligada com a densidade de pontos de medidas nas direes X e Z.
Especificamente para o caso da eletrorresistividade, WARD (1990) analisa o desempenho
de diversos arranjos quanto resoluo, tanto lateral como vertical (Tabela 7-1).
Tabela 7-1 - Avaliao de arranjos de eletrorresistividade quanto resoluo (WARD, 1990).

Arranjo

Gradiente
D-D
P-D
Schlumberger
Wenner

Resoluo
lateral
1
2
3
4
5

Resoluo
vertical
5
2
2
1
1

1-melhor; 2-segundo melhor; 3- terceiro melhor; 4-quarto melhor; 5-pior.

Em termo de resoluo lateral o gradiente supera os demais. Na seqncia vem o D-D e o


P-D, seguidos pelo Schlumberger e Wenner. Os arranjos D-D e o P-D, bastante utilizados em
caminhamentos multinveis, fazem com que a tcnica seja reconhecidamente til no mapeamento
de estruturas e contatos verticais. A exceo o arranjo Wenner, tambm bastante utilizado na
tcnica do caminhamento.
Quanto resoluo vertical, sobressai o desempenho dos arranjos Wenner e
Schlumberger, por esta razo, muito utilizados na tcnica da sondagem eltrica vertical (SEV). O
D-D e o P-D aparecem empatados em segundo lugar, sendo que o arranjo gradiente totalmente
inadequado para a resoluo de camadas horizontais e, conseqentemente, este dispositivo
utilizado apenas para execuo de caminhamentos e no de sondagens.
Os dois pargrafos anteriores servem para introduzir uma pequena discusso sobre a
potencialidade do D-D e do P-D no mapeamento de estruturas estratificadas horizontalmente.
Segundo WARD (1990), no se pode esperar uma alta resoluo vertical destes arranjos, uma
vez que o deslocamento lateral grande (geralmente um espaamento entre dipolos). Contudo,
valores no inteiros de n podem ser utilizados, com o conseqente aumento de resoluo se o
custo/benefcio for justificvel.

56

O aumento de resoluo estar, portanto, diretamente relacionado com o aumento da


quantidade de pontos na seo e este incremento, tanto lateral (horizontal) como vertical (em
profundidade) pode ser conseguido de diversas maneiras.
Tomando por exemplo o arranjo D-D, o aumento de resoluo pode ser alcanado por
simples modificaes do tradicional sistema de aquisio dos dados. A Figura 7-1 ilustra o
procedimento onde o arranjo deslocado de meio dipolo (0,5a) durante o caminhamento. A
seo, que originalmente teria a presena apenas dos pontos em preto (aquisio tradicional),
teria sua resoluo lateral dobrada, decorrente da presena de pontos intermedirios (em
vermelho na seo) correspondentes ao avano de meio dipolo do arranjo em superfcie (Figura
7-1-a).
Se, adicionalmente, o fator de separao entre dipolos for um nmero no inteiro, por
exemplo, a (Figura 7-1-b), observa-se que a resoluo vertical tambm pode ser aumentada,
com a intercalao de pontos em profundidade (em azul) sobre a aquisio tradicional (em
destaque, na Figura 7-1-a).

a)

a
1

10

11

12

13

14

15

16

na

a na a

17

a
18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

5
6

b)

a
1

na

n = 1, 2, 3, ...
step = a/2 (meio dipolo)

a
3

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

n = 1/2 , 1 , 3/2, 2, ...


step = a/2 (meio dipolo)

Figura 7-1 - Aumento de resoluo lateral (horizontal), representado pelos pontos vermelhos e em
profundidade (vertical), representado pelos pontos em azul.
Nos dois casos o deslocamento do arranjo (D-D) igual a meio dipolo ( a).

57

O procedimento apresentado na Figura 7-1, no testado neste trabalho, pode ser de


utilidade no caso onde o objetivo seja o da identificao e mapeamento de alvos pequenos e
isolados.
A obteno de mais nveis em profundidade (e conseqentemente mais pontos na pseudoseo ao longo de z) est condicionada no somente ao fator de separao entre eletrodos (n),
mas tambm a abertura ou separao (a) dos mesmos.
A utilizao de pequenas aberturas de dipolos (iguais ou menores que 5m) encontra
aplicaes em estudos de detalhe voltados investigao rasa. Esta configurao possibilita que
sejam alcanados mais nveis de investigao em profundidade (com uma qualidade de sinal
igualmente aceitvel) se comparados com aqueles onde se utilizam dipolos com grandes
espaamentos (por exemplo, maiores que 20m) geralmente utilizados na investigao de alvos
mais profundos.
Para ilustrar o que foi dito, pode ser feita uma simples anlise do comportamento do
potencial eltrico (sinal) em um modelo de terra homognea com um valor de resistividade
eltrica constante. Simula-se a resposta obtida (diferena de potencial medida) decorrente da
injeo de uma corrente de 150mA em um meio homogneo, isotrpico e com resistividade igual
a 200 ohm.m (sem a presena de rudos), onde foi empregado, para fins comparativos, o arranjo
D-D com espaamento pequeno (2 metros) e grande (20 metros) entre dipolos (Tabela 7-2).
Tabela 7-2 - Sinal obtido (V) devido passagem de uma corrente de 150mA em um meio com
resistividade igual a 200 ohm.m, arranjo D-D e duas diferentes aberturas de dipolos: 2m e 20m.
a=AB=MN=2m

a=AB=MN=20m

NVEIS

V (mV)

V (mV)

37,7

795,8

377,0

79,6

150,8

198,9

1.508,0

19,9

377,0

79,6

3.769,9

8,0

754,0

39,8

7.539,8

4,0

1.319,5

22,7

13.194,7

2,3

2.111,2

14,2

21.111,5

1,4

3.166,7

9,5

31.667,3

0,9

4.523,9

6,6

45.238,9

0,7

6.220,4

4,8

62.203,5

0,5

10

8.293,8

3,6

82.938,0

0,4

58

Considerando que um sinal aceitvel esteja acima de 5mV (em azul, na Tabela 7-2),
observa-se que no caso do dipolo de menores dimenses possvel a execuo de at oito nveis
de investigao, enquanto para AB=MN=20m, a partir do quarto nvel o sinal j estaria abaixo
do nvel estipulado (em vermelho).
VEGA et al. (2003) utilizaram arranjo D-D com fator de separao (n) igual a 9 e 11
(eletrodos espaados de 1m e 0,5m, respectivamente) em um levantamento com objetivos rasos e
voltados contaminao por hidrocarbonetos, demonstrando a possibilidade de serem
alcanados mais de oito nveis de investigao em aquisies que utilizam pequenos
espaamentos entre eletrodos.
A utilizao de arranjos diferentes do D-D (caso do P-D e P-P, por exemplo) pode
tambm tornar vivel a execuo de mais nveis em profundidade, com a ocorrncia, pelo menos
em tese, de um sinal mais intenso em idnticas condies de campo.
Adotando-se os mesmos parmetros da simulao anteriormente realizada, apresenta-se
na Tabela 7-3 os valores tericos medidos das diferenas de potencial para os arranjos D-D, P-D
e P-P com espaamento entre eletrodos igual a 5m.
Tabela 7-3 - Comparao do nvel do sinal (V) dos arranjos D-D, P-D e P-P
(espaamento entre eletrodos igual a 5m).
D-D

AB=MN=5m

P-D

MN=5m

P-P

n.AM=5m

NVEIS

94,2

318,3

62,8

477,5

31,4

954,9

377,0

79,6

188,5

159,2

62,8

477,5

942,5

31,8

377,0

79,6

94,2

318,3

1.885,0

15,9

628,3

47,7

125,7

238,7

3.298,7

9,1

942,5

31,8

157,1

191,0

5.277,9

5,7

1.319,5

22,7

188,5

159,2

7.916,8

3,8

1.759,3

17,1

219,9

136,4

11.309,7

2,7

2.261,9

13,3

251,3

119,4

15.550,9

1,9

2.827,4

10,6

282,7

106,1

10

20.734,5

1,4

3.455,8

8,7

314,2

95,5

11

26.954,9

1,1

4.146,9

7,2

345,6

86,8

12

34.306,2

0,9

4.900,9

6,1

377,0

79,6

13

42.882,7

0,7

5.717,7

5,2

408,4

73,5

14

52.778,8

0,6

6.597,3

4,5

439,8

68,2

15

64.088,5

0,5

7.539,8

4,0

471,2

63,7

59

Nestas condies, para obteno de um sinal acima de 5mV (em azul) e mais de 6 nveis
de investigao, seria necessria a utilizao do arranjo P-D ou mesmo o P-P.
O aumento de resoluo com o objetivo de se obter uma imagem com qualidade pode ser
obtido valendo-se da tcnica de sobreposio de dados utilizando-se diferentes combinaes de
a e n para qualquer que seja o arranjo utilizado (D-D, P-D etc.), conforme as idias
introduzidas por EDWARDS (1977). Este procedimento pode ser uma forma de melhoria na
qualidade dos dados, particularmente em reas complexas ou ruidosas. HACK (2000) denomina
esta tcnica de high-resolution electrical with overlapping data levels.
A Figura 7-2 apresenta o sistema misto de plotagem em uma pseudo-seo modificada,
onde foram realizados caminhamentos D-D com trs aberturas distintas entre eletrodos, sobre o
mesmo perfil de 40m levantamento (a=AB=MN=4m, 2m e 1m). A plotagem dos pontos adotou
os coeficientes empricos de EDWARDS (op cit.).
DISTNCIA (m)
2

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7

38

40
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7

AB=MN=1m, 8 nveis

AB=MN=2m, 8 nveis

P R O F U N D ID A D E

P R O F U N D ID A D E

AB=MN=4m, 6 nveis

Figura 7-2 - Pseudo-seo modificada (AB=MN=4m, 2m e 1m).

Observa-se a perda de resoluo com a profundidade. Nas pores mais rasas, entretanto,
tem-se uma maior densidade de dados e, conseqentemente, uma melhor definio.
Esta caracterstica (raso, maior resoluo; profundo, menor resoluo) inerente a todo e
qualquer mtodo geofsico, independente da propriedade fsica que investigue. Com o mtodo da
eletrorresistividade, tambm no poderia ser diferente. Seguindo um exemplo de aplicao do
GPR (Ground Penetrating Radar), onde em uma rea de levantamento recomendvel (nem
sempre possvel devido a fatores custo, tempo etc.) o levantamento de um mesmo perfil com
antenas de distintas freqncias, um perfil de caminhamento poderia, ressalvados os mesmos
fatores, ser realizado com distintos espaamentos entre eletrodos.

60

Primeiramente, porque, no caso do GPR, existe sempre uma incerteza quanto ao melhor
parmetro a ser escolhido (no caso do caminhamento D-D, o espaamento a=AB=MN a ser
utilizado) no compromisso resoluo/penetrao. Em segundo lugar, com a construo de uma
pseudo-seo modificada e posterior inverso dos dados, possvel a obteno de maiores
detalhes de estruturas/feies menores e mais rasas, assim como alcanar profundidades nem
sempre atingidas pelos levantamentos.
Nesta analogia com os mtodos eletromagnticos, a abertura entre dipolos (a) estaria
relacionada freqncia (maior freqncia menor penetrao maior detalhe), onde um
pequeno espaamento garante resoluo sem penetrao em contraposio de uma abertura
maior, onde podem ser alcanadas maiores profundidades com perda de resoluo. o
conhecido trade-off, intrnseco a qualquer mtodo geofsico.
Supondo uma situao prtica onde se deseja mapear por eletrorresistividade tanto uma
pluma de contaminao existente a pouca profundidade como um topo rochoso situado a uma
profundidade maior, a utilizao de pequeno espaamento entre eletrodos no atenderia
necessidade de mapear-se o topo profundo, assim como a adoo de um espaamento maior
poderia no fornecer a resoluo suficiente para mapear a pluma de contaminao rasa. Neste
caso, a utilizao de distintas aberturas entre eletrodos em um mesmo perfil de levantamento
poderia atender o mapeamento dos dois diferentes alvos.
A aquisio de forma otimizada e racional de expressiva quantidade de dados, buscandose resoluo para um eficiente imageamento da subsuperfcie, viabiliza-se sobremaneira com o
emprego de sistemas automatizados multieletrodos.
7.1

Sistemas automatizados de aquisio

A idia de se usar cabos multieletrodos no nova. BARKER (1981) relata o emprego


destes dispositivos em trabalho por ele realizado (sondagem e caminhamento) utilizando os mais
diversos arranjos, sendo que o Wenner, por questes geomtricas, tinha a preferncia do autor.
plenamente sabida a necessidade de suficiente densidade de dados para o imageamento
de estruturas complexas ou para o alcance de nveis de resoluo desejveis. Isto pode ser
conseguido de uma forma vivel utilizando-se sistemas automatizados de aquisio de dados.
Entretanto devem ser consideradas algumas observaes acerca destes procedimentos, cuja
tendncia de utilizao tender a crescer nos prximos anos.

61

Quanto maior a quantidade de dados, maior a necessidade de controle sobre o rudo


presente nos mesmos. Ilustrando este fato crtico, pode ser citado como exemplo um protocolo
empregado em sistemas automatizados com o arranjo D-D (propositalmente considerado, por ser
bastante ruidoso se comparado com o arranjo Wenner) e espaamento entre eletrodos igual a 5m.
A aquisio dos dados contempla os seis nveis iniciais com abertura igual a 5m (n=1..6). Para o
alcance de maiores profundidades so consideradas aberturas mltiplas de 5m (10m e 15m) e
nveis correspondentes a n=3,4,5 e 6. Ou seja, evita-se a coleta de dados com fator de separao
entre dipolos, n, maior que 6, onde os rudos, certamente ocorrero de forma mais intensa,
poupando o operador de campo de um controle rigoroso sobre todos os dados adquiridos em
campo.
A aquisio de elevada quantidade de dados, independente do arranjo utilizado, prtica
sempre bem-vinda na busca de resoluo. Entretanto, deve ser novamente salientado que um
volume grande de dados pode acarretar dificuldades para se alcanar um bom ajuste dos mesmos
no processo da inverso, alm da possibilidade de se criar mais artefatos no modelo (ZHOU &
DAHLIN, 2003).
Muitas vezes, quando a prioridade minimizar o tempo de aquisio em campo e
aumento de produtividade, escolhido um determinado tipo de arranjo para a coleta de dados,
no necessariamente o mais adequado para determinado objetivo. Pode ser citada, por exemplo,
a escolha indiscriminada do arranjo Wenner em detrimento do D-D, pois o primeiro requer um
nmero menor de medidas ao longo do perfil a ser levantado, se comparado ao D-D.
Outro ponto a ser observado o espaamento entre conexes de alguns cabos
multieletrodos (igual ou menor que 10 metros), o que pode limitar ou mesmo impossibilitar a
utilizao destes dispositivos quando o objetivo da investigao for muito profundo.
Aproveitando-se da capacidade de sistemas multieletrodos, STUMMER et al. (2004)
sugerem que os dados podem ser adquiridos combinando-se todas as possibilidades com quatro
eletrodos no momento da medida.
Em um sistema contendo n eletrodos colineares e igualmente espaados, existe um total
de nd possveis configuraes, desconsiderando as medidas recprocas, envolvendo 4 pontos
(NOEL & XU, 1991):
n d = n (n 1) (n 2)

(n 3)
8

(eq.7.1-1)

62

Estas configuraes englobam todos os arranjos convencionais e no convencionais,


resultando em volume de dados que, a princpio, contm toda a informao em subsuperfcie que
o conjunto de n-eletrodos capaz de fornecer. STUMMER et al. (2004) denominaram de
comprehensive data set ao conjunto de dados adquiridos de tal maneira e mostraram que a
imagem geoeltrica obtida do processamento acentuadamente superior, podendo funcionar
como gabarito no critrio de comparao com as imagens derivadas dos demais arranjos, D-D
e Wenner (Figura 7.1-1).

Figura 7.1-1 - a) Modelo proposto. Respostas do modelo utilizando 30 eletrodos espaados de 5m em:
b) Compreensive data set (51.373 pontos); c) Wenner (135 pontos);
d) D-D (147 pontos); e) Wenner e D-D combinados (282 pontos).

A desvantagem de tal procedimento o elevado volume de dados obtidos. Ilustrando,


com 30 eletrodos seriam gerados 82.215 pontos de medida utilizando a aquisio
comprehensive. Para garantir a estabilidade na inverso dos dados, os autores sugerem que
sejam excludas configuraes onde ocorre o cruzamento de posies entre eletrodos de corrente

63

e potencial (Wenner , por exemplo) e aquelas onde o fator geomtrico seja superior a 5.500m.
Utilizando tal critrio, os 82.215 pontos (arranjo de 30 eletrodos) reduzem-se a 51.373 pontos,
como mostrado na Figura 7.1-1.
Este valor de corte estipulado por STUMMER et al. (2004) corresponde ao fator de
separao igual a seis para o arranjo D-D com espaamento de 5m e est em plena concordncia
com a simulao apresentada na Tabela 7-2, onde se admitiu um valor mnimo aceitvel de sinal
igual a 5mV, considerando-se os parmetros ali definidos.
Obviamente, o procedimento descrito pelo autor no pode ser realizado na prtica por
questes logsticas. Entretanto, a utilizao de dois ou mais tipos de arranjos em um mesmo
perfil de levantamento prtica que deve ser efetivada, valendo-se da capacidade dos
equipamentos multieletrodos e dos benefcios que podero ser obtidos na etapa de
processamento de dados (escolha do arranjo que forneceu melhores resultados, inverso conjunta
contemplando dois distintos arranjos etc.).
Para finalizar o captulo, cita-se um conceito diferente de aquisio multieletrodo que
aquele que utiliza cabo rebocado por algum tipo de veculo ou mesmo uma pessoa. A vantagem
deste tipo de sistema a extrema rapidez com que o levantamento pode ser realizado e a alta
resoluo lateral que o mesmo oferece. A desvantagem fica por conta da baixa penetrao
alcanada (DAHLIN, 2001). PANISSOD et al. (1998) apresentam um sistema de aquisio onde
as rodas de uma carreta rebocada por um veculo funcionam como eletrodos. Tal dispositivo
encontra aplicaes em arqueologia e no mapeamento de solo para fins agrcolas.

64

INVERSO GEOFSICA

Neste captulo, sero abordados alguns tpicos relacionados inverso de dados


geofsicos. Inicialmente ser feita uma reviso de conceitos gerais e, posteriormente, analisados
os procedimentos de inverso 1D, 2D e o mtodo de inverso por mnimos quadrados com
vnculo de suavidade (smoothness constrained least-square method) no qual o software
RES2DINV baseia-se. Finalmente, sero abordados alguns tpicos relativos aos parmetros que
comumente so utilizados nos processos de inverso.
8.1

Generalidades

A inverso geofsica pode ser definida como o processo matemtico que determina um
modelo idealizado de subsuperfcie com base em um conjunto finito de dados observados, cuja
resposta esteja em concordncia com estes valores medidos.
Trs conceitos fundamentais devem ser assimilados: o de modelo; o de parmetros do
modelo e o da resposta associada ao modelo.
O modelo consiste em um conjunto de relaes que representam uma abstrao
matemtica particular de um processo observado. expresso pela distribuio da(s)
propriedade(s) fsica(s) investigada(s) (por exemplo, resistividade eltrica, velocidade de
propagao de onda ssmica etc.) e procura reconstituir as feies geolgicas, de forma a
descrever adequadamente o conjunto de dados observados.
As equaes relacionadas a este modelo dependem, por sua vez, de um determinado
nmero de parmetros, os quais se desejam determinar a partir dos dados observados. A resposta
do modelo consiste nos dados sintticos produzidos pelo mesmo, podendo ser tanto uma funo
linear como uma no linear dos parmetros do modelo.
O objetivo da inverso geofsica ser, portanto, a determinao dos parmetros do
modelo a partir de uma tentativa de ajuste da resposta do modelo aos dados observados, dentro
de um limite de erro pr-estabelecido. Como os dados geofsicos reais so sempre
numericamente finitos, sendo que neles sempre estaro presentes componentes que no podem
ser explicadas em termos geolgicos, a inverso nunca poder ser nica. Ou seja, mais de uma
soluo ir satisfazer as observaes.

65

O processo de inverso est intimamente ligado ao conceito do modelamento direto, ou


seja, aquele que procura determinar o conjunto de dados gerados a partir de uma configurao da
subsuperfcie (modelo) com base em processos regidos por leis fsicas.
O dado obtido em campo (medida) e a resposta terica do modelo so comparados por
intermdio de algoritmos de otimizao que procuram minimizar as diferenas entre o observado
e o calculado. Muitos destes algoritmos requerem a prvia escolha de um modelo de parmetros,
a partir do qual estabelecida a resposta do modelo (modelo inicial). No passo seguinte, o
algoritmo de otimizao ir produzir um novo modelo, resultando nova resposta que se ajustar
cada vez melhor ao conjunto de dados medidos. Se de fato ocorrer este processo, dito que o
mesmo converge para uma soluo.
Quando a resposta do modelo for uma funo no linear dos parmetros (caso dos
mtodos eltricos, por exemplo) os clculos devem ser feitos de forma iterativa. Assim sendo, o
problema no linear resolvido pela aplicao iterativa do algoritmo de otimizao e, para que a
convergncia ocorra, o modelo inicial deve ser escolhido de forma que esteja prximo da soluo
verdadeira. Em problemas no lineares, portanto, necessria a existncia de um modelo inicial
para o processo de inverso.
O modelamento direto pode ser descrito como uma transformao T, do tipo F=T(x),
onde x um vetor contendo o conjunto de parmetros do modelo da subsuperfcie e F a
resposta deste modelo. A transformao T, que ir matematicamente descrever o processo
fsico observado, conforme visto, poder ser linear ou no linear.
J o processo inverso poder ser descrito como x=T-1 (y) onde y o vetor contendo os
dados observados (medidas de campo) e x o vetor contendo o conjunto dos parmetros do
modelo estimados (calculados). T-1 uma transformao inversa. O julgamento se o resultado de
uma inverso faz ou no sentido cabe interpretao, ou mais precisamente, ao geofsico
intrprete. Aps a escolha do modelo T, podero surgir os seguintes problemas:
a) possvel que T-1 seja indeterminado.
b) os dados sempre estaro contaminados por rudos.
c) mais do que um modelo de subsuperfcie poder satisfazer os dados observados.
Ou seja, o problema geofsico inverso mal-posto. Um problema mal-posto aquele em
que o intrprete demanda uma quantidade de informao maior que aquela contida nos dados. A
tentativa de se resolver um problema deste tipo despropositada, uma vez que a soluo ou no
existe (a), ou no estvel (b), ou no nica (c). Em um problema mal posto, a soluo no

66

obedece a pelo menos uma das condies anteriores: existncia, estabilidade e unicidade.
JAKSON (apud TREITEL & LINES, 2001) descreve a inverso como a interpretao de dados
imprecisos, insuficientes e inconsistentes.
Para transformar um problema mal-posto em um problema bem-posto, h somente duas
abordagens efetivas: reduzir a demanda de informao ou introduzir informaes a priori. O
problema geofsico inverso vem sendo transformado em um problema bem-posto atravs de
estabilizadores puramente matemticos que introduzem, implicitamente, alguma forma de
informao a priori.
Antes de introduzir a conceituao relativa inverso de dados 2D, ser feita uma breve
reviso da inverso 1D que, em menor grau, tambm foi utilizada na tese (no processamento dos
dados das SEVs).
8.2

Inverso 1D de dados de eletrorresistividade

A inverso de dados de uma sondagem eltrica vertical (SEV) assume um modelo de


terra unidimensional (1D) para determinao dos parmetros do modelo, quais sejam:
resistividade verdadeira e espessura da camada. Assume-se, implicitamente, um meio planoestratificado, formado por camadas horizontais lateralmente infinitas, homogneas e isotrpicas,
onde a resistividade eltrica varia apenas com a profundidade. Esta suposio torna o processo
relativamente simples graas no complexidade do modelo e, como conseqncia, numerosos
programas de inverso esto disponveis, exigindo nfima capacidade computacional para
execut-los.
Tcnicas de inverso na interpretao de sondagens eltricas utilizando modelos 1D
foram desenvolvidas por INMAN et al. (1973) e INMAN (1975), tornando-se uma metodologia
padro. Alm das tcnicas por aproximao (ajuste de curvas e o mtodo do ponto auxiliar), os
mtodos de interpretao podem ser classificados em dois grandes grupos (KOEFOED, apud
BASOKUR, 1990):
a) interpretao iterativa;
b) mtodos de interpretao direta.
A interpretao iterativa, largamente difundida e utilizada graas ao advento dos
computadores, baseia-se no ajuste pelo critrio dos mnimos quadrados entre as medidas de
campo (dados reais) e a resposta do modelo (dados tericos). O processo iniciado pelo clculo

67

da resposta terica do modelo inicial fornecido pelo usurio que ento comparada com as
medidas de campo. O procedimento repetido um determinado nmero de vezes, at que seja
alcanada uma concordncia satisfatria entre os dois conjuntos de dados. A soluo e a
velocidade de convergncia do processo dependem da escolha do modelo inicial.
No mtodo de interpretao direta, que se baseia na funo transformada da resistividade
(RT), o modelo inicial necessrio para as iteraes subseqentes, no precisa ser fornecido pelo
usurio (BASOKUR, 1990). Na interpretao assume-se um nmero no muito elevado de
camadas, geralmente inferior a seis.
ZHODY (1989) prope um mtodo automtico para interpretao de curvas de sondagem
eltrica (arranjos Schlumberger e Wenner), onde o nmero de camadas do modelo igual ao
nmero de pontos na curva de sondagem. Com esta estratgia, o modelo sobreparametrizado
torna-se obrigatoriamente suavizado.
A chance de obteno de melhores resultados de aplicao da tcnica da sondagem
eltrica vertical (e na interpretao dos resultados) encontra-se em ambientes sedimentares, onde
a geologia mais conforme ou, de modo geral, em terrenos que se apresentem geoeletricamente
estratificados horizontalmente.
Comumente ocorre a no coincidncia entre estratos geolgicos e estratos geoeltricos,
ou seja, vrias unidades litolgicas podem corresponder a uma nica camada geoeltrica, assim
como podem ser verificadas diversas unidades geoeltricas em uma nica litologia, sendo esta
diferenciao geralmente definida pelo contedo de gua da formao.
8.3

Inverso 2D de dados de eletrorresistividade

Antes da existncia de programas capazes de inverter dados de eletrorresistividade 2D, a


interpretao baseava-se apenas no dado de campo apresentado sob a forma de pseudo-sees de
resistividade eltrica aparente. Ou seja, a interpretao de uma seo de caminhamento era
realizada de uma forma simplesmente qualitativa, valendo-se da experincia do geofsico
intrprete para o correto posicionamento das anomalias observadas.
Entretanto, apesar destas limitaes, interpretaes puramente qualitativas vinham sendo
empregadas com relativo sucesso na aplicao da tcnica em minerao e prospeco de gua
subterrnea em aqferos fissurados. Atualmente j se encontram disponveis vrios softwares
para inverso dos dados, possibilitando uma interpretao quantitativa dos mesmos.

68

Esta evoluo acompanha o prprio desenvolvimento de hardware, onde mquinas


potentes e a preos acessveis so capazes de manipular um grande nmero de informaes, alm
da Internet que disponibiliza ao usurio o emprego de vrios programas para livre utilizao. A
inverso dos dados pode, a princpio, corrigir as distores observadas nas pseudo-sees, e
fornecer valores mais exatos das profundidades e das resistividades eltricas em subsuperfcie.
PELTON et al. (1978) apresentam um algoritmo de inverso 2D de dados de
eletrorresistividade utilizando a tcnica de ridge regression. Uma outra tcnica comumente
utilizada para inverso de dados 2D e 3D o mtodo de otimizao por mnimos quadrados
regularizado (SASAKI, 1989; deGROOT-HEDLIN & CONSTABLE, 1990; OLDENBURG &
LI, 1994; LOKE & BARKER, 1996a). O mtodo permite a incluso de informaes disponveis
de subsuperfcie como restritivas no procedimento de inverso dos dados, objetivando maior
consonncia com a realidade geolgica. ELLIS & OLDENBURG (1994) chamam a ateno para
a importncia da informao a priori na soluo do problema geofsico inverso.
Os softwares rotineiramente empregados para inverso 2D podem ser classificados em
dois principais grupos: os de inverso por polgonos e os de inverso por suavizao
(OLAYINKA & YARAMANCI, 2002).
A inverso por polgonos, conhecida por true polygon inversion ou block inversion
(OLAYINKA & YARAMANCI, 2000b), utiliza algoritmos que empregam polgonos para a
representao de corpos ou camadas, constituindo elementos geomtricos cada qual com um
valor de resistividade constante. Exige, desta forma, a construo de um modelo geolgico
inicial por parte do usurio. O RESIX IP2DI (Interpex) um exemplo de programa comercial
que utiliza algoritmo com estas caractersticas.
A inverso por suavizao, tambm conhecida por smooth inversion utiliza algoritmos
baseados em um esquema de clulas. A inverso pode ser efetuada sem que o usurio entre com
um modelo geolgico inicial constituindo, desta forma, um processo automtico de
imageamento. Um exemplo de programa que utiliza um algoritmo deste tipo o RES2DINV
(GEOTOMO SOFTWARE, 2004). O modelo por suavizao, gerado de forma automatizada,
pode auxiliar na construo do modelo inicial que o processo de inverso por polgonos
necessita, recurso utilizado pelo programa RESIX IP2DI.
So abordados neste captulo, de uma forma mais aprofundada, alguns tpicos do
processo de inverso 2D. Para o entendimento da conceituao matemtica relativa rotina de

69

inverso na qual se baseia o programa RES2DINV (smoothness-constrained least-squares


method, ou mtodo de mnimos quadrados com vnculo de suavidade), faz-se necessria uma

reviso dos fundamentos acerca do mtodo de mnimos quadrados. Em seguida, ser abordada a
estratgia de soluo com vnculo de suavidade. Finalmente, sero tratados alguns tpicos
especficos do processo de inverso, com nfase no programa RES2DINV, aprofundando o
conhecimento do software que foi utilizado para o desenvolvimento da tese.
8.4

Inverso 3D de dados de eletrorresistividade

Em um modelo 3D assume-se que a variao de resistividade ocorra nas trs direes X,


Y e Z (ao longo do perfil, transversal a este e em profundidade). a situao que mais se
aproxima da realidade geolgica.
Encontram-se na literatura diversos trabalhos relacionados inverso e modelamento 3D
de dados de resistividade (PARK & VAN, 1991; SASAKI, 1994; ZHANG et al., 1995; ZHAO &
YEDLIN, 1996; LOKE & BARKER, 1996b; JACKSON et al., 2001; DAHLIN et al., 2002),
assunto que no ser abordado em profundidade nesta tese.
Entretanto, deve ser salientada uma observao do trabalho de SASAKI (op cit.) que fez
uma anlise da distribuio de sensitividade calculada para o arranjo D-D em um semi-espao
3D. O autor observa que o padro simtrico em torno do eixo conectando os eletrodos. Isto
significa que a contribuio, para a resposta total, de um elemento de volume enterrado igual
contribuio de um elemento superficial, se este tiver a mesma distncia da linha entre eletrodos.
Em outras palavras, uma precisa caracterizao de estruturas em subsuperfcie requer que o
levantamento 3D seja realizado, por exemplo, com mltiplos perfis paralelos entre si.
8.5

Mtodo de inverso por mnimos quadrados com vnculo de suavidade


(smoothness constrained least-square method).

A estratgia bsica de resoluo do problema de mnimos quadrados minimizar a soma


dos quadrados dos erros entre a resposta do modelo e as observaes.
Consideremos n dados observados (por exemplo, resistividade aparente) sendo
representados pelo seguinte vetor:
d = (d1, d2, ... , dn)

(eq.8.5-1)

e as respostas do modelo pelo vetor


y = (y1, y2, ... , yn)

(eq.8.5-2).

70

Seja p o vetor que representa os m parmetros do modelo (por exemplo, resistividade


dos blocos).
p = (p1, p2, ... , pm)

(eq.8.5-3).

Seja p 0j uma estimativa inicial do parmetro pj, (j=1, ... , m) e y0, a resposta do modelo
inicial. Se a resposta do modelo, y, uma funo linear dos parmetros, uma perturbao da
resposta do modelo em torno de p0 pode ser representada pela expanso de Taylor de primeira
ordem:
m

y = y0 +
j=1

y
|p=p0 (p j p 0j )
p j

(eq.8.5-4)

ou em notao matricial,
y = y0 + J,

(eq.8.5-5)

onde J uma matriz de derivadas parciais de y com relao a cada um dos parmetros do
modelo (pj). Esta matriz de dimenso n x m denominada de Jacobiana e seus elementos so
dados por:
J ij =

y i
p j

(eq.8.5-6).

O vetor = p - p0 a diferena de parmetros, com os elementos j representando as


alteraes ou perturbaes no parmetro pj, ou seja:
j = p j p 0j

(eq.8.5-7).

j = 1, ..., m

A escolha das perturbaes em p ser feita de tal forma a minimizar a soma dos
quadrados dos erros entre a resposta do modelo (y) e o dado medido (d), que sempre estar
associado com erros observacionais. Portanto, a relao entre estas duas grandezas deve levar em
considerao este erro, representado pelo vetor e (expressando a diferena entre a resposta do
modelo e o dado observado):
d-y=e

(eq.8.5-8).

Combinando as eqs.(8.5-5) com (8.5-8) teremos:


d - (y0 + J) = e

(eq.8.5-9)

ou
d - y0 = J + e

(eq.8.5-10).

71

O vetor d - y0, que contm as diferenas entre a resposta do modelo inicial e o dado
observado, chamado de vetor de discrepncia (g), ou seja:
g = d - y0

(eq.8.5-11)

e = g - J

(eq.8.5-12).

e, portanto:

Da eq.(8.5-12), procura-se determinar . Comumente, o nmero de dados coletados


excede o nmero de parmetros do modelo, ou seja, estamos diante de um problema
sobredeterminado. Aplica-se ento o mtodo de mnimos quadrados para a soluo do mesmo.
Na mais simples aproximao por mnimos quadrados (Gauss-Newton), procura-se
minimizar o erro quadrtico cumulativo S = eTe com relao ao vetor . Ento, de (8.5-12)
obtemos:
S = eTe = (g - J)T(g - J)

(eq.8.5-13).

A minimizao do erro S em relao implica que


S
=0

(eq.8.5-14).

Substituindo (8.5-14) em (8.5-13) e aplicando algumas identidades matriciais, teremos:


T T
( J J g T J T J T g + g T g) = 0

(eq.8.5-15).

Diferenciando em relao a , obtemos as denominadas equaes normais


JTJ = JTg

(eq.8.5-16)

cuja soluo para o vetor de perturbaes do parmetro, , dada por


= (JTJ)-1 JTg

(eq.8.5-17)

tambm conhecida como soluo de Gauss-Newton ou soluo por mnimos quadrados sem
vnculo (unconstrained least-squares solution), que apresenta algumas limitaes e
propriedades indesejveis quanto estabilidade e convergncia.
Para contornar estas dificuldades, LEVENBERG (apud LINES & TREITEL, 1984)
sugere um mtodo de mnimos quadrados amortecido (damped least squares), idia
posteriormente utilizada por MARQUARDT (apud LINES & TREITEL, 1984) no

72

desenvolvimento de um algoritmo no linear. Esta tcnica, denominada de ridge regression ou


mtodo de Marquardt-Levenberg, tornou-se um procedimento de inverso muito utilizado pela
comunidade geofsica. Esta condio restritiva tem por finalidade a suavizao do vetor
atualizao dos parmetros, , visando a estabilidade da soluo.
A soluo de mnimos quadrados com vnculo de suavidade se d pela resoluo do
problema do multiplicador de Lagrange, no qual eTe minimizado e sujeito a uma restrio dada
por:

T = 02

(eq.8.5-18).

Ou seja, a soma dos quadrados dos elementos do vetor atualizao dos parmetros, , est
limitada por um valor constante ( 02 ). Desta forma, estima-se que minimize a funo S (,)
dada por
S(, ) = e T e + ( T 02 )

(eq.8.5-19)

onde um multiplicador de Lagrange.


Diferenciando em relao ao vetor , obtm-se uma soluo modificada das equaes
normais apresentadas em (8.5-16):
(JTJ + I) = JTg

(eq.8.5-20)

cuja soluo para dada por


= (JTJ + I)-1 JTg

(eq.8.5-21).

Nestas equaes, I uma matriz identidade (m x m) e o multiplicador de Lagrange, ,


denominado fator de amortecimento (damping factor), pois este efetivamente amortece as
variaes do vetor de parmetros (p), limitando a energia no vetor discrepncia de parmetros
(). A eq.(8.5-21) conhecida, portanto, como soluo de mnimos quadrados amortecida
(damped least-squares solution).
Uma das principais vantagens do mtodo de inverso por mnimos quadrados a sua
aplicao em quase todos os problemas que exijam a construo de um modelo. Geralmente, a
soluo do problema direto (que transforma um conjunto de parmetros do modelo em um
conjunto de dados sintticos) simples, procedendo-se posteriormente no sentido contrrio,
resolvendo o problema inverso.

73

Achado um mtodo que encontre a resposta do modelo, y, a partir de um conjunto de


parmetros, p, deve-se calcular a matriz Jacobiana de derivadas parciais yi/pj. Estas derivadas
podem ser resolvidas por diferenciao formal se o modelo for suficientemente simples. Em
outros casos, as derivadas parciais podem ser aproximadas por diferenas finitas. Esta ltima
alternativa pode ser computacionalmente dispendiosa. Alternativamente, pode-se recorrer a
alguns mtodos especiais para determinao das derivadas parciais. Independente destas
dificuldades, o modelamento iterativo por mnimos quadrados bastante verstil e pode ser
adotado para uma srie de problemas geofsicos inversos.
A classe dos problemas inversos lineares particularmente simples. Contudo, problemas
no lineares (caso dos mtodos eltricos) so sempre resolvidos procedendo-se com
aproximaes que os reduzam localmente a problemas lineares (PARKER, 1977). Podem ser
solucionados atravs de sucessivas aproximaes, utilizando um mtodo linear de mnimos
quadrados. Esta estratgia padro adotada na inverso geofsica denominada de linearizao.
Para finalizar o desenvolvimento matemtico, ser introduzido o conceito de
rugosidade. A magnitude aproximada da rugosidade da variao espacial na resistividade em
torno de cada bloco definida da seguinte forma (SASAKI, 1989):
N
S
p,j = j (p Ej + p W
j 4p j + p j + p j )

j=1,2,...m

(eq.8.5-22)

onde os ndices E, W, S e N referem-se s quatro vizinhanas imediatas do j-simo bloco e j


representa o fator gradiente-amplificador. O termo entre parnteses da equao anterior funciona
como uma medida da rugosidade da funo contnua. A eq.(8.5-22) pode ser reescrita na
seguinte forma matricial:
p=Cp

(eq.8.5-23).

A matriz C (m x m), cujos coeficientes so j, -4j, ou 0, desempenha o papel de um


filtro de rugosidade sobre . A rugosidade total do modelo pode ento ser definida como:
2 = (C)T(C)

(eq.8.5-24).

Minimizando a rugosidade total 2, sujeita restrio que 1 seja uma constante


conhecida, requer a minimizao da seguinte funo objetiva:
= 2 + -1(1 - constante)

(eq.8.5-25).

Ento o mtodo dos multiplicadores de Lagrange produz:

74

(JTJ + CTC) = JTg

(eq.8.5-26).

A eq.(8.5-26) exatamente a eq.(8.5-21) substituindo simplesmente a matriz identidade I


pela matriz CTC. Esta a equao utilizada no mtodo de inverso 2D por mnimos quadrados
com vnculo de suavidade, cuja soluo ser dada por:
=(JTJ + CTC)-1 JTg

(eq.8.5-27)

No caso dos mtodos eltricos, a inverso tem por meta a determinao da distribuio da
resistividade em subsuperfcie determinando-se o potencial eltrico a partir de um conjunto de
eletrodos de corrente posicionados na superfcie do terreno. O objetivo minimizar a diferena
entre os valores de resistividade eltrica aparente medidos e calculados, visando a determinao
do valor da resistividade de cada bloco retangular do modelo 2D. Uma sntese da aproximao
iterativa por mnimos quadrados na inverso geofsica ser descrita a seguir.
As mudanas de parmetros, , a partir da resposta do modelo inicial so determinadas
pela eq.(8.5-27). Obtm-se ento a atualizao do conjunto dos parmetros que so usados para
estimar uma nova resposta do modelo. Em cada etapa, a soma do quadrado do erro entre a
resposta do modelo e as medidas (dados observados) monitorada. A busca iterativa da
estimativa dos parmetros termina quando o erro quadrtico ou a variao relativa deste torna-se
menor do que um valor pr-estabelecido. Satisfeito este critrio de convergncia, pode-se dizer
que os parmetros geofsicos estimados produziram um modelo em conformidade com os dados
observados, dentro das especificaes estabelecidas.
Contudo, a no unicidade da soluo nos permite afirmar que uma boa concordncia
entre o modelo e as observaes no necessariamente garante que a soluo correta tenha sido
encontrada.

75

8.6

Tpicos referentes ao processo de inverso


Sero discutidos a seguir alguns tpicos especficos do processo de inverso, muitos deles

utilizados no programa RES2DINV.


8.6.1

Modelo inicial
Como visto anteriormente, a inverso de dados 2D de eletrorresistividade, sendo um

problema no linear, necessita de um modelo inicial para o processo iterativo. Um modelo de


terra homognea constitui a mais simples suposio que pode ser utilizada como modelo inicial
(LOKE & BARKER, 1995).
O software RES2DINV utiliza este recurso, no necessitando da entrada de um modelo
inicial por parte do usurio. O modelo determinado automaticamente, considerando um semiespao homogneo com resistividade constante e igual mdia dos logaritmos dos valores das
resistividades aparentes da pseudo-seo. Isto constitui uma limitao dos processos
automatizados de inverso 2D.
Teoricamente, no haveria maiores problemas em ambientes onde as variaes de
resistividade so pequenas, pois o modelo inicial apresenta um valor de partida prximo aos
valores medidos em geral, acarretando um pequeno erro de ajuste por mnimos quadrados no
modelo final (Figura 8.6.1-1).
Caso contrrio, em ambientes onde ocorram grandes variaes das resistividades, o
modelo inicial exibe uma discrepncia maior com os valores extremos das resistividades
medidas, e o modelo final apresenta um erro de ajuste maior (Figura 8.6.1-2).

76

PSEUDO-SEO DE RESISTIVIDADE APARENTE


DISTNCIA (m)
2

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

-1.5
-2.5
-3.5
-4.5

-1.5
-2.5
-3.5
-4.5

MXIMO = 244 ohm.m


MNIMO = 48 ohm.m
MDIA = 136 ohm.m
contraste = 5 X

ESCALA CROMTICA DE RESISTIVIDADE APARENTE (ohm.m)

20

40

60

80

100

120

140

160

180

profundidade
terica (m)

profundidade
terica (m)

200

MODELO INICIAL (TERRA HOMOGNEA)


DISTNCIA (m)
2

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

-1.5
-2.5
-3.5
-4.5

-1.5
-2.5
-3.5
-4.5

profundidade
terica (m)

profundidade
terica (m)

MODELO FINAL

Figura 8.6.1-1 - Dado de campo (acima), modelo inicial (meio) e modelo final (abaixo)
de um conjunto de dados com pequena variao de resistividade aparente.
PSEUDO-SEO DE RESISTIVIDADE APARENTE
40

60

80

100

120

140

160

DISTNCIA (m)
180

200

220

240

260

280

300

320

360

380

400

420

440

460

-10
-15
-20
-25
-30

480

-10
-15
-20
-25
-30
ESCALA CROMTICA DE RESISTIVIDADE APARENTE (ohm.m)

200 400 600 800 1000 1200 1400 1600

MODELO INICIAL (TERRA HOMOGNEA)


0

profundidade
terica (m)

340

20

-10
-15
-20
-25
-30

40

60

80

100

120

profundidade
terica (m)

20

MXIMO = 1987 ohm.m


MNIMO =
98 ohm.m
MDIA =
595 ohm.m
contraste = 20 X

DISTNCIA (m)
140

160

180

200

220

240

260

280

300

320

340

360

380

400

420

440

460

480

-10
-15
-20
-25
-30

profundidade
terica (m)

profundidade
terica (m)

MODELO FINAL

Figura 8.6.1-2 - Dado de campo (acima), modelo inicial (meio) e modelo final (abaixo)
de um conjunto de dados com grande variao de resistividade aparente.

77

A partir deste modelo de terra homognea, os valores de derivadas parciais da matriz


Jacobiana podem ser calculados analiticamente. Depois de cada iterao, a matriz estimada
utilizando uma equao de atualizao. Quanto maior for o contraste de resistividades do
modelo, maior ser a diferena entre a matriz estimada e a verdadeira.
8.6.2 Restries aplicadas ao mtodo de inverso
Dois diferentes tipos de restrio podem ser aplicados ao mtodo de inverso por
mnimos quadrados: o mtodo por vnculo de suavidade da norma L2 e a inverso que minimiza
a norma L1. Para designao desta ltima, utilizaremos a expresso inverso robusta,
diferenciando-se da primeira, que minimiza a norma L2 e que chamaremos a partir de agora de
inverso por vnculo de suavidade.
A inverso por vnculo de suavidade procura um modelo suavizado que minimiza a soma
do quadrado das variaes espaciais do modelo de resistividade (rugosidade do modelo) assim
como do erro (diferena entre o dado medido e o calculado). O fator de amortecimento
determina a importncia relativa dada minimizao da rugosidade do modelo, sendo
utilizado para reduzir a amplitude de i. Matematicamente dada pela seguinte equao:
(J iT J i + iCT C) i = J iT g i iCT Cp i1

(eq.8.6.2-1)

onde i = nmero da iterao e pi = vetor de parmetros do modelo


O segundo termo do lado direito da eq.(8.6.2-1) aplica o vnculo de suavidade
diretamente sobre o vetor de resistividade do modelo, pi-1. Isto garante que o modelo ser suave,
sujeito ao fator de amortecimento utilizado. O termo tambm reduz as oscilaes nos valores de
resistividade do modelo. O vnculo de suavidade imposto, reduzindo a rugosidade dos
parmetros do modelo com o estabelecimento de uma conexo entre duas clulas adjacentes,
prevenindo severas extrapolaes dos valores de resistividade determinados.
A inverso por suavizao tende a ser mais influenciada por valores que apresentam
grande discrepncia, o que a torna mais sensvel a dados ruidosos. Fornece um melhor resultado
em ambiente onde a resistividade em subsuperfcie varie de maneira gradativa, resultando em
imagens na qual a variao gradual e sem saltos abruptos.
A inverso robusta (norma L1), de maneira distinta da inverso por suavizao, busca um
modelo que minimiza a diferena absoluta entre os valores de resistividades aparentes medidos e
calculados. referida na literatura como blocky inversion (LOKE et al., 2003) sendo menos

78

sensvel a rudos e produzindo menos artefatos no modelo. Tolera melhor a existncia de um


valor discrepante no universo dos dados. Fornece resultados satisfatrios em locais com
variaes abruptas de resistividade, produzindo imagem na qual a distribuio das resistividades
se d por degraus. Quando os contrastes de resistividade forem grandes, a inverso robusta
fornece, em geral, erro de ajuste inferior inverso por suavizao. Matematicamente, dada por
uma equao que uma modificao da eq.(8.6.2-1) vista anteriormente:
(J iT R d J i + iCT R mC)i = J iT R d g i iCT R mCri 1

(eq.8.6.2-2)

Na equao acima, Rd e Rm so matrizes de ponderao introduzidas para que sejam


dados pesos aproximadamente iguais durante o processo de inverso. Nos casos onde se
observam tais variaes abruptas, a suavizao pode produzir um modelo desfocado, no
representando de maneira fiel as interfaces onde estas ocorrem. Pode ainda esmaecer alvos
isolados, no os imagiando de forma correta.
Um dado pouco ruidoso e de boa qualidade (que pode ser alcanado com a eliminao de
eventuais valores dspares) fornece imagens similares no modelo final se utilizado qualquer um
dos dois mtodos descritos anteriormente.
CLAERBOUT & MUIR (1973) estabelecem, de uma forma bastante didtica, como os
conceitos de mdia e mediana da estatstica elementar se relacionam com os quadrados e valores
absolutos, respectivamente, fornecendo exemplos com aplicao das normas L2 e L1 em diversos
dados geofsicos.
8.6.3 Discretizao do modelo
A parametrizao do meio consiste na diviso do domnio em clulas retangulares,
homogneas, sendo o parmetro do modelo, a resistividade eltrica verdadeira de cada
elemento que compe a malha. As clulas so comumente denominadas blocos.
Os blocos do modelo 2D so arranjados de uma forma no rgida e aproximadamente em
conformidade com a distribuio dos dados na pseudo-seo de resistividade aparente.
O problema inverso consiste em determinar um valor de resistividade eltrica de cada
clula de tal forma que seja minimizada a diferena entre o valor calculado e o valor de
resistividade aparente medido. Para o modelamento direto, a representao minuciosa e
detalhada de feies 2D pode ser alcanada com a utilizao de blocos de dimenses reduzidas.
Por outro lado, no caso do problema inverso, pode parecer sem sentido, a princpio, a utilizao

79

de blocos menores do que a resoluo espacial dos dados. Entretanto, a adoo de tal prtica,
aliada a algum tipo de vnculo incorporado ao processo de inverso, pode produzir uma soluo
estvel e com nvel de detalhe no modelo resultante (SASAKI, 1989).
No RES2DINV, a utilizao de clulas com largura igual a meio espaamento entre
eletrodos na malha de elementos finitos fornece resultados mais precisos no clculo das
resistividades do modelo. O custo deste procedimento o aumento no tempo do processamento,
pois a quantidade de blocos do modelo cresce significativamente. Outra desvantagem fica por
conta dos ripples que o modelo gera prximos superfcie.
O modelo de discretizao 2D utilizado no programa, ou seja, a forma pela qual a
subsuperfcie subdividida em clulas (blocos) e que so utilizadas no processo de inverso,
arranjado de maneira similar distribuio dos pontos (assinalados por x) da pseudo-seo de
resistividade aparente (Figura 8.6.3-1).

Figura 8.6.3-1 - Arranjo dos blocos utilizado no modelo, juntamente com a posio dos pontos de medida
da correspondente pseudo-seo. O arranjo de eletrodos utilizado foi o D-D (a=2m, 10 nveis de
investigao). O nmero de blocos 106, com 135 pontos de medidas em um perfil de 40m de extenso.

Cada bloco ou clula possui os seguintes atributos: um valor de resistividade


verdadeira (calculada), que o parmetro do modelo, uma largura e uma espessura.
O modelo padro adota clulas com largura equivalente ao mnimo espaamento entre
eletrodos utilizado. Em casos onde ocorrem grandes variaes de resistividade prximas
superfcie (situao bastante comum em diversas situaes prticas), melhores resultados no
processamento dos dados podem ser obtidos utilizando um modelo de clulas (blocos) mais
estreitas.

80

Os arranjos P-D e D-D so os que apresentam maiores sensibilidades s heterogeneidades


superficiais no modo de investigao lateral (WARD, 1990). ASCH & MORRISON (1989)
apresentam uma simulao onde dois pequenos corpos condutores e superficiais so capazes de
mascarar a anomalia gerada por um alvo mais profundo utilizando o arranjo D-D.
Quanto espessura dos blocos, a quantidade de fileiras dos mesmos est tambm
fortemente vinculada distribuio dos pontos da pseudo-seo, plotados de acordo com as
profundidades estabelecidas por EDWARDS (1977). Outros dois parmetros que definem o
arranjo discreto utilizado no RES2DINV so: a espessura da primeira fileira de blocos e o
incremento (dado em porcentagem) das fileiras subseqentes em profundidade, de tal forma que
nenhum ponto da pseudo-seo extrapole o limite inferior do modelo em profundidade que
coincide com a base do bloco da ltima fileira.
Estes parmetros podem ser modificados pelo usurio no ajuste do modelo, quando da
posse de informaes diretas. As profundidades da seo modelada referem-se ao centro do
bloco do modelo discretizado.
A distribuio e o tamanho dos blocos so gerados de maneira automtica pelo programa
de tal forma que o nmero de blocos no exceda o nmero de dados (medidas). Entretanto, o
programa tem uma opo permitindo que esta condio no seja satisfeita, ou seja, nmero de
blocos pode exceder o nmero de medidas.
O RES2DINV adota os coeficientes empricos estabelecidos por EDWARDS (1977) na
plotagem dos pontos com relao s profundidades, conforme o arranjo utilizado. A
profundidade da base dos blocos no modelo de discretizao do meio aproximadamente igual
profundidade proposta por este autor.
Para o arranjo Wenner e Schlumberger, a espessura da primeira fileira de blocos 0,5
vezes o espaamento entre eletrodos. J para os arranjos P-P, P-D e D-D, esta espessura de
aproximadamente 0,9 , 0,6 e 0,3 vezes o espaamento entre eletrodos, respectivamente
(GEOTOMO SOFTWARE, 2004). Estes valores so aproximadamente as profundidades de
investigao de EDWARDS (op cit.) para o primeiro nvel dos respectivos arranjos (0,867, para
o P-P; 0,519 para o P-D e 0,416 para o D-D). A espessura de cada fileira subseqente
aumentada de 10% (ou 25%, opcionalmente).

81

Um tpico modelo de blocos utilizado pelo RES2DINV, arranjo D-D, apresentado na


Figura 8.6.3-2. Os dados da pseudo-seo so plotados nos pontos mdios entre dipolo emissor e
receptor, nas respectivas profundidades adotadas pelo programa. Estes valores esto assinalados
no modelo na cor vermelha. Em azul encontram-se as espessuras dos blocos. Neste exemplo, a
espessura do primeiro bloco igual a 0,6m, que corresponde a 0,3 vezes a distncia entre
eletrodos (2m). A espessura dos blocos inferiores subseqentes aumentada em 10%,
acarretando uma inerente perda da resoluo com a profundidade. Em preto est a profundidade
da base de cada bloco. Observar que estes valores esto em concordncia com as profundidades
dos pontos plotados de acordo com o critrio de EDWARDS (1977).

Figura 8.6.3-2 - Modelo de blocos utilizado no RES2DINV, arranjo D-D (a=2m) e respectivos dados
plotados de acordo com as profundidades estabelecidas por EDWARDS (1977).

A Figura 8.6.3-3 apresenta um modelo de bloco para outro tipo de arranjo (Wenner,
a=1m e 10 nveis de investigao) com a espessura da primeira camada igual a 0,5a (a=menor
espaamento entre eletrodos) e demais blocos com espessuras aumentando de um fator 10%.

82

Figura 8.6.3-3 - Modelo de blocos para o arranjo Wenner, com espessuras dos blocos aumentando de um
fator 10% em relao espessura da primeira fila.

Observar que, mesmo alterando as espessuras dos blocos (de 10% para 25% em relao
espessura da primeira fila), o modelo discretizado continua apresentando uma boa concordncia
com relao aos pontos da pseudo-seo, ainda plotados de acordo com EDWARDS (1977),
como mostra a Figura 8.6.3-4.

Figura 8.6.3-4 - Modelo de blocos para o arranjo Wenner, com espessuras dos blocos aumentando de um
fator 25% em relao espessura da primeira fila.

Uma limitao observada no programa RES2DINV a adoo deste critrio para as


profundidades, independente das resistividades do meio. Sabe-se que em meios condutivos a
penetrao da corrente menor, o que acarreta menores profundidades de investigao.

83

Na Figura 8.6.3-5 pode ser observado que, utilizando um determinado arranjo com os
mesmos parmetros (D-D, a=1m, 10 nveis de investigao), as profundidades permanecem
inalteradas, ainda que modificando-se os valores de resistividades do meio.

Figura 8.6.3-5 - Sees invertidas correspondentes a dois meios homogneos com resistividade baixa (10
ohm.m, acima) e alta (1000 ohm.m, abaixo). As profundidades do modelo permanecem inalteradas.

Antes de encerrar este item ser discutida sucintamente a forma de discretizao do meio,
utilizada pelo programa RES3DINV, no caso dos modelos 3D.
O modelo 3D consiste em camadas subdivididas em blocos retangulares, cada qual
possuindo um determinado valor de resistividade (Figura 8.6.3-6).
Os blocos que compe uma fileira possuem o mesmo tamanho. A largura dos blocos
geralmente igual ao espaamento entre eletrodos. Um melhor refinamento do modelo, assim
como no caso 2D, pode ser alcanado utilizando-se larguras equivalentes a meio espaamento
entre eletrodos, o que acarreta tambm aumento no tempo necessrio para inverso dos dados e o
clculo do modelo geoeltrico.

84

Z
0

ELETRODOS

Z1
Z2

e2

FILEIRA 3

e3

e1

FILEIRA 2

FILEIRA 4

e4

FILEIRA 1

Z3

Z4

FILEIRA 5

e5

Z5

FILEIRA 6

e6

Z6

e = ESPESSURA DA FILEIRA DE BLOCOS


Z = PROFUNDIDADE DA BASE DOS BLOCOS

Figura 8.6.3-6 - Modelo de discretizao utilizado no processamento dos dados 3D


(modificado de LOKE & BARKER, 1996b).

A espessura dos blocos aumenta medida que aumentam os nveis em profundidade. Os


eletrodos ocupam os vrtices superiores dos blocos da primeira camada, cuja espessura de 0,7
vezes o espaamento entre eletrodos. Testes empricos realizados por LOKE & BARKER
(1996b) demonstraram que, se adotado este valor de espessura, ligeiramente inferior que
profundidade mediana de investigao do arranjo P-P (0,867) proposta por EDWARDS
(1977), so satisfeitas algumas condies importantes no processo de inverso, quais sejam:
tempo de convergncia do modelo e resoluo do mesmo.
No modelo de discretizao, a espessura de cada camada inferior subseqente
aumentada de 15% em relao superior. O nmero de camadas do modelo estabelecido de tal
forma que a profundidade do topo superior da ltima fileira de blocos seja mais rasa que a
profundidade mediana de investigao correspondente ao maior espaamento entre eletrodos
verificado na aquisio 3D, que no caso de uma malha quadrada de 4 x 4m ser igual a = 4 2 .
Com os avanos da capacidade computacional, possvel inverter grande volume de
dados, como os gerados por levantamentos 3D, sejam estes adquiridos da forma genuna ou por
intermdio de uma srie de perfis de levantamentos 2D paralelos entre si.

85

8.6.4 Clculo da matriz Jacobiana


As tcnicas de inverso iterativas requerem as derivadas parciais da resposta do modelo
(potencial eltrico) em relao aos seus parmetros (resistividade de cada bloco do modelo
discretizado). A inverso baseada na soluo da matriz Jacobiana de derivadas parciais,
tambm conhecida por matriz de sensitividade que pode ser calculada analtica (em um
modelo de terra homognea, por exemplo) ou numericamente utilizando o mtodo de diferenas
finitas ou de elementos finitos. Este processo, no qual possvel ser utilizado o mtodo de
Gauss-Newton ou quasi-Newton, geralmente consome excessivo tempo computacional.
O mtodo Gauss-Newton de mnimos quadrados apresenta uma desvantagem: o
demasiado tempo computacional gasto no processamento, pois este utiliza derivadas parciais
exatas para o clculo da matriz Jacobiana. Isto pode se tornar um fator crtico quando o volume
de dados for elevado, da ordem de muitas centenas a milhares. Uma das caractersticas do
mtodo a necessidade de poucas iteraes para atingir a convergncia. Numa tentativa de
reduo deste, LOKE & BARKER (1996a) utilizaram o mtodo quasi-Newton na estimativa da
matriz Jacobiana.
O mtodo quasi-Newton requer mais iteraes para convergir se comparado com o
mtodo de Gauss-Newton, embora o tempo gasto para cada iterao seja bem menor. O mtodo
quasi-Newton mais rpido, pois o clculo das derivadas parciais da matriz Jacobiana feito por
estimativa com tcnicas de atualizao. O mtodo Gauss-Newton apresenta menores erros de
ajuste.
Para modelos com pequenos contrastes de resistividade, LOKE & DAHLIN (2002)
observaram que no ocorrem diferenas significativas nos resultados quando utilizados os
mtodos Gauss-Newton e quasi-Newton. Entretanto, em ambiente onde for grande o contraste ou
em complexas distribuies de resistividade, o Gauss-Newton pode fornecer resultados mais
precisos do que o quasi-Newton. A Figura 8.6.4-1 ilustra a comparao dos dois mtodos,
apresentando o erro de ajuste versus o nmero de iterao para cada um deles.

86

Figura 8.6.4-1 - Comparao dos mtodos Gauss-Newton e quasi-Newton, utilizando um dado real de
campo e processado em um computador Pentium III, 800 MHz, 512MB de memria RAM.

LOKE E DAHLIN (2002) propem ainda uma terceira tcnica intermediria de


otimizao (mtodo combinado), alm da Gauss-Newton e quasi-Newton. Trata-se de uma
tcnica que utiliza uma combinao destas e apresenta tempo de convergncia e erro de ajuste
situado entre as duas anteriores.
Os autores constataram que o melhor compromisso entre qualidade do modelo final e
tempo de computao recalcular a matriz Jacobiana para somente as duas primeiras iteraes
no processo de inverso, mesmo em situaes onde so verificados grandes contrastes de
resistividade.
8.6.5 Erro de RMS (root mean square)
O erro de ajuste dos dados (data misfit) calculado pela diferena entre o logaritmo das
resistividades aparentes medidas (a_OBS) e calculadas (a_CALC), sendo dado por:

D = [(a _ OBS a _ CALC ) / a _ OBS ] 100%

(eq.8.6.5-1)

podendo ser calculado para toda a pseudo-seo constituda por N dados:


1/ 2

D rms

= D2
N

(eq. 8.6.5-2)

O erro de RMS diminui a cada iterao durante o processo de inverso dos dados. A
Figura 8.6.5-1 ilustra uma tpica curva da variao do erro de RMS com o nmero de iteraes

87

em um processamento do RES2DINV. Observar a rpida convergncia, caracterstica do


algoritmo utilizado pelo programa.

Figura 8.6.5-1 - Erro de RMS versus nmero de iterao.

Vale a observao que um pequeno valor de RMS no significa necessariamente um bom


modelo geolgico, podendo apresentar variaes irreais das resistividades eltricas,
incompatveis com a realidade.
8.6.6 Fator de amortecimento (damping factor)

O amortecimento consiste em reduzir sistematicamente a magnitude da variao no


modelo, de uma iterao para a subseqente, sendo um tipo de parmetro de suavizao
(CONSTABLE et al., 1987).
O fator de amortecimento representa um trade-off entre resoluo e estabilidade e pode
ser usado para controlar a suavizao da imagem (SASAKI, 1992). A utilizao de um fator
grande produz imagem mais desfocada e com variaes de resistividade mais suavizadas, onde
o resultado no muito influenciado pela presena de dados discrepantes. Em contrapartida, um
fator pequeno produz imagem mais focada, com maiores perturbaes nos valores de
resistividade.
DAHLIN & ZHOU (2004), executando uma srie de testes em modelos sintticos,
recomendaram a utilizao de um valor inicial igual a 0,15 e um valor mnimo de 0,03. Os
mesmos valores so adotados por OLAYINKA & YARAMANCI (2000a).
Segundo LOKE & DAHLIN (2002), o valor mnimo usualmente ajustado para 1/10 do
valor inicial que, segundo os autores, deve estar entre 0,20 e 0,10. O valor inicial do fator de

88

amortecimento depende do nvel de rudo presente nos dados. Valores maiores devem ser
utilizados quando o nvel de rudo for grande.
8.6.7 Filtro de aplainamento (flattness filter)

O filtro de aplainamento, F, pode ser ajustado de acordo com as caractersticas do dado a


ser processado, representando uma forma de insero de informaes geolgicas a priori.
constitudo de uma componente horizontal e uma vertical, matematicamente expressa por:
F = fxfxT+fzfzT

(eq. 8.6.7-1)

onde fx representa o filtro de aplainamento horizontal e fz o filtro de aplainamento vertical. O


programa RES2DINV permite a seleo do fator de amortecimento para a razo do filtro vertical
(fz) sobre o horizontal (fx), que por default igual a 1.
Se as anomalias na pseudo-seo se apresentarem alongadas horizontalmente, ou havendo
informaes da presena de estruturas horizontalizadas em subsuperfcie, pode ser escolhido um
valor menor que um. Ao contrrio, quando a pseudo-seo exibir anomalias alongadas
verticalmente o valor escolhido pode ser maior que a unidade.
8.6.8 Mtodos de otimizao

O programa RES2DINV utiliza dois diferentes mtodos de otimizao para a resoluo


da equao de mnimos quadrados: o Gauss-Newton padro (standard) e o incompleto.
O Gauss-Newton padro calcula uma soluo exata da equao. Na existncia de elevado
volume de dados (por exemplo, maior que 2000) recomenda-se a utilizao do mtodo
incompleto que calcula uma soluo aproximada e consome menos tempo no processo de
inverso.
8.6.9 Sensitividade

A sensitividade exprime uma relao entre potencial e resistividade. Seu valor uma
medida da quantidade de informao acerca da resistividade do bloco do modelo contida no
conjunto dos dados. Quanto maior a sensitividade, mais confivel ser o valor de resistividade do
modelo. Os blocos prximos superfcie apresentam valores elevados, pois a funo de
sensitividade exibe altos valores nas proximidades dos eletrodos.
Valores elevados de sensitividade so tambm observados nos blocos na base e nas
extremidades do modelo de elementos finitos, onde possuem maiores dimenses. A visualizao

89

na forma de blocos de iguais tamanhos elimina este efeito, mostrando de forma mais clara as
variaes de sensitividade com a profundidade e distncia.
8.6.10 Sistemtica adotada para o processamento dos dados

Analisando vrios parmetros utilizados no programa RES2DINV e apresentados nos


itens anteriores, conclui-se que a adoo sistemtica de alguns critrios pode fornecer melhores
resultados na qualidade da imagem e, em determinadas situaes, na diminuio do erro de
ajuste do modelo.
I) utilizao de blocos no modelo discretizado com largura igual metade do
espaamento de eletrodos. SASAKI (1992) mostra que a adoo deste procedimento sempre
fornece melhores resultados nas imagens obtidas. DAHLIN & ZHOU (2004) chegam a
concluso semelhante afirmando que uma melhor definio do modelo pode ser alcanada com
a utilizao de clula mais reduzida na malha, durante o processo de inverso dos dados, fato
tambm observado por LaBRECQUE et al. (1996);
II) na rotina de modelamento direto, utilizao do mtodo de elementos finitos ao invs
do mtodo de diferenas finitas, com quatro ns por espaamento de eletrodos, ao invs de dois.
Este refinamento adensa a malha e garante mais preciso no clculo das resistividades aparentes
do modelo;
III) matriz Jacobiana recalculada para todas as iteraes, ao invs de utilizar a
aproximao de quasi-Newton para todas ou para as sucessivas iteraes.
Entretanto, alguns parmetros devem ser ajustados em funo das caractersticas do dado,
que sero discutidos caso a caso.
a) ajuste do filtro de aplainamento (H/V);
b) utilizao de inverso robusta ou suavizada;
c) limitao dos valores de resistividade, principalmente quando se utiliza a inverso
robusta em dados que apresentam grandes contrastes nos valores de resistividades aparentes.
O programa, por default, aplica o vnculo de suavidade sobre o vetor de perturbao e
no sobre os valores de resistividade do modelo. Em algumas situaes, particularmente na
presena de dados extremamente ruidosos, melhores resultados podero ser obtidos aplicando o
vnculo diretamente sobre os valores de resistividade, resultando em modelos que apresentam
suaves variaes deste parmetro e erro RMS de ajuste ligeiramente superior.

90

MODELAMENTO DIRETO 2D

A modelagem 2D de dados de eletrorresistividade teve grande desenvolvimento nos anos


70 e incio de 80 com os trabalhos de COGGON (1971), RIJO (1977), DEY & MORRISON
(1979), PRIDMORE et al. (1981) e TRIPP et al. (1984).
Para o clculo das resistividades eltricas aparentes do modelo, so utilizadas rotinas de
modelamento direto 2D. Dentre as tcnicas numricas utilizadas destacam-se os mtodos dos
elementos finitos, o das diferenas finitas (MUFTI, 1976) e o da equao integral (LEE, 1975;
SNYDER, 1976).
A modelagem direta permite a elaborao de modelos sintticos e a resposta gerada,
simulando-se levantamentos hipotticos com a utilizao de diversos arranjos e espaamento
entre eletrodos. Rudos gaussianos, definidos em termos de porcentagens, podem ser
introduzidos na resposta calculada a partir do modelo, simulando situaes reais de campo.
uma ferramenta til para avaliao do desempenho de determinados arranjos, assim
como a comparao dos resultados sintticos com o dado obtido em campo.
A rotina de modelamento geralmente utiliza a aproximao por elementos finitos (ou
diferenas finitas) e determina a distribuio do potencial eltrico devido a fontes pontuais de
corrente. A distribuio do potencial pode ento ser convertida em valores de resistividade
aparente.
So representadas fontes (eletrodos de corrente) em 3D sobre um modelo de Terra 2D, o
que implica que a resistividade possa variar de forma arbitrria ao longo das direes X (linha
do levantamento) e Z (profundidade), tendo o modelo uma extenso infinita na direo
perpendicular Y, ao longo do strike das estruturas. DEY & MORRISON (1979) mostram o
efeito da extenso do strike de um alvo nas respectivas pseudo-sees geradas a partir dos
modelos.
Assumindo-se que a condutividade () do meio varie apenas ao longo de x e z em um
modelo de Terra bidimensional (2D), o potencial eltrico (U) gerado por fonte pontuais (Is), a
soluo da equao de Poisson, dada por:
( x, z) 2 U( x, y, z) = I S ( x, y, z)

(eq.10-1)

Em alguns algoritmos de elementos finitos, a malha de elementos retangulares , na


realidade, composta por duas clulas triangulares que formam o retngulo.

91

O mtodo de elementos finitos na soluo de problemas fsicos baseado na minimizao


da energia (COGGON, 1971). Baseia-se no fato de que, quando uma corrente DC percorre o
meio, a potncia dissipada a mnima possvel. A subsuperfcie subdividida segundo uma
malha de elementos finitos e a dissipao de potncia expressa em termos do potencial eltrico
nos vrtices e na resistividade eltrica de cada elemento.
A minimizao da potncia total (uma funo de todos os potenciais) determina o
conjunto de equaes a partir das quais os valores de potencial so obtidos. COGGON (1971)
ressalta a importncia de dedicar-se maior ateno dimenso da malha (estrutura de elementos
finitos) do que ao tamanho de cada elemento (clula) que a compe. So exemplos de programas
de modelamento direto: RESIX IP2D (Interpex) e RES2DMOD (LOKE, 2002).
O programa RES2DMOD foi utilizado para o modelamento direto dos dados que esto
sendo apresentados nesta tese.

92

10

MTODOS GEOFSICOS COMPLEMENTARES

10.1

O mtodo eletromagntico (EM)

10.1.1 Generalidades

Os mtodos eletromagnticos baseiam-se na medida da condutividade eltrica (que o


inverso da resistividade eltrica, ou seja, =1/) ou parmetros a ela relacionados dos materiais
em subsuperfcie, utilizando-se campos eletromagnticos induzidos no terreno e gerados por
correntes alternadas de origem artificial ou natural. A condutividade eltrica expressa em
unidades de Siemens por metro (S/m).
As profundidades investigadas pelos mtodos EM so inversamente proporcionais s
freqncias empregadas. Existem sistemas EM que operam com diversas freqncias,
permitindo uma investigao multinvel, possibilitando a construo de sees geoeltricas
similares s sees de resistividade obtidas pelos caminhamentos eltricos.
O princpio do mtodo extremamente simples, baseado nas conhecidas Leis de Ampre
e de Faraday da fsica clssica. Consideremos uma bobina transmissora (Tx) energizada com
corrente alternada e colocada sobre um terreno (assumido como uniforme) e uma bobina
receptora (Rx). A oscilao temporal do campo magntico causada pela corrente alternada na
bobina transmissora provoca uma induo de correntes no subsolo. Estas correntes, por sua vez,
geram um campo magntico secundrio (Hs) que captado, juntamente com o campo primrio
(Hp) na bobina receptora. Os parmetros medidos pelos sistemas EM so funo destes campos,
como por exemplo, o vetor resultante Hr (Figura 10.1.1-1).
LINHAS DE FORA DO CAMPO PRIMRIO

BOBINA
TRANSMISSORA
Tx
SUPERFCIE DO
TERRENO

BOBINA
RECEPTORA
Rx

Hs

Hr
Hp

LINHAS DE FORA DO CAMPO SECUNDRIO


CORPO
CONDUTOR

Figura 10.1.1-1 - Ilustrao generalizada de um sistema eletromagntico de prospeco.

93

A principal vantagem do mtodo EM sobre o da eletrorresistividade o fato de ser um


mtodo indutivo, no requerendo um contato galvnico com o terreno (cravao de eletrodos
metlicos). A desvantagem fica por conta da extrema sensibilidade do mtodo a rudos culturais
que podem afetar o campo eletromagntico, tais como estruturas metlicas, redes eltricas etc.
10.1.2 Instrumentao: o sistema EM-31

Um equipamento largamente utilizado nas investigaes hidrogeolgicas e ambientais o


sistema EM-31 da Geonics (Figura 10.1.2-1).

Figura 10.1.2-1 - Equipamento EM-31.

Trata-se de um sistema eletromagntico que usa como fonte do campo primrio um


transmissor a uma dada freqncia, sendo esta igual a 9,8 kHz. O EM-31 mede diretamente a
condutividade eltrica aparente. Como os valores de condutividade so geralmente muitos
baixos, as leituras so dadas em unidades de mS/m (mmho/m). O espaamento entre as bobinas
Tx e Rx fixo e igual a 3,67m, sendo que a medida atribuda ao ponto correspondente
metade desta distncia.
O campo magntico secundrio uma complexa funo da distncia entre bobinas (s), da
freqncia de operao (f) e da condutividade eltrica do terreno. Sob certas restries,
tecnicamente definidas como operao sob baixos valores de nmero de induo (McNEILL,
1980), o campo magntico secundrio torna-se uma funo simples destas variveis, dada por:
H S i 0 s 2

HP
4

(eq.10.1.2-1)

94

Desta forma, a relao entre o campo magntico secundrio e primrio fica linearmente
proporcional condutividade do terreno, tornando possvel a leitura direta das condutividades
medindo-se esta relao. Portanto, a condutividade aparente indicada pelo sistema EM-31 ser
dada por:
ap =

HS
4

2
2 0s H P

(eq.10.1.2-2)

Na aquisio dos dados, as bobinas podem estar posicionadas na posio vertical ou


horizontal, de acordo com a disposio do seu eixo-dipolo. O eixo-dipolo de uma bobina na
posio horizontal vertical (V), e, inversamente, uma bobina na posio vertical possui um
eixo-dipolo na posio horizontal (H), como ilustrado na Figura 10.1.2-2.

Figura 10.1.2-2 - Disposio das bobinas e dos respectivos eixos-dipolos


em medidas efetuadas com o sistema EM-31.

A profundidade de investigao est relacionada com a distncia entre as bobinas e a


disposio dos eixo-dipolos no momento da medida. Para o dipolo na posio horizontal (bobina
vertical) esta profundidade equivale a aproximadamente 0,75 vezes a distncia entre os eixos
dipolos. J para o dipolo vertical (bobina horizontal), esta profundidade passa a ser 1,5 vezes.
Esta diferena de profundidade de explorao permite estimar a variao vertical da
condutividade por meio da comparao dos valores obtidos nas duas configuraes de bobinas.

95

No caso do EM-31, onde o espaamento entre bobinas de 3,67m, as profundidades de


investigao sero de aproximadamente at 6 metros (dipolos verticais) e at 3 metros (dipolos
dispostos horizontalmente).
A condutividade eltrica medida ser um valor aparente que representa a integrao das
condutividades existentes, desde superfcie at a uma determinada profundidade de investigao.
As curvas de respostas do instrumento de medida em funo da profundidade, que sero
apresentadas no item a seguir, ilustram este fato.
10.1.3 Resposta instrumental em funo da profundidade

As expresses da resposta instrumental (relativa e acumulada) em funo da


profundidade podem ser obtidas considerando-se um semi-espao homogneo abaixo da
superfcie na qual esto posicionadas as bobinas do sistema EM.
Tomando-se uma camada infinitesimal de espessura dz na profundidade normalizada z,
onde z a profundidade dividida pelo espaamento entre bobinas (s), o campo magntico
secundrio (Hs) na bobina receptora, originado do fluxo de corrente dentro desta ou de qualquer
outra camada horizontal situada neste semi-espao, pode ser calculado. ento construda uma
funo (z) para ambas as disposies dos dipolos nas bobinas (vertical e horizontal), que
descreve a contribuio relativa ao campo magntico secundrio proveniente de uma camada de
espessura infinitesimal situada a qualquer profundidade z (Figura 10.1.3-1).
RESPOSTA RELATIVA X PROFUNDIDADE
2,00

1,60

F i (Z )

1,20

0,80

0,40

0,00
0,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

1,4

1,6

1,8

2,0

Z (normalizado)
dipolo vertical

dipolo horizontal

Figura 10.1.3-1 - Resposta relativa versus profundidade para as duas possveis disposies de dipolo.

96

As expresses matemticas correspondentes s curvas apresentadas na Figura 10.1.3-1


para a configurao de dipolo vertical e horizontal so apresentadas nas equaes 10.1.3-1 e
10.1.3-2, respectivamente (McNEILL, 1980).
4z

V (z) =

(4z + 1)
2

H (z) = 2

(eq.10.1.3-1)
2

4z
(4z 2 + 1)

(eq.10.1.3-2)
2

Como a condutividade eltrica aparente guarda uma relao com o campo magntico
secundrio (eq.10.1.2-2), as funes apresentadas na Figura 10.1.3-1 tambm fornecem a
contribuio relativa do material situado a diferentes profundidades ao valor de condutividade
aparente medido na superfcie. A integral de ambas as funes, de zero at infinito, fornece o
campo magntico secundrio total na bobina receptora. A partir destas, podem ser definidas
outras funes que sero utilizadas para a quantificao dos dados por meio de tcnicas de
modelamento direto dos mesmos.
10.1.4 Modelamento direto de dados EM

No modelamento direto de dados EM podem ser definidas funes mais teis para os
clculos, derivadas daquelas apresentadas anteriormente nas eqs.10.1.3-1 e 10.1.3-2 (Figura
10.1.3-1). Ela definida como a contribuio relativa ao campo magntico secundrio (ou a
condutividade aparente) proveniente de todo material em subsuperfcie abaixo de uma
profundidade z, sendo dada por:

R V , H (z) = V , H (z)dz
z

(eq.10.1.4-1)

Esta funo, chamada de resposta cumulativa, ilustrada na Figura 10.1.4-1.


Da mesma forma que para o caso da resposta relativa, as curvas da Figura 10.1.4-1 foram
obtidas a partir das seguintes expresses matemticas (McNEILL, 1980):
R V (z) =

1
(4z 2 + 1)

R H (z) = (4z 2 + 1)

(eq.10.1.4-2)
2

2z (eq.10.1.4-3)

possvel calcular a leitura que o equipamento fornece em um modelo de terra


arbitrariamente estratificada, simplesmente adicionando a contribuio de cada camada de forma

97

independente, ponderadas de acordo com suas condutividades e profundidades, conforme Figura


10.1.4-1.
RESPOSTA CUMULATIVA X PROFUNDIDADE
1,00

0,80

R (z )

0,60

0,40

0,20

0,00
0,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

1,4

1,6

1,8

2,0

z (normalizado)
dipolo vertical

dipolo horizontal

Figura 10.1.4-1 - Resposta cumulativa versus profundidades


para as duas disposies de dipolo.

Em um modelo de duas camadas, o valor de condutividade aparente medido pelo


instrumento (ap) ser dado por:

ap = 1 [1 R V , H (z)] + 2 R V , H (z)

(eq.10.1.4-4).

As parcelas do lado direito da equao representam a contribuio da camada superior


(1) e inferior (2) e z a profundidade do topo da segunda camada (ou a espessura da camada
superior). Se o modelo de terra for o de trs camadas, a expresso para o clculo ser dada por:
ap = 1 [1 R V , H (z1 )] + 2 [R V , H (z1 ) R V , H (z 2 )] + 3R V , H (z 2 )

(eq.10.1.4-5)

onde z1 e z2 so as profundidades do topo da segunda (2) e terceira camada (3),


respectivamente.
A quantificao de dados EM permite estabelecer correlaes diretas com os dados
modelados de eletrorresistividade obtidos pelos processos de inverso.

98

10.2

O Mtodo GPR

O GPR (ground penetrating radar) um mtodo de investigao geofsica por meio de


ondas eletromagnticas de altas freqncias (10-2.000 MHz).
Um pulso de energia de alta freqncia irradiado para o subsolo por intermdio de uma
antena transmissora, sofrendo reflexes, refraes e difraes, sendo ento captado por uma
antena receptora.
Os dados adquiridos normalmente so apresentados na forma de sees onde cada
posio de medida em superfcie corresponde a um trao que representa o tempo duplo de
percurso do sinal refletido/difratado em descontinuidades presentes no subsolo. A coleta de um
grande nmero de traos, possvel graas rapidez com que o levantamento geralmente
conduzido, produz uma seo de alta resoluo, porm com alcance limitado de penetrao.
As reflexes das ondas de radar ocorrem nas interfaces de materiais com distintos valores
de permissividade dieltrica (), grandeza comumente expressa por um nmero adimensional
denominado constante dieltrica (K), que se relaciona com a permissividade pela eq. 10.2-1,
= K. 0

(eq.10.2-1)

onde 0 a permissividade dieltrica do vcuo.


A converso das sees em tempo para profundidade pode ser efetuada se for conhecida a
velocidade (v) de propagao da onda no meio, dada pela seguinte expresso:
v=

(eq.10.2-2)

onde c velocidade da onda eletromagntica no vcuo (=0,3 m/ns).


Para uma dada freqncia, a penetrao do pulso de radar no interior do solo limitada
fundamentalmente pela condutividade eltrica do terreno. A atenuao () possui uma
correlao direta com a condutividade (), sendo dada, segundo DAVIS & ANNAN (1989), por:
(dB / m) = 1,69

(mS / m)
K

(eq.10.2-3).

A eq.(10.2-3) mostra que nos meios onde predominam altos valores de condutividade, a
atenuao ser grande, o que pode limitar a eficcia da tcnica em determinadas situaes.

99

Entretanto, tal comportamento do sinal eletromagntico possibilita o emprego do radar no


mapeamento de alvos condutivos, onde podem ser estabelecidas correlaes diretas de sees
GPR ou de mapas de amplitude com os dados de eletrorresistividade.
A freqncia de operao escolhida de forma a fornecer a relao mais vantajosa entre
penetrao e resoluo para um determinado objetivo. Sinais de alta freqncia produzem alta
resoluo, porm baixa penetrao, ocorrendo o inverso para sinais de baixa freqncia.
A constante dieltrica de solos e rochas fortemente influenciada pela presena de gua.
A gua apresenta elevada constante dieltrica (K=80) se comparada dos materiais geolgicos
secos (geralmente inferior a 10). A dependncia da velocidade do sinal do radar com o contedo
de gua nas litologias o que possibilita o emprego do GPR em aplicaes hidrogeolgicas em
geral.
Mais detalhes sobre o mtodo pode ser encontrado em GANDOLFO (1999).

100

PARTE II - MATERIAIS E MTODOS

11

O PROGRAMA RES2DINV

O programa RES2DINV v.3.54 (GEOTOMO SOFTWARE, 2004) foi adquirido em


projeto FAPESP de Auxlio Pesquisa (Processo n04/01239-8). Tem sido largamente utilizado
no meio tcnico-cientfico e acadmico por diversas universidades e empresas de geofsica.
O RES2DINV um programa computacional que determina de forma automtica um
modelo bidimensional (2D) de resistividade eltrica em subsuperfcie utilizando os dados obtidos
em levantamentos de caminhamento eltrico. capaz de inverter expressivos volumes de dados
em microcomputadores de boa capacidade. Os dados devem ser coletados de tal forma que os
eletrodos estejam alinhados e seja constante o espaamento entre eletrodos adjacentes. O
programa aceita dados obtidos com diversos tipos de arranjos: Wenner, D-D, P-D, P-P, dentre
outros, vrios destes utilizados no desenvolvimento desta tese.
Um aspecto interessante a ser explorado no software a possibilidade de se trabalhar com
arranjos no convencionais, explorando o infinito nmero de possibilidades que o dispositivo
eletrdico possa assumir em uma aquisio de dados. Para ilustrar a simplicidade deste
procedimento, informam-se ao programa o nmero de eletrodos utilizados em cada aquisio de
uma medida, a posio espacial de cada um deles (corrente e potencial) e o valor medido de
resistividade eltrica aparente.
Embora o escopo deste trabalho no seja explorar os tais arranjos no convencionais,
este artifcio pode ser utilizado para mixar dois distintos arranjos tradicionais (exemplo,
Wenner e D=D) ou possibilitar a entrada de dados para o processamento em aquisies com
geometrias diferenciadas como, por exemplo, a apresentada na Figura 7-1 (Captulo 7) onde se
almeja o aumento de resoluo utilizando um arranjo tradicional como o D-D.
O programa permite a insero de dados de topografia, fator que deve ser considerado
desde que existam variaes significativas ao longo da linha do levantamento. No trabalho ora
apresentado, no foram levados em considerao estes efeitos, uma vez que nas trs reas onde
foram realizados os levantamentos a topografia extremamente plana.
Vrios outros aspectos do programa j foram discutidos e analisados com mais detalhe no
item 8.6 (Captulo 8) apresentado anteriormente.

101

12

O PROGRAMA RES2DMOD

O RES2DMOD (LOKE, 2002) um programa de livre utilizao fornecido juntamente


com o RES2DINV. Adota o algoritmo desenvolvido por DEY & MORRISON (1979), com
algumas melhorias.
O programa calcula a pseudo-seo terica de resistividade eltrica aparente para um
modelo 2D de subsuperfcie definido pelo usurio. O RES2DMOD aceita diversos arranjos tais
como o Wenner (alfa, beta e gama), gradiente, P-P, P-D, e D-D, sendo til para a avaliao dos
mesmos e das respectivas respostas frente diversas simulaes de modelos de subsuperfcie.
No clculo das resistividades aparentes pode ser utilizada uma rotina de diferenas finitas
ou de elementos finitos. A primeira mais rpida, enquanto que a segunda deve ser empregada
quando for aplicada correo topogrfica nos dados.
A malha de elementos finitos formada por blocos retangulares. Os blocos so delgados
prximos superfcie tendo um incremento de espessura medida que a profundidade aumenta.
As profundidades do modelo podem ser definidas pelo usurio e correspondem base de cada
bloco.
A malha pode ter dois ou quatro ns entre eletrodos adjacentes, correspondendo a um
refinamento horizontal. possvel tambm utilizar uma malha mais fina, incrementando a
resoluo vertical, procedimento recomendado para situaes de grandes contrastes nas
resistividades (maior que 20:1). Qualquer que seja a direo do refinamento, o clculo da
resistividade aparente ser mais preciso com a utilizao de uma malha mais fina ao custo de um
tempo computacional maior.

102

13

EQUIPAMENTO UTILIZADO

Para a coleta dos dados apresentados nesta tese utilizou-se o resistivmetro Terrameter
SAS 300B cujas caractersticas bsicas so descritas a seguir.
O sistema Terrameter consiste em uma unidade bsica SAS 300B e um acessrio
denominado Booster SAS 2000, que o complementa em situaes onde se torna necessria a
utilizao de valores mais elevados de tenso/corrente (Figura 13-1).

Figura 13-1 - SAS 300B e Booster SAS 2000 compondo o sistema Terrameter.

O sistema dotado de uma tecnologia denominada Signal Averaging System (SAS), no


qual sucessivas medidas so tomadas automaticamente. A mdia das leituras atualizada
continuamente e apresentada no visor do equipamento.
O Terrameter SAS 300B pode operar de duas maneiras. No modo de medida de
voltagem, o equipamento mede apenas potenciais DC naturais, funcionando como um simples
milivoltmetro empregado em levantamentos de SP (potencial espontneo). O segundo modo,
mais comum, utilizado em levantamentos de eletrorresistividade e fornece a relao V/I. Os
eletrodos de corrente so conectados atravs de cabos aos terminais C1 e C2, enquanto os de
potencial aos terminais P1 e P2 do equipamento (Figura 13-1).
Trs unidades bsicas esto inseridas no corpo do SAS 300B: transmissor, receptor e um
microprocessador. O transmissor envia para o solo uma corrente em pulsos DC, regulada e com
uma forma de onda bem definida (Figura 13-2).

I (mA)

103

Tempo (s)
Seqncia repetida em ciclos de medidas

Figura 13-2 - Forma de onda da corrente transmitida. O sinal de resposta (voltagem) medido
pelo receptor em intervalos de tempo discretos (hachurado).

O receptor capaz de discriminar do sinal de entrada o potencial espontneo, o rudo e o


sinal DC originado pela passagem da corrente no solo, emitida pelo transmissor. O
microprocessador se encarrega de monitorar e controlar operaes e clculos dos resultados.
Compensando o potencial espontneo DC e rejeitando o rudo, obtida apenas a medida
da voltagem (V) relacionada passagem da corrente transmitida (I). O valor calculado (V/I)
apresentado na forma digital no visor do equipamento em unidades de k, ou m.
A intensidade da corrente pode ser ajustada pelo operador estando disponveis valores
fixos e iguais a 0,2; 0,5; 1; 2; 5; 10 e 20mA em 160V. Com a utilizao do Booster, so
disponibilizadas correntes de maiores intensidades (50; 100; 200 e 500mA) a uma tenso
mxima de 400V.
O sinal pode ser emitido seqencialmente em 1, 4, 16 ou 64 ciclos, opo ajustada pelo
operador por intermdio de uma chave seletora. Experincias prticas mostram que leituras
utilizando 4 ciclos so as que apresentam o melhor custo/benefcio. As opes de 16 ou 64 ciclos
so adequadas para atenuao de rudos em locais onde estes sejam excessivos.
Normalmente o Booster controlado pela unidade do SAS 300B, podendo, entretanto,
ser operado individualmente com o auxlio de uma caixa de controle externo. Operando
conjuntamente, um cabo de conexo interliga os dois dispositivos e a corrente enviada atravs
dos terminais C1 e C2 do Booster. O SAS 300B e o Booster so alimentados por baterias
internas de 12V, podendo ainda ser utilizada uma bateria externa automotiva, o que garante
maior autonomia em campo para o equipamento.

104

PARTE III - APLICAO

14

REA DE ESTUDO 1 - RAIA OLMPICA (USP)

14.1

Contexto geral e localizao

A rea de estudo 1 est localizada nas proximidades da Raia Olmpica, situada nas
dependncias do Centro de Prticas Esportivas da USP - CEPEUSP, na Cidade Universitria
Armando Salles Oliveira (Figura 14.1-1). No local foram desenvolvidos trabalhos de pesquisa
inseridos em projeto FAPESP denominado Os Impactos da Urbanizao nas guas
Subterrneas da Bacia Hidrogrfica do Alto Tiet, So Paulo (Processo n 02/07202-3), em
parceria com o Centre Europen de Recherche et dEnseignemente de Gosciences de
Ienvironnement-CEREGE.

Figura 14.1-1 - rea de estudo localizada na Raia Olmpica da USP (Imagem do satlite IKONOS, 2002).

Informaes geolgicas e hidrogeolgicas puderam ser obtidas em decorrncia da


instalao de poos multinveis com amostragem completa do perfil estratigrfico e o
monitoramento do nvel dgua, no contexto do referido projeto, o que possibilitou uma boa
correlao das informaes diretas com os dados geofsicos coletados na rea.
14.2

Geologia e hidrogeologia

A rea de estudos encontra-se na borda da Bacia Sedimentar de So Paulo, integrante do


Rift Continental do Sudeste do Brasil (RICCOMINI et al., 1992). Sedimentos tercirios do

105

Grupo Taubat, composto pelas formaes Resende, Trememb e So Paulo, superpostos pela
Formao Itaquaquecetuba recobrem as rochas cristalinas do embasamento constitudo por
granitos, migmatitos diversos, gnaisses granticos e oftalmticos (MELO et al., 1989). Na rea da
Cidade Universitria afloram as Formaes So Paulo (Grupo Taubat) e Itaquaquecetuba
(IRITANI, 1993).
A Formao Itaquaquecetuba corresponde aos depsitos de sistema fluvial entrelaado
que ocorrem sob aluvies holocnicos dos rios Tiet, Pinheiros e Tamanduate. Nas
proximidades do local onde foi realizado o levantamento (poro norte da Cidade Universitria)
ocorrem estes sedimentos. Na Raia Olmpica, ocorrem sedimentos aluviais quaternrios
sobrepostos aos sedimentos tercirios da Formao Itaquaquecetuba, constitudos principalmente
por arenitos, conglomerados e lamitos.
Localmente, a geologia compreende uma seqncia de depsitos fluviais do rio Pinheiros,
sendo a rea de estudo a sua plancie de inundao. De acordo com a informaes dos poos de
monitoramento perfurados, o depsito sedimentar compreende uma seqncia de materiais
argilo-siltosos, gradando para arenosos at cerca de 7,5 metros de profundidade. Neste pacote,
ocorre uma intercalao de argila orgnica com espessura de aproximadamente 1,5 metros.
Abaixo deste pacote ocorre uma camada de argila compacta, considerada hidrogeologicamente
como um aqitarde.
A rea caracterizada pela presena de um nvel dgua subterrneo relativamente raso
(em torno de 3m). A condutividade eltrica da gua subterrnea, medida em alguns poos,
apresenta valores entre 200 a 400 S/cm (25 a 50 m).
14.3

Levantamentos geofsicos realizados

Os primeiros ensaios foram realizados no final do ms de junho e incio de julho do ano


de 2003. A Figura 14.3-1 ilustra uma das aquisies de dados em campo.
Foi demarcado um perfil com 40 metros de extenso, paralelo direo da raia, com
estacas de referncia posicionadas a cada 2 metros. Sobre este perfil foram realizados quatro
caminhamentos eltricos, utilizando inicialmente o arranjo D-D, com espaamento entre dipolos
iguais a 4, 2, 1 e 0,5m. Estes parmetros foram dimensionados em funo do conhecimento da
profundidade aproximada do nvel dgua local (em torno de 3m). A Tabela 14.3-1 apresenta os
parmetros utilizados e informaes adicionais dos perfis D-D realizados.

106

Figura 14.3-1 - Aquisio de dados em campo com medida simultnea da profundidade do nvel dgua.

Tabela 14.3-1 - Parmetros e informaes adicionais dos levantamentos D-D


realizados na Raia Olmpica da USP.

Espaamento entre
dipolos (a=AB=MN)

Nveis de
investigao

Nmero de
medidas

Durao do
levantamento

0,5m
1m
2m
4m

12
12
10
6

870
390
135
33

9h 40
5h 00
2h 30
35

Nesta etapa, foram ainda realizadas duas sondagens eltricas verticais (SEVs), com o
objetivo de determinar com maior preciso a distribuio vertical das resistividades eltricas.
As SEVs foram realizadas nas proximidades dos poos para se estabelecer uma direta
correlao geolgica com o modelo geoeltrico. A primeira SEV, localizada na estaca 12,
encontra-se nas proximidades do poo de monitoramento PM-1R, enquanto que a SEV realizada
na estaca 25 encontra-se prxima ao poo PM-2R (Figura 14.3-2).

107

Raia Olmpica

Trincheira
0

10m

SEV

PM-3R

Levantamento 3D

10

12

14

16

18

20

22

24

SEV

26

28

SEV

PM-1R

30

32

34

36

38

40

Perfil geofsico

PM-2R

CRUSP

Figura 14.3-2 - Croqui com a localizao do perfil e demais ensaios realizados na Raia Olmpica.
So apresentadas tambm as localizaes dos poos de monitoramento.

Como o objetivo da investigao foi raso, utilizou-se uma abertura inicial entre eletrodos
de corrente igual a 1,2 m e entre eletrodos de potencial igual a 40 cm (AB/2=0,6m e
MN/2=0,2m). O arranjo utilizado foi o de Schlumberger. Foi efetuada uma operao de
embreagem nas medidas com AB/2=2,5m e 3,0m quando a abertura MN/2 passou a 0,5m, valor
que se manteve constante at o final da sondagem eltrica. A Figura 14.3-3 ilustra a realizao
de uma das SEVs na rea da Raia Olmpica.
Foi tambm realizado um caminhamento eletromagntico com o equipamento EM-31
sobre o perfil de 40 metros (Figura 14.3-4).

108

Figura 14.3-3 - SEV realizada nas proximidades do poo PM-1R (estaca 12).

Figura 14.3-4 - Equipamento EM-31 para medida de condutividade eltrica do terreno.

Uma segunda etapa do levantamento geoeltrico foi realizada nos meses de setembro e
outubro de 2003 quando foram efetuados caminhamentos com os arranjos P-D e P-P,
espaamento entre eletrodos igual a 4, 2 e 1m e total de nveis de investigao idnticos aos
utilizados no arranjo D-D descrito anteriormente. Para execuo dos arranjos P-D e P-P os
eletrodos posicionados no infinito estavam a aproximadamente 530m dos extremos do perfil.

109

No ms de agosto de 2003 foi realizado um levantamento GPR. O equipamento utilizado


foi o Interragator II, antena de 300 MHz e espaamento entre traos igual a 2,5cm
(Figura 14.3-5)

Figura 14.3-5 - Levantamento GPR com o equipamento Interragator II.

No final do ms de janeiro de 2004 foi tambm realizado um ensaio sobre o perfil


utilizando o arranjo Wenner. O espaamento utilizado entre eletrodos iniciou com 0,5m para o
primeiro nvel de investigao, passando para 1m, 2m, at 10m para os nveis subseqentes,
totalizando oito.
Uma terceira SEV foi realizada nas proximidades de uma trincheira escavada no ms de
abril de 2004, na qual puderam ser determinadas as resistividades verdadeiras de algumas
litologias caractersticas da rea de estudo. A escavao foi coordenada por pesquisadores do
IAG-USP (PAIXO, 2005). A abertura da trincheira (dimenses de 1,5m2 de rea e 3,5m de
profundidade) tinha por objetivo a coleta de amostras para anlise granulomtrica dos horizontes
e obteno de alguns ndices fsicos do solo (densidade aparente, teor de umidade, porosidade
total e grau de saturao).
Completando a investigao, foi realizada em carter experimental, uma nova
metodologia de aquisio (levantamento 3D de eletrorresistividade) para avaliar a potencialidade
desta tcnica. Foi utilizado o arranjo P-P com eletrodos dispostos em uma malha regular de 4m x
4m, totalizando 25 eletrodos.

110

14.4

Resultados obtidos

A seguir sero apresentados os resultados obtidos. Primeiramente sero abordadas as


informaes relativas aos dados diretos disponibilizados (poos, trincheiras), calibrando-se as
duas SEVs realizadas nas proximidades. Em seguida, sero analisados os dados 2D de
eletrorresistividade, estabelecendo-se as devidas correlaes.
14.4.1 Informaes diretas (poos de monitoramento)

Os dados geofsicos adquiridos no perfil de 40m puderam ser correlacionados com as


informaes geolgicas provenientes da descrio dos poos perfurados na rea, PM-1R e PM2R, cujo perfil descritivo apresentado na Figura 14.4.1-1.

Figura 14.4.1-1 - Perfil descritivo dos poos de monitoramento PM-1R (esquerda) e PM-2R (direita).

Com base na descrio estratigrfica destes dois poos, que so interceptados pela linha
de investigao geofsica, foi elaborado um perfil geolgico correlacionando-se as diversas
unidades litolgicas correspondentes (Figura 14.4.1-2).

111

Figura 14.4.1-2 - Seo geolgica obtida com informaes dos poos PM-1R e PM-2R.

Como pode ser observada, a geologia local apresenta estratos quase paralelos e com
continuidade lateral. Da seo geolgica estabelecida, podemos ter uma boa idia das litologias
que ocorrem na rea, assim como de suas espessuras. Resta ento se definirem as resistividades
eltricas das mesmas.
14.4.2 SEV

As caractersticas geolgicas da rea so propcias para a utilizao das SEVs, tendo por
objetivo a definio das resistividades, por duas principais razes: a ocorrncia de estratos
horizontais e com relativa extenso lateral, em conformidade com a premissa de camadas planoparalelas; o conhecimento preliminar das espessuras das litologias e profundidade da camada
correspondente zona saturada.
Estes parmetros podero ser fixados no processo de inverso para a definio precisa da
variao da resistividade com a profundidade e a determinao das resistividades verdadeiras das
camadas, diminuindo a ambigidade na interpretao dos dados.

112

Nas Figuras 14.4.2-1 e 14.4.2-2 so apresentados os resultados das SEVs realizadas na


estaca 12 e na estaca 25 contendo os dados de campo (pontos em azul) e o modelo ajustado
(curva contnua em vermelho).

RESISTIVIDADE APARENTE (ohm.m)

1000

100

10
1

MEDIDO
CALCULADO

10

100

AB/2 (m)
ERRO DE AJUSTE=1,9%

Figura 14.4.2-1 - Curva de resistividade aparente da SEV-E12

RESISTIVIDADE APARENTE (ohm.m)

1000

100

10
1

MEDIDO
CALCULADO

10

100

AB/2 (m)
ERRO DE AJUSTE=3,8%

Figura 14.4.2-2 - Curva de resistividade aparente da SEV-E25

113

Na interpretao da SEV foram utilizados os programas IPES3 (BASOKUR, 1990) e


RESIST (v.1, 1988, ITC Msc. Research Project, by Vander Velpen B.P.A.).
Foi estabelecida uma correlao entre o perfil litolgico dos poos e os modelos
geoeltricos obtidos pela inverso dos dados das SEVs, que so apresentados nas Figuras
14.4.2-3 e 14.4.2-4.
PM-1R

SEV-E12
0,3m

0,2m

ARGILA COM AREIA E SILTE COM SEIXOS ESPARSOS


0,7m

ARGILA SILTOSA INCONSOLIDADA

458 ohm.m

0,9m

0,2m

0,5m

AREIA MDIA A GROSSA COM PEQUENOS SEIXOS


ESPARSOS, INCONSOLIDADA

0m

0,2m

1,6m

SOLO COM MATRIA ORGNICA,


ARGILA E AREIA FINA A MDIA

1,6m

3,3m

3,3m

1,4m

AREIA FINA COM ARGILA


GRADANDO PARA AREIA MDIA A GROSSA
COM SEIXOS, MAL SELECIONADA

54 ohm.m

N.A.

0,2m

3,1m

ARGILA ARENOSA (CONTATOS GRADACIONAIS


COM AS UNIDADES CONTGUAS)

1,7m

ARGILA MUITO PLSTICA

1,5m

1,6m

ARGILA ARENOSA

221 ohm.m

3,1m

4,5m

4,7m

7,8m

7,8m

ARGILA COMPACTA

4,5m

35 ohm.m

12,3m

Figura 14.4.2-3 - Correlao da SEV E12 com o poo PM-1R.

114

PM-2R

SEV-E25

0,6m

2473 ohm.m
0,6m

0,2m

0,6m

ARGILA SILTOSA
INCONSOLIDADA

0,6m

0,8m

AREIA ARGILOSA

0,4m

AREIA MDIA A GROSSA COM PEQUENOS


SEIXOS ESPARSOS, INCONSOLIDADA

0,6m

0m

SOLO COM MATRIA ORGNICA,


ARGILA E AREIA FINA A MDIA

2,7m
3,0m

AREIA ARGILOSA

0,3m

ARGILA MUITO PLSTICA

52 ohm.m

0,9m

1,8m

2,4m

1,4m

N.A.

3,0m

4,6m

4,2m

AREIA FINA COM ARGILA


GRADANDO PARA AREIA MDIA
A GROSSA COM SEIXOS,
MAL SELECIONADA

503 ohm.m

7,2m

19 ohm.m

Figura 14.4.2-4 - Correlao da SEV E25 com o poo PM-2R.

As camadas superficiais, correspondentes ao solo com matria orgnica e argilo-arenoso


com seixos, apresentam valores de resistividade altos. A presena da camada de uma argila
muito plstica sob o solo superficial, intercalada ou no por camadas menos espessas de areia
argilosa, faz com que os valores de resistividade sofram uma brusca queda, comportando-se
como um estrato geoeltrico de aproximadamente 50 ohm.m. As resistividades voltam a subir
em uma camada de areia fina que grada para fraes mais grosseiras. O nvel dgua local
encontra-se no topo desta camada resistiva, posicionada sob uma camada mais condutiva (argila
plstica).
A camada superior de alta resistividade encontra-se menos espessa sob a SEV-E25
(0,6m) se comparada com a SEV-E12 (1,6m), fato corroborado pelas sees modeladas 2D que
sero apresentadas posteriormente.

115

Os modelos geoeltricos obtidos da interpretao das SEVs (Tabelas 14.4.2-1 e 14.4.2-2)


e devidamente correlacionados com os poos fornecem, a priori, informaes das resistividades
verdadeiras das camadas assim com suas espessuras.
Tabela 14.4.2-1 - Modelo geoeltrico obtido pela SEV da estaca 12m.
Camada

(m)

Espessura (m)

Prof. topo (m)

458

1,6

54

1,7

1,6

221

4,5

3,3

35

indefinida

7,8

Tabela 14.4.2-2 - Modelo geoeltrico obtido pela SEV da estaca 25m.


Camada

(m)

Espessura (m)

Prof. topo (m)

2473

0,6

52

2,4

0,6

503

4,2

3,0

19

indefinida

7,2

As duas SEVs apresentaram o mesmo modelo de distribuio de resistividade com a


profundidade, qual seja: 1 > 2 < 3 > 4.
Estas informaes balizaro os resultados obtidos pela inverso de dados 2D utilizando
diversos arranjos e que sero apresentados seguir.
14.4.3 Sees geoeltricas 2D

As pseudo-sees obtidas com o arranjo D-D (a=4m, a=2m, a=1m e a=0,5m) e plotadas
de acordo com HALLOF (1957) so apresentadas na Figura 14.4.3-1.
A pseudo-seo modificada, agregando os dados obtidos com todos os espaamentos e
plotados em profundidade de EDWARDS (1977), tambm apresentada na Figura 14.4.3-1(e).
Observa-se uma melhor correlao com a geologia deste sistema misto de plotagem do que as
sees convencionais plotadas de acordo com HALLOF (op. cit.).
Para ilustrar melhor o que foi dito, a Figura 14.4.3-2 apresenta a plotagem das pseudosees referente aquisio com espaamento entre dipolos de um metro (a=1m), de acordo com
os critrios de EDWARDS e HALLOF (op. cit.). Para fins comparativos, foram lanadas sobre
as duas sees a interpretao das SEVs realizadas.

116

a)

DISTNCIA (m)
2

a=0,5m n=12

10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40

-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5

-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5

b)

a=1m n=12

DISTNCIA (m)
2

10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40

-1

-1

-2

-2

-3

-3

-4

-4

-5

-5

-6

-6

-7

-7

c)
0

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

a=2m n=10

DISTNCIA (m)
2

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

-2

-2

-3

-3

-4

-4

-5

-5

-6

-6

-7

-7

-8

-8

-9

-9

-10

-10

-11

-11

d)

a=4m n=6

DISTNCIA (m)

12

16

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

20

24

28

32

36

40

-4

-4

-6

-6

-8

-8

-10

-10

-12

-12

-14

-14

PROFUNDIDADE
EFETIVA (m)

DISTNCIA (m)
2

10

12

14

16

18

20

PSEUDO-SEO MODIFICADA (a=4m, 2m, 1m e 0,5m)

22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

-1

-1

-2

-2

-3

-3

-4

-4

-5

-5

-6

-6

-7

PROFUNDIDADE
EFETIVA (m)

e)
0

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

-7
RESISTIVIDADE APARENTE (ohm.m)

100

200

300

400

500

600

700

Figura 14.4.3-1 - Pseudo-sees, arranjo D-D, com diferentes aberturas entre eletrodos:
(a) a=0,5m; (b) a=1m; (c) a= 2m; (d) a=4m, todas plotadas de acordo com HALLOF (1957).
Em (e), a pseudo-seo modificada com todos os espaamentos e plotadas conforme EDWARDS (1977).

PLOTAGEM DE HALLOF
1

2473

458

-1
PROFUNDIDADE
TERICA (m)

DISTNCIA (m)

10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40

-2

-1

52

54

-3

-2
-3

503

-4

-4

221

-5

-5

-6

-6

-7

-7

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

SEV-E25

SEV-E12

117

RESISTIVIDADE APARENTE (ohm.m)

PLOTAGEM DE EDWARDS
1

300

400

500

DISTNCIA (m)

600

700

10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40

0
-1
-2

458

2473

54

52

0
-1

-3

-2
-3

503

-4

-4

221

PROFUNDIDADE
EFETIVA (m)

PROFUNDIDADE
EFETIVA (m)

200

SEV-E25

SEV-E12

100

Figura 14.4.3-2 - Pseudo-seo D-D (a=1m) plotadas com os critrios


de HALLOF (1957), acima e EDWARD (1977), abaixo.
As SEVs encontram-se rebatidas sobre as pseudo-sees para fins comparativos.

Em um trabalho de investigao rasa, tendo por objetivo a deteco de contaminao,


STIERMAN (1984) tambm observou que os dados de resistividade aparente, obtidos com
arranjo D-D e com as profundidades na pseudo-seo ajustadas de acordo com EDWARDS
(1977), apresentam melhor ajuste com as condies geolgicas, do que os plotados da forma
tradicional. O autor tambm correlaciona os dados desta pseudo-seo ajustada em
profundidade com o modelo geoeltrico de diversas SEVs realizadas sobre o perfil (arranjos
Wenner e Schlumberger), mostrando uma grande coerncia dos mesmos.
A Tabela 14.4.3-1 apresenta alguns dados referentes aos caminhamentos D-D com quatro
diferentes aberturas entre eletrodos sobre o mesmo perfil de 40m de extenso. Observa-se que
quanto menor o espaamento entre eletrodos (melhor resoluo espacial e conseqentemente,
mais pontos de medida na pseudo-seo), maior ser a discrepncia entre os valores mnimo e
mximo de resistividade, o que pode resultar em elevado erro de ajuste na inverso dos dados.
Tabela 14.4.3-1 - Sntese dos dados obtidos no perfil de 40m utilizando o arranjo D-D.
Espaamento
entre dipolos
(a=AB=MN)
0,5m
1m
2m
4m

Nmero de
medidas

a mnimo

a mximo

Desvio padro

870
390
135
33

23
30
49
69

4467
3892
1644
290

714
462
213
46

118

Esta discrepncia, observada quando da utilizao de espaamentos menores, reflete a


capacidade de identificar as pequenas heterogeneidades presentes em subsuperfcie. Utilizandose espaamentos maiores, aumenta o volume investigado. A resistividade aparente medida, por
sua vez, influenciada por todo este pacote e apresenta valores onde as discrepncias so menos
acentuadas, produzindo uma pseudo-seo mais homognea e suavizada. O que foi dito pode
ser observado na Figura 14.4.3-1, comparando-se os dados obtidos com espaamento de 0,5m e
4m.
Na inverso dos dados obtidos com arranjo D-D utilizou-se os seguintes parmetros de
inverso: razo V/H do filtro de aplainamento igual a 0,5, inverso robusta, valor de
resistividades limitados a 3 vezes, espessura da primeira fileira de blocos do modelo discretizado
igual a 0,3 o menor espaamento entre eletrodos e aumentando-se em 10% para as fileiras
subseqentes.
As Figuras 14.4.3-3, 14.4.3-4 e 14.4.3-5 apresentam as sees D-D modeladas
correspondentes s aberturas entre eletrodos iguais a 0,5m, 1m e 2m, respectivamente.
A seo modelada referente ao caminhamento com o espaamento de 4 metros no ser
apresentada, pois no forneceu resultados satisfatrios. Com esta abertura entre eletrodos no foi
possvel discriminar-se os estratos geoeltricos em profundidade, possivelmente devido
reduzida espessura dos mesmos, se comparadas ao espaamento utilizado.
Entretanto, o dado obtido com este espaamento apresentou uma boa correlao aos
demais, como pode ser verificado na pseudo-seo modificada da Figura 14.4.3-1(e) e foi
incorporado para a construo do modelo final. Este modelo, obtido pela inverso dos dados
correspondente a todos os dipolos utilizados no perfil de levantamento (4m, 2m, 1m e 0,5m) e
totalizando 1428 pontos de medida, apresentado na Figura 14.4.3-6.
Para fins comparativos, analisando a questo sinal/rudo e o mximo fator de separao
entre eletrodos (n), foram considerados os dados adquiridos com os quatro espaamentos (4m,
2m, 1m e 0,5m) limitados a seis nveis de investigao. Ou seja, foram desconsideradas as
separaes entre dipolos maiores do que seis, pois, teoricamente contm dados mais ruidosos. A
Figura 14.4.3-7 mostra a seo modelada com a condio descrita anteriormente.

119

Figura 14.4.3-3 - Seo modelada, arranjo D-D e espaamento a=0,5m (esquerda).


Figura 14.4.3-4 - Seo modelada, arranjo D-D e espaamento a=1m (centro).
Figura 14.4.3-5 - Seo modelada, arranjo D-D e espaamento a=2m (direita).

0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8

0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7

8 IT E R A E S

8 IT E R A E S

10

9 ,7 % R M S

221

54

458

12

221

54

458

12

5 ,9 % R M S

10

14

14

16

16

300

400

500

600

D IS T N C IA (m )
18
20
22

200

700

200

300

400

500

600

700

R E S IS T IV ID A D E E L T R IC A (o h m .m )
100

100

R E S IS T IV ID A D E E L T R IC A (o h m .m )

D IS T N C IA (m )
18
20
22

24

24

503

52

2473

26

503

52

28

28

2473

26

SEV-E25

SEV-E25

PROFUNDIDADE (m)

PROFUNDIDADE (m)

SEV-E12

SEV-E12

30

30

32

32

34

34

36

36

38

38

40

40

0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7

0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8

120

Figura 14.4.3-6 - Seo modelada, arranjo D-D espaamentos a=4m, 2m, 1m e 0,5m (esquerda).

Figura 14.4.3-7 - Seo modelada (D-D, a=4m, 2m, 1m e 0,5m) com n=1,2..,6 (direita).

121

A semelhana das sees obtidas permite que sejam tiradas duas concluses. Por um
lado, prova que se forem consideradas apenas as seis primeiras aberturas entre dipolos (n=1..6),
de fato, melhora razo sinal/rudo (vide o menor erro RMS de ajuste). Por outro lado, demonstra
a possibilidade de poder se trabalhar com mais nveis de investigao (exemplo, n maior que
oito) para espaamentos pequenos (a) entre dipolos, onde as constantes geomtricas assumem
valores no muito elevados.
As sees 2D modeladas mostram uma camada de alta resistividade no topo (1) e que
est correlacionada ao solo superficial com matria orgnica e ao horizonte subjacente argiloarenoso (com presena de seixos) e seco. Pode ser observado que nesta camada geoeltrica
superficial da zona no saturada ocorrem grandes variaes laterais de resistividade. Abaixo
desta camada resistiva, ocorre uma outra de baixa resistividade (2), correspondendo argila
plstica. Por fim, uma terceira camada, inferior, onde a resistividade volta a subir (3). Embora
nas diversas sees D-D modeladas no foi possvel identific-la, observa-se nas SEVs a
presena de uma quarta camada onde a resistividade volta a diminuir (4). Pode, portanto, ser
estabelecido o seguinte padro geoeltrico na rea da Raia Olmpica: 1 > 2 < 3> 4.
Veremos adiante que esta camada aparece nas sees modelas do arranjo P-D que,
alcanando maiores profundidades de penetrao, consegue identific-la.
A Figura 14.4.3-8 apresenta os resultados da aquisio com o arranjo P-D sob a forma de
pseudo-sees de resistividade aparente. Assim como nas pseudo-sees D-D, estas so
apresentadas segundo a plotagem de HALLOF (1957) e a pseudo-seo modificada, reunindo os
trs espaamentos utilizados (a=4m, 2m e 1m) e plotadas segundo EDWARDS (1977).

122

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

a=1m n=12

DISTNCIA (m)
1

10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40

-1

-1

-2

-2

-3

-3

-4

-4

-5

-5

-6

-6

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

a)
B

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

a=2m n=10

DISTNCIA (m)

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

-1

-1

-2

-2

-3

-3

-4

-4

-5

-5

-6

-6

-7

-7

-8

-8

-9

-9

-10

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

b)
B

-10

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

a=4m n=6

DISTNCIA (m)

12

16

20

24

28

32

36

40

-2

-2

-4

-4

-6

-6

-8

-8

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

c)
B

-10

-10

-12

-12

PROFUNDIDADE
EFETIVA (m)

PSEUDO-SEO MODIFICADA
(a=4m, 2m, 1m e 0,5m)

DISTNCIA (m)
2

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

-1

-1

-2

-2

-3

-3

-4

-4

-5

-5

-6

-6

-7

-7

-8

-8

-9

-9

-10

-10

RESISTIVIDADE APARENTE(ohm.m)

100

200

300

400

500

600

700

Figura 14.4.3-8 - Pseudo-sees, arranjo P-D, com diferentes aberturas entre eletrodos,
(a) a=1m, (b) a=2m, (c) a= 4m, plotadas de acordo com HALLOF (1957).
Abaixo, a pseudo-seo modificada contendo todos os espaamentos e plotadas
conforme EDWARDS (1977).

PROFUNDIDADE
EFETIVA (m)

d)
B

123

Os parmetros utilizados para o processamento dos dados P-D foram os mesmos que os
usados para o arranjo D-D, j descritos anteriormente.
As Figuras 14.4.3-9 e 14.4.3-10 apresentam as sees 2D correspondentes ao arranjo P-D
e espaamento entre eletrodos igual a 1m e 2m, respectivamente. Maiores profundidades de
penetrao foram atingidas em relao ao arranjo D-D, conforme o esperado. Em termos de
resoluo, as imagens produzidas foram muito satisfatrias.
O espaamento de 4 metros, assim como no D-D, no forneceu bons resultados para o
arranjo P-D. Para o imageamento da zona no saturada e possivelmente da interface com a
zona saturada, foi necessria a utilizao do espaamento entre eletrodos menores que 4m, em
virtude da profundidade do nvel dgua local (em torno de 3m de profundidade) e das
espessuras das litologias rasas existentes na rea estudada. Os melhores resultados foram obtidos
com espaamentos de 2m ou menores (1m e 0,5m). O espaamento de 4m no forneceu bons
resultados, possivelmente por estar na mesma ordem de grandeza em relao profundidade do
alvo a ser mapeado e s espessuras mdias das camadas geoeltricas existentes na rea de estudo.
A seo correspondente ao arranjo P-D e a=1m (Figura 14.4.3-9) mostrou resultados
semelhantes seo D-D com o espaamento 2m (Figura 14.4.3-5). De fato, o programa de
inverso RES2DINV consegue produzir um modelo que corrige as assimetrias inerentes ao
arranjo P-D, produzindo um resultado que corrobora uma de suas principais caractersticas que
o aumento na profundidade de investigao. A semelhana das imagens obtidas revela, ainda,
uma boa resoluo alcanada pelo P-D, comparvel ao D-D, principalmente nas pores mais
rasas. Em profundidade, entretanto, se observam algumas diferenas nos valores de resistividade
modelados.
A Figura 14.4.3-11 apresenta a seo modelada do arranjo P-D contendo os trs
espaamentos utilizados na aquisio dos dados, 4m, 2m e 1m. Tal qual a seo D-D, o
espaamento de 4m, embora no apresentado de forma isolada, foi incorporado seo,
produzindo um bom resultado no contexto geral.
Pode ser observada a presena da quarta camada do modelo geoeltrico (4) onde as
resistividades voltam a cair. Os resultados esto perfeitamente coerentes com o padro
geoeltrico definido para a rea (1 > 2 < 3> 4). Os valores modelados de resistividade desta
quarta camada no modelo 2D so superiores aos valores obtidos na interpretao das SEVs
(inverso 1D). Este fato certamente est relacionado perda de resoluo com a profundidade.

PROFUNDIDADE (m)

PROFUNDIDADE (m)

Figura 14.4.3-9 - Seo modelada, arranjo P-D, a=1m (esquerda).

Figura 14.4.3-10 - Seo modelada, arranjo P-D, a=2m (centro).

Figura 14.4.3-11 - Seo P-D modificada, a=4m, 2m e 1m (direita).

-1 0

-9

-8

-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

-9

-8

-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

-5

-4

-3

-2

-1

PROFUNDIDADE (m)

221

54

458

12

35

221

458
54

12

10

5 ,9 % R M S

10

1 7 ,3 % R M S

10

8 IT E R A E S

9 IT E R A E S

8 IT E R A E S

SEV-E12
SEV-E12

14

14

14

1 4 ,4 % R M S

35

221

458
54

12

SEV-E12

16

16

16

30 0

400

5 00

600

7 00

300

400

500

600

D IS T N C IA (m )
18
20
22

200

100

200

300

400

500

600

700

700

R E S IS T IV ID A D E E L T R IC A (o h m .m )

D IS T N C IA ( m )
18
20
22

200

R E S IS T IV ID A D E E L T R IC A ( o h m .m )

100

10 0

R E S IS T IV ID A D E E L T R IC A (o h m .m )

D IS T N C IA (m )
18
20
22

24

19

503

2473
52

19

503

2473
52

24

503

52

26

26

26

2473

24

SEV-E25
SEV-E25
SEV-E25

28

28

28

30

30

30

32

32

32

34

34

34

36

36

36

38

38

38

40

-9

-8

-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

-5

-4

-3

-2

-1

-1 0

-9

-8

-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

40

40

124

125

As Figuras 14.4.3-12 e 14.4.3-13 apresentam as sees modeladas P-P com espaamento

10

SEV-E25

SEV-E12

entre eletrodos igual a 1m e 2m, respectivamente.


DISTNCIA (m)

12

14

16

18

20

22

24

P R O F U N D I D A D E (m)

-2

26

28

30

32

34

36

38

40
0

2473

458

-1

-1

52

54

-2

-3

-3

-4

-4

221

-5

503

-5

-6

-6

-7

-7

-8

19

35

-8

-9

-9

-10

-10

-11

-11

-12

-12

RESISTIVIDADE (ohm.m)

8 ITERAES

14,8% RMS
100

200

300

400

500

600

700

10

12

SEV- E25

SEV- E12

Figura 14.4.3-12 - Seo modelada P-P (espaamento n.a=1m).

DISTNCIA (m)
14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

2473

458

52

-2

54
PROFUNDI DADE ( m)

-4

36

38

40
0

-2

-4

-6

221

503

35

19

-8

-6

-8

-10

-10

-12

-12

-14

-14

-16

-16

-18

-18

-20

-20

8 ITERAES

12,9% RMS

RESISTIVIDADE (ohm.m)
100

200

300

400

500

600

700

Figura 14.4.3-13 - Seo modelada P-P (espaamento n.a=2m).

Os modelos P-P (Figuras 14.4.3-12 e 14.4.3-13) apresentaram uma boa definio nas
pores rasas, imageando de forma correta a primeira camada geoeltrica resistiva (1). A
segunda camada, 2 (argila plstica, condutiva), tambm aparece de forma evidente nas sees,
assim como a presena da terceira camada, 3, onde a resistividade volta a apresentar valores
maiores em relao sobrejacente. Entretanto, estas duas camadas inferiores no apresentaram
uma boa definio em termos de profundidades, balizadas pelas informaes das SEVs. A quarta
camada, identificada de forma clara nas sees P-D, no aparece nos modelos P-P, apesar destes
alcanarem maiores profundidades de investigao. Isso possivelmente devido perda de
resoluo com a profundidade, caracterstica do arranjo P-P.

126

Na Figura 14.4.3-14 so apresentados os dados obtidos com o arranjo Wenner na forma


de pseudo-seo, em uma poca com alto ndice pluviomtrico (janeiro de 2004).
DISTNCIA (m)
2

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

-1

-1

-2

-2

-3

-3

-4

-4

-5

-5

-6

-6

-7

-7

-8

-8

-9

-9

-10

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

PROFUNDIDADE
TERICA (m)

-10
RESISTIVIDADE APARENTE (ohm.m)

50

100

150

200

250

Figura 14.4.3-14 - Pseudo-seo, arranjo Wenner, espaamento entre eletrodos a=0,5m, 1m,..,10m.

Pode ser observado na pseudo-seo que os valores de resistividade, em geral, so


menores do que os obtidos com os arranjos D-D e P-D. Neste ms, o total mensal da precipitao
medida na Cidade Universitria foi 203,8mm, o maior ndice do ano (Figura 14.4.3-15).

Figura 14.4.3-15 - Histograma com a precipitao mensal no ano de 2004 (PAIXO, 2005).
Em destaque o ms de janeiro, com alto ndice de pluviometria, poca que foi realizado
o levantamento com o arranjo Wenner.

A seo modelada do arranjo Wenner (Figura 14.4.3-16) apresentou o mesmo padro


geoeltrico para as trs primeiras camadas: 1 > 2 < 3. A concordncia do modelo 2D com o
modelo 1D foi melhor no ponto da SEV-E25 do que no da SEV-E12. A quarta camada no pode
ser identificada com os parmetros utilizados (maior abertura entre eletrodos igual a=10m),

127

mostrando a pouca profundidade de investigao alcanada pelo arranjo Wenner em relao aos
arranjos P-D e D-D.
A camada correspondente argila plstica apresenta valores baixos de resistividade,
aproximadamente entre 40 e 50 ohm.m. J na camada superior, as resistividades modeladas
apresentaram valores menores do que os fornecidos pelas SEVs, indicando que estas foram
muito influenciadas pelo alto ndice pluviomtrico do ms. Na terceira camada, as resistividades
tambm apresentam valores inferiores aos modelados pelas SEVs, podendo indicar um aumento
de umidade. Esta diferena tambm pode estar associada perda de resoluo com a
profundidade.
Finalizando este item, ser apresentado o resultado de uma prtica no usual de
processamento de dados onde foram agrupadas as medidas referentes a dois distintos arranjos, o
Wenner e o D-D (a=1m), explorando as caractersticas positivas de cada um deles. O programa
RES2DINV possibilita que os dados sejam inseridos de forma genrica, sem a especificao de
qual tipo de arranjo est sendo utilizado, bastando para isto informar a posio dos quatro
eletrodos envolvidos no momento da medida e a correspondente leitura do valor de resistividade
eltrica aparente (opo non-conventional or general arrays). A seo modelada resultante da
inverso de 635 pontos apresentada na Figura 14.4.3-17.
Comparando-se o resultado com a seo obtida somente com o arranjo D-D e a=1m
(Figura 14.4.3-4), verifica-se que o Wenner, utilizando dez nveis de investigao (a=1 at 10),
contribuiu para que maiores profundidades de investigao fossem alcanadas. A resoluo
mostrou-se satisfatria na poro rasa da seo (graas ao D-D), comparativamente seo da
Figura 14.4.3-16 (arranjo Wenner, somente) onde a primeira camada no pode ser bem definida.
Em profundidade, tambm no est caracterizada a presena da terceira camada, onde os valores
de resistividade voltam a subir. O erro de ajuste foi grande, possivelmente pelo fato do programa
ter processado valores de resistividade que apresentaram discrepncias, lembrando que os
levantamentos foram realizados em diferentes pocas do ano, com condies climticas
igualmente distintas.

PROFUNDIDADE (m)

PROFUNDIDADE (m)

10

10 ITERAES

-5

14

33,1% RMS

221

54

458

12

14

16

16

50

22

200

250

300

350

18

20

22

DISTNCIA (m)

150

400

RESISTIVIDADE ELTRICA (ohm.m)

100

RESISTIVIDADE ELTRICA (ohm.m)

20

DISTNCIA (m)
18

503

52

26

100

200

300

400

500

600

700

503

52

2473

24

450

26

2473

24

28

28

30

30

32

32

34

34

36

36

38

38

40

40

-2

-1

-5

-4

-3

-2

-1

-5

-4

221

54

458

12

1,94% RMS

10

-3

8 ITERAES

-4

-3

-2

-1

-5

-4

-3

-2

-1

SEV-E25
SEV-E25

SEV-E12
SEV-E12

128

Figura 14.4.3-16 - Seo modelada, arranjo Wenner (esquerda).

Figura 14.4.3-17 - Seo modelada, mixando dados dos arranjos D-D e Wenner (direita).

129

14.4.4 Informaes diretas (trincheira)

A obteno de qualquer tipo de informao direta que poder servir de parmetro no


processamento sempre de grande valia para a interpretao geofsica (GANDOLFO &
GALLAS, 2004a). Para a interpretao das SEVs realizadas nas estacas 12 e 25 foram utilizadas
as informaes do perfil litolgico obtidas por ocasio da perfurao e instalao dos poos de
monitoramento.
A escavao de uma trincheira (abril de 2004) nas proximidades do perfil onde foram
realizados os caminhamentos eltricos constituiu uma chance mpar para inspeo detalhada das
litologias que ocorrem na rea, assim como a determinao direta, in situ, das resistividades
das mesmas, como ser mostrado adiante.
A Figura 14.4.4-1 apresenta a descrio detalhada da trincheira e de uma sondagem a
trado feita em janeiro de 2004, na qual constam as diversas litologias presentes na rea e as
respectivas espessuras das mesmas (PAIXO, 2005).

Figura 14.4.4-1 - Perfil litolgico da trincheira (a) e da sondagem a trado (b) realizada nas proximidades
do perfil dos caminhamentos eltricos. Fonte: PAIXO (2005).

130

A Tabela 14.4.4-1 sintetiza o perfil geolgico da trincheira, de forma a se estabelecer as


correlaes com os parmetros geoeltricos que sero utilizados nas anlises subseqentes.
Tabela 14.4.4-1 - Perfil litolgico da trincheira escavada.

Camada

Litologia

Profundidade (m)

1
2
3
4

solo com matria orgnica


areia silte-argilosa com presena de seixos
argila plstica
argila siltosa gradando para fraes mais grossas na base

0 - 0,5
0,5 - 0,9
0,9 - 2,3
2,3 - 3,0

A Figura 14.4.4-2 apresenta um detalhe das camadas superiores identificadas na


trincheira.

Figura 14.4.4-2 - Detalhe das litologias superficiais identificadas na trincheira.

Na ocasio da escavao da trincheira, o nvel dgua encontrava-se a 3,2 metros de


profundidade, informao obtida na prpria vala e nos poos de monitoramento situados nas
proximidades.
Para a determinao in situ das resistividades eltricas de cada uma das camadas
correspondentes s litologias listadas na Tabela 14.4.4-1, efetuou-se medidas diretas nas
respectivas formaes, cravando-se os eletrodos na parede da trincheira e efetuando as leituras
(Figura 14.4.4-3).

131

Figura 14.4.4-3 - Eletrodos cravados na camada de argila siltosa, situada abaixo da argila plstica.
O piso da trincheira estava a 3m de profundidade em relao superfcie.

Foi utilizado o arranjo Wenner com espaamento entre eletrodos fixo e igual a 0,3m.
Neste tipo de ensaio, adotando-se pequeno espaamento entre eletrodos, os valores de
resistividade aparente podem ser considerados como os valores reais do material geolgico
ensaiado (BRAGA, 1997). As medidas foram realizadas com as trs diferentes configuraes do
arranjo Wenner: alfa, beta e gama.
A Tabela 14.4.4-2 apresenta os valores de resistividades medidas nas diferentes litologias
da trincheira, segundo as trs disposies de eletrodos do arranjo Wenner.
Tabela 14.4.4-2 - Medidas de resistividade eltrica aparente realizadas na parede da trincheira
utilizando os arranjos Wenner alfa ( ), beta () e gama ().

Litologia

(m)

(m)

(m)

solo com matria orgnica


areia silte-argilosa com presena de seixos
argila plstica
argila siltosa gradando para fraes mais grossas na base

844
513
264
528

1.176
752
242
626

681
396
275
481

CARPENTER (1955) apresenta uma equao simples relacionando as resistividades


aparentes obtidas com as trs configuraes Wenner:
3 a = a + 2 a

(eq.14.4.4-1)

132

Nesta equao, ax a resistividade eltrica aparente medida segundo as configuraes


alfa (), beta () e gama (). No caso de um meio isotrpico e homogneo esta relao exata,
pois os trs valores de resistividade medidos seriam iguais. As medidas de campo puderam ento
ser checadas por esta relao matemtica, a partir da qual foram estabelecidas algumas
consideraes.
Observando-se os resultados obtidos na Tabela 14.4.4-2, constata-se que a relao
praticamente vlida para todos os horizontes litolgicos e apresentando pequenas diferenas (6
m, o maior valor, no caso da camada de solo superficial com matria orgnica). Em geral, as

camadas superficiais so os locais onde se observam as maiores heterogeneidades, acarretando


grandes variaes das resistividades eltricas neste horizonte.
Para ilustrar este fato e explorando ainda as possibilidades de utilizao das distintas
configuraes do arranjo Wenner, foi realizado em superfcie um levantamento de curta extenso
(8 metros) para averiguao das resistividades das pores superficiais do solo.
Na Figura 14.4.4-4 apresentado o resultado desse levantamento, utilizando os arranjos
Wenner alfa, beta e gama (a=1m). Com este pequeno espaamento, as medidas esto fortemente
influenciadas pelas camadas superficiais. CARPENTER (1955) relata que quando a linha de
eletrodos, empregando-se estas configuraes, cruza uma descontinuidade lateral de
resistividade, os valores de e aumentam enquanto diminui e vice e versa. o que pode
ser observado no grfico da Figura 14.4.4-4, mostrando que na poro superficial do solo,
correspondendo zona aerada e seca, ocorrem intensas variaes laterais de resistividade.
350

300

250

Ro_ap
(ohm.m)

200

150

100

50

ro_ap (alfa)

227

280

176

195

117

141

100

96

ro_ap (beta)

311

206

282

129

158

91

120

112

ro_ap (gama)

188

321

125

234

97

163

87

88

Figura 14.4.4-4 - Variaes laterais de resistividade verificadas em um caminhamento (8m de extenso),


utilizando o arranjo Wenner alfa, beta e gama com a=1m.

133

Retornando para a anlise das medidas efetuadas diretamente na parede da trincheira,


pode ser observado que a frmula da eq.(14.4.4-1), alm da verificao da qualidade dos dados e
eventuais erros instrumentais (CARPENTER, 1955) poder fornecer a checagem com relao
homogeneidade de uma determinada litologia. Particularmente, na camada de argila plstica,
cujo aspecto homogneo pode ser verificado in situ na trincheira, foi observada a menor variao
dos valores medidos nas trs diferentes configuraes e a relao matemtica da equao
apresentada foi exata.
Com valores de resistividade medidos in situ na parede da trincheira e conhecidas a
espessura das respectivas camadas, foi efetuada uma modelagem direta com os dados
apresentados na Tabela 14.4.4-2, cujos resultados so apresentados na Figura 14.4.4-5.

Figura 14.4.4-5 - Curvas de resistividade aparente obtidas por modelagem direta,


utilizando as espessuras das camadas e os respectivos valores de resistividade medidos in situ
com as configuraes alfa (esquerda), beta (meio) e gama (direita).

O modelo geoeltrico verificado obedece ao padro do tipo 1 > 2 > 3 < 4.


Dispondo de todas estas informaes diretas, partiu-se para a obteno dos dados
indiretos. Foi ento realizada uma SEV nas proximidades da trincheira, cujos resultados so
apresentados a seguir.
O arranjo utilizado foi o de Schlumberger e com abertura inicial entre eletrodos de
corrente de 1,2m (AB/2=0,6m) estendendo-se at 40m (AB/2=20m, abertura mxima). No
processo de inverso, as espessuras foram fixadas de acordo com aquelas obtidas pela inspeo
visual da trincheira (Tabela 14.4.4-1). Na Figura 14.4.4-6 encontra-se a curva de resistividade
aparente obtida da SEV.

134

RESISTIVIDADE APARENTE (ohm.m)

1000

100

10
1

MEDIDO
CALCULADO

10

100

AB/2 (m)
ERRO DE AJUSTE=1,9%

Figura 14.4.4-6 - SEV realizada nas proximidades da trincheira.

A Tabela 14.4.4-3 apresenta o modelo geoeltrico estabelecido com a inverso dos dados
da SEV.
Tabela 14.4.4-3 - Modelo geoeltrico obtido pela SEV realizada prxima trincheira.

Camada

(m)

Espessura (m)

Prof. topo (m)

1
2
3
4
5

705
524
159
211
58

0,5
0,4
1,4
4,7

0
0,5
0,9
2,3
7

Para estabelecer uma comparao entre os valores medidos in situ com os dados da
SEV, foi considerada uma quinta camada geoeltrica. Esta camada, no observada nas medidas
diretas efetuadas at trs metros de profundidade, apresenta um valor de resistividade menor que
a sobrejacente, como pode ser verificado nas medidas indiretas (ramo descendente da poro
final da curva da SEV). Ou seja, foi levado em considerao um estrato geoeltrico com 58
ohm.m, abaixo da 4a camada. A Figura 14.4.4-7 apresenta estes resultados.

135

Figura 14.4.4-7 - Comparao das medidas de resistividade obtidas de forma direta


(in situ, na parede da trincheira, curva contnua) com as trs configuraes Wenner (alfa, beta e gama)
e indiretas (pela SEV, realizada nas proximidades, pontos discretos).

Observa-se, de forma geral, uma concordncia dos valores de resistividade para as duas
primeiras camadas geoeltricas. J para a terceira e quarta camada, estes valores apresentam uma
disparidade. Entretanto, continua sendo verificado o padro 1 > 2 > 3 < 4 para as quatro
primeiras camadas.
Ser agora estabelecida a correlao dos resultados da SEV com as litologias observadas
na rea. A primeira camada de 0,5m de espessura, e que apresenta o maior valor de resistividade,
corresponde ao solo com matria orgnica seco. A segunda camada, com espessura da mesma
ordem de grandeza (0,4m) e correspondente a areia silte-argilosa com presena de seixos,
apresenta uma ligeira queda na resistividade.
O grfico apresentado na Figura 14.4.4-8 apresenta os perfis dos teores de umidade
natural do solo em trs campanhas realizadas em distintas pocas do ano de 2004 (PAIXO,
2005). As amostras foram coletadas com um trado mecnico, desde a superfcie do terreno at a
profundidade de 4 metros, aproximadamente, em alguns pontos prximos ao perfil onde foram
realizados os levantamentos geofsicos. Atentaremos para a coleta de dados realizada no ms de
abril, coincidente com os levantamentos geoeltricos ora apresentados (curva em vermelho do
grfico).

136

Figura 14.4.4-8 - Grfico com teores de umidade natural do solo (PAIXO, 2005).

Pode ser observado um ligeiro incremento de umidade a partir de 0,5m at 1m,


justificando a pequena queda de resistividade observada na segunda camada. A partir de 1m, os
teores de umidade crescem abruptamente, com o pico da curva correspondente aos pontos
medidos nas profundidades 1,5, 2,0 e 2,5m. Esta faixa de aproximadamente 1,5m de espessura,
que apresenta altos teores de umidade, est correlacionada camada de argila plstica que ocorre
na rea. Estes altos teores de umidade justificam os baixos valores de resistividade eltrica
observados na terceira camada do modelo geoeltrico (3) que est associada presena desta
argila. Com o aumento da profundidade a camada de argila vai gradando para fraes mais
arenosas, resultando em teores de umidade menores.
A discrepncia observada entre os valores medidos de forma direta e indireta (Figura
14.4.4-7) para as litologias abaixo de 1m e que apresentam altos teores de umidade, pode ser
explicada pela perda de umidade da camada de argila. As formaes estiveram expostas na
parede da trincheira, durante um considervel perodo de tempo e numa poca do ano ainda
relativamente quente.
Desta forma, devido ao pequeno espaamento utilizado entre eletrodos (a=0,3m), as
medidas realizadas sofreram grande influncia da poro superficial da litologia, que se
apresentava mais seca do que a sua poro interna. Assim sendo, nestas medidas diretas
efetuadas na trincheira, as resistividades das camadas que exibem alto teor de umidade, sempre

137

apresentaro valores superiores queles medidos com os mtodos indiretos na superfcie do


terreno.
A Figura 14.4.4-9 apresenta os resultados do ajuste das medidas efetuadas de forma direta
com as trs configuraes do arranjo Wenner, aps trs iteraes. Os valores de resistividade
apresentados na Tabela 14.4.4-2 foram utilizados como modelo inicial no processo de inverso.
Como pode ser observado, nos trs casos o ajuste foi muito bom, com as resistividades da
terceira e quarta camada assumindo menores valores, possivelmente mais prximos do que
deveriam exibir em uma situao in situ, sem exposio direta atmosfera.

Figura 14.4.4-9 - Medidas diretas de resistividade (utilizando os arranjos Wenner alfa, beta e gama)
ajustadas aps 3 iteraes em programa de inverso de dados de SEV.

O extrato geoeltrico de 58 ohm.m, que se encontra a aproximadamente 7m de


profundidade, foi interpretado como a camada de argila compacta que ocorre na rea, conforme
as informaes do perfil descritivo dos poos PM-1R (Figura 14.4.1-1).
14.4.5 Levantamento 3D de eletrorresistividade

Nesta rea de estudo, devido disponibilidade de grande quantidade de informaes


diretas (trincheiras, poos etc.) foi realizado, em nvel de teste, um levantamento genuinamente
3D de eletrorresistividade, cujos resultados sero apresentados neste item. Resultados
preliminares deste estudo podem ser encontrados em GANDOLFO & GALLAS (2005; 2004b).
Encontram-se na literatura relatos de levantamentos 2D visualizados sob a forma de
modelos 3D (BERNSTONE et al., 1997; OGILVY et al., 2002), assim como efetivas aquisies
3D onde geralmente foi empregado o arranjo P-P na coleta dos dados de campo (DAHLIN &
BERNSTONE, 1997; PARK, 1998).

138

Para a aquisio 3D dos dados de eletrorresistividade na rea da Raia Olmpica, foi


efetuada uma malha regular composta por 25 eletrodos espaados de 1m entre si constituindo,
portanto, um quadrado de dimenso 4m x 4m (Figura 14.4.5-1).

Figura 14.4.5-1 - Aquisio de dados 3D com medida simultnea da profundidade do nvel dgua.

O arranjo utilizado foi P-P com a colocao dos dois eletrodos fixos (B e N) a uma
distncia infinitamente grande (em torno de 100m) da malha quadrada.
A sistemtica de aquisio dos dados seguiu a metodologia proposta por LOKE &
BARKER (1996b), na qual o eletrodo de corrente permanece fixo na posio da estaca 1 e a
leitura do potencial efetuada em cada ponto da malha (estacas 2, 3, ..., 25). Em seguida, o
eletrodo de corrente avana para a estaca 2, medindo-se o potencial nas posies correspondentes
s estacas 3, 4 at 25 (Figura 14.4.5-2). O procedimento se repete at o fechamento da malha.
Obedecendo-se ao princpio da reciprocidade, apenas necessrio efetuar medidas de
potencial nos eletrodos posicionados em estacas de nmero superior quela onde est
posicionado o eletrodo de corrente. Para fins comparativos dos resultados obtidos,
denominaremos esta sistemtica de aquisio completa, cujo esquema encontra-se ilustrado na
Figura 14.4.5-2.

139

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

Figura 14.4.5-2 - Geometria dos eletrodos utilizados na aquisio 3D


e esquema de aquisio completa (modificada de LOKE & BARKER, 1996b).

Na configurao P-P, o nmero mximo de medidas independentes (nmax) que pode ser
efetuado utilizando-se ne eletrodos, dado pela frmula proposta por XU & NOEL (1993):
n max =

n e (n e 1)
2

(eq.14.4.5-1)

Na aquisio dos dados com os 25 eletrodos, foram realizadas 300 medidas para o fechamento da malha. O
tempo gasto na execuo foi de 3,5 horas com duas pessoas trabalhando em campo.

Vale salientar que quando se aumenta a quantidade de pontos da malha, o nmero de


medidas necessrias para o fechamento da mesma cresce de maneira significativa. Ilustrando o
que foi dito, no caso do levantamento cobrir uma rea ligeiramente maior, por exemplo, 6m x 6m
(correspondendo a uma malha regular de 7x7, totalizando 49 eletrodos), deveriam ser realizadas
1176 medidas o que consumiria o tempo de aproximadamente 14 horas (consideradas as mesmas
condies do levantamento de campo ora relatado) para a aquisio dos dados.
O fato demonstra a clara necessidade da utilizao de equipamentos automatizados multieletrodos para que levantamentos 3D sejam operacionalmente viabilizados de forma a cobrir
reas de maiores dimenses. Em aplicaes rotineiras, malhas menores que 10 x 10 podem no
ter efetiva praticidade, uma vez que a rea de cobertura extremamente pequena (LOKE, 1999).

140

Uma forma alternativa de aquisio de dados visando a reduo do nmero de medidas


em campo foi testada neste levantamento. Consiste na execuo de medidas ao longo de linhas
horizontais, verticais e diagonais a 45o, partindo-se do eletrodo de corrente posicionado na malha
(LOKE & BARKER, 1996b). Este modo de aquisio, denominado pelos autores de crossdiagonal (Figura 14.4.5-3), reduz o nmero de medidas necessrias para execuo do ensaio (e,

conseqentemente, o tempo dispendido para aquisio das mesmas) sem que ocorra perda
significativa da qualidade do modelo final obtido, como ser mostrado adiante.
1

10

14

15

19

20

11

12

13

16

17

18

21

22

23

24

25
M

Figura 14.4.5-3 - Tcnica de aquisio cross-diagonal


do levantamento 3D (modificada de LOKE & BARKER, 1996b).

Utilizando-se esta tcnica simplificada de aquisio, o nmero de medidas dimunuido


de 300 para 160. Ou seja, o tempo gasto no levantamento de campo seria praticamente reduzido
metade. Em cada ponto da malha os valores das resistividades eltricas aparentes (a) foram
calculados pela eq.(3.2.4-1). Neste caso, a constante geomtrica para o arranjo P-P (K=2a) foi
calculada para cada ponto da malha retangular onde o potencial foi medido, sendo a a
distncia entre o eletrodo de corrente e o de potencial.
No processamento dos dados foi utilizado o software RES3DINV (GEOTOMO
SOFTWARE, 2004). A malha de elementos finitos utilizada para a determinao dos valores de
resistividades est representada na Figura 14.4.5-4, com a espessura da primeira fileira de blocos
igual a 0,7m, aumentando em 10% para os blocos subseqentes em profundidade.

141

1m

0m

e3

e4

e5

1,1m

e2

1,5m

2,4m

3,5m

4,7m

1,2m

e1

0,9m 0,8m 0,7m

0,7m

e6

1,4m

6,1m

Figura 14.4.5-4 - Malha de elementos finitos utilizada para a inverso


dos dados obtidos no levantamento 3D realizado na Raia Olmpica.

Na Figura 14.4.5-5 encontra-se o resultado da inverso dos dados, correspondente ao


modo de aquisio completa. Os valores modelados de resistividade (exibidos nos ns da malha)
so apresentados em cortes (slices) correspondentes aos seis nveis de investigao em
profundidade, em conformidade com o modelo 3D discretizado da Figura 14.4.5-4. A escala
cromtica representando as resistividades, mantendo-se o padro adotado nesta tese, varia dos
tons avermelhados (mais condutivo) at a tonalidade azul (mais resistivo).
As profundidades efetivas, associadas cada fileira de blocos, corresponde metade da
espessura dos blocos do modelo. Desta forma, teramos as seguintes profundidades para os seis
nveis de investigao (correspondente a seis fileiras de blocos): 0,35m; 1,1m; 1,95m; 2,95m,
4,1m e 5,4m.
Na Figura 14.4.5-6, apresentado o resultado obtido com a aquisio alternativa crossdiagonal. Observa-se uma grande similaridade deste modelo com aquele obtido com a

aquisio completa, principalmente nos trs primeiros nveis de investigao. Algumas


discrepncias podem ser observadas nos nveis mais profundos de investigao (nveis 4 e 5).
Isto se deve s diferenas das densidades de amostragem entre os dois sistemas de aquisio, em
que ambos perdem resoluo com o incremento da profundidade.
Valores mais elevados de resistividade eltrica so observados no primeiro nvel,
ocorrendo uma diminuio dos mesmos em profundidade. A partir do nvel 5 de investigao, as
resistividades tendem a aumentar ligeiramente.

142

X (m)

151

129

110

100

92

151

137

128

115

113

137

146

160

129

148

99

127

156

187

152

78

90

136

163

148

269

148

60

64

94

129

62

56

77

109

63

39

45

105

155

123

55

59

106

201

232

137

61

98

212

NVEL 1 (Z=0-0,7m)
0

98

67

40

52

74

67

42

42

56

75

48

32

36

66

82

75

38

41

64

98

NVEL
70

3 (Z=1,5-2,4m)
38
59

107

Y (m)

112

98

67

40

52

74

67

42

42

56

75

48

32

36

66

82

75

38

41

64

98

112

70

38

59

107

63

58

56

68

79

60

56

60

66

76

58

54

58

66

72

63

55

59

69

74

60

54

64

76

Y (m)

77

72

69

86

102

73

69

73

82

94

69

67

71

80

86

75

67

73

81

89

72

67

80

94

80

NVEL 6 (Z=4,7-6,1m)

NVEL 5 (Z=3,5-4,7m)
1

X (m)

X (m)

67

NVEL 4 (Z=2,4-3,5m)

Y (m)

Y (m)

X (m)

X (m)

NVEL 3 (Z=1,5-2,4m)
0

X (m)

Y (m)

Y (m)

X (m)

X (m)

NVEL 2 (Z=0,7-1,5m)

X (m)

Y (m)

X (m)

X (m)

RESISTIVIDADE
(ohm.m) (ohm.m)
ESCALA CROMTICA
DE RESISTIVIDADE
50

100

150

200

250

Figura 14.4.5-5 - Modelo geoeltrico obtido no modo de aquisio completa.

Y (m)

Y (m)

Y (m)

Y (m)

Y (m)

X (m)
0

143

X (m)

140

124

107

101

99

144

128

126

116

119

135

135

153

129

151

99

123

153

184

155

79

89

136

166

151

242

134

54

60

94

130

62

54

73

102

70

41

47

95

133

111

57

62

107

170

175

112

64

102

184

NVEL 1 (Z=0-0,7m)
0

113

75

42

51

72

81

49

44

57

71

57

39

41

65

77

74

45

48

69

91

97

68

45

65

100

Y (m)

77

62

48

55

67

67

53

51

58

65

58

48

49

60

64

63

49

51

63

69

58

48

58

72

69

73

66

60

65

72

69

62

61

66

70

64

59

60

65

68

65

59

60

69

68

62

57

63

69

Y (m)

83

76

70

78

86

78

72

71

76

81

73

68

69

74

75

73

67

69

73

76

70

66

72

78

75

NVEL 6 (Z=4,7-6,1m)

NVEL 5 (Z=3,5-4,7m)
1

X (m)

X (m)

67

NVEL 4 (Z=2,4-3,5m)

Y (m)

Y (m)

X (m)

X (m)

NVEL 3 (Z=1,5-2,4m)
0

X (m)

Y (m)

Y (m)

X (m)

X (m)

NVEL 2 (Z=0,7-1,5m)

X (m)

Y (m)

Y (m)

X (m)

X (m)

RESISTIVIDADE
(ohm.m) (ohm.m)
ESCALA CROMTICA
DE RESISTIVIDADE
50

100

150

200

250

Figura 14.4.5-6 - Modelo geoeltrico obtido no modo de aquisio cross-diagonal.

Y (m)

Y (m)

Y (m)

Y (m)

X (m)

144

O nvel superior, exibindo maiores resistividades eltricas, corresponde a camada de solo


seco com matria orgnica, (espessura aproximadamente igual a 0,5m). No segundo nvel,
podem ser observadas grandes variaes na distribuio das resistividades, reflexo da
heterogeneidade da mesma (areia silte-argilosa com presena de seixos). Esta camada apresenta
valores de resistividade ligeiramente menores do que a camada superior, mostrando coerncia
com os dados das SEVs.
No terceiro nvel (profundidade efetiva igual a aproximadamente 2m) so observados
baixos valores de resitividade, correspondendo camada de argila plstica com alto teor de
umidade. A resistividade continua caindo at o quarto nvel, quando atinge seus menores valores
em mdia (profundidade efetiva igual a 3m, aproximadamente).
No quinto e sexto nvel, apesar da baixa resoluo em funo da profundidade, os valores
de resistividade vo sofrendo uma ligeira elevao. Estes nveis esto associados argila siltosa
gradando para fraes mais grossas em profundidade, fazendo com que a resistividade suba
novamente.
A Figura 14.4.5-7 apresenta de forma ilustrativa os seis nveis de investigao em
profundidade do modelo geooeltrico 3D e as respectivas correspondncias com as litologias
locais. A camada de argila compacta, que equivaleria a uma nova queda na resistividade, no foi
identificada neste levantamento devido ao pequeno espaamento utilizado no arranjo (1m).
A consistncia dos resultados pode tambm ser checada comparando-se o modelo obtido
da aquisio 3D com aquele resultante do levantamento 2D de caminhamento eltrico,
especificamente com a utilizao do mesmo arranjo, ou seja, o P-P.
A Figura 14.4.5-8 apresenta um corte vertical do modelo 3D na posio Y=0 que pode ser
comparado com um segmento do modelo geoeltrico 2D obtido do processamento dos dados do
caminhamento eltrico (arranjo P-P, a=1m e treze nveis de investigao em profundidade). A
exata posio onde o levantamento 3D foi realizado est destacada pela moldura branca.

145

Figura 14.4.5-7 - Diagrama ilustrando-se o resultado do levantamento 3D, onde foi verificada a variao
da resistividade com a profundidade seguindo o padro padro 1 > 2 < 3. Ao lado, um corte da seo
geolgica nas proximidades do levantamento (poo PM-1R) para fins de correlao.

Figura 14.4.5-8 - Seo vertical (X,Z em Y=0) do modelo 3D (esquerda) e segmento do modelo
geoeltrico obtido em levantamento 2D com arranjo P-P e a=1m (direita).

146

14.4.6 Resultados dos levantamentos geofsicos de apoio: GPR e EM

O GPR e o EM desempenham o papel de mtodos de apoio para o trabalho


desenvolvido nesta tese, checando e validando os resultados obtidos, uma vez que respondem a
um parmetro que pode ser diretamente correlacionado com os dados de eletrorresistividade. O
parmetro medido pelo mtodo eletromagntico (EM), qual seja, a condutividade eltrica do
terreno, pode ser diretamente comparado com os valores de resistividade aparente, determinados
pela SEV ou pelos caminhamentos eltricos.
O GPR, operando com ondas eletromagnticas de alta freqncia, fornece uma imagem
de alta resoluo das pores rasas da subsuperfcie. A propagao da onda no meio est
condicionada s propriedades eltricas do material. Litologias que apresentam alta condutividade
eltrica causam forte atenuao do sinal eletromagntico e limitam a propagao da onda. J em
meios eletricamente resistivos, a propagao ocorre de forma eficiente, sendo possvel observar
na seo a presena de reflexes do sinal.
Sero apresentados a seguir os resultados do levantamento GPR realizado sobre o perfil
de 40m. A velocidade utilizada para a converso tempo em profundidade foi de 0,08 m/ns. Este
valor foi adotado conforme anlise de velocidade realizada por PAIXO (2005) que realizou
diversos levantamentos GPR no mesmo local.
A Figura 14.4.6-1 apresenta a seo GPR processada, onde a janela de tempo utilizada foi
de 100ns. Observa-se uma forte atenuao do sinal abaixo de 1,5m de profundidade, na camada
de argila muito plstica que, conforme visto, retm muita umidade e apresenta valores baixos de
resistividade. A parte superior da seo onde os refletores so bem visveis, indicando pouca
atenuao e, conseqentemente, presena de material eletricamente resistivo, est associada
camada de solo orgnico e solo areno-argiloso com seixos, seco. Na seo nota-se tambm que a
espessura desta camada sofre uma ligeira diminuio a partir da posio X=26m, fato tambm
bem observado na seo geoeltrica 2D, D-D com a=0,5m (Figura 14.4.3-3).
A Figura 14.4.6-2 apresenta outra seo GPR adquirida com os mesmos parmetros da
seo obtida anteriormente, porm utilizando uma janela de tempo menor (60 ns) o que
possibilitou uma viso mais detalhada da camada resistiva superior com espessura mdia de
1,5m. Pode tambm ser observada uma atenuao a partir da posio 26m, correlacionada a
presena da camada condutiva que se encontra mais rasa nesta parte do perfil, como foi
verificado nas sees geoeltricas 2D modeladas.

147

Figura 14.4.6-1 - Seo GPR (antena de 300 MHz) obtida sobre o perfil de 40m, janela=100ns (esquerda).
Figura 14.4.6-2 - Seo GPR (antena de 300 MHz) obtida sobre o perfil de 40m, janela=60ns (direita).

148

Os resultados do levantamento eletromagntico realizado com o equipamento EM-31


sero apresentados sob a forma de perfis. Como o equipamento fornece diretamente a leitura da
condutividade eltrica aparente, os valores medidos foram convertidos para resistividade,
permitindo uma correlao direta com os resultados obtidos dos caminhamentos eltricos (Figura
14.4.6-3).
P E R F I L E M-31

RESISTIVIDADE ELTRICA APARENTE (ohm.m)

1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

D I S T N C I A (m)
V (ohm.m)

H (ohm.m)

Figura 14.4.6-3 - Perfis eletromagnticos em dois distintos nveis de investigao em profundidade.

O perfil terminou na estaca 29m, pois alm desta posio, as medidas apresentaram-se
extremamente ruidosas e incoerentes sendo, desta forma, descartadas. No foi possvel uma
quantificao dos dados de EM tal como ser apresentado no Captulo 16 (item 16.4). Entretanto,
foi efetuada uma anlise puramente qualitativa dos resultados obtidos.
As medidas correspondentes configurao dipolo horizontal (H) refletem uma
contribuio das pores mais rasas do pacote investigado, no caso, exibindo claramente um
comportamento menos resistivo. Com o equipamento operando na configurao dipolo vertical
(V), as leituras de resistividade so sistematicamente maiores. Ou seja, em profundidade temos
1 < 2. As medidas com o campo horizontal sofrem mais influncia da camada condutiva

situada aproximadamente entre 1,5m e 3,0m, associada argila plstica. Com o campo
horizontal, maiores profundidades so alcanadas e, conseqentemente, esto sob influncia da
camada mais resistiva (argila siltosa, gradando para fraes mais arenosas em profundidade)
situada abaixo da argila plstica, fazendo com que as leituras de resistividade aumentem
ligeiramente.

149

14.4.7 Modelo geoeltrico final

Com base em todos os resultados obtidos na rea de estudos da Raia Olmpica foi
estabelecida uma correlao final das diversas litologias existentes no local e identificadas por
informaes diretas (trincheira e perfil dos poos de monitoramento) com as informaes obtidas
de forma indireta pelos mtodos geofsicos, principalmente a eletrorresistividade atravs de suas
duas principais tcnicas de investigao (SEV e caminhamento).
A Tabela 14.4.7-1 apresenta um modelo geoeltrico final, correlacionando as litologias
encontradas na rea com os respectivos valores da resistividade eltrica estimados para cada uma
delas.
Tabela 14.4.7-1 - Modelo geoeltrico final proposto para a rea da Raia Olmpica.
Camada

Modelo
Geoeltrico

Litologia

Valor de representativa
do modelo

Espessura

> 400 m

0,9 m

Solo com matria orgnica


1

Areia silte-argilosa com


presena de seixos

Argila plstica

~ 50 m

1,5 m

Argila siltosa gradando para


fraes mais grossas na base

~ 200 m

4,7 m

Argila compacta

~ 50 m

indeterminada

Com o intuito de ilustrar o modelo geoeltrico proposto e apresentado na Tabela 14.4.7-1,


elegeu-se a seo modelada correspondente aquisio P-D (aberturas a=4m, 2m e 1m) como a
mais representativa e a que forneceu o melhor resultado em termos de imageamento das pores
rasas.
Propositalmente, foram desconsideradas as bordas da seo modelada onde existem
algumas distores que podem no ter correspondncia com a geologia. Ao lado da seo,
encontra-se a curva de resistividade aparente da SEV-E12, tambm julgada a mais representativa
dentre as sondagens eltricas realizadas, ilustrando o padro geoeltrico definido para a rea:
1 > 2 < 3 > 4 (Figura 14.4.7-1).

150

Figura 14.4.7-1 - Detalhe da seo modelada P-D (a=4m, 2m e 1m) e a correlao com as litologias da
rea da Raia Olmpica, definindo o modelo geoeltrico para rea: 1 > 2 < 3 > 4.

151

O nvel dgua local encontra-se na interface das camadas geoeltricas 2 e 3. Neste


contexto, a zona saturada corresponde a uma camada eletricamente mais resistiva (argila siltosa
gradando para fraes mais grossas na base) posicionada sob uma outra camada de menor
resistividade. Esta camada mais condutiva corresponde argila plstica que apresenta alto teor
de umidade.
Este modelo foge do padro comumente esperado, qual seja: zona no saturada, resistiva;
zona saturada, condutiva. A presena da camada de argila plstica altera este comportamento
esperado e, no fossem as informaes diretas, o nvel dgua poderia ser interpretado como a
interface que ocorre a aproximadamente 1,5m de profundidade. Esta concluso errnea poderia
estar embasada pelos resultados da interpretao geofsica (SEV, modelos 2D obtidos com os
arranjos D-D, P-D, Wenner e GPR).
Fica o ensinamento que, embora com a aplicao de diversas tcnicas, mtodos e
arranjos, visando a diminuio da ambigidade na interpretao, a ausncia de um dado direto
pode levar a concluses equivocadas, mesmo em uma investigao detalhada com alvos
extremamente rasos.

152

15

REA DE ESTUDO 2 - AFLORAMENTO DE DIABSIO (RODOVIA DOS


BANDEIRANTES)

15.1

Contexto geral e localizao

Os levantamentos realizados na rea do afloramento de diabsio, situado na Rodovia dos


Bandeirantes, permitiram uma avaliao do desempenho da tcnica do caminhamento eltrico
com o objetivo voltado para o mapeamento da profundidade do topo rochoso e a sua
conformao em subsuperfcie. Trata-se de um alvo com uma geometria e profundidades bem
conhecidas, o que possibilitou uma excelente possibilidade para aferio das imagens obtidas
com a situao real, observada de uma forma direta em campo.
Dentre as tcnicas geofsicas que vm sendo largamente aplicadas na determinao da
profundidade do topo do embasamento rochoso, podem ser citadas a ssmica de refrao e a
sondagem eltrica vertical (SEV). A tcnica do caminhamento eltrico, embora encontre
aplicao para tal propsito, apresenta algumas limitaes e no pode, portanto, ser classificada
como de larga aplicao neste quesito (SOUZA, 1998).
A aquisio dos dados foi realizada sobre um afloramento de diabsio situado na beira da
Rodovia Bandeirantes, km 162 sentido interior-capital, prximo ao municpio de Limeira-SP
(Figura 15.1-1). As coordenadas geogrficas do topo do afloramento, obtidas por intermdio de
um GPS de navegao, so E=247.880 e N=7.505.627. O levantamento de campo foi realizado
na primeira quinzena do ms de julho de 2004.

Figura 15.1-1 - Afloramento de diabsio situado no km 162 da Rodovia dos Bandeirantes.

153

Como pode ser observado pela Figura 15.1-1, o contato solo-rocha muito bem definido
e o topo rochoso apresenta uma conformao bastante regular. Esta condio propcia para
checagem dos resultados, uma vez que a profundidade do contato pode ser determinada com
bastante preciso. O levantamento foi realizado sobre a berma do talude no qual se encontra o
afloramento, conforme ilustrado na Figura 15.1-2.

Figura 15.1-2 - Levantamento na berma do talude sobre o afloramento.

Para que fosse estabelecida uma correspondncia visual de forma direta das pseudosees de resistividade aparente e das sees modeladas com as imagens do afloramento
fotografadas em campo, foi feito um espelho das fotos em um editor de imagens (Figura 15.1-3).
Desta maneira, a correspondncia da imagem da foto com os resultados obtidos, torna-se mais
fcil de ser visualizada.
Os programas, em geral, assumem nos seus grficos e sees, que a origem do eixo das
abscissas esteja esquerda, crescente no sentido para a direita. Ou seja, pressupem que o
sentido do caminhamento seja da esquerda para a direita. Isto particularmente importante
quando so utilizados os arranjos assimtricos (P-D e P-P). No caso destes arranjos, o programa
RES2DINV assume que o eletrodo de corrente no infinito esteja situado esquerda da seo.
A exata localizao do perfil realizado sobre o afloramento consta tambm na Figura
15.1-3. A escala foi determinada a partir da posio das duas pessoas que aparecem na fotografia

154

(postadas sobre as estacas 30m e 40m do perfil). A rgua representando o perfil est graduada de
2 em 2m. Acima e esquerda da foto, encontra-se uma escala grfica.

Figura 15.1-3 - Foto do afloramento, espelhada em relao Foto 15.1-1, graduada e em escala.

A profundidade real do contato solo-rocha em relao ao nvel do terreno sobre o qual o


perfil foi realizado, foi determinada de forma direta com auxlio de uma vara e um prumo preso
por uma corda em uma de suas extremidades (Figura 15.1-4).

Figura 15.1-4 - Determinao direta da profundidade do topo rochoso em pontos do perfil.

155

Quando o desnvel entre o topo rochoso e a superfcie foi superior a 2m, adotou-se uma
outra estratgia para as medies das profundidades. Foi medida a distncia (L) entre a superfcie
e o topo ao longo da rampa do talude e a inclinao da mesma () utilizando o clinmetro de
uma bssola geolgica. Conhecendo-se este ngulo de inclinao e a distncia medida (L), a
profundidade pde ser calculada por trigonometria, conforme ilustrado na Figura 15.1-5.

Z = L cos

Figura 15.1-5 - Determinao por trigonometria da profundidade do topo rochoso no afloramento.

A mesma escala determinada na Figura 15.1-3 foi aplicada na Figura 15.1-6, a partir da
qual puderam ser determinadas, de forma visual, as profundidades do contato solo-rocha s em
relao berma onde foram realizados os perfis de caminhamento.

Figura 15.1-6 - Afloramento com as respectivas profundidades do topo rochoso com escala.

A Tabela 15.1-1 apresenta as profundidades do topo rochoso determinadas a cada 2m do


perfil, comparando-se as duas tcnicas adotadas: a das medidas efetuadas no campo e aquelas
determinadas com a utilizao da fotografia devidamente colocada em escala.

156

Tabela 15.1-1 - Profundidade do topo rochoso, determinada por medidas


realizadas no campo e pela fotografia do afloramento.
Posio
no Perfil (x)
20m

Profundidade da rocha s (z)


Medida em
Determinada por
campo (m)
fotografia (m)
7,50

(m)
-

22m

7,01

7,00

0,01

24m

6,68

6,60

0,08

26m

6,17

6,40

-0,23

28m

5,91

6,00

-0,09

30m

5,37

5,50

-0,13

32m

5,08

5,00

0,08

34m

4,56

4,40

0,16

36m

3,86

3,80

0,06

38m

3,54

3,40

0,14

40m

3,09

3,00

0,09

42m

2,57

2,60

-0,03

44m

2,31

2,30

0,01

46m

1,80

1,90

-0,10

48m

1,50

1,50

0,00

50m

1,40

1,30

0,10

52m

1,05

1,00

0,05

54m

0,65

0,60

0,05

56m

0,40

0,40

0,00

58m

aflorando

60m

aflorando

62m

aflorando

64m

aflorando

66m

0,6m

68m

2,0m

Pela grande consistncia dos dados obtidos, foram ento definidos os valores da 3 coluna
da Tabela 15.1-1 como as profundidades assumidas como verdadeiras do topo rochoso no
local do levantamento. Estes valores sero utilizados em toda a anlise subseqente.
As profundidades correspondentes s duas ltimas posies (x=66m e x=68m) foram
determinadas pela Figura 15.1-7, com uma viso mais ampla do afloramento estendendo-se alm
do ponto onde ele aflora. Nestas posies finais, o contato no est to bem definido como no
incio do perfil. Entretanto, ntida a presena de uma pequena camada de solo sobrepondo a
rocha s (destacada pela moldura vermelha na foto).

157

Figura 15.1-7 - Viso mais ampla do afloramento, mostrando uma pequena camada de solo
no final do perfil, sobre o topo rochoso (destacada em vermelho).

15.2

Levantamentos geofsicos realizados

Na aquisio dos dados de caminhamento foram realizados perfis com seguintes arranjos
e parmetros, sempre sobre a mesma linha de levantamento (Tabela 15.2-1).
Tabela 15.2-1 - Arranjos e parmetros utilizados no perfil realizado sobre o afloramento.

15.3

Arranjo

Espaamento
entre eletrodos

Nmero de
nveis

Incio

Extenso

D-D

a=4 m

10

estaca 0 m

72 m

D-D

a=2 m

14

estaca 20 m

52 m

D-D

a=1 m

14

estaca 30 m

42 m

P-D

a=2 m

14

estaca 20 m

52 m

P-D

a=1 m

14

estaca 30 m

42 m

P-P

a=2 m

15

estaca 20 m

52 m

P-P

a=1 m

15

estaca 30 m

42 m

Resultados obtidos

Sero apresentados inicialmente os resultados com o arranjo D-D que , a princpio,


aquele que fornece a melhor a resoluo espacial dentre os trs arranjos utilizados na aquisio
sobre o afloramento.

158

As pseudo-sees correspondentes aos espaamentos 4m, 2m, 1m, assim como a pseudoseo modificada contendo os trs espaamentos, so apresentadas na Figura 15.3-1. Na
plotagem das pseudo-sees foram utilizadas as profundidades efetivas de EDWARDS (1977),
pois estas sero posteriormente comparadas com os resultados do modelamento direto fornecido
pelo programa RES2DMOD (item 15.3.1) e que adota as profundidades do autor supra citado.
DISTNCIA (m)

a=1m

-1

-1

-2

-2

-3

-3

-4

-4

DISTNCIA (m)

P R O F U N D ID A D E
E F E T IV A (m )

P R O F U N D ID A D E
E F E T IV A (m )

30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50 52 54 56 58 60 62 64 66 68 70 72

a=2m
0

-1

-1

-2

-2

-3

-3

-4

-4

-5

-5

-6

-6

-7

-7

a=4m

DISTNCIA (m)
4

8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50 52 54 56 58 60 62 64 66 68 70 72
0

-1

-1

-2

-2

-3

-3

-4

-4

-5

-5

-6

-6

-7

-7

-8

-8

-9

-9

-10

-10

-11

-11

a=4m+2m+1m

DISTNCIA (m)

P R O F U N D ID A D E
E F E T IV A (m )

P R O F U N D ID A D E
E F E T IV A (m )

8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50 52 54 56 58 60 62 64 66 68 70 72

-1

-1

-2

-2

-3

-3

-4

-4

-5

-5

-6

-6

-7

-7

-8

-8

-9

-9

-10

-10

-11

-11

RESISTIVIDADE APARENTE (ohm.m)

100

200

300

400

500

600

700

Figura 15.3-1 - Pseudo-sees D-D modificadas (a=1m, a=2m, a=4m e todos os dipolos juntos).

P R O F U N D ID A D E
E F E T IV A (m )

P R O F U N D ID A D E
E F E T IV A (m )

P R O F U N D ID A D E
E F E T IV A (m )

P R O F U N D ID A D E
E F E T IV A (m )

20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50 52 54 56 58 60 62 64 66 68 70 72
0

159

Nas sees modeladas que sero apresentadas a seguir, as profundidades determinadas do


topo rochoso foram lanadas sobre as imagens processadas para facilitar a visualizao do
contato solo-rocha nas respectivas imagens geradas.
Os parmetros utilizados para o processamento das sees D-D para esta rea de estudo
foram os seguintes: inverso robusta com valores de resistividade limitados superiormente a trs
vezes; razo V/H do filtro de nivelamento igual a 0,5; espessura do primeiro bloco igual a 0,3 o
espaamento entre eletrodos, aumentando em 10% com a profundidade.
A Figura 15.3-2 apresenta a seo modelada correspondente ao espaamento igual a 4m.
Observa-se uma concordncia relativamente boa do topo rochoso com a camada resistiva cujas
profundidades diminuem em direo ao final do perfil, aflorando entre as posies 58m e 64m.
As Figuras 15.3-3 e 15.3-4 apresentam as sees correspondentes aos dipolos com
menores espaamentos (a=2m e a=1m). Neste caso, a concordncia no foi to boa quanto
aquela observada para o caso do espaamento igual a 4m.
A seo modelada resultante da inverso conjunta dos dados contendo as trs diferentes
aberturas de dipolos (4m, 2m e 1m, totalizando 2.502 pontos) apresentada na Figura 15.3-5.
Foram utilizados os mesmos parmetros apresentados anteriormente.
A predominncia de dados com os menores espaamentos entre eletrodos (2m e 1m)
contribuiu para aumentar o desajuste do topo rochoso com o suposto contato geoeltrico solorocha (camada condutiva superior e resistiva logo abaixo), comparando-se com a seo D-D=4m
modelada da Figura 15.3-2.
O afloramento de diabsio foi interpretado como o corpo resistivo da seo modelada. As
duas primeiras camadas a partir da superfcie (resistiva e condutiva), correspondem camada de
solo sobre o topo rochoso. As profundidades definidas pelos parmetros de inverso utilizados
(espessura do primeiro bloco igual 0,3 o menor espaamento entre eletrodos e espessuras de
blocos aumentando 10%), no ofereceram um bom ajuste, com base nesta suposio.
O melhor ajuste das profundidades, supondo-se o diabsio como o corpo resistivo,
alcanado multiplicando-se as profundidades do modelo por um fator de 0,6. O resultado deste
ajuste apresentado na Figura 15.3-6.

PROFUNDIDADE (m)

-10

-8

-6

-4

-2

PROFUNDIDADE (m)

40

42

46

48

50

56

60

58

52

56

64

68

66

70

70

68

72

-10

-8

-6

-4

-2

11 ITERAES

4,0% RMS
100

Figura 15.3-2 - Seo modelada do afloramento, arranjo D-D, a=4m (esquerda).

Figura 15.3-3 - Seo modelada do afloramento, arranjo D-D, a=2m (centro).

Figura 15.3-4 - Seo modelada do afloramento, arranjo D-D, a=1m (direita).


200

300

400

500

600

700

72

70

-4
RESISTIVIDADE (ohm.m)

68

66

62

-4

56

66

64

60

-3

54

64

62

58

-2

52

600

62

60

54

-3

50

DISTNCIA (m)

500

58

54

50

-1

48

400

700

52

700

48

-2

46

300

RESISTIVIDADE (ohm.m)

44

600

46

-1

38

44

500

DISTNCIA (m)

400

44

34

200

42

300

42

32

36

40

-7

100

38

-6

3,6% RMS

36

-7

8 ITERAES

34

DISTNCIA (m)
32

RESISTIVIDADE (ohm.m)

200

30

-5

40

100

28

-6

38

26

-4

36

24

-5

34

22

-3

32

20

-4

28

18

-2

26

16

2,6% RMS

30

14

-3

30

12

8 ITERAES

10

-1

-2

24

22

-1

20

PROFUNDIDADE (m)

PROFUNDIDADE (m)
PROFUNDIDADE (m)

PROFUNDIDADE (m)

160

14

18

20

34

36

38

DISTNCIA (m)
40

42

66

66

68

68

70

70

72
0

32

34

36

38

40

Figura 15.3-6 - Seo D-D modelada (a=4m, 2m, 1m) do afloramento


e com profundidades ajustadas (direita).

-7

1
0
0 2
0
0 3
0
0 4
0
0 5
0
0 6
0
0 7
0
0

-6

-7

72

-5

44

-6

42

-5

RESI STI VI DADE ( ohm


.m)

30

-4

20

-3

18

-4

16

-2

14

-3

12

600

-1

10

500

-2

400

-1

300

DI STNCI A ( m)

200

-12

64

64

-11

62

62

-12

60

60

-10

58

58

-11

56

56

-9

54

54

-10

52

52

-8

50

50

-9

48

48

-7

46

46

-6

700

44

-8

RESISTIVIDADE (ohm.m)

32

-5

100

30

-7

28

28

-6

26

26

-4

24

24

-5

22

22

-3

5,3% RMS

16

-4

12

8 ITERAES

10

-2

-3

-1

-2

PROFUNDIDADE (m)
PROFUNDIDADE (m)

PROFUNDIDADE (m)

PROFUNDIDADE (m)

-1

161

Figura 15.3-5 - Seo D-D modelada (a=4m, 2m, 1m) do afloramento (esquerda).

162

A suposio de um corpo de diabsio resistivo baseia-se em informaes de campo, onde


foi observado que a rocha s aflora entre as posies 58m e 64m do perfil de levantamento. A
Figura 15.3-7 apresenta os perfis de resistividade aparente para os cinco primeiros nveis em
profundidade (arranjo D-D=2m), exibindo uma clara tendncia de elevao dos valores de
resistividades nas proximidades das posies onde o corpo aflora.
PERFIL DE RESISTIVIDADES ELTRICAS APARENTES (D-D=2m)

R E S IS T IV ID A D E
A P A R E N T E (o h m .m )

NVEL 2

NVEL 3

NVEL 4

NVEL 5

1200

1000

1000

800

800

600

600

400

400

200

200

R E S IS T IV ID A D E
A P A R E N T E (o h m .m )

NVEL 1

1200

0
20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

42

44

46

48

50

52

DISTNCIA (m)

54

56

58

60

62

64

66

68

70

72

POSIO NO PERFIL
ONDE O DIABSIO AFLORA

Figura 15.3-7 - Perfis de resistividade aparente para os cinco primeiros nveis (arranjo D-D=2m).

A Figura 15.3-8 apresenta os resultados obtidos com o arranjo P-D. As pseudo-sees


foram plotadas de acordo com as profundidades de EDWARDS (1977). Pode ser observada uma
grande similaridade entre as pseudo-sees P-D com aquelas obtidas com o arranjo D-D. A
seo P-D modelada resultante da inverso dos dados, utilizando conjuntamente os
espaamentos de 2m e 1m apresentada na Figura 15.3-9.
Os parmetros de inverso utilizados no processamento dos dados foram os mesmos do
arranjo D-D. Entretanto, as profundidades de investigao diferiram. A espessura adotada para o
primeiro bloco foi de 0,4 vezes a abertura entre dipolos, aumentando 10% para os sucessivos
blocos. Da mesma forma que as pseudo-sees, os modelos D-D e P-D, a despeito do no ajuste
da interface condutivo-resistivo com o contato solo-rocha, so bastante similares.
Para o perfeito ajuste, da mesma forma do que o efetuado para o modelo D-D, as
profundidades foram multiplicadas por um fator 0,6. O resultado deste ajuste mostrado na
Figura 15.3-10.

163

a=2m

DISTNCIA (m)

-2

-4

-4

-6

-6

-8

-8

-10

-10

-12

-12

P R O F U N D ID A D E
E F E T IV A (m )

30

a=1m

DISTNCIA (m)
32

34

36

38

40

42

44

46

48

50

52

54

56

58

60

62

64

66

68

70

72

0
-1
-2
-3
-4
-5
-6

0
-1
-2
-3
-4
-5
-6

P R O F U N D ID A D E
E F E T IV A (m )

P R O F U N D ID A D E
E F E T IV A (m )

-2

P R O F U N D ID A D E
E F E T IV A (m )

20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50 52 54 56 58 60 62 64 66 68 70 72
0
0

a=2m+1m

DISTNCIA (m)

-2

-2

-4

-4

-6

-6

-8

-8

-10

-10

-12

-12
RESISTIVIDADE (ohm.m)

100

200

300

400

500

600

700

Figura 15.3-8 - Pseudo-sees modificadas do arranjo P-D


com a=2m (acima), a=1m (meio) e a=2m e 1m (abaixo)

P R O F U N D ID A D E
E F E T IV A (m )

P R O F U N D ID A D E
E F E T IV A (m )

20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50 52 54 56 58 60 62 64 66 68 70 72
0
0

62

64

100

Figura 15.3-9 - Seo P-D modelada (a=2m e a=1m).

Figura 15.3-10 - Modelo P-D com a profundidade ajustada do topo rochoso.


200

300

400

500

600

RESISTIVIDADE (ohm.m)

700

-7

72

-6

54

-7

50

-5

48

70

72

-6

46

68

70

-4

44

66

68

-5

42

60

66

-3

40

600

58

64

-4

38

500

56

62

-2

32

400

DISTNCIA (m)

300

52

60

-3

30

36

58

-1

28

34

56

-2

26

200

700

54

24

100

52

-1

22

6,0% RMS

50

20

8 ITERAES

48

RESISTIVIDADE (ohm.m)

46

-12

44

-12

42

-10

40

-10

38

-8

36

-8

34

-6

32

-6

30

-4

28

-4

26

-2

24

-2

22
0

20

PROFUNDIDADE (m)

PROFUNDIDADE (m)
PROFUNDIDADE (m)

PROFUNDIDADE (m)

DISTNCIA (m)

164

165

A seguir sero apresentados os resultados do levantamento P-P que, em teoria, o que


fornece pior resoluo dentre os arranjos estudados.
As Figuras 15.3-11 e 15.3-12 apresentam as pseudo-sees (plotagem de acordo com
EDWARDS, 1977) dos dados de campo obtidos com o arranjo P-P e espaamento inicial entre
eletrodos igual a 2m e 1m, respectivamente.
Pode ser observada a ocorrncia de menores valores de resistividade, se comparados s

DISTNCIA (m)

PROFUNDIDADE EFETIVA (m )

20
0

22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

42

44

46

48

50

52

54

56

58

60

62

64

66

68

70

72
0

-2

-2

-4

-4

-6

-6

-8

-8

-10

-10

-12

-12

-14

-14

-16

-16

-18

-18

-20

-20

-22

-22

-24

-24

-26

PROFUNDIDADE EFETIVA (m )

pseudo-sees D-D e P-D.

-26
RESISTIVIDADE APARENTE (ohm.m)

100

200

300

400

500

600

700

PROFUNDIDADE
EFETIVA (m)

30

DISTNCIA (m)
32

34

36

38

40

42

44

46

48

50

52

54

56

58

60

62

64

66

68

70

72

0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
-12
-13

0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
-12
-13

PROFUNDIDADE
EFETIVA (m)

Figura 15.3-11 - Pseudo-seo P-P (n.a=2m).

RESISTIVIDADE APARENTE (ohm.m)

100

200

300

400

500

600

700

Figura 15.3-12 - Pseudo-seo P-P (n.a=1m).

O programa RES2DINV no permite a inverso conjunta de dados P-P com distintas


aberturas entre eletrodos. Desta forma, foram invertidos de forma individualizada os dados
obtidos com o espaamento 1m e 2m que so apresentados na Figura 15.3-13 e 15.3.14.
Encontra-se tambm lanada sobre as imagens, a profundidade do topo rochoso
determinada de modo direto.

0
-2
-4
-6
-8
-1 0
-1 2
-1 4

0
-2
-4
-6
-8
-1 0
-1 2
-1 4
-1 6
-1 8
-2 0
-2 2
-2 4
-2 6
-2 8

30

22

26

28

34

36

8 IT E R A E S

32

8 IT E R A E S

24

32

34

40

2 ,9 % R M S

38

2 ,0 % R M S

30

42

36

44

38

100

46

100

40

D IS T N C IA (m )
44
46
48 50

Figura 15.3-13 - Seo modelada, arranjo P-P, n.a=2m.

Figura 15.3-14 - Seo modelada, arranjo P-P, n.a=1m.


200

300

400

500

600

R E S IS T IV ID A D E (o h m .m )

56

D IS T N C IA (m )
48
50
52
54

400

600

300

52

500

200

R E S IS T IV ID A D E (o h m .m )

42

700

58

700

54

56

60

58

62

60

64

62

66

64

68

66

70

68

70

72

0
-2
-4
-6
-8
-1 0
-1 2
-1 4
-1 6
-1 8
-2 0
-2 2
-2 4
-2 6
-2 8

0
-2
-4
-6
-8
-1 0
-1 2
-1 4

72

PROFUNDIDADE (m)

PROFUNDIDADE (m)

PROFUNDIDADE (m)

PROFUNDIDADE (m)

20

166

167

A baixa resoluo dos dados P-P evidente nas pseudo-sees, se comparadas com
quelas dos arranjos D-D e P-D. Entretanto, o dado modelado consegue suprir, em parte, esta
deficincia, produzindo imagens com resoluo ligeiramente menor, porm bastante similares
aos modelos correspondentes aos dos arranjos D-D e P-D.
O topo rochoso, interpretado como o corpo resistivo na seo que aflora entre as estacas
58m e 62m, apresenta uma conformao semelhante ao contato medido de modo direto no
campo. Entretanto, o mesmo desajuste foi observado.
Finalmente, as Figuras 15.3-15 e 15.3-16 apresentam as sees modeladas com as
profundidades, da mesma forma que as sees D-D e P-D, multiplicadas por um fator 0,6. Como
resultado, obteve-se um bom ajuste do modelo com as informaes diretas.

44

100

56

RESISTIVIDADE (ohm .m )

46

700

58

60

62

64

66

68

70

72
0

-10

Figura 15.3-15 - Seo modelada, arranjo P-P, n.a=2m com profundidades ajustadas.

Figura 15.3-16 - Seo modelada, arranjo P-P, n.a=1m com profundidades ajustadas.
200

300

400

500

600

-10

-8

42

6 00

-8

40

500

-6

38

400

-6

36

72

-4

34

70

-4

32

68

-2

30

30 0

DISTNCIA (m )
48 50 52 54

200

700

66

-2

1 00

R E S IS T IV ID A D E (ohm .m )

64

-16

62

-16

60

-14

58

-14

56

-12

54

-12

52

-10

D IS T N C IA (m )
44 46 48 50

-10

42

-8

40

-8

38

-6

36

-6

34

-4

32

-4

30
-2

28

-2

26
0

24

22

PROFUNDIDADE (m)

PROFUNDIDADE (m)

PROFUNDIDADE (m)

PROFUNDIDADE (m)

20

168

169

15.3.1 Modelamento direto

Para checagem e validao dos resultados obtidos com a inverso dos dados, foi definido
um modelo discretizado sobre o qual se desenhou o contato solo rocha. A geometria o corpo de
diabsio fica bem definida uma vez que as profundidades do topo rochoso, com medidas
tomadas a cada 2 metros, so bem conhecidas.
Os parmetros do modelo discretizado foram os seguintes: 72 eletrodos, dois nodos por
espaamento entre eletrodos, 142 blocos por linha do modelo contendo 27 fileiras. As
profundidades da base de cada fila de blocos so apresentadas na Tabela 15.3.1-1.
Tabela 15.3.1-1 - Profundidades da base de cada fileira dos blocos
da malha retangular definida para a elaborao do modelo do afloramento.
Profundidades da base da fileira de blocos (m)
0,1

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

1,25

1,50

1,75

2,0

2,3

2,6

2,9

3,4

3,8

4,2

4,6

5,0

5,5

6,0

6,5

7,0

7,5

8,0

9,0

10,0

3,1

Na Figura 15.3.1-1 encontra-se este modelo proposto, com o contorno topo rochoso
definido sobre o mesmo.

Figura 15.3.1-1 - Modelo discretizado com o contorno do topo rochoso.

Para o solo situado sobre o corpo de diabsio (900 ohm.m) foi definido um valor de
resistividade igual a 60 ohm.m.
Refinando o modelo, de tal modo que a resposta esteja em concordncia com os dados de
campo (pseudo-sees de resistividade eltrica aparente) para os diversos arranjos utilizados,
foram inseridas duas camadas geoeltricas superficiais na camada de solo, uma superior e outra
inferior, com resistividades iguais 650 e 250 ohm.m, respectivamente (Figura 15.3.1-2).

170

Figura 15.3.1-2 - Modelo de polgonos utilizado para representar o


afloramento de diabsio e as camadas de solo sobrejacentes.

Foram ento verificadas as respostas deste modelo para os diversos arranjos e diferentes
aberturas entre eletrodos, cujos resultados so mostrados nas Figuras 15.3.1-3 a 15.3.1-8. As
pseudo-sees de resistividade aparente correspondente a cada um dos arranjos so tambm
apresentadas nas figuras para facilitar a comparao com os resultados obtidos.
As pseudo-sees foram plotadas utilizando os coeficientes de EDWARDS (1977), tal
como o modo de exibio utilizado pelo programa RES2DINV/RES2DMOD. Procurou-se
tambm utilizar uma escala cromtica de resistividade similar. O programa RES2DMOD no
possibilita a exportao destes dados para o formato do SURFER e, conseqentemente, uma
melhor manipulao dos mesmos.

MODELO

RESPOSTA DO MODELO

50

52

54

56

58

60

62

64

66

70

a=4m

68

72

-11

48

-10

46

-11

44

-9

42

-10

40

-8

38

-9

36

-7

34

DISTNCIA (m)
32

-8

30

-6

28

-7

26

-5

24

-6

22

-4

20

-3

18

-5

16

-2

14

-4

12

-3

10

-1

-2

6
0

-1

DADOS DE CAMPO

171

Figura 15.3.1-3 - Resposta do modelo proposto, utilizando o arranjo D-D com a=4m.

MODELO

RESPOSTA DO MODELO

52

54

56

58

60

62

64

66

70

72

a=2m

68

-7

50

-6

48

-7

46

-5

44

DISTNCIA (m)

-6

42

-4

40

-5

38

-3

36

-4

34

-2

32

-3

30

-1

28

-2

26

24

-1

22

20

DADOS DE CAMPO

172

Figura 15.3.1-4 - Resposta do modelo proposto, utilizando o arranjo D-D com a=2m.

62

64

66

70

72

MODELO

RESPOSTADOMODELO

-4.0

a=1m

68

-4

60

-3

58

-3

56

-3.5

54

-2

52

-3.0

50

DISTNCIA(m)

-2

48

-2.5

46

-1

44

-2.0

42

-1

40

-1.5

38

36

-1.0

34

0.0

32

-0.5

30

DADOSDECAMPO

173

Figura 15.3.1-5 - Resposta do modelo proposto, utilizando o arranjo D-D com a=1m.

B
22

24

26

28

30

32

34

36

MODELO

RESPOSTA DO MODELO

20
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
-12

38

40

42

44

46

48

50

52

54

56

DADOS
DE CAMPO
DISTNCIA (m)
58

60

62

64

66

70

72

a=2m

68
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
-12

174

Figura 15.3.1-6 - Resposta do modelo proposto, utilizando o arranjo P-D com a=2m.

DISTNCIA(m)

-2
-3
-4
-5
-6

-3
-4
-5
-6

MODELO

a=1m

-1

-2

RESPOSTADOMODELO

0
-1

30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72

DADOSDECAMPO

175

Figura 15.3.1-7 - Resposta do modelo proposto, utilizando o arranjo P-D com a=1m.

32

34

36

38

40

42

MODELO

RESPOSTA DO MODELO

30
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
-12
-13

44

46

48

50

52

DISTNCIA (m)
54

56

58

DADOS DE CAMPO
60

62

64

66

70

72

a=1m

68
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
-12
-13

176

Figura 15.3.1-8 - Resposta do modelo proposto, utilizando o arranjo P-P com n.a=1m.

177

A resposta do modelo com o arranjo D-D=2m (Figura 15.3.1-4) foi exportada do


programa RES2DMOD para o formato do RES2DINV, adicionando-se 5% de rudo randmico
aos valores de resistividade eltrica aparente da seo sinttica.
Este um procedimento comum para realizar o caminho inverso, ou seja, considerar a
resposta terica como se fosse o dado de campo (a adio do rudo contribui para esta simulao)
e efetuar a inverso dos dados, obtendo-se um novo modelo.
O modelo obtido, invertendo-se novamente os dados no RES2DINV apresentado na
Figura 15.3.1-9.
PSEUDO-SEO SINTTICA
(COM 5% DE RUDO GAUSSIANO ADICIONADO)

RESPOSTA DO MODELO

MODELO
2

DISTNCIA (m)
6

10 12 14 16 18 20

22 24 26 28 30 32

34 36 38 40 42 44 46 48 50 52

54 56 58 60 62 64

66 68 70 72

-1

-1

-2

-2

-3

-3

-4

-4

-5

-5

-6

-6

-7

-7

RESISTIVIDADE (ohm.m)

8 ITERAES 4,2% RMS


100

200

300

400

500

600

700

Figura 15.3.1-9 - Resultado da inverso do dado sinttico obtido a partir do modelo,


com arranjo D-D, a=2m. Seo modelada (abaixo); resposta do modelo (meio);
pseudo-seo de resistividade com 5% de rudo adicionado aos dados sintticos (acima).

P R O F U N D ID A D E (m )

P R O F U N D ID A D E (m )

178

Por fim, ser apresentado o resultado de um teste de processamento que teve por objetivo
a verificao da frmula proposta por COGGON (1973) que possibilita a transformao de dados
P-D em D-D.
Os dados referentes aquisio P-D (a=2m) foram convertidos para D-D (atravs da
eq.5.3-1 apresentada no Captulo 5) e posteriormente invertidos. Dos 221 pontos resultantes do
clculo matemtico, 26 considerados ruidosos foram descartados.
A Figura 15.3.1-10 apresenta a seo modelada, correspondente aos dados calculados
pela expresso matemtica da eq.5.3-1 e o modelo equivalente ao arranjo D-D (a=2m) da Figura
15.3.3, obtido com os dados coletados em campo, para comparao dos resultados.
MODELO OBTIDO COM DADOS DE CAMPO (D-D, a=2m)
DISTNCIA (m)
20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

42

44

46

48

50

52

54

56

58

60

62

64

66

68

70

72

-1

-1

-2

-2

-3

-3

-4

-4

-5

-5

-6

-6

-7

-7

DISTNCIA (m)
22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

42

44

46

48

50

52

54

56

58

60

62

64

66

68

70

72

-1

-1

-2

-2

-3

-3

-4

-4

-5

-5

-6

-6

-7

-7
RESISTIVIDADE (ohm.m)
100

200

300

400

500

600

700

MODELO RESULTANTE DE DADOS P-D CONVERTIDOS PARA D-D (a=2m)

Figura 15.3.1-10 - Modelo obtido com a inverso de dados P-D convertidos em D-D
atravs da equao 5.3-1 (abaixo). Acima, para fins comparativos, a seo modelada
dos dados de campo obtidos com o arranjo D-D (a=2m).

P R O F U N D ID A D E (m )

P R O F U N D ID A D E (m )

20

179

16

REA DE ESTUDO 3 - E.T.E. (SALESPOLIS-SP)

16.1

Contexto geral e localizao

A rea de estudo 3 contempla um caso de contaminao do subsolo/lenol fretico, tendo


por objetivo a avaliao da tcnica do caminhamento eltrico, aliada aos procedimentos de
inverso dos dados e imageamento, para o mapeamento de uma provvel pluma de
contaminantes localizada a pouca profundidade.
Esta contaminao em subsuperfcie foi provocada pela introduo, diretamente sobre o
solo, de esgotos domsticos oriundos da rede coletora local. Foi escavada uma vala retangular na
qual o efluente do esgoto, proveniente de uma lagoa de decantao situada nas proximidades,
vinha sendo infiltrado de forma contnua.
O levantamento foi realizado na Estao de Tratamento de Esgoto (E.T.E.) da SABESP,
situada no distrito de Nossa Senhora dos Remdios, municpio de Salespolis-SP, regio
metropolitana de So Paulo. As coordenadas geogrficas do local so 233302,5 e
455755,5. Nesta rea foram desenvolvidas pesquisas apoiadas pelo projeto FAPESP
(processo n02/00509-6) denominado Tratamento de Esgotos Domiciliares pelo Processo Misto
Lagoa Primria/Fossa Sptica e Infiltrao.
No local j foram realizados alguns ensaios geofsicos de eletrorresistividade
(caminhamento eltrico com arranjo D-D e abertura entre eletrodos igual a 2 e 4 metros),
eletromagntico com o sistema EM-31 e potencial espontneo utilizando a tcnica dos potenciais
(SILVA, 2003).
Os ensaios de potencial espontneo (SP) mostraram as direes preferenciais dos fluxos
na rea onde foram realizados os levantamentos, cujos resultados sero apresentados neste
captulo.
16.2

Geologia e hidrogeologia

Na regio de Salespolis as litologias predominantes so granitides, ocorrendo tambm


rochas migmatticas de paleossoma gnissico do Complexo Costeiro (RODRIGUEZ, 1998).
Particularmente, na rea onde foram realizados os ensaios, devido proximidade de um crrego,
a litologia constituda por sedimentos aluviais, compostos essencialmente por areia argilosa e
por solo de alterao dos granitides.

180

Para a instalao do poo PM-4, localizado nas proximidades da estaca 8 do perfil


(Figura 16.3-1), foi realizado um furo a trado at a profundidade de 2,68m. O material retirado
deste furo, homogeneizado em uma nica amostra, apresentou a seguinte composio
granulomtrica: 51,04% de areia, 13,50% de silte e 42,65% de argila. Portanto, pode ser
classificado como uma areia argilosa. Infelizmente, no foi possvel a classificao dos diversos
horizontes litolgicos em profundidade e sim de uma forma geral quanto natureza do material
que se observa nos primeiros 2,7m de profundidade.
O nvel dgua local encontra-se extremamente raso, com profundidades mdias variando
de 0,3 a 2 metros (COELHO & DUARTE, 2006). A potenciometria da rea de estudo e um
levantamento de potencial espontneo (SP) realizado por SILVA (2003) indicam que o fluxo de
gua subterrnea para a direo W.
16.3

Levantamentos geofsicos realizados

Foi definido um nico perfil com 40m de extenso, adjacente vala escavada no solo,
sobre o qual foram realizados todos os levantamentos (caminhamentos eltricos, SEV e
caminhamentos eletromagnticos) realizados nesta rea de estudo (Figura 16.3-1).
PM 3
0

PM 4
2

PM 5
10

12

14

18

20

22

24

PM 7
26

28

30

32

34

36

SEV

VALA DE
INFILTRAO

38

40

Perfil geofsico

16

PM 6

10m

Figura 16.3-1 - Croqui com o posicionamento do perfil geofsico, da SEV e de


alguns poos de monitoramento em relao vala de infiltrao.

A vala tinha as seguintes dimenses aproximadas: 0,5m de largura; 3m de comprimento;


0,3m de profundidade (Figura 16.3-2).

181

Figura 16.3-2 - Vala de infiltrao de esgoto domstico.

No local encontravam-se instalados numerosos poos de monitoramento. Regularmente


foram efetuadas coletas de gua subterrnea para anlise qumica, assim como medidas de
condutividade eltrica, pH e profundidade do nvel dgua, o qual se encontra bastante raso no
local (menos de 2m).
Primeiramente foi realizada uma aquisio utilizando o arranjo D-D, espaamento entre
eletrodos (a=AB=MN) igual a 2m e oito nveis de investigao em profundidade. No mesmo dia
foi realizado um segundo levantamento, ainda com o arranjo D-D, porm com espaamento
menor entre eletrodos (a=AB=MN=1m) e mantendo-se os mesmos oito nveis de investigao.
Uma semana aps os levantamentos D-D, foi realizada sobre o mesmo perfil uma
aquisio utilizando o arranjo P-D. A abertura utilizada entre eletrodos (a=MN) foi igual a 1m
com treze nveis de investigao em profundidade. A Tabela 16.3-1 sintetiza os caminhamentos
realizados sobre o perfil com os respectivos parmetros de campo utilizados.
A Figura 16.3-3 mostra o trabalho de campo sendo realizado na E.T.E. da SABESP em
Salespolis-SP.

182

Tabela 16.3-1 - Parmetros de aquisio utilizados no levantamento


sobre o perfil de 40 metros, com os arranjos D-D e P-D.
Aquisio

Arranjo

Espaamento entre
eletrodos (a)

Nveis de
investigao (n)

Extenso

#1

D-D

2m

40 m

#2

D-D

1m

40 m

#3

P-D

1m

13

40 m

Figura 16.3-3 - Trabalho de campo sendo realizado na E.T.E de Salespolis, perfil geofsico
interceptando diversos poos de monitoramento. Ao fundo, a lagoa de decantao.

A escolha de treze nveis de investigao para o levantamento com o arranjo P-D deve-se
ao fato de que o fator geomtrico K para o 15 nvel nesta configurao (1.508,0) estar na mesma
ordem de grandeza do fator K para o arranjo D-D, com a mesma geometria (espaamento entre
eletrodos igual a 1m) para o 7 nvel de investigao (1.583,4).
Ou seja, a razo sinal/rudo do 15 nvel do plo-dipolo, tendo a mesma ordem de
grandeza que o 7 nvel do dipolo-dipolo, assegura ao primeiro uma potencialidade de aumento
na profundidade de investigao maior do que no segundo, pelo incremento no nmero de nveis
investigados e com uma razo sinal/rudo confivel.

183

Pretende-se, com os levantamentos realizados na rea com estes dois arranjos, avaliar o
desempenho de cada um deles comparando-os em termos de resoluo e profundidades de
investigao alcanada.
Foi realizada uma SEV posicionada na estaca 20m, em frente vala de infiltrao. Ao
longo do perfil tambm foram realizados ensaios de caminhamento eletromagntico utilizando o
sistema EM-31 (Figura 16.3-4).

Figura 16.3-4 - Levantamento eletromagntico realizado sobre o perfil de caminhamento.

A interpretao da SEV auxiliar na melhor definio da distribuio vertical das


resistividades e as medidas de condutividade do terreno obtidas com o sistema indutivo podero
ser diretamente comparadas com os dados dos caminhamentos eltricos.
16.4

Resultados obtidos

A Figura 16.4-1 apresenta as respectivas pseudo-sees D-D obtidas no levantamento de


campo, conforme os parmetros apresentados na Tabela 16.3-1 (aquisio #1 e #2) e plotagem
dos dados com as profundidades de HALLOF (1957).
Na Figura 16.4-1 encontra-se ainda a pseudo-seo modificada, onde foi efetuada a
plotagem mista reunindo os dados correspondentes s duas aberturas de dipolos (a=2m e a=1m)
e profundidades definidas de acordo com os coeficientes de EDWARDS (1977). A exata posio
da vala de infiltrao encontra-se representada sobre as pseudo-sees.

184

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

-1
-2
-2
-3
-3
-4
-4
-5

-1
-2
-2
-3
-3
-4
-4
-5

a=2m

DISTNCIA (m)

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9

c)
P R O FU N D ID A D E
E FE TIV A (m )

a=2m+1m

DISTNCIA (m)

10

12

14

16

18

20

P R O FU N D ID AD E
T E R IC A (m )

-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9

22

24

26

28

30

32

34

36

38

0
-1
-1
-2
-2
-3
-3
-4
-4
-5

40
0
-1
-1
-2
-2
-3
-3
-4
-4
-5

P R O FU N D ID A D E
E FE TIV A (m )

P R O FU N D ID A D E
TE R IC A (m )

b)

P R O FU N D ID AD E
T E R IC A (m )

a=1m

DISTNCIA (m)

P R O FU N D ID A D E
TE R IC A (m )

a)

POSIO DA
VALA DE INFILTRAO
RESISTIVIDADE APARENTE (ohm.m)

60

80

100

120

140

160

180

200

220

Figura 16.4-1 - Pseudo-sees D-D, a=1m (a) e a=2m (b) plotadas segundo HALLOF (1957).
Pseudo-seo modificada (a=2m e a=1m), plotada de acordo com EDWARDS, 1977 (c).

A Figura 16.4-2 apresenta tambm sob a forma de pseudo-seo os dados obtidos com o
arranjo P-D, com profundidades plotadas de acordo com EDWARDS (1977). O eletrodo de

P R O FU N D ID A D E
E FE T IV A (m )

DISTNCIA (m)
2

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

0
-1
-1
-2
-2
-3
-3
-4
-4
-5
-5
-6

40
0
-1
-1
-2
-2
-3
-3
-4
-4
-5
-5
-6

POSIO DA
VALA DE INFILTRAO
RESISTIVIDADE APARENTE (ohm.m)
60

80

100

120

140

160

180

200

220

Figura 16.4-2 - Pseudo-seo do arranjo P-D, a=1m e treze nveis de investigao,


plotada de acordo com EDWARDS (1977).

P R O FU N D ID A D E
E FE T IV A (m )

corrente posicionado no infinito est localizado esquerda da seo.

185

Pode ser observada uma grande similaridade entre a pseudo-seo P-D (Figura 16.4-2)
com a pseudo-seo modificada D-D (Figura 16.4-1c). Na Figura 16.4-3 apresentada a curva
de resistividade aparente da SEV realizada na estaca 20m do perfil de caminhamento.

RESISTIVIDADE APARENTE (ohm.m)

1000

100

10
1

MEDIDO
CALCULADO

10

100

AB/2 (m)
ERRO DE AJUSTE=1,8%

Figura 16.4-3 - SEV realizada na estaca 20m do perfil e caminhamento.

O modelo geoeltrico proposto constitudo por trs camadas com a seguinte distribuio
das resistividades em profundidade: 1 < 2 > 3. A Tabela 16.4-1 apresenta o modelo obtido
com os respectivos valores de resistividades e as espessuras das camadas geoeltricas.
Tabela 16.4-1 - Modelo geoeltrico obtido pela SEV (estaca 20m).
Camada

(m)

Espessura (m)

Prof. topo (m)

98

1,1

195

4,4

1,1

60

indefinida

5,5

De forma semelhante ao procedimento adotado para a interpretao dos dados da Raia


Olmpica da USP, o modelo geoeltrico da SEV dever balizar a interpretao das sees
modeladas de eletrorresistividade 2D. O padro 1 < 2 > 3 dever ser verificado e as
profundidades de investigao devero estar em conformidade com aquelas determinadas pela
interpretao da SEV.

186

Como os dados obtidos nesta rea de estudo apresentaram pequena amplitude de variao
nos valores de resistividade aparente, sob um enfoque de processamento do programa usado (15
a 300 ohm.m, aproximadamente), optou-se por utilizar o mtodo de inverso com vnculo de
suavidade que minimiza a norma L2, produzindo imagens onde a variao do parmetro do
modelo ocorra de forma gradual. O objetivo do levantamento, que o de imagear uma possvel
pluma de contaminantes onde comumente no se observam variaes abruptas de resistividade,
ratifica a escolha da norma L2 no processo de inverso.
Outro parmetro ajustado em funo da caracterstica do dado foi a razo
horizontal/vertical do filtro de nivelamento. Para dar nfase s feies horizontais sobre as
verticais, optou-se por utilizar um valor igual a 0,5. A resistividade foi tambm limitada por um
fator igual a cinco vezes. Nas sees modeladas foram utilizados estes parmetros no
processamento dos dados e sobre as mesmas foi lanado o modelo 1D da SEV (Tabela 16.4-1)
realizada na estaca 20m.
A Tabela 16.4-2 apresenta os parmetros utilizados para a discretizao dos modelos que
sero apresentados a seguir. A definio dos mesmos procurou estabelecer uma boa correlao
com as profundidades do modelo geoeltrico 1D da SEV.
Tabela 16.4.2 - Parmetros utilizados para a discretizao dos blocos
dos modelos 2D da rea da E.T.E. de Salespolis.
Modelo

Espaamento entre
eletrodos (a)

Espessura da
primeira fileira
de blocos

Incremento nas
espessuras
subseqentes

D-D

1m

0,35a

20%

D-D

2m

0,35a

15%

D-D

2m+1 m

0,40a*

10%

1m

0,60a

15%

P-D

* neste caso foi utilizado o menor espaamento (a=1m)

A Figura 16.4-4 apresenta a seo modelada correspondente ao arranjo D-D, com


eletrodos espaados de 1 metro.
Com o espaamento entre eletrodos de 1 metro e oito nveis de investigao, a terceira
camada de baixa resistividade e situada a aproximadamente 5,5 metros (segundo interpretao da
SEV), no pode ser integralmente imageada, embora no modelo da Figura 16.4-4 se observe uma
tendncia de diminuio da resistividade em torno de 4 metros. A pseudo-seo apresentada na
Figura 16.4-1a no indica a existncia desta camada inferior com baixa resistividade.

PROFUNDIDADE (m)

PROFUNDIDADE (m)

12

1,4% RMS

10

14

14

16

16

30

60

18

240

22

270

24

24

26

26

28

28

32

34

POSIO DA
VALA DE INFILTRAO

30

36

36

38

38

40

40
0

10

30

60

18

195 ohm.m

98 ohm.m

20

SEV

240

22

210

270

32

34

POSIO DA
VALA DE INFILTRAO

30

-1.0

0.0

Figura 16.4-4 - Seo modelada utilizando o arranjo D-D e a=1m (esquerda).

Figura 16.4-5 - Seo modelada utilizando o arranjo D-D e a=2m (direita).


90

120

150

180

210

RESISTIVIDADE (ohm.m)

-7.0

-6.0

-6.0

-7.0

-5.0

-5.0

60 ohm.m

-4.0

-4.0

-3.0

0,9% RMS

12

180

-3.0

13 ITERAES

150

DISTNCIA (m)

120

-2.0

90

RESISTIVIDADE (ohm.m)

-4

-3

-2.0

-1.0

0.0

-4

-3

195 ohm.m

98 ohm.m

20

SEV

-2

16 ITERAES

-2

-1

-1

PROFUNDIDADE (m)
PROFUNDIDADE (m)

DISTNCIA (m)

187

188

Utilizando-se o espaamento entre eletrodos um pouco maior (2 metros) e com os


mesmos oito nveis de investigao em profundidade, a existncia desta terceira camada j pode
ser notada tanto na pseudo-seo (Figura 16.4-1b) como no modelo 2D gerado pela inverso dos
dados, onde esta se encontra ntida e bem definida (Figura 16.4-5).
Os modelos geoeltricos 2D obtidos confirmam o padro de distribuio de resistividade
em subsuperfcie, qual seja: 1 < 2 > 3. Quanto aos valores das resistividades propriamente
ditos, foi tambm estabelecida uma boa relao entre aquelas obtidas pela inverso dos dados 2D
com o modelo geoeltrico 1D obtido da SEV.
Esta boa correlao pode ser verificada tomando-se como exemplo a seo D-D com
espaamento a=2m (Figura 16.4-5). Se for calculada a mdia dos valores modelados de
resistividade da camada condutora mais superficial (foram considerados os trs primeiros nveis
em profundidade do modelo: 0,18m, 0,55m e 0,98m), obteremos como resultado 94 ohm.m, o
que est em concordncia com o modelo interpretado da SEV referente primeira camada (98
ohm.m com espessura de 1,1m). Se for tomada a mdia dos valores de resistividade aparente
correspondente ao primeiro nvel da pseudo-seo D-D=2m (Figura 16.4-1b), obteremos o valor
igual a 99 ohm.m. Esta anlise, alm de estabelecer a correlao entre os modelos 2D e 1D,
corrobora a afirmativa que, para pequenos espaamentos entre eletrodos, a resistividade aparente
medida pode ser uma boa aproximao do valor da resistividade verdadeira do meio.
O modelo da Figura 16.4-6 sintetiza o resultado obtido com o arranjo D-D, onde foram
reunidos os dados correspondentes s aberturas entre eletrodos iguais a 2m e 1m, conjuntamente.
Pode ser observado o aumento do nvel de detalhe nas pores superficiais, sem que ocorra a
perda de informaes em profundidade.
O arranjo P-D, mesmo com um menor espaamento entre eletrodos (1 metro) e
apresentando uma razo sinal/rudo mais elevada do que o D-D, possibilita o uso de mais nveis
de investigao (treze, contra os oito utilizados no arranjo D-D) e dever, a princpio, produzir
modelo semelhante ao da seo modelada da Figura 16.4-6, alcanando similar profundidade de
investigao. A Figura 16.4-7 apresenta a seo modelada correspondente ao levantamento com
o arranjo P-D, utilizando os parmetros anteriormente descritos.

PROFUNDIDADE (m)

PROFUNDIDADE (m)

10

8 ITERAES

14

1,7% RMS

12

16

16

30

60

18

195 ohm.m

98 ohm.m

20

SEV

22

240

270

24

24

26

26

28

28

32

34

POSIO DA
VALA DE INFILTRAO

30

36

36

38

38

40

40

-1

10

30

60

18

195 ohm.m

98 ohm.m

20

SEV

22

210

240

270

32

34

POSIO DA
VALA DE INFILTRAO

30

-1

90

120

150

180

210

RESISTIVIDADE (ohm.m)

-7

-6

-6

-7

-5

-5

60 ohm.m

-4

-4

-3

14

180

-3

1,3% RMS

12

150

-6

-2

8 ITERAES

120

DISTNCIA (m)

90

RESISTIVIDADE (ohm.m)

-2

-1

-6

-5

-5

60 ohm.m

-4

-4

-3

-3

-2

-2

-1

PROFUNDIDADE (m)

PROFUNDIDADE (m)

DISTNCIA (m)

189

Figura 16.4-6 - Seo modelada, arranjo D-D, aberturas entre eletrodos iguais a 2m e 1m (esquerda).

Figura 16.4-7 - Seo modelada, arranjo P-D, abertura entre eletrodos igual a 1m (direita).

190

A despeito das resistividades da camada intermediria, que exibiram valores


relativamente mais baixos do que o modelo do arranjo D-D, o modelo P-D apresentou uma
grande semelhana ao primeiro. Utilizando um menor espaamento entre eletrodos (1m) e mais
nveis de investigao (13), foram alcanadas maiores profundidades de investigao,
comparveis s alcanadas com o arranjo D-D com a=2m e oito nveis de investigao. Este
pequeno espaamento permitiu tambm uma boa resoluo na imagem referente camada
geoeltrica mais rasa, da mesma forma que a obtida pela seo modelada D-D da Figura 16.4-6
apresentada anteriormente.
Os resultados mostram a viabilidade de utilizar-se o arranjo P-D quando se deseja
alcanar mais nveis de investigao em profundidade sem perda significativa de resoluo.
Aproveitando-se da boa qualidade dos dados obtidos na rea de Salespolis, foi tambm
realizada a combinao de dois diferentes arranjos em uma nica seo. A Figura 16.4-8 mostra
a seo modelada resultante da mixagem de dados obtidos com as trs distintas aquisies
realizadas na rea: D-D (a=1m e 2m) e P-D (a=1m).
O modelo apresentou uma boa coerncia com os anteriormente obtidos. Da mesma forma
que o observado na rea da Raia Olmpica (onde foram combinadas em uma mesma seo
medidas com o Wenner e o D-D) o imageamento foi satisfatrio na poro rasa, conseqncia
dos dados obtidos com o arranjo D-D (a=1m). A terceira camada pode ser identificada graas ao
maior espaamento (a=2m) entre eletrodos do D-D e ao arranjo P-D, que alcana maiores
profundidades de penetrao. A terceira camada geoeltrica apresentou oscilaes no
observadas nos modelos anteriores.
Devido prpria caracterstica geoeltrica da rea, onde as variaes de resistividade so
pequenas, o erro de RMS neste caso foi pequeno.

10

6 ITERAES

4,4% RMS

12

14

16

30

18

22

270

24

26

28

32

34

POSIO DA
VALA DE INFILTRAO

30

36

38

40

-1

60

90

120

150

180

210

240

RESISTIVIDADE (ohm.m)

-7

-6

-6

-7

-5

-5

60 ohm.m

-4

-4

195 ohm.m

98 ohm.m

20

SEV

-3

-3

-2

-2

-1

DISTNCIA (m)

191

Figura 16.4-8 - Seo modelada, mesclando-se os dados obtidos com os arranjos


D-D (a=2m e a=1m) e P-D (a=1m).

PROFUNDIDADE (m)

PROFUNDIDADE (m)

192

O levantamento eletromagntico (EM), cujo resultado apresentado na Figura 16.4-9,


teve incio 16m antes do perfil do caminhamento eltrico. As curvas representam as leituras
obtidas com as disposies de dipolo horizontal (investigao mais rasa) e vertical (investigao
mais profunda).
18
16

14
13

CONDUTIVIDADE (mS/m)

14

13

13

12

13
12

12

12

13

13

12

12

12
11

12
10

8
7

7
6

52

56

5
4

4
2

P-3

P-2

P-1

12

16

P-4
20

24

P-5
28

32

DISTNCIA (m)

Campo Horizontal (at 3m)

P-6
36

40

P-7
44

48

POSIO DA
VALA DE
INFILTRAO

Campo Vertical (at 6m)

Figura 16.4-9 - Resultados do levantamento EM coincidente com os perfis


de caminhamento que se estenderam da estaca 16 at a 56 (40m).

Pode ser observado que a resposta EM est condicionada pela segunda camada de alta
resistividade (2) na configurao campo horizontal. Para maiores profundidades de investigao
(campo vertical) passa a ter influncia a camada de baixa resistividade (3) e alta condutividade,
encontrada na base do modelo geoeltrico. Esta camada, cuja profundidade do topo est em
torno de 4,4m, pode ser visualizada nas sees modeladas 2D de resistividade.
Para fins meramente comparativos, a figura 16.4-10 apresenta as pseudo-sees D-D
apresentadas na Figura 16.4-1(a) e 16.4-1(b) convertidas para valores de condutividade eltrica
aparente, mostrando uma boa correlao numrica com os resultados obtidos com o EM-31.
Numa tentativa de se realizar uma quantificao dos dados EM, para melhor
correlacion-los com os de eletrorresistividade, foi estabelecida uma comparao dos dados
obtidos com o arranjo D-D (a=1m) com as medidas efetuadas com disposio horizontal dos
dipolos, correspondendo a nveis de investigao mais rasos (at 3m).

193

a=2m

-2

-3

-6

-7

-8

P-4

P-3

11

P-5

-5
-6

-4

-3

-2

10

10

-9

-7

-8

-9

P-7

P-6

a=1m

DISTNCIA (m)

PROFUNDIDADE
TERICA (m )

0
-1
-2
-2
-3
-3
-4
-4
-5

2
10

3
8

4
7

8
7

5
7

6
6

6
5

4
5

6
6
5
5

4
5

13
12

11

8
8

7
7

10

12

9
6

6
6

6
6

6
6

9
9

8
8

7
7

9
8

7
7

6
6

10
8

7
7

6
6

13
10

9
8

7
6

15
12

10
9

7
7

17
12

10
10

7
7

16
13

11
8

8
7

16
14

10
8

7
7

18
12

10
9

7
9

16
13

11
9

10
8

19
15

11
10

9
8

21
12

10
11

8
8

16
13

13
9

8
7

18
18

11
10

8
7

21
13

11
9

7
6

18
14

12
9

6
7

20
20

14
12

10
10

10

13
12

10

8
6

11
11

10

6
7

10
11

10
8

6
6

10
10

9
6

6
6

9
9

6
6

6
5

11
8

7
7

6
5

9
9

8
8

5
6

8
8

8
7

6
6

5
6

5
4

5
5

6
6

5
5

5
5

9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40

6
6

5
6

6
5

5
5

40

38

36

34

32

11

30

11

28

11

10

26

11

24

13

22

13

20

12

18

11

16

10

14

-5

12

-4

10

9
6

5
5

6
6

6
6

-1
-2
-2
-3
-3
-4
-4
-5

PROFUNDIDADE
TERICA (m )

PRO FUNDIDADE
TERICA (m )

PRO FUNDIDADE
TERICA (m )

DISTNCIA (m)

CONDUTIVIDADE APARENTE (mS/m)


4

10

12

14

16

18

20

POSIO DA
VALA DE INFILTRAO

Figura 16.4-10 - Pseudo-sees D-D (a=2m e a=1m) convertidas para condutividade eltrica aparente.

Para execuo do modelamento de dados EM foi considerada uma curva de resposta


cumulativa ligeiramente diferente daquela apresentada no item 10.1.4 (Figura 10.1.4-1).
A curva agora apresentada (Figura 16.4-11) corresponde a uma situao onde o
instrumento de medida est posicionado a um metro acima da superfcie do terreno, ou seja, mais
prxima da realidade, uma vez que as medidas no foram obtidas com o equipamento
posicionado diretamente em contato com o solo (Figura 16.3-4).
Para o ajuste dos dados EM obtidos em campo foi proposto um modelo de duas camadas,
onde a superior possui uma resistividade igual a 90 ohm.m e a inferior igual a 235 ohm.m. Estes
valores foram obtidos com base na seo modelada D-D e a=1m (Figura 16.4-4). O
modelamento foi efetuado conforme o exposto a seguir.
Preliminarmente foram definidos os valores das condutividades do modelo, 1 e 2
(inverso das resistividades da primeira e segunda camada, respectivamente). Estabelecendo-se
valores de z1 (profundidades do contato entre as duas camadas do modelo), foi possvel
determinar-se RH(z1) utilizando o grfico apresentado na Figura 16.4-11. Com estes parmetros
(RH(z1), 1 e 2) calcula-se a resposta do modelo pela equao (10.1.4-4) expressa em termos de
condutividade eltrica aparente (ap).

194

1,0
0,9
0,8

RH (z)

0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1

z (metros)

Figura 16.4-11 - Resposta cumulativa versus profundidades para o dipolo horizontal


e instrumento posicionado a um metro acima da superfcie (GEONICS, 1992).

A concordncia numrica entre os valores de ap medidos e calculados foi feita na base


de tentativa e erro, ajustando-se o parmetro z1 ao longo do perfil de 40m em cada ponto de
medida EM (totalizando 11 pontos espaados de 4 metros).
A Tabela 16.4-3 apresenta os resultados do modelamento, onde a profundidade z1 foi
manualmente ajustada de tal forma que os valores de ap calculados estivessem em concordncia
com as medidas de ap (dados de campo) na disposio do dipolo horizontal.
Tabela 16.4.3 - Valores de profundidade determinados para um modelo de duas camadas
(1=11,1 mS/m e 2=4,3 mS/m) ajustando-se ap medido e calculado.
X (m)

Z1 (m)

RH (Z1)

ap medido

ap calculado

Delta (%)

0,4

0,89

5,0

5,0

0,2

0,4

0,89

5,0

5,0

0,2

0,0

1,00

4,3

4,0

6,4

12

0,4

0,89

5,0

5,0

0,2

16

1,8

0,63

6,8

7,0

3,0

20

1,2

0,73

6,1

6,0

1,8

24

1,0

0,76

5,9

6,0

1,7

28

1,2

0,73

6,1

6,0

1,8

32

1,8

0,63

6,8

7,0

3,0

36

1,0

0,76

5,9

6,0

1,7

40

1,0

0,76

5,9

6,0

1,7

195

Na Figura 16.4-12 o resultado apresentado sob a forma de seo, onde constam as duas
camadas geoeltricas interpretadas com base no levantamento de dados de EM e a respectiva
resposta do modelo. Para fins comparativos, o modelo EM foi sobreposto seo de
eletrorresistividade 2D (D-D, a=1m), podendo ser observada uma excelente correlao dos
modelos obtidos com os mtodos eltrico e o eletromagntico.

10

10

PERFIL DE CONDUTIVIDADE ELTRICA APARENTE

MEDIDO

CALCULADO

0
0

12

16

20

24

28

32

36

C o n d u tiv id a d e a p a re n te (m S /m )

C o n d u tiv id a d e a p a re n te (m S /m )

a)

40

DISTNCIA (m)

RESPOSTA DO MODELO

DISTNCIA (m)
4

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

11,1 mS/m

-1
-2

-1
-2

4,3 mS/m

-3

-3

-4

-4

MODELO ELETROMAGNTICO PROPOSTO

DISTNCIA (m)

c)
P R O F U N D ID A D E (m )

P R O F U N D ID A D E (m )

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

0
-1

38

40
0

90 ohm.m

-2

-1
-2

235 ohm.m

-3
-4

-3
-4

P R O F U N D ID A D E (m )

P R O F U N D ID A D E (m )

b)

RESISTIVIDADE (ohm.m)

30

60

90

120 150 180 210 240 270

MODELO PROPOSTO SOBREPONDO A SEO DE ELETRORRESISTIVIDADE 2D (D-D, a=1m)

Figura 16.4-12 - Correlao dos modelos EM e de eletrorresistividade 2D.


a) Resposta do modelo (linha contnua em verde) e os dados medidos em campo (pontos em alaranjado).
b) Modelo proposto com base nos dados EM.
c) Modelo proposto (os valores do parmetro das camadas j devidamente convertidos para resistividade)
sobrepondo o modelo 2D da eletrorresistividade (arranjo D-D, a=1m).

196

16.5

Interpretao final

A seo modelada da Figura 16.4-6 (D-D, espaamento 2m e 1m), foi escolhida para a
integrao geofsica e geolgica/hidrogeolgica, tendo como base os dados diretos obtidos nesta
rea de estudo.
As profundidades dos nveis dgua, medidas nos poos PM-3 a PM-7 no dia em que foi
realizado o levantamento D-D, so apresentadas na Tabela 16.5-1.
Tabela 16.5-1 - Profundidade do nvel dgua medidos nos poos PM-3 a PM-7.

Poo:

PM-3

PM-4

PM-5

PM-6

PM-7

Profundidade do N.A.

1,32 m

1,13 m

0,83 m

0,66 m

0,42 m

A posio dos poos (com as respectivas profundidades dos nveis dgua) foi lanada
sobre a seo modelada (Figura 16.5-1).
DIREO DO FLUXO DGUA SUBTERRNEO

PM-3
0

PM-4
2

DISTNCIA (m)

PM-5
10

12

14

16

SEV

18

P R O F U N D ID A D E (m )

0
-1

20

PM-6

22

24

NE

PM-7
26

28

30

32

34

36

38

40
0

98 ohm.m

N.A.

-1

-2

-2

-3

-3

195 ohm.m

-4

-4

-5

-5
60 ohm.m

-6

RESISTIVIDADE ELTRICA (ohm.m)

30

60

90

P R O F U N D ID A D E (m )

SW

-6
POSIO DA
VALA DE INFILTRAO

120 150 180 210 240 270

Figura 16.5-1 - Seo D-D (espaamentos 2m e 1m) com a profundidade


do nvel dgua nos poos prximos ao perfil do levantamento.

Pode ser observado que as cotas mais elevadas do nvel fretico se encontram no PM-7 e
as cotas mais baixas no PM-3, indicando que a direo de fluxo est em direo a W.
A zona saturada corresponde camada geoeltrica mais resistiva e situa-se sob uma
camada menos resistiva (zona no saturada). Ou seja, abaixo da profundidade do nvel dgua,
ocorre uma elevao dos valores de resistividade eltrica, fato que tambm foi observado na
curva da SEV realizada na estaca 20 do perfil (Figura 16.4-3).
Essa camada, cujo topo est situado a 1,1 metros de profundidade, apresenta valor de
resistividade igual a 195 ohm.m (2). O modelo geoeltrico 1D da SEV tambm se encontra
representado na seo da Figura 16.5-1. Este comportamento geoeltrico (zona no saturada,

197

condutiva; zona saturada, mais resistiva) assemelha-se aquele verificado na rea da Raia
Olmpica da USP.
Pelos motivos expostos anteriormente no item 16.2, no foi possvel uma correlao
direta do modelo geoeltrico com a estratigrafia geolgica da rea de estudo.
Contaminao por efluentes lquidos domiciliares (esgotos domsticos) pode acarretar o
aumento da concentrao de alguns ons (Cl- e NO3-, principalmente) na gua subterrnea
(VARNIER & HIRATA, 2002). Particularmente, a concentrao do on cloreto que guarda
uma correlao direta com o aumento da condutividade eltrica do meio, ocasionando plumas
condutivas que podem ser mapeadas atravs de alguns mtodos geofsicos, como a
eletrorresistividade e o GPR (NASCIMENTO et al., 1998 e 1999).
A presena da feio condutiva superficial, que no se estende ao longo de todo o perfil,
foi inicialmente interpretada como a existncia de uma pluma de contaminao que, de certa
forma, encontra-se nas proximidades da vala de infiltrao.
As anlises qumicas da gua subterrnea dos poos PM-4, PM-5 e PM-6, considerandose alguns parmetros que pudessem contribuir para o aumento da condutividade do solo e da
gua subterrnea (Cl-, NO3-, SO4-), no apresentaram concentraes que pudessem justificar a
existncia de tal pluma.
Entretanto, no que diz respeito anlise bacteriolgica (teor de coliformes fecais), foi
observada uma forte concentrao no poo PM-5 em resposta injeo do efluente domiciliar.
Outro motivo que descarta a possibilidade da anomalia condutiva estar relacionada
pluma de contaminao a seo de caminhamento eltrico (D-D, a=4m, cinco nveis de
investigao) obtida por SILVA (2003), anterior existncia da vala de infiltrao, onde pode
ser verificada a existncia da mesma feio.
A Figura 16.5-2 apresenta o modelo obtido, re-processando os dados com os mesmos
parmetros utilizados para a obteno das sees modeladas da rea de Salespolis.

198

DISTNCIA (m)
4

12

16

20

24

28

32

0
-1
-2
-3
-4
-5
-6

36

40

44

48

52

56

60
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6

15 ITERAES

P R O F U N D ID A D E (m )

P R O F U N D ID A D E (m )

RESISTIVIDADE (ohm.m)

1,8% RMS
30

60

90

120 150 180 210 240 270

Figura 16.5-2 - Seo D-D (espaamento 4m e cinco nveis de investigao) obtida por SILVA (2003) e
re-processada. Observar a mesma feio superficial condutiva alm da posio 34m do perfil.

Neste contexto geoeltrico, a existncia de uma eventual pluma de contaminao poderia


no ficar bem caracterizada devido ao fato de existir esta camada superficial de baixa
resistividade. A pluma condutiva ficaria mascarada em decorrncia da falta de contraste com o
meio na qual estaria inserida.
Embora o modelo geoeltrico da rea, cuja distribuio de resistividade em profundidade
dada por 1 < 2 > 3, esteja muito bem caracterizado (pelos modelos 2D de resistividade, SEV
e modelamento EM), no foi possvel uma melhor correlao com as litologias (como no caso da
Raia Olmpica), devido ausncia de pelo menos uma amostragem completa do perfil
estratigrfico nas proximidades da linha geofsica.
Desta forma, novamente reitera-se o fato da importncia das informaes diretas, alm da
utilizao de duas ou mais tcnicas ou mtodos de investigao, para a melhor caracterizao
geolgica/hidrogeolgica de uma rea.

199

PARTE IV - DISCUSSO INTEGRADA, CONSIDERAES FINAIS


E CONCLUSES
CONSIDERAES FINAIS E CONCLUSES

17

Neste captulo so apresentadas as consideraes finais e concluses sobre o trabalho


desenvolvido nesta tese.
17.1

Arranjos de eletrodos em geral

Os resultados obtidos com a construo de pseudo-sees modificadas, ou seja, aquelas


que agrupam dados com distintas aberturas entre eletrodos em uma mesma seo, na
escala abrangida pelos levantamentos (espaamentos menores que 4 metros), mostraram
um melhor nvel de informao. Para a construo das mesmas, foram utilizados os
coeficientes empricos propostos por EDWARDS (1977), tanto para o arranjo D-D como
tambm para o arranjo P-D.

Os dados agrupados dessa maneira puderam ser invertidos com o programa RES2DINV,
que possibilita a utilizao deste recurso. O resultado do processo de inverso consiste
em sees modeladas que podem atingir dois objetivos, muitas vezes no alcanados
simultaneamente pelos mtodos geofsicos em geral: resoluo nas pores rasas e
maiores profundidades de investigao alcanadas.

As profundidades de investigao de EDWARDS (op.cit.) mostraram-se coerentes com


os resultados obtidos nas trs reas de estudo: Raia Olmpica, afloramento da Rodovia
dos Bandeirantes e E.T.E de Salespolis.

O arranjo D-D , de fato, o que fornece a melhor resoluo dentre todos os arranjos de
caminhamento eltrico analisados neste trabalho (P-D, P-P e Wenner). Sua principal
limitao a baixa razo sinal-rudo que pode, contudo, ser compensada com a utilizao
de mltiplos espaamentos entre eletrodos sobre o mesmo perfil de levantamento.

Ficou demonstrado que, com o arranjo D-D podem ser efetuados levantamentos com
mais de oito nveis de investigao, quando utilizados pequenos espaamentos (a) entre
eletrodos (menores que 5 metros, por exemplo). Nestes casos, a relao sinal/rudo
decresce menos com o incremento do fator de separao (n) do que ocorre quando
utilizadas aberturas maiores.

200

O arranjo P-D consegue alcanar, de fato, maiores profundidades de penetrao, como foi
provado na rea da Raia Olmpica. Este arranjo conseguiu imagear uma camada
geoeltrica mais profunda, identificada pelas SEVs (realizadas com o arranjo
Schlumberger) e no identificada pelas diversas aquisies com o arranjo D-D.

Foi verificada uma boa correlao dos dados obtidos com os arranjos D-D e P-D,
mostrando que o processo de inverso eficiente na correo das distores inerentes a
esses arranjos, produzindo imagens bastante semelhantes no produto final.

O arranjo P-D mostrou ser uma alternativa vivel, apresentando um bom compromisso
entre resoluo e razo sinal-rudo. Desempenha um importante papel, ocupando o
espao entre o D-D e o P-P, salientando a boa resoluo do primeiro, aliada alta razo
sinal-rudo do segundo. Este arranjo consegue ainda atingir maiores profundidades, no
alcanadas pelo arranjo D-D, com a possibilidade de utilizar mais nveis de investigao,
mantendo-se uma boa qualidade do sinal. Vrias sees modeladas no trabalho ratificam
esta concluso.

Ficou demonstrado que com a utilizao de muitos nveis de investigao em


profundidade (contribuindo para o aumento da resoluo vertical) possvel conseguir,
com os arranjos D-D e com o P-D, uma boa definio de camadas estratificadas
horizontalmente. As imagens obtidas na rea da Raia Olmpica provam esta assertiva.

O arranjo P-P apresenta alguns aspectos positivos bastante interessantes, como por
exemplo, a alta razo sinal-rudo e a facilidade operacional em campo. Depois de
instalados os eletrodos no infinito (etapa que demanda tempo), a aquisio dos dados
propriamente dita realizada com apenas dois eletrodos na linha do perfil, conferindo
rapidez ao levantamento. Este foi o arranjo testado na aquisio 3D. Entretanto, o P-P
apresenta algumas srias desvantagens: o rudo inerente (o que dificulta a leitura durante
as medidas em campo e contamina a pseudo-seo, tornando-a bastante ruidosa) e a baixa
resoluo, produzindo imagens sem nitidez e com qualidade bem inferior s fornecidas
pelos arranjos D-D e P-D.

O arranjo Wenner produziu um bom resultado na rea da Raia Olmpica, que apresenta
caractersticas propcias para a utilizao deste (camadas geoeltricas estratificadas
horizontalmente).

201

Qualquer que seja o arranjo utilizado, a linha do levantamento deve extrapolar em


superfcie os limites da investigao, a fim de garantir ampla cobertura do perfil de
caminhamento. Algumas feies observadas nas bordas das sees modeladas devem ser
vistas com certa cautela, podendo tratar-se de artefatos gerados no processo de inverso
dos dados.

17.2

Utilizao de outras tcnicas/mtodos de apoio

As SEVs (utilizando o arranjo Schlumberger) mostraram um bom desempenho e um


papel importante para a definio das profundidades do modelo geoeltrico 2D (nos casos
de meios estratificados horizontalmente e com camadas plano-paralelas). Conforme suas
conhecidas potencialidades em termos de resoluo vertical, cumpre a funo de tcnica
auxiliar para a interpretao de sees modeladas 2D, no s com relao ao ajuste das
profundidades, mas tambm na checagem da distribuio vertical das resistividades.

Os resultados obtidos com os levantamentos eletromagnticos (EM) servem de apoio aos


modelos geoeltricos. Fornecem informaes qualitativas quanto distribuio das
resistividades em profundidade, valendo-se das medidas obtidas pelo mtodo nas duas
configuraes investigativas: dipolo horizontal (mais raso) e dipolo vertical (mais
profundo). A quantificao dos dados EM, testada na rea de Salespolis, apresentou
coerncia com o modelo geoeltrico 2D da eletrorresistividade.

A importncia das informaes diretas de sondagens, trincheiras, poos de


monitoramento e demais informaes, so fundamentais para a caracterizao do modelo
e sua correta interpretao, balizada pelas informaes geolgicas. Como exemplo, citase a rea de estudo 1 (Raia Olmpica), onde o grande volume de informaes diretas
permitiu anlises elaboradas e uma boa caracterizao da subsuperfcie, diminuindo
possveis ambigidades na interpretao dos resultados.

17.3

Aplicao no mapeamento de nvel dgua raso

Ficou plenamente caracterizado o comportamento geoeltrico da rea da Raia Olmpica,


representado pela seguinte distribuio de resistividades com a profundidade:
1 > 2 < 3> 4. As sees 2D modeladas exibem claramente este padro que foi

tambm observado em todas as SEVs e no levantamento de eletrorresistividade 3D.

202

O imageamento geoeltrico conseguiu definir de forma precisa as litologias rasas. A


qualidade das sees 2D comprova esta afirmativa. No entanto, no fossem as
informaes diretas de furos de sondagens, poos e trincheiras, a profundidade do nvel
dgua poderia ser erroneamente interpretada como o topo da camada de baixa
resistividade (2), que se encontra a aproximadamente 1,5m de profundidade. A seo
GPR, cujo sinal sofre forte atenuao a partir desta profundidade, corrobora esta
suposio. Entretanto, a profundidade mdia do nvel dgua est em torno de 3m e na
base de uma camada de argila plstica que ocorre na rea.

A primeira camada, composta por solo com matria orgnica e areia silte-argilosa com
presena de seixos, apresenta resistividade alta (1) e bastante influenciada pela
pluviosidade e variaes sazonais. A seo correspondente ao arranjo Wenner (Figura
14.4.3-14), realizada em poca distinta dos levantamentos com os arranjos D-D e P-D,
ilustra esta suposio. A camada abaixo do solo superficial e seco, correspondendo
argila plstica, menos influenciada. Esta camada de baixo valor de resistividade
apresentou pouca variao do parmetro medido, fato verificado nos modelos
geoeltricos correspondentes aos diversos levantamentos realizados em diferentes pocas
do ano.

O grfico de teor de umidade versus profundidade (Figura 14.4.4-8) mostra que esta
camada de argila plstica, encontrada entre 1,5m e 3m aproximadamente, retm muita
umidade. A resistividade desta camada, como conseqncia direta, cai de forma bastante
acentuada (em torno de 50 ohm.m). Na camada onde se encontra o nvel dgua, a
resistividade (3) volta a subir. Ou seja, o imageamento eltrico no conseguiu definir a
profundidade do nvel dgua propriamente dito, conforme o padro geralmente adotado
para a interpretao de dados geoeltricos voltados para este objetivo, isto , associandoo ao topo de uma camada onde se verifica a queda dos valores de resistividade.

O arranjo P-D, que foi capaz de alcanar maiores profundidades de investigao,


conseguiu imagear uma quarta camada de baixa resistividade (4), que corresponde
argila compacta que se encontra a aproximadamente 8m de profundidade e est sob a
argila plstica. As informaes das litologias mais profundas foram obtidas do poo
PM-1R. As SEVs tambm conseguiram identificar esta camada.

203

Foram obtidos melhores resultados com espaamento entre eletrodos igual a 1m e 2m. A
utilizao do espaamento de 0,5m, embora extremamente vagarosa, capaz de
imagear detalhes superficiais. O espaamento de 4m no apresentou bons resultados.

O levantamento 3D, embora consistindo em uma interessante experincia, no apresentou


boa resoluo, provavelmente devido ao arranjo utilizado (P-P). Outro fator que pesa
contra este tipo de aquisio o enorme tempo despendido para a aquisio dos dados.

A execuo de diversos perfis paralelos e prximos uns aos outros e utilizando um


arranjo que fornea melhor resoluo (D-D, por exemplo) pode constituir, em termos de
logstica e de tempo, uma prtica alternativa a levantamentos 3D de eletrorresistividade.

17.4

Aplicao no mapeamento do topo rochoso

O exemplo de aplicao na rea 2 (afloramento da Rodovia dos Bandeirantes) mostrou a


potencialidade da tcnica do caminhamento eltrico no mapeamento de topo rochoso.

O afloramento de diabsio foi suposto como sendo o corpo resistivo (3) que aparece no
modelo geoeltrico. O corpo gera a anomalia de alta resistividade que aparece de forma
bem clara nos levantamentos realizados com os arranjos D-D, P-D e P-P.

O modelo geoeltrico da rea dado por 1 > 2 < 3. As camadas com resistividades 1 e
2 correspondem ao solo do talude menos condutivo (na superfcie) e mais condutivo (
medida que a profundidade aumenta)

A inverso dos dados gerou imagens onde a conformao do topo ficou definida de
forma clara. Tanto o levantamento D-D como o P-D produziram sees modeladas
bastante similares. Ambas as pseudo-sees apresentaram-se tambm muito semelhantes.
Mesmo com o arranjo P-P, cuja pseudo-seo foi a que mais destoou em termos de
qualidade, a inverso conseguiu produzir uma boa imagem do topo rochoso, porm com
resoluo nitidamente inferior.

As profundidades para o perfeito ajuste do topo rochoso interpretado tiveram que ser
modificadas manualmente aplicando-se um mesmo fator de correo para as trs sees
obtidas com os arranjos D-D, P-D e P-P.

204

As sees sintticas geradas pelo modelo construdo sobre a malha de elementos finitos,
com profundidades bem conhecidas e as resistividades ajustadas de tal forma a obter uma
resposta coincidente com os dados de campo, mostraram uma boa concordncia com as
pseudo-sees de resistividade eltrica aparente. Esta resposta foi testada para os diversos
arranjos e diferentes espaamentos utilizados (4m, 2m e 1m).

17.5

Aplicao no mapeamento de contaminao

Nesta rea ficou tambm ficou evidenciada a melhoria na qualidade dos resultados com a
utilizao de mltiplos espaamentos entre eletrodos (exemplo, 2m e 1m), que apresentou
de forma conjunta melhor resoluo e maior profundidade de penetrao.

Os resultados finais obtidos (sees modeladas dos arranjos D-D e P-D) apresentaram
grande semelhana entre si. Em ambiente geoeletricamante estratificado, onde as
variaes de resistividade no so muito pronunciadas, o P-D mostrou, a exemplo dos
casos anteriores, ser uma alternativa vivel ao D-D. Foram alcanadas maiores
profundidades de penetrao sem significativa perda de resoluo.

Embora bastante conhecida a potencialidade da tcnica no mapeamento de contaminantes


em subsuperfcie, no foi possvel identificar a pluma de contaminao decorrente da
infiltrao de efluentes domsticos, possivelmente devido ausncia de contrastes em
subsuperfcie, na rea de Salespolis

Entretanto ficou bem caracterizado o comportamento geoeltrico da rea, cujo padro


(1 < 2 > 3) foi confirmado pela SEV e o levantamento EM. A boa correlao dos dados
obtidos com os diferentes mtodos permitiu ainda realizar uma quantificao dos dados
EM, atravs de modelamento direto utilizando as curvas de resposta cumulativa e a
comparao direta dos resultados com o modelo 2D de resistividade obtido com a
inverso dos dados.

Como no caso da rea da Raia Olmpica, a zona saturada corresponde a uma camada
onde os valores de resistividade aumentam em relao camada sobrejacente,
contrariando o que geralmente esperado. Este comportamento padro, onde as
resistividades diminuem com a presena da zona saturada deve ocorrer em locais com
predominncia de fraes arenosas no perfil litolgico como um todo. A presena de
fraes mais finas (site-argilosas) no perfil, ou mesmo uma camada de argila presente na
zona no saturada pode alterar este comportamento.

205

Finalmente, um procedimento que deve ser enfaticamente recomendado, a aplicao


integrada do maior nmero possvel de tcnicas e mtodos geofsicos para o estudo de
uma determinada rea. Da mesma forma, os resultados da geofsica devem sempre ser
interpretados com base nas informaes diretas disponveis (furos de sondagens,
trincheiras, poos) para o aprimoramento da anlise com relao s quantificaes e as
corretas inferncias sobre as caractersticas dos materiais geolgicos existentes em
subsuperfcie no local da investigao.

206

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